大尺寸快速退火炉英寸适合光伏样品

快速退火炉LRTP-1200，采用红外辐射加热技术，可实现大尺寸样品（4英寸）快速升温和降温，同时搭配超高精度温度控制系统，可达到极佳的温场均匀性，对材料的快速热处理(RTP)、快速退火(RTA)、快速热氧化(RTO)、快速热氮化(RTN)等研究工作起到重要作用。 快速退火炉应用案例l 快速热处理，快速退火，快速热氧化，快速热氮化l 离子注入/接触退火l SiAu, SiAl, SiMo合金化l 太阳能电池片键合l 电阻烧结l 低介电材料热处理l 晶体化，致密化l 其他热工艺需求 快速退火炉产品特点l 可测大尺寸样品 可测单晶片样品的最大尺寸为4英寸（100mm）。l 快速控温与高真空 最高升温速率可达100℃/s，真空度最高可达到10Pa。l 程序设定与气路扩展 最多可创建和存储32个程序、8个PID设定，实现不同温度段的精确测试。最多可扩展至4条工艺气路（MFC），应用不同气氛环境（真空、氮气、氩气、氧气、氢氮混合气体等）。l 全自动智能控制 采用全自动智能控制，包括温度、时间、气体流量、真空、气氛、冷却水等均可实现自动控制。l 超高安全系数 采用炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护以及设备急停安全保护三重安全措施，全方位保障仪器使用安全。 快速退火炉技术参数型号LRTP-1200最高温度1200℃最高升温速率100℃/s最快降温速度200℃/min(1000℃--400℃)控温精度≤0.1℃温场均匀性≤0.5%腔体冷却水冷方式，独立冷却源衬底冷却氮气吹扫工艺气路MFC控制，4路(可选氮气、氩气、氧气、氢氮混合气等)主机尺寸450×625×535，单位mm创新点：1.产品控温精度极高：可达± 0.5℃； 2.采用红外加热技术，最高升温速率达150℃/s； 3.全方位自动化，首次将真空及气路控制集成在软件中，一键操作方便快捷； 4.打破行业内高精退火炉的进口设备长期垄断的局面； 快速退火炉 LRTP

简介：快速退火炉是利用卤素红外灯做为热源，通过极快的升温速率，将晶圆或者材料在极短的时间内加热到300℃-1200℃，从而消除晶圆或者材料内部的一些缺陷，改善产品性能。快速退火炉采用先进的微电脑控制系统，采用PID闭环控制温度，可以达到极高的控温精度和温度均匀性，并且可配置真空腔体，也可根据用户工艺需求配置多路气体。行业背景：快速退火炉是现代大规模集成电路生产工艺过程中的关键设备。随着集成电路技术飞速发展，开展快速退火炉系统的创新研发对国内开发和研究具有自主知识产权的快速退火炉设备具有十分重大的战略意义和应用价值。目前快速退火炉的供应商主要集中在欧、美和台湾地区，大陆地区还没有可替代产品，市场都由进口设备主导，设备国产化亟待新的创新和突破。随着近两年中美贸易战的影响，国家越来越重视科技的创新发展与内需增长，政府出台了很多相关的产业政策，对于国产快速退火炉设备在相关行业产线上的占比提出了一定要求，给国内的半导体设备厂商带来了巨大机遇，预测未来几年时间国内退火炉设备市场会有快速的内需增长需求。技术特点：快速退火炉（芯片热处理设备）广泛应用在IC晶圆、LED晶圆、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产。和欧姆接触快速合金、离子注入退火、氧化物生长、消除应力和致密化等工艺当中，通过快速热处理以改善晶体结构和光电性能，具有技术指标高、工艺复杂、专用性强的特点。一般参数：名称数值最高温度1200摄氏度升温速率150摄氏度/秒降温速率200摄氏度/分钟（1000摄氏度→300摄氏度）温度精度±0.5摄氏度温控均匀性≤0.5%设定温度加热方式红外卤素灯，顶部加热真空度10mTorr以下工艺应用：快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；离子注入/接触退火；金属合金；热氧化处理；高温退火；高温扩散。应用领域：化合物合金（砷化镓、氮化物，碳化硅等）；多晶硅退火；太阳能电池片退火；IC晶圆；功率器件；MEMS；LED晶圆。设备说明：快速退火炉主要由真空腔室、加热室、进气系统、真空系统、温度控制系统、气冷系统、水冷系统等几部分组成。真空腔室：真空腔室是快速退火炉的工作空间，晶圆在这里进行快速热处理。加热室：加热室以多个红外灯管为加热元件，以耐高温合金为框架、高纯石英为主体。进气系统：真空腔室尾部有进气孔，精确控制的进气量用来满足一些特殊工艺的气体需求。真空系统：在真空泵和真空腔室之间装有高真空电磁阀，可以有效确保腔室真空度，同时避免气体倒灌污染腔室内的被处理工件。温度控制系统：温度控制系统由温度传感器、温度控制器、电力调整器、可编程控制器、PC及各种传感器等组成。气冷系统：真空腔室的冷却是通过进气系统向腔室内充入惰性气体，来加速冷却被热处理的工件，满足工艺使用要求。水冷系统：水冷系统主要包括真空腔室、加热室、各部位密封圈的冷却用水。硬件更换：1.加热灯管更换：加热灯管超过使用寿命或无法点亮时需进行更换。加热灯管的使用寿命为3000小时，高温状态下会降低其使用寿命。2.真空泵油更换：在使用过程中，请每季度固定观察1次真空油表，当油表显示油量低于1/3时请添加真空泵润滑油到油表一半以上。3.热电偶更换：当热电偶测温不正常或者损坏时需进行更换。热电偶的正常使用寿命为3个月，随环境因素降低其寿命。4.O型圈的更换：O型圈表面有明显破损或者无法气密时需进行更换，其寿命受外力以及温度因素影响。保养周期：项目检查周期零件或耗材加热灯管周IR灯管托盘表面擦拭周碳化硅材质热电偶固定状态周石英板清理季度O型圈检查更换季度真空泵油季度MR100M导向轴承季度使用润滑油产品推荐：全自动12英寸多腔体快速退火炉RTP设备规格:全自动操作模式，机械手臂自动上片取片；多腔体生产模式，单个腔体适应于 2英寸-12英寸 晶圆或者最大支持 300mmx300mm 样品；退火温度范围 300℃-1300℃；升温速率 ≦100℃/sec(裸片)；温度均匀性 ≦±1%；真空腔体（可选配常压腔体或正压腔体）；冷却方式包括水冷和氮气吹扫；MFC控制，3-5路制程气体。半自动12英寸快速退火炉RTP设备规格:适应于 2英寸-12英寸 晶圆或者最大支持 300mmx300mm 样品；退火温度范围 300℃-1300℃；升温速率 ≦100℃/sec(裸片)；温度均匀性 ≦±1%；真空腔体（可选配常压腔体或正压腔体）；冷却方式包括水冷和氮气吹扫；MFC控制，3-5路制程气体。桌上型4英寸快速退火炉RTP设备规格:桌上型小型快速退火炉；适应于 2英寸-4英寸 晶圆或者最大支持 100mmx100mm 样品；退火温度范围 300℃-1200℃；升温速率 ≦100℃/sec(裸片)；温度均匀性 ≦±1%；常压腔体（可选配真空腔体）；冷却方式包括水冷和氮气吹扫；MFC控制，1-4路制程气体。快速退火炉，RTA，RTP，合金炉，RTO，快速退火炉RTP，国产快速退火炉，自主研发，快速退火工艺，半导体设备，芯片退火设备

在半导体制造中，快速热处理(RTP)被认为是半导体制程的一个重要步骤。因为半导体材料在晶体生长和制造过程中，由于各种原因会出现缺陷、杂质、位错等结构性缺陷，导致晶格不完整，施加电场后的电导率较低。需要通过RTP快速退火炉进行退火处理，可以使材料得到修复，结晶体内部重新排列，可以消除硅片中的应力，激活或迁移杂质，使沉积或生长的薄膜更加致密化，并修复硅片加工中的离子注入损伤。RTP快速退火炉通常还用于离子注入退火、ITO镀膜后快速退火、氧化物和氮化物生长等应用。桌面型快速退火炉-RTP-Table-6RTP-Table-6为桌面型6英寸晶圆快速退火炉，使用上下两层红外卤素灯管 作为热源加热，内部石英腔体保温隔热，腔体外壳为水冷铝合金，使得制品加热均匀，且表面温度低。6英寸晶圆快速退火炉采用PID控制，系统能快速调节红外卤素灯管的输出功率，控温更加精准。桌面型快速退火炉的功能特点①极快的升温速率：RTP快速退火炉的裸片升温速率是150℃/s，大大缩短了热处理时间。②精确的温度控制：配备高精度的温度传感器和控制系统，确保温度的精确性和稳定性。③多样化的气氛选项：支持多种气体气氛，如氮气、氩气等，满足不同材料的热处理需求。④紧凑的桌面式设计：适合实验室和小型生产环境，节省空间，便于移动和部署。除了以上功能特点，在半导体制造的快速热退火工艺步骤中，测量晶圆的温度是关键。如果测量不准确，可能会出现过热和温度分布不均匀的情况，这两者都会影响工艺的效果。因此，晟鼎桌面型快速退火炉配置测温系统，硅片在升温、恒温及降温过程中精确地获取晶圆表面温度数据，误差范围控制在±1℃以内。桌面型快速退火炉的应用1. 晶体结构优化：在加热阶段，高温有助于晶体结构的再排列。这可以消除晶格缺陷，提高晶体的有序性，从而改善半导体材料的电子传导性能。2. 杂质去除：高温RTP快速退火可以促使杂质从半导体晶体中扩散出去，减少杂质的浓度。这有助于提高半导体器件的电子特性，减少杂质引起的能级或电子散射。3. 衬底去除：在CMOS工艺中，快速退火炉可用于去除衬底材料，如氧化硅或氮化硅，以形成超薄SOI（硅层上绝缘体）器件。4. 应力消除：高温退火还有助于减轻半导体器件中的内部应力，从而降低了晶体缺陷的形成，提高了材料的稳定性和可靠性。

半导体快速退火炉（RTP）是一种特殊的加热设备，能够在短时间内将半导体材料迅速加热到高温，并通过快速冷却的方式使其达到非常高的温度梯度。快速退火炉在半导体材料制造中广泛应用，如CMOS器件后端制程、GaN薄膜制备、SiC材料晶体生长以及抛光后退火等。一、快速退火炉的原理半导体快速退火炉通过高功率的电热元件，如加热电阻来产生高温。在快速退火炉中，通常采用氢气或氮气作为气氛保护，以防止半导体材料表面氧化和污染。半导体材料在高温下快速退火后，会重新结晶和再结晶，从而使晶体缺陷减少，改善半导体的电学性能，提高设备的可靠性和使用寿命。1.1快速退火（RTA）与传统退火相比，快速退火具有更高的加热和冷却速度。通过快速加热和冷却，可以缩短退火时间，提高生产效率。1.2快速热处理（RTP）热处理是半导体制造中的一项关键技术，它可以改变材料的微观结构和性能。在热处理过程中，材料被加热到高温，然后进行保温和冷却。这个过程中，材料内部的原子会发生重新排列，从而改变材料的物理、化学和机械性质。二、半导体退火炉的应用领域1.封装工艺在封装工艺中，快速退火炉主要用于引线的切割和组装。引线经过切割和组装后，可能会产生内应力，影响封装的稳定性和可靠性。通过快速退火处理，可以消除引线内的应力，提高封装的稳定性和可靠性，保证产品的使用寿命。2.CMOS器件后端制程在CMOS器件后端制程中，快速退火炉可用于修复制程中产生的损伤和缺陷，增强器件的电学性能。通过快速退火处理，可以减少CMOS器件中的氧化物陷阱电荷和界面态密度，提高器件的可靠性和寿命。3.GaN薄膜制备GaN是一种重要的宽禁带半导体材料，具有优异的光电性能和稳定性。在GaN薄膜制备过程中，快速退火炉可用于提高薄膜的结晶质量和表面平滑度。通过快速退火处理，可以消除薄膜中的应力，减少缺陷，提高GaN薄膜的光电性能和稳定性。4.SiC材料晶体生长SiC是一种具有高热导率、高击穿电压、高饱和电子速度等优良特性的宽禁带半导体材料。在SiC材料晶体生长过程中，快速退火炉可用于提高晶体生长的质量和尺寸，减少缺陷和氧化。通过快速退火处理，可以消除晶体中的应力，提高SiC材料的晶体品质和性能。5.抛光后退火在半导体材料抛光后，表面会产生损伤和缺陷，影响设备的性能。快速退火炉可用于抛光后的迅速修复损伤和缺陷，使表面更加平滑，提高设备的性能。通过快速退火处理，可以减少表面粗糙度，消除应力，提高材料的电学性能和可靠性。

前言碳化硅（SiC）是制作半导体器件及材料的理想材料之一，但其在工艺过程中，会不可避免的产生晶格缺陷等问题，而快速退火可以实现金属合金、杂质激活、晶格修复等目的。在近些年飞速发展的化合物半导体、光电子、先进集成电路等细分领域，快速退火发挥着无法取代的作用。01快速退火在化合物半导体上的应用碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，具有硬度高、热导率高、热稳定性好等优点，在半导体领域具有广泛的应用前景。由于碳化硅器件的部分工艺需要在高温下完成，这给器件的制造和封测带来了较大的难度。例如，在掺杂步骤中，传统硅基材料可以用扩散的方式完成掺杂，但由于碳化硅扩散温度远高于硅，所以需要采用高温离子注入的方式。而高能量的离子注入会破坏碳化硅材料原本的晶格结构，因此需要采用快速退火工艺修复离子注入带来的晶格损伤，消除或减轻晶体应力和缺陷，提高结晶质量。*退火工艺处理前后对比（图源：网络）02什么是快速退火炉（RTP SYSTEM）快速退火炉是利用卤素红外灯作为热源，通过极快的升温速率，将材料在极短的时间内从室温加热到300℃-1250℃，从而消除材料内部的一些缺陷，改善产品性能。*图源：网络03快速退火炉产品介绍 全自动双腔快速退火炉 RTP-DTS-8是一款全自动双腔快速退火设备，可兼容6-8英寸晶圆Wafer。产品优势✅ 全自动双腔设计，有效提升产能✅ 温度可达1250℃，具有超高温场均匀性✅ 具备稳定的温度重现性✅ 能够满足SIC量产化制程需求半自动快速退火炉RTP-SA-12是在保护气氛下的半自动立式快速退火系统，可兼容4-12英寸晶圆Wafer。产品优势✅ 采用红外卤素灯管加热，冷却采用风冷；✅ 快速PID温控，可控制温度升温，保证良好的重现性和温度均匀性；✅ 采用平行气路进气方式，气体进出口设置在晶圆表面，避免退火过程中冷点产生，保证良好的温度均匀性；✅ 大气与真空处理方式均可选择，实现进气前气体净化处理；✅ 标配两组工艺气体，可扩展至6组工艺气体。桌面型快速退火炉RTP-TABLE-6是一款桌面型快速退火设备，标配三组工艺气体，可兼容6英寸晶圆Wafer。产品优势✅ 红外卤素灯管加热，冷却采用风冷；✅ 采用快速PID温控，可控制温度升温，保证良好的重现性和温度均匀性；✅ 采用平行气路进气方式，气体进出口设置在晶圆表面，避免退火过程中冷点产生，保证良好的温度均匀性；✅ 大气与真空处理方式均可选择，实现进气前气体净化处理。

作为新一代半导体的代表材料，氮化镓（GaN）具有大禁带宽度、高临界场强、高热导率、高载流子饱和速率等特性，是制造高功率、高频电子器件中重要的半导体材料。其中，GaN材料与金属电极的欧姆接触对器件性能有着重要的影响，器件利用金属电极与GaN间接触形成的欧姆接触来输入或输出电流。当欧姆接触电阻过高时会产生较多的焦耳热，缩短器件寿命，而良好的欧姆接触可使器件通态电阻低，电流输出大，具有更好的稳定性。退火温度影响欧姆接触质量氮化镓欧姆接触的制备通常需要进行退火处理，退火的目的是通过热处理改变材料的结构和性质，使金属电极与氮化镓之间形成低电阻接触。而金属与GaN之间形成欧姆接触的质量受退火条件的影响，良好的欧姆接触图形边缘应保持平整，电极之间不应存在导致短路的金属粘合，退火完成后不会出现金属的侧流。（a） 退火前欧姆接触形态 （b）退火后欧姆接触形态（图源网络）退火温度作为影响欧姆接触性能的重要参数，温度过高或过低都会导致电阻率的增加和电流的减小。一般来说，退火温度越高，金属电极与氮化镓之间的比接触电阻率则越低。比接触电阻率与退火温度的函数关系（图源：知网）然而，当退火温度过高则可能导致氮化镓材料的损伤或金属电极的熔化，不利于形成好的欧姆接触；当温度过低时会导致金属与半导体之间形成较高的势垒，阻碍载流子的传输。因此在对GaN欧姆接触进行退火处理时，对于退火温度的条件选择尤为重要。快速退火炉（RTP）原理：快速退火炉（RTP）是一种用于半导体器件制造和材料研究的设备，其工作原理是通过快速升温和降温来处理材料，以改变其性质或结构。RTP结构示意图（图源网络）晟鼎快速退火炉（RTP）优势RTP快速退火炉具有温度控制精确、升温速度快等优点，可以满足欧姆接触对温度敏感的材料和结构的需求。晟鼎快速退火炉制程范围覆盖200-1250℃，具有强大的温场管理系统，此外，还能灵活、快速地转换和调节工艺气体，使得其在同一个热处理过程中可以完成多段处理工艺。晟鼎快速退火炉RTP温度控制—1000℃制程半自动快速退火炉RTP-SA-12为半自动立式快速退火炉，工艺时间短，控温精度高，相对于传统扩散炉退火系统和其他RTP系统，其独特的腔体设计、先进的温度控制技术和独有的 RL900软件控制系统，确保了极好的热均匀性。产品优势◎红外卤素灯管加热，冷却采用风冷◎大气与真空处理方式均可选择，进气前气体净化处理◎灯管功率 PID 控温，可精准控制温度升温，保证良好的重现性与温度均匀性全自动双腔退火炉RTP-DTS-8相对于传统扩散炉退火系统和其他 RTP 系统，其独特的腔体设计、先进的温度控制技术和独有的RL900 软件控制系统，确保了极好的热均匀性。产品优势◎红外卤素灯管加热，冷却采用风冷 ◎灯管功率 PID 控温，可精准控制温度升温，保证良好的重现性与温度均匀性 ◎大气与真空处理方式均可选择，进气前气体净化处理 ◎标配两组工艺气体，最多可扩展至 6 组工艺气体桌面型快速退火炉RTP-Table-6 为桌面式 6 英寸晶圆快速退火炉，使用上下两层红外卤素灯管作为热源加热，内部石英腔体保温隔热，腔体外壳为水冷铝合金，使得制品加热 均匀，且表面温度低。 RTP-Table-6 采用 PID 控制，系统能快速调节红外卤素灯管的输出功率，控温更加精准。产品优势◎双层红外卤素灯管加热，氮气快速降温◎自主研发灯管分组排布，使温度均匀性更好 ◎采用PID 算法控制，实时调节灯管功率输出 ◎软件主界面能实时显示气体、温度、真空度等参数◎自动识别错误信息，出现异常时设备自动保护

近日，中国科协发布2023年“科创中国”系列榜单遴选结果。该榜单经初评、终评遴选出先导技术榜150项、新锐企业榜50项等共计230项拟入榜项目。【拓展阅读：230项！2023年“科创中国”系列榜单遴选结果公示：涵盖人工智能、新能源等领域】。其中，安徽光智凭借“超厚大尺寸高均匀性CVD硒化锌规模化生产技术”成功入选榜单！这也是安徽省唯一的上榜项目，标志着公司在科技创新和产品研发方面取得重要突破，并获得中国科协高度认可。全省唯一，图源：中国科协为聚焦新兴前沿领域和产业基础领域核心技术攻关，培育壮大科技型中小企业队伍，发挥技术经理人在科技成果转化中的重要催化作用，2020年中国科协推出“科创中国”品牌。其旨在深入推动科技与经济深度融合，树立产学研深度融合风向标，着力打通科技强到产业强、经济强的关键环节。安徽光智此次入选的先导技术榜，面向电子信息、生物医药、装备制造、先进材料、绿色低碳、产业基础六大领域的产业需求，遴选代表本领域前沿水平，且具有开创性突破和广阔应用场景，可转移、转化、交易的先导技术成果。硒化锌材料，图源：安徽光智超厚大尺寸高均匀性CVD硒化锌便是公司攻关研发出的“明星产品”之一。硒化锌是一种无机化合物材料，对红外波长具有低吸收性，并可透射可见光，是制作红外透镜、窗口、输出耦合窗口和扩束镜的首选材料，是制作大功率二氧化碳激光器的重要材料。长期以来，硒化锌制备技术和大尺寸硒化锌产品受制海外封锁，严重影响产业的发展。同时，大尺寸硒化锌成套制备技术属于国内空白。其沉积系统设计复杂、合成工艺开发难度大、高精度加工难度高，规模化生产面临极大挑战。对此，安徽光智立足于国家战略材料的重大需求，经过多年不懈研发，首创了数字集成自动化控制大型化学气相沉积系统，开发了均匀温场分布与原位高温退火工艺相结合的新工艺体系。目前，公司可生产的超厚大尺寸高均匀性CVD硒化锌，产品性能已达国际先进水平。新荣誉激励新发展，新动力成就新高度。未来，安徽光智将以此次入选科协榜单为契机，继续开创科研工作新局面，加速培育公司新质生产力，为实现我国光电行业高质量发展提供硬核动力。

导语：激光跟踪仪作为大尺寸空间几何量精密测量仪器，由于具有较高的技术门槛，国内企业又缺乏深厚的经验积累，导致该产品长期被国外垄断。历经十余年的研发与实践，中国科学院微电子研究所和海宁集成电路与先进制造研究院共同组建的研发团队终于在激光跟踪仪的技术领域有了与国际先进技术比肩的突破性进展。本文将带您了解这个研发团队的激光跟踪仪和它在精密制造中扮演的关键性角色。说起激光跟踪仪，高端装备制造企业对它大概并不陌生，它是一种大尺寸空间几何量精密测量仪器，是大型高端装备制造的核心检测仪器，具有测量功能多（三维坐标、尺寸、形状、位置、姿态、动态运动参数等）、测量精度高、测量速度快、量程大、可现场测量等特点。检测的装备体积越大越能显示出此类产品的优越性，所以它更多出现在航空航天、汽车制造、重型机械制造、重工与船舶、能源、科研、医疗等领域等先进制造领域。激光跟踪仪是激光干涉测距技术、激光绝对测距技术、精密测角技术、光电探测技术、精密机械技术、精密跟踪技术、现代数值计算理论等各种先进技术的集大成之作，需要突破百米的测量范围、毫秒级的测量时间、微米级的测量精度以及动态实时跟踪测量等各项技术难点，技术门槛非常高，需要长期的经验积累，几乎不存在弯道超车的可能性。目前，世界范围内主要有美国FARO、美国API、瑞士Leica三家公司生产销售激光跟踪仪，我国当前尚无成熟的激光跟踪仪产品销售。因此，攻克关键技术难点实现激光跟踪仪国产化迫在眉睫。组建团队 攻关激光跟踪仪技术壁垒由于激光跟踪仪的重要性、特殊性和不可替代性，国家层面高度重视激光跟踪仪的自主研发。中国科学院微电子研究所和海宁集成电路与先进制造研究院共同组建的研发团队（以下简称该团队）一直致力于实现激光跟踪仪的国产化。该团队激光跟踪仪的研发历史已有十余年，并阶段性取得骄人成绩：（1）2011年中科院微电子研究所 (原中科院光电研究院激光跟踪仪研发团队)在国内率先开展激光跟踪仪整机研制；（2）2013年推出国内首台原理样机，初步形成具有一定规模的、专业稳定的整机开发团队，引领国内激光跟踪仪的整机与系统关键技术发展，积极追赶国际前沿；（3）2017年推出国际首台三自由度飞秒激光跟踪仪样机，从技术层面上实现了跨越式发展；（4）2021年研制成功国内第一台六自由度激光跟踪仪样机，并通过技术指标测试；（5）2021年三自由度激光跟踪仪进入到产业化阶段，立足海宁集成电路与先进制造研究院，组建了数十人的激光跟踪仪产业化团队，建立激光跟踪仪小批量生产线。该团队在激光跟踪仪领域取得了一系列具有自主知识产权的研究成果，共申报发明专利32项（已授权21项），软件著作权6项，发表研究论文60余篇。2020年激光跟踪仪成果通过了中国仪器仪表行业协会组织的成果鉴定，鉴定委员会认为：“本研究成果技术难度很大，创新性很强，取得了多项自主知识产权。整体达到国际先进水平，研制的激光跟踪仪填补国内空白，飞秒激光跟踪仪属国际首创，其中绝对测距精度、断光续接精度达到国际领先水平。”该成果荣获中国机械工业技术发明特等奖和中国计量测试学会科技进步一等奖。该团队目前主推三自由度激光跟踪仪ICAM-LT-3DOF、六自由度激光跟踪仪ICAM-LT-6DOF如图1所示。除此以外，该团队还可以根据用户的要求定制解决方案，更加贴近客户的使用需求，解决用户的“非标”问题。图1 ICAM-LT-3DOF型激光跟踪仪图2 ICAM-LT-6DOF型激光跟踪仪干货满满 技术原理深度剖析当三自由度激光跟踪仪工作时，如图2所示，激光测距系统获得靶球到仪器的精确距离r，方位编码器和俯仰编码器测角系统分别测出目标方位角A和俯仰角E，利用这三个原始测量值，就可以通过球坐标与直角坐标之间的转换关系获取空间三维直角坐标（X，Y，Z）。图3 三自由度激光跟踪仪原理图合作靶球在空间移动时，从合作靶球返回的一部分光会进入激光跟踪仪内部的位置检测器（PSD，Position Sensitive Detector），随着合作靶球的移动PSD将探测偏移值，跟踪控制系统根据这个偏移值控制方位和俯仰电机转动直到偏移值为零，从而达到跟踪的目的。测量组合参数(A，E，r) 经过坐标转换得到空间三维直角坐标（X，Y，Z）后，经过数据分析软件可以得到被测对象各种几何量参数。激光跟踪仪数据采集系统将测量数据发送至上位机以后，经上位机解析可以确定目标的三维尺寸、几何形貌等信息，并通过计算机实时显示并打印测量结果。六自由度激光跟踪仪为三自由激光跟踪仪的升级产品，如图3所示，在空间位置信息测量的基础上加入了视觉测量、光电测量和惯性测量等模块，用以获取目标空间姿态信息。首先需要建立激光跟踪仪坐标系与上述测量模块之间的转换关系，并通过视觉测量中纵向投影比不变的约束实现横滚角测量；在上述基础上，基于光束向量唯一性约束和激光准直传感原理实现方位角和俯仰角的测量，最后实现三个空间姿态角的测量；除此之外，还融入了惯性测量单元IMU的测量信息，用于动态条件下的辅助测量。图4 六自由度激光跟踪仪原理图多项技术突破 跻身国际先进该团队历经10余年的垂直深耕，在激光跟踪仪领域相继突破了高速激光干涉测距、高精度绝对测距、精密跟踪转台设计、高精度测角、动态伺服跟踪、目标快速识别锁定、多源融合姿态测量、系统误差检测与补偿等多项关键技术，在80m范围内，跟踪测量速度大于4m/s，具有良好的目标快速识别锁定能力，测量精度达到15μm+6ppm，技术性能跻身国际先进行列。优势突出 大尺寸精密测量显身手在大尺寸精密测量领域，激光跟踪仪具有测量范围大、精度高、功能多、可现场测量等优点，取代了大型固定式三坐标测量机、经纬仪、全站仪等许多传统测量设备，在设备校准、部件检测、工装制造与调试、集成装配和逆向工程等应用领域显示出极高的测量精度和效率，激光跟踪仪已成为大尺寸精密测量的主要手段，在实践中可以为为航空航天、汽车制造、重型机械制造、重工与船舶、科学研究、能源、医疗等领域等行业提供可靠的技术保障。（1）航空航天领域在航空航天制造领域，飞行器具有外形尺寸大、外部结构特殊、部件之间相互位置关系要求严格等特点，飞行器的装配通常是在各部件分别安装后再进行总体装配，在部装的某些环节和总装的整个过程中都需要进行严格的几何检测。激光跟踪仪测量的现场性和实时性以及它的高精度可以满足飞机型架和工装的定位安装、飞机外形尺寸的检测、大型零部件的检测以及飞机维修等工程测量需求。例如，测量一架大型飞机的内外形尺寸，首先要确定整架飞机的空间坐标，保证所测量的外形尺寸空间点都在同一坐标系中，可以布置足够的激光跟踪仪测站，这些测站保证了飞机上、下、左、右、前、后等整个外形都在激光跟踪仪测量范围内。其次要保证飞机处于静止状态，测量过程中不能产生移动。激光跟踪仪在每个测站测量某一个区域的飞机外形坐标点，将各个测站下的飞机外形坐标连接起来就构成整架飞机的外形尺寸坐标，对这些点进行处理可形成飞机外形的数字模型。激光跟踪仪扫描范围大，采集数据速度快，数据采集量大，精度高，大大提高了飞机测量的工作效率。（2）汽车制造领域在汽车制造领域，激光跟踪仪用于车身检测、汽车外形测量、汽车工装检具的检测与调整。通过激光跟踪仪采集汽车不同部位的点云数据，再进行拼接得到完整的汽车曲面点云数据，利用三维造型软件得到汽车三维模型。另外，汽车生产线需要以最高级别的自动化程度和准确性进行定期检测，以进行重复性和适产性测试。激光跟踪仪这种移动坐标测量设备适合工业现场使用，在检测工程中使汽车生产的停工期大幅缩短。（3）重型机械制造领域在重型机械制造业中，大尺寸部件的检测和逆向工程常采用激光跟踪仪。在零部件生产中，该系统可以快速精确地检验每个成品零部件的尺寸是否与设计尺寸一致，同时将零部件物理模型迅速数字化，得到的数字化文件可以用各种方法处理从而得出测量结果。在工件模具生产中，激光跟踪仪对工件模型进行扫描测量后建立数据模型，由数据模型生成可被加工中心识别的加工程序，从而加工出模具。三维管片和模具测量系统也是激光跟踪仪的典型工程应用之一，通过跟踪测量成品管片各个表面上的空间点坐标，经过坐标系转换和纠正将表面数据点拟合成平面或曲面，检验管片的尺寸与设计尺寸的偏差，便可判断成品的质量是否合格。与传统的检测方法相比，激光跟踪仪测量速度快，能在短时间内采集大量空间数据点信息，同时可以直接处理数据，给出成果报表，不仅工作效率高，而且大大节省了人力物力。（4）重工与船舶领域在造船工业领域中，激光跟踪仪常用于舰船外形尺寸检测、重要部件安装检测与逆向工程等。例如，船舶制造公司对于甲板都有着极高的要求，每一个拼接块的连接点都必须恰好能够和另外一片拼接块严丝合缝对接，且甲板外侧的外观必须与船体形状严格吻合，如此才能体现船舶的质量和性能。激光跟踪仪能够实时地对长度以及横向曲率进行测量，代替笨重的模板进行现场装配与检测，可使生产时间节约60%-70%，大大提高了船舶的生产效率。（5）能源领域在能源领域，激光跟踪仪常用于大型零部件的高精度加工、尺寸检测和辅助维护。例如，水力发电站中，新的涡轮发电机投入工作之前，必须获得精确的涡轮机转子形状，以便后续的勘测；当进行水力发电站的检测时，需要对在役涡轮机转子开展数字化测量，从而确定涡轮转子的磨损情况。在风力发电站中，对大型风电轮毂叶片外形尺寸进行高精度测量是保证风电轮叶片正常工作的关键。激光跟踪仪能够完成定轴轴径、同轴度、轮毂连接孔位置度的高精度测量，并且仪器轻便灵活、精度高、测量范围大、能够现场测量，已成为风电行业的必然选择。（6）科研领域在科研领域中，激光跟踪仪在粒子加速器的定期检测与调整、重要核心部件安装检测以及机器人制造校准中发挥了重要作用。例如，机器人在工厂机械安装、马达驱动安装、夹具重组等整个生产周期过程中必须保持规定的精度，才能称为高性能工业机器人。机器人设计尺寸与实际生产尺寸的偏差往往较大，主要是由于机械公差和部件安装误差所引起的。在校准机器人的实际应用中，一般有两个工作测量组，一组负责装配机器人，一组则负责检测校准安装部件，激光跟踪仪安置在这两个测量组之间。操作人员通过计算机控制定位，激光跟踪仪可以监测两个工作小组的测量工作。在一组操作人员利用激光跟踪仪检测机器人配件的同时，另一组工作人员负责装配经过检测的工件，装配后再利用激光跟踪仪进行校准。这样，大幅提高了机器人生产安装的工作效率，也节省了人力物力。（7）医疗领域在医疗领域中，质子医疗机在治疗时最重要的是需要准确定位患者体内癌细胞位置，通过控制治疗床移动，将患者需要治疗的部位送到有效的治疗区域内，才能够进行准确有效的治疗。因此医疗机在安装调试时，要求系统能够控制机械臂，将末端工装精确地移动到理论位置。这对测量方案提出了更高标准的要求：能够准确调整病灶中心的位置，X、Y、Z方向偏差要求小于0.1 mm；能够调整连接法兰的姿态精度，RX、RY、RZ要求小于0.1°，同时检测、分析效率要尽可能高。在质子医疗机安装调试过程中，激光跟踪仪可以提供简单便捷的应用方案。首先通过测量固定在墙体上的定位点，建立离子源坐标系，在软件中将机器坐标系定位到离子源坐标系统；通过坐标转换得出病灶中心与工装上定位孔的坐标关系，解算出定位孔的坐标。其次，将反射球放置在定位孔上，通过监视窗口功能查看当前位置偏差，实时调整工装，使偏差逐渐缩小至公差要求。该团队研发的激光跟踪仪已在卫星天线变形与位姿测量技术、飞机大型部件装配测量技术、船舶分段对接测量技术、高能加速器准直调节测量技术、工业机器人现场校准技术等领域开展了一系列应用研究，并取得了良好的社会效益。制造业中的智能装备、复杂结构制造、高精密制造和装配的兴起，对于测量系统提出了精度更高、智能化程度更高、适应性更强的要求。激光跟踪仪作为最先进的三坐标及姿态精密测量仪器之一，将为工程技术及科学研究大尺寸精密测量提供有效的解决方案。由于激光跟踪仪应用范围广、测量效率高、测量精度高，该仪器在高端制造领域扮演的角色越来越重要。激光跟踪仪的国产化，对于我国的制造业，尤其是高端制造领域，具有十分重大的意义。借势而起 稳扎稳打培育市场目前，国家政策一直在主张推进仪器的国产化，实现国产仪器与进口仪器的同台竞争。中国仪器仪表行业协会与中国和平利用军工技术协会在此方面做了大量的工作，这对国产激光跟踪仪的市场化推进是极大的政策性优势。在国防军工行业，激光跟踪仪的应用主要在导弹的测量、潜艇的测量、战斗机的装配、军舰的测量、天线的装配及外形检测，大型结构件测量检测等。由于进口的高端激光跟踪仪含有摄像头装置，这对我国国防军工行业造成了安全隐患。另外，由于进口激光跟踪仪不对我国展示源代码，不排除进口激光跟踪仪含有潜在的功能，这对我国部分商业秘密也带来了风险。如此种种安全隐患更是急需国产激光跟踪仪技术的开发与产品的应用。这是提供给国内企业的机会更是挑战。该团队也将借助他们国际领先的技术优势、可靠的数据链优势，以及强有力的价格优势和维修服务优势，不遗余力的为客户提供高质量的定制化产品和服务。结束语随着中国先进制造业和高端装备的飞速发展，以激光跟踪仪为代表的高精度、数字化、智能化的精密检测设备已经成为这些领域企业占领行业制高点的制胜法宝。一方面，激光跟踪仪在先进制造和高端装备领域的关键作用日益凸显，成为制造行业的核心仪器，国内对激光跟踪仪的需求量激增，国产化呼声高涨；另一方面，近年来西方对我国的技术限制和打压，使激光跟踪仪的采购和售后具有一定的不确定性，这将影响我国高端装备的发展，所以国家对激光跟踪仪等关键核心仪器的国产化大力支持。显而易见，未来激光跟踪仪的产业化具有极为光明的市场前景。

成立于2022年的华鑫微纳集成电路有限公司在安徽蚌埠正如火如荼的建设着8寸MEMS晶圆生产线，项目总投资高达50.6亿元，用于生产厂房、动力厂房、仓库等的建设，MEMS生产制造设备、公用设备等的采购，项目实施后将达到月产3万片晶圆的规模，在行业内颇具竞争力。就在近日，中国仪器进出口集团有限公司就华鑫微纳仪器采购发布相关招标信息。截至目前不完全统计，此次采购仪器设备数量达88台/套，种类达49种，涉及多个工艺段的建设，有显影机、金属刻蚀机等工艺设备，也有如套壳检测仪、膜厚检测仪等检测仪器，具体详情如下：序号采购项目数量招标状态截止时间项目详情0709-244035614017蒸发台3套招标中2024/5/30 9:30详情0664-2440SUMECF28/07匀喷一体机1台招标中2024/6/3 10:00详情0664-2440SUMECF18/01匀胶机2台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF28/06原位掺杂多晶硅生长炉1台招标中2024/6/3 10:00详情0664-2440SUMECF20/02有机去胶湿台1台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF20/02氧化清洗湿台1台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF20/03压膜机1台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF20/05线宽测试仪(非金属）3台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF20/06线宽测试仪1台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF18/01显影机2台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF20/04外延层厚度检测仪1台招标中2024/5/27 9:00详情07009-244035614005贴膜机2台招标中2024/5/31 9:30详情0664-2440SUMECF18/04套刻检测仪2台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF28/04探针台5台招标中2024/6/3 10:00详情0709-244035614024台阶仪2套招标中2024/5/31 9:30详情0664-2440SUMECF20/01四探针测试仪3台招标中2024/5/27 9:00详情4197-2440HXWN0001/01刷片机3台 招标中2024/5/30 9:00详情0664-2440SUMECF18/03扫描电镜1台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF18/05缺陷检测仪1台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF28/07喷胶机1台招标中2024/6/3 10:00详情0664-2440SUMECF28/03膜厚检测仪2台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF20/02硫酸去胶湿台1台招标中2024/5/27 9:00详情0709-244035614023离子束刻蚀机1套招标中2024/5/31 9:30详情0664-2440SUMECF28/02快速退火炉1台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF18/06颗粒度检测仪5台招标中2024/6/7 10:00详情0709-244035614019金属溅射机3套招标中2024/5/30 9:30详情07009-244035614006揭膜机2台招标中2024/5/31 9:30详情0709-244035614016键合对准机1套招标中2024/5/31 9:30详情0709-244035614020减薄机2套招标中2024/5/29 9:30详情07009-244035614004化学机械抛光系统1台招标中2024/5/31 9:30详情0709-244035614025多靶溅射机1套招标中2024/5/31 9:30详情0664-2440SUMECF28/06低应力氮化硅生长炉1台招标中2024/6/3 10:00详情07009-244035614003大束流离子注入机1台招标中2024/5/31 9:30详情0664-2440SUMECF28/01剥离机1台招标中2024/6/3 10:00详情0664-2440SUMECF20/02标准清洗湿台2台招标中2024/5/27 9:00详情0709-244035614009UV固胶机1套招标中2024/5/30 9:30详情0664-2440SUMECF28/05PECVD2台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF20/02BOE湿台1台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF18/02AOI设备4台招标中2024/5/27 9:00详情07009-244035614007氧化硅、氮化硅刻蚀机3套中标/详情07009-244035614015外延生长系统2套中标/详情07009-244035614022立式氧化炉2套中标/详情07009-244035614022立式退火炉2套中标/详情07009-244035614022立式合金炉1套中标/详情07009-244035614008金属刻蚀机1套中标/详情07009-244035614012多晶硅、硅刻蚀机1套中标/详情0709-244035614001电镀系统设备1套中标/详情07009-244035614011等离子去胶机5台中标/详情

2月28日，《自然—通讯》杂志在线发表了中科院金属所沈阳材料科学国家(联合)实验室成会明、任文才团队在石墨烯制备方面取得的一项新突破，他们通过金属外延生长方法，制备出了具有非常优异场发射效应的毫米级单晶石墨烯及其薄膜。 　　石墨烯优异的电、光、强度等众多优异性质使其在电子学、自旋电子学、光电子学、太阳能电池、传感器等领域有着重要的潜在应用，但大规模高质量制备技术是制约其进入实际应用的瓶颈之一。 　　目前制备高质量石墨烯的方法，有胶带剥离法、碳化硅或金属表面外延生长法和化学气相沉积法(CVD)，前两种方法效率低，不适于大量制备。而迄今由CVD法制备的石墨烯，一般是由纳米级到微米级尺寸的石墨烯晶畴拼接而成的多晶材料。 　　对于以金属基体生长的石墨烯，通常以腐蚀金属基体的方法来进行转移，不仅存在金属残存、转移过程破坏石墨烯结构的问题，而且污染环境、成本高、不适合贵金属基体。 　　成会明等采用贵金属铂生长基体，以低浓度甲烷和高浓度氢气通过常压CVD法，成功制备出了毫米级六边形单晶石墨烯及其构成的石墨烯薄膜。通过该研究组发明的电化学气体插层鼓泡法，可将铂上生长的石墨烯薄膜无损转移到任意基体上。 　　该方法操作简便、速度快、无污染，并且适于钌、铱等贵金属以及铜、镍等常用金属上生长的石墨烯的转移，金属基体可重复使用，可作为一种低成本、快速转移高质量石墨烯的普适方法。 　　该方法转移的单晶石墨烯具有很高的质量，将其转移到Si/SiO2基体上制成场效应晶体管，测量显示该单晶石墨烯室温下的载流子迁移率可达7100 cm2 V-1 s-1。 　　金属基体上大尺寸单晶石墨烯及其薄膜的多次重复生长，为石墨烯基本物性的研究及其在高性能纳电子器件、透明导电薄膜等领域的实际应用奠定了材料基础。

Omdia数据显示，2024年9英寸以上OLED面板（大尺寸显示器）的出货量将增长124.6%。2023年，该市场萎缩25.7%。Omdia表示，2024年所有应用领域的出货量都将增加，包括电视、显示器、平板电脑和笔记本电脑等，只有“其他”类别的销售将下降。特别是，平板电脑OLED出货量预计将比2023年增长294%，这在很大程度上是由于苹果在2024款iPad Pro平板电脑中采用OLED；笔记本电脑OLED出货量将增长152.6%；显示器OLED出货量将增长139.9%；OLED电视面板出货量将增长34.8%。从供应商来看，2024年领先的大尺寸OLED面板生产商将是三星显示，市场份额为52.5%；LG显示（LG Display）市场份额为33.1%；和辉光电市场份额为10.1%；京东方占有3%的市场份额；维信诺占有1.1%市场份额。

7月8日，科晶联盟携全套材料样品制备和分析产品亮相2021年中国材料大会。“中国材料大会”是中国材料研究学会的最重要的系列会议，去年由于疫情取消，今年材料大会的参会人数再攀新高，总人数超过了12000人，可谓是材料界在2020年疫情过后的一场盛会。科晶联盟由深圳科晶、合肥科晶、沈阳科晶三家公司组成。在这场时隔两年的盛会中，科晶联盟全面展示了材料制备和加工设备产品线的多个型号产品，覆盖了混料球磨、压片、烧结、熔炼、切割、磨抛、清洗、镀膜、电池研究设备。双罐高速三维摆震球磨机曲线金刚石线切割机小型5英寸快速退火炉本次展会，科晶也带来了一些新品。最新的小型桌面曲线切割机可以实现各种异形切割。用户可在计算机上画成各种图形，设备即可根据图形加工。振动抛光机可用于消除抛光之后的表面应力，做一些测试。最新的20000转旋涂仪可用于溶胶凝胶法制备薄膜。此外，科晶还展出了最新的CMP（化学机械抛光机）。16工位高通量电动无油压机（左）和8通道管式炉（右）此外，科晶与上海大学材料基因组工程研究院联合研发了全流程高通量合金制备与表征系统。据介绍，这是国际和国内首套全流程块体合金高通量制备和表征设备，包括十余种配料、混料、压制、熔炼、热处理、成分分析、硬度测试等覆盖各工序的材料制备和表征设备，以及高通量线切割、镶嵌和研磨抛光等制样设备，整体实验效率可提高10-20倍以上。该高通量材料制备与表征设备已在上海大学、鞍钢北京研究院等高校和企业投入使用，助力低成本加速材料研发。高温蠕变测试仪除了材料样品制备外，目前科晶也涉足材料分析测试领域。科晶开发了高温蠕变剪切应力测试仪，可针对金属或陶瓷材料在高温下对其进行拉伸蠕变剪切测试，分析材料的力学性能。这款产品具有小型化和高温的特点，可升温到1350℃，升降温速率可设定。目前，科晶已经开发出硬度测试、X射线荧光光谱分析、热重分析等产品。据介绍，科晶不仅是一家立足新材料研发的仪器设备公司，也是一家晶体材料和靶材公司。科晶产品应用到先进关键战略材料如3D打印材料、石墨烯，超导材料、新型能源材料、新一代生物医用材料、电子陶瓷和人工晶体、稀土功能材料、先进半导体材料以及现代航空、高铁、汽车等交通业用的高温合金、轻合金材料，科晶始终重视研发，不断推陈出新，以半导体行业为例，产品包括半导体材料、清洗、退火、晶体生长设备。

产品名称：几何尺寸测量仪产品品牌：EVM-G系列产品简介：本系列是一款高精度影像测量仪，结合传统光学与影像技术并配备功能完备的2.5D测量软件。可将以往用肉眼在传统显微镜下观察到的影像传输到电脑中作各种量测，并将测量结果存入电脑中以便日后存档或发送电子邮件。其操作简单、性价比高、精确度高、测量方便、功能齐全、稳定可靠。适用于产品检测、工程开发、品质管理。在机械加工、精密电子、模具制造、塑料橡胶、五金零件等行业都有广泛使用。产品参数：u 变焦镜筒：采用光学变焦物镜，光学放大倍率0.7X~4.5X，视频总放大倍率40X~400X连续可调，物方视场：10.6-1.6mm，按客户要求选配不同倍率物镜。u 摄像机：配备低照度SONY机芯1/3′彩色CCD摄像机，图像表面纹理清晰，轮廓层次分明，保证拥有高品质的测量画面。可以升级选配1/2′CMOS130万像素摄像机。u 底座：仪器底座采用高精度天然花岗石，稳定性高，硬度高，不易变形。u 光栅尺：仪器平台带有高精度光栅尺（X,Y,Z三轴），解析度为0.001mm。Z轴通过二次聚焦可实现对沟槽、盲孔的深度进行测量。u 光源：采用长寿命LED环形冷光源（表面光及底光），使工件表面照明均匀，边缘清晰，亮度可调。u 导轨：双层工作平台设计，配备高精度滚动导轨，精度高，移动平稳轻松。u 丝杆：X,Y轴工作台均使用无牙光杆摩擦传动，避免了丝杆传动的间隙，灵敏度大大提高，亦可切换快速移动，提高工作效率。 工作台仪器型号EVM-1510GEVM-2010GEVM-2515GEVM-3020GEVM-4030G金属台尺寸(mm)354×228404×228450×280500×330606×466玻璃台尺寸(mm)210×160260×160306×196350×280450×350运动行程(mm)150×100200×100250×150300×200400×300仪器重量(kg)100110120140240外型尺寸L*W*H756×540×860670×660×950720×950×1020 影像测量仪是建立在CCD数位影像的基础上，依托于计算机屏幕测量技术和空间几何运算的强大软件能力而产生的。计算机在安装上专用控制与图形测量软件后，变成了具有软件灵魂的测量大脑，是整个设备的主体。它能快速读取光学尺的位移数值，通过建立在空间几何基础上的软件模块运算，瞬间得出所要的结果；并在屏幕上产生图形，供操作员进行图影对照，从而能够直观地分辨测量结果可能存在的偏差。影像测量仪是一种由高解析度CCD彩色镜头、连续变倍物镜、彩色显示器、视频十字线显示器、精密光栅尺、多功能数据处理器、数据测量软件与高精密工作台结构组成的高精度光学影像测量仪器。仪器特点采用彩色CCD摄像机；变焦距物镜与十字线发生器作为测量瞄准系统；由二维平面工作台、光栅尺与数据箱组成数字测量及数据处理系统；仪器具有多种数据处理、显示、输入、输出功能，特别是工件摆正功能非常实用；与电脑连接后，采用专门测量软件可对测量图形进行处理。仪器适用于以二维平面测量为目的的一切应用领域。这些领域有：机械、电子、模具、注塑、五金、橡胶、低压电器，磁性材料、精密五金、精密冲压、接插件、连接器、端子、手机、家电、计算机（电脑）、液晶电视(LCD)、印刷电路板（线路板、PCB）、汽车、医疗器械、钟表、螺丝、弹簧、仪器仪表、齿轮、凸轮、螺纹、半径样板、螺纹样板、电线电缆、刀具、轴承、筛网、试验筛、水泥筛、网板（钢网、SMT模板）等。ISO国际标准编辑影响影像测量仪精度的因素主要有精度指示、结构原理、测量方法、日常不注意维护等。 中国1994年实行了国际《坐标测量的验收检测和复检测量》的实施。具体内容如下：第1部分：测量线性尺寸的坐标测量机 第2部分：配置转台轴线为第四轴的坐标测量机 第3部分：扫描测量型坐标测量机 第4部分：多探针探测系统的坐标测量机 第5部分：计算高斯辅助要素的误差评定。 在测量空间的任意7种不同的方位，测量一组5种尺寸的量块，每种量块长度分别测量3次所有测量结果必须在规定的MPEE值范围内。允许探测误差(MPEP)：25点测量精密标准球，探测点分布均匀。允许探测误差MPEP值为所有测量半径的值。ISO 10360-3 (2000) “配置转台轴线为第四轴的坐标测量机” ：对于配备了转台的测量机来说，测量机的测量误差在这部分进行了定义。主要包含三个指标：径向四轴误差(FR)、切向四轴误差(FT)、轴向四轴误差(FA)。ISO 10360-4 (2003) “扫描测量型坐标测量机” ：这个部分适用于具有连续扫描功能的坐标测量机。它描述了在扫描模式下的测量误差。大多数测量机制造商定义了"在THP情况下的空间扫描探测误差"。在THP之外，标准还定义了在THN、TLP和TLN情况下的扫描探测误差。 沿标准球上4条确定的路径进行扫描。允许扫描探测误差MPETHP值为所有扫描半径的差值。THP说明了沿已知路径在密度的点上的扫描特性。注：THP的说明必须包括总的测量时间，例如：THP = 1.5um (扫描时间是72 秒)。ISO 10360-4 进一步说明了以下各项定义：TLP: 沿已知路径，以低密度点的方式扫描。THN: 沿未知路径，以高密度点的方式扫描。TLN: 沿未知路径，以低密度点的方式扫描。几何尺寸测量仪工作原理影像测量仪是基于机器视觉的自动边缘提取、自动理匹、自动对焦、测量合成、影像合成等人工智能技术，具有点哪走哪自动测量、CNC走位自动测量、自动学习批量测量的功能，影像地图目标指引，全视场鹰眼放大等优异的功能。同时，基于机器视觉与微米精确控制下的自动对焦过程，可以满足清晰影像下辅助测量需要，亦可加入触点测头完成坐标测量。支持空间坐标旋转的优异软件性能，可在工件随意放置或使用夹具的情况下进行批量测量与SPC结果分类。全自动影像测量仪编辑全自动影像测量仪，是在数字化影像测量仪(又名CNC影像仪)基础上发展起来的人工智能型现代光学非接触测量仪器。其承续了数字化仪器优异的运动精度与运动操控性能，融合机器视觉软件的设计灵性，属于当今最前沿的光学尺寸检测设备。全自动影像测量仪能够便捷而快速进行三维坐标扫描测量与SPC结果分类，满足现代制造业对尺寸检测日益突出的要求：更高速、更便捷、更的测量需要，解决制造业发展中又一个瓶颈技术。全自动影像测量仪是影像测量技术的高级阶段，具有高度智能化与自动化特点。其优异的软硬件性能让坐标尺寸测量变得便捷而惬意，拥有基于机器视觉与过程控制的自动学习功能，依托数字化仪器高速而的微米级走位，可将测量过程的路径，对焦、选点、功能切换、人工修正、灯光匹配等操作过程自学并记忆。全自动影像测量仪可以轻松学会操作员的所有实操过程，结合其自动对焦和区域搜寻、目标锁定、边缘提取、理匹选点的模糊运算实现人工智能，可自动修正由工件差异和走位差别导致的偏移实现精确选点，具有高精度重复性。从而使操作人员从疲劳的精确目视对位，频繁选点、重复走位、功能切换等单调操作和日益繁重的待测任务中解脱出来，成百倍地提高工件批测效率,满足工业抽检与大批量检测需要。全自动影像测量仪具有人工测量、CNC扫描测量、自动学习测量三种方式，并可将三种方式的模块叠加进行复合测量。可扫描生成鸟瞰影像地图，实现点哪走哪的全屏目标牵引，测量结果生成图形与影像地图图影同步，可点击图形自动回位、全屏鹰眼放大。可对任意被测尺寸通过标件实测修正造影成像误差，并对其进行标定，从而提高关键数据的批测精度。全自动影像测量仪有着友好的人机界面，支持多重选择和学习修正。全自动影像测量仪性能使其在各种精密电子、晶圆科技、刀具、塑胶、弹簧、冲压件、接插件、模具、军工、二维抄数、绘图、工程开发、五金塑胶、PCB板、导电橡胶、粉末冶金、螺丝、钟表零件、手机、医药工业、光纤器件、汽车工程、航天航空、高等院校、科研院所等领域具有广泛运用空间。选购方法编辑有许多客户都在为如何挑选影像测量仪的型号品牌所困扰，其实最担心就是影像测量仪的质量和售后。国内影像测量仪的生产商大部分都集中在广东地区，研发的软件功能大部分相似，客户可以不用担心，挑选一款能够满足需要测量的产品行程就行了。根据需要来选择要不要自动或者手动，手动的就比较便宜，全自动的大概要比手动贵一倍左右。挑选影像测量仪最重要看显像是不是清晰，以及精度是否达标(一般精度选择标准为公差带全距的1/3~1/8)。将所能捕捉到的图象通过数据线传输到电脑的数据采集卡中，之后由软件在电脑显示器上成像，由操作人员用鼠标在电脑上进行快速的测量。有的生产商为了节约成本可能会采用国产的，造价比较低，效果就稍微差点。常见故障及原因编辑故障1)蓝屏；2)主机和光栅尺、数据转换盒接触不良造成无数据显示；3)透射、表面光源不亮；4)二次元打不开；5)全自动影像测量仪开机找不到原点或无法运动。原因由于返厂维修周期长，价格昂贵，最重要的是耽误了客户的正常的工作。造成问题出现的原因很多，但无外乎以下原因：1)操作软件文件丢失或CCD视频线接触不良；2)光栅尺或数据转换盒损坏；3)电源板损坏；4)加密狗损坏或影像测量仪软件操作系统崩溃。以上问题可能是只出现一个，也有可能几个问题一起出现。软件种类编辑二次元测量仪软件在国内市场中种类比较多，从功能上划分主要有以下两种：　　二次元测量仪测量软件与基本影像仪测量软件类似，其功能特点主要以十字线感应取点，功能比较简单，对一般简单的产品二维尺寸测量都可以满足，无需进行像素校正即可直接进行检测，但对使用人员的操作上要求比较高，认为判断误差影响比较大，在早期二次元测量软件中使用广泛。　　2.5D影像测量仪在影像测量领域我们经常可以听到二次元、2.5次元、三次元等各种不同的概念，所谓的二次元即为二维尺寸检测仪器，2.5次元在影像测量领域中是在二维与三维之间的一种测量解决方案，定义是在二次元影像测量仪的基础上多加光学影像和接触探针测量功能，在测量二维平面长宽角度等尺寸外如果需要进行光学辅助测高的话提供了一个比较好的解决方案。仪器优点编辑1、装配2个可调的光源系统，不仅观测到工件轮廓，而且对于不透明的工件的表面形状也可以测量。2、使用冷光源系统，可以避免容易变形的工件在测量是因为热而变形所产生的误差。3、工件可以随意放置。4、仪器操作容易掌握。5、测量方便，只需要用鼠标操作。6、Z轴方向加探针传感器后可以做2.5D的测量。测量功能编辑1、多点测量点、线、圆、孤、椭圆、矩形，提高测量精度；2、组合测量、中心点构造、交点构造，线构造、圆构造、角度构造；3、坐标平移和坐标摆正，提高测量效率；4、聚集指令，同一种工件批量测量更加方便快捷，提高测量效率；5、测量数据直接输入到AutoCAD中，成为完整的工程图；6、测量数据可输入到Excel或Word中，进行统计分析，可割出简单的Xbar-S管制图，求出Ca等各种参数；7、多种语言界面切换；8、记录用户程序、编辑指令、教导执行；9、大地图导航功能、刀模具专用立体旋转灯、3D扫描系统、快速自动对焦、自动变倍镜头；10、可选购接触式探针测量,软件可以自由实现探针/影像相互转换，用于接触式测量不规则的产品,如椭圆、弧度 、平面度等尺寸；也可以直接用探针打点然后导入到逆向工程软件做进一步处理！11、影像测量仪还可以检测圆形物体的圆度、直线度、以及弧度；12、平面度检测：通过激光测头来检测工件平面度；13、针对齿轮的专业测量功能14、针对全国各大计量院所用试验筛的专项测量功能15、图纸与实测数据的比对功能维护保养编辑1、仪器应放在清洁干燥的室内（室温20℃±5℃，湿度低于60%），避免光学零件表面污损、金属零件生锈、尘埃杂物落入运动导轨，影响仪器性能。2、仪器使用完毕，工作面应随时擦干净，再罩上防尘套。3、仪器的传动机构及运动导轨应定期上润滑油，使机构运动顺畅，保持良好的使用状态。4、工作台玻璃及油漆表面脏了，可以用中性清洁剂与清水擦干净。绝不能用有机溶剂擦拭油漆表面，否则，会使油漆表面失去光泽。5、仪器LED光源使用寿命很长，但当有灯泡烧坏时，请通知厂商，由专业人员为您更换。6、仪器精密部件，如影像系统、工作台、光学尺以及Z轴传动机构等均需精密调校，所有调节螺丝与紧固螺丝均已固定，客户请勿自行拆卸，如有问题请通知厂商解决。7、软件已对工作台与光学尺的误差进行了精确补偿，请勿自行更改。否则，会产生错误的测量结果。8、仪器所有电气接插件、一般不要拔下，如已拔掉，则必须按标记正确插回并拧紧螺丝。不正确的接插、轻则影响仪器功能，重则可能损坏系统。测量方式编辑1、物件被测面的垂直测量2、压线相切测量3、高精度大倍率测量4、轮廓影像柔和光测量5、圆及圆弧均匀取点测量精密影像测绘仪测量软件简介：绘图功能：可绘制点、线、圆、弧、样条曲线、垂直线、平行线等，并将图形输入到AutoCAD中，实现逆向工程得到1:1的工程图。自动测绘：可自动测绘如：圆、椭圆、直线、弧等图形。具有自动寻边、自动捕捉、自动成图、自动去毛边等功能，减少了人为误差。测量标注：可测量工件表面的任意几何尺寸，不同高度的角度、宽度、直径、半径、圆心距等尺寸，并可在实时影像中标注尺寸。SPC统计分析软件：提供了一系列的管制图及多种类型的图表表示方法,使品管工作更方便，大大提升了品质管理的效率。报表功能：用户可轻易地将测量结果输出至WORD、EXCEL中去，自动生成检测报告，超差数值自动改变颜色，特别适合批量检测。鸟瞰功能：可察看工件的整体图形及每个尺寸对应的编号，直观的反应出当前的绘图位置，并可任意移动、缩放工件图。实时对比：可把标准的DXF工程图调入测量软件中与工件对比，从而快速检测出工程图和实际工件的差距，适合检测比较复杂的工件。拍照功能：可将当前影像及所标注尺寸同时以JPEG或BMP格式拍照存档，并可调入到测量软件中与实际工件做对比。光学玻璃：光学玻璃为国家计量局检验通过之标准件，可检验X、Y轴向的垂直度，设定比例尺，使测量数据与实际相符合。客户坐标：测量时无需摆正工件或夹具定位，用户可根据自己的需要设置客户坐标（工件坐标），方便、省时提高了工作效率。精密影像测绘仪仪器特点：经济型影像式精密测绘仪VMS系列结合传统光学与数字科技，具有强大的软件功能，可将以往用肉眼在传统显微镜下所观察到的影像将其数字化，并将其储存入计算机中作各式量测、绘图再可将所得之资料储存于计算机中，以便日后存盘或电子邮件的发送。该仪器适用于以二座标测量为目的一切应用领域如：品质检测、工程开发、绘图等用途。在机械、模具、刀具、塑胶、电子、仪表等行业广泛使用。变焦镜筒：采用光学变焦物镜，光学放大倍率0.7X～4.5X，视频总放大倍率：40X～400X，可按客户要求选配不同倍率物镜。摄像机：配备低照度SONY机芯1/3”彩色CCD摄像机，图像表面纹理清晰，轮廓层次分明，保证拥有高品质的测量画面。底座：仪器底座采用高精度天然花岗石，稳定性高，硬度高，不易变形。光栅尺：仪器平台带有高精密光栅尺（X、Y、Z三轴）,解析度为0.001mm。Z轴通过二次聚焦可实现对沟槽、盲孔的深度进行测量。光源：采用长寿命LED环形冷光源（表面光及底光），使工件表面照明均匀，边缘清晰，亮度可调。导轨：双层工作平台设计，配备高精度滚动导轨，精度高、移动平稳轻松。丝杆：X、Y轴工作台均使用无牙光杆磨擦传动，避免了丝杆传动的背隙，灵敏度大大提高，亦可切换快速移动提高工作效率。

高精度三维扫描技术在工业制造领域不断普及，其在赋能制造产品尺寸高效控制的同时，制造企业用户也对其提出了更高的应用要求，其中一项，就是使用效率。如今，高精度三维扫描仪的扫描速度非常快，但是在粘贴标志点这一预处理环节却需要不少时间，特别是在大型工件的三维扫描中，甚至会超过三维扫描的时间，这也成了用户使用过程中的痛点。基于此，先临天远从用户需求出发，研发了基于光学跟踪技术的FreeScan Trak Pro系列产品，无需标志点，可以实现高效的大型工件三维数据获取。本期，我们详细了解下，FreeScan Trak Pro2如何提升大型工件的三维扫描效率，实现三维数据又快又准地获取。Part01、作为测量工具，精度是重中之重作为一项3D测量工具，精度是非常重要的一项参数，FreeScan Trak Pro2精度高达0.023mm，配合摄影测量，体积精度达到0.044mm+0.012mm/m。同时，FreeScan Trak Pro2重复性精度稳定，多次测量同一样件的结果一致性高。高精度且重复性精度稳定，使得FreeScan Trak Pro2在进行大型工件的测量过程中，结果可信性高。Part02、多项优势组合，打造大型工件扫描高效率在整个扫描过程中，从预处理到三维扫描再到数据处理，FreeScan Trak Pro2在每一个操作环节均体现着“高效”二字。无需贴点，节省大量预处理时间基于动态光学跟踪原理，FreeScan Trak Pro2跟踪式激光扫描系统中，系统可对扫描头进行跟踪定位并实时获取测量目标的三维数据，无需粘贴标志点，即可完成高精度的三维扫描。-该铸件长约4.5m，高约1.8m，重达20吨-如此一来，在大件扫描过程中，能够减免大量的预处理时间，例如上图这个大型铸件，能够省去至少1个小时的贴点时间。三维扫描快速、流畅FreeScan Trak Pro2共计拥有58束蓝色激光线，扫描速度可达368万点/秒（配合使用TE25扫描仪），且扫描过程非常流畅，上图中20吨的大铸件，三维数据获取仅需半小时（包括转站时间）。扫描速度快，且能够稳定、顺畅地完成扫描任务，在大型工件测量过程中，FreeScan Trak Pro2打造了非常舒畅的扫描体验。实时网格，减少数据后处理时间FreeScan Trak Pro2跟踪式激光扫描系统实现了扫描过程中，实时生成网格数据，这样就减少了点云封装的时间，扫描之后，就可以直接导出stl数据。特别是针对这种大件，数据量大，点云封装的时间较久。如此一来，就能够进一步提升大件三维数据获取效率。无需贴点预处理，扫描快速流畅，实现三维数据实时网格化，先临天远研发团队从用户实际使用需求出发，每一个使用环节均进行了设计优化，实现了大型工件的扫描高效率。FreeScan Trak Pro2已经在大型工件的测量应用中大展拳脚。具体应用案例新能源车电池托盘检测FreeScan Trak Pro2扫描新能源车电池托盘仅需3分钟左右，将扫描数据导入至检测软件中，在路径设置完成的情况下，测量时间仅需1-2分钟。如此，在5分钟以内，即可完成所有孔位的测量数据，位置偏差一目了然。白车身三维扫描通过FreeScan Trak Pro2跟踪式激光扫描系统，扫描下整个白车身仅需10分钟左右，为生产尺寸质控的提速提供了新思路。通过优化设计，FreeScan Trak Pro2实现了大尺寸工件全尺寸检测效率的进一步革新！另外，FreeScan Trak Pro2无需贴点，能够更好地应用于自动化三维检测项目中，通过机器代替人工，能够实现三维检测效率提升的质变，将在整个制造业中发挥效力。先临天远精耕工业3D测量领域多年，具有强大而全面的产品体系，致力于为每一位工业测量用户提供最为合适的三维视觉解决方案。

为优化政府采购营商环境，提升采购绩效，《财政部关于开展政府采购意向公开工作的通知》（财库〔2020〕10号）等有关规定要求各预算单位按采购项目公开采购意向，内容应包括采购项目名称、采购需求概况、预算金额、预计采购时间等。近两年来，各大高校、科研院所等纷纷在相关平台公布本单位政府采购意向。中国科学院微电子研究所（以下简称“微电子所”）是国内微电子领域学科方向布局最完整的综合研究与开发机构，是国家科技重大专项集成电路装备及工艺前瞻性研发牵头组织单位，是中国科学院大学微电子学院（国家示范性微电子学院）的依托单位，是中国科学院集成电路创新研究院的筹建依托单位。微电子所目前拥有2个基础研究类中国科学院重点实验室（微电子器件与集成技术重点实验室、硅器件技术重点实验室），5个行业服务类研发中心（EDA中心、集成电路先导技术研发中心、系统封装与集成研发中心、中科新芯三维存储器研发中心、光刻总体部），7个行业应用类研发中心（通信与信息工程研发中心、新能源汽车电子研发中心、健康电子研发中心、智能感知研发中心、智能制造电子研发中心、智能电子系统研发中心、电磁信息智能应用研究中心），4个核心产品类研发中心（硅器件与集成研发中心、高频高压器件与集成研发中心、微电子仪器设备研发中心、光电研发中心）。 微电子所与北京大学、清华大学、复旦大学等高校和武汉新芯、上海华力、华润微电子、北方微电子等企业结为战略合作伙伴，在北京、江苏、湖北、四川、广东、湖南等省市开展科技成果转移转化，在我国微电子领域拥有广泛的影响，为支撑我国微电子产业核心竞争力发挥了不可替代的重要作用。 成果的产出和人才的培养都离不开仪器的支持，微电子所每年都会投入一定的经费采购科学仪器，以建立具有国际先进水平的实验研究和测试平台。为方便仪器信息网用户及时了解仪器采购信息，本文特对微电子所2022年仪器设备类政府采购意向进行了整理汇总。共收集到21个采购项目，预算金额相加约1.5亿元，采购品目涉及示波器、探针台、ALD、键合机、清洗机、退火炉等多种仪器类型。中国科学院微电子所2022年政府采购意向汇总表序号采购项目名称采购品目预算金额(万元)预计采购日期项目详情15.7寸移动作业终端A021199-其他电子和通信测量仪器2003月详情链接2示波器A032199-其他电工、电子专用生产设备1343月详情链接3多通道高精度阻抗谱分析子系统A02100305-电子光学及离子光学仪器285.244月详情链接4直流-6GHz 多频段微弱电信号高性能分析测试平台A02100305-电子光学及离子光学仪器389.84月详情链接512英寸晶圆贴膜揭膜减薄一体机A032199-其他电工、电子专用生产设备12005月详情链接612英寸芯片至晶圆微米级混合键合一体机A032199-其他电工、电子专用生产设备49305月详情链接7PA-连续波/脉冲功率测试系统A02100305-电子光学及离子光学仪器4405月详情链接8精密电感耦合等离子刻蚀系统A032199-其他电工、电子专用生产设备3505月详情链接912吋晶圆底填机A032199-其他电工、电子专用生产设备1306月详情链接1012吋晶圆助焊剂清洗机A032199-其他电工、电子专用生产设备6006月详情链接1112英寸超薄晶圆划片机A032199-其他电工、电子专用生产设备1706月详情链接1212英寸晶圆化学机械抛光机A032199-其他电工、电子专用生产设备17006月详情链接1312英寸晶圆键合退火炉A032199-其他电工、电子专用生产设备2006月详情链接1412英寸晶圆清洗机A032199-其他电工、电子专用生产设备3006月详情链接15大功率快脉冲测试仪A032199-其他电工、电子专用生产设备215.236月详情链接16高精度靶点识别与成型设备A032199-其他电工、电子专用生产设备1406月详情链接17三维堆叠键合机A032199-其他电工、电子专用生产设备7006月详情链接18大功率高温探针台A032199-其他电工、电子专用生产设备250.37月详情链接19清洗设备研发A032199-其他电工、电子专用生产设备1257月详情链接20多场原位电子全息三维高分辨成像系统A02100305-电子光学及离子光学仪器163512月详情链接21多腔室新型高k金属栅ALD生长系统A032199-其他电工、电子专用生产设备85012月详情链接值得而注意的是，微电子所除了采购仪器设备外，还采购了总额超四千万的流片服务。在集成电路设计领域，“流片”指的是“试生产”，就是说设计完电路以后，先生产几片几十片，供测试用。如果测试通过，就照着这个样子开始大规模生产了。流片服务采购意向汇总序号采购项目名称采购品目预算金额(万元)预计采购日期项目详情1砷化镓流片和SOI流片加工C0908-其他专业技术服务8103月详情链接2流片加工C0908-其他专业技术服务1302月详情链接3新型存储器流片加工服务C0908-其他专业技术服务3003月详情链接4测试调试C0908-其他专业技术服务1205月详情链接5芯片流片C0908-其他专业技术服务1205月详情链接6小芯片加工制造C0908-其他专业技术服务1506月详情链接7芯片分析C0908-其他专业技术服务1506月详情链接8MPW投片费C0908-其他专业技术服务1707月详情链接9流片C0908-其他专业技术服务1957月详情链接10流片、制版C0908-其他专业技术服务1907月详情链接11流片、制版C0908-其他专业技术服务2557月详情链接12流片、制版C0908-其他专业技术服务50944743详情链接13封装加工服务C0908-其他专业技术服务25012月详情链接14流片费C0908-其他专业技术服务10012月详情链接15流片加工服务C0908-其他专业技术服务70012月详情链接

近日，南京盛鑫半导体材料有限公司大尺寸硅外延材料产业化项目实现首批设备入场。中电材料消息显示，该项目是南京市集成电路产业链建设的地标性项目，将建设外延主厂房、晶体加工厂房、综合试验楼、动力站等相关建筑，主要从事大尺寸硅外延片和三代半导体外延片生产。去年4月，南京盛鑫半导体材料有限公司举行大尺寸硅外延材料产业化项目开工仪式。当时消息称，该项目将分两期实施，项目一期投资13.6亿元，建设8-12英寸硅外延材料和第三代化合物外延材料产业基地。值得一提的是，在南京市2023年经济社会发展重大项目中，南京盛鑫集成电路外延材料产业化项目在列。

中国真空学会2018学术年会，即将于北京时间8月16-19日在东北师范大学（长春）举办。武汉嘉仪通科技有限公司作为会员单位及薄膜物理性能分析领域的领跑者，受邀参加此次盛会。嘉仪通科技将在会议现场，为大家展示红外退火炉、便携式Seebeck系数测试仪PTM-3等多款自主研发的系列产品。届时，我们热诚欢迎各界同仁莅临嘉仪通展位参观指导！大会详情 每两年举办一届的中国真空学会学术年会是中国真空学会重要的学术交流品牌。中国真空学会（Chinese Vacuum Society， CVS）是一个全国性的学术组织，成立于1979年10月。学会是由来自真空科学与技术领域，分布于各大、专院校、研究所和公司企业的科学家、工程师和技术人员组成。学会已发展成拥有12个地方真空学会、约250个团体会员和5000多个个人会员的组织。学会为科学研究者之间的学术交流和企业界之间的技术转让提供了重要的论坛。会议信息会议时间：2018年8月16日-8月19日会议地址：长春东北师范大学主办单位：中国真空学会承办单位：紫外光发射材料与技术教育部重点实验室（东北师范大学）会议日程日期时间内容8月16日全天会议报到8月16日晚上中国真空学会第八届五次理事会8月17日上午开幕式、颁发“成就奖”、“创新奖”、大会特邀报告下午分会场学术报告8月18日上午分会场学术报告下午分会场学术报告8月19日上午 闭幕式、颁发“最佳张贴报告奖”、大会特邀报告 【便携式泽贝克系数测试仪】【便携式泽贝克系数测试仪】：便携式泽贝克系数测试仪PTM 是一款测试热电材料Seebeck系数（常温）的专业仪器。该仪器可用于快速测试薄膜、块体、纤维等不同形态热电材料的Seebeck系数，为热电材料科研及产业化提供更专业便携的测试新选择。【红外退火炉】【红外退火炉】：红外退火炉IRLA-1200，采用红外辐射加热技术同时搭配高精度温度控制系统，24秒内仪器可快速升温至1150℃,升温速率最快可达50℃/s，控温精度可达±0.1℃，可实现样品快速升温和退火，对新材料相关的RTP研究工作起到重要作用。

3月5日，北方华创在互动平台表示，公司半导体设备均为100%自主研发，零部件来自全球供应商。作为A股半导体设备龙头，北方华创的主要产品包括集成电路刻蚀机、PVD、CVD、ALD、清洗机、立式炉、外延炉等，上述设备在先进工艺验证方面取得阶段性成果，部分工艺完成验证；成熟工艺设备在新工艺拓展方面继续突破，新工艺应用产品相继进入客户产线验证或量产，不断收获重复采购订单；光伏单晶炉、负压扩散炉、PECVD大尺寸、大产能产品相继研发完成，推向市场，受下游客户需求拉动，光伏设备业务实现快速增长；碳化硅（SiC）长晶炉、刻蚀机、PVD、PECVD等第三代半导体设备均已开始批量供应市场。受益产品线多路并举，北方华创去年也取得了可观的业绩。根据北方华创发布的2020年业绩预告，归属上市公司股东的净利润为4.6亿元-5.8亿元，同比增长48.85%-87.68%。北方华创表示，2020 年度，公司主营业务下游客户需求旺盛，同时公司积极应对新冠肺炎疫情影响及时复工复产，使公司生产运营及订单交付得以正常进行。随着北方华创经营业绩持续向好，其也在不断地扩大竞争优势和产能。据了解，北方华创高端集成电路装备研发及产业化项目在春节期间不停工，该项目预计今年6月初全部竣工，建设完成后，将具备年产刻蚀机、PVD、退火炉、立式炉、清洗机等设备150台以上的能力。

研究：暴露于中子和伽马辐射的熔融石英和蓝宝石的光学吸收以及同时热退火。图片来源：RHJPhtotos 通过同时和辐照后热退火研究了集成二氧化硅和蓝宝石的辐射诱导衰减 (RIA)。研究人员发现同时辐照热退火和辐照后热退火在二氧化硅和蓝宝石的光学行为方面存在重大差异。 该研究在选择和放置用于开发光学仪器应用(例如聚变或裂变反应堆)的光学材料方面具有广阔的潜力。它还帮助研究人员了解辐射对此类光学材料的影响。 熔融石英和蓝宝石等光学材料中的辐射引起的衰减通过减少核反应堆仪器检查停机的频率，可以显着提高核反应堆的辐射安全和经济性能，从而可以在线监测关键反应堆部件。 激光诱导击穿光谱 (LIBS) 可以通过在反应堆运行时对反应堆冷却剂的化学成分进行光谱研究来识别核反应堆部件的退化。 在适当的操作设置下了解光纤和透镜等光学材料的辐射效应至关重要，因为基于 LIBS 的仪器需要通过这些光学材料传输等离子体发射和高能激光脉冲。 二氧化硅和蓝宝石等普通光学材料具有光学特性，包括衰减和折射率，当暴露于核反应堆中的离子辐射效应时，这些特性会发生变化。 已经对集成二氧化硅和蓝宝石在受到中子和伽马射线照射然后进行热退火时的辐射诱导衰减 (RIA) 和辐射效应进行了多项研究。然而，由于辐照、检查和热退火之间的时间相当长，没有关于光学材料在同时高温和辐射效应下的原位行为的数据。 当前研究中的研究人员使用高羟基含量的 Heraeus Spectrosil 2000 集成二氧化硅 (S2000)、低羟基含量的 Heraeus Infrasil 302 集成二氧化硅 (I302) 和光学类蓝宝石进行了 220 nm 至 1100 nm 的 RIA 测量。这些光学材料在高达 800 C 的后辐照和同时辐照热退火下暴露于中子和伽马辐照下，以观察它们的辐射效应。 二氧化硅和蓝宝石光学吸收的实验装置第一个测量吸收的实验装置包括一个覆盖 220-1100 nm 光谱范围的 Ocean Insight HR4000 光谱仪和一个 Ocean Insight 卤素/氘光源。 第二个实验装置包括一个安装在60 Co 池干管上方的退火炉，用于光学材料的同步和后热退火。 目前的研究在俄亥俄州立大学核反应堆实验室的核反应堆和60 Co 辐照池中进行了辐照。在包含60 个Co 伽马源的圆柱形夹具的帮助下，一个 I302 样品在宾夕法尼亚州立大学辐射科学与工程中心暴露于 10Mrad 的辐照下。 使用具有二氧化硅-氧化铝绝缘的特制碳化硅线圈炉对样品进行干燥和空气中的退火。 这些熔炉被建造成适合60 Co 池和核反应堆干管内，以同时对样品进行热退火和辐照。 在辐照后退火实验中，在每次辐照剂量后将样品加热到指定的温度。 相反，在同时退火的情况下，样品在辐照过程中被连续加热到指定的温度，直到达到列出的剂量。 光学仪器在裂变和聚变应用中的发展潜力该研究展示了同时辐照和热退火的后果以及对光学渐变蓝宝石、I302 和 S2000 的辐射效应。 该团队观察到这些光学材料在同时和辐照后热退火条件下的行为的关键区别。 在 S2000 的情况下，对 n 剂量 1 和 2 进行辐照后 600 C 的热退火将材料恢复到未辐照的形式。在 800 C 时，具有相同剂量的同时辐照热退火样品保留了紫外线范围内的辐射诱导衰减。 在 n-Dose 1 和 n-Dose 2 的同时辐照热退火下，I302 还显示出 220 nm 至 900 nm 之间的平衡辐射诱导衰减光谱，这与 I302 主要恢复的辐照后热退火情况相反退火至 800 C 后变为未辐照状态。 与等效剂量辐照后热退火情况相比，在加热到 800 C 后样品几乎退火到其未辐照状态，蓝宝石在 n-Dose 1 和 2 的同时辐照热退火中显示出可能的平衡辐射诱导衰减范围退火条件。对于该光谱，在 260 nm 处获得了残余吸收峰，而在 300 nm 处获得了增加的吸收峰。 当前研究的最初目标是在高放射性和热环境中支持基于 LIBS 的仪器，以承受显着的辐射效应。 比较作为样品的光学材料的吸收光谱表明，S2000 是实现基于 LIBS 的仪器的最理想材料，最高退火温度为 800 C，中子注量为 1.7 x 10 17 n。厘米-2。 在 532 nm 和 1064 nm 的相关 LIBS 波长下，S2000 仅显示边缘辐射引起的衰减。在同时辐照热退火下，I3O2 产生了高达 900 nm 的相当大的辐射诱导衰减，这可能会限制 532 nm 的 LIBS 激光器。 与报道的 S2000 中没有明显的辐射诱导衰减相比，蓝宝石在 532 nm 或 1064 nm 处没有表现出同时辐照热退火的辐射诱导衰减。UV 范围内的残余辐射引起的衰减峰可能会干扰 LIBS 等离子体光谱。 参考BW Morgan、MP Van Zile、CM Petrie、P. Sabharwall、M. Burger、I. Jovanovic，暴露于中子和伽马辐射下的熔融石英和蓝宝石的光学吸收以及同时热退火。2022.核材料杂志。

精准测量是支撑高质量制造的基石。先临三维的高精度工业3D扫描技术作为一种光学测量工具，凭借其高精度、高效率、非接触等优势，为高端制造的精密三维尺寸检测提供保障。当下，这项技术已经渗透至到汽车工业、航天制造、电子电器、教育科研等行业，满足了不同用户对三维尺寸检测的需求。在工业领域，激光3D扫描仪得到了广泛应用。然而，传统的激光3D扫描仪需要在被测物体上粘贴标志点，以实现高精度三维数据的拼接与获取。在大型工件的三维尺寸检测中，这种方式动辄需要粘贴和去除成百上千个标志点，耗费大量时间。先临三维的跟踪式激光扫描系统以动态跟踪、不贴点的独特优势，以及激光扫描高精度、高效率、材质适应性佳的稳定表现，为大型工件精准的三维尺寸检测提供了破题思路。通过在扫描仪的工作过程中使用跟踪仪来获取扫描仪的三维空间信息，跟踪式激光扫描系统实现了大范围的无需标志点的拼接扫描，从而为大型工件的三维尺寸检测进一步提速。行业应用案例: 汽车工业白车身是指装焊完成但未涂装的车身结构，是整车零部件的载体。这种车身具有尺寸体积大、曲面复杂、部分零件表面反光等检测难点，因此需要精度高、无需贴点、材质适应性更强的激光3D扫描设备进行数据获取。使用先临天远的FreeScan Trak Pro2 跟踪式激光扫描系统，仅需约10分钟即可获取完整的白车身三维数据。此外，扫描精度最高可达0.023mm且重复性精度稳定，结果准确可靠满足工业测量需求。*FreeScan系列产品 ISO 17025 认证：基于JJF1951-2021和 VDI/VDE 2634 第 3 部分标准。基于可追踪球体直径测量数据对探测误差性能进行评估，在工作范围内基于可追踪长度标准件从多视角方向进行测量，来评估球体间距误差。可通过集成或内置摄影测量获取体积精度进一步优化的数据。轨道交通轨道车辆的车身主体是由一次次的焊接而成型，保证焊接的准确度，是后期顺利装配的基础。因此，确保扫描结果精准、扫描过程不贴点以保证效率，是车身进行三维检测的核心诉求。FreeScan Trak Pro跟踪式激光扫描系统表现出色，高效获取车身的完整三维数据后，将扫描获取数据与原始的CAD设计数据相对比，即可完成车身的焊接质量检测。模具铸造在模具铸造过程中，模型的形状和尺寸至关重要。面对结构复杂的大型铸件模型，不贴标志点的高效扫描成为三维检测中的关键环节。FreeScan Trak Pro流畅、高质的扫描提供了助力，不仅大幅缩短三维尺寸检测时间，还为铸件的浇筑生产节省大量时间。更多应用场景先临三维的跟踪式激光扫描系统，同样为航空制造、工程机械等行业的大尺寸精密测量提供高效解决方案。我国制造业正向高端迈进，大型化装备 和复杂结构制造的兴起，对测量方式提出了精度更高、适应性更强的要求。先临三维的高精度工业3D扫描业务线，品全而精，包含踪式激光三维扫描系统、手持式激光三维扫描仪、固定式蓝光三维扫描仪等多款产品，以精准测量保证精密制造。未来，先临三维将持续对产品、功能、应用进行深度打磨，让高精度工业3D扫描技术朝着设备无线化、软件智能化、检测自动化的方向不断精进，助力先进制造业的高质量发展。

2020年12月29日，华为数字能源产品线产业暨技术论坛在深圳成功召开，其中在30日的车载电源分论坛 “聚力高压化发展，共擎电动化未来”，吸引了新能源汽车行业上百位技术专家、企业代表、生态伙伴的参与。论坛上来自于行业组织、桩企头部企业、车企等代表就高压快充的发展趋势和未来机遇进行了较为深入的探讨。会议上，华为车载电源产品线总裁王超介绍了中国新能源汽车的超级快充趋势，并表示，预计2024年左右，基于1200V和1700V碳化硅器件的成熟，会帮助产业在7.5分钟快充体验上实现质的飞跃。碳化硅为第三代半导体的主要代表之一，拥有禁带宽度大、器件极限工作温度高、临界击穿电场强度大、热导率等显著的性能优势，在电动汽车、电源、军工、航天等领域备受欢迎，为众多产业发展打开了全新的应用可能性，被行业寄予厚望。那么，碳化硅究竟是何方神圣呢？性质优良的碳化硅材料碳化硅（SiC）又叫金刚砂，密度是3.2g/cm 3 ，天然碳化硅非常罕见，主要通过人工合成。按晶体结构的不同分类，碳化硅可分为两大类：αSiC和βSiC。在热力学方面，碳化硅硬度在20℃时高达莫氏9.2-9.3，是最硬的物质之一，可以用于切割红宝石；导热率超过金属铜，是Si的3倍、GaAs的8-10倍，且其热稳定性高，在常压下不可能被熔化；在电化学方面，碳化硅具有宽禁带、耐击穿的特点，其禁带宽度是Si的3倍，击穿电场为Si的10倍；且其耐腐蚀性极强，在常温下可以免疫目前已知的所有腐蚀剂。随着碳化硅单晶生长和加工技术的进步，碳化硅单晶抛光片产量在快速增长。碳化硅（SiC）作为发展最为成熟的第三代半导体，是半导体界公认的“一种未来的材料”，是发展第三代半导体产业的关键基础材料。预计在今后 5～10 年将会快速发展和有显著成果出现。碳化硅具有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及高抗辐射性能的优点，可以突破硅作为基片的半导体器件性能和能力极限，是电力电子及微波射频器件的“CPU”、绿色经济的“核芯”，在新一代移动通信 、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景。碳化硅制备产业链宽禁带半导体晶片和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致，大致可分为以下几个阶段：晶体生长、晶片加工、器件制备（包括有源层制备、欧姆接触、钝化层沉积等工艺段）、器件封装等。具体的碳化硅功率器件生产过程如下，1.碳化硅高纯粉料合成碳化硅高纯粉料是采用PVT法生长碳化硅单晶的原料，其产品纯度直接影响碳化硅单晶的生长质量以及电学性能。碳化硅粉料有多种合成方式，主要有固相法、液相法和气相法3种。其中，固相法包括碳热还原法、自蔓延高温合成法和机械粉碎法；液相法包括溶胶-凝胶法和聚合物热分解法；气相法包括化学气相沉积法、等离子体法和激光诱导法等。2.单晶衬底制备单晶衬底是半导体的支撑材料、导电材料和外延生长基片。生产碳化硅单晶衬底的关键步骤是单晶的生长，也是碳化硅半导体材料应用的主要技术难点，是产业链中技术密集型和资金密集型的环节。目前，SiC单晶生长方法有物理气相传输法（PVT法）、液相法（LPE法）、高温化学气相沉积法（HTCVD法）等。3.外延片生长碳化硅外延片，是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。实际应用中，宽禁带半导体器件几乎都做在外延层上，碳化硅晶片本身只作为衬底，包括GaN外延层的衬底。目前，碳化硅单晶衬底上的SiC薄膜制备主要有化学气相淀积法（CVD）、液相法（LPE）、升华法、溅射法、MBE法等多种方法。4.功率器件制造采用碳化硅材料制造的宽禁带功率器件，具有耐高温、高频、高效的特性。按照器件工作形式，SiC功率器件主要包括功率二极管和功率开关管。SiC功率器件与硅基功率器件一样，均采用微电子工艺加工而成。碳化硅产业链设备半导体制造离不开半导体设备，碳化硅产业链更是如此，其涉及的设备种类繁多。碳化硅的很多工艺段设备可以与硅基半导体工艺兼容，但由于宽禁带半导体材料熔点较高、硬度较大、热导率较高、键能较强的特殊性质，使得部分工艺段需要使用专用设备、部分需要在硅设备基础上加以改进。相关工艺及半导体制造设备如下，环节设备晶体生长碳化硅粉料合成设备碳化硅单晶生长炉晶体加工碳化硅多线切割机碳化硅研磨机碳化硅抛光机器件制备碳化硅外延炉分步投影光刻机涂胶显影机高温退火炉高温离子注入机溅射设备干法刻蚀机PECVDMOCVD高温氧化炉激光退火设备器件封装背面减薄机划片机国内碳化硅产业链企业目前整个碳化硅产业尚未进入成熟期，但国际厂商已实现多个环节规模量产技术瓶颈的突破，并已摩拳擦掌、即将掀起一场大战，而国内碳化硅产业仍处于起步阶段，与国际水平仍存在差距。不过，近年来国内已初步建立起相对完整的碳化硅产业链体系，IDM厂商中车时代电气、世纪金光、泰科天润、扬杰电子等，单晶衬底企业山东天岳、天科合达、同光晶体等，外延片企业天域半导体、瀚天天成等，部分厂商已取得阶段性进展。单晶衬底方面，目前国内可实现4英寸衬底的商业化生产，山东天岳、天科合达、同光晶体均已完成6英寸衬底的研发，中电科装备研制出6英寸半绝缘衬底。外延片方面，国内瀚天天成和天域半导体均可供应4-6英寸外延片，中电科13所、55所亦均有内部供应的外延片生产部门。器件方面，国内600-3300 V SiC SBD已开始批量应用，有企业研发出1200V/50A SiC MOSFET；泰科天润已建成国内第一条碳化硅器件生产线，SBD产品覆盖600V-3300V的电压范围；中车时代电气的6英寸碳化硅生产线也于今年1月首批芯片试制成功。模块方面，国内已开发出1200V/50-400A全SiC功率模块、600-1200V/100-600A混合SiC功率模块；今年9月18日，厦门芯光润泽国内首条碳化硅 IPM产线正式投产。碳化硅功率器件应用领域碳化硅功率器件不仅能够在直流、交流输电，不间断电源，工业电机等传统工业领域广泛应用，而且在新能源汽车、太阳能光伏、风力发电等领域具有广阔的潜在市场。碳化硅功率器件应用领域可以按电压划分：低压应用（600 V至1.2kV）：高端消费领域（如游戏控制台、等离子和液晶电视等）、商业应用领域（如笔记本电脑、固态照明、智能手机、电子镇流器等）以及其他领域（如医疗、电信、国防等）中压应用（1.2kV至1.7kV）：电动汽车/混合电动汽车（EV/HEV）、太阳能光伏逆变器、不间断电源（UPS）以及工业电机驱动（交流驱动AC Drive）等。高压应用（2.5kV、3.3kV、4.5kV和6.5kV以上）：风力发电、机车牵引、高压/特高压输变电等。由于能源和环境问题日益凸显，节能环保和低碳发展逐渐成为全球共识。降低能耗、提高能源使用效率是当今世界各国节能减排的重大举措。以碳化硅为代表的宽禁带半导体材料及功率器件被公认将成为电子电力应用的一次革命，受到世界各国政府与产业界的广泛关注和高度重视，将成为增长潜力巨大的战略性产业。碳化硅的检测碳化硅功率器件的生产离不开检测，只有通过对各个生产环节的检测才能不断提高良率和工艺水平。碳化硅的检测主要包括衬底检测、外延片检测、器件工艺、点穴参数、可靠性分析和失效分析。检测环节检测项目衬底检测抛光片几何尺寸、平整度、缺陷、位错、粗糙度、电阻率、金属沾污、有机污染物、显微结构观察、透射电镜、SIMS杂质成分分析外延片检测外延层厚度、成分、杂质、表面缺陷、位错、电阻率、金属沾污、SRP工艺等器件工艺Stepper曝光、掩模版制备、高能离子注入、氢离子注入、ICP干法刻蚀、A及Ti金属镀膜、介质膜钝化及刻蚀、激光退火、高温退火、SiC背面减薄、激光打标、晶圆测试电学参数静态、动态、反向、热阻、雪崩参数、 Data Sheet测试可靠性分析高温贮存、高温反偏、高温栅偏、机械振动、冲击、气密性试验、三综合试验箱等相关试验等失效分析样品制备、X-Ray、热点分析、IV- Curve、EMMI＆ OBRICH、FIB、红外热像、SAM等碳化硅相关标准无规矩不成方圆，只有有了规矩，有了标准，这个世界才变得稳定有序！标准是科学、技术和实践经验的总结。为在一定的范围内获得最佳秩序，对实际的或潜在的问题制定共同的和重复使用的规则的活动，即制定、发布及实施标准的过程，称为标准化。为规范碳化硅半导体材料的发展，相关组织和机构也出台了一系列的标准。（以下碳化硅标准只统计其作为半导体材料的现行相关标准）合计35项标准，其中国标7项，地方标准2项，联盟标准20项和行业标准6项。标准号标准名称T/IAWBS 008-2019SiC晶片的残余应力检测方法T/IAWBS 009-2019功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验T/IAWBS 010-2019碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法T/IAWBS 011-2019导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法T/IAWBS 012-2019碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法——共焦点微分干涉光学法T/IAWBS 013-2019半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法T/IAWBS 001—2017碳化硅单晶T/IAWBS 002—2017碳化硅外延片表面缺陷测试方法T/IAWBS 003—2017碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法T/IAWBS 004—2017电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法T/IAWBS 005—20186 英寸碳化硅单晶抛光片T/IAWBS 006—2018碳化硅混合模块测试方法T/IAWBS 007—20184H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法T/CASA001-2018碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范T/CASA003-2018p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片T/CASA004.1-20184H-SiC衬底及外延层缺陷 术语T/CASA004.2-20184H-SiC衬底及外延层缺陷 图谱T/CASA009-2019半绝缘SiC材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法T/CASA006-2020碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范T/CASA007-2020电动汽车用碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块评测规范SJ/T 11499-2015碳化硅单晶电学性能的测试方法SJ/T 11500-2015碳化硅单晶晶向的测试方法SJ/T 11504-2015碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法SJ/T 11502-2015碳化硅单晶抛光片规范SJ/T 11501-2015碳化硅单晶晶型的测试方法SJ/T 11503-2015碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法DB13/T 5118-20194H 碳化硅 N 型同质外 延片通用技术要求DB61/T 1250-2019SiC（碳化硅）材料半导体分立器件通用规范GB/T 32278-2015碳化硅单晶片平整度测试方法GB/T 31351-2014碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法GB/T 30656-2014碳化硅单晶抛光片GB/T 30866-2014碳化硅单晶片直径测试方法GB/T 30867-2014碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法GB/T 30868-2014碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法GB/T 10195.1-1997电子设备用压敏电阻器 第2部分:空白详细规范 碳化硅浪涌抑制型压敏电阻器 评定水平E值得注意的是，目前新的《碳化硅单晶抛光片》国家标准正在征求意见，以替代GB/T 30656-2014标准，届时将有一批新的标准出台。国内碳化硅研究现状国内碳化硅半导体材料与国外企业的技术水平相差较大，但与前两代半导体技术不同，国内不少专家认为我国有望在以碳化硅为代表的第三代半导体领域实现弯道超车。《中国制造2025》和“十三五规划”也明确将碳化硅行业定位为重点支持行业。国家电网、中国中车、比亚迪、华为等国内企业也在加大针对碳化硅在智能电网、轨道交通、电动汽车、手机通信芯片等领域应用的投资。国内SiC单晶的研究始发于2000年，主要研究单位有中科院物理研究所、山东大学、中科院上海硅酸盐研究所、中电集团46所等。以相关的技术为基础，能批量生产单晶衬底的公司包括北京天科合达、山东天岳、河北同光等。目前，国内已经生产出6英寸SiC单晶，微管密度和国际产品相当，一定程度上可满足国内半导体器件制备的需求，但我国SiC单晶衬底质量与国际先进水平相比还存在巨大差距。SiC外延材料研发工作开始于“九五计划”，材料生长技术及器件研究均取得较大进展。主要研究单位有中科院半导体研究所、中电集团13所和55所、西安电子科技大学等，产业化公司主要是东莞天域和厦门瀚天天成。目前我国已研制成功6英寸SiC外延晶片，且基本实现商业化。可以满足3.3kV及以下电压等级SiC电力电子器件的研制。不过，还不能满足研制10kV及以上电压等级器件和研制双极型器件的需求。国内近年来西安理工大学、西安电子科技大学微电子所、中科院半导体所、上海硅酸盐所等单位一直坚持不懈进行碳化硅材料及其器件的研究，但从市场上市产品来看，多数为SiC肖特基二极管、其参数大致范围为：击穿电压为600V、1200V、1700V等级别。学术论文一定程度上可以反映出各高校的研究方向和研究水平，以中国知网的相关论文为参考，可以间接反映出国内碳化硅的研发情况。分别以主题为【碳化硅AND功率器件】、【碳化硅AND半导体】以及【碳化硅AND半导体】进行检索，结果如下，知网检索：主题=碳化硅AND主题=功率器件知网检索：主题=碳化硅AND主题=功率半导体知网检索主题=碳化硅AND主题=半导体从结果来看，西安电子科技大学、电子科技大学和浙江大学遥遥领先，在碳化硅研究领域，成果较多。SiC目前存在的问题尽管碳化硅功率器件应用前景广阔，但是目前受限于价格过高等因素，迄今为止，市场规模并不大，应用范围并不广，主要集中于光伏、电源等领域。在碳化硅单晶材料领域，存在大尺寸碳化硅单晶衬底制备技术仍不成熟；缺乏更高效的碳化硅单晶衬底加工技术；P型衬底技术的研发较为滞后等问题。在碳化硅外延材料领域，还有N型碳化硅外延生长技术有待进一步提高、P型碳化硅外延技术仍不成熟等问题亟待解决。在碳化硅器件应用领域，存在驱动技术尚不成熟；保护技术尚不完善；电路应用开关模型尚不能全面反映碳化硅功率器件的开关特性，尚不能对碳化硅器件的电路拓扑仿真设计提供准确的指导；电磁兼容问题尚未完全解决；电路拓扑尚不够优化等问题。在碳化硅功率模块领域，存在采用多芯片并联的碳化硅功率模块产生较严重的电磁干扰和额外损耗；在焊接、引线、基板、散热等方面的创新不足，功率模块杂散参数较大，可靠性不高；碳化硅功率高温封装技术发展滞后等问题。整体而言，碳化硅作为半导体材料的研发和应用尚处于发展状态，还有许多不足之处。SiC的可能替代材料虽然碳化硅受到的关注度越来越高，在未来的大功率、高温、高压应用场合将发挥传统的硅器件无法实现的作用，但却并不是终点。以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼等为代表的超宽禁带半导体材料（禁带宽度＞4.5 e V）的研究和应用，近年来不断获得技术的突破，未来有望打造具有更优异性能的功率器件，取代目前碳化硅的地位。氧化镓（Ga2O3）是一种新兴的功率半导体材料，其禁带宽度（4.9eV）大于碳化硅（约3.4eV），在高功率应用领域的应用优势愈加明显。尽管Ga2O3半导体材料具有良好的射频性能以及高功率等许多优势，但同时还具有很多需要克服的障碍。Ga2O3的导热率很低，这在高功率密度应用中尤为凸显。Ga2O3存在的另一个缺点就是缺乏p型掺杂机制，从理论上看，这可能会是一个影响其应用的根本问题。金刚石具有高硬度、超宽带隙、出色的载流子迁移率和优异的导热性能，是实现“后摩尔”时代电子、光电子和量子芯片的基础性材料之一，已是业界公认的“终极”半导体材料。具有如此多优良性能的半导体材料目前正成为国际竞争的新热点。近日，哈尔滨工业大学与香港城市大学、麻省理工学院等单位合作，在金刚石单晶领域取得重大科研突破，首次通过纳米力学新方法，通过超大均匀的弹性应变调控，从根本上改变金刚石的能带结构，为实现下一代金刚石基微电子芯片提供了一种全新的方法。

p 　　上海光机所信息光学与光电技术实验室周常河课题组近期将双目测量和时域散斑技术相结合，应用于300mm口径大尺寸透镜毛坯测量，成功重建出透镜毛坯表面的三维形貌。该方法实现了大尺寸透镜的快速、低成本测量，相关成果发表在[Optics Express 27,10898(2019)]上。 /p p 　　大尺寸光学元件，尤其是非球面元件，被广泛运用在大型激光装置，例如“神光”II综合实验激光装置中。在元件的生产过程中，表面检测至关重要。在透镜毛坯的粗研磨阶段，主要检测设备是三坐标测量机。三坐标测量机的测量精度很高，但是这种逐点测量方式的效率低，尤其是在测量大尺寸(例如米级)透镜毛坯时，大型三坐标测量机价格昂贵，且不易移动，不便于使用。 /p p 　　该课题组提出，用双目光学三维测量方法重建透镜粗毛坯的表面。双目视觉原理类似于人眼的三维感知，如图1所示。左右两个不同位置不同角度放置的摄像机，同步拍摄毛坯表面图像，经过同源点匹配和视差计算，可以用三角法对毛坯表面进行三维重构。但是，由于透镜毛坯强散射特性，基于空域的结构光编码方法会出现解码误差。课题组提出用时域散斑技术进行时域方向的编码，实验中顺序投影20幅带通随机数字散斑图像，对于每个像素点，都有一个20维度的编码。通过比较左右待匹配点码值之间的汉明距，可以在极线方向寻找到同源点对。另一方面，偏振技术被运用于消除透镜毛坯的多次反射问题。最终，全场的三维点云数据在短时间内被成功重建出，如图2所示。 /p p 　　相对于三坐标测量机，该方法实现了透镜毛坯表面的快速、全场、低成本的三维测量，是一个很有前景的测量方法，尤其是对米级尺寸的透镜毛坯测量具有重要的应用价值。 /p p 　　该项研究成果得到了中科院前沿科学重点研究项目、上海市科委专业技术服务平台项目、上海市自然科学基金项目的支持。 /p p style=" text-align: center " img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 600px height: 266px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201906/uepic/482c68fb-7372-43b1-b732-3fc94bc4fd4c.jpg" title=" 1.jpg" alt=" 1.jpg" width=" 600" height=" 266" border=" 0" vspace=" 0" / /p p style=" text-align: center " 图1 双目三维测量系统结构图 /p p style=" text-align: center " img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 600px height: 235px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201906/uepic/fe72b6f5-fdf9-4e68-99b9-cb2ee607b7ed.jpg" title=" 2-2.jpg" alt=" 2-2.jpg" width=" 600" height=" 235" border=" 0" vspace=" 0" / /p p style=" text-align: center " 图2 透镜毛坯的三维点云 /p

第十三届中美华人纳米论坛将于2018年6月29日-7月3日在成都环球中心天堂洲际大饭店举行。届时，嘉仪通将携手成都办事处——嘉瑞通科技，以及合作伙伴——颐光科技共同参加此次会议，并现场展示嘉仪通测试薄膜材料Seebeck系数和电阻率的“薄膜热电参数测试系统”以及用于多种材料的快速热处理的“红外退火炉”，我们热诚欢迎各界同仁莅临嘉仪通展位参观指导。 大会详情中美华人纳米论坛自2006年创办以来受到海内外广泛关注，影响力迅速扩大，被誉为“华人纳米年度顶级盛会”。本届论坛由西南交通大学和四川大学联合承办，主题为“纳米科学及前沿技术”。会议内容此次会议将国绕纳米创制与功能、纳米能源与环境纳米生物与医学、纳米材料及表征等议题开展学术交流；同时，安排纳米医疗应用、纳米能源和环境、量子点与钙钛矿等专题讨论和墙报展示。会议信息论坛时间：2018年6月29日-7月3日论坛地址：成都环球中心天堂洲际大饭店主办单位：中美华人纳米论坛组受会承办单位：西南交通大学、四川大学【薄膜热电参数测试系统】和【红外退火炉】【薄膜热电参数测试系统】：l薄膜热电参数测试系统MRS-3 ，专门针对薄膜材料的Seebeck系数和电阻率测量，采用动态法测量Seebeck系数,避免了静态测量在温差测量上的系统误差,采用四线法测量电阻率，测量更准确便捷。【红外退火炉】：红外退火炉IRLA-1200，采用红外辐射加热技术同时搭配高精度温度控制系统，24秒内仪器可快速升温至1150℃,升温速率最快可达50℃/s，控温精度可达±0.1℃，可实现样品快速升温和退火，对新材料相关的RTP研究工作起到重要作用。

近日，东方晶源首台8英寸关键尺寸量测装备（CD-SEM）出机国内知名集成电路制造和整体方案提供商燕东微电子。自2021年6月首台12英寸CD-SEM出机，时隔短短9个月，东方晶源在电子束量测领域再次取得重大进展，彰显出深厚的技术实力、丰富的市场化经验以及快速的研发能力。此次出机，将进一步夯实东方晶源在国内电子束检测、量测市场的领先地位。东方晶源首台8英寸关键尺寸量测设备（型号：SEpA-c300）基于东方晶源12英寸关键尺寸量测设备的技术积累，面向90nm以上技术节点的成熟工艺。具有对标12英寸主流设备的成像分辨率、百微米级大视场成像能力、多样化量测算法，可以满足客户对不同产品线、多种应用场景下的量测需求。进驻燕东微电子后，将通过实际产线验证，进一步提升、完善设备性能，助力客户提供更具竞争力的产品，提高服务能力。近年来，受下游需求影响，8英寸晶圆代工厂产能持续紧缺。但由于12英寸已经逐渐成为了主流尺寸，半导体设备厂商也将业务重心向12英寸厂倾斜，设备短缺成为当下8英寸厂扩产的难点之一。以关键尺寸量测设备为例，目前市场上流通的8英寸设备绝大多数是二手翻新设备，具有性能指标不高及设备稳定性差等问题。东方晶源洞悉到晶圆代工厂这一痛点，充分发挥在电子束检测、量测领域的技术优势，积极响应，快速推出8英寸关键尺寸量测设备，成功解决产业又一难题，对推动我国半导体产业稳定发展具有重大意义。随着半导体工艺节点不断向前推进，电子束检测的重要性愈加凸显。东方晶源凭借先发优势以及强大的研发投入，在电子束检测、量测领域积累了雄厚的技术实力，成绩斐然。承担国家02重大专项——电子束硅片图形缺陷检测设备研发与产业化项目并验收通过；首台套电子束缺陷检测设备（EBI）已完成产线验证并获得重复订单；加速推出多款关键尺寸量测设备并取得多个订单。东方晶源在电子束检测、量测领域不断取得重要产品技术突破，填补多项国内相关领域空白。目前，东方晶源已经和国内大部分有市场影响力的晶圆代工企业建立了合作关系，得到行业和客户的高度认可。未来，东方晶源将继续坚持以客户为中心，不断加强研发投入，扩大在国内电子束检测、量测领域的领先优势。同时，与上下游企业携手，共同推动我国半导体产业链实现全面自主可控，配合国家实现在半导体产业的战略布局。

德国Thermconcept马弗炉携手德祥首次亮相BCEIA 由中国分析测试协会主办，中华人民共和国科学技术部批准的第十三届北京分析测试学术报告会暨展览会(BCEIA2009)于2009年11月25日至28日在北京展览馆隆重举行. 德祥科技代理的德国Thermconcept马弗炉产品在2009 BCEIA展会上首次精彩亮相。 图一: 德国Thermconcept KL05/11型马弗炉 德国Thermconcept公司总部设在德国不莱梅, 拥有丰富的研发、设计和生产的各种马弗炉和加热炉系统的经验，加热炉的温度范围从50℃到2000℃，体积从3L-130L, 尺寸多样, 产品种类丰富, 能够满足绝大多数用户的应用需求, 德国Thermconcept公司还能根据客户的特殊应用定制解决方案. 全线产品包括: 实验室通用型马弗炉, 管式炉, 高温箱式炉, 高温管式炉, 高温干燥箱, 退火炉, 升降炉, 干燥箱, 真空干燥箱等. 德祥科技作为国内科学仪器行业的领导供应商，专注服务于生命科学、工业、制药、政府、教育、石化、电子以及商业实验室等众多领域。作为德国Thermconcept中国区总代理，德祥科技将一如既往地为广大客户提供*产品和服务。 更多后续报道及产品信息，敬请关注www.tegent.com.cn 客服热线：4008 822 822

上海国际粉末冶金展览会（PM CHINA 2019） 中国粉末冶金行业一年一度的品牌盛会，云集数百家国内外驰名企业，集中展示世界领先的粉末冶金技术、注射成形技术、高精度零部件制造技术、3D打印技术、高性能材料等，为粉末冶金相关行业提供先进的解决方案和优质的产品服务。 3月25日，上海国际粉末冶金展览会开幕首日，迎来了盛大的第八届上海国际注射成形高峰论坛，诚邀行业大咖打造一场高规格、高水平的注射成形行业交流盛宴。受主办方邀请，弗尔德科学仪器事业部总经理董亮先生亮相2019上海国际注射成形高峰论坛，“华山论剑”，娓娓道来弗尔德仪器先进的研磨筛分技术、粒度粒形分析技术、元素分析技术以及热处理技术，全心全意为粉末冶金注射成形技术提供一流的仪器解决方案。弗尔德科学仪器事业部总经理董亮先生 作为2019上海国际粉末冶金展览会的参展商，弗尔德仪器展出了旗下众多品牌，包括研磨筛分设备品牌德国Retsch（莱驰）、粒度粒形分析仪品牌Retsch Technology（莱驰科技）、元素分析仪专业品牌德国Eltra（埃尔特）和热处理先进品牌CarboliteGero（卡博莱特盖罗）。如果你正在寻找粉末冶金注射成形、价格制造中创新、高新的解决方案，弗尔德仪器展位将是你不容错过的精彩。 从颗粒粒径粒形分析、元素分析、热处理、微观结构分析到硬度测试，弗尔德科学仪器事业部整合全球专家的建议和服务，为增材制造及粉末注射成型工艺提供创新、高效的解决方案。使用动态图像法测定金属粉末颗粒的粒径粒形 图像分析技术为颗粒粒径分析提供了一种直接测定方法。基本原理很简单：所见即所得。该方法分析时间短、分辨率高、重复性好。Retsch Technology干湿两用多功能粒径及形态分析仪Camsizer X2可以同时测定颗粒粒径粒形信息，功能强大。粉末冶金领域需要的样品颗粒通常粒度分布较宽，以便用较小粒度的颗粒填充大颗粒之间的间隙，从而使粉末更容易装入模具。不规则形状通常有利于烧结过程，因为它增加了颗粒之间的接触。然而颗粒不能太不规则，因为这会使压实更加困难。 对于增材制造，需要的样品颗粒球形度好且粒度分布均匀、较窄，以形成光滑、均匀的粉末层，确保准确烧结。平均颗粒粒径通常在10-50 μm之间。由于过大颗粒或非常不规则的颗粒可能会导致成品缺陷，因此需要非常精确地检测这些样品颗粒。Camsizer X2甚至可以准确检测到这些少量不需要的颗粒。干湿两用多功能粒径及形态分析仪Camsizer X2金属粉末及零件的粉碎筛分 在粉末冶金过程中，原料再利用是一个重要领域。德国Retsch提供了一系列适用于金属粉末筛选和金属零件粉碎的仪器，这些金属粉末和零件可以重新引入到生产过程中。 Retsch振动筛分仪，如振动筛分仪AS200 control，非常适合用于3D打印之前对烧结金属粉末进行筛分，或在打印后将未使用的金属粉末进行分离，以回收细颗粒再次使用。振动筛分仪AS200 control是AS 200系列的经济型产品，质量可靠。在短的筛分时间后可获得1至17个组分。振动筛具有性能和时间的数字设置和显示功能，确保对黑色金属和有色金属（如金、碳化钨或贵金属）进行合适的筛分。振动筛分仪AS200 control 金属注射成型用于生产形状复杂的金属零件。生产每个阶段都可能产生性能不理想的中间部件。这些不理想的中间部件可以被粉碎，作为回收再利用的原材料。像Retsch的BB 500 XL这样的颚式破碎机可以在几分钟内粉碎有缺陷的生坯、棕坯或硬质金属零件。颚式破碎机BB 500 XL金属粉末的化学元素分析 对于金属原材料及最终的粉末成品，为了监测样品的纯度等品质，都需要进行成分及含量检测。3D 打印用金属粉末对纯净度要求很高，除测定主要元素及杂质元素外，氧、氮、氢含量也有要求。 增材制造业常用的一些金属材料，如，钛合金、钴铬合金、镍合金、哈氏合金、铝合金以及钢类等，都非常适合用德国Eltra（埃尔特）氧/氮/氢分析仪Elementrac ONH-p进行检测。测量时，样品无需进行前处理，粉末样品包裹在胶囊中称重后即可直接进样。氧/氮/氢分析仪Elementrac ONH-p MIM/CIM/3D打印工艺热处理技术 MIM/CIM工艺流程中，需要使用粘结剂，使其与金属或陶瓷粉末混合成喂料方便成形。在烧结前需要去除这些粘接剂，这个过程叫排胶。排胶是否彻底，对成品的质量影响很大。CarboliteGero（卡博莱特盖罗）热壁炉——GLO系列，能满足此应用。其加热元件位于炉膛外侧，整个炉膛相当于一个容器。加热元件直接加热炉膛外侧，并向内传导热量，整个炉膛壁是热的，所以叫做热壁炉，也可选配带氢气供气系统的全自动控制系统。GLO退火炉 烧结是MIM工件成形前的最后一个工艺，是一个把粉状物料转变为致密体的传统工艺过程。粉体成形后，通过烧结得到的致密体是一种多晶材料，其显微结构由晶体、玻璃体和气孔组成。烧结和前道排胶工艺是否彻底，都直接影响显微结构中的晶粒尺寸、气孔尺寸及晶界形状和分布，进而影响材料的性能。烧结的最终目的是增加产品的密度，密度常被用于衡量产品质量的手段。 根据烧结的温度、真空度、气氛以及样品装载量和装载方式， CarboliteGero（卡博莱特盖罗）的多款设备能满足不同要求的烧结工艺。烧结温度远高于排胶温度，其炉膛为双层中空结构，中间的夹层通冷却水，加热元件与保温材料位于炉膛内，这类炉子我们称为冷壁炉。无论炉膛内的温度有多高，整个炉膛外壁是冷的。其大致可分为：冷壁箱式炉、冷壁钟罩式炉等。HTK排胶烧结一体炉HBO钟罩式气氛烧结炉MIM工艺的炉型选择示意图

9月4日，国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项“大尺寸氧化镓半导体材料与高性能器件研究”项目启动会在杭州富阳顺利召开。 　　该项目由中国科学院上海光学精密机械研究所牵头，联合厦门大学、吉林大学、中国电子科技集团公司第五十五研究所、北京中材人工晶体研究院有限公司、复旦大学、电子科技大学、杭州光学精密机械研究所、杭州富加镓业科技有限公司多家单位协同攻关。 　　出席本次会议的专家有浙江大学杨德仁院士、长光华芯光电技术有限公司廖新胜正高级工程师、中国电子科技集团公司第四十六研究所林健研究员、中国科学技术大学龙世兵教授、电子科技大学罗小蓉教授、浙江大学盛况教授、中国航天科技集团公司第五研究院508所孙世君研究员、山东大学陶绪堂教授、中国科学院微电子研究所王鑫华研究员、中国科学院上海分院吴成铁研究员、南京大学叶建东教授、复旦大学周鹏教授。依托单位张龙副所长及项目和课题相关人员四十余人参会。杨德仁院士为本次会议专家组组长。 　　上海光机所副所长、杭州光机所理事长张龙研究员代表项目承担单位致欢迎词，感谢各位专家不辞辛劳，从全国各地来参加此次会议，并简要介绍了杭州光机所的总体情况。项目负责人齐红基研究员汇报了项目总体实施方案及各课题的研究内容、研究目标、实施方案等。 　　项目面向发展氧化镓基日盲紫外探测及功率电子器件的迫切需求，以解决氧化镓单晶衬底和外延薄膜缺陷与掺杂机制，微观电子结构、薄膜物性和器件性能构效关系等关键科学问题为基础，突破6英寸单晶热场设计、高质量外延膜生长、器件核心结构设计等关键技术，研制出新一代高性能氧化镓基功率及探测器件。 　　本项目的实施将打通氧化镓材料、外延到器件的全链路，研究成果有望逐步应用于电动汽车、光伏变电、舰艇综合电力、雷达探测、日盲紫外预警及环境监测等方向，对推动相关产业的技术创新、产业结构优化和经济发展具有积极的意义。同时也有助于打破国外相关技术封锁，提升我国在该领域日趋激烈的国际竞争中的地位，推动我国在宽禁带半导体领域的发展。 　　与会专家认真听取和充分论证了项目实施方案，并给予了充分肯定，对项目研究目标、研究内容及各课题间协调统筹、合作交流等方面提出了具有建设性的指导意见。专家组经过质询讨论后，一致同意通过项目实施方案论证。 　　会议期间，张龙副所长带领专家和项目组代表参观了杭州光机所。

TPKZ-3-L种子尺寸分析仪由浙江托普云农公司提供，种子尺寸分析仪采用图像识别技术设计而成，可以在极短的时间内快速完成考种工作，测量种子长度尺寸。种子分析仪，也可以理解为能够测量种子尺寸的分析仪。　　种子尺寸分析仪也称智能考种分析仪，托普云农新设计研发的智能型自动考种系统。这款仪器可以在极短的时间内快速完成考种工作，是现代育种考种、种子研发中的常用仪器之一。仪器是基于图像识别技术，突破籽粒和感知数据采集等关键技术，研发了集玉米、大豆等散粒长、粒宽、千粒重等多参数一体化快速检测设备，实现考种过程的自动化、智能化，减少人力成本投入，去除人为误差干扰，加强了考种测量准确率，构筑了智能化考种测量方法，为农业遗传育种研究而服务。　　用途：能测量数量、千粒重、平均粒型、每一粒籽粒的粒型。玉米棒除外。　　功能特点：　　1.实时性：测量速度快，能够实时测量出籽粒的数量、粒长、粒宽、周长、面积、重量等参数。算法计算时间≤1s，大大缩短了测量的时间，为研究降低了时间成本。　　2.一键式：智能考种分析系统是基于图像识别技术，一键执行，马上计算出所有测量参数，降低人工操作性，减少人为误差，简化操作流程，一键得到测量结果。　　3.存储方式：测量数据的保存可以为研究提供详尽而细致的数据结果，智能考种分析系统配备了相应存储容量，可将所有数据导出excel到电脑，方便用户进行本地数据存储和数据对比分析工作，满足了数据存储的需要。　　4.适应范围：针对于籽粒考种，智能考种分析系统设置散粒考种范围包括大豆，玉米的考种需求。　　种子尺寸分析仪技术参数：　　1.数粒范围：50~20000粒　　2.数粒精度：圆形种子自动数粒误差≤±0.1%，长形种子自动数粒误差≤±0.5%，可手动修正保证结果准确。粒型误差≤±0.5%　　3.系统供电：DC5V，直接使用USB供电，可以外接电脑或者充电宝　　4.响应时间：5s内输出结果

近日，国内半导体制造良率管理设备厂商东方晶源在北京总部举行了国内首台关键尺寸量测设备（CD-SEM）出机仪式，正式宣布斩获订单并出机中芯国际。东方晶源董事长俞宗强博士、总经理蒋俊海先生，北京市经信委、亦庄管委会、国家02专项以及东方晶源客户、股东、投资方等代表出席了此次活动，共同见证了这一重要时刻。此次出机仪式，标志东方晶源继2019年攻克电子束缺陷检测技术后，再一次取得了重大产品技术突破，填补了国内关键尺寸量测设备（CD-SEM）的市场空白。据悉，此次出机的关键尺寸量测设备（型号：SEpA-c410）面向300mm硅片工艺制程，通过先进的电子束成像系统和高速硅片传输方案，搭配精准的量测算法，可实现高重复精度、高分辨率及高产能的关键尺寸量测。进驻中芯国际后，将通过实际产线验证，进一步提升、完善设备性能，向产业化目标整体迈进。中芯国际是世界领先的集成电路晶圆代工企业之一，也是中国内地技术最先进、配套最完善、规模最大的集成电路制造企业集团，提供0.35微米到14纳米不同技术节点的晶圆代工与技术服务，在先进制程探索、设备多元化方面等方面走在行业前列。东方晶源继首台电子束缺陷检测设备进驻中芯国际产线后，首台关键尺寸量测设备能够进入中芯国际12英寸产线验证，说明其研发实力已获得行业高度认可，是我国集成电路制造自主可控的重要组成。东方晶源自成立以来，专注于芯片制造关键环节的良率控制和提升领域。在北京市经信委、亦庄管委会、合作伙伴和投资方的共同支持下，不断取得重要产品技术突破，公司旗下计算光刻系列软件（OPC）、电子束缺陷检测设备（EBI）均已经过国际大厂产线验证并实现订单收入，在国产化设备领域取得了瞩目的成绩。此次出机，东方晶源在良率控制产品线添加了至关重要的一环，也解决了我国在芯片制造领域中又一项“卡脖子”难题。中芯国际与东方晶源作为各自领域的优秀代表，进一步加强了战略合作关系，是半导体产业链上下游产研与应用合作的典范。目前，半导体设备市场主要被国外巨头垄断，行业集中度很高，是我国半导体产业被“卡脖子”的关键所在，因此国产化替代对国家科技创新的意义重大。东方晶源俞宗强董事长表示：国产半导体设备的快速发展，除了国家政策、研发资金、人才培养等方面的大力投入，更需要晶圆代工厂的实际使用和验证完善。目前，东方晶源已经和国内大部分有市场影响力的晶圆代工企业建立了合作关系。未来，希望更多的晶圆代工企业对国产设备厂商保持更加开放的心态，为优质国产芯片设备供应商提供可以验证技术、实现产业化的平台，共同携手突破国外技术垄断，推动我国半导体产业链实现全面自主可控，配合国家实现在半导体领域的战略布局。

1月9日，国晶（嘉兴）半导体有限公司（以下简称“国晶半导体”）举行全自动12英寸半导体大硅片生产线量产新闻发布会，宣布打通了全自动生产线，公司的12英寸抛光片处于国内领先水平。（国晶半导体董事长陆仁军讲解项目进展）需要强调的是，国晶半导体建成全自动12英寸半导体硅片生产线，意味着柘中股份转型半导体材料业务迈出一大步。目前，柘中股份持有国晶半导体44.44%股权，并合计持有其58.69%的表决权。全自动大硅片生产线建成一辆辆天车在天花板上来回穿梭，配合各类机台有条不紊地递送着大硅片，自动完成倒角、抛光等一系列步骤。这是记者在国晶半导体看到的大硅片生产流程。（国晶半导体的长晶车间）“国晶半导体在成立之初，就确立了对标全球最先进半导体大硅片厂商的目标，立志组建全球顶尖的专家技术团队，造全球领先的大尺寸硅片。”在发布会上，国晶半导体董事长陆仁军介绍，国晶半导体主要研发、生产、销售集成电路核心半导体材料12英寸大硅片及满足28纳米以下制程标准的抛光片和外延片。需要提及的一个产业背景是，全球对集成电路的需求持续增长，半导体硅片尤其是12英寸大硅片供不应求，产能缺口持续增长。SEMI（国际半导体产业协会）统计，2020年全球晶圆制造材料市场总额达349亿美元，其中硅片和硅基材料的销售额占比达到36.64%约为128亿美元。SEMI预测，全球半导体制造商将在2022年前开建29座高产能晶圆厂，绝大部分为12英寸晶圆厂，这将持续提升12英寸硅片的需求。但在供给端，全球半导体硅片市场垄断在日本信越、日本三菱住友SUMCO、环球晶圆、德国Siltronic、韩国SKSiltron等五大供应商手里，合计占据了全球超过90%的市场份额。“不管是从存量市场看，还是从增量市场展望，国内半导体厂商包括大硅片厂商都迎来巨大的发展前景。”陆仁军介绍，目前，国内外晶圆厂持续处于满负荷运转，且产品不断涨价。产能方面，国晶半导体规划产能为年产12英寸半导体硅片480万片。该项目分为两期实施，其中一期规划建设月产能15万片，二期规划建设月产能30万片。转型半导体业务迈出一大步国晶半导体建成全自动12英寸半导体硅片生产线，意味着柘中股份转型半导体材料业务迈出一大步。柘中股份2021年9月27日公告，为布局集成电路上游产业，促进公司产业结构转型升级，公司拟出资8.16亿元，认购中晶半导体8亿元新增注册资本。本次增资完成后，中晶半导体注册资本增至18亿元，柘中股份持有中晶半导体44.44%股份；同时，康峰投资将其持有的中晶半导体14.25%股权对应表决权无条件委托给柘中股份；最终，柘中股份合计持有中晶半导体58.69%表决权，成为其控股股东。2021年11月24日，柘中股份披露，公司控股子公司中晶（嘉兴）半导体有限公司改名为国晶（嘉兴）半导体有限公司。柘中股份表示，公司根据现金流安排和国晶半导体目前经营情况及未来发展，在国晶半导体尚未投产前增资入股，有利于在避免承担国晶半导体设立初期投资风险的前提下，锁定投资低价，降低上市公司投资成本。本次投资后，柘中股份主营业务将涉及半导体材料行业。陆仁军介绍，国晶半导体12英寸硅片生产线是嘉兴市着力引进的项目，也是南湖区重大集成电路项目。为提升技术及硅片品质，国晶半导体成立了晶体生长实验室、物理、化学以及应用实验室，并争取2022年跻身为国家一流实验室；届时将填补南湖区在集成电路产业核心原材料方面的空白，并带动长三角地区大硅片相关辅助材料、设备投资及相关配套产业发展。柘中股份已经与其客户建立起广泛的业务合作。据悉，包括中芯国际、华虹宏力等国内晶圆厂，广泛采购柘中股份的电力系统相关设备。近年来，柘中股份也深度参与了多个国内晶圆厂的建设任务。