等离子体增强化学气相沉积设备

8英寸等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备1. 产品概述Shale® A系列等离子体增强化学气相沉积设备（PECVD）是一款先进的薄膜沉积设备，旨在满足半导体制造和相关领域对于高质量薄膜沉积的需求。该设备采用了平行电容板电场放电技术，有效地产生等离子体，这种等离子体环境使得各种薄膜材料的沉积过程更加高效和精准。在操作温度方面，Shale® A系列设备能够在400°C及以下的条件下，实现较为致密且均匀性极佳的薄膜沉积。这一特性使其成为沉积多种材料的理想选择，包括氧化硅、TEOS（四乙氧基硅烷）、BPSG（掺铝的硅玻璃），以及氮化硅、氮氧化硅、非晶硅、非晶碳和非晶碳化硅等多种高性能薄膜材料。此外，Shale® A系列设备在设计和制造过程中，充分考虑了国际市场的标准，采用了符合SEMI（美国半导体设备与材料国际协会）标准的通用零部件，确保设备在全球范围内的兼容性和可用性。同时，该设备经过了一系列严格的稳定性和可靠性测试，验证其能够在实际生产中保持优异的性能表现，从而为用户提供了一个可信赖的沉积解决方案。这使得Shale® A系列PECVD设备不仅适用于高技术要求的半导体行业，还能够确保在各种应用场景中的稳定运行。2. 系统特性可提供基于硅烷（SiH4）体系的薄膜沉积方案，还可选正硅酸乙酯（TEOS）体系的沉积方案可提供双频设备，使氮化硅（SiNx）的应力可调，范围从压应力-1.6GPa到张应力+0.7GPa可提供n/p型掺杂，满足磷硅玻璃（PSG）和硼磷硅玻璃（BPSG）等掺杂氧化硅工艺的需求8/6英寸兼容

1. 产品概述：高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积（PECVD）系统是一种先进的材料制备技术，广泛应用于物理学、化学、材料科学等多个领域。该系统通过在高真空环境下利用射频、微波等能量源将反应气体激发成等离子体状态，进而在基片表面发生化学反应，沉积出所需的薄膜材料。这种技术具有沉积温度低、沉积速率快、薄膜质量高等优点，能够制备出多种功能性薄膜，如氧化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅等。2 设备用途/原理：半导体工业：用于制备集成电路中的钝化层、介电层等关键薄膜，提高器件的可靠性和性能。光伏产业：在太阳能电池制造中，PECVD系统被广泛应用于制备透明导电氧化物（TCO）薄膜、减反射膜等，以提高光电转换效率。平板显示：在液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）等平板显示器件的制造中，PECVD系统用于制备薄膜晶体管（TFT）的栅极绝缘层、钝化层等关键薄膜。微电子与纳米技术：在微纳电子器件、纳米传感器等领域，PECVD系统能够制备出具有优异性能的薄膜材料，如抗腐蚀层、绝缘层等。3. 设备特点1 高真空环境：PECVD系统通常配备有高真空泵组，以确保反应室内的真空度达到较高水平，从而减少杂质对薄膜质量的影响。 2 等离子体增强：通过射频或微波等能量源将反应气体激发成等离子体，使气体分子高度活化，降低反应温度，提高沉积速率和薄膜质量。 3 精确控制：系统配备有精密的控制系统，可以对反应气体的流量、压力、温度以及射频功率等参数进行精确控制，从而实现对薄膜厚度、成分和结构的精确调控。 4 多功能性：PECVD系统具有广泛的应用范围，可以制备出多种不同成分和结构的薄膜材料，满足不同领域的需求。真空室结构:1个中央传输室：蝶形结构；3个沉积室：方形结构； 1个进样室：方形结构真空室尺寸:中央传输室：Φ1000×280mm ； 沉积室：260×260×280mm ；进样室：300×300×300mm限真空度:中央传输室：6.67E-4 Pa；沉积室：6.67E-6 Pa ；进样室：6.67 Pa沉积源:设计待定样品尺寸，温度:114X114X3mm， 加热温度350度，机械手传递样品占地面积（长x宽x高）:约13米x9米x2.3米（设计待定）电控描述:全自动控制工艺:在80X80mm范围内硅膜的厚度均匀性优于±5%特色参数:共有8路工作气体

1. 产品概述：高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积（PECVD）系统是一种先进的材料制备技术，广泛应用于物理学、化学、材料科学等多个领域。该系统通过在高真空环境下利用射频、微波等能量源将反应气体激发成等离子体状态，进而在基片表面发生化学反应，沉积出所需的薄膜材料。这种技术具有沉积温度低、沉积速率快、薄膜质量高等优点，能够制备出多种功能性薄膜，如氧化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅等。2 设备用途/原理：半导体工业：用于制备集成电路中的钝化层、介电层等关键薄膜，提高器件的可靠性和性能。光伏产业：在太阳能电池制造中，PECVD系统被广泛应用于制备透明导电氧化物（TCO）薄膜、减反射膜等，以提高光电转换效率。平板显示：在液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）等平板显示器件的制造中，PECVD系统用于制备薄膜晶体管（TFT）的栅极绝缘层、钝化层等关键薄膜。微电子与纳米技术：在微纳电子器件、纳米传感器等领域，PECVD系统能够制备出具有优异性能的薄膜材料，如抗腐蚀层、绝缘层等。3. 设备特点 1 高真空环境：PECVD系统通常配备有高真空泵组，以确保反应室内的真空度达到较高水平，从而减少杂质对薄膜质量的影响。 2 等离子体增强：通过射频或微波等能量源将反应气体激发成等离子体，使气体分子高度活化，降低反应温度，提高沉积速率和薄膜质量。 3 精确控制：系统配备有精密的控制系统，可以对反应气体的流量、压力、温度以及射频功率等参数进行精确控制，从而实现对薄膜厚度、成分和结构的精确调控。 4 多功能性：PECVD系统具有广泛的应用范围，可以制备出多种不同成分和结构的薄膜材料，满足不同领域的需求。4 设备参数真空室结构:方形侧开门真空室尺寸:设计待定限真空度:≤6.0E-5Pa沉积源:设计待定 样品尺寸，温度:设计待定占地面积（长x宽x高）:约6米×3米x2米（设计待定）电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性：≤±5%

1. 产品概述：高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积（PECVD）系统是一种先进的薄膜制备设备，它结合了化学气相沉积（CVD）与等离子体技术的优势。该系统在高真空环境下，通过射频、微波等手段激发气体形成等离子体，使气体分子高度活化并促进其在衬底表面发生化学反应，从而沉积出高质量的薄膜。PECVD系统广泛应用于半导体、光伏、平板显示、储能材料等领域，用于制备多种功能薄膜。2 设备用途/原理：半导体工业：用于制备集成电路中的钝化层、介电层、栅极绝缘层等，提高器件性能。光伏产业：制备太阳能电池板中的透明导电膜（TCO）、减反射膜等，提升光电转换效率。平板显示：在液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）显示屏中制备薄膜晶体管（TFT）的栅极绝缘层、钝化层等。储能材料：制备锂离子电池、超级电容器等储能器件中的电极材料，提高能量密度和循环稳定性。3. 设备特点1 高真空环境：确保沉积过程的纯净度和薄膜质量，减少杂质污染。2 等离子体增强：提高气体分子的活化能，降低反应温度，促进化学反应速率，有利于制备高质量薄膜。3 薄膜均匀性：通过优化气体流动和等离子体分布，实现薄膜厚度的均匀控制。4 灵活性高：可根据需要调整沉积参数（如气体种类、流量、压力、温度等），制备不同成分和结构的薄膜。5 自动化程度高：集成先进的控制系统和监测设备，实现自动化操作和实时监控，提高生产效率和产品质量。4 设备参数真空室尺寸:φ400x300mm限真空度:≤6.67E-5Pa沉积源:设计待定样品尺寸，温度:φ4英寸，1片，高600℃占地面积（长x宽x高）:约2.6米x1.6米x1.8米电控描述:全自动工艺:设计待定特色参数:设计待定

泽攸科技 等离子体增强化学气相沉积系统（PECVD），符合CE认证标准的三温区CVD系统，生长样品腔的管径60-120mm，它是由高温管式炉、多路高精度流量控制与供气系统、机械泵、真空密封及测量系统、尾气处理系统组成，极限真空度可达 10^-5 torr 。主要特点：1，优势在于各种薄膜材料、低维纳米材料等的制备（尤其适用于过渡金属二维半导体材料的生长与原位掺杂，以及多元二维材料的生长）2，可选配远程等离子射频发生系统，可用于各种薄膜材料、低维纳米材料等的等离子体辅助生长、刻蚀加工与材料表面修饰（尤其适用于石墨烯、氮化硼等二维材料的无催化生长，缺陷调控，以及器件制作工艺中的残胶去除）3，生长工艺设计先进，能满足任意衬底无催化生长4，应用案例（点击跳转） 设备主要技术参数温控参数单位温度1200℃功率6.5kw温控精度±1℃真空系统真空泵1 x 10-3 (7.5 x 10-4)mbar (Torr)真空泵(开气镇)1.5 x 10-2 (1.1 x 10-2)mbar (Torr)真空泵(使用PEPE 油)1 x 10-2(7.5 x 10-3)mbar (Torr)腔体内真空度优于2.0*10-2Torr流量控制参数泄露率＜4×10-9atm-cc/secHe分辨率全量程的0.1%响应时间气特性2s响应时间电特性500ms尾气吸收参数材质壳体铝合金、不锈钢吸气腔聚四氟乙烯等离子体系统参数功率输出5 – 300，5 – 500W信号频率13.56 ±0.005%MHz反射功率200W功率稳定度±0.1%谐波分量≤-50dbc供电电压187V – 253V —- 频率50/60HZ以上就是东莞市卓聚科技有限公司提供的等离子体增强化学气相沉积系统（PECVD）的介绍，了解更多直接咨询：原文： 随着微电子、纳米科技和人工智能等领域的进一步发展，精密定位不仅在实验室用途广泛，工业界的应用也越来越多。该团队在以往研究基础上，发展出一系列具有自主知识产权的超精密定位产品，填补了国产空白。一个火柴盒大小、外壳包覆金属的小方块，通过电压控制能够实现纳米级别的精密位移，可以用于对精密度要求超.高的科学实验、精密制造和半导体工业等领域。日前，在松山湖材料实验室高.端科研设备产业化团队的实验室内，团队负责人许智展示了该团队拥有核心技术的压电驱动纳米位移台。安徽泽攸科技有限公司为您提供压电旋转纳米位移台RF-5950A的参数、价格、型号、原理等信息，压电旋转纳米位移台RF-5950A产地为安徽、品牌为泽攸科技，型号为旋转纳米位移台，价格为面议，更多相关信息可来电咨询，公司客服电话7*24小时为您服务

AXIC基准800® ICP蚀刻和沉积经济实惠的高性能驱动器和低温等离子体处理系统AXIC公司的基准800® 电感耦合等离子体(ICP)处理系统定义了深度反应离子蚀刻(DRIE)和低温低损伤等离子体增强化学气相沉积(ICP PECVD)等离子体处理的新概念。该系统基于模块化设计，从通用腔室和机柜单元开始，具有ICP蚀刻和沉积底部电极，可轻松安装到腔室单元中。我们相信您会发现基准800® ICP的易用性，各种等离子工艺，可维护性和有吸引力的价格是市场上任何其他等离子产品所无法超越的。系统描述在等离子体加工的研究和发展中，一直非常需要一种高度通用和可靠的工具。随着等离子体研究需求的不断变化，所选择的系统必须提供最广泛的工艺参数和高度的可重复性，以进行工艺验证。它还必须易于修改以适应新的工艺要求。我们相信我们的基准800® ICP蚀刻/沉积等离子体系统满足这些非常苛刻的要求。BenchMark 800® ICP工具是一种等离子体工具，可用于研究，工艺开发或小批量生产，可在直径达8″的基板上进行精确蚀刻和沉积。该系统还可以容纳硅片。在设计基准800-III® ICP工具时，主要指令是创建一个系统，该系统结合了专用生产导向系统的质量，可靠性和过程控制能力，同时大大降低了成本，维护和占地面积要求。BenchMark 800® ICP工具独特的机柜和电极设计使其易于安装在层流模块或洁净室中。经过验证的高质量组件，模块化组件，通用腔室和电极设计，紧凑的尺寸，自动化和现场验证的工艺配方使AXIC基准800® ICP工具成为等离子工程师的“首选系统”。以上翻译结果来自有道神经网络翻译（YNMT） 通用场景

等离子体增强化学气相沉积PECVD主要用于在洁净真空环境下进行氮化硅和氧化硅的薄膜生长；采用单频或双频等离子增强型化学气相沉积技术，是沉积高质量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工艺设备。设备用途和功能特点1、该设备是高真空单频或双频等离子增强化学气相沉积PECVD薄膜设备，主要用于制备氮化硅和氧化硅薄膜。2、设备保护功能强，具备真空系统检测与保护、水压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护。3、 配置尾气处理装置。设备安全性设计1、电力系统的检测与保护2、设置真空检测与报警保护功能3、温度检测与报警保护4、冷却循环水系统的压力检测和流量检测与报警保护设备技术指标类型参数样片尺寸≤φ6英寸(或3片2英寸)样片加热台加热温度室温~600℃±0.1℃真空室极限真空≤7×10-5Pa工作背景真空≤8×10-4Pa设备总体漏放率停泵12小时后，真空度≤10Pa样品、电极间距5mm~50mm在线可调工作控制压强10Pa~1500Pa气体控制回路根据工艺要求配置单频电源的频率13.56MHz双频电源的频率13.56MHz/400KHz工作条件类型参数供电三相五线制 AC 380V工作环境温度10℃~40℃气体阀门供气压力0.5MPa~0.7MPa质量流量控制器输入压力0.05MPa~0.2MPa冷却水循环量0.6m3/h 水温18°C~25℃设备总功率7kW设备占地面积2.0m~2.0mPECVD及太阳能薄膜电池设备单室PECVD设备/控制系统五室PECVD设备六室太阳能薄膜电池设备PECVD+磁控溅射关于鹏城半导体 鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

NANO-MASTER的等离子增强化学气相沉积系统PECVD系统:NPE-4000 计算机控制的独立式PECVD系统NRP-4000 计算机控制的独立式RIE/PECVD双系统NSP-4000 计算机控制的独立式 Sputter/PECVD双系统NPE-3500 计算制控制的紧凑型独立式PECVD系统NPE-3000 计算机控制的台式PECVD系统NPE-1000 简化型台式PECVD系统NANO-MASTER的NPE-4000 PECVD等离子增强化学气相沉积系统可以制造高质量的氧化硅、氮化硅、碳纳米管、金刚石和碳化硅等薄膜。根据不同的应用，可以使用射频淋浴头、中空阴极、ICP或微波等离子源进行沉积镀膜。分别通过增加ICP电感耦合等离子源升级为ICPECVD电感耦合等离子增强化学气相沉积系统，增加远程微波源升级为MPECVD微波等离子增强化学气相沉积系统。基板可以容纳8英寸晶圆，可通过射频、脉冲直流或者直流电源提供偏压，可通过热电阻或者红外灯加热到800°C。使用260l/s涡轮泵和5cfm机械前级泵可使腔体真空达到5×10-7Torr（该系列PECVD等离子增强化学气相沉积系统也可以升级分子泵和机械泵达到更高的真空能力）。通过不同的样品台偏压，样品台温度和等离子源的组合，NANO-MASTER那诺-马斯特的PECVD等离子增强化学气相沉积系统可以满足用户非常广泛的需求应用。同时我们可以支持用户大尺寸基片的PECVD沉积或者批处理沉积的量产应用。 系统使用LabView可视化用户界面，触摸屏监控屏幕的计算机控制，可实现全自动化操作。特点：** 13"铝腔或14"不锈钢立方腔体** 可支持大基片或批处理应用(腔体和离子源等均需要升级)** 涡轮分子泵组可达到5×10Torr极限真空** 独家直连设计，提供最佳真空传导率，8小时达到极限真空** 等离子源：根据应用可选射频淋浴头/ICP/中空阴极/微波** 配套气体环用于前驱体和气体** 样品台：200-950°C温度旋转RF/低频RF/DC/Pulse DC偏压** MFC配套电抛光气体管道和气动截止阀** 基于PC的全自动控制，菜单驱动** Labview可视化用户交互界面** EMO保护和安全联锁选配：** ICP源用于高密度等离子，升级为ICPECVD** 远程微波等离子源，升级为MPECVD** 基片脉冲直流偏压** 低频偏压用于薄膜应力控制** 旋转样品台用于涂覆3D元件** 单片自动上下片，或Cassette-to-Cassette自动上下片** 大尺寸基片镀膜或批处理能力** 样片手动或自动翻转，用于双面镀膜** 前级泵升级为干泵** 带加热管路的鼓泡器用于有机金属化合物** 带毒气监控气体柜用于有毒气体** 终点监测** 各种掺杂物(磷化氢、乙硼烷)应用支持应用：** 封装，绝缘** 硅的化合物** 光子结构** DLC类金刚石薄膜** CNT碳纳米管—储存器件** SiC薄膜** 表面钝化层—太阳能电池** 石墨烯—纳米级电子元件** 其它类型薄膜

产品详情等离子体增强化学气相沉积（Oxford Plasmalab System100 PECVD） 原理：在保持一定压力的原料气体中，借助射频功率产生气体放电，使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体。在气体放电等离子体中，由于低速电子与气体原子碰撞，产生正、负离子之外，还会产生大量的活性基，从而大大增强反应气体的化学活性。这样，在相对较低的温度下，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。由于PECVD技术是通过反应气体放电来制备薄膜的，有效的利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方式。一般说来，采用PECVD技术制备薄膜材料时，薄膜的生长主要包含以下三个基本过程：首先，在非平衡等离子体中，电子与反应气体发生初级反应，使得反应气体发生分解，形成离子和活性基团的混合物；其二，各种活性基团向薄膜生长表面和管壁扩散运运输运，同时发生各反应物之间的次级反应；左后，到达生长表面的各种初级反应和次级反应产物被吸附并于表面发生反应，同时伴随有气相分子物的再放出。PECVD的优点是：基本温度低，沉积速率快，成模质量好，针孔较少，不易龟裂。技术指标：可蒸发不同厚度的SiO2 和SiNx薄膜，广泛应用于物理，生物，化学，材料，电子等领域。沉积薄膜种类：SiO2，SiNx，SiONx基底温度：小于400℃薄膜均匀性：±3%（4英寸）装片：小于6英寸的任意规格的样品若干

1.产品概述：提供大面积刻蚀与沉积的量产型解决方案，LED工业要求高产量，高器件质量和低购置成本。PlasmaPro1000更好地解决了这些需求。2.设备原理：PECVD技术是在低气压下，利用低温等离子体在工艺腔体的阴上（即样品放置的托盘）产生辉光放电，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的工艺气体，这些气体经一系列化学反应和等离子体反应，终在样品表面形成固态薄膜。3.产品特点：真更大的批量生产能力高产量更稳定的器件质量低购置成本提供单晶圆传送腔室或者多至三个腔室的集群式配置标准的真空传送腔室，具有直开式和集群式选项出色的正常运转时间高质量器件性能和良率艺4.设备工艺490mm电-更为先进的批量规模，多达7x6”晶圆，提供了更高的产量可靠的硬件系统易维护性-出色的正常运转时间压盘-增强晶圆冷却 Z向可移动电-更好的均匀性双进气口-易于工艺调整特殊的载盘设计-每片晶圆在小的边缘去除区域之内，均获得有效的冷却，且易于使用和维护高导通的径向（轴对称）抽气结构-确保提升了工艺均匀性和速率提供大面积刻蚀与沉积的量产型解决方案，LED工业要求高产量，高器件质量和低购置成本。PlasmaPro1000更好地解决了这些需求。490mm电-更为先进的批量规模，多达7x6”晶圆，提供了更高的产量可靠的硬件系统易维护性-出色的正常运转时间压盘-增强晶圆冷却Z向可移动电-更好的均匀性双进气口-易于工艺调整特殊的载盘设计-每片晶圆在小的边缘去除区域之内，均获得有效的冷却，且易于使用和维护高导通的径向（轴对称）抽气结构-确保提升了工艺均匀性和速率

AXIC基准800® 蚀刻和沉积具有成本效益的等离子体处理系统，用于反应离子蚀刻和/或等离子体增强化学气相沉积Axic公司的基准800等离子体处理系统在RIE和PECVD等离子体处理系统中定义了一个新概念。该系统基于模块化设计，从通用腔室和机柜单元开始，具有Planar, RIE和PECVD电极模块，可轻松安装到腔室单元中。我们相信您会发现基准800-II® 的易用性，各种等离子工艺，可维护性和有吸引力的价格是市场上任何其他等离子产品所无法超越的。系统描述在等离子体加工的研究和发展中，一直非常需要一种高度通用和可靠的工具。随着等离子体研究需求的不断变化，所选择的系统必须提供最广泛的工艺参数，工艺验证的高度可重复性，并且必须易于修改以满足新的工艺要求。我们相信BenchMark 800® 系列干法处理系统可以满足这些非常苛刻的要求。BenchMark 800® 是一种等离子体工具，用于研究、工艺开发或小批量生产，可在直径达8英寸的基板上进行精确蚀刻和沉积。该系统可以在批处理或单片模式下运行。在设计基准800® 时，主要指令是创建一个系统，该系统结合了专用生产导向系统的质量，可靠性，可重复性和过程控制能力，同时大大降低了成本，维护和占地面积要求。BenchMark 800-II® 独特的机柜和电极设计可以轻松安装在层流模块或洁净室中。经过验证的高质量组件、模块化子组件、通用腔室和电极设计、紧凑的尺寸、自动化和经过现场验证的工艺配方，使Axic公司的BenchMark 800® 成为等离子工程师的“首选系统”。特性单件式室结构原位电极间距(PECVD版本)可更换的气体淋浴喷头经过验证的工艺配方战地组件端点检测(选项)多种电极配置自动射频匹配下游压力控制(可选)计算机控制与Windows编程多种泵送选择:机械，机械/鼓风机，涡轮单室和双室版本

1. 产品概述PlasmaPro 800是一款先进的等离子增强化学气相沉积（PECVD）设备，专为大批量晶圆和300mm晶圆的生产需求而设计，提供了灵活且高效的处理解决方案。它引入了紧凑的开放式装载系统，使得操作更加便捷，同时提升了生产效率，适应各种制造环境。该设备配备了460mm直径的工作台，具备处理整片300mm晶圆的能力，同时能够高效处理大批量的43 x 50mm（2”）小晶圆，通过这一设计，PlasmaPro 800能够满足不同尺寸晶圆的生产需求，为用户提供全面的量产解决方案。这种高适应性的特点让用户能够灵活应对不断变化的市场需求，特别是在大规模生产环境中表现尤为突出。此外，PlasmaPro 800以其出色的性能和可靠性赢得了市场的广泛认可，成为同类设备中的佼佼者。它支持多种材料的沉积工艺，能够应用于诸如光电设备、微电子器件、MEMS等多个领域，为客户的创新研发和产品制造提供强大动力。综合来看，PlasmaPro 800不仅在技术上实现了突破，还通过其灵活的配置和高效的操作方式，将大批量晶圆的生产推向新的高度，为半导体产业的可持续发展提供了坚实的基础。2. 特色参数高性能工艺准确的衬底温度控制准确的工艺控制成熟的300mm单晶圆失效分析工艺3. 为化合物半导体、光电子和光子学应用提供了更为灵活的工艺，PlasmaPro 800 可提供：大型电 - 低成本刻蚀终点监测 - 可靠性和可维护性俱佳通过激光干涉仪与/或发射光谱进行终点监测 - 增强刻蚀控制可选择带有4-、8-或12-条气路的气柜 - 可提供灵活的工艺和工艺气体，可以与主机分离，放置在远端服务区近距离耦合涡轮泵 - 提供优秀的泵送速度加快气体的流动速度数据记录 - 追溯腔室的历史状态以及工艺条件液体冷却和/或电加热电 - 出色的电温度控制和稳定性

1. 产品概述等离子增强化学气相沉积PECVD2. 应用方向高质量PECVD沉积氮化硅和二氧化硅，用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用途；用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀3. 技术参数(1) 电阻丝加热电极，最高温度可达400°C或1200°C(2) 实时监测清洗工艺， 并且可自动停止工艺(3) 晶圆最大可达200mm，可快速更换硬件以适用于不同尺寸的晶圆(4) 高导通的径向（轴对称）抽气结构：确保提升了工艺均匀性和速率(5) 增加了500毫秒的数据记录功能：可追溯腔室和工艺条件的历史记录(6) 通过前端软件进行设备故障诊断，故障诊断速度快(7) 用干涉法进行激光终点监测：在透明材料的反射面上测量刻蚀深度 (例如硅上的氧化物)，或者用反射法来确定非透明材料 (如金属) 的边界(8) 用发射光谱（OES）实现较大样品或批量工艺的终点监测：监测刻蚀副产物或反应气体的消耗量的变化，以及用于腔室清洗的终点监测4. 企业简介深圳市矢量科学仪器有限公司是集半导体仪器装备代理及技术服务的高新技术企业。致力于提供半导体制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试设备、半导体光电测试仪表及相关仪器装备维护、保养、售后技术支持及实验室整体服务。公司已授实用新型权利 29 项，软件著作权 14 项，是创新型中小企业、科技型中小企业、规模以上工业企业。

日本SAMCO PD-4800等离子体增强的化学气相沉积系统PD-4800是一种等离子体增强的化学气相沉积系统，能够沉积二氧化硅，氮化硅，和 非晶硅

PE-CVD解决方案与典型CVD反应器相比，等离子体增强型化学气相沉积(PE-CVD)提供了一种可使用更低温度沉积各种薄膜的有效替代方案，同时不会降低薄膜质量。高质量的二氧化硅(SiO2)膜可以在300℃至350℃沉积，而CVD需要650℃至850℃的温度生产类似质量的镀膜。PE-CVD使用电能产生辉光放电(等离子体)，其中能量转移到气体混合物中。这将气体混合物转化成反应性自由基、离子、中性原子和分子，以及其他高活性物质。在PE-CVD中，气相和表面反应受到等离子体性质的强烈控制。代替热活化，气体混合物的电子碰撞电离驱动气相反应，能够在比常规CVD工艺低得多的温度下进行沉积。 对于PE-CVD，沉积速率通常不是基片温度的强函数，表面活化能通常很小。然而，薄膜性质，例如，组成、应力和形态，通常是基片温度的强函数。等离子体增强CVD的优点PE-CVD镀膜的一些理想性能包括，良好的粘附性、低针孔密度、良好的保形性，以及平面和三维表面上的均匀性。 PE-CVD的实用性和灵活性在于，其能够在从硅片到汽车部件的各种基材上沉积高质量的镀膜。此外，等离子体增强CVD系统比常规CVD提供更低的拥有成本。丹顿真空公司专门从事等离子增强CVD (PE-CVD)，沉积类金刚石(DLC)镀膜。DLC镀膜是一类无定形碳膜，表现出与金刚石相似的性能，例如，硬度、抗刮擦性和高导热性。此外，DLC镀膜由于其生物相容性、红外透明性和电绝缘性能，在商业方面极具价值。丹顿公司已经开发专有的能力，扩展DLC的特性范围，包括抗指纹和疏水性。我们的 Voyager PE-CVD解决方案提供低温溅射，具有高度均匀性

1. 产品概述设计PECVD工艺模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、应力、电学特性和湿法化学刻蚀速率的提下，生产均匀性好且沉积速率高的薄膜。PlasmaPro 100 PECVD 由于电温度均匀性和电中的喷淋头设计，可提供出色的保形沉积和低颗粒生成，允许射频能量产生等离子体。等离子体的高能反应性物质提供高沉积速率，以达到所需的基板厚度，同时保持低压。其双频 13.56MHz 和 100KHz 功率应用于上电，可实现应力控制和薄膜致密化.高质量的薄膜，高产量和出色的均匀性电的适用温度范围宽兼容200mm以下所有尺寸的晶圆可快速更换硬件以适用于不同尺寸的晶圆成本低且易于维护电阻丝加热电，高温度可达400°C或1200°C实时监测清洗工艺， 并且可自动停止工艺2. 特点将反应物质输送到基材，通过腔室具有均匀的高电导路径，允许使用高气体流量，同时保持低压射频供电喷淋头，具有优化的气体输送功能，通过LF/RF开关提供均匀的等离子体处理，从而可以精确控制薄膜应力高泵送能力，提供宽的工艺压力窗口通过均匀的高导通路径连接的腔室，将反应粒子输送到衬底在维持低气压的同时，允许使用较高的气体通量高度可变的下电充分利用等离子体的三维特性，在优秀的高度条件下，衬底厚度大可达10mm电的温度范围宽（-150°C至+ 400°C），可通过液氮，液体循环制冷机或电阻丝加热可选的吹排及液体更换单元可自动进行模式切换由再循环制冷机单元供给的液体控温的电出色的衬底温度控制射频功率加载在喷头上，同时优化气体输送提供具有低频/射频切换功能的均匀的等离子体工艺，可精确控制薄膜应力ICP源尺寸为65mm，180mm，300mm确保200mm晶圆的工艺均匀性高抽气能力提供了更宽的工艺气压窗口晶压盘与背氦制冷更好的晶片温度控制3. 应用范围：高质量PECVD沉积氮化硅 和 二氧化硅 用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用途用于高亮度LED 生产的硬掩模沉积和刻蚀

仪器简介：该系统中的PECVD可以沉积高质量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、类金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜等。标准配置射频(RF)，可选用空阴极高密度等离子体(HCD)源、感应耦合等离子体（ICP）源。最大沉积尺寸为8英寸。 使用花伞式的阴极射频等离子源，压盘可由射频或脉冲直流控制，电阻加热，循环水冷。标准配置由一路载气和两路反应气组成，也可以选配流量计。 设备规格： 计算机控制的高品质沉积设备； 射频花伞喷淋头等离子源； 最大可沉积8英寸直径的薄膜； RF偏压基底夹具； 水冷平台(water cooled platen)； 一路载气和两路反应气通过流量计控制流量； 分子涡轮泵； 基本真空度10-7 Torr，200L/sec涡轮分子泵； 空气控制阀；技术参数：PECVD参数： 平板尺寸(Platen size) 8英寸 源直径(Source diameter) 8英寸 气路数(No. of gas feeds) 4(2反应气，1载气，1排气) 源到平板距离(Source to platen distance) 2英寸或可以调节 最高平板温度(Max. platen temp.) 400℃ 射频电源(RF power supply source) 600瓦，13.5 MHz 射频偏置(RF bias) 300瓦，13.5 MHzRIE参数： 电脑控制，全能自锁 电极： 8” 电极冷却: 水冷 流量计MFC数量: 标配4个 RIE腔体：铝制，13”直径大小 工作压力： 0.02-500 mTorr, 动态压力控制 射频电源： 13.5 MHz, 600 W ，带自动调频， 真空度 : 10-7 Torr 以上，配涡沦分子泵, Baratron and WR 真空规 N2 吹扫: 整个腔体和气路 气体分散: 喷淋头式 硅片装载Wafer Load: 手动，气动式掀盖放置 等离子体源Plasma Sources: 台板射频偏压，可以产生-400V 偏压主要特点：柜式PECVD/ RIE系统，电脑Lab View软件控制 PECVD 等离子体源：平面喷淋头射频电极产生离子源 流量控制 :4个流量计（MFC） (针对 PECVD： NH3, 2%SiH4/Ar, O2, 和 N2O) PECVD样品台Platen : 8”不绣钢，可加热至300C，水冷，温度可控，可配射频偏压 （选配） PECVD沉积腔尺寸 : 14” x 14” x 14” ，不绣钢。真空度要求 5 x 10 - 7 Torr 以上 PECVD沉积腔前门可视窗口（5“直径），手动门（8”直径），和10“法兰，硅片在开门后手动放置 RIE腔体尺寸： 13” 直径，铝材质，掀盖式放置，气动式开门, 工作压力 : 0.02 to 1 Torr 铝质射频台，最大至8”硅片，水冷，（冷却器未包括，需要用户提供） 喷淋头式气体分散 配加热工作时使用Baratron真空计(用于RIE)和BOC Edwards 宽频真空计(用于RIE & PECVD) 3个流量计（MFC），用于RIE(C2,BCl3,and N2) 全自动过程压力控制 VCR接头和 Nupro阀门 , 氮气线吹扫，电脑控制质量流动控制器（MFC） 德国普发公司TPH261PC型200L/sec耐腐蚀涡轮分子泵和BOC公司RV12式机械泵组合使用 射频供电： 600 W，13.5MHz 带自动调频。接入电源 220 V, 3PVAC, 20 Amp/Phase, 50/60 Hz,

ICPECVD沉积技术NPE-4000（ICPM）ICPECVD等离子体化学气相沉积系统概述：NANO-MASTER ICPECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到最大可达6” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个MFC.带有独一无二气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求，无论是等离子强度、均匀度，还是要分别激活某些活性组份，这样系统可以覆盖最广的可能性来获得各种沉积参数。NPE-4000（ICPM）ICPECVD等离子体化学气相沉积系统应用： 等离子诱导表面改性：就是通常所说的用等离子实现表面改性(如亲水性、疏水性等)等离子清洗：去除有机污染物等离子聚合：对材料表面产生聚合反应沉积二氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石)，以及其它薄膜CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长：在需要的位置生长CNT或石墨烯。NPE-4000（ICPM）ICPECVD等离子体化学气相沉积系统特点：立式ICPECVD系统不锈钢或铝制腔体极限真空可达10-7TorrICP离子源高达12”(300mm)直径的样品台RF射频偏压样品台水冷样品台可加热到的800 °C样品台加热的气体管路加热的液体传送单元抗腐蚀的涡轮分子泵组最大可支持到8MFC基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完整的安全联锁

系统中的PECVD可以沉积高质量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、类金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜等。标准配置射频(RF)，可选用空阴极高密度等离子体(HCD)源、感应耦合等离子体（ICP）源。最大沉积尺寸为8英寸。 使用花伞式的阴极射频等离子源，压盘可由射频或脉冲直流控制，电阻加热，循环水冷。标准配置由一路载气和两路反应气组成，也可以选配流量计。 设备规格： 计算机控制的高品质沉积设备； 射频花伞喷淋头等离子源； 最大可沉积8英寸直径的薄膜； RF偏压基底夹具； 水冷平台(water cooled platen)； 一路载气和两路反应气通过流量计控制流量； 分子涡轮泵； 基本真空度10-7 Torr，200L/sec涡轮分子泵； 空气控制阀；技术参数：PECVD参数： 平板尺寸(Platen size) 8英寸 源直径(Source diameter) 8英寸 气路数(No. of gas feeds) 4(2反应气，1载气，1排气) 源到平板距离(Source to platen distance) 2英寸或可以调节 最高平板温度(Max. platen temp.) 400℃ 射频电源(RF power supply source) 600瓦，13.5 MHz 射频偏置(RF bias) 300瓦，13.5 MHzRIE参数： 电脑控制，全能自锁 电极： 8” 电极冷却: 水冷 流量计MFC数量: 标配4个 RIE腔体：铝制，13”直径大小 工作压力： 0.02-500 mTorr, 动态压力控制 射频电源： 13.5 MHz, 600 W ，带自动调频， 真空度 : 10-7 Torr 以上，配涡沦分子泵, Baratron and WR 真空规 N2 吹扫: 整个腔体和气路 气体分散: 喷淋头式 硅片装载Wafer Load: 手动，气动式掀盖放置 等离子体源Plasma Sources: 台板射频偏压，可以产生-400V 偏压主要特点：柜式PECVD/ RIE系统，电脑Lab View软件控制 PECVD 等离子体源：平面喷淋头射频电极产生离子源 流量控制 :4个流量计（MFC） (针对 PECVD： NH3, 2%SiH4/Ar, O2, 和 N2O) PECVD样品台Platen : 8”不绣钢，可加热至300C，水冷，温度可控，可配射频偏压 （选配） PECVD沉积腔尺寸 : 14” x 14” x 14” ，不绣钢。真空度要求 5 x 10 - 7 Torr 以上 PECVD沉积腔前门可视窗口（5“直径），手动门（8”直径），和10“法兰，硅片在开门后手动放置 RIE腔体尺寸： 13” 直径，铝材质，掀盖式放置，气动式开门, 工作压力 : 0.02 to 1 Torr 铝质射频台，最大至8”硅片，水冷，（冷却器未包括，需要用户提供） 喷淋头式气体分散 配加热工作时使用Baratron真空计(用于RIE)和BOC Edwards 宽频真空计(用于RIE & PECVD) 3个流量计（MFC），用于RIE(C2,BCl3,and N2) 全自动过程压力控制 VCR接头和 Nupro阀门 , 氮气线吹扫，电脑控制质量流动控制器（MFC） 德国普发公司TPH261PC型200L/sec耐腐蚀涡轮分子泵和BOC公司RV12式机械泵组合使用 射频供电： 600 W，13.5MHz 带自动调频。接入电源 220 V, 3PVAC, 20 Amp/Phase, 50/60 Hz,

等离子体增强原子层沉积系统（Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition System，PEALD)产地：美国埃米 主要产品系列：1.ALD (传统的热原子层沉积)；2.PEALD (等离子增强原子层沉积)；3.Powder ALD (粉末样品的原子层沉积)； 仪器简介：原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD），也称为原子层外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），或原子层化学气相沉积（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD）。原子层沉积是在一个加热反应的衬底上连续引入至少两种气相前驱体源，化学吸附至表面饱和时自动终止，适当的过程温度阻碍了分子在表面的物理吸附。一个基本的原子层沉积循环包括四个步骤：脉冲A，清洗A，脉冲B和清洗B。沉积循环不断重复直至获得所需的薄膜厚度，是制作纳米结构从而形成纳米器件极佳的工具。ALD的优点包括：1. 可以通过控制反应周期数精确控制薄膜的厚度，从而达到原子层厚度精度的薄膜；2. 由于前驱体是饱和化学吸附，保证生成大面积均匀性的薄膜；3. 可生成极好的三维保形性化学计量薄膜，作为台阶覆盖和纳米孔材料的涂层；4. 可以沉积多组份纳米薄层和混合氧化物；5. 薄膜生长可在低温下进行（室温到400度以下）；6. 可广泛适用于各种形状的衬底；7. 原子层沉积生长的金属氧化物薄膜可用于栅极电介质、电致发光显示器绝缘体、电容器电介质和MEMS器件，生长的金属氮化物薄膜适合于扩散势垒。 技术参数：基片尺寸：4英寸、6英寸、8英寸、12英寸；加热温度：25℃—400℃（可选配更高）；均匀性： 1%；前驱体数：4路（可选配6路）；兼容性： 可兼容100级超净室；尺寸：950mm x 700mm；ALD及PE-ALD技术； 原子层沉积ALD的应用包括：1) High-K介电材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)；2) 导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN)；3) 金属互联结构 (Cu, WN, TaN,Ru, Ir)；4) 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)；5) 纳米结构 (All ALD Material)；6) 生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)；7) ALD金属 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)；8) 压电层 (ZnO, AlN, ZnS)；9) 透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) 10) 紫外阻挡层 (ZnO, TiO2) 11) OLED钝化层 (Al2O3) 12) 光子晶体 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5) 13) 防反射滤光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)；14) 电致发光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce) 15) 工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3, ZrO2) 16) 光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO) 17) 传感器 (SnO2, Ta2O5) 18) 磨损润滑剂、腐蚀阻挡层 (Al2O3, ZrO2, WS2)； 目前可以沉积的材料包括：1） 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...2） 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...3） 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...4） 金属: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...5） 碳化物: TiC, NbC, TaC, ...6） 复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...7） 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...

产品详情德国Sentech等离子体增强原子层沉积机PE-ALD 原子层沉积（ALD）是在3D结构上逐层沉积超薄薄膜的工艺方法。薄膜厚度和特性的精确控制通过在工艺循环过程中在真空腔室分步加入前置物实现。等离子增强原子层沉积（PEALD）是用等离子化的气态原子替代水作为氧化物来增强ALD性能的先进方法。 SENTECH基于多年研发制造PECVD和ICPECVD的经验，包括专有的PTSA技术，推出第一台PEALD设备。新的ALD设备应用SENTECH椭偏仪，使热辅助和等离子辅助的操作和沉积过程都能得到监控。 SENTECH使用激光椭偏仪和宽量程分光椭偏仪的前沿技术——超快在线椭偏仪来监控逐层膜生长。 第一台PEALD设备已经在布伦瑞克科技大学（TU Braunschweig）投入使用，用于生长超高均匀性和密度的氧化膜，如Al2O3和ZnO等。 在Al2O3沉积过程中，三甲基铝（TMA）等离子产生的氧原子反应，衬底温度为80到200℃。PEALD薄膜厚度均匀性高、折射率变化小的特点。 下图是ALD与PEALD的沉积结果对比

产品详情德国Sentech等离子体增强原子层沉积机PE-ALD 原子层沉积（ALD）是在3D结构上逐层沉积超薄薄膜的工艺方法。薄膜厚度和特性的精确控制通过在工艺循环过程中在真空腔室分步加入前置物实现。等离子增强原子层沉积（PEALD）是用等离子化的气态原子替代水作为氧化物来增强ALD性能的先进方法。 SENTECH基于多年研发制造PECVD和ICPECVD的经验，包括专有的PTSA技术，推出第一台PEALD设备。新的ALD设备应用SENTECH椭偏仪，使热辅助和等离子辅助的操作和沉积过程都能得到监控。 SENTECH使用激光椭偏仪和宽量程分光椭偏仪的前沿技术——超快在线椭偏仪来监控逐层膜生长。 第一台PEALD设备已经在布伦瑞克科技大学（TU Braunschweig）投入使用，用于生长超高均匀性和密度的氧化膜，如Al2O3和ZnO等。 在Al2O3沉积过程中，三甲基铝（TMA）等离子产生的氧原子反应，衬底温度为80到200℃。PEALD薄膜厚度均匀性高、折射率变化小的特点。

Picosun等离子体增强原子层沉积（PEALD）系统 PICOPLASMA Picosun公司新型PICOPLASMA™ 等离子体增强原子层沉积（PEALD）系统是基于先进的自由离子远程等离子源设计的，其性能已经得到世界范围内的诸多ding 级研究团队的肯定。多种激发源（如氧、氢和氮等）配置能够zui大化拓展ALD的工艺范围，尤其是低温沉积金属和金属氮化物薄膜。由于远程等离子源所产生的等离子体束流中离子的含量低，因此即使是zui敏感的衬底，也不会出现等离子损伤，而等离子束流中含有高浓度的活性粒子，保证很快的生长速度。PICOPLASMA™ 源系统既可以安装在现有的PICOSUNTM ALD反应器上，也可以将整个PEALD组装为yi个整体。它具有占地面积小、易维护和低运行成本等优点。通过预真空系统，PICOPLASMA™ 集成在PICOPLATFORM™ 集群系统中后可实现自动化操作。 PICOPLASMA™ 远程等离子体系统技术参数 对衬底无等离子损伤 导电材料不会产生短路现象 无前驱源背扩散→ 等离子发生器无薄膜形成 等离子体点火期间无压力振荡→ 无颗粒形成 等离子体源与衬底之间无闸门阀→ 无颗粒形成 等离子体源材料无刻蚀→ 金属和氧化物薄膜低杂质 简单和快速服务并通过维护舱口改变腔室 无硬件修改使热ALD和等离子ALD工艺在同yi沉积腔室中进行成为可能 应用领域部分PEALD材料的薄膜均匀性的例子，采用PICOSUN™ 设备沉积。晶圆尺寸150/200 mm(6/8”)材料非均匀性(1σ)AI2O3 0.50%AlN0.62%In2O30.87%SiO2 (low-T)1.10%SiN (low-T)1.58%TiN2.16%ZnO2.64%TiAlN2.87%

1. 产品概述Orion Proxima 高密度等离子体化学气相沉积系统。2. 设备用途/原理Orion Proxima 高密度等离子体化学气相沉积系统，填孔能力以及高沉积速率，温度场和 ICP 电磁场设计保证了低温高致密的膜质表现，优化机台结构，缩小占地面积，友好的人机交互和安全性设计保障系统稳定、安全、高效。3. 设备特点晶圆尺寸 12 英寸，适用材料氧化硅。适用工艺浅沟槽隔离、金属间介质层、钝化层。适用域 新兴应用、集成电路。等离子体化学气相沉积(plasmachemical vapor deposition)是指用等离子体激活反应气体，促进在基体表面或近表面空间进行化学反应，生成固态膜的技术。按产生等离子体的方法，分为射频等离子体、直流等离子体和微波等离子体CVD等。

1. 产品概述Shale® C系列电感耦合等离子体化学气相沉积设备（ICP-CVD）是一款先进的薄膜沉积设备，它结合了电感耦合（ICP）和电容耦合（CCP）技术，为用户提供了一种高效、可靠的薄膜沉积解决方案。该设备通过高密度等离子体的产生，实现了极低的沉积温度，这不仅能够保护基材，减少热损伤，还能确保薄膜的高致密性与优异的填充能力。该工艺适用于多种材料的沉积，尤其是在对薄膜质量有高要求的应用中表现优越。此外，Shale® C系列设备采用了符合国际标准的零部件，这些组件是8英寸产线设备中的常用标准部件，确保了设备的兼容性与可维护性。设备的设计遵循SEMI的严格标准，确保其在半导体行业中的稳定运行及高度可靠。在产品性能方面，Shale® C系列经过了一系列严格的稳定性和可靠性测试，验证了其在长时间连续运行下的表现。这使得该设备成为高端制造过程中的理想选择，适合用于大规模生产和研发实验。2. 系统特性可在低温（120°C）下沉积高致密薄膜，其致密性不亚于LPCVD在750°C生长的薄膜可有效降低等离子体损伤，从而降低漏电，漏电流密度与原子层沉积（ALD）制备的薄膜相当可提供高深宽比薄膜填充工艺可选8/6英寸电，适用于不同尺寸的晶圆

1. 产品概述SENTECH Depolab 200 是基本的等离子体增强化学气相沉积 （PECVD） 系统，适用于沉积用于蚀刻掩模、膜和电隔离膜以及许多其他材料的介电膜。结合了用于均匀薄膜沉积的平行板电极设计的优点和灵活的直接加载设计。从 2 英寸至 200 毫米晶圆和样品片的标准应用开始。2. 成本效益该系统将平行板等离子体源设计与直接负载相结合。3. 可升级性根据其模块化设计，SENTECH Depolab 200 可升级为更大的泵送装置、用于应力控制的低频电源和额外的燃气管线。4. 操作软件用户友好的强大软件包含在 GUI、参数窗口、配方编辑器、数据记录和用户管理中。5. 灵活性和模块化SENTECH Depolab 200 PECVD 系统配置为在高达 400 °C 的温度范围内沉积 SiO2、SiNx、SiONx 和 a-Si 薄膜。 该系统特别适用于用于蚀刻掩模、膜、电隔离膜等的介电膜沉积。SENTECH Depolab 200 由先进的硬件和 SIA 操作软件控制，具有客户端-服务器架构。一个经过充分验证的可靠可编程逻辑控制器（PLC）用于所有组件的实时控制。

等离子沉积设备SI 500 D 高密度等离子体SI 500 D具有优异的等离子体特性，如高密度，低离子能量和低压等离子沉积介质膜。平行板ICP等离子体源SENTECH专利特有的平行板三螺旋天线(PTSA)ICP等离子体源实现了低功率耦合。优异的沉积性能低刻蚀速率，高击穿电压，低应力、不损伤衬底以及在低于100°C的沉积温度下的低界面态密度，使得所沉积的薄膜具有优异的性能。动态温度控制动态温度控制结合氦气背冷的衬底电极，以及衬底背面温度传感在从室温到+350°C的广泛温度范围内提供了优异稳定工艺条件。 SI 500 D等离子沉积设备代表了等离子体增强化学气相沉积的前沿技术，如介质膜、a-Si、SiC和其他材料。它基于PTSA等离子体源、独立的反应气体进气口、动态温度控制衬底电极、全自动控制的真空系统、采用远程现场总线技术的先进SENTECH控制软件，以及操作SI 500 D的用户友好的通用用户界面。SI 500 D等离子沉积设备可以加工各种各样的衬底，从直径高达200 mm的晶片到装载在载片器上的零件。单晶片预真空室保证了稳定的工艺条件，并实现在不同工艺之间的便捷切换。SI 500 D等离子增强沉积设备用于在从室温到350℃的温度范围内沉积SiO2、SiNx、SiONx和a-Si薄膜。通过液态或气态前驱体，SI 500 D可以为TEOS, SiC,和其它材料的沉积提供解决方案。SI 500 D特别适用于在低温下在有机材料上沉积保护层和在既定的温度下无损伤地沉积钝化膜。SENTECH提供不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室或六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 500 D也可用作多腔系统中的一个工艺模块。 SI 500 D ICPECVD等离子沉积设备 带预真空室 适用于200mm的晶片 衬底温度从室温到350?°C 激光终点检测 备选电极偏置

产品详情 德国Sentech等离子体沉积机PECVD Depolab 200 成本效益 PECVD等离子体沉积工具Depolab 200将平行板等离子体源设计与直接负载相结合。 可升级性 根据其模块化设计，depolab200可以升级为更大的抽油机、低频电源和额外的燃气管道。 SENTECH控制软件 用户友好功能强大的软件包括模拟GUI，参数窗口，食谱编辑器，数据日志，用户管理。 Depolab 200是由SENTECH公司开发的一种基本的等离子体增强化学沉积(PECVD)工具，它将用于均匀薄膜沉积的平行板电极设计与直接负载的经济有效设计相结合。从2英寸到8英寸的晶圆片和样品片上的标准应用开始，它可以逐步升级以适应复杂的加工。 Depolab 200的突出特点是系统的坚固性设计、可靠性和软硬件的灵活性。在这个系统上开发了不同的程序。用于高品质氮化硅和氧化硅层沉积。Depolab 200包括带有气箱、控制电子、计算机、背泵和主连接箱的反应器单元。 Depolab 200等离子体增强沉积工具可在400℃以下的温度范围内沉积SiO2、SiNx、SiONx和a- si薄膜。Depolab 200特别适用于蚀刻掩膜、膜、电隔离膜等介质薄膜的沉积。 Depolab 200由森泰克先进控制软件操作，使用远程现场总线技术和非常友好的通用用户界面。 Depolab 200 PECVD等离子体沉积工具打开盖子加载适用于200毫米晶圆基片温度可达400℃低应力薄膜可选低频混频干式抽油机占用空间小

高密度等离子体SI 500 D具有优异的等离子体特性，如高密度，低离子能量和低压等离子沉积介质膜。平行板ICP等离子体源SENTECH专利特有的平行板三螺旋天线(PTSA)ICP等离子体源实现了低功率耦合。优异的沉积性能低刻蚀速率，高击穿电压，低应力、不损伤衬底以及在低于100°C的沉积温度下的低界面态密度，使得所沉积的薄膜具有优异的性能。动态温度控制动态温度控制结合氦气背冷的衬底电极，以及衬底背面温度传感在从室温到+350°C的广泛温度范围内提供了优异稳定工艺条件。SI 500 D等离子沉积设备代表了等离子体增强化学气相沉积的前沿技术，如介质膜、a-Si、SiC和其他材料。它基于PTSA等离子体源、独立的反应气体进气口、动态温度控制衬底电极、全自动控制的真空系统、采用远程现场总线技术的先进SENTECH控制软件，以及操作SI 500 D的用户友好的通用用户界面。SI 500 D等离子沉积设备可以加工各种各样的衬底，从直径高达200 mm的晶片到装载在载片器上的零件。单晶片预真空室保证了稳定的工艺条件，并实现在不同工艺之间的便捷切换。 SI 500 D等离子增强沉积设备用于在从室温到350℃的温度范围内沉积SiO2、SiNx、SiONx和a-Si薄膜。通过液态或气态前驱体，SI 500 D可以为TEOS, SiC,和其它材料的沉积提供解决方案。SI 500 D特别适用于在低温下在有机材料上沉积保护层和在既定的温度下无损伤地沉积钝化膜。SENTECH提供不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室或六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 500 D也可用作多腔系统中的一个工艺模块。

1. 产品概述PD-220N是用于沉积各种硅薄膜（SiO2、Si3N4等）的等离子体CVD系统。 PD-220N在提供薄膜沉积所需的全部功能的同时，占地面积比本公司的传统系统小40%。 从尖端研究到半大规模生产，它的应用范围很广。2. 设备用途/原理各种硅基薄膜的形成，可形成氮化硅膜、氧化硅膜、非晶硅膜。3. 设备特点可在ø 8英寸晶圆上沉积，尽管设计紧凑，但该系统能够在5块ø 3英寸晶圆、3块ø 4英寸晶圆和1块ø 8英寸晶圆上同时沉积。TEOS-SiO2成膜系统可扩展，可增加TEOS等温室装置。