分子束外延残余气体分析四极质谱仪

基于20多年稀有气体质谱仪的经验，Thermo Scientific开发了系列新一代多接收稀有气体质谱仪。它结合创造性的新特征和经过实践验证的成熟的同位素质谱技术，开发了Helix MC Plus、Helix SFT和ARGUS VI三款先进的静态真空稀有气体质谱仪，是多接收静态惰性气体质谱迈进的重要一步。Thermo Scientific HELIX SFT质谱是为氦同位素同时分析及高精度跳峰分析而设计的高分辨、多接收系统，可以同时测定3He和4He，也可以用跳峰模式测量任何稀有气体同位素。 主要特点 该系统可同时测量氦同位素，无需跳峰扫描，减少了分析时间，获得了更高的精度和产出效率； 丰度灵敏度：由于HELIX SFT独特的设计，质量4对质量3的贡献小于1ppb； 体积：HELIX SFT的内部体积约1400cc，这是当前技术的重要提升； 分辨率：低质量数接收器，通常用来测定3He，其分辨率大于700，这保证了3He 能够和两个干扰峰HD和H分开； 1010Ω/1011Ω/1012Ω/1013Ω放大器拥有不同的动态范围范围使大部分分析都能在长寿命的法拉第接收器上进行。

仪器简介：HALO 201 MBE 分子束外延残余气体分析四极质谱仪用于泄漏探测、趋势分析、真空诊断的过程监测和残余气体的精确分析。该分子束外延特定分析质谱仪由兼容性材料组成，并能在分子束外延环境中长期使用。 主要特点：钼铜布线增加MBE环境下系统的寿命 抗污染离子源护罩 双法拉第/ channelplate电子倍增器 技术规格：质量数范围： 1～300 amu 扫描速度： 100amu/s 最小扫描步阶：0.01amu 灵敏度： 0.1 ppm～1ppm 稳定性： 24h以上，峰高变化小于±0.5% 最小检测分压：2 x 10-13 mbar 最大工作压力：1 x 10-4 mbar Mass Spectrometers for Residual Gas Analysis - RGA (1.35 MB)

仪器简介 英国Hiden公司的HAL 201 RC超高真空残余气体分析四极质谱仪专为检测超高真空容器中的存在组分而设计，针对真空诊断进行精确的分析。 离子源为镀金离子源，适合应用在总压小于5 x 10-10mbar的领域，其系统与EPIC离子/分子分析质谱仪完全兼容。 主要特点：镀金离子源，以减少离子源脱气 氧化物涂层双铱丝的离子源 双法拉第/ Channeltron电子倍增器检测器 技术规格：质量数范围： 200，300 amu扫描速度： 100amu/s 最小扫描步阶：0.01amu 灵敏度： 0.1 ppm～1ppm 稳定性： 24h以上，峰高变化小于±0.5% 最小检测分压：5 x 10-14 mbar 最大工作压力：1 x 10-4 mbar

仪器简介：HIDEN RGA/3F/PIC 系列残余气体分析四极质谱仪(Residual Gas Analysers)，检测容器中的存在组分，或进行过程中产生气体的分析。针对真空诊断的精确分析。1-50amu高分辨四极杆质谱。 残余气体或泄漏检测 实际泄漏或脱附分析 除气研究 烘烤周期 泵效能 腔室/过程气体污染物主要特点： 灵敏度PPM,质量数至300amu 稳定性（24小时以上，峰高变化小于±0.5%） MASsoft软件控制，或由局域网进行多个系统控制 阈值离子化模式分析D2/He 快速显示柱状图、趋势分析和信号峰 混合模式扫描－多个windows窗口显示信息，例如趋势、柱状图和信号峰 同步显示数据图，列表 同步背景扣除，自动质量数列表 数据输出为ASCII格式，至windows设备 即时动态数据交换至其他DDE兼容的windows软件，例如 Excel、SPC-IV统计过程控制软件等

仪器简介：3F 1000/2000 Series三级过滤高分辨四极质谱仪(Triple Filter Quadrupole Mass Spectrometers)用于精密气体分析和研究应用。 三级过滤高分辨四极杆最大限度地减少不需要的离子污染，预四极杆、主四极杆和后四极杆工作时有不同频率的选择，有6、9、12mm直径的四级杆可选，因此可以增加质量分辨率，离子灵敏度，高精度残余气体测量的稳定性。主要特点：灵敏度高，检测范围从5ppb至100% 离子源控制用于软离子化和表观电势质谱 灵敏度增强有利于质量数较大离子传送 6、9、12 mm直径的四极杆可选 多种离子源配置供选择 在一级滤过处增加射频，抗污染物 升温脱附实验时，温度数值同步显示 SEM或PIC检测器，可选双Faraday/ SEM或Faraday/ PIC模式 通过RS232、USB或Ethernet连接计算机，MASsoft软件控制 0～150eV全电子能量控制，与TIMS模式互补技术规格：质量数范围： 1～300 amu（标准配置） 500、1000、2500 amu（选配） 测量速度： 500 points/s 分辨率： 0.1% Valley、1% Valley 动态范围： 107 最低检测分压：2 x 10-14 mbar 软离子化： 0～150eV 稳定性： 24h以上，峰高变化小于±0.5%

残余气体分析仪四极杆质谱仪是用于在真空系统中评估残余气体成分的经典测量仪。质谱仪为气体成分质量 - 电荷比供应的离子电流提供有关真空系统在多个操作阶段有用的信息，无论是用于确定安装后的气密性和无污染性还是在操作真空处理时用于其特性。根据真空室和抽气系统的设计，在真空系统中获得的压力范围决定了质谱仪对检测器的选择。在高真空中，通常一个法拉第检测器就足够了，而在高真空中检测非常低的气体密度时，一个二级电子倍增器是必要的。另一个重要标准则是待检测的质量范围。在传统的真空系统中，大气中的气体，例如氮气、氧气、氩气、水蒸汽等，通常受到轻烃污染是重点。为了检测这些气体，范围在 1 至 100 原子质量单位 (amu) 之间的四极杆质谱仪是理想的，因为在该范围内显示了良好的质量分离。若较重的气体及其组成成分也须检测出来，如长链烃，普发真空也为此提供了范围在 1?200 amu 或 1?300 amu 之间的质量过滤器。开放的离子源在大多数残余气体分析任务中是最佳选择，因为它们将稳健的设计与较高的检测灵敏度相结合。凭借封闭或交叉束离子源，可有利地掌握必须分析气体喷流或气体流的任务。对于超高真空范围，也可提供具有极低释气率的栅网离子源。由于有大量的部件可供选择，且得益于普发真空四极杆质谱仪的精确配置，质谱仪可作为所有测量任务的最佳选择。我们的产品和应用专家拥有多年的经验，将十分乐意为您提供有关残余气体分析仪配置方面的一些建议。PrismaPlust四极质谱仪：PrismaPlusTM是新型定量定性气体分析和检漏的质谱仪。该四极质谱仪积累了丰富的应用经验，高灵敏度，高稳定性和智慧化操作的完美结合是 PrismaPlusTM 四极质谱仪新的优点。在适用中客户将感受到它坚固，紧凑的设计和简单的系统集成，并从中受益。通过可选择质量数范围，检测器、离子源和介面介面等，该四极质谱仪可以应用于多个领域，例如：工业和分析领域、研发、检漏、半导体生产以及镀膜工艺等。PrismaPlusTM 四极质谱仪是从品质保证，残气分析直至综合的定量分析工作等应用领域的最佳方案。PrismaPlusTM 四极质谱仪可 以在三个不同的质量数范围（1-100，1-200，1-300 amu）内，下至检测极限1*10-14 mbar 情况下给出精确的检测结果。在真空系统中，配合有效的法拉, 第和电子倍增检测仪，即使很低程度的污染也可以被快速地识别出来。除显示可选择的分压外，直接增加一个压力量规，PrismaPlusTM 四极质谱仪就可以作为一个精确的全压监控器使用。Quadera 软件不仅操作简单，它还提供了捕获和观察所有测试资料以及参数记录的易读平台。结合多种可供选择的介面介面，例如乙太网，数位式和类比式输入输出，可以方便地集成到各种系统中去。轻点滑鼠就可以启动预设的功能。Hiquad700是一款高分辨率的四极质谱议质量范围选择为 1-2048 amu超过九个数量级的动态量程极快的测量速度：0.125 ms/amu最小可检分压 10E-16 mbar极高的分辨能力，可以分析小分子气体同位素分压比0.3ppb超过 10 个不同的离子源和离子光学组合离散或连续倍增电极电子倍增器选件用于正负离子以及中性粒子分析的离子计数前置放大器IO 选项：8 个模拟输入/输出和 32 个数字输入/输出软件功能强大，灵活实用且具友好的用户界面

仪器简介：qRGA托卡马克装置残余气体分析质谱仪专为阈值电离质谱(TIMS)模式下操作，核聚变系统燃料输送进行分析而设计的质谱仪。 通过控制TIMS模式提供的电子发射能量，能对D2 和4He的同位素进行分析检测。 主要特点：实时定量分析 ppm级检测水平 在常规质量分析和TIMS模式下操作 电子能量分辨率为0.1 eV 辐射屏蔽和磁屏蔽，低耗费运行 技术规格：质量数范围：1～200 amu 软离子化： 0～150eV 稳定性： 24h以上，峰高变化小于±0.5%

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准 残余气体分析仪 Hicube RGA 上海伯东销售维修德国 Pfeiffer 残余气体分析仪 HiCube RGA. 四极杆质谱 PrismaPro 与 HiCube 涡轮分子泵组的搭配, 质量数范围 1-300, 高分辨率和灵敏度. 适用于残余气体分析, 过程监测, 泄漏检测.残余气体分析仪 Hicube RGA 优势残余气体分析和氦气泄漏检测模式可用于从大气压至高真空环境高分辨率和灵敏度通过真空压力监测保护灯丝进气系统带集成式切断阀Pfeiffer 残余气体分析仪 Hicube RGA 技术规格 涡轮分子泵组HiCube&trade Eco功耗170W电压（范围）110 - 240 V 50 / 60 Hz氮气抽速67 l/s前级泵在 50 Hz 时的泵送速度1 m3/h极限真空1X10-7 hPa 真空计PKR 361测量范围1X10-9 至 1X103 hPa阀门EVN 116气体流量可调整, 自 5X10-6 至 3X103 hPa l/s进气口DN 16 ISO-KF PrismaProQMG 250 F1 QMG 250 F2QMG 250 F3QMG 250 M1QMG 250 M2QMG 250 M3检测器法拉第 Faraday (F)电子倍增器/法拉第 C-SEM/Faraday (M)质量数 amu1–1001–2001–3001–1001–2001–300四极杆直径／长度6 /125 mm 最小检测极限 F hPa *1,24X10-135X10-137X10-13---最小检测极限 M hPa *1,2---3X10-154X10-155X10-15对Ar的灵敏度 F A/hPa*35X10-44X10-4 3X10-45X10-44X10-43X10-4最大工作压力 F hPa5X10-4最大工作压力 M hPa---5X10-55X10-55X10-5对临近质量数的影响*1 10 ppm 20 ppm 50 ppm 10 ppm 20 ppm 50 ppm操作温度 分析200 °C (max. 150 °C when operating with SEM)操作温度 电子5 – 50 °C烘烤温度 分析300 °C连接法兰DN 40 CF-F保压时间1 ms – 16 s/amu峰比值可重复性± 0.5 %接口以太网电源电压100–240 V AC，50/60 HzHiCube&trade RGA重量25.5 - 26.2 kg 残余气体分析仪 Hicube RGA 典型应用 残余气体分析: 对真空系统中残余气体的分析, 可以获知在达到所需的最终压力或调节要求时, 残余物质的组成. 由此可以得出各种有关系统表面性质, 脱附行为, 纯度和密封性以及工艺气体成分的结论. 这将为您提供有关真空室或真空组件状态的重要信息.泄漏检测: 上海伯东 Pfeiffer 残余气体分析仪 HiCube RGA 具有氦气泄漏检测模式, 可以通过软件控制激活. 此功能可以方便您发现真空系统中的任何泄漏.过程监控: HiCube RGA 可以在最大 300u 的测量范围内随时间观察任意数量的选定质量强度, 并可对选定的各质量分配警报循环阈值. 如果它们高于或低于所需极限, 则可以通过数字输出将信号提供给更高级别的控制系统. 因此残余气体分析仪 HiCube RGA 能够提供实时过程观察和控制功能. EVN 116 气体计量阀还可以使真空系统中的压力适应相应过程需求, 此外, 集成式切断阀还允许对泄漏设定点进行快速开/关控制.质量保证和过程优化: 诸如提供气体成分定量测定, 确定过程气体纯度, 以及监测真空镀膜过程相关气体成分等能力, 残余气体分析仪 HiCube RGA 是过程记录和质量保证中的重要工具. 即使测量正在执行, 所有测量值也会得到存储, 并且可以在不停止测量的情况下追踪. 即使仍在执行测量, 也可以导出测量结果以进行进一步分析.若您需要进一步的了解残余气体分析仪详细信息或讨论, 请联络：上海伯东: 叶女士 上海伯东版权所有, 翻拷必究！

完整设计的 QMS 403 A?olos Quadro 可与 TGA、STA、DSC、DIL 系统联用QMS 403 A?olos Quadro 四级杆质谱是一款紧凑型的新型质谱仪，带有可加热的毛细管入口系统，既可用于常规气体分析，更是特别适合于热分析挥发性分解产物的分析。这套系统的优化设计使其可以连接到不同仪器，如 DSC、TGA、DIL。优化的气流设计有利于联用• 单步减压• 300°C 加热（可选350°C）可以有效降低整个气体传输管线上的局部“冷点”• 加热腔体，可以便捷、精确调节石英玻璃毛细管入口到 QMS 的距离• 设计灵活，可以进行标准热分析测量，也可以与 TGA、MS（GC-MS）、MS-FTIR 同步测量• 结实耐用、维护便捷，具有高灵敏度（可检测 μg 级别失重）• TGA-MS 可以在湿度气氛下测试• 带有预过滤器的双曲面四级杆系统可以改进高质量数（大分子）的传输，也有利于改进低质量数（如 H2、He）的检测灵敏度• 配备分立二发射极和集成式法拉第杯的 SEM 具有高的动态范围，和长的使用寿命• 可以三维形式呈现 MS 信号和热分析数据• 通过 Proteus 软件进行操作和数据分析 完善的加热传输系统和单步减压设计，可以实现无冷凝的气体传输加热至较高温度的气体传输系统，以及无减压孔的设计，可以有效避免分解产物的冷凝，保证了高的检测灵敏度，便于定量分析所识别的气体。带毛细管的入口系统还可以用于其他来源的气体（非热分析系统产生的逸出气体）分析。NETZSCH 热分析设计NETZSCH 热分析设备在设计阶段就考虑到了联用分析的可行性，在过去 40 多年中，每一次开发新产品都会考虑并优化气体传输路径：从炉体出气口、到适配器和毛细管、再到达 QMS 进气口。如今，由于冷凝导致的气体损失几乎完全被消除，只需很小的载气流量就可以将气体产物完全带出，对样品释放的挥发产物稀释程度最小，从而可以确保 TGA/STA/DIL- QMS 403 A?olos Quadro 联用系统具有高的检测灵敏度。 QMS 403 A?olos Quadro 联用的应用分解 ①脱水 ②稳定性 ③残余 ④溶剂热解气固反应 ①燃烧 ②氧化 ③ 腐蚀 ④吸附 ⑤ 脱附 ⑥催化组分分析 ①聚合物含量 ②成分计算 ③粘结剂烧失 ④脱蜡 ⑤灰分蒸发 ①蒸气压 ②升华QMS 403 A?olos Quadro - 技术参数（持续更新中）质量范围：1u ～ 300u, 可选配 512u，带自动调谐功能离子源：Cross beam El阴极/灯丝：两个涂覆 Y2O3 的铱阴极检测器：带分立二次发射极和集成式法拉第杯的 SEM真空系统：带 4 级隔膜泵的涡轮分子泵（无油）毛细管：石英玻璃（最高 300°C），可选不锈钢（最高 350°C），带加热线圈，方便更换可控温度的适配连接头：毛细管与 QMS 入口系统加热最高温度 300°C（可选350°C）减压方式：单级，从 103mbar 到 5x10-6mbar，无孔锥QMS 测量模式：模拟扫描、柱状图扫描、多离子跟踪QMS 403 A?olos Quadro - 软件功能Proteus 软件能够控制 QMS 403 A?olos Quadro 和热分析仪，这两种方法的操作控制和数据采集都通过同一个软件实现。单独编辑定义热分析相关参数（如温度程序、升温速率等）和质谱相关参数（如质量数范围、扫描方式等）同步开始或停止联用测试在 Proteus 软件中分析 MS 结果以 3D 图形式显示温度、TGA/DSC 曲线、质量数轨迹图之间的关系，包括峰值确定、不同配色主题与表面视角质谱数据可导出成 NIST 格式，便于在 NIST 数据库进行检索识别QMS 403 A?olos Quadro - 应用实例Nd2(SO4)3*5H2O 逸出气体分析29.53 mg 的 Nd2(SO4)3*5H2O 在氮气气氛、10 K/min 升温速率下加热至 1400°C。MID 曲线包括水、氧与二氧化硫三种气态产物，与 TG 曲线上的相应失重台阶对应的很好。硅晶 - 有机污染下图实例使用综合热分析仪 STA449F1 Jupiter 与四极质谱仪 QMS 403 D A?olos 相联用，对硅晶片上的微量有机污染物进行了鉴定。测量使用 1.6g 的大体积样品，放到氧化铝坩埚（5ml）中，在混合空气气氛下、以 10K/min 的升温速率加热至 800°C。由于有机成分的释放，使得样品在 700°C 之前出现了两个非常小的质量失重台阶（0.002% 和 0.008%）。作为演示，下图仅示出核质比 m/z 15, 51 和 78。硅晶的 STA-MS 测量：500-800℃之间的失重台阶产生 m/z 15, 78, 51钴酸锂正极材料 -- 热稳定性（QMS）钴酸锂被广泛地用作锂离子电池的正极材料。在设计内在更安全、更高效的电池系统时，该正极材料的热稳定性也是一个重要因素。在本例中，经过脱锂的钴酸锂材料从纽扣电池中取出，放入 NETZSCH STA449F1 Jupiter 与 QMS 403 Aeolos Quadro 联用设备中进行分析。正极材料在升温过程中显示有几个离散的分解台阶。在联用质谱的帮助下，可以很容易地理解材料的分解路径，以及正极材料经过循环后的深层结构变化。

德国MBE-Komponenten 分子束外延系统OCTOPLUS 400OCTOPLUS 400分子束外延是一款通用型MBE系统，非常适合于III/V族， II/VI族，及其他复合半导体材料应用。兼容2-4英寸标准晶片。竖直分割式腔体设计，可以装配各种源炉，实现不同材料分子束外延生长。系统特点：● 用于研发的普适性MBE系统● 应用于III/V族， II/VI族材料外延生长● 适用于2-4英寸样品● 8个标准的CF法兰孔(根据要求可以拓展到10个)● 可以升级和选配实现系统扩展● 原位生长表征● 易于使用和方便维护可以根据所有客户的要求，提供不同种类的蒸发源，包括K-cell、电子束蒸发源、热裂解源、阀式裂解源、气体裂解源等。可以使用石英晶振，反射式高能电子衍射仪(RHEED)或者四极杆质谱仪实现样品生长的原位监测。 EpiSoft MBE软件可以精确控制所有的挡板，蒸发源源和样品台加热器温度。最大程度确保了操作的重复性。Octoplus 400的主要特点是极高的可靠性和普适性，以及其占地空间小。这些特点使得我们的系统非常适合于研发。标准的Octoplus 400有8个4.5’’(CF63)法兰口，可以根据需求拓展到10个法兰口。快速进样室(Loading Chamber)配有高精度磁力传输样品杆，可以在不破坏MBE腔室真空的前提下进行快速样品传输。

MS GAS-100气体分析质谱仪用于对气体和挥发物质，包括同位素、溶剂和可挥发有机物进行复杂的精确分析。 系统组成：质谱分析模块：由开放/封闭版电子碰撞离子源，两个独立灯丝和一个四级质朴分析器组成。质量范围分为1-100、1-200和1-300 amu。系统中应用两种检测器：法拉第检测器：灵敏度低于10ppm次级电子倍增检测器（SEM）：灵敏度低于100ppb高效真空泵系统：真空室内置加热元件；专用汽水分离模块；双泵抽真空模块，包括前级隔膜泵和涡轮分子泵。恒温加热元件可以去除真空室中的杂质。汽水分离模块中的电子控制斯特林制冷器可以高效抑制水分子背景，从而显著提高离子源寿命。这一模块可以连续运行数周。温度可以由用户自定义，从而监测特定的挥发物质，如乙醇等。进样单元：模块化设计，可互换渗透膜探头或针阀进样器。渗透膜探头允许溶解物质通过，既可以测量液态样品，也可以测量环境气体。针阀进样器适用于直接测量气态样品中的挥发物质。真空压传感器：测量真空室中的总压力和进样单元中的压力，确保不会损坏质谱分析器。集成触屏监控器：可手动控制加热/制冷温度，开闭进样器、分流阀和安全阀。可通过预设程序进行自动测量。控制软件：操作设定质谱仪、获取测量数据、编写用户自定义测量程序用于测量特定的物质。应用领域： 气体和液体样品的气体交换，如藻类光合作用（CO2、O2）、生物燃料研究（H2、乙醇、烃类）一台仪器即可进行多种气体和挥发物质的长期监测两种进样单元，即可测量气体也可测量液体模块进样设计，多种接口可选，可以进行整株植物或细胞悬液的气体交换分析固氮生物研究（N2）18O2标记光呼吸研究同位素分布分析气体污染研究（CH4，H2S，NOx，SO2，CS2，CO等）水污染研究（可溶性有害气体、挥发性有机物等） 技术参数：分析气体种类：气体：CO2、O2、H2、N2、C2H4、CH4、H2S、NOx、SO2、CS2、CO等挥发性有机物：乙醇、烃类、苯、甲苯、丙酮等 质谱分析器：残余气体分析器（RGA）质量范围：1-100 amu、1-200 amu、1-300 amu离子源：开放或封闭版电子碰撞离子源，两个独立灯丝（灯丝材料：yttriated iridium）检测器：法拉第检测器：灵敏度10ppm次级电子倍增检测器（SEM）：灵敏度100ppb响应时间：20秒真空系统：前级隔膜泵和涡轮分子泵进样器：渗透膜探头（PDMS）或针阀进样器加热系统：100W恒温加热元件，最高温度90℃制冷系统：电子控制内置斯特林制冷汽水分离模块，最低温度-80压力传感器：高真空压传感器用于测量真空室中总压力；进样器压力传感器用于保护质谱分析器触控屏：系统控制并显示实际读数BIOS：可升级固件通讯端口：千兆以太网，TCP/IP协议外部工作站：预装专用软件，操作设定质谱仪、获取测量数据、编写用户自定义测量程序用于测量特定的物质尺寸：54.5×72×45.5cm重量：65kg供电：110-230V交流电应用案例：配合FMT150藻类培养与在线监测系统测量蓝藻Synechocystis 6803光补偿点（测量O2）。配合专用测量室和FluorCam便携式叶绿素荧光成像系统，测量整株番茄的光合作用（测量CO2），同时与Li6400测量数据进行对比，可见MS GAS-100的稳定性和重复性要远远高于Li6400。 产地：欧洲 参考文献：1. Zav?el T. et al, 2016, A quantitative evaluation of ethylene production in the recombinant cyanobacterium Synechocystis sp. PCC 6803 harboring the ethylene-forming enzyme by membrane inlet mass spectrometry. Bioresource Technology, 202:142-1512. Zav?el T., ?erveny J., Knoop H., Steuer R., 2016, Optimizing cyanobacterial product synthesis: Meeting the challenges. Bioengineered, 7(6): 490-496.

价格货期电议残余气体分析仪应用于电化学反应研究电池反应过程上海伯东客户南京某大学经过伯东推荐, 采购 Pfeiffer PrismaPro 残余气体分析仪搭建分析系统, 检测电池充放电过程中的逸出气体如 H2, CO, CO2, N2 等, 用于研究锂电池 (三元材料, 磷酸铁锂之类的) 反应过程, 解决电池使用过程中的鼓包, 衰减等问题, 从而开发动力性高比能量电池.残余气体分析系统主要配置: 根据课题组实际需求, 上海伯东推荐配置包括: Pfeiffer PrismaPro 四级杆检测器 QMG 250 M1, 分子泵组 Hicube 80, 四通腔体, 全量程真空计 PKR 251等.残余气体分析系统搭建好后, 通过分子泵组对腔体进行抽真空, 真空计读取真空度, 当腔体真空度达到10-4mbar以下后, 开启四级杆质谱仪进行残余气体分析, 如果真空计监测到真空度在10-4mbar以上, 则不允许开启四级杆质谱仪. 通过分析仪毛细管直接进样, 配置新一代的操作软件 PV MassSpec, 可定量定性评估真空系统中的残余气体成分!该系统具有灵活, 经济, 性价比高的特点, 特别适合一些特殊的反应场景. 用户可根据自己的实际应用自由选择不同型号的模块, 灵活搭建出更适合自己的检测手段. 总成本上既比整机采购节省了将近一半, 也创造出了一套适用自己的研究方案, 特别适合分析锂电池 (三元材料, 磷酸铁锂之类的) 电化学反应. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请联络上海伯东叶女士

价格电议Pfeiffer 残余气体分析仪 PrismaPro上海伯东德国 Pfeiffer 残余气体分析仪(四级杆质谱仪)集高灵敏度, 高稳定性和智能操作于一体, 配置新一代的操作软件 PV MassSpec, 可定量定性评估真空系统中的残余气体成分. 最低可检测分压 3 X10-15 hPa.Pfeiffer 残余气体分析仪 PrismaPro 特性:模块化设计保证兼容性, JSON 编程界面和多种接口易于系统集成 分析仪器和电子单元可灵活互换 双灯丝延长工作时间 最低可检测分压 3 X10-15 hPa可直接连接真空计, 方便测量压力 Pfeiffer 残余气体分析仪 PrismaPro 技术参数:型号QMG 250 F1QMG 250 F2QMG 250 F3QMG 250 M1QMG 250 M2QMG 250 M3检测器法拉第 Faraday (F)电子倍增器/法拉第 C-SEM/Faraday (M)质量数 amu1–1001–2001–3001–1001–2001–300四极杆直径／长度 6 /125 mm最小检测极限 F hPa *1,24X10-135X10-13 7X10-13---最小检测极限 M hPa *1,2---3X10-154X10-15 5X10-15对Ar的灵敏度 F A/hPa*35X10-4 4X10-43X10-45X10-44X10-43X10-4工作压力 F hPa5X10-4 工作压力 M hPa---5X10-5 5X10-5 5X10-5对临近质量数的影响*1 10 ppm 20 ppm 50 ppm 10 ppm 20 ppm 50 ppm操作温度 分析200 °C (max. 150 °C when operating with SEM)操作温度 电子5 – 50 °C烘烤温度 分析300 °C连接法兰DN 40 CF-F保压时间1 ms – 16 s/amu重量2.5 kg3.2 kg* 1 开放式离子源,* 2 停留时间 4秒*3 与C-SEM相比, 具有较高的灵敏度Pfeiffer 残余气体分析仪结构视频若您需要进一步的了解详细信息或讨论,请联络上海伯东罗先生

HPR60 常压分子束取样质谱(Molecular Beam Sampling Mass Spectrometer)是完备的气体分析质谱仪系统，监测复杂反应过程。用于大气压下的高速度、无碰撞的分子束分析。 自由基通过多级采样差式泵进入分离器入口并无碰撞的转移到质谱仪的离子源。可定制的接口允许连接到许多不同的反应器系统，包括大气等离子体、分离器系统，结合三重过滤四极质谱仪提供了超快速响应和高精度的采样系统。 常压分子束取样 低、高能量分析选项，分析中性粒子、离子、自由基 软离子化技术，分析复杂有机物、表观电势MS 内置断路器，信号选通1μs，用于质量或能量的时间分辨分析 Penning规和互锁装置可提供过压保护 内置真空歧管, 附独立泵，便于经轴向排列孔直接取样，可以使离子、自由基的扰动降至最小 离子源液氮低温板，可使真空最优化和图谱干扰的最小化水冷的、低温面板可选 通过RS232、RS485或Ethernet LAN，软件MASsoft控制 质量数范围： 1～2500 amu 响应速度： 300毫秒内对于气体浓度的变化做出反映 取样压力： 20mbar～1bar 检测浓度： 5ppb～100% 稳定性： 24h以上，峰高变化小于±0.5% 测量速度： 500点/秒 电子能量： 100eV～1000eV 脉冲离子记数器，可检测连续7个数量级的动态范围 HPR-60 Molecular Beam Mass Spectrometer (670 KB) Mass Spectrometers for Gas Analysis Applications (2.79 MB)

RGA系列残余气体分析仪可以定量和定性分析出真空腔中残余气体的浓度和成分。RGA系列残余气体分析仪特点◇100，200，和300amu ◇优于1amu的分辨率◇6个量级的动态范围 ◇可检测5 x 10-14Torr◇实时RGA Windows和LabVIEW软件 ◇质谱，泄漏检测和压力对时间方式 ◇现场可更换的电子倍增器和灯丝 ◇RS232计算机接口RGA系列残余气体分析仪选型表残余气体分析仪（RGA）划分为100、200、300amu三种型号，其优异的性能使其成为真空分析仪中领先产品。每一个RGA系统都由一个四级杆探针和电子控制单元组成，实时分析windows软件包可以更方便用于数据采集和分析，并可进行远程控制。探测器类型 标准法拉第杯(FC), 可选电子倍增 (EM)分辨率 优于0.5amu灵敏度(A/Torr) 2 × 10?4 (FC), 200 (EM).探测极限 5 × 10?11 Torr (FC), 5 × 10?14 Torr (EM)测试范围 10?4 Torr to UHV (FC) 10?6 Torr to UHV (EM)操作温度 70 °C (max.)工作温度 300 °C (without ECU)

分子束外延系统MBE 可以在某些衬底上实现外延生长工艺，实现分子自组装、超晶格、量子阱、一维纳米线等。可以进行第二代半导体和第三代半导体的工艺验证和外延片的生长制造。 分子束外延系统MBE在薄膜外延生长时具有超高的真空环境，是在理想的环境下进行薄膜外延生长，它可以排除在薄膜生长时的各种干扰因素，得到理想的高精度薄膜。我公司设计制造的分子束外延薄膜生长实验设备，分实验型和生产型两种 ，配置合理，结构简单，操作方便，技术先进，性能可靠，用途多，实用性强，价格相对较低，可供各大学的实验室及科研机构作为分子束外延方面的教学实验、科学研究及工艺实验之用。生产型MBE可用于小批量外延片的制备。功能特点本项目于2005年在国内率先完成了成套MBE的全国产化研发设计和制造，做到自主可控。自主设计MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、RHEED原位实时在线监控仪、直线型电子枪、高温束源炉、束源炉电源、高温样品台、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）等核心部件。可实现第二代半导体（如砷化镓等）和第三代半导体（如碳化硅和氮化镓）的外延生长。设备组成与主要技术指标设备的组成进样室该室用于样品的进出仓，并配置有多样片储存功能。样品库可放六片基片。预处理室该室用于样品在进入外延室之前进行真空等离子剥离式清洗和真空高温除气，及其他前期工艺处理。还用于对外延后的样片进行后工艺处理，如高温退火等等。外延室超高真空洁净真空室，实现分子束外延工艺。主要技术指标进样室极限真空：5.0×10-5Pa样品装载数量：6片（φ2 英寸～φ4 英寸，带样品载具）预处理室极限真空：5×10-7Pa样品台加热温度：室温～ 850℃±1℃（PID 控制）离子清洗源：Φ60；100 ～ 500eV外延室 项目 参数 极限真空 离子泵 8.0×10-9Pa（冷阱辅助） 样品台加热温度 室温～ 1200℃±1℃（PID 控制） 样品自转速度 2 ～ 20 转 / 每分钟（无级可调） 气态离化源 1～3套（氮） 固态束源炉 3 ～ 8 套（根据用户需求配置） Rheed 1套*工艺室部分部件根据客户需求不同，所配置不同。实验型MBE设备组件超高真空直线型电子枪自主研发直线型电子枪，满足超高真空和束源炉法兰接口及安装尺寸的要求；可用于高温难融材料的加热蒸发。超高真空直线型电子枪高能衍射枪及电源束斑0.6mm，高压25kV。光斑在荧光屏上可衍射图像经CCD 相机采集后由计算机进行图像处理。生产型MBE工艺实现使用鹏城半导体自主研发的分子束外延设备生长的Bi2-xSbxTe3。关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司（鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

仪器简介：IDP离子/分子分析质谱仪(Ion Desorption Probe)用于研究ESD，PSD 或 UHV-TPD研究中释放出的低能量核素。IDP是电子、光子激发脱附研究中，唯一进行离子、中性粒子、自由基的质量、能量分析的三级过滤四极质谱仪。 IDP 离子/分子分析质谱仪除具有高性能RGA所有功能外，还带脉冲离子计数和四级杆偏压，是杰出的研究级质谱仪。 主要特点：脉冲离子计数检测器，连续7个数量级的动态范围 直接观测阴阳离子、自由基、中性粒子的质量和产生 4 离子透镜，内置电子离子源和兼容的UHV罩 ±100 V离子能量分布，±1000eV可选 高灵敏度三级过滤四极杆，质量数范围至2500amu 信号选通分辨率0.1μs，用于能量、质量分布随时间变化或TOF研究中 升温脱附操作中，温度数值同步显示 通过RS232、USB或Ethernet连接计算机，MASsoft专业软件控制 技术规格：质量数范围： 1～300 amu（标准配置） 500、1000、2500amu（选配） 测量速度： 500 points/s 分辨率： 0.1% Valley、1% Valley 动态范围： 10-7 检测浓度： 5ppb～100% 离子能量： ±100eV（标准配置） ±1000eV（选配） 信号选通分辨率：0.1μs 稳定性： 24h以上，峰高变化小于±0.5%

优异的性能, PVD公司生产的脉冲激光沉积分子束外延系统在国内有较多用户，为众多老师开启薄膜外延制备的新篇章。欢迎前来参观咨询。主腔室，样品传输腔，1100度加热系统，样品旋转，PLD靶材操控器及光路，K-cell热蒸发源，电子束蒸发源，射频RF离子源PVD公司是美国主要制造商，是一家专业从事脉冲激光沉积分子束外延（PLD MBE）和超高真空薄膜沉积系统及组件的设计和制造的公司，提供超高真空薄膜沉积系统，应用于分子束外延、UHV溅射和脉冲激光沉积。产品主要集中在小型研究开发系统，其应用主要包括：用分子束外延进行半导体材料、ZnO、GaN、SiGe和金属/氧化物外延生长；UHV磁控溅射磁性薄膜；脉冲激光沉积超导薄膜、氧化物和陶瓷材料。脉冲激光沉积（PLD）系统通常使用聚焦脉冲准分子或Nd：YAG激光器在真空室中蒸发一小部分固体目标材料，以产生与原始目标材料具有相同化学成分的薄膜。PLD工艺能够在各种背景气体成分和压力下沉积许多复杂材料。此外，可以使用其他类型的激光器，包括ps和fs激光器，并且可以使用适当的激光器提供替代技术，例如矩阵辅助脉冲激光蒸发（MAPLE）和谐振红外脉冲激光蒸发系统。PVD 产品为尺寸从 5 mm 方形到 300 mm 的基板提供各种 PLD 系统。我们还可以为卷对卷应用提供PLD系统。PVD产品将很乐意协助您为您的特定应用选择合适的PLD工具。大多数系统完全由计算机控制，易于使用。应用主要包括：分子束外延系统（MBE）GaAs、InP和GaSb外延HgCdTe外延GaN、InN和AlN外延Ⅱ-Ⅵ族外延SiGe外延Si/金属/氧化物外延 超高真空物理气相沉积（PVD）系统磁控溅射系统脉冲激光沉积（PLD）系统电子束蒸发系统离子束沉积系统热蒸发系统已经在全球范围内安装了超过100套的超高真空系统。绝大部分的产品都是针对用户定制设计复杂的沉积系统。在标准系统制造业中有着深厚的为用户定制设计的背景，在用户中具有很好的声誉。许多的标准系统最初都是起源于针对某些客户对沉积过程特殊需求的解决方案,与广大的中国用户开展更为广泛的交流与合作，为广大的中国用户提供国际顶尖PLD MBE和超高真空薄膜沉积系统制造商的产品和服务。

优异的性能, PVD公司生产的脉冲激光沉积分子束外延系统在国内有较多用户，为众多老师开启薄膜外延制备的新篇章。欢迎前来参观咨询。主腔室，样品传输腔，1100度加热系统，样品旋转，PLD靶材操控器及光路，K-cell热蒸发源，电子束蒸发源，射频RF离子源PVD公司是美国主要制造商，是一家专业从事脉冲激光沉积分子束外延（PLD MBE）和超高真空薄膜沉积系统及组件的设计和制造的公司，提供超高真空薄膜沉积系统，应用于分子束外延、UHV溅射和脉冲激光沉积。产品主要集中在小型研究开发系统，其应用主要包括：用分子束外延进行半导体材料、ZnO、GaN、SiGe和金属/氧化物外延生长；UHV磁控溅射磁性薄膜；脉冲激光沉积超导薄膜、氧化物和陶瓷材料。脉冲激光沉积（PLD）系统通常使用聚焦脉冲准分子或Nd：YAG激光器在真空室中蒸发一小部分固体目标材料，以产生与原始目标材料具有相同化学成分的薄膜。PLD工艺能够在各种背景气体成分和压力下沉积许多复杂材料。此外，可以使用其他类型的激光器，包括ps和fs激光器，并且可以使用适当的激光器提供替代技术，例如矩阵辅助脉冲激光蒸发（MAPLE）和谐振红外脉冲激光蒸发系统。PVD 产品为尺寸从 5 mm 方形到 300 mm 的基板提供各种 PLD 系统。我们还可以为卷对卷应用提供PLD系统。PVD产品将很乐意协助您为您的特定应用选择合适的PLD工具。大多数系统完全由计算机控制，易于使用。应用主要包括：分子束外延系统（MBE）GaAs、InP和GaSb外延HgCdTe外延GaN、InN和AlN外延Ⅱ-Ⅵ族外延SiGe外延Si/金属/氧化物外延超高真空物理气相沉积（PVD）系统磁控溅射系统脉冲激光沉积（PLD）系统电子束蒸发系统离子束沉积系统热蒸发系统已经在全球范围内安装了超过100套的超高真空系统。绝大部分的产品都是针对用户定制设计复杂的沉积系统。在标准系统制造业中有着深厚的为用户定制设计的背景，在用户中具有很好的声誉。许多的标准系统最初都是起源于针对某些客户对沉积过程特殊需求的解决方案,与广大的中国用户开展更为广泛的交流与合作，为广大的中国用户提供国际顶尖PLD MBE和超高真空薄膜沉积系统制造商的产品和服务。

微分电化学质谱（Differential Electrochemical Mass Spectrometry DEMS）是将电化学和质谱技术相结合而发展起来的一种现代电化学现场测试手段；它可现场检测电化学反应中的挥发性气体产物及动力学参数，中间体及其结构的性质等；当电极反应产物为共析出时，DEMS技术可同时确定每种产物的法拉第电流随电极电位或时间的变化。 Hiden现在发布了世界上首款商业化的电化学质谱仪DEMS，结合了电化学半电池实验和四极质谱仪的差分电化学质谱（DEMS），可以进行实时原位分析电化学反应中的挥发性反应物、中间体、反应产物。当电极反应产物为共析出时，该质谱DEMS可同时确定每种产物的含量随电极电位或时间的变化。DEMS质谱仪是带有一个电化学半电池、气体过滤膜系统、快速隔离阀系统、真空系统的四极质谱仪。 特点：1.商业化电化学质谱仪2.实时原位分析3.定性和定量分析 参数：1. 质量数范围：50，200 ，300 amu2. 分辨率： 1 amu3. 灵敏度：0.1 ppm 或者5 ppb（三重过滤四极杆）4. 用户可涂覆的铂碳电极，额外的4个电极接口，可更换的纳米膜5. 软离子化技术

仪器简介：EPIC离子/分子分析质谱仪(EPIC Systems with Pulse Ion Counting and Pole Bias Control)是带脉冲离子计数和四级杆偏压控制的三级过滤四极质谱仪，用于高精密科学分析，过程研究以及中性粒子、自由基、正负离子的UHV分析。 EPIC离子/分子分析质谱仪可增加能量过滤器、Bessel Box能量分析器或45°扇形能量分析器，升级至Hiden的Plasma/ SIMS系列EQP，EQS，PSM 和Maxim。 主要特点：6、9、12 mm 直径的四极杆可选 ±100 eV离子能量分布，1000 eV可选 离子源控制，以实现软离子化及表观电势质谱 脉冲离子计数器，连续7个数量级动态范围，Faraday 选项为5x1010 一级过滤处增加射频，增强抗污染物能力 信号选通分辨率0.1μs，用于能量、质量分布随时间变化或TOF研究中 程序升温脱附时，温度数值同步显示 标配UHV罩，液氮冷却罩可选 MASsoft专业软件控制 可升级至Plasma/ SIMS 配置 技术规格： 质量数范围： 1～300 amu（标准配置） 500、1000、2500 amu（选配） 测量速度： 500 points/s 分辨率： 0.1% Valley、1% Valley 动态范围： 107 最低检测分压： 5 X 10-15 mbar ，1X10-16 mbar 离子能量： ±100eV（标准配置） ±1000eV（选配） 信号选通分辨率：0.1μs 稳定性： 24h以上，峰高变化小于±0.5% 3F Series Mass Spectrometers (0.68MB) Mass Spectrometers for Residual Gas Analysis - RGA (1.35 MB)

美国SVT公司MBE分子束外延系统美国SVT公司是世界顶级的MBE供应商，具有20年的MBE设备制造经验。数位核心工程师拥有25年以上的MBE经验。占据美国主要科研市场的SVT分子束外延系统，以其专业化的超高真空技术和薄膜生长技术搏得了广大客户的青睐。SVT公司拥有独立的应用实验室，可以为客户提供完善的工艺技术服务。和客户之间建立共同研发及合作的技术平台。SVT公司建立完善的售后服务体系。在北京、香港、美国总部都有服务工程师。型 号应 用样 品 尺 寸35-4III-V, 或其他化合物半导体4’’35-N氮化物半导体4’’或3X2’’35-6III-V或II-VI 或其他化合物半导体4’’, 6’’或多片2’’35-G-4III-V化合物，SiGe4’’SM-6Si，Ge，金属4’’或6’’S-8Si，Ge，介质材料最大8’’可配集成腔室SVT-V化合物半导体，氮化物，氧化物，铁磁材料2’’或3’’35-D双生长腔室，III-V或II-VI 或其他化合物半导体，铁磁材料3’’或4’’35-VCIGS3’’或4’’NanoFabII-V，II-VI，II-氧化物，III-氮化物以及其他材料1’’或2’’UVD-02氧化物或其他介质材料4’’, 可配有液态源PLD-02氧化物半导体、高温超导材料、光学晶体材料、电光学薄膜、铁电以及铁磁材料等4’’, 激光/电子束沉积35V14化合物半导体，氮化物，氧化物，铁磁材料14’’或多个小尺寸SVT MBE系统是模块化设计，主要包括装载室模块，预备或分析室模块，主生长室模块。可配10个源，线性移动挡板。每个模块都有独立的抽气系统。模块间有闸板阀相互隔离，互不影响。Model 35-6 AlGaAs（或其他半导体材料）研究和生产型设备，样品尺寸可达6英寸。可容纳10个cell。真空度 1×10-10Torr。可配普通束流源，裂解源，RF源，电子束蒸发源。Model 35-N-V 标准4' ' 衬底MBE平台，用于生长高质量的氮化物半导体材料。可容纳10个cell。真空度 1×10-10Torr。设计考虑了严格的活性氮环境并配有高温衬底加热器。氮源的种类包括RF氮源和氨气入射源。26-O-V 氧化物MBE系统具有弹性配置。真空度 1×10-10Torr。此多元化MBE平台可以生长研究各种氧化物材料。该系统可以配备多坩埚电子束蒸发源以及10个热蒸发源或等离子源等。氧化物MBE还包括：26-O-C紧凑型氧化物MBE、26-O-6大样品氧化物MBE等各种型号。Model SM-6 SiGe系统用于生长高质量的Si/Ge及相关化合物。真空度 1×10-10Torr。可容纳9个普通源及1个电子束蒸发源，或6个普通源及2个电子束蒸发源。该系统集成了电子束蒸发和热源蒸发两种沉积技术，并通过传感器反馈控制技术实现薄膜制备的高度再现性。

该设备可以在某些衬底材料上实现外延生长工艺，实现分子自组装、超晶格、量子阱、一维纳米线等。可以进行第二代半导体和第三代半导体的工艺验证和外延片的生长制造。分子束外延薄膜生长设备MBE在薄膜外延生长时具有超高的真空环境，是在理想的环境下进行薄膜外延生长，它可以排除在薄膜生长时的各种干扰因素，得到理想的高精度薄膜。我公司设计制造的分子束外延薄膜生长实验设备，分实验型和生产型两种 ，配置合理，结构简单，操作方便，技术先进，性能可靠，用途多，实用性强，价格相对较低，可供各大学的实验室及科研机构作为分子束外延方面的教学实验、科学研究及工艺实验之用。生产型MBE可用于小批量外延片的制备。功能特点本项目于2005年在国内率先完成了成套MBE的全国产化研发设计和制造，做到自主可控。自主设计MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、RHEED原位实时在线监控仪、直线型电子枪、高温束源炉、束源炉电源、高温样品台、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）等核心部件。可实现第二代半导体（如砷化镓等）和第三代半导体（如碳化硅和氮化镓）的外延生长。设备组成与主要技术指标设备的组成进样室该室用于样品的进出仓，并配置有多样片储存功能。样品库可放六片基片。预处理室该室用于样品在进入外延室之前进行真空等离子剥离式清洗和真空高温除气，及其他前期工艺处理。还用于对外延后的样片进行后工艺处理，如高温退火等等。外延室超高真空洁净真空室，实现分子束外延工艺。主要技术指标进样室极限真空：5.0×10^-5Pa样品装载数量：6片（φ2 英寸～φ4 英寸，带样品载具）预处理室极限真空：5×10^-7Pa样品台加热温度：室温～ 850℃±1℃（PID 控制）离子清洗源：Φ60；100 ～ 500eV外延室 极限真空 离子泵 2.0×10-8 Pa（冷阱辅助） 样品台加热温度 室温～ 1200℃±1℃（PID 控制） 样品自转速度 2 ～ 20 转 / 每分钟（无级可调） 气态离化源 1～3套（氮） 固态束源炉 3 ～ 8 套（根据用户需求配置） Rheed 1套*工艺室部分部件根据客户需求不同，所配置不同。实验型MBE设备组件超高真空直线型电子枪自主研发直线型电子枪，满足超高真空和束源炉法兰接口及安装尺寸的要求；可用于高温难融材料的加热蒸发。超高真空直线型电子枪高能衍射枪及电源束斑0.6mm，高压25kV。光斑在荧光屏上可衍射图像经CCD 相机采集后由计算机进行图像处理。生产型MBE工艺实现使用鹏城半导体自主研发的分子束外延设备生长的Bi2-xSbxTe3。

HPR20 QIC TMS瞬变过程气体分析质谱仪是为在常压附近快速反应的气体分析而设计的系统。配置0.9m长度的石英毛细进样管，是理想的气体瞬变过程分析质谱仪。0.9m长的高效、柔韧、加热(直到200℃)石英惰性毛细管（QIC) APSI-MS 软离子化技术，选择性分析复杂气体和蒸汽 多离子源选择和快速响应的优化泵结构 脉冲离子记数器，可检测连续7个数量级的动态范围 ppm,%定量分析方法 提供两组外部参数显示信号；可选配16组 扩展余地宽 质量数范围： 1～50、100、200 、300、500、1000amu 响应速度： ＜150ms，200毫秒内对于5个数量级气体组成变化做出反映 扫描速度： 100amu/s 取样压力： 100mbar～2bar 标准配置 1mbar～30bar 选配 检测浓度： 5ppb～100% 稳定性： 24h以上，峰高变化小于±0.5% 测量速度： 500点/秒

Laser MBELaser MBE特点模块化概念，Laser MBE可以轻松升级到中央传输模块或其他模块UHV PLD主腔室、利用Load-lock实现衬底和靶材的UHV传输先进的工艺自动化功能，可实现超晶格生长温度测量准确的耐氧衬底加热器，最高1000 ℃，也可以选配激光加热靶台可以屏蔽交叉污染，传输整个carrousel而非单个靶材真空腔室利于系统升级（RHEED，等离子体源，OES/FTIR等）SURFACE激光能量密度控制选件，100%的结果可重复性全封闭光路，安全省事整套交付，先进的在线支持PLD/Laser MBE腔室PLD/Laser MBE腔室SURFACE的Laser MBE腔室专为科研而设计，并提供高级Laser MBE需要的所有特征。衬底和靶材的UHV传输冷壁设计防止沉积过程中腔壁放气原位分析窗口和法兰口（RHEED，OES或FTIR，质谱仪）沉积源和等离子体源备用法兰口先进的SURFACE衬底加热器或激光加热靶台最多可存贮5个1寸靶材激光能量密度控制激光能量密度控制Laser MBE可以选配SURFACE 激光能量密度控制功能。它可以确保薄膜沉积的重复性。在每一步沉积前，自动校准激光能量密度，脉冲能量随着时间推移而始终保持恒定。Load LockLoadlock腔室最多可同时装载5个样品和2个靶台carrousel。控制软件控制软件SURFACE的Laser MBE设备均是高度自动化的，可以自动控制整个沉积过程，从而确保设备易于操作。多个工艺步骤被合并到一个沉积程序中，直观的工艺过程可视化操作，高度灵活的数据记录和导出，优异的自我测试能力。升级到Cluster系统Cluster系统Laser MBE可以轻松升级为功能齐备的cluster系统。在PLD主腔室和Load-lock进样室中间插入中央cluster传输模块。模块化设计和轮式支架简化了升级过程，可根据需要和预算来升级系统。

XBS三级滤过四极质谱(MBE Deposition Rate Monitoring / Control System)，适于精确的MBE分析，其他气体分析和科学实验使用。Windows™ 界面的MASsoft软件通过RS232、RS485 或以太网控制。 离子源控制，用于软离子化和表观电势质谱 灵敏度增强用于大质量数的传输，自动质量数范围列表 一级过滤处增加射频，抗污染物能力增强 内置UHV 兼容的水冷却罩 灵敏度高，检测范围： 100% 至5ppb 质量数范围： 0~ 510amu 长期稳定性： 24h以上，峰高变化小于±0.5%) 交叉离子源，束接收角同轴的横断面呈 ±35° 2mm 束接受孔，也可为特殊使用者配置 分子束研究中，检测极限低至30 ions/s 监测生长速率： 1? / min，或更低

1 产品概述：分子束外延薄膜沉积系统（Molecular Beam Epitaxy, MBE）是一种先进的薄膜生长技术，广泛应用于材料科学和半导体制造领域。该系统在超高真空环境中工作，通过精确控制分子束的喷射和沉积过程，在单晶基片上生长出高质量、均匀性好的外延薄膜。MBE系统通常由多个源炉、基片加热台、真空腔室、样品传递机构以及精密的控制系统组成。 2 设备用途：半导体材料研究：MBE系统可用于制备高质量的半导体外延层，如硅、锗及其化合物半导体等，对于研究半导体材料的物理性质、电子结构以及开发新型半导体器件具有重要意义。光电子器件制造：在光电子器件（如激光器、光电探测器等）的制造过程中，MBE系统可用于生长具有特定光学和电学性质的外延层，提高器件的性能和稳定性。微纳电子学：MBE技术还可用于制备纳米结构材料，如量子点、量子阱等，为微纳电子学的发展提供重要的材料基础。材料科学研究：MBE系统可用于研究材料生长过程中的动力学、热力学以及界面反应等机制，推动材料科学领域的发展。3. 设备特点1、超高真空环境：MBE系统工作在超高真空环境中，通常要求基础真空度达到1.0×10^(-10) Torr或更低，以确保分子束的纯净度和外延薄膜的质量。 2、精确控制：MBE系统能够精确控制分子束的喷射速率、沉积温度、沉积时间等参数，从而实现对外延薄膜厚度、成分和结构的精确控制。 3、高质量外延薄膜：由于MBE系统的工作环境和控制精度，其生长的外延薄膜具有极高的质量、均匀性和低的缺陷密度，适用于制备高性能的电子和光电子器件。4、综上所述，半自动双轴减薄机以其高精度、双轴研削单元、自动厚度测量和补偿系统、定制化工作台、操作灵活以及良好的兼容性等特点，在半导体制造、硅片加工、光学材料处理及薄膜材料制备等领域发挥着重要作用。4 设备参数： 缺陷密度≤ 50 /cm² 厚度均匀性 （InGaAs/GaAs）SL （DDX）± 1.5%成分均匀性 （InGaAs/GaAs）SL （DDX）± 1.5%厚度均匀性 （AlAs/GaAs）SL （DDX）± 1.5%Si掺杂标准差均匀性 3%谐振器的FP-Dip均匀性3纳米背景载流子密度7×1014厘米-3HEMT 电子迁移率6000 平方厘米伏-1 平方@RT 120 000 平方厘米伏-1 平方尺@77K分子束外延薄膜沉积系统MBE 8000厚度均匀性 InGaAs/GaAs 在 8×6＇＇ 压板上超晶格厚度298&angst +/- 2&angst 谐振器晶圆在 8×6 英寸压板上的 Fabry-Perot 浸渍均匀性波长变化3nm电子迁移率 – 标准基氮化镓 HEMT电子迁移率 @ 77K178 000 cm² V-1 s-1

1. 产品概述分子束外延薄膜沉积系统MBE 是在超高真空系统中把所需要的结晶材料放入到喷射炉中，将喷射炉加热。使结晶材料形成分子束，从炉中喷出后，沉积在高温的单晶基片上。如果设置几个喷射炉，就可以制取多元半导体混晶，又可以同时进行掺杂。可以精确地控制结晶生长，进行沉积系统中结晶生长过程的研究。2. 设备特点分子束外延，是在超高真空系统中把所需要的结晶材料放入到喷射炉中，将喷射炉加热。使结晶材料形成分子束，从炉中喷出后，沉积在温度保持在几百度的单晶基片上。如果设置几个喷射炉，就可以制取多元半导体混晶，又可以同时进行掺杂。可以精确地控制结晶生长，进行沉积系统中结晶生长过程的研究。12个源炉：镓、铟、铝、砷、锑、磷、铋、硅、镁、掺杂等；衬底：大4inch ；高温度：1000°C 温度均匀性：≤±3°C（4inch）；超高真空下全自动样品转移；用于过程控制和分析的所有现代现场监控功能；一个集群上多7个超高真空功能单元：装载、储存、翻转、处理、排气、生长，外部腔室；可连接其他分析设备或其他：ALD、PLD、PVD、金属化、STM。

Protea公司是一家专注于傅里叶红外气体分析仪和四极杆质谱仪等高端分析仪器研发、生产、销售为一体的高科技公司，总部位于英国伦敦。ProMass系列质谱仪是结构紧凑、坚固的四极杆质谱（QMS）仪，融合了所有的质谱和真空泵技术。QMS技术是环境空气或过程应用中气体分析的一种有效机制，能够检测和测量几乎所有气体，且检测限值低、响应速度快。【产品描述】ProMassD台式质谱仪是一款结构紧凑、设计坚固的四极质谱仪器，融合了所有的质谱仪和真空泵技术。ProMassD适用于水平垂直方向，非常适合实验室实验测量。QMS技术是环境空气或过程应用中气体分析的一种有效机制，能够检测和测量几乎所有气体，且检测限值低，相应速度快。质谱仪通过收集和分析测量样品中分子的质荷比，我们可以根据质谱信息识别和量化存在的分子。 ProMassD台式质谱仪中的 QMS 包含一个由4个平行圆棒组成的质量过滤器，因此称为四极杆。它具有0-100amu、0-200amu或0-300amu的可变质量范围。（三重四极版本）【典型应用】l 氢(H2)燃料分析；l TGA-MS分析；l 环境分析；l 发酵；l 催化。 【特 点】l 根据不同的具体应用预置质谱库，单台仪器可以测量几乎所有气体，应用领域十分广泛；l 毛细管直接进样，测量气体简便快捷，无需复杂的制样设备和繁琐的制样过程，即可实现单独测量；l 快速测量，毫秒级响应速度；l 法拉第杯和二次电子倍增器联用，既可快速扫描，又可以精确测量；l 强大的PC端专业质谱分析软件；l 简单易用，无需精通质谱专业知识，即可上手测量。

仪器简介：先锋公司代理美国SRS公司的RGA100残余气体分析仪是一种可用于在线监测的真空设备，主要用来检测真空腔中的气体成分和气体浓度。其残余气体分析仪可以达到百万量级的动态范围，优于1amu的分辨率，5× 10-4Torr的探测极限，带有分析软件和RS232接口。优异的性能，超高的性价比，完全满足您真空方面的科研实验。技术参数：RGA残余气体分析仪主要参数如下： &bull 100, 200 and 300 amu systems &bull Better than 1 amu resolution &bull 6 decades of dynamic range &bull 5 × 10&minus 14 Torr detection limit &bull RGA Windows & LabVIEW software &bull Field-replaceable electron multiplier and filament &bull RS-232 interface主要特点：在真空腔内RGA离子分化器将气体分子电离，电离后的带电粒子进入四极杆产生的偏转电场内，由于不同的粒子质量数不一样，在一定的电场作用下所形成的偏转半径就不一样。相当于我们在四极杆上加特定的电场就会有特定质量数的离子打到探测器阳极上，探测器所产生的电流正比于气体分子的浓度。进一步改变电场，就可以检测到不同质量数离子的浓度。之后我们再做电场扫描，就可以计算出真空腔中所含气体的成分。