脉冲激光沉积分子束外延薄膜制备系统

随着半导体市场,，特别是化合物半导体市场的逐步开放和增长，作为化合物半导体研发中相关材料制备的关键仪器，MBE、MOCVD等薄膜沉积与外延设备的市场也在逐年增长和扩大中，不论是海外品牌还是国产品牌，近几年的市场规模都在逐年扩大。由于高校的管理模式及制度，这些仪器设备大多养在“深闺”，大量科研资源潜能没有得到充分发挥。为解决这个问题并加速释放科技创新的动能，中央及各级政府在近几年来制订颁布了关于科学仪器、科研数据等科技资源的共享与平台建设文件。2021年1月22日，科技部和财政部联合发布《科技部 财政部关于开展2021年度国家科技基础条件资源调查工作的通知（国科发基〔2020〕342号）》，全国众多高校和科研院所将各种科学仪器上传共享。其中，对化合物半导体薄膜沉积与外延设备的统计分析或可一定程度反映科研领域相关仪器的市场信息（注：本文搜集信息来源于重大科研基础设施和大型科研仪器国家网络管理平台，部分仪器品牌信息不全则根据型号等信息补全，不完全统计分析仅供读者参考）。共享化合物半导体薄膜沉积与外延设备分布北京市共享化合物半导体薄膜沉积与外延设备分布本次统计，共涉及化合物半导体薄膜沉积与外延设备的总数量为184台，涉及23省（直辖市/自治区），73家单位。其中，北京市共享设备数量最多达64台，占比35%，涉及14所高校院所，北京如此高的占比主要是由于其科研院所较多，产品也主要用于科研领域。共享仪器平台主要来自科研用户上传并服务于科研用户，也因此该类仪器设备主要分布于科研院所众多的北京市。从北京市的分布情况来看，其主要分布于高校集中的海淀区，该地区共有60台共享设备。化合物半导体材料制备设备主要有MBE和MOCVD。从统计中可以看出，MBE在科研领域中的占比较大，高达73%，MOCVD占比为21%。MBE由于其外延生长时间长，大批量生产性差，对真空条件要求高，目前还无法大规模用于工业化生产中，又由于其可原位观察单晶薄膜的生长过程等优势，主要用于进行生长机制的研究，图中比例仅代表科研领域中的分布情况。虽然MBE成膜质量好，但生产效率低，因此在工业领域中，MOCVD占据主流。不过近年来，众多厂商和科研人员一直在致力于MBE技术的产业化，信息显示，北京意莎普科技发展中心有限公司近年来在推进MBE分子束外延片研发及产业化建设项目。还有知情人士称，深圳地区有人做相关产业化，一次性买入几十台MBE，做2寸的晶圆，做出来多少，就有人收多少。相关仪器设备所属学科领域分布从仪器所属学科领域分布可以看出，这些仪器设备主要用于物理学和材料科学研究，占比分别为36%和32%。需要注意的是，以上统计存在交叉分布的情况，即该仪器同时属于多类学科领域，实际上材料科学和物理学研究具有很大的重合度。化合物半导体薄膜沉积与外延设备TOP5品牌MOCVD设备中Aixtron占比那么这些仪器主要有哪些品牌呢？整体来看，化合物半导体薄膜沉积与外延设备中，沈阳科仪、Aixtron和Omicron占比最高，其中沈阳科仪MBE和MOCVD产品均有涉及，Aixtron则聚焦MOCVD设备，Omicron聚焦MBE产品。MBE产品的品牌占比可参考【这类仪器本土品牌在崛起——全国共享MBE盘点】。进一步统计分析了MOCVD的品牌构成，发现MOCVD主要以德国Aixtron的产品为主，占比高达49%。需要注意的是德国Aixtron集团在英国有子品牌Thomas Swan，本次统计未归入Aixtron中。Aixtron是一家总部位于德国的欧洲技术公司，专门为半导体行业的客户制造金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备。2016年10月，中国福建大芯片投资基金LP希望收购Aixtron，但德国经济部撤回了对该收购的批准。Axitron与SemiLEDs在2009年5月就合作开发出6寸蓝光LED芯片，在6x6寸AIX 2800G4 HT MOCVD反应炉的结构上，产量增加约30%(相较于传统42x2-inch的架构)，不但均匀性较好，也减少了边缘效应。不过就现阶段而言，大多数的困难仍然在于6寸的基板价格偏高与外延片切割技术的挑战。AIXTRON公司最先进的独特的行星转盘技术应用在大型G4 2800HT 42*2”以及Thomas Swan(1999年被AIXTRON收购) CCS Crius 30*2” MOCVD系统，使得Aixtron的MOCVD设备被公认为世界上技术和商业价值最完美的结合。设备品牌所属国家分布那么这些仪器主要来自于哪些国家呢？统计结果表明，此类产品以德国品牌居多，占比达32%，其次为国产品牌，可以看出中国产品正在崛起。本次统计主要涉及牛津、Aixtron、Thomas Swan、沈阳科仪、Emcore、中科宏微、Veeco、Omicron、TSST、SPECS、MBE-Komponenten GmbH、DCA、VG、Unisoku、SVTA、国成仪器、RIBER、Neocera、大连齐维科、上海实路、KurJ.Lesker、青岛精诚华旗、湖南顶立、EPGRESS等品牌。

html, body { -webkit-user-select: text } * { padding: 0 margin: 0 } .web-box { width: 100% text-align: center } .wenshang { margin: 0 auto width: 80% text-align: center padding: 20px 10px 0 10px } .wenshang h2 { display: block color: #900 text-align: center padding-bottom: 10px border-bottom: 1px dashed #ccc font-size: 16px } .site a { text-decoration: none } .content-box { text-align: left margin: 0 auto width: 80% margin-top: 25px text-indent: 2em font-size: 14px line-height: 25px } .biaoge { margin: 0 auto /* width: 643px */ width: 100% margin-top: 25px } .table_content { border-top: 1px solid #e0e0e0 border-left: 1px solid #e0e0e0 font-family: Arial /* width: 643px */ width: 100% margin-top: 10px margin-left: 15px } .table_content tr td { line-height: 29px } .table_content .bg { background-color: #f6f6f6 } .table_content tr td { border-right: 1px solid #e0e0e0 border-bottom: 1px solid #e0e0e0 } .table-left { text-align: left padding-left: 20px } 详细信息 [公开招标]物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目采购公告（重新采购第1次） 广东省-深圳市-南山区 状态：公告 更新时间： 2022-11-21 [公开招标]物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目采购公告（重新采购第1次） 深圳市南科大资产经营管理有限公司（以下简称“采购代理机构”）受采购人委托，就物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目（重新采购第1次）进行公开招标，欢迎符合资格条件的投标人前来投标。物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目（重新采购第1次）的潜在投标人应登录深圳政府采购智慧平台（http://zfcg.szggzy.com:8081/）下载获取本项目的招标文件，并于2022年12月05日14时00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 1.项目编号：AOMC-2022-096-C（SZDL2022002186） 2.项目名称：物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目（重新采购第1次） 3.预算金额：人民币5,500,000.00元 4.最高限价：人民币5,500,000.00元 5.所属行业：工业 6.采购需求： 标的名称 数量 单位 简要技术需求（服务需求） 脉冲激光沉积系统 1 套 详见招标文件 7.本项目不接受联合体投标。 二、申请人的资格要求 （1）具有独立法人资格或具有独立承担民事责任的能力的其他组织（提供营业执照或事业单位法人证书等法人证明扫描件，原件备查）。 （2）本项目不接受联合体投标，不接受投标人选用进口产品参与投标。 （3）参与本项目投标前三年内，在经营活动中没有重大违法记录（由供应商在《政府采购投标及履约承诺函》中作出声明）。 （4）参与本项目政府采购活动时不存在被有关部门禁止参与政府采购活动且在有效期内的情况（由供应商在《政府采购投标及履约承诺函》中作出声明）。 （5）具备《中华人民共和国政府采购法》第二十二条第一款的条件（由供应商在《政府采购投标及履约承诺函》中作出声明）。 （6）未被列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单（由供应商在《政府采购投标及履约承诺函》中作出声明）。 注：“信用中国”、“中国政府采购网”、“深圳信用网”以及“深圳市政府采购监管网”为供应商信用信息的查询渠道，相关信息以开标当日的查询结果为准。 （7）本项目的特定资格要求：无。 三、获取招标文件 时间：2022年11月22日00时01分 至2022年11月28日23时59分（北京时间）。 地点：登录深圳政府采购智慧平台（http://zfcg.szggzy.com:8081/）下载本项目的招标文件。 方式：在线下载。 售价：免费。 凡已注册的深圳市网上政府采购供应商，按照授予的操作权限，可登录深圳政府采购智慧平台（http://zfcg.szggzy.com:8081/）下载本项目的招标文件。投标人如确定参加投标，首先要在深圳政府采购智慧平台网上办事子系统（http://zfcg.szggzy.com:8081/TPBidder/memberLogin）网上报名投标，方法为在网上办事子系统后点击“【招标公告】→【我要报名】”；如果网上报名后上传了投标文件，又不参加投标，应再到【我的项目】→【项目流程】→【递交投标(应答)文件】功能点中进行“【撤回本次投标】”操作；如果是未注册为深圳政府采购的供应商，请访问深圳公共资源交易中心（http://www.szzfcg.cn/）,先办理注册手续（注册咨询：83938966），后办理密钥（电子密钥咨询：83948165 4008301330 ），并前往深圳公共资源交易中心（深圳交易集团有限公司政府采购业务分公司）绑定深圳政府采购智慧平台用户（地址：深圳市福田区景田东路70号雅枫国际酒店北侧二楼市政府采购业务窗口服务大厅），再进行投标报名。在网上报名后，点击“【我的项目】→【项目流程】→【采购文件下载】”进行招标文件的下载。 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 1.投标截止时间：所有投标文件应于2022年12月05日14时00分（北京时间）之前上传到深圳政府采购智慧平台（http://zfcg.szggzy.com:8081/）。具体操作为登录“深圳政府采购智慧平台用户网上办事子系统（http://zfcg.szggzy.com:8081/TPBidder/memberLogin）”，用“【我的项目】→【项目流程】→【递交投标(应答)文件】”功能点上传投标文件。本项目电子投标文件最大容量为100MB，超过此容量的文件将被拒绝。 2.开标时间和地点：定于2022年12月05日14时00分（北京时间），在深圳政府采购智慧平台公开开标。供应商可以登录“深圳政府采购智慧平台用户网上办事子系统（http://zfcg.szggzy.com:8081/TPBidder/memberLogin）”，在“【我的项目】→【项目流程】→【开标及解密】”进行在线解密、查询开标情况。 3.在线解密：投标人须在开标当日14:00-14:30（北京时间）期间进行解密，逾期未解密的作无效处理。解密方法：登录“深圳政府采购智慧平台用户网上办事子系统（http://zfcg.szggzy.com:8081/TPBidder/memberLogin）”，使用本单位制作电子投标文件同一个电子密钥，在“【我的项目】→【项目流程】→【开标及解密】”进行在线解密、查询开标情况。） 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 1.本项目实行网上投标，采用电子投标文件。 2.采购文件澄清/修改事项：2022年11月30日17时00分（北京时间）前，供应商如果认为采购文件存在不明确、不清晰和前后不一致等问题，可登录深圳公共资源交易中心网（http://zfcg.szggzy.com:8081/）→“深圳政府采购智慧平台用户网上办事子系统（http://zfcg.szggzy.com:8081/TPBidder/memberLogin）”，在“【我的项目】→【项目流程】→【提问】”功能点中填写需澄清内容。2022年12月02日17时00分（北京时间）前将采购文件澄清/修改情况在“【我的项目】→【项目流程】→【答疑澄清文件下载】”中公布，望投标人予以关注。 （重要提示：“提出采购文件澄清要求”不等同于“对采购文件质疑”，供应商提出的澄清要求内容如出现“质疑”字眼，将予以退回。供应商如认为采购文件存在限制性、倾向性、其权益受到损害，应在采购文件公布之日起七个工作日内以线下方式向我公司递交提出书面质疑函。根据《深圳经济特区政府采购条例》第四十二条“供应商投诉的事项应当是经过质疑的事项”的规定，未经正式质疑的，将影响供应商行使向财政部门提起投诉的权利。） 3.本招标公告及本项目招标文件所涉及的时间一律为北京时间。投标人有义务在招标活动期间浏览深圳公共资源交易网（www.szggzy.com），在深圳公共资源交易网上公布的与本次招标项目有关的信息视为已送达各投标人。 4.本项目不需要投标保证金。 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：南方科技大学 地 址：深圳市南山区西丽学苑大道1088号 联系方式：张老师 13910520071 2.采购代理机构信息 名 称：深圳市南科大资产经营管理有限公司 地 址：深圳市南山区学苑大道1001号南山智园A7栋11楼 联系方式：王老师 0755-88012180 3.项目联系方式 项目联系人：赵老师 电 话：0755-88012181 深圳市南科大资产经营管理有限公司 2022年11月21日 [SZDL2022002186-A]物理物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目.pdf SZDL2022002186-A物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目采购公告.pdf [SZDL2022002186-A]物理物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目.szczf 附录.中小企业及残疾人福利性单位相关文件.zip [SZDL2022002186-A]物理物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目.docx × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 $('.clickModel').click(function () { $('.modelDiv').show() }) $('.closeModel').click(function () { $('.modelDiv').hide() }) 基本信息 关键内容：激光脉冲沉积 开标时间：2022-12-05 14:00 预算金额：550.00万元 采购单位：南方科技大学 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：深圳市南科大资产经营管理有限公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 [公开招标]物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目采购公告（重新采购第1次） 广东省-深圳市-南山区 状态：公告 更新时间： 2022-11-21 [公开招标]物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目采购公告（重新采购第1次） 深圳市南科大资产经营管理有限公司（以下简称“采购代理机构”）受采购人委托，就物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目（重新采购第1次）进行公开招标，欢迎符合资格条件的投标人前来投标。物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目（重新采购第1次）的潜在投标人应登录深圳政府采购智慧平台（http://zfcg.szggzy.com:8081/）下载获取本项目的招标文件，并于2022年12月05日14时00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 1.项目编号：AOMC-2022-096-C（SZDL2022002186） 2.项目名称：物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目（重新采购第1次） 3.预算金额：人民币5,500,000.00元 4.最高限价：人民币5,500,000.00元 5.所属行业：工业 6.采购需求： 标的名称 数量 单位 简要技术需求（服务需求） 脉冲激光沉积系统 1 套 详见招标文件 7.本项目不接受联合体投标。 二、申请人的资格要求 （1）具有独立法人资格或具有独立承担民事责任的能力的其他组织（提供营业执照或事业单位法人证书等法人证明扫描件，原件备查）。 （2）本项目不接受联合体投标，不接受投标人选用进口产品参与投标。（3）参与本项目投标前三年内，在经营活动中没有重大违法记录（由供应商在《政府采购投标及履约承诺函》中作出声明）。 （4）参与本项目政府采购活动时不存在被有关部门禁止参与政府采购活动且在有效期内的情况（由供应商在《政府采购投标及履约承诺函》中作出声明）。 （5）具备《中华人民共和国政府采购法》第二十二条第一款的条件（由供应商在《政府采购投标及履约承诺函》中作出声明）。 （6）未被列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单（由供应商在《政府采购投标及履约承诺函》中作出声明）。 注：“信用中国”、“中国政府采购网”、“深圳信用网”以及“深圳市政府采购监管网”为供应商信用信息的查询渠道，相关信息以开标当日的查询结果为准。 （7）本项目的特定资格要求：无。 三、获取招标文件 时间：2022年11月22日00时01分 至2022年11月28日23时59分（北京时间）。 地点：登录深圳政府采购智慧平台（http://zfcg.szggzy.com:8081/）下载本项目的招标文件。 方式：在线下载。 售价：免费。 凡已注册的深圳市网上政府采购供应商，按照授予的操作权限，可登录深圳政府采购智慧平台（http://zfcg.szggzy.com:8081/）下载本项目的招标文件。投标人如确定参加投标，首先要在深圳政府采购智慧平台网上办事子系统（http://zfcg.szggzy.com:8081/TPBidder/memberLogin）网上报名投标，方法为在网上办事子系统后点击“【招标公告】→【我要报名】”；如果网上报名后上传了投标文件，又不参加投标，应再到【我的项目】→【项目流程】→【递交投标(应答)文件】功能点中进行“【撤回本次投标】”操作；如果是未注册为深圳政府采购的供应商，请访问深圳公共资源交易中心（http://www.szzfcg.cn/）,先办理注册手续（注册咨询：83938966），后办理密钥（电子密钥咨询：83948165 4008301330 ），并前往深圳公共资源交易中心（深圳交易集团有限公司政府采购业务分公司）绑定深圳政府采购智慧平台用户（地址：深圳市福田区景田东路70号雅枫国际酒店北侧二楼市政府采购业务窗口服务大厅），再进行投标报名。在网上报名后，点击“【我的项目】→【项目流程】→【采购文件下载】”进行招标文件的下载。 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 1.投标截止时间：所有投标文件应于2022年12月05日14时00分（北京时间）之前上传到深圳政府采购智慧平台（http://zfcg.szggzy.com:8081/）。具体操作为登录“深圳政府采购智慧平台用户网上办事子系统（http://zfcg.szggzy.com:8081/TPBidder/memberLogin）”，用“【我的项目】→【项目流程】→【递交投标(应答)文件】”功能点上传投标文件。本项目电子投标文件最大容量为100MB，超过此容量的文件将被拒绝。 2.开标时间和地点：定于2022年12月05日14时00分（北京时间），在深圳政府采购智慧平台公开开标。供应商可以登录“深圳政府采购智慧平台用户网上办事子系统（http://zfcg.szggzy.com:8081/TPBidder/memberLogin）”，在“【我的项目】→【项目流程】→【开标及解密】”进行在线解密、查询开标情况。 3.在线解密：投标人须在开标当日14:00-14:30（北京时间）期间进行解密，逾期未解密的作无效处理。解密方法：登录“深圳政府采购智慧平台用户网上办事子系统（http://zfcg.szggzy.com:8081/TPBidder/memberLogin）”，使用本单位制作电子投标文件同一个电子密钥，在“【我的项目】→【项目流程】→【开标及解密】”进行在线解密、查询开标情况。） 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 1.本项目实行网上投标，采用电子投标文件。 2.采购文件澄清/修改事项：2022年11月30日17时00分（北京时间）前，供应商如果认为采购文件存在不明确、不清晰和前后不一致等问题，可登录深圳公共资源交易中心网（http://zfcg.szggzy.com:8081/）→“深圳政府采购智慧平台用户网上办事子系统（http://zfcg.szggzy.com:8081/TPBidder/memberLogin）”，在“【我的项目】→【项目流程】→【提问】”功能点中填写需澄清内容。2022年12月02日17时00分（北京时间）前将采购文件澄清/修改情况在“【我的项目】→【项目流程】→【答疑澄清文件下载】”中公布，望投标人予以关注。 （重要提示：“提出采购文件澄清要求”不等同于“对采购文件质疑”，供应商提出的澄清要求内容如出现“质疑”字眼，将予以退回。供应商如认为采购文件存在限制性、倾向性、其权益受到损害，应在采购文件公布之日起七个工作日内以线下方式向我公司递交提出书面质疑函。根据《深圳经济特区政府采购条例》第四十二条“供应商投诉的事项应当是经过质疑的事项”的规定，未经正式质疑的，将影响供应商行使向财政部门提起投诉的权利。） 3.本招标公告及本项目招标文件所涉及的时间一律为北京时间。投标人有义务在招标活动期间浏览深圳公共资源交易网（www.szggzy.com），在深圳公共资源交易网上公布的与本次招标项目有关的信息视为已送达各投标人。 4.本项目不需要投标保证金。 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：南方科技大学 地 址：深圳市南山区西丽学苑大道1088号 联系方式：张老师 13910520071 2.采购代理机构信息 名 称：深圳市南科大资产经营管理有限公司 地 址：深圳市南山区学苑大道1001号南山智园A7栋11楼 联系方式：王老师 0755-88012180 3.项目联系方式 项目联系人：赵老师 电 话：0755-88012181 深圳市南科大资产经营管理有限公司 2022年11月21日 [SZDL2022002186-A]物理物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目.pdf SZDL2022002186-A物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目采购公告.pdf [SZDL2022002186-A]物理物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目.szczf 附录.中小企业及残疾人福利性单位相关文件.zip [SZDL2022002186-A]物理物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目.docx

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东南大学理科平台异质集成表界面原位制备与表征系统采购项目公开招标公告 江苏省-南京市-鼓楼区 状态：公告 更新时间： 2024-08-26 项目概况 东南大学理科平台异质集成表界面原位制备与表征系统采购项目 招标项目的潜在投标人应在e交易平台（以下简称平台）网址为：https://www.ejy365.com获取招标文件，并于2024年09月19日 09点30分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：JC203224K32139 项目名称：东南大学理科平台异质集成表界面原位制备与表征系统采购项目 预算金额：1950.000000 万元（人民币） 最高限价（如有）：1950.000000 万元（人民币） 采购需求： 项目地点：东南大学九龙湖校区 项目概况：优势理科学科交叉平台异质集成表界面原位制备与表征系统1套，主要包括Ⅲ-Ⅴ族半导体材料分子束外延制备腔、二维材料分子束外延制备腔、高真空UFO传样腔和快速进样腔、液氮循环系统、多气体温和等离子体处理模块、多波长半导体光电芯片表征模块等六个子模块，并且可进行真空互联。在超高真空的环境下，实现材料的生长、调控及原位表征。 不接受进口产品投标，技术参数详见招标文件。 合同履行期限：合同签订后12个月内设备安装调试合格。 本项目( 不接受 )联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 无 3.本项目的特定资格要求：3.1满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定；（1）具有独立承担民事责任的能力（提供法人或者其他组织的营业执照；供应商为自然人的，提供其身份证）； （2）具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度（提供2023年度的财务报告，或投标截止时间前六个月内银行出具的资信证明；（3）具有履行合同所必需的设备和专业技术能力（供应商根据履行采购项目合同需要，提供履行合同所必需的设备和专业技术能力的证明材料）；（4）有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录（提供参加本次政府采购活动前半年内至少一个月：提供缴纳税收的凭证；提供缴纳社会保险的凭据（专用收据或社会保险缴纳清单）），依法享受免缴、缓缴的，提供证明材料；（5）参加政府采购活动前三年内，在经营活动中没有重大违法记录（提供承诺书）；（6）法律、行政法规规定的其他条件：无3.2落实政府采购政策需满足的资格要求：无。3.3采购人根据采购项目的特殊要求规定的特定条件，并提供符合特殊要求的证明材料或者情况说明：无。3.4第3.1（5）条所称重大违法记录，是指供应商因违法经营受到刑事处罚或者责令停产停业、吊销许可证或者执照、较大数额罚款等行政处罚。3.5 供应商在参加政府采购活动前3年内因违法经营被禁止在一定期限内参加政府采购活动，期限届满的，可以参加政府采购活动。3.6单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商，不得参加同一合同项下的政府采购活动。为采购项目提供整体设计、规范编制或者项目管理、监理、检测等服务的供应商，不得再参加该采购项目的其他采购活动。3.7拒绝列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单及其他不符合《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定条件的供应商参与政府采购活动。采购人或者采购代理机构在进行资格审查的同时，依法通过“中国政府采购网”、“信用中国”网站等渠道查询投标人信用记录并保存。 三、获取招标文件 时间：2024年08月26日 至 2024年09月02日，每天上午9:00至12:00，下午14:00至17:30。（北京时间，法定节假日除外） 地点：e交易平台（以下简称平台）网址为：https://www.ejy365.com 方式：（1）凡有意参加投标者，请于获取时间内登陆e交易平台按照要求进行实名会员注册、完善相关信息及选择项目报名、下载招标文件，平台网址为：http://www.ejy365.com。下载者首次登陆平台前，须前往平台免费注册，注册成功且完善相关信息后，可以及时参与平台上所有发布的项目。 （2）下载者应充分考虑平台注册、信息检查、资料上传、购标确认、费用支付所需时间，下载者必须在获取时间内完成支付，否则将无法保证获取招标文件。未按照本公告要求获得本项目招标文件的，招标代理机构不予接收其投标文件。 （3）下载者需要发票的，须通过平台“资金管理”模块进行操作。招标文件服务费发票由招标代理机构开具；下载者选择开具增值税普通发票的，可在”资金管理--标书费电子发票”下载增值税电子普通发票；选择开具增值税专用发票的，可在”资金管理--专用发票申请”中填写相关信息；平台服务费发票由江苏易交易信息科技有限公司开具。非因招标代理机构或平台原因，发票一经开具不予退换。 （4）平台网站首页“帮助中心”提供操作手册，下载者可以下载并根据操作手册提示进行注册、登录等操作。易交易平台技术支持联系方式 供应商技术支持热线：400-828-0799（工作时间：9:00-11:30,13:30-19:00） 供应商项目参与操作说明：https://www.ejy365.com/upload/link/2022/08/30/48e1dd12-5050-4bbf-bfc9-a0d7a037ba1c.pdf 技术支持服务态度不满意投诉热线：400-828-0799转0。 （5）联合体投标（如允许）的，联合体各方应当指定牵头人，并授权其以自身名义在平台办理注册、下载文件、缴纳保证金等手续，其在平台的办理行为，对联合体各方均具有约束力。 售价：￥400.0 元，本公告包含的招标文件售价总和 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2024年09月19日 09点30分（北京时间） 开标时间：2024年09月19日 09点30分（北京时间） 地点：南京市鼓楼区清江南路18号鼓楼创新广场D栋11楼开标2室投标人前来投标的授权代表，必须为本单位员工，需提供投标人为其缴纳的截止至投标截止时间前3个月（2024年4月-6月）的社保缴纳证明材料。投标人因故未出席开标会的，视同同意本项目开标结果。 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 1 本项目在中国政府采购网网站发布公告。 2 投标人应当从采购代理机构合法获得招标项目的招标文件。本次招标请按“标段”获取招标文件，编制、提交投标文件，并按“标段”开标、评标。 3 勘察现场：无。 4 投标人应提供投标文件一式伍份（正本壹份、副本肆份），所有投标文件均应密封后递交，同时应提供电子版投标文件壹份（电子版须为投标文件正本加盖公章、签字后形成PDF扫描件，扫描件内容应与纸质投标文件正本完全一致、U盘形式（单独封装）、随纸质正本文件一并提交）。当电子版文件和纸质正本文件不一致时，以纸质正本文件为准。电子版文件用于辅助评标和平台存档，投标人需承担前述不一致造成的不利后果。 5 行业划分：工业 6 本项目(非专门)面向中小企业采购。 7 本项目(非专门)面向监狱企业采购。 8 本项目(非专门)面向残疾人福利性单位采购。 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：东南大学 地址：南京市四牌楼2号 联系方式：物理学院：赵老师，电话：18306035822； 实验室与设备管理处：刘老师，电话：025-83792693 2.采购代理机构信息 名 称：江苏省设备成套股份有限公司 地 址：南京市鼓楼区清江南路18号鼓楼创新广场D座9楼902室 联系方式：李晨娟、褚燕琳 025-86636850、025-86631092 3.项目联系方式 项目联系人：李晨娟、褚燕琳 电 话： 025-86636850、025-86631092 × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 $('.clickModel').click(function () { $('.modelDiv').show() }) $('.closeModel').click(function () { $('.modelDiv').hide() }) 基本信息 关键内容：激光脉冲沉积 开标时间：2024-09-19 09:30 预算金额：1950.00万元 采购单位：东南大学 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：江苏省设备成套股份有限公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 东南大学理科平台异质集成表界面原位制备与表征系统采购项目公开招标公告 江苏省-南京市-鼓楼区 状态：公告 更新时间： 2024-08-26 项目概况 东南大学理科平台异质集成表界面原位制备与表征系统采购项目 招标项目的潜在投标人应在e交易平台（以下简称平台）网址为：https://www.ejy365.com获取招标文件，并于2024年09月19日 09点30分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：JC203224K32139 项目名称：东南大学理科平台异质集成表界面原位制备与表征系统采购项目 预算金额：1950.000000 万元（人民币） 最高限价（如有）：1950.000000 万元（人民币） 采购需求： 项目地点：东南大学九龙湖校区 项目概况：优势理科学科交叉平台异质集成表界面原位制备与表征系统1套，主要包括Ⅲ-Ⅴ族半导体材料分子束外延制备腔、二维材料分子束外延制备腔、高真空UFO传样腔和快速进样腔、液氮循环系统、多气体温和等离子体处理模块、多波长半导体光电芯片表征模块等六个子模块，并且可进行真空互联。在超高真空的环境下，实现材料的生长、调控及原位表征。 不接受进口产品投标，技术参数详见招标文件。 合同履行期限：合同签订后12个月内设备安装调试合格。 本项目( 不接受 )联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 无 3.本项目的特定资格要求：3.1满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定；（1）具有独立承担民事责任的能力（提供法人或者其他组织的营业执照；供应商为自然人的，提供其身份证）； （2）具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度（提供2023年度的财务报告，或投标截止时间前六个月内银行出具的资信证明；（3）具有履行合同所必需的设备和专业技术能力（供应商根据履行采购项目合同需要，提供履行合同所必需的设备和专业技术能力的证明材料）；（4）有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录（提供参加本次政府采购活动前半年内至少一个月：提供缴纳税收的凭证；提供缴纳社会保险的凭据（专用收据或社会保险缴纳清单）），依法享受免缴、缓缴的，提供证明材料；（5）参加政府采购活动前三年内，在经营活动中没有重大违法记录（提供承诺书）；（6）法律、行政法规规定的其他条件：无3.2落实政府采购政策需满足的资格要求：无。3.3采购人根据采购项目的特殊要求规定的特定条件，并提供符合特殊要求的证明材料或者情况说明：无。3.4第3.1（5）条所称重大违法记录，是指供应商因违法经营受到刑事处罚或者责令停产停业、吊销许可证或者执照、较大数额罚款等行政处罚。3.5 供应商在参加政府采购活动前3年内因违法经营被禁止在一定期限内参加政府采购活动，期限届满的，可以参加政府采购活动。3.6单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商，不得参加同一合同项下的政府采购活动。为采购项目提供整体设计、规范编制或者项目管理、监理、检测等服务的供应商，不得再参加该采购项目的其他采购活动。3.7拒绝列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单及其他不符合《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定条件的供应商参与政府采购活动。采购人或者采购代理机构在进行资格审查的同时，依法通过“中国政府采购网”、“信用中国”网站等渠道查询投标人信用记录并保存。 三、获取招标文件 时间：2024年08月26日 至 2024年09月02日，每天上午9:00至12:00，下午14:00至17:30。（北京时间，法定节假日除外） 地点：e交易平台（以下简称平台）网址为：https://www.ejy365.com 方式：（1）凡有意参加投标者，请于获取时间内登陆e交易平台按照要求进行实名会员注册、完善相关信息及选择项目报名、下载招标文件，平台网址为：http://www.ejy365.com。下载者首次登陆平台前，须前往平台免费注册，注册成功且完善相关信息后，可以及时参与平台上所有发布的项目。 （2）下载者应充分考虑平台注册、信息检查、资料上传、购标确认、费用支付所需时间，下载者必须在获取时间内完成支付，否则将无法保证获取招标文件。未按照本公告要求获得本项目招标文件的，招标代理机构不予接收其投标文件。 （3）下载者需要发票的，须通过平台“资金管理”模块进行操作。招标文件服务费发票由招标代理机构开具；下载者选择开具增值税普通发票的，可在”资金管理--标书费电子发票”下载增值税电子普通发票；选择开具增值税专用发票的，可在”资金管理--专用发票申请”中填写相关信息；平台服务费发票由江苏易交易信息科技有限公司开具。非因招标代理机构或平台原因，发票一经开具不予退换。 （4）平台网站首页“帮助中心”提供操作手册，下载者可以下载并根据操作手册提示进行注册、登录等操作。易交易平台技术支持联系方式 供应商技术支持热线：400-828-0799（工作时间：9:00-11:30,13:30-19:00） 供应商项目参与操作说明：https://www.ejy365.com/upload/link/2022/08/30/48e1dd12-5050-4bbf-bfc9-a0d7a037ba1c.pdf 技术支持服务态度不满意投诉热线：400-828-0799转0。 （5）联合体投标（如允许）的，联合体各方应当指定牵头人，并授权其以自身名义在平台办理注册、下载文件、缴纳保证金等手续，其在平台的办理行为，对联合体各方均具有约束力。 售价：￥400.0 元，本公告包含的招标文件售价总和 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2024年09月19日 09点30分（北京时间） 开标时间：2024年09月19日 09点30分（北京时间） 地点：南京市鼓楼区清江南路18号鼓楼创新广场D栋11楼开标2室投标人前来投标的授权代表，必须为本单位员工，需提供投标人为其缴纳的截止至投标截止时间前3个月（2024年4月-6月）的社保缴纳证明材料。投标人因故未出席开标会的，视同同意本项目开标结果。 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 1 本项目在中国政府采购网网站发布公告。 2 投标人应当从采购代理机构合法获得招标项目的招标文件。本次招标请按“标段”获取招标文件，编制、提交投标文件，并按“标段”开标、评标。 3 勘察现场：无。 4 投标人应提供投标文件一式伍份（正本壹份、副本肆份），所有投标文件均应密封后递交，同时应提供电子版投标文件壹份（电子版须为投标文件正本加盖公章、签字后形成PDF扫描件，扫描件内容应与纸质投标文件正本完全一致、U盘形式（单独封装）、随纸质正本文件一并提交）。当电子版文件和纸质正本文件不一致时，以纸质正本文件为准。电子版文件用于辅助评标和平台存档，投标人需承担前述不一致造成的不利后果。 5 行业划分：工业 6 本项目(非专门)面向中小企业采购。 7 本项目(非专门)面向监狱企业采购。 8 本项目(非专门)面向残疾人福利性单位采购。 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：东南大学 地址：南京市四牌楼2号 联系方式：物理学院：赵老师，电话：18306035822； 实验室与设备管理处：刘老师，电话：025-83792693 2.采购代理机构信息 名 称：江苏省设备成套股份有限公司 地 址：南京市鼓楼区清江南路18号鼓楼创新广场D座9楼902室 联系方式：李晨娟、褚燕琳 025-86636850、025-86631092 3.项目联系方式 项目联系人：李晨娟、褚燕琳 电 话： 025-86636850、025-86631092

薄膜沉积是半导体制造工艺中的一个非常重要的技术，其是一连串涉及原子的吸附、吸附原子在表面扩散及在适当的位置下聚结，以渐渐形成薄膜并成长的过程。在一个新晶圆投资建设中，晶圆厂80%的投资用于购买设备。其中，薄膜沉积设备是晶圆制造的核心步骤之一，占据着约25%的比重。薄膜沉积工艺主要分为物理气相沉积和化学气相沉积两类。物理气相沉积(Physical Vapour Deposition，PVD)技术指在真空条件下，采用物理方法，将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积原理可大致分为蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀，具体又包含有MBE等各种镀膜技术。发展到目前，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。随着技术的发展，PVD技术也不断推陈出新，出现了很多针对某几种用途的专门技术，在此特为大家盘点介绍各种PVD技术。真空蒸发镀膜技术真空蒸发(Vacuum Evaporation) 镀膜是在真空条件下，用蒸发器加热蒸发物质，使之升华，蒸发粒子流直接射向基片，并在基片上沉积形成固态薄膜，或加热蒸发镀膜材料的真空镀膜方法。其物理过程为：采用几种能源方式转换成热能，加热镀料使之蒸发或升华，成为具有一定能量(0.1~0.3eV) 的气态粒子(原子、分子或原子团)；离开镀料表面，具有相当运动速度的气态粒子以基本上无碰撞的直线飞行输运到基体表面；到达基体表面的气态粒子凝聚形核生长成固相薄膜；组成薄膜的原子重组排列或产生化学键合。电子束蒸镀技术电子束蒸镀（Electron Beam Evaporation）是物理气相沉积的一种。与传统蒸镀方式不同，电子束蒸镀利用电磁场的配合可以精准地实现利用高能电子轰击坩埚内靶材，使之融化进而沉积在基片上。电子束蒸镀常用来制备Al、CO、Ni、Fe的合金或氧化物膜，SiO2、ZrO2膜，抗腐蚀和耐高温氧化膜。电子束蒸镀与利用电阻进行蒸镀最大的优势在于：可以为待蒸发的物质提供更高的热量，因此蒸镀的速率也更快；电子束定位准确，可以避免坩埚材料的蒸发和污染。但是由于蒸镀过程中需要持续水冷，对能量的利用率不高；而且由于高能电子可能带来的二次电子可能使残余的气体分子电离，也有可能带来污染。此外，大多数的化合物薄膜在被高能电子轰击时会发生分解，这影响了薄膜的成分和结构溅射镀膜技术溅射镀膜技术是用离子轰击靶材表面，把靶材的原子被击出的现象称为溅射。溅射产生的原子沉积在基体表面成膜称为溅射镀膜。通常是利用气体放电产生气体电离，其正离子在电场作用下高速轰击阴极靶体，击出阴极靶体原子或分子，飞向被镀基体表面沉积成薄膜。射频溅射技术射频溅射是溅射镀膜技术的一种。用交流电源代替直流电源就构成了交流溅射系统，由于常用的交流电源的频率在射频段，如13.56MHz，所以称为射频溅镀。在直流射频装置中，如果使用绝缘材料靶，轰击靶面的正离子会在靶面上累积，使其带正电，靶电位从而上升，使得电极间的电场逐渐变小，直至辉光放电熄灭和溅射停止。所以直流溅射装置不能用来溅射沉积绝缘介质薄膜。磁控溅射技术磁控溅射技术属于PVD（物理气相沉积）技术的一种，是制备薄膜材料的重要方法之一。它是利用带电荷的粒子在电场中加速后具有一定动能的特点，将离子引向被溅射的物质制成的靶电极（阴极），并将靶材原子溅射出来使其沿着一定的方向运动到衬底并在衬底上沉积成膜的方法。磁控溅射设备使得镀膜厚度及均匀性可控，且制备的薄膜致密性好、粘结力强及纯净度高。该技术已经成为制备各种功能薄膜的重要手段。离子镀膜技术离子镀是在真空蒸发镀和溅射镀膜的基础上发展起来的一种镀膜新技术，将各种气体放电方式引入到气相沉积领域，整个气相沉积过程都是在等离子体中进行，其中包括磁控溅射离子镀、反应离子镀、空心阴极放电离子镀（空心阴极蒸镀法）、多弧离子镀（阴极电弧离子镀）等。离子镀大大提高了膜层粒子能量，可以获得更优异性能的膜层，扩大了“薄膜”的应用领域。是一项发展迅速、受人青睐的新技术。广义来讲，离子镀膜的特点是：镀膜时，工件（基片）带负偏压，工件始终受高能离子的轰击。形成膜层的膜基结合力好、膜层的绕镀性好、膜层组织可控参数多、膜层粒子总体能量高，容易进行反应沉积，可以在较低温度下获得化合物膜层。多弧离子镀(MAIP)多弧离子镀是采用电弧放电的方法，在固体的阴极靶材上直接蒸发金属，蒸发物是从阴极弧光辉点放出的阴极物质的离子，从而在基材表面沉积成为薄膜的方法。多弧离子镀与一般的离子镀有着很大的区别。多弧离子镀采用的是弧光放电，而并不是传统离子镀的辉光放电进行沉积。简单的说，多弧离子镀的原理就是把阴极靶作为蒸发源，通过靶与阳极壳体之间的弧光放电，使靶材蒸发，从而在空间中形成等离子体，对基体进行沉积。分子束外延（MBE）分子束外延（MBE）是新发展起来的外延制膜方法，是一种在晶体基片上生长高质量的晶体薄膜的新技术。在超高真空条件下，由装有各种所需组分的炉子加热而产生的蒸气，经小孔准直后形成的分子束或原子束，直接喷射到适当温度的单晶基片上，同时控制分子束对衬底扫描，就可使分子或原子按晶体排列一层层地“长”在基片上形成薄膜。该技术的优点是：使用的衬底温度低，膜层生长速率慢，束流强度易于精确控制，膜层组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调整。用这种技术已能制备薄到几十个原子层的单晶薄膜，以及交替生长不同组分、不同掺杂的薄膜而形成的超薄层量子显微结构材料。分子束外延不仅可用来制备现有的大部分器件，而且也可以制备许多新器件，包括其它方法难以实现的，如借助原子尺度膜厚控制而制备的超晶格结构高电子迁移率晶体管和多量子阱型激光二极管等。我们在公车上看到的车站预告板，在体育场看到的超大显示屏，其发光元件就是由分子束外延制造的。脉冲激光沉积（PLD）脉冲激光沉积（Pulsed Laser Deposition，PLD），也被称为脉冲激光烧蚀（pulsed laser ablation，PLA），是一种利用激光对物体进行轰击，然后将轰击出来的物质沉淀在不同的衬底上，得到沉淀或者薄膜的一种手段。由脉冲激光沉积技术的原理、特点可知，它是一种极具发展潜力的薄膜制备技术。随着辅助设备和工艺的进一步优化，将在半导体薄膜、超晶格、超导、生物涂层等功能薄膜的制备方面发挥重要的作用；并能加快薄膜生长机理的研究和提高薄膜的应用水平，加速材料科学和凝聚态物理学的研究进程。同时也为新型薄膜的制备提供了一种行之有效的方法。激光分子束外延（L-MBE）激光分子束外延技术（L-MBE）是近年来发展起来的一项新型薄膜制备技术，是将分子束外延技术与脉冲激光沉积技术的有机结合，在分子束外延条件下激光蒸发镀膜的技术。L- MBE结合了PLD的高瞬时沉积速率（不需要考虑成分挥发时的热平衡问题等等）及MBE的实时检测功能，是一种改良的MBE方法。近年来，薄膜技术和薄膜材料的发展突飞猛进，成果显著，在原有基础上，相继出现了离子束增强沉积技术、电火花沉积技术、电子束物理气相沉积技术和多层喷射沉积技术等。目前，芯片制造过程中关键的PVD设备主要包括硬掩膜（Hard Mask ）PVD设备、铜互联（CuBS）PVD 以及铝衬垫（Al PAD）PVD，主要使用溅射镀膜技术。目前，主流物理气相沉积厂商包括，北方华创、合肥科晶、中科科仪、SPTS、ULVAC、Applied Materials、Optorun、那诺-马斯特、IHI Corporation、Lam Research、Semicore Equipment、Veeco Instruments、Oerlikon Balzers、Mustang Vacuum Systems、Singulus Technologies、KurtJ.Lesker、博远微纳、汇成真空、佛欣真空、北京丹普、九鼎精密、意力博通、CHA Industries、Angstrom Engineering、Denton Vacuum、Mantis、沈阳科学仪器有限公司等。更多仪器请查看以下专场【物理气相沉积】、【激光脉冲沉积】、【分子束外延】。

详细信息 中国科学院光电技术研究所2022年度国家重点实验室专项采购项目（第一批）（包2）公开招标公告 四川省-成都市-武侯区 状态：公告 更新时间： 2022-09-24 招标文件: 附件1 中国科学院光电技术研究所2022年度国家重点实验室专项采购项目（第一批）（包2）公开招标公告 2022年09月23日 17:54 公告信息： 采购项目名称 中国科学院光电技术研究所2022年度国家重点实验室专项采购项目（第一批）（包2） 品目 货物/专用设备/专用仪器仪表/其他专用仪器仪表 采购单位 中国科学院光电技术研究所 行政区域 成都市 公告时间 2022年09月23日 17:54 获取招标文件时间 2022年09月23日至2022年10月08日每日上午:9:00 至 12:00 下午:13:30 至 17:00（北京时间，法定节假日除外） 招标文件售价 ￥500 获取招标文件的地点 四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室 开标时间 2022年10月17日 14:00 开标地点 四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室 预算金额 ￥800.000000万元（人民币） 联系人及联系方式： 项目联系人 万女士 项目联系电话 028-86623861转8038 采购单位 中国科学院光电技术研究所 采购单位地址 中国四川省成都双流西航港光电大道1号 采购单位联系方式 戴老师，028-85100314 代理机构名称 五矿国际招标有限责任公司 代理机构地址 北京市海淀区三里河路5号五矿大厦D座二层，四川分公司地址：四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室 代理机构联系方式 万女士，028-86623861转8038 附件： 附件1 采购需求包2.docx 项目概况 中国科学院光电技术研究所2022年度国家重点实验室专项采购项目（第一批）（包2） 招标项目的潜在投标人应在四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室获取招标文件，并于2022年10月17日 14点00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：0716-224SCC911581 项目名称：中国科学院光电技术研究所2022年度国家重点实验室专项采购项目（第一批）（包2） 预算金额：800.0000000 万元（人民币） 最高限价（如有）：785.0000000 万元（人民币） 采购需求： 序号 设备名称 数量 买方名称 交货地点 交货期 1 分子束外延生长设备 1套 中国科学院光电技术研究所 中国四川省成都双流西航港光电大道1号 合同签订后12个月内 合同履行期限：合同签订后12个月内 本项目( 不接受 )联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 无 3.本项目的特定资格要求：1）如果投标人按照合同提供的货物不是投标人自己制造的，投标人应得到：A、货物制造商或货物制造商在中国地区合法授权机构同意其在本次投标中提供该货物的正式授权书原件（格式见《招标文件》第一册格式Ⅳ-9-4），或；B、中国区总代理同意其在本次投标中提供该货物的正式授权书原件（格式见《招标文件》第一册格式Ⅳ-9-4），同时还须提供货物制造商对中国区总代理的授权书复印件，或；C、项目所在区域代理同意其在本次投标中提供该货物的正式授权书原件（格式见《招标文件》第一册格式Ⅳ-9-4），同时还须提供货物制造商对项目所在区域代理的授权书复印件，或货物制造商对中国区总代理的授权书复印件及中国区总代理对项目所在区域代理的授权书复印件。2）国内的投标人需提供工商行政管理局认定的企业营业执照副本（复印件）。3）投标人应具备同类分子束外延生长设备在中国境内≥5台的销售业绩，并提供销售合同及验收报告，具备同类分子束外延生长设备在全球≥10台的销售业绩，并提供真实有效的客户清单，如后续验证业绩虚假，取消中标资格。4）投标人应当提供开标日前3个月内由其开立基本账户的银行开具的银行资信证明原件或复印件。5）其它资格证明文件：A.投标人自己具有能接收外币的银行账户，并提供承诺书，同时在承诺书中提供账户账号等信息。B.提供承诺书（详见附件2），承诺投标人、投标产品制造商与招标人不存在影响招标公正性的利害关系；投标人未参与项目前期咨询及招标文件编制工作；投标人与其他投标人单位负责人不为同一人、也不存在控股、管理关系。 三、获取招标文件 时间：2022年09月23日 至 2022年10月08日，每天上午9:00至12:00，下午13:30至17:00。（北京时间，法定节假日除外） 地点：四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室 方式：邮件报名（请将报名资料以扫描件的形式发送至电子邮箱：swtendering@126.com，并在邮件中注明联系方式）。获取招标文件时，投标人为法人或者其他组织的，只需提供单位介绍信、经办人身份证明、标书款付款凭证；投标人为自然人的，只需提供本人身份证明、标书款付款凭证。本项目标书款不收取现金，投标人须将标书款转账至我分公司账户，账户信息如下：公司名称：五矿国际招标有限责任公司四川分公司 账户：中国工商银行北京首都体育馆支行 账号：9558 8502 0000 0601 208。 售价：￥500.0 元，本公告包含的招标文件售价总和 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2022年10月17日 14点00分（北京时间） 开标时间：2022年10月17日 14点00分（北京时间） 地点：四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 本项目采购产品为进口机电产品，采用国际招标的方式进行采购，公告内容以机电产品招标投标电子交易平台上的内容为准。 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：中国科学院光电技术研究所 地址：中国四川省成都双流西航港光电大道1号 联系方式：戴老师，028-85100314 2.采购代理机构信息 名 称：五矿国际招标有限责任公司 地 址：北京市海淀区三里河路5号五矿大厦D座二层，四川分公司地址：四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室 联系方式：万女士，028-86623861转8038 3.项目联系方式 项目联系人：万女士 电 话： 028-86623861转8038 × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 基本信息 关键内容：激光脉冲沉积 开标时间：2022-10-17 14:00 预算金额：800.00万元 采购单位：中国科学院光电技术研究所 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：五矿国际招标有限责任公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 中国科学院光电技术研究所2022年度国家重点实验室专项采购项目（第一批）（包2）公开招标公告 四川省-成都市-武侯区 状态：公告 更新时间： 2022-09-24 招标文件: 附件1 中国科学院光电技术研究所2022年度国家重点实验室专项采购项目（第一批）（包2）公开招标公告 2022年09月23日 17:54 公告信息： 采购项目名称 中国科学院光电技术研究所2022年度国家重点实验室专项采购项目（第一批）（包2） 品目 货物/专用设备/专用仪器仪表/其他专用仪器仪表 采购单位 中国科学院光电技术研究所 行政区域 成都市 公告时间 2022年09月23日 17:54 获取招标文件时间 2022年09月23日至2022年10月08日每日上午:9:00 至 12:00 下午:13:30 至 17:00（北京时间，法定节假日除外） 招标文件售价 ￥500 获取招标文件的地点 四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室 开标时间 2022年10月17日 14:00 开标地点 四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室 预算金额 ￥800.000000万元（人民币） 联系人及联系方式： 项目联系人 万女士 项目联系电话 028-86623861转8038 采购单位 中国科学院光电技术研究所 采购单位地址 中国四川省成都双流西航港光电大道1号 采购单位联系方式 戴老师，028-85100314 代理机构名称 五矿国际招标有限责任公司 代理机构地址 北京市海淀区三里河路5号五矿大厦D座二层，四川分公司地址：四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室 代理机构联系方式 万女士，028-86623861转8038 附件： 附件1 采购需求包2.docx 项目概况 中国科学院光电技术研究所2022年度国家重点实验室专项采购项目（第一批）（包2） 招标项目的潜在投标人应在四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室获取招标文件，并于2022年10月17日 14点00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：0716-224SCC911581 项目名称：中国科学院光电技术研究所2022年度国家重点实验室专项采购项目（第一批）（包2） 预算金额：800.0000000 万元（人民币） 最高限价（如有）：785.0000000 万元（人民币） 采购需求： 序号 设备名称 数量 买方名称 交货地点 交货期 1 分子束外延生长设备 1套 中国科学院光电技术研究所 中国四川省成都双流西航港光电大道1号 合同签订后12个月内 合同履行期限：合同签订后12个月内 本项目( 不接受 )联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 无 3.本项目的特定资格要求：1）如果投标人按照合同提供的货物不是投标人自己制造的，投标人应得到：A、货物制造商或货物制造商在中国地区合法授权机构同意其在本次投标中提供该货物的正式授权书原件（格式见《招标文件》第一册格式Ⅳ-9-4），或；B、中国区总代理同意其在本次投标中提供该货物的正式授权书原件（格式见《招标文件》第一册格式Ⅳ-9-4），同时还须提供货物制造商对中国区总代理的授权书复印件，或；C、项目所在区域代理同意其在本次投标中提供该货物的正式授权书原件（格式见《招标文件》第一册格式Ⅳ-9-4），同时还须提供货物制造商对项目所在区域代理的授权书复印件，或货物制造商对中国区总代理的授权书复印件及中国区总代理对项目所在区域代理的授权书复印件。2）国内的投标人需提供工商行政管理局认定的企业营业执照副本（复印件）。3）投标人应具备同类分子束外延生长设备在中国境内≥5台的销售业绩，并提供销售合同及验收报告，具备同类分子束外延生长设备在全球≥10台的销售业绩，并提供真实有效的客户清单，如后续验证业绩虚假，取消中标资格。4）投标人应当提供开标日前3个月内由其开立基本账户的银行开具的银行资信证明原件或复印件。5）其它资格证明文件：A.投标人自己具有能接收外币的银行账户，并提供承诺书，同时在承诺书中提供账户账号等信息。B.提供承诺书（详见附件2），承诺投标人、投标产品制造商与招标人不存在影响招标公正性的利害关系；投标人未参与项目前期咨询及招标文件编制工作；投标人与其他投标人单位负责人不为同一人、也不存在控股、管理关系。 三、获取招标文件 时间：2022年09月23日 至 2022年10月08日，每天上午9:00至12:00，下午13:30至17:00。（北京时间，法定节假日除外） 地点：四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室 方式：邮件报名（请将报名资料以扫描件的形式发送至电子邮箱：swtendering@126.com，并在邮件中注明联系方式）。获取招标文件时，投标人为法人或者其他组织的，只需提供单位介绍信、经办人身份证明、标书款付款凭证；投标人为自然人的，只需提供本人身份证明、标书款付款凭证。本项目标书款不收取现金，投标人须将标书款转账至我分公司账户，账户信息如下：公司名称：五矿国际招标有限责任公司四川分公司 账户：中国工商银行北京首都体育馆支行 账号：9558 8502 0000 0601 208。 售价：￥500.0 元，本公告包含的招标文件售价总和 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2022年10月17日 14点00分（北京时间） 开标时间：2022年10月17日 14点00分（北京时间） 地点：四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 本项目采购产品为进口机电产品，采用国际招标的方式进行采购，公告内容以机电产品招标投标电子交易平台上的内容为准。 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：中国科学院光电技术研究所 地址：中国四川省成都双流西航港光电大道1号 联系方式：戴老师，028-85100314 2.采购代理机构信息 名 称：五矿国际招标有限责任公司 地 址：北京市海淀区三里河路5号五矿大厦D座二层，四川分公司地址：四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室 联系方式：万女士，028-86623861转8038 3.项目联系方式 项目联系人：万女士 电 话： 028-86623861转8038

html, body { -webkit-user-select: text } * { padding: 0 margin: 0 } .web-box { width: 100% text-align: center } .wenshang { margin: 0 auto width: 80% text-align: center padding: 20px 10px 0 10px } .wenshang h2 { display: block color: #900 text-align: center padding-bottom: 10px border-bottom: 1px dashed #ccc font-size: 16px } .site a { text-decoration: none } .content-box { text-align: left margin: 0 auto width: 80% margin-top: 25px text-indent: 2em font-size: 14px line-height: 25px } .biaoge { margin: 0 auto /* width: 643px */ width: 100% margin-top: 25px } .table_content { border-top: 1px solid #e0e0e0 border-left: 1px solid #e0e0e0 font-family: Arial /* width: 643px */ width: 100% margin-top: 10px margin-left: 15px } .table_content tr td { line-height: 29px } .table_content .bg { background-color: #f6f6f6 } .table_content tr td { border-right: 1px solid #e0e0e0 border-bottom: 1px solid #e0e0e0 } .table-left { text-align: left padding-left: 20px } 详细信息 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所原位Mask器件级图案化分子束外延设备采购项目公开招标公告 江苏省-苏州市 状态：公告 更新时间： 2024-02-14 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所原位Mask器件级图案化分子束外延设备采购项目公开招标公告 2024年02月08日 12:18 公告信息： 采购项目名称 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所原位Mask器件级图案化分子束外延设备采购项目 品目 货物/设备/仪器仪表/其他仪器仪表 采购单位 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 行政区域 江苏省 公告时间 2024年02月08日 12:18 获取招标文件时间 2024年02月08日至2024年02月21日每日上午:9:00 至 12:00 下午:13:00 至 17:00（北京时间，法定节假日除外） 招标文件售价 ￥600 获取招标文件的地点 www.oitccas.com；北京市海淀区丹棱街1号互联网金融中心20层 开标时间 2024年02月29日 13:30 开标地点 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所A415会议室 预算金额 ￥550.000000万元（人民币） 联系人及联系方式： 项目联系人 郭宇涵、王军、李雯 项目联系电话 010-68290599 采购单位 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 采购单位地址 苏州工业园区若水路398号 采购单位联系方式 俞老师、赵老师；0512-62872525 代理机构名称 东方国际招标有限责任公司 代理机构地址 北京市海淀区丹棱街1号互联网金融中心20层 代理机构联系方式 郭宇涵、王军、李雯； 010-68290599， 010-68290530 附件： 附件1 1026.pdf 项目概况 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所原位Mask器件级图案化分子束外延设备采购项目 招标项目的潜在投标人应在www.oitccas.com；北京市海淀区丹棱街1号互联网金融中心20层获取招标文件，并于2024年02月29日 13点30分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：OITC-G240661026 项目名称：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所原位Mask器件级图案化分子束外延设备采购项目预算金额：550.000000 万元（人民币） 最高限价（如有）：550.000000 万元（人民币） 采购需求： 包号 货物名称 数量 （套） 是否允许采购进口产品 采购预算 1 原位Mask器件级图案化分子束外延设备 1 否 550万元 合同履行期限：合同签订后6个月内交货 本项目( 不接受 )联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 本项目不属于专门面向中小微企业、监狱企业、残疾人福利性单位采购的项目 3.本项目的特定资格要求：1） 投标人须符合《中华人民共和国政府采购法》第二十二条的规定；(具体为供应商参加政府采购活动应当具备下列条件：（一）具有独立承担民事责任的能力；（二）具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度；（三）具有履行合同所必需的设备和专业技术能力；（四）有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录；（五）参加政府采购活动前三年内，在经营活动中没有重大违法记录；（六）法律、行政法规规定的其他条件。)2） 投标人须在中华人民共和国境内合法注册、有法人资格并符合工商局或相关行业主管部门核准的经营范围或经营许可；3） 投标人按照招标公告要求购买了招标文件；4） 投标人不得为列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单的供应商。5） 为本项目提供整体设计、规范编制或者项目管理、监理、检测等服务的供应商，不得参加本项目投标；6） 投标单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商，不得参加同一合同项下的政府采购活动；7）本项目不接受联合体投标 三、获取招标文件 时间：2024年02月08日 至 2024年02月21日，每天上午9:00至12:00，下午13:00至17:00。（北京时间，法定节假日除外） 地点：www.oitccas.com；北京市海淀区丹棱街1号互联网金融中心20层 方式：登录“东方招标平台”http://www.oitccas.com注册并购买 售价：￥600.0 元，本公告包含的招标文件售价总和 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2024年02月29日 13点30分（北京时间） 开标时间：2024年02月29日 13点30分（北京时间） 地点：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所A415会议室 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 1、投标文件递交地点：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所A415会议室 2、招标文件采用网上电子发售购买方式： 1）登陆 东方招标 平台（http://www.oitccas.com/），点击 获取采购文件 链接图标，或直接输入访问地址（http://www.oitccas.com/pages/sign_in.html?page=mine）完成投标人注册手续（免费），然后登陆系统寻找有意向参与的项目，已注册的投标人无需重新注册。招标文件售价：每包人民币600 元。如决定购买招标文件，请完成标书款缴费及标书下载手续。 2）投标人可以电汇的形式支付标书款、保证金（应以公司名义汇款至下述指定账号）。 开户名称：东方国际招标有限责任公司 开户行：招商银行北京西三环支行 账 号：862081657710001 3）投标人应在平台上填写开票信息。在投标人足额缴纳标书款后，标书款电子发票将发送至投标人在平台上登记的电子邮箱，投标人自行下载打印。 3、以电汇方式购买招标文件和递交投标保证金的，须在电汇凭据附言栏中写明招标编号、包号及用途（如未标明招标编号，有可能导致投标无效）。 4、采购项目需要落实的政府采购政策： （1）政府采购促进中小企业发展 （2）政府采购支持监狱企业发展 （3）政府采购促进残疾人就业 （4）政府采购鼓励采购节能环保产品 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 地址：苏州工业园区若水路398号 联系方式：俞老师、赵老师；0512-62872525 2.采购代理机构信息 名 称：东方国际招标有限责任公司 地 址：北京市海淀区丹棱街1号互联网金融中心20层 联系方式：郭宇涵、王军、李雯； 010-68290599， 010-68290530 3.项目联系方式 项目联系人：郭宇涵、王军、李雯 电 话： 010-68290599× 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 $('.clickModel').click(function () { $('.modelDiv').show() }) $('.closeModel').click(function () { $('.modelDiv').hide() }) 基本信息 关键内容：激光脉冲沉积 开标时间：2024-02-29 13:30 预算金额：550.00万元 采购单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：东方国际招标有限责任公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所原位Mask器件级图案化分子束外延设备采购项目公开招标公告 江苏省-苏州市 状态：公告 更新时间： 2024-02-14 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所原位Mask器件级图案化分子束外延设备采购项目公开招标公告 2024年02月08日 12:18 公告信息： 采购项目名称 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所原位Mask器件级图案化分子束外延设备采购项目 品目 货物/设备/仪器仪表/其他仪器仪表 采购单位 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 行政区域 江苏省 公告时间 2024年02月08日 12:18 获取招标文件时间 2024年02月08日至2024年02月21日每日上午:9:00 至 12:00 下午:13:00 至 17:00（北京时间，法定节假日除外） 招标文件售价 ￥600 获取招标文件的地点 www.oitccas.com；北京市海淀区丹棱街1号互联网金融中心20层 开标时间 2024年02月29日 13:30 开标地点 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所A415会议室 预算金额 ￥550.000000万元（人民币） 联系人及联系方式： 项目联系人 郭宇涵、王军、李雯 项目联系电话 010-68290599 采购单位 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 采购单位地址 苏州工业园区若水路398号 采购单位联系方式 俞老师、赵老师；0512-62872525 代理机构名称 东方国际招标有限责任公司 代理机构地址 北京市海淀区丹棱街1号互联网金融中心20层 代理机构联系方式 郭宇涵、王军、李雯； 010-68290599， 010-68290530 附件： 附件1 1026.pdf 项目概况 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所原位Mask器件级图案化分子束外延设备采购项目 招标项目的潜在投标人应在www.oitccas.com；北京市海淀区丹棱街1号互联网金融中心20层获取招标文件，并于2024年02月29日 13点30分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：OITC-G240661026 项目名称：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所原位Mask器件级图案化分子束外延设备采购项目 预算金额：550.000000 万元（人民币） 最高限价（如有）：550.000000 万元（人民币） 采购需求： 包号 货物名称 数量 （套） 是否允许采购进口产品 采购预算 1 原位Mask器件级图案化分子束外延设备 1 否 550万元 合同履行期限：合同签订后6个月内交货 本项目( 不接受 )联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 本项目不属于专门面向中小微企业、监狱企业、残疾人福利性单位采购的项目 3.本项目的特定资格要求：1） 投标人须符合《中华人民共和国政府采购法》第二十二条的规定；(具体为供应商参加政府采购活动应当具备下列条件：（一）具有独立承担民事责任的能力；（二）具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度；（三）具有履行合同所必需的设备和专业技术能力；（四）有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录；（五）参加政府采购活动前三年内，在经营活动中没有重大违法记录；（六）法律、行政法规规定的其他条件。)2） 投标人须在中华人民共和国境内合法注册、有法人资格并符合工商局或相关行业主管部门核准的经营范围或经营许可；3） 投标人按照招标公告要求购买了招标文件；4） 投标人不得为列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单的供应商。5） 为本项目提供整体设计、规范编制或者项目管理、监理、检测等服务的供应商，不得参加本项目投标；6） 投标单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商，不得参加同一合同项下的政府采购活动；7）本项目不接受联合体投标 三、获取招标文件 时间：2024年02月08日 至 2024年02月21日，每天上午9:00至12:00，下午13:00至17:00。（北京时间，法定节假日除外） 地点：www.oitccas.com；北京市海淀区丹棱街1号互联网金融中心20层 方式：登录“东方招标平台”http://www.oitccas.com注册并购买 售价：￥600.0 元，本公告包含的招标文件售价总和 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2024年02月29日 13点30分（北京时间） 开标时间：2024年02月29日 13点30分（北京时间） 地点：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所A415会议室 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 1、投标文件递交地点：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所A415会议室 2、招标文件采用网上电子发售购买方式： 1）登陆 东方招标 平台（http://www.oitccas.com/），点击 获取采购文件 链接图标，或直接输入访问地址（http://www.oitccas.com/pages/sign_in.html?page=mine）完成投标人注册手续（免费），然后登陆系统寻找有意向参与的项目，已注册的投标人无需重新注册。招标文件售价：每包人民币600 元。如决定购买招标文件，请完成标书款缴费及标书下载手续。 2）投标人可以电汇的形式支付标书款、保证金（应以公司名义汇款至下述指定账号）。 开户名称：东方国际招标有限责任公司 开户行：招商银行北京西三环支行 账 号：862081657710001 3）投标人应在平台上填写开票信息。在投标人足额缴纳标书款后，标书款电子发票将发送至投标人在平台上登记的电子邮箱，投标人自行下载打印。 3、以电汇方式购买招标文件和递交投标保证金的，须在电汇凭据附言栏中写明招标编号、包号及用途（如未标明招标编号，有可能导致投标无效）。 4、采购项目需要落实的政府采购政策： （1）政府采购促进中小企业发展 （2）政府采购支持监狱企业发展 （3）政府采购促进残疾人就业 （4）政府采购鼓励采购节能环保产品 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 地址：苏州工业园区若水路398号 联系方式：俞老师、赵老师；0512-62872525 2.采购代理机构信息 名 称：东方国际招标有限责任公司 地 址：北京市海淀区丹棱街1号互联网金融中心20层 联系方式：郭宇涵、王军、李雯； 010-68290599， 010-68290530 3.项目联系方式 项目联系人：郭宇涵、王军、李雯 电 话： 010-68290599

一、纳米颗粒膜制备日前，由英国著名的薄膜沉积设备制造商Moorfield Nanotechnology公司生产的套纳米颗粒与磁控溅射综合系统在奥地利的莱奥本矿业大学Christian Mitterer教授课题组安装并交付使用。该设备由MiniLab125型磁控溅射系统与纳米颗粒溅射源共同组成，可以同时满足用户对普通薄膜和纳米颗粒膜制备的需求。集成了纳米颗粒源的MiniLab125磁控溅射系统 传统薄膜材料的研究专注于制备表面平整、质地致密、晶格缺陷少的薄膜，很多时候更是需要制备沿衬底外延生长的薄膜。然而随着研究的深入，不同的应用方向对薄膜的需求是截然不同。在表面催化、过滤等研究方向，需要超大比表面积的纳米薄膜。在这种情况下，纳米颗粒膜具有不可比拟的优势。而传统的磁控溅射在制备纯颗粒膜方面对于粒径尺寸，颗粒均匀性方面无法实现控制。气相沉积法、电弧放电法、水热合成法等在适用性、操作便捷性、与传统样品处理的兼容性等方面不友好。在此情况下，Moorfield Nanotechnology推出了与传统磁控溅射和真空设备兼容的纳米颗粒制备系统。不同条件制备的颗粒粒径分布（厂家测试数据）不同颗粒密度样品（厂家测试数据）纳米颗粒制备技术特点：▪ 纳米颗粒的大小1 nm-20 nm可调；▪ 多可达3重金属，可共沉积，可制备纯/合金颗粒；▪ 材料范围广泛，包括Au、Ag、Cu、Pt、Ir、Ni、Ti、Zr等▪ 拥有通过控制气氛制造复合纳米粒子的可能性（类似于反应溅射）▪ 的纳米颗粒层厚度控制，从亚单层到三维纳米孔▪ 纳米颗粒结构——结晶或非晶、形状可控纳米颗粒膜的应用方向：▪ 生命科学和纳米医学： 癌症治疗、药物传输、抗菌、抗病毒、生物膜▪ 石墨烯研究方向：电子器件、能源、复合材料、传感器▪ 光电研究：光伏研究、光子俘获、表面增强拉曼▪ 催化：燃料电池、光催化、电化学、水/空气净化▪ 传感器：生物传感器、光学传感器、电学传感器、电化学传感器 二、无机无铅光伏材料下一代太阳能电池的大部分研究都与铅-卤化物钙钛矿混合材料有关。然而，人们正不断努力寻找具有类似或更好特性的替代化合物，想要消除铅对环境的影响，而迄今为止，这种化合物一直难以获得。因此寻找具有适当带隙范围的无铅材料是很重要的，如果将它们结合起来，就可以利用太阳光谱的不同波长进行发电。这将是提高未来太阳能电池效率降低成本的关键。近期，牛津大学的光电与光伏器件研究组的HenrySnaith教授与Benjamin Putland博士研究了具有A2BB’X6双钙钛矿结构的新型无机无铅光伏材料。经过计算该材料具有2 eV的带隙，可用做光伏电池的层吸光材料与传统Si基光伏材料很好的结合，使光电转换效率达到30%。与有机钙钛矿材料相比，无机钙钛矿材料具有结构稳定使用寿命更长的优势。而这种新材料的制备存在一个问题，由于前驱体组分的不溶性和复杂的结晶过程容易导致非目标性的晶体生长，因此难以通过传统的水溶液法制备均匀的薄膜。Benjamin Putland博士采用真空蒸发使这些问题得以解决。使用Moorfield Nanotechnology的高质量金属\有机物热蒸发系统，通过真空蒸发三种不同的前驱体，研究人员成功沉积制备出了所需要的薄膜。真空蒸发具有较高的控制水平和可扩展性，使得材料的工业化制备成为可能。所制备的薄膜在150℃退火后，XRD图。所制备的薄膜在150℃退火后，表面SEM图 三、Moorfield 薄膜制备与加工系统简介Moorfield Nanotechnology是英国材料科学领域高性能仪器研发公司，成立二十多年来专注于高质量的薄膜生长与加工技术，拥有雄厚的技术实力，推出的多种高性能设备受到科研与工业领域的广泛好评。高精度薄膜制备与加工系统 – MiniLab旗舰系列和nanoPVD台式系列是英国Moorfield Nanotechnology公司经过多年技术积累与改进的结晶。产品的定位是配置灵活、模块化设计的PVD系统，可用于高质量的科学研究和中试生产。设备的功能和特点：▪ 蒸发设备：热蒸发（金属）、低温热蒸发(有机物)、电子束蒸发▪ 磁控溅射：直流&射频溅射、共溅射、反应溅射▪ 兼容性：可与手套箱集成、满足特殊样品制备▪ 其他功能设备：二维材料软刻蚀、样品热处理▪ 设备的控制：触屏编程式全自动控制

p 　　 strong 仪器信息网讯 /strong 材料对于推动生产力发展和社会进步起着举足轻重的作用。关键材料的研发周期更是直接决定了相关领域的发展进程。材料基因组技术的出现为快速构建精确的材料相图，缩短材料的研发周期带来了希望。 /p p 　　中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心技术部电子学仪器部郇庆/刘利团队一直致力于科研仪器装备的自主研发 超导国家重点实验室金魁/袁洁团队专注于基于高通量组合薄膜技术的新超导体探索和物理研究。两团队经多年合作成功研制并搭建了一台高通量连续组分外延薄膜制备及原位局域电子态表征系统。作为目前国际上最先进的第四代高通量实验设备，审稿人和项目验收专家组均给予了高度评价，认为该设备实现了研究应用和核心技术上的创新突破，解决了现有技术的诸多缺陷和不足，将成为材料基因研究的重要工具，并有望在推动多个领域的前沿研究中发挥重要作用。 /p p style=" text-align: center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202002/uepic/042ce1da-8ab9-46b9-8bb1-eb602327463f.jpg" title=" 组合激光分子束外延-扫描隧道显微镜联合系统：(a)三维设计图；(b) 实物照片.jpg" alt=" 组合激光分子束外延-扫描隧道显微镜联合系统：(a)三维设计图；(b) 实物照片.jpg" / /p p style=" text-align: center " 组合激光分子束外延-扫描隧道显微镜联合系统：(a)三维设计图；(b) 实物照片 /p p 　　该系统采用的关键技术为研发团队首次提出，核心部件均自主研发，具备多项独特优点： /p p 　　1)采用专利的旋转掩膜板设计，避免累积误差和往复运动的问题，大大提高了系统运行精度和稳定性 /p p 　　2)特殊设计的STM扫描头能够实现大范围XY移动(& gt 10 mm)和高精度定位(定位精度优于 1 μm) 3)完备的传递设计可实现样品、针尖、靶材的高效传递，并易于未来功能扩展。 /p p 　　该仪器研发历时4年多，设计版本多达50多个，并完成了全面的性能测试。他们利用自研系统制备了高质量的梯度厚度FeSe样品，得到可靠的超导转变温度随厚度的演变关系。在HOPG样品、金单晶样品、BSCCO样品以及原位生长FeSe样品表面均获得了高清原子分辨图像，并测量了BSCCO样品局域超导能隙扫描隧道谱。目前，该系统已用于研究高温超导机理问题和新型超导材料探索。 /p p 　　组合薄膜制备技术作为材料基因组核心技术之一经历了三个发展阶段，即共磁控溅射技术、阵列掩膜板技术和组合激光分子束外延技术。目前，组合薄膜生长往往采用往复平行位移掩膜板的方式，这样不可避免造成累积误差，直接影响到薄膜制备过程中组分控制的精度。此外线性掩膜板反复变向及加减速操作也会加速机械部分磨损，降低系统稳定性。另一方面，目前对组合薄膜高通量快速表征技术也存在不足，很多传统方法无法直接用于组合薄膜表征。以扫描隧道显微镜(STM)为例，其对样品表面清洁度具有很高的要求，通常需要原位解理或制备样品 此外，有限的样品移动范围和不具备精确定位功能限制了STM在组合薄膜表征上的应用：大多数商业化STM样品移动范围一般仅为数毫米且不具备定位功能。对于连续组分薄膜性质的研究来说，实际的测量位置与样品组分是一一对应的，失去了位置坐标就失去了组分的信息。因此，发展更加精确的高通量薄膜制备和原位表征手段十分必要，并对包括超导材料在内的多个前沿研究领域具有重要意义。 /p p 　　 /p p br/ /p

2021年9月23日，由仪器信息网主办的“薄膜沉积与外延技术与应用”主题网络研讨会成功举办，会议进行了了4个精彩报告，吸引领域内近400位听众报名参会。采用一定方法，使处于某种状态的一种或几种物质的基团以物理和化学方法附着于衬底材料表面形成一种新的物质，这层新物质就是薄膜。薄膜的制备主要技术包括薄膜沉积和外延技术。薄膜沉积和外延技术是半导体制造工艺中的非常重要的技术。基于此，仪器信息网于2021年9月23日举办了本次“薄膜沉积与外延技术与应用”主题网络研讨会，依托“网络讲堂”栏目，邀请业内专家以及技术人员参与本次网络研讨会，就薄膜沉积与外延技术与应用等话题共同探讨，为广大从事薄膜沉积与外延技术研发等方面的专家学者和技术人员提供了一个交流的空间。本次会议，邀请到云南大学杨鹏教授、牛津仪器科技（上海）有限公司高级应用科学家刘志文博士、中国科学院半导体研究所王晓东研究员和中国科学院微电子研究所杨妍研究员做报告，受到牛津仪器科技（上海）有限公司的大力支持，会议过程中，听众积极参与，直播间氛围热烈。会议的4个报告，经征求报告嘉宾意见，3个报告将设置视频回放（“薄膜沉积与外延技术与应用”主题网络研讨会），便于广大网友温故知新，详情见下表：2021年9月23日上午报告题目报告嘉宾链接几种二维及少层材料的生长与物性表征杨鹏云南大学 教授回放链接如何用原子力显微镜评价高质量薄膜刘志文牛津仪器科技（上海）有限公司 高级应用科学家回放链接离子束溅射镀膜技术及其应用王晓东中国科学院半导体研究所 研究员不回放硅光芯片工艺流程及对薄膜工艺的需求杨妍中国科学院微电子研究所 研究员回放链接

采用一定方法,使处于某种状态的一种或几种物质(原材料)的基团以物理或化学方式附着于衬底材料表面，在衬底材料表面形成一层新的物质，这层新物质就是薄膜。薄膜制备的方法众多，其中薄膜沉积与外延技术已成为其中的主流，特别是在半导体产业中，占据着重要的地位。薄膜沉积是半导体器件制造过程中的一个重要环节可以在晶圆上生长出 各种导电薄膜层和绝缘薄膜层为后续工艺打下基础。根据工作原理不同，薄膜沉积工艺可分为物理气相沉积 （PVD）、化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）三大类，所需的设备是薄膜沉积设备。根据Maximize Market Research数据，全球薄膜沉积设备整体规模稳定增长，2020年市场 规模为172亿美元，受益于Foundry厂、存储、AMOLED以及太阳能电站等需求的增加，预计到2025年将达到340亿美元。分类型来看，CVD设备应用最广，占比57%；其次是PVD，占比为25%；ALD及其他镀膜设备占比18%。而外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层。新淀积的这层称为外延层。外延为器件设计者在优化器件性能方面提供了很大的灵活性，例如可以控制外延层掺杂厚度、浓度、轮廊，而这些因素是与硅片衬底无关的。这种控制可以通过外延生长过程中的掺杂来实现。外延层还可以减少CMOS器件中的闩锁效应。针对于此，仪器信息网拟于2021年9月23日举办“薄膜沉积与外延技术与应用”主题网络研讨会，依托“网络讲堂”栏目，邀请业内专家以及技术人员参与本次网络研讨会，就薄膜沉积与外延技术与应用等话题共同探讨，为广大从事薄膜沉积与外延技术研发等方面的专家学者和技术人员提供一个交流的空间。会议由牛津仪器赞助。牛津仪器是一家世界领先的高科技系统设备供应商。设计制造的设备可以在原子和分子层面，制造、分析和操控物质，并广泛应用于研究和工业领域为客户提供完美的解决方案。会议报名链接：https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/cvd2021/会议日程：

随着半导体市场，特别是化合物半导体市场的逐步开放和增长，分子束外延作为一种新发展起来的外延制膜方法而逐渐崭露头角。分子束外延技术是在半导体工艺中近十几年来发展起来的一项新技术，它是在超高真空条件下，类似于真空蒸发镀把构成晶体的各个组分和予掺杂的原子(分子)，以一定的热运动速度，按一定的比例从喷射炉中喷射到基片上去进行晶体外延生长而制备单晶膜的一种方法。简称MBE法。该技术的优点是：使用的衬底温度低，膜层生长速率慢，束流强度易于精确控制，膜层组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调整。用这种技术已能制备薄到几十个原子层的单晶薄膜，以及交替生长不同组分、不同掺杂的薄膜而形成的超薄层量子显微结构材料。专利一般是由政府机关或者代表若干国家的区域性组织根据申请而颁发的一种文件，这种文件记载了发明创造的内容，并且在一定时期内产生这样一种法律状态，即获得专利的发明创造在一般情况下他人只有经专利权人许可才能予以实施。在我国，专利分为发明、实用新型和外观设计三种类型。专利文献作为技术信息最有效的载体，囊括了全球90%以上的最新技术情报，相比一般技术刊物所提供的信息早5～6年，而且70%～80%发明创造只通过专利文献公开，并不见诸于其他科技文献，相对于其他文献形式，专利更具有新颖、实用的特征。可见，专利文献是世界上最大的技术信息源，另据实证统计分析，专利文献包含了世界科技技术信息的90%～95%。如此巨大的信息资源远未被人们充分地加以利用。事实上，对企业组织而言，专利是企业的竞争者之间惟一不得不向公众透露而在其他地方都不会透露的某些关键信息的地方。因此，通过对专利信息细致、严密、综合、相关的分析，可以从其中得到大量有用信息。基于此，仪器信息网特统计分析了国内分子束外延的专利信息，以期为从业者提供参考。（本文搜集信息源自网络，不完全统计分析仅供读者参考，时间以专利申请日为准）本次统计，以“分子束外延”为关键词进行检索，共涉及专利总数量为593条，其中发明专利540条、实用新型专利52条和外观专利1条。从统计结果可以看出，从1992年开始，分子束外延专利数量整体呈增长趋势，但在2004-2006年之间出现了一个小高峰。这表明分子束外延的研发投入整体在不断增加，相关企业和科研院所数量也在不断增加，从事相关研究的人数也在逐年增加。1992-2003是国内分子束外延技术的起步阶段，2004年进入了发展阶段。从申请人专利量排行可以看出，在专利申请人申请量排名中，中国科学院半导体研究所的表现最为突出共申请专利60件，中国科学院上海微系统与信息技术研究46件专利与中国科学院上海技术物理研究所24件专利，分列第二与第三位。整体来看，相关专利几乎都集中于科研院所，特别是中科院系统内，在专利申请量TOP20中的企业只有新磊半导体科技（苏州）有限公司和苏州焜原光电有限公司。具体来看，科研院所的分子束外延专利主要集中于材料生长、加工工艺等方面；而两家企业的专利主要围绕分子束外延设备方面。据了解，苏州焜原光电有限公司成立于2017年5月，位于苏州吴江汾湖高新区，地处江浙沪两省一市交汇的黄金腹地，由陈意桥博士携美国及国内团队创立，主要从事III-V族化合物半导体材料和器件的研发和生产。该公司技术团队拥有器件及材料结构设计、外延材料生长、器件研制、MBE设备设计及定制化升级改造等多方面人才。可以看出，目前分子束外延的研发主要集中于科研院所，相关设备主要用于科研领域。从发明人专利量排行可以看出，在专利申请人申请量排名中，中国科学院上海技术物理研究所的顾溢研究员的表现最为突出，共申请专相关利22件，其次为冯巍、张永刚等人。顾溢是中科院上海技物所研究员，主要研究领域为III-V族半导体光电材料与器件，包括半导体材料分子束外延、失配材料生长与应变控制、短波红外半导体探测材料及其光电特性等，在大失配异变和赝配In(GaAl)As晶格工程和大尺寸高均匀材料外延及其器件研制方面取得系列成果。通过对专利申请区域进行统计能够了解到目前专利技术的布局范围以及技术创新的活跃度，进而分析各区域的竞争激烈程度。从专利申请区域可以看出，国内分子束外延相关专利申请主要集中于北京市、上海市、江苏省等，这些地区都是半导体相关研究发达的地区，而分子束外延主要用于科研。从专利技术分类来看，大部分的专利都集中于电学领域（57.77%）。这主要是因为其被广泛应用于半导体器件或其部件的制造或处理（h01l21/02）。具体来讲，主要是其被用于半导体材料得生长等方面。

近期，中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜光学实验室在提升电子束蒸发沉积激光薄膜的长期性能稳定研究中取得新进展，实现了低应力、光谱和机械性能长期稳定的电子束激光薄膜制备。相关研究成果发表在《光学材料快报》（Optical Materials Express）。电子束蒸发沉积薄膜因其激光损伤阈值高，光谱均匀性好且易实现大口径制备而广泛应用于世界上各大型高功率激光系统中。然而，电子束蒸发沉积薄膜的多孔结构特性易与水分子相互作用，使得薄膜的各项性能极易受环境条件（尤其是湿度）的影响。即便是在可控的环境下，电子束蒸发沉积薄膜的性能也会随时间而变化。该项成果提出了等离子体辅助沉积的致密全口径包覆水汽阻隔技术，覆盖多孔电子束蒸发沉积薄膜的上表面和侧面，有效地将其与水汽隔离，制备出了低应力、光谱和机械性能长期稳定的电子束蒸发沉积薄膜。同时，该水汽阻隔技术显著提升了电子束蒸发沉积薄膜的耐划性能，且提供了一种离线获得无水吸附时薄膜应力的方法。该项成果为提升电子束沉积薄膜的光谱和面形稳定性提供了途径，有助于解决高功率激光应用中电子束沉积薄膜随时间和环境变化性能不稳定问题。相关工作得到了国家自然科学基金、中科院青促会基金、中科院先导专项（B类）等支持。（薄膜光学实验室供稿）原文链接图1 等离子体辅助沉积的致密全口径包覆水汽阻隔技术示意图图2 有、无全口径水汽阻隔膜的多层膜性能对比（a）峰值反射率处波长随时效时间变化（b）应力随时效时间变化

分子束外延（MBE）是新发展起来的外延制膜方法，是一种在晶体基片上生长高质量的晶体薄膜的新技术。在超高真空条件下，由装有各种所需组分的炉子加热而产生的蒸气，经小孔准直后形成的分子束或原子束，直接喷射到适当温度的单晶基片上，同时控制分子束对衬底扫描，就可使分子或原子按晶体排列一层层地“长”在基片上形成薄膜。外延是一种制备单晶薄膜的新技术，它是在适当的衬底与合适的条件下，沿衬底材料晶轴方向逐层生长薄膜的方法。该技术的优点是：使用的衬底温度低，膜层生长速率慢，束流强度易于精确控制，膜层组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调整。用这种技术已能制备薄到几十个原子层的单晶薄膜，以及交替生长不同组分、不同掺杂的薄膜而形成的超薄层量子显微结构材料。随着半导体市场,，特别是化合物半导体市场的逐步开放和增长，作为化合物半导体研发中，材料制备的关键仪器—MBE的市场也在逐年增长和扩大中，不论是海外品牌还是国产品牌，近几年的市场规模都在逐年扩大。由于高校的管理模式及制度，MBE大多养在“深闺”，大量科研资源潜能没有得到充分发挥。为解决这个问题并加速释放科技创新的动能，中央及各级政府在近几年来制订颁布了关于科学仪器、科研数据等科技资源的共享与平台建设文件。2021年1月22日，科技部和财政部联合发布《科技部 财政部关于开展2021年度国家科技基础条件资源调查工作的通知（国科发基〔2020〕342号）》，全国众多高校和科研院所将各种科学仪器上传共享。其中，对MBE的统计分析或可一定程度反映科研领域相关仪器的市场信息（注：本文搜集信息来源于重大科研基础设施和大型科研仪器国家网络管理平台，部分仪器品牌信息不全则根据型号等信息补全，不完全统计分析仅供读者参考）。全国各省（直辖市/自治区等）共享MBE分布图北京市共享MBE分布图本次统计，共涉及MBE的总数量为133台，涉及23省（直辖市/自治区），58家单位。其中，北京市共享MBE数量最多达46台，占比35%，涉及8所高校院所，北京如此高的占比主要是由于其科研院所较多，产品也主要用于科研领域。MBE由于其外延生长时间长，大批量生产性差，对真空条件要求高，目前还无法大规模用于工业化生产中，又由于其可原位观察单晶薄膜的生长过程等优势，主要用于进行生长机制的研究，也因此该类仪器设备主要分布于科研院所众多的北京市。从北京市的分布情况来看，其主要分布于高校集中的海淀区，该地区共有44台共享MBE设备。学科领域分布从仪器所属学科领域分布可以看出，MBE主要用于物理学和材料科学研究，占比分别为39%和34%。需要注意的是，以上统计存在交叉分布的情况，即该仪器同时属于多类学科领域，实际上材料科学和物理学研究具有很大的重合度。MBE品牌地区分布那么这些仪器主要来自于哪些国家呢？统计结果表明，共享MBE主要还是以国产居多，占比29%，其次为德国和美国品牌。这一结果不同于此前盘点的其他仪器以进口品牌为主的特点，而是呈现出国产品牌占比居首的特点，可以看出中国产品正在崛起。TOP6品牌笔者进一步统计了占比TOP6的品牌，居首位的是德国品牌Omicron，不过国产品牌沈阳科仪紧随其后。Scienta Omicron成立于2015年，由表面科学领域的两家最知名的公司合并而成：VG Scienta和Omicron NanoTechnology。两家公司都于20世纪80年代初开始运营。Scienta Omicron提供超高真空下的电子能谱、扫描探针显微镜和薄膜沉积等仪器设备，专注于在下一代电子产品、量子技术、太阳能、智能传感器和先进材料等领域争夺新的独特材料和解决方案，推动表面科学研究走向未来。沈阳科仪创建于1958年，总部位于辽宁省沈阳市浑南区，占地面积110亩，建筑面积3.5万平方米。多年来，沈阳科仪专注于高真空、超高真空、超洁净真空技术的研究和发展，是我国集成电路装备和真空仪器设备的研制、生产基地，先后组建“国家分子束外延技术试验基地”、“国家真空仪器装置工程技术研究中心”和“真空技术装备国家工程实验室”等科研平台。共享仪器的类型分布从共享的MBE仪器类型科仪看出，以传统MBE为主，但LMBE（激光分子束外延系统）的占比也不容忽视。激光分子束外延系统（LMBE），集PLD（激光脉冲沉积）的制膜特点和传统MBE的超高真空精确控制原子尺度外延生长的原位实时监控为一体，除保持了PLD方法制备的膜系宽，还可以生长通常的半导体超晶格材料，特别适合生长多元素、高熔点、复杂层状结构的薄膜，如超导体、光学晶体、铁电体、压电体、铁磁体等，同时还能进行其相应的激光与物质相互作用和成膜过程的物理、化学等方面的基础研究。本次统计中，还有部分属于联用系统和零部件，其中联用系统中大部分MBE和STM联用，扫描隧道显微镜 STM 是一种利用量子理论中的隧道效应探测物质表面结构的仪器, STM 技术的最大优势在于可获得原子级的分辨率。分子束外延MBE与扫描隧道显微镜STM联用可以成功分析MBE生长晶体表面结构, 这种联用现已广泛应用于各大院校和研究院应用表面物理实验中。统计中的STM和MBE的联用系统主要为日本Unisoku品牌。本次统计主要涉及Omicron、TSST、SPECS、MBE-Komponenten、DCA、VG、Unisoku、SVT、国成仪器、Riber、Veeco、苏州新锐博纳米、Neocera、大连齐维、北京矿亿拓元科技有限公司、上海实路真空、北京珀菲特、费勉仪器、KurJ.Lesker等品牌。

超导技术被誉为21世纪最具有经济战略意义的新兴技术之一，超导体所具备的“零电阻”和“完全抗磁”这两大神奇特性，为人们带来了巨大想象空间。例如利用超导体电阻为零的特性来进行电力输送，可以大大减少线路损耗，实现超远距离的大容量电力输送；利用它完全的磁抗性可以制造磁悬浮列车、电磁弹射装置等。“超导最近在媒体出现的频率比较高。比如时下热门的量子计算，涉及到超导量子比特；被称为‘人造太阳’的全超导托卡马克核聚变实验装置，也应用了超导磁体。”中国高温超导研究奠基人之一、国家最高科学技术奖得主赵忠贤院士介绍道，超导距离实际生活最近的应用，则是医院常见的核磁共振成像中的超导磁体。超导薄膜技术是超导技术发展的重要方向之一。日前，由赵忠贤院士倡导建立并担任顾问的研究团队，面对国外禁运，通过技术集成创新，成功研制出基于国产部件的“三光束脉冲激光共沉积镀膜系统”，并制备出大尺寸双面钇钡铜氧（YBCO）超导单晶薄膜，为我国制备高品质、应用型超导薄膜产品技术带来新突破。关键设备买不来，怎么办？在东莞松山湖科学城松山湖材料实验室“实用超导薄膜研究团队”的一间实验室内，一组银白色装置占据了房间一角，三台激光器宛如手术台上的三支机械臂，将一个带有观测窗的球形操作台围在中间，绿色和紫色的光束不时闪烁。这个装置就是该团队近期研发成功的“三光束脉冲激光共沉积镀膜系统”。该设备基于国产部件实现技术集成创新，包括采用国产小型固态脉冲激光器实现多光束共沉积、激光器与光路系统模块化整体位移、自主研发控制软件实现操作智能化等。利用这台设备，该团队还成功制备出2英寸双面YBCO超导单晶薄膜，将脉冲激光沉积技术制备高品质应用型薄膜产品，推向了一个新的高度。该团队负责人金魁研究员表示，大尺寸双面钇钡铜氧（YBCO）单晶薄膜，是设计高温超导薄膜器件的良好载体，而高温超导薄膜器件则是开发未来通信技术和超高性能雷达探测器的重要部件，具有十分重要的应用前景。然而，能够制备该类薄膜的先进设备，此前被德日美等少数国家掌握，一直以来对我国封锁核心技术，并且大尺寸薄膜制备设备近期也已对我国禁运，导致我国高品质应用型“薄膜”和“镀膜设备”核心技术受制于人。金魁坦言，按照最初构想，是希望直接从国外购买一套先进的大尺寸镀膜设备，之后按团队的需求改造，然而却未能如愿。“买小尺寸薄膜制备设备回来，做出的样品主要是用于基础研究，找规律、写论文，国外公司同意卖给我们；但要买能投入实用的大尺寸薄膜制备设备，他们就拒绝了。”金魁表示，另一方面，国外的设备只能实现单面薄膜的制备，无法满足团队需求。关键设备买不来，怎么办？在赵忠贤院士的鼓励和指导下，团队最终下定决心走上了自研之路。令他们感到高兴的是，团队产出成果的进度超过了预期。在国外禁运的情况下，团队仅用一年多时间就取得了成功。“积小胜为大胜”“我们用激光去打真空腔里面的靶材，由于瞬时高温，靶材表面的成分会变成等离子体向外喷射，之后接触高温衬底，外延沉积完成镀膜，过程就像是烙饼一样。”该设备主要的设计和搭建者冯中沛博士是团队里的一名年轻人，设备成功运转，让他格外兴奋。过去一年多，冯中沛和同事们几乎每天都围着这台设备转。在工作室紧邻该装置的墙边有一面白板，上面写满了与装置搭建相关的事项。一年时间里，大到整个装置的设计装配，小到一根螺丝钉的定制，整个团队“挂图作战”，环环推进，最终才获得了成功。“这台设备的功能可以扩展，也可以为超导以外的材料进行镀膜。就像买了一口锅，一开始只用来炒菜，后面还可以用来蒸煮。”冯中沛介绍道。令整个团队感慨的是，直到他们研制出成本更低、性能更优的设备时，从日本采购的小尺寸镀膜设备甚至因为疫情，还没有厂家工程师前来拆箱。“这件事虽然谈不上伟大，但是它给了我们很大信心。遇到‘卡脖子’难题，逼着自己进行自主研制和创新，最终把一条新的技术路线走通了。”赵忠贤表示，假如全国几十万、上百万的科研团队，能有十分之一像这样专注去做一件事，我们跟国外的科技竞争就能握有更大的主动权。“积小胜为大胜，变成大胜就有了长板，有了竞争优势，国外还怎么卡我们脖子？”他说道。除了团队自身的努力和经验积累，赵忠贤还特别提到，松山湖科学城给予的宽松科研环境与合理的评价体系，为这一成果取得提供了重要土壤。在他看来，松山湖材料实验室一方面注重研究实效，不以论文论英雄，让科研人员集中精力搞攻关；另一方面，充分信任科学家，原本购置设备的钱可以灵活用于自主研发，“允许用打酱油的钱去买醋”，赋予科学家自主权。推动超导技术成果转化能否制备出大尺寸、高质量的超导薄膜，关系诸多关键产业的发展前景。以超导薄膜为基础的数字电路，相比半导体材料做的数字电路速度更快、损耗更小、容量更大；用超导薄膜制成的超导量子干涉器，可以探测比人脑磁场弱几千倍的磁场，用收集来的磁信号进行分析，能够确定矿源、预报地震等。而超导薄膜制成的天线、谐振器、滤波器等微波通讯器件，具有常规材料（如金、银等）无法比拟的高灵敏度。此外超导薄膜在大型粒子加速器中也有着广泛的应用。粗略估计，国内外计划建设的各类加速器项目，对超导薄膜谐振腔的需求量将超过10000个。面对这一趋势，与超导基础研究打了大半辈子交道的学界泰斗，开始将工作重心放在推动超导技术成果转化与实际应用上来。2017年底，广东启动首批四家省实验室建设，赵忠贤接受邀请，出任松山湖材料实验室学术委员会主任一职，从北京来到了东莞松山湖。在他倡议和亲自指导推动下，“实用超导薄膜研究团队”在松山湖材料实验室迅速建立起来。除赵忠贤院士作为团队顾问之外，担任团队负责人的金魁研究员，也是一位高水平超导研究专家，他在高温超导体机理研究、超导薄膜制备、新超导体探索等方面都有诸多重要成果，先后在《自然》杂志等主流刊物发表重要论文80余篇。此外，多位具备国家重点实验室工作背景的超导薄膜和低温技术专家也先后加入，组成了国内一流的班底阵容。“我们选定的题目是‘实用超导薄膜及相关技术研究’，这个不像‘量子’或者‘智能’之类的名字时髦，但并不意味着研究的内容不重要。”赵忠贤说，希望以应用为目标来做一个中长期项目，解决超导应用过程中一系列关键核心技术难题，推动实现跨越性的进步，带来应用上的质变。谈及今后的打算，年届八旬的赵忠贤心心念念的，仍然是超导。“一是找到超导应用存在的短板，想办法推动一些项目、组织一批队伍来把超导领域的这些问题全部扫光；二是在超导应用的某些方面，希望看到我们比别人强，有自己的‘绝活’。”

CVD(化学气相沉积)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说，它是很简单的:两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。淀积氮化硅膜(Si3N4)就是一个很好的例子，它是由硅烷和氮反应形成的。化学气相沉积法是传统的制备薄膜的技术，其原理是利用气态的先驱反应物，通过原子、分子间化学反应，使得气态前驱体中的某些成分分解，而在基体上形成薄膜。化学气相沉积包括常压化学气相沉积、等离子体辅助化学沉积、激光辅助化学沉积、金属有机化合物沉积等。不过随着技术的发展，CVD技术也不断推陈出新，出现了很多针对某几种用途的专门技术，在此特为大家盘点介绍一些CVD技术。等离子体增强化学气相沉积（PECVD）等离子体增强化学气相沉积是在化学气相沉积中，激发气体，使其产生低温等离子体，增强反应物质的化学活性，从而进行外延的一种方法。该方法可在较低温度下形成固体膜。例如在一个反应室内将基体材料置于阴极上，通入反应气体至较低气压(1～600Pa)，基体保持一定温度，以某种方式产生辉光放电，基体表面附近气体电离，反应气体得到活化，同时基体表面产生阴极溅射，从而提高了表面活性。在表面上不仅存在着通常的热化学反应，还存在着复杂的等离子体化学反应。沉积膜就是在这两种化学反应的共同作用下形成的。激发辉光放电的方法主要有：射频激发，直流高压激发，脉冲激发和微波激发。等离子体增强化学气相沉积的主要优点是沉积温度低，对基体的结构和物理性质影响小；膜的厚度及成分均匀性好；膜组织致密、针孔少；膜层的附着力强；应用范围广，可制备各种金属膜、无机膜和有机膜。【市场分析】上海市采购量独占鳌头——半导体仪器设备中标市场盘点系列之CVD篇高密度等离子体化学气相淀积（HDP CVD）HDP-CVD 是一种利用电感耦合等离子体 （ICP） 源的化学气相沉积设备，是一种越来越受欢迎的等离子体沉积设备。HDP-CVD（也称为ICP-CVD）能够在较低的沉积温度下产生比传统PECVD设备更高的等离子体密度和质量。此外，HDP-CVD 提供几乎独立的离子通量和能量控制，提高了沟槽或孔填充能力。但是，HDP-CVD 配置的另一个显著优势是，它可以转换为用于等离子体刻蚀的 ICP-RIE。 在预算或系统占用空间受限时，优势明显。听起来可能很奇怪。但是这两种类型的工艺确实可以在同一个系统中运行。虽然存在一些内部差异，例如额外的气体入口，但两种设备的核心结构几乎完全相同。在HDP CVD工艺问世之前，大多数芯片厂普遍采用PECVD进行绝缘介质的填充。这种工艺对于大于0.8微米的间隔具有良好的填孔效果，然而对于小于0.8微米的间隙，PECVD工艺一步填充具有高的深宽比的间隔时会在间隔中部产生夹断和空洞。在探索如何同时满足高深宽比间隙的填充和控制成本的过程中诞生了HDP CVD工艺，它的突破创新之处在于，在同一个反应腔中同步地进行沉积和刻蚀工艺。微波等离子化学气相沉积（MPCVD）微波等离子化学气相沉积技术（MPCVD）适合制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态好的高质量硬质薄膜和晶体。MPCVD是制备大尺寸单晶金刚石有效手段之一。该方法利用电磁波能量来激发反应气体。由于是无极放电，等离子体纯净，同时微波的放电区集中而不扩展，能激活产生各种原子基团如原子氢等，产生的离子的最大动能低，不会腐蚀已生成的金刚石。通过对MPCVD沉积反应室结构的结构调整，可以在沉积腔中产生大面积而又稳定的等离子体球，因而有利于大面积、均匀地沉积金刚石膜，这一点又是火焰法所难以达到的，因而微波等离子体法制备金刚石膜的优越性在所有制备法中显得十分的突出。微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ECR-MPCVD）在MPCVD中为了进一步提高等离子体密度，又出现了电子回旋共振MPCVD（Electron Cyclotron Resonance CVD，简称ECR-MPCVD）。由于微波CVD在制备金刚石膜中的独有优势，使得研究人员普遍使用该方法制备金刚石膜，通过大量的研究，不仅在MPCVD制备金刚石膜的机理上取得了显著的成果，而且用CVD法制备的金刚石膜也广泛的用于工具、热沉、光学、高温电子等领域的工业研究与应用。超高真空化学气相沉积（UHV/CVD）超高真空化学气相沉积（UHV/CVD）是制备优质亚微米晶体薄膜、纳米结构材料、研制硅基高速高频器件和纳电子器件的关键的先进薄膜技术。超高真空化学气相沉积技术发展于20世纪80年代末，是指在低于10-6 Pa (10-8 Torr) 的超高真空反应器中进行的化学气相沉积过程，特别适合于在化学活性高的衬底表面沉积单晶薄膜。石墨烯就是可以通过UHV/CVD生产的材料之一。与传统的气相外延不同，UHV/CVD技术采用低压和低温生长，能够有效地减少掺杂源的固态扩散，抑制外延薄膜的三维生长。UHV/CVD系统反应器的超高真空避免了Si衬底表面的氧化,并有效地减少了反应气体所产生的杂质掺入到生长的薄膜中。在超高真空条件下，反应气分子能够直接传输到衬底表面，不存在反应气体的扩散及分子间的复杂相互作用，沉积过程主要取决于气-固界面的反应。传统的气相外延中，气相前驱物通过边界层向衬底表面的扩散决定了外延薄膜的生长速率。超高真空使得气相前驱物分子直接冲击衬底表面，薄膜的生长主要由表面的化学反应控制。因此，在支撑座上的所有基片(衬底)表面的气相前驱物硅烷或锗烷分子流量都是相同的，这使得同时在多基片上实现外延生长成为可能。低压化学气相沉积（LPCVD）低压化学气相沉积法(Low-pressure CVD，LPCVD)的设计就是将反应气体在反应器内进行沉积反应时的操作压力，降低到大约133Pa以下的一种CVD反应。LPCVD压强下降到约133Pa以下，与此相应，分子的自由程与气体扩散系数增大，使气态反应物和副产物的质量传输速率加快，形成薄膜的反应速率增加，即使平行垂直放置片子片子的片距减小到5~10mm，质量传输限制同片子表面化学反应速率相比仍可不予考虑，这就为直立密排装片创造了条件，大大提高了每批装片量。以LPCVD法来沉积的薄膜，将具备较佳的阶梯覆盖能力，很好的组成成份和结构控制、很高的沉积速率及输出量。再者LPCVD并不需要载子气体，因此大大降低了颗粒污染源，被广泛地应用在高附加价值的半导体产业中，用以作薄膜的沉积。LPCVD广泛用于二氧化硅（LTO TEOS）、氮化硅（低应力）（Si3N4）、多晶硅（LP-POLY）、磷硅玻璃（BSG）、硼磷硅玻璃(BPSG)、掺杂多晶硅、石墨烯、碳纳米管等多种薄膜。热化学气相沉积(TCVD)热化学气相沉积(TCVD)是指利用高温激活化学反应进行气相生长的方法。广泛应用的TCVD技术如金属有机化学气相沉积、氯化物化学气相沉积、氢化物化学气相沉积等均属于热化学气相沉积的范围。热化学气相沉积按其化学反应形式可分成几大类：（1）化学输运法：构成薄膜物质在源区与另一种固体或液体物质反应生成气体.然后输运到一定温度下的生长区，通过相反的热反应生成所需材料，正反应为输运过程的热反应，逆反应为晶体生长过程的热反应。（2）热解法：将含有构成薄膜元素的某种易挥发物质，输运到生长区，通过热分解反应生成所需物质，它的生长温度为1000-1050摄氏度。（3）合成反应法：几种气体物质在生长区内反应生成所生长物质的过程，上述三种方法中，化学输运法一般用于块状晶体生长，分解反应法通常用于薄膜材料生长，合成反应法则两种情况都用。热化学气相沉积应用于半导体材料，如Si，GaAs，InP等各种氧化物和其它材料。高温化学气相沉积（HTCVD）高温化学气相沉积是碳化硅晶体生长的重要方法。HTCVD生长碳化硅晶体是在密闭的反应器中，外部加热使反应室保持所需要的反应温度（2000℃~2300℃）。高温化学气相沉积是在衬底材料表面上产生的组合反应，是一种化学反应。它涉及热力学、气体输送及膜层生长等方面的问题，根据反应气体、排出气体分析和光谱分析，其过程一般分为以下几步：混合反应气体到达衬底材料表面；反应气体在高温分解并在衬底材料表面上产生化学反应生成固态晶体膜；固体生成物在衬底表面脱离移开，不断地通入反应气体，晶体膜层材料不断生长。中温化学气相沉积（MTCVD）MTCVD硬质涂层工艺技术，在20世纪80年代中期就已问世，但在当时并没有引起人们的重视，直到20世纪90年代中期，世界上主要硬质合金工具生产公司，利用HTCVD和MTCVD技术相结合，研究开发出新型的超级硬质合金涂层材料，有效地解决了在高速、高效切削、合金钢重切削、干切削等机械加工领域中，刀具使用寿命低的难高强度题才引起广泛的重视。目前，已在涂层硬质合金刀具行业投入生产应用，效果十分显著。MTCVD技术沉积工艺如下。沉积温度：700~ 900℃；沉积反应压力：2X103~2X104Pa；主要反应气体配比： CH3CN：TiCl4：H2=0.01：0.02：1；沉积时间：1一4h。金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压(10-100Torr)下通H2的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行，衬底温度为500-1200℃，用直流加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方)，H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。MOCVD适用范围广泛，几乎可以生长所有化合物及合金半导体，非常适合于生长各种异质结构材料，还可以生长超薄外延层，并能获得很陡的界面过渡，生长易于控制，可以生长纯度很高的材料，外延层大面积均匀性良好，可以进行大规模生产。激光诱导化学气相沉积（LCVD）LCVD是利用激光束的光子能量激发和促进化学气相反应的沉积薄膜方法。在光子的作用下，气相中的分子发生分解，原子被激活，在衬底上形成薄膜。这种方法与常规的化学气相沉积(CVD)相比，可以大大降低衬底的温度，防止衬底中杂质分布截面受到破坏，可在不能承受高温的衬底上合成薄膜。与等离子体化学气相沉积方法相比，可以避免高能粒子辐照在薄膜中造成损伤。根据激光在化学气相沉积过程中所起的作用不同可以将LCVD分为光LCVD和热LCVD，它们的反应机理也不尽相同。光LCVD是利用反应气体分子或催化分子对特定波长的激光共振吸收，反应分子气体收到激光加热被诱导发生离解的化学反应，在合适的制备工艺参数如激光功率、反应室压力与气氛的比例、气体流量以及反应区温度等条件下形成薄膜。光LCVD原理与常规CVD主要不同在于激光参与了源分子的化学分解反应，反应区附近极陡的温度梯度可精确控制，能够制备组分可控、粒度可控的超微粒子。热LCVD主要利用基体吸收激光的能量后在表面形成一定的温度场，反应气体流经基体表面发生化学反应，从而在基体表面形成薄膜。热LCVD过程是一种急热急冷的成膜过程，基材发生固态相变时，快速加热会造成大量形核，激光辐照后，成膜区快速冷却，过冷度急剧增大，形核密度增大。同时，快速冷却使晶界的迁移率降低，反应时间缩短，可以形成细小的纳米晶粒。除以上提到的薄膜沉积方法外，还有常压化学气相沉积（APCVD）等分类技术。

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薄膜沉积（Thin Film Deposition）是在基材上沉积一层纳米级的薄膜，再配合蚀刻和抛光等工艺的反复进行，就做出了很多堆叠起来的导电或绝缘层，而且每一层都具有设计好的线路图案。这样半导体元件和线路就被集成为具有复杂结构的芯片了。化学气相沉积(CVD)化学气相沉积(CVD)通过热分解和/或气体化合物的反应在衬底表面形成薄膜。CVD法可以制作的薄膜层材料包括碳化物、氮化物、硼化物、氧化物、硫化物、硒化物、碲化物，以及一些金属化合物、合金等。化学气相沉积是目前很重要的微观制造方法，因为它有如下的这些特点：1. 沉积物种类多: 可以沉积金属薄膜、非金属薄膜，也可以按要求制备多组分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物层。2. CVD反应在常压或低真空进行，镀膜的绕射性好，对于形状复杂的表面或工件的深孔、细孔都能均匀镀覆。3. 能得到纯度高、致密性好、残余应力小、结晶良好的薄膜镀层。由于反应气体、反应产物和基材的相互扩散，可以得到附着力好的膜层，这对表面钝化、抗蚀及耐磨等表面增强膜是很重要的。4. 由于薄膜生长的温度比膜材料的熔点低得多，由此可以得到纯度高、结晶完全的膜层，这是有些半导体膜层所必须的。5. 利用调节沉积的参数，可以有效地控制覆层的化学成分、形貌、晶体结构和晶粒度等。6. 设备简单、操作维修方便。7. 反应温度太高，一般要850~ 1100℃下进行，许多基体材料都耐受不住CVD的高温。采用等离子或激光辅助技术可以降低沉积温度。化学气相沉积过程分为三个重要阶段：1、反应气体向基体表面扩散2、反应气体吸附于基体表面3、在基体表面发生化学反应形成固态沉积物及产生的气相副产物脱离基体表面CVD的主要有下面几种反应过程：i). 多晶硅 PolysiliconSiH4 — Si + 2h2 (600℃)沉积速度 100 - 200 nm /min可添加磷(磷化氢)、硼(二硼烷)或砷气体。多晶硅也可以在沉积后用扩散气体掺杂。ii). 二氧化硅 DioxideSiH4 + O2→SiO2 + 2h2 (300 - 500℃)SiO2用作绝缘体或钝化层。通常添加磷是为了获得更好的电子流动性能。当硅在氧气中存在时，SiO2会热生长。氧气来自氧气或水蒸气。环境温度要求为900 ~ 1200℃。氧气和水都会通过现有的SiO2扩散，并与Si结合形成额外的SiO2。水(蒸汽)比氧气更容易扩散，因此使用蒸汽的生长速度要快得多。氧化物用于提供绝缘和钝化层，形成晶体管栅极。干氧用于形成栅极和薄氧化层。蒸汽被用来形成厚厚的氧化层。绝缘氧化层通常在1500nm左右，栅极层通常在200nm到500nm间。iii). 氮化硅 Siicon Nitride3SiH4 + 4NH3 — Si3N4 + 12H2(硅烷) (氨) (氮化物)化学气相沉积CVD 设备CVD反应器有三种基本类型:◈ 大气化学气相沉积(APCVD: Atmospheric pressure CVD)◈ 低压CVD (LPCVD:Low pressure CVD，LPCVD)◈ 超高真空化学气相沉积(UHVCVD: Ultrahigh vacuum CVD)◈ 激光化学气相沉积(LCVD: Laser CVD，)◈ 金属有机物化学气相沉积(MOCVD:Metal-organic CVD)◈ 等离子增强CVD (PECVD)物理气相沉积(PVD)在真空条件下，采用物理方法，将材料源（固体或液体） 表面材料气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积不仅可沉积金属膜、合金膜， 还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。物理气相沉积技术基本原理可分三个工艺步骤：(1)镀料的气化：即使镀料蒸发，升华或被溅射，也就是通过镀料的气化源。(2)镀料原子、分子或离子的迁移：由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞后，产生多种反应。(3)镀料原子、分子或离子在基体上沉积。物理气相沉积技术工艺过程无污染，耗材少。成膜均匀致密，与基体的结合力强。该技术广泛应用于航空航天、电子、光学、机械、建筑、轻工、冶金、材料等领域，可制备具有耐磨、耐腐蚀、装饰、导电、绝缘、光导、压电、磁性、润滑、超导等特性的膜层 。物理气相沉积也有多种工艺方法：◈ 真空蒸度 Thin Film Vacuum Coating◈ 溅射镀膜 PVD-Sputtering◈ 离子镀膜 Ion-Coating

中国计量科学研究院超短脉冲激光测量研究取得突破性进展 　　我国飞秒脉冲激光参数准确度国际领先 　　日前，由中国计量科学研究院承担的国家“十一五”科技支撑课题“飞秒脉冲激光参数测量新技术研究”通过专家验收。该课题自主研制的飞秒脉冲自相关仪和飞秒脉冲光谱相位相干仪实现了飞秒脉冲激光参数的准确测量，课题组提出的飞秒脉冲光谱相位还原方法降低了传统方法的测量不确定度，将我国飞秒脉冲激光参数的准确度提高到国际领先水平。 　　飞秒是时间单位，1飞秒相当于10-15秒。它有多快呢?我们知道，光速是1秒钟30万公里，而在一飞秒内，光只能走0.3微米，相当于一根头发丝的1%。飞秒脉冲是人类目前在实验室条件下所能获得的在可见光至近红外波段的最短脉冲。它以其独具的持续时间极短、峰值功率极高、光谱宽度极宽等优点，在物理学、生物学、化学、光通讯、外科医疗、精细加工制造及超小器械制造等领域得到广泛的应用。如何准确地测量超短脉冲信息已成为飞秒脉冲研究领域迫切需要解决的难题。 　　该课题成功解决了这一技术难题，实现了超短脉冲时域参数的精确测量，对于超短脉冲的更深一步的研究和应用具有重要意义。多家国际同行研究单位引用课题组提出的新技术成功解决了超短脉冲研究和应用中存在的技术问题，极大地提升了我国在超短脉冲激光参数测量领域的国际地位。 　　据课题负责人邓玉强博士介绍，课题组在成功解决飞秒级超短脉冲参数测量的基础上，又展开了皮秒级超短脉冲测量的研究。皮秒脉冲处于纳秒脉冲和飞秒脉冲之间的带隙(1皮秒=10-12秒)，它的光谱相对较窄，难以使用测量飞秒脉冲的光谱干涉技术，而传统的自相关仪器又存在量程范围小，需要标定校准，测量准确度不高等诸多问题。为解决这些问题，课题团队又自主研发了一种新技术和装置，实现了亚十飞秒(10-14秒)至数百皮秒(10-10秒)宽度范围内超短脉冲的精确测量，能得到强度自相关和条纹分辨自相关两种结果。该装置可实现测量的自校准，不仅提高了皮秒级激光脉冲宽度的测量准确度，而且扩大了超短脉冲参数测量的量程，进一步提高了我国超短脉冲激光时域参数的测量能力。

近日，华中科技大学光学与电子信息学院教授和团队， 通过获取光场相位信息，实现了 256 万亿帧/秒的拍照帧率，借此造出目前世界上最快的光场摄像机之一。图 | 李政言（来源“”）在评审相关论文时，一位激光脉冲时空测量领域的专家表示，该课题组制作的超快光场摄像机是领域内多年来极度渴望的仪器和技术。在应用前景上，表示：“我们期待超快光场摄像机在两方面取得应用，一方面是服务大型激光装置，另一方面是服务工业应用。”就大型激光装置来说，面向高能量密度物理、强场物理等前沿科学和能源、以及国防安全等战略应用的需求，中国、欧洲、和美国都已建设了一批超大能量脉冲激光装置。然而，这类装置重复频率极低。并且，巨大的光束口径导致激光脉冲光场存在复杂的时空耦合。因此，需要先进的光场时空诊断设备，引导激光装置进行优化，并为物理实验的理论分析和数值仿真，提供初始输入激光信息。就工业应用来说，激光精密加工有两个趋势，一是超快化甚至飞秒化，即使用飞秒激光作为光源，借此实现冷加工并提高精度；二是智能化，即以在线方式观测材料的特性，并对激光参数做出调整。所以，通过安装超快光场摄像机模块，有望让激光精密加工设备长出一只“眼睛”，也即通过实时采集探针光信号、以及观测材料超快时间尺度相应，来对加工工艺做出动态优化。（来源：Light: Science & Applications）以较低成本实现极高的时间分辨率尽管成果很新，但是背景很“旧”，这要从 144 年前说起。1878 年，美国摄影师埃德沃德迈布里奇（Eadweard Muybridge）使用安置在赛道上的 12 台照相机，来拍摄奔跑的赛马。借此证明马在奔跑时会四个蹄子同时离地，解决了几个世纪以来画家和艺术家的困惑，并给电影发明带来了灵感。时隔一百多年，2018 年诺贝尔物理学奖部分授予杰哈莫罗（）和唐娜斯特里克兰（）这两位科学家，以对他们发明的高功率超快激光的啁啾脉冲放大技术（Chirped Pulse Amplification, CPA）做出表彰。在激光精密加工、近视的激光视力矫正、惯性约束核聚变等高功率超快激光的应用中，每一个超快激光脉冲仿佛一匹光速奔跑的“赛马”，在各类物质的“赛道”上穿行时。对于激光脉冲和物质特性在极短时间内的演化现象，人们同样充满好奇，希望像迈布里奇那样为激光与物质相互作用的过程“拍摄电影”。（来源：Light: Science & Applications）基于此，制作了这台超快光场摄像机 。在超快光学领域中，它能为激光脉冲和激光照射的物质“拍摄电影”，并同时具有空间分辨和时间分辨的单发测量能力。几十年来，尽管在超快光学领域出现了大量时间分辨测量技术，但多数方法主要测量不同时刻下某个物理量的演化，普遍缺少空间分辨能力；要么得让激光脉冲的“赛马”多次跑过物质“赛道”进行重复测量。而超快光场摄像机只需激光脉冲一次性地作用于物质，它记录的是光速飞行的激光脉冲通过某个特定位置时，位于这一位置光场的二维空间分布。这样，人们就能一次性得到激光脉冲三维时空分布的“电影”。而实现单发光场摄像的难点在于，如何使用常规照相机的等二维阵列式探测器，来一次性地记录三维数据。研究中，该团队借鉴了压缩感知概念，在前人光学压缩成像技术的基础上，将待测光场的三维信息“压缩”到二维探测器上并进行一次性采集，从而实现了摄像机的功能。此外，不同于一般摄像机或探测器记录的是光强度信息，超快光场摄像机的记录包括振幅和相位信息在内的“光场”信息。对于表征超快激光脉冲来说，获取光场信息是非常重要的，它既决定着激光脉冲中各个颜色成分的时间先后关系，还决定着影响聚焦和成像质量的空间波前分布。另外，在对激光照射物质的探测过程中，获取探针光束的完整振幅和相位信息，可以帮助人们完整了解物质不同位置的光学性质，同时获取折射率、吸收率等重要参数的空间分布。该成果的另一亮点在于，超快光场摄像机以较低的成本，实现了极高的时间分辨率或“电影”帧率。日常生活中，我们观看的电影帧率一般为 24 帧/秒，最高可以达到 120 帧/秒，仅能满足人眼视觉暂留效应的要求。而团队的超快光场摄像机，记录的是光速飞行的超快激光脉冲的“赛马”过程，即在各类物质“赛道”上奔跑的过程，需要观测飞秒（10 -15 秒）时间尺度内发生的事件，所需的帧率在万亿帧/秒量级。近日，相关论文以《单次压缩光场形貌》（）为题发表在 Light: Science & Applications 上，唐浩程和门庭为共同第一作者，担任通讯作者 [1]。图 | 相关论文（来源：Light: Science & Applications）为超快时间尺度内发生的任意事件拍摄电影据介绍，课题组的目标是为超快时间尺度内发生的任意事件“拍摄电影”。这项工作最早要追溯到十四年前读博期间。他说：“2008年 8 月开始我到美国德克萨斯大学奥斯丁分校读博士，第一次见到导师 教授他就给我指派了博士论文课题：为超高强度超短激光脉冲在等离子体中激发的光速传播的尾波‘拍摄电影’，这样就可以对基于等离子体尾波的新一代桌面型电子加速器提供实时诊断。”这是一个挑战性极高的课题，经过六年的努力，只能部分地解决这一问题。例如，在测量技术方面，他和当时的所在团队发展了一种基于多束探针光和断层成像技术（tomography）的方法，可以为光速飞行的折射率结构拍摄“电影”[2]，并被 Nat. Phot. 以 News & Views 文章的形式再次进行报道。后来，他还观测到了等离子体尾波纵向结构的演化规律 [3]。然而，为激光驱动的等离子体尾波“拍摄电影”的梦想一直没能实现，主要难点在于无法在单发条件下，用二维探测器记录三维数据信息。2014 年，的合作者 （现为加拿大魁北克大学应用计算成像实验室教授），发表了基于压缩感知概念的超快照相技术的论文 [4]，对前者解决等离子体尾波电影拍摄中遇到的维度问题，带来了极大启发。然而，超快压缩照相技术获得的是光场的强度时空分布信息。另一方面，等离子体尾波主要调制探测激光的相位。那么，如何使用超快压缩照相技术来同时测量包含振幅和相位的光场信息，就成为亟待解决的问题。同时，这也是研究基于压缩感知的超快光场摄像机的问题来源。2017 年，回国入职华中科技大学，经过前期实验室建设和武汉疫情，他和团队终于在 2020 年秋季，开始了针对超快光场摄像机的研究。（来源：Light: Science & Applications）“研究早期充满了挣扎，一方面我们需要反复试错以完成实验系统光学设计和成像质量的不断优化，另一方面激光光场高光谱图像的压缩感知重构技术以及相关算法，对我们来说是新事物，需要不断积累经验。”他说。在这过程中，非常感谢负责具体实验和数据处理工作的研究生唐浩程和门庭，以及 教授和他的学生 Xianglei Liu。他继续说道：“唐浩程和门庭当时是刚刚入学的一年级研究生，面对陡峭的学习曲线虽然也曾抱怨这个课题‘就像要去五金店里翻找一些零件组装成一部汽车’，但凭借扎实的理论实验基础和顽强的毅力，以及合作者在压缩照相重构算法方面的有力支持，终于克服了种种困难。”到 2021 年秋，他们终于能以较好的可靠性，实现飞秒激光脉冲的超快光场摄像机，并利用它对光速飞行的激光等离子体电离前沿进行表征测量。（来源：Light: Science & Applications）然而，对于超快光场摄像机的探索并未结束。因为，为等离子体尾波“拍摄电影”的梦想并未实现。“也许我们已经找到更好的途径，离目标更近了一些，但仍需要朝着既定方向努力工作。进入 2022 年，我们继续进行超快光场摄像机相关的研究，并取得了一些进展，主要体现在进一步提高系统稳定性和可靠性、获取更全面的矢量光场信息、探索更多的超快光场摄像机应用等。”表示。如今，2022 年即将迎来尾声。对于更久之后的规划，他表示：其一，将进一步完善超快光场摄像机技术。目前的方法基于标量光场的假设，只测量了待测光场的振幅和相位信息。但是，实际的光场具有矢量形态的电 磁波，这时面对待测光场的偏振态以及矢量特征，就得做出完整的测量。其二，他计划完成一些基于超快光场摄像机的典型泵浦-探测实验。泵浦-探测实验，是探索物质超快时间尺度属性的有力工具。因此，他希望使用超快光场摄像机，来为探针光拍摄光场“电影”。其三，他也打算实现一些基于超快光场摄像机的应用。基于此，希望与领域内专家展开更多合作。尤其是在大型激光科学装置上，他期待能研发出一种实用的、小型化的超快激光光场时空表征仪器。而在工业应用方面，他将继续耕耘于为未来的超快激光加工设备配备一双“眼睛”，从而实现基于材料特性实时观测的智能加工。参考资料：1.Tang, H., Men, T., Liu, X. et al. Single-shot compressed optical field topography. Light Sci Appl 11, 244 (2022). https://doi.org/10.1038/s41377-022-00935-02.Z. Li, et al., Nat. Commun. (2014) 5, 30853.Z. Li et al., Phys. Rev. Lett.(2014) 113, 0850014.L. Gao, J. Liang et al., Nature (2014) 516, 74–77

北京时间10月3日17时50分许，在瑞典首都斯德哥尔摩，瑞典皇家科学院宣布，将2023年诺贝尔物理学奖授予美国俄亥俄州立大学名誉教授皮埃尔阿戈斯蒂尼（Pierre Agostini）、匈牙利-奥地利物理学家费伦茨克劳斯（Ferenc Krausz）和瑞典隆德大学教授安妮呂利耶（Anne L’Huillier），以表彰他们在阿秒光脉冲方面所做出的贡献。2023年每项诺贝尔奖的奖金也由去年的1000万瑞典克朗，增加到1100万瑞典克朗，约合人民币720万元。“阿秒”是时间单位，即10-18秒。按照时间长短划分，从秒开始依次是毫秒(10-3秒)、微秒(10-6秒)、纳秒(10-9秒)、皮秒(10-12秒)、飞秒(10-15秒)、阿秒(10-18秒)。而“阿秒光脉冲”就是指持续时间在阿秒量级的光脉冲。如此短的脉冲持续时间也为其带来了重要的应用。对此，诺贝尔奖给出的获奖理由如下：获奖理由：三位2023年诺贝尔物理学奖获得者因其实验而获得认可，这些实验为人类探索原子和分子内部的电子世界提供了新的工具。Pierre Agostini、Ferenc Krausz和Anne L’Huillier已经证明了一种制造超短光脉冲的方法，可以用来测量电子移动或改变能量的快速过程。当人类感知到快速移动的事件时，它们会相互碰撞，就像一部由静止图像组成的电影被感知为连续的运动一样。如果我们想调查真正短暂的事件，我们需要特殊的技术。在电子的世界里，变化发生在十分之几阿秒——阿秒如此之短，以至于一秒钟内的变化与宇宙诞生以来的秒数一样多。获奖者的实验产生了短到以阿秒为单位测量的光脉冲，从而证明这些脉冲可以用来提供原子和分子内部过程的图像。1987年，Anne L’Huillier发现，当她将红外激光传输通过稀有气体时，会产生许多不同的光泛音。每个泛音是激光中每个周期具有给定周期数的光波。它们是由激光与气体中的原子相互作用引起的；它给一些电子额外的能量，然后以光的形式发射出去。Anne L’Huillier继续探索这一现象，为随后的突破奠定了基础。2001年，Pierre Agostini成功地产生并研究了一系列连续的光脉冲，其中每个脉冲只持续250阿秒。与此同时，Ferenc Krausz正在进行另一种类型的实验，这种实验可以分离出持续650阿秒的单个光脉冲。获奖者的贡献使人们能够对以前无法遵循的快速过程进行调查。诺贝尔物理学委员会主席伊娃奥尔森表示：“我们现在可以打开电子世界的大门。阿秒物理学让我们有机会了解电子控制的机制。下一步将利用它们。”。在许多不同的领域都有潜在的应用。例如，在电子学中，理解和控制电子在材料中的行为很重要。阿秒脉冲也可以用于识别不同的分子，例如在医学诊断中。魏志义：我国激光产业发展迅速，未来可期实际上我国也一直在阿秒激光领域深耕，培养了一批杰出的科研人员。当前国内研究超快激光和阿秒激光的主要代表人物是来自中国科学院物理研究所的魏志义研究员，主要研究领域为超短超强激光物理与技术，包括飞秒激光放大的新原理与新技术、阿秒激光物理与技术、光学频率梳及应用等。魏志义研究员长期致力于超短脉冲激光技术与应用研究，主要成果有：提出了高对比度放大飞秒激光的一种新方法，得到同类研究当时国际最高峰值功率的PW（1015瓦）超强激光输出，创造了新的世界纪录；发明了同步不同飞秒激光的新方案，研制成功综合性能国际领先的同步飞秒激光器；建成国内首个阿秒（10-18秒）激光装置，得到了脉冲宽度小于200阿秒的极紫外激光脉冲；发展了新的光学频率梳技术，研制成功综合性能先进的系列飞秒激光频率梳；利用新的脉冲压缩技术与国外同事一起获得了亚5fs的激光脉冲，打破了保持10年之久的超短激光脉冲世界纪录；研制成功系列二极管激光直接泵浦的新型全固态超短脉冲激光，开发成功多种飞秒激光产品并提供国内外多家用户。仪器信息网在世界光子大会上有幸采访了魏志义研究员。魏志义表示，超快激光（即超短脉冲激光）领域激光领域前沿研究主要关注如何实现越来越窄的激光脉冲宽度，窄的激光脉冲可以用于物质中分子、原子甚至电子的运动过程研究，因为运动过程决定了物质的一些规律和属性。科研人员关注的另一方面是激光功率，更高功率的激光可能用于武器、加工、医疗等领域。功率方面的研究主要包括峰值功率和平均功率，其中峰值功率研究我国处于世界前列。魏志义在采访中表示其对高频功率非常关注和感兴趣。谈到国内在相关领域的前沿研究进展时，魏志义表示，我国在激光领域具有比较好的基础，与国外水平接近，虽然在整体上还有较大差距,但在部分领域有所领先。在超快脉冲激光方面，我国上世纪八九十年代与国际水平差距并不大，如西安光机所、天津大学、中山大学做得都非常不错。当前超快激光脉冲突破到阿秒量级，国内包括物理所在内的一些单位也拥有产生阿秒脉冲激光的能力，可以用来开展研究工作。在激光高频功率方面，上海光机所等单位在峰值功率研究上已达国际领先水平，并将国际水平推向了新的高度。据介绍，物理所十多年前在峰值功率方面取得了很好的研究成果，做到了当时国内最好也是国际上最高的的峰值功率。但在高频功率方面我国还是与国外有较大差距，特别是在产业方面。魏志义建议，接下来不仅要在极端指标方面，还要在可靠稳定性、高频功率方面做出突破，更好的提供给广大用户开展应用工作。魏志义也强调，我国当前在超快激光研究方面有些落后，但也在奋起直追，跟国际最高水平相比有一定差距，在高频物理方面，工业应用方面差距更大。但同时，魏志义表示这些年我国激光产业发展非常迅速，未来可期。

table border=" 1" cellspacing=" 0" cellpadding=" 0" width=" 600" tbody tr td width=" 123" p style=" line-height: 1.75em " 成果名称 /p /td td width=" 525" colspan=" 3" p style=" line-height: 1.75em " 低温扫描探针显微镜-分子束外延联合系统 /p /td /tr tr td width=" 123" p style=" line-height: 1.75em " 单位名称 /p /td td width=" 525" colspan=" 3" p style=" line-height: 1.75em " 中科院物理研究所 /p /td /tr tr td width=" 123" p style=" line-height: 1.75em " 联系人 /p /td td width=" 177" p style=" line-height: 1.75em " 郇庆 /p /td td width=" 161" p style=" line-height: 1.75em " 联系邮箱 /p /td td width=" 187" p style=" line-height: 1.75em " qhuan_uci@yahoo.com /p /td /tr tr td width=" 123" p style=" line-height: 1.75em " 成果成熟度 /p /td td width=" 525" colspan=" 3" p style=" line-height: 1.75em " √正在研发 □已有样机 □通过小试 □通过中试 □可以量产 /p /td /tr tr td width=" 123" p style=" line-height: 1.75em " 合作方式 /p /td td width=" 525" colspan=" 3" p style=" line-height: 1.75em " √技术转让 & nbsp & nbsp √技术入股 & nbsp □合作开发& nbsp √其他 /p /td /tr tr td width=" 648" colspan=" 4" p style=" line-height: 1.75em " strong 成果简介： /strong br/ & nbsp & nbsp /p p style=" text-align: center line-height: 1.75em " img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201603/insimg/d3e8deb8-9a73-4570-b633-d2de2a65bcdd.jpg" title=" LT-STM-MBE.jpg" width=" 350" height=" 347" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 350px height: 347px " / /p p style=" line-height: 1.75em " & nbsp br/ /p p style=" line-height: 1.75em " & nbsp & nbsp 该系统是针对SPM的专业研究应用所研发的。采用自制杜瓦型低温恒温器，可获得最低5K的低温，制冷剂利用效率高。特殊设计的扫描探头结构紧凑、体积小巧，具有极好的机械和温度稳定性。兼容目前主流商业化样品架，可原位更换针尖、样品和沉积分子/原子。集成了基于tuning fork技术的AFM，可在STM和AFM两种模式下工作。系统同时集成了专业的MBE腔体和独立的样品处理腔，具有液氮的冷屏和多达7个蒸发源安装位置，可以通过RHEED和LEED等手段监控生长。尚在研发中，主要技术指标待测。 /p /td /tr tr td width=" 648" colspan=" 4" p style=" line-height: 1.75em " strong 应用前景： /strong br/ & nbsp & nbsp & nbsp 纳米表征和研究的重要工具，国内每年需求量在数十台。 /p /td /tr tr td width=" 648" colspan=" 4" p style=" line-height: 1.75em " strong 知识产权及项目获奖情况： /strong br/ & nbsp & nbsp & nbsp 发明专利：201510345910.8 /p /td /tr /tbody /table p br/ /p

当前，我国半导体设备依旧高度依赖于海外企业，并且在核心技术和零部件上受到一定的限制。作为半导体产业重要的一环，薄膜沉积设备可以说牵一发而动全身。而中国作为半导体设备的重要市场，随着各地半导体项目的林立，晶圆代工厂的产能扩建热潮以及自主可控进程的推进，薄膜沉积设备厂商也迎来了快速成长和突破的新黄金期。对此，仪器信息网特邀请天津中环电炉股份有限公司介绍了其薄膜沉积设备。不断加大研发投入，为用户提供试用平台据了解，薄膜沉积领域在过去一直处于国外品牌独占市场。在此背景下，天津中环集中力量，借鉴国际先进经验，结合国内特色，开发了独具特色的薄膜沉积设备。其主要薄膜沉积产品包括CVD12IIIH-3-G、双相气流二硫化钼沉积设备、等离子薄膜沉积设备PECVD12IIH-3-G、三源流化床薄膜沉积设备等，凭借优异的性能，多次帮助用户在Science等多种国际级顶级期刊发表高影响力文章及成果，更是几乎进入了目前主流实验领域全部实验和部分高难度实验。天津中环的1200℃预加热双温区PECVD集成系统目前我国总体上看在薄膜沉积设备技术还处于新兴产业，发展时间短，技术积累薄弱，专业人才稀缺。市场处于萌芽阶段，但后续市场规模和技术需要又相当高。对此，天津中环认为，必须加大投入，无论资金、技术、人力等，不加大投入一但被国外产品拉开差距，建立技术壁垒，我国该产业很难发展，以至于薄膜沉积领域科研严重受制。正是在这种不断的研发投入下，天津中环现有产品已基本达到与国际龙头企业参数一致、价格更低、操作更容易、维护更简单。国内市场已经占据较多份额，主要客户群体有中科院所、大专院校、研究所、企业研发部门和检验部门。其中73%为实验领域。目前用户主要关注产品的技术参数和实验效果，为了更好的服务用户，天津中环组织人力、物力积极筹建实验室，为客户提供设备试用平台，目前天津中环实验室已经可以完成大多数实验，并得到理想的实验结果。确保客户采购设备后能够达到使用效果。另辟蹊径，绕开壁垒，突破“卡脖子”技术在贸易战以来，全社会都关注“卡脖子”问题，而在薄膜成绩领域当然也存在一定的“卡脖子”现象。在真空领域、气体控制领域特别明显，如高真空无油泵、特种气体流量控制等方面尤为突出。据透露，天津中环在5年前就发现问题，并积极联合各相关企业进行联合开发，通过特殊的设备结构、独特的设计理念另辟蹊径的达到了与国外类似的实验结果。从根本上绕过了一定的技术壁垒。谈到未来发展趋势时，天津中环认为未来的实验室和工业领域对于薄膜沉积技术更倾向于可视化的沉积与制备，可以更加直观的发现问题和解决问题。目前沉积设备都是盲烧。无法直观的展现沉积过程与沉积状态。这大大延缓了实验进度，阻碍了科学工作者的实验思路。基于对未来发展趋势的判断，天津中环于4年前着手研发可视化烧结、沉积设备。目前已经达到8微米级别的可视化分辨率，产品在陶瓷烧结、金属冶炼熔渗、高温接触角分析等领域获得无数好评，想成了稳定销售。下一步，天津中环还将着重研发纳米级分辨精度产品，为薄膜沉积领域打开一条新路。关于天津中环天津中环电炉是一家成立于1993年的股份制企业，现有产品专利40项，于2017年成功上市，具备研发、生产、实验等能力，产品上专精于实验电炉与薄膜沉积类设备及外延产品。在近年来半导体产业热潮下，天津中环主要业绩同比上一年度提高接近30%，三年平均增长18.7%。连续8年实现销售额增长超过10%。天津中环产品主要应用于材料行业、陶瓷行业、金属冶炼、处理。生物材料以及化学化工行业。

p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 近日，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心技术部电子学仪器部郇庆/刘利团队和超导国家重点实验室金魁/袁洁团队，在新一代高通量薄膜制备及原位表征技术研发获得重大进展，该成果发表于近期的《科学仪器评论》杂志上 span style=" color: rgb(0, 0, 0) " 【Review of Scientific Instruments 91, 013904 (2020) doi: 10.1063/1.5119686】 /span a href=" http://www.iop.cas.cn/xwzx/kydt/202002/P020200212416644690060.pdf" target=" _self" span style=" color: rgb(0, 112, 192) " （文章链接） /span /a 。 /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202002/uepic/e637a6c9-3502-4446-8d0c-ea9fb16b6e59.jpg" title=" 图片4.png" alt=" 图片4.png" / /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心技术部电子学仪器部郇庆/刘利团队一直致力于科研仪器装备的自主研发；超导国家重点实验室金魁/袁洁团队专注于基于高通量组合薄膜技术的新超导体探索和物理研究。近些年来，两个团队密切合作、联合攻关，共同指导SC2组博士生何格（目前在德国做洪堡学者）、魏忠旭、冯中沛等同学 strong span style=" color: rgb(0, 0, 0) " 成功研制并搭建了一台高通量连续组分外延薄膜制备及原位局域电子态表征系统。 /span /strong 该系统采用的关键技术为研发团队首次提出，核心部件均自主研发，具备多项独特优点： strong 1） /strong 采用专利的旋转掩膜板设计，避免累积误差和往复运动的问题，大大提高了系统运行精度和稳定性； strong 2） /strong 特殊设计的STM扫描头能够实现大范围XY移动（& gt 10 mm）和高精度定位（定位精度优于 1 μm）； strong 3） /strong 完备的传递设计可实现样品、针尖、靶材的高效传递，并易于未来功能扩展。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 该研发团队对系统进行了反复地设计优化和改进（研发历时4年多，设计版本多达50多个），并完成了全面的性能测试。他们利用自研系统制备了高质量的梯度厚度FeSe样品，得到可靠的超导转变温度随厚度的演变关系。在HOPG样品、金单晶样品、BSCCO样品以及原位生长FeSe样品表面均获得了高清原子分辨图像，并测量了BSCCO样品局域超导能隙扫描隧道谱。 strong 目前，该系统已用于研究高温超导机理问题和新型超导材料探索。 /strong /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 作为目前国际上最先进的第四代高通量实验设备，审稿人和项目验收专家组均给予了高度评价，认为该设备实现了研究应用和核心技术上的创新突破，解决了现有技术的诸多缺陷和不足，将成为材料基因研究的重要工具，并有望在推动多个领域的前沿研究中发挥重要作用。 /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202002/uepic/7b2acf06-1ac6-465d-ad0a-d76ef6f1406c.jpg" title=" 图1 ：组合激光分子束外延-扫描隧道显微镜联合系统：(a)三维设计图；(b) 实物照片.jpg" alt=" 图1 ：组合激光分子束外延-扫描隧道显微镜联合系统：(a)三维设计图；(b) 实物照片.jpg" / /p p style=" text-indent: 0em text-align: center " span style=" font-family: 微软雅黑, verdana, sans-serif, tahoma, arial font-size: 14px text-align: -webkit-center " 图1 ：组合激光分子束外延-扫描隧道显微镜联合系统：(a)三维设计图；(b) 实物照片 /span /p p style=" text-indent: 0em text-align: center " span style=" font-family: 微软雅黑, verdana, sans-serif, tahoma, arial font-size: 14px text-align: -webkit-center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202002/uepic/bb46dd89-0b72-4f5e-a7d6-dd88e1baa05c.jpg" title=" 图2：梯度厚度FeSe薄膜温度依赖电阻(a)及厚度依赖Tc (b).jpg" alt=" 图2：梯度厚度FeSe薄膜温度依赖电阻(a)及厚度依赖Tc (b).jpg" / /span /p p style=" text-indent: 0em text-align: center " span style=" font-family: 微软雅黑, verdana, sans-serif, tahoma, arial font-size: 14px text-align: -webkit-center " span style=" font-family: 微软雅黑, verdana, sans-serif, tahoma, arial font-size: 14px text-align: -webkit-center " 图2：梯度厚度FeSe薄膜温度依赖电阻(a)及厚度依赖Tc (b) /span /span /p p style=" text-indent: 0em text-align: center " span style=" font-family: 微软雅黑, verdana, sans-serif, tahoma, arial font-size: 14px text-align: -webkit-center " span style=" font-family: 微软雅黑, verdana, sans-serif, tahoma, arial font-size: 14px text-align: -webkit-center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202002/uepic/ca707a08-a9a8-4ef2-8798-23266bfbc9df.jpg" title=" 图3：STM系统表征数据：(a) HOPG原子分辨图； (b) Au(111)原子分辨图；(c) BSCCO表面超结构；(d) BSCCO隧道谱；(e) 原位生长FeSe大尺度形貌图；(f) 原位生长FeSe原子分辨图.png" alt=" 图3：STM系统表征数据：(a) HOPG原子分辨图； (b) Au(111)原子分辨图；(c) BSCCO表面超结构；(d) BSCCO隧道谱；(e) 原位生长FeSe大尺度形貌图；(f) 原位生长FeSe原子分辨图.png" / /span /span /p p style=" text-indent: 0em text-align: center " span style=" font-family: 微软雅黑, verdana, sans-serif, tahoma, arial font-size: 14px text-align: -webkit-center " span style=" font-family: 微软雅黑, verdana, sans-serif, tahoma, arial font-size: 14px text-align: -webkit-center " span style=" font-family: 微软雅黑, verdana, sans-serif, tahoma, arial font-size: 13.3333px text-align: -webkit-center " 图3：STM系统表征数据：(a) HOPG原子分辨图； (b) Au(111)原子分辨图；(c) BSCCO表面超结构；(d) BSCCO隧道谱；(e) 原位生长FeSe大尺度形貌图；(f) 原位生长FeSe原子分辨图 /span /span /span /p

硅基光电子集成芯片以成熟稳定的CMOS工艺为基础，将传统光学系统所需的巨量功能器件高密度集成在同一芯片上，提升芯片的信息传输和处理能力，可广泛应用于超大数据中心、5G/6G、物联网、超级计算机、人工智能等新兴领域。硅(Si)材料发光效率低，因此将发光效率高的III-V族半导体材料如砷化镓(GaAs)外延在CMOS兼容Si基衬底上，并外延和制备激光器被公认为最优的片上光源方案。Si与GaAs材料间存在大的晶格失配、极性失配和热膨胀系数失配等问题，因而在与CMOS兼容的无偏角Si衬底上研制高性能硅基外延激光器需要解决一系列关键的科学与技术难点。 　　近期，中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室杨涛与杨晓光研究团队，在硅基外延量子点激光器及其掺杂调控方面取得重要进展。该团队采用分子束外延技术，在缓冲层总厚度2700nm条件下，将硅基GaAs材料缺陷密度降低至106cm-2量级。科研人员采用叠层InAs/GaAs量子点结构作为有源区，并首次提出和将“p型调制掺杂+直接Si掺杂”的分域双掺杂调控技术应用于有源区，研制出可高温工作的低功耗片上光源。室温下，该器件连续输出功率超过70mW，阈值电流比同结构仅p型掺杂激光器降低30%。该器件最高连续工作温度超过115°C，为目前公开报道中与CMOS兼容的无偏角硅基直接外延激光器的最高值。上述成果为实现超低功耗、高温度稳定的高密度硅基光电子集成芯片提供了关键方案和核心光源。 　　6月1日，相关研究成果以Significantly enhanced performance of InAs/GaAs quantum dot lasers on Si(001) via spatially separated co-doping为题，发表在《光学快报》(Optics Express)上。国际半导体行业杂志Semiconductor Today以专栏形式报道并推荐了这一成果。研究工作得到国家重点研发计划和国家自然科学基金等的支持。图1.硅基外延量子点激光器结构示意及器件前腔面的扫描电子显微图像。图2.采用双掺杂调控的器件与参比器件在不同工作温度下的连续输出P-I曲线，插图为双掺杂调控激光器在115℃、175mA连续电流下的光谱。

什么是原子层沉积技术原子层沉积技术（ALD）是一种一层一层原子级生长的薄膜制备技术。理想的 ALD 生长过程，通过选择性交替，把不同的前驱体暴露于基片的表面，在表面化学吸附并反应形成沉积薄膜。 20 世纪 60 年代，前苏联的科学家对多层 ALD 涂层工艺之前的技术（与单原子层或双原子层的气相生长和分析相关）进行了研究。后来，芬兰科学家独立开发出一种多循环涂层技术（1974年，由 Tuomo Suntola 教授申请专利）。在俄罗斯，它过去和现在都被称为分子层沉积，而在芬兰，它被称为原子层外延。后来更名为更通用的术语“原子层沉积”，而术语“原子层外延”现在保留用于（高温）外延 ALD。 Part 01.原子层沉积技术基本原理 一个完整的 ALD 生长循环可以分为四个步骤： 1.脉冲第一种前驱体暴露于基片表面，同时在基片表面对第一种前驱体进行化学吸附2.惰性载气吹走剩余的没有反应的前驱体3.脉冲第二种前驱体在表面进行化学反应，得到需要的薄膜材料4.惰性载气吹走剩余的前驱体与反应副产物 原子层沉积（ ALD ）原理图示 涂层的层数（厚度）可以简单地通过设置连续脉冲的数量来确定。蒸气不会在表面上凝结，因为多余的蒸气在前驱体脉冲之间使用氮气吹扫被排出。这意味着每次脉冲后的涂层会自我限制为一个单层，并且允许其以原子精度涂覆复杂的形状。如果是多孔材料，内部的涂层厚度将与其表面相同！因此，ALD 有着越来越广泛的应用。 Part 02. 原子层沉积技术案例展示 原子层沉积通常涉及 4 个步骤的循环，根据需要重复多次以达到所需的涂层厚度。在生长过程中，表面交替暴露于两种互补的化学前驱体。在这种情况下，将每种前驱体单独送入反应器中。 下文以包覆 Al2O3 为例，使用第一前驱体 Al(CH3)3（三甲基铝，TMA）和第二前驱体 H2O 或氧等离子体进行原子层沉积，详细过程如下：反应过程图示 在每个周期中，执行以下步骤： 01 第一前驱体 TMA 的流动，其吸附在表面上的 OH 基团上并与其反应。通过正确选择前驱体和参数，该反应是自限性的。 Al(CH3)3 + OH = O-Al-(CH3)2 + CH4 02使用 N2 吹扫去除剩余的 Al(CH3)3 和 CH4 03第二前驱体（水或氧气）的流动。H2O（热 ALD）或氧等离子体自由基（等离子体 ALD）的反应会氧化表面并去除表面配体。这种反应也是自限性的。 O-Al-(CH3)2 + H2O = O-Al-OH(2) + (O)2-Al-CH3 + CH4 04使用 N2 吹扫去除剩余的 H2O 和 CH4，继续步骤 1。 由于每个曝光步骤，表面位点饱和为一个单层。一旦表面饱和，由于前驱体化学和工艺条件，就不会发生进一步的反应。 为了防止前驱体在表面以外的任何地方发生反应，从而导致化学气相沉积（CVD），必须通过氮气吹扫将各个步骤分开。 Part 03. 原子层沉积技术的优点 由于原子层沉积技术，与表面形成共价键，有时甚至渗透（聚合物），因此具有出色的附着力，具有低缺陷密度，增强了安全性，易于操作且可扩展，无需超高真空等特点，具有以下优点： 厚度可控且均匀通过控制沉积循环次数，可以实现亚纳米级精度的薄膜厚度控制，具有优异的重复性。大面积厚度均匀，甚至超过米尺寸。 涂层表面光滑完美的 3D共形性和 100% 阶梯覆盖：在平坦、内部多孔和颗粒周围样品上形成均匀光滑的涂层，涂层的粗糙度非常低，并且完全遵循基材的曲率。该涂层甚至可以生长在基材上的灰尘颗粒下方，从而防止出现针孔。 ALD 涂层的完美台阶覆盖性 适用多类型材料所有类型的物体都可以进行涂层：晶圆、3D 零件、薄膜卷、多孔材料，甚至是从纳米到米尺寸的粉末。且适用于敏感基材的温和沉积工艺，通常不需要等离子体。 可定制材料特性适用于氧化物、氮化物、金属、半导体等的标准且易于复制的配方，可以通过三明治、异质结构、纳米层压材料、混合氧化物、梯度层和掺杂的数字控制来定制材料特性。 宽工艺窗口，且可批量生产对温度或前驱体剂量变化不敏感，易于批量扩展，可以一次性堆叠和涂覆许多基材，并具有完美的涂层厚度均匀性。

仪器信息网讯 7月26-28日，2023世界光子大会暨第十四届光电子产业博览会在北京国际会议中心顺利召开！本届大会由中国光学工程学会（CSOE）、国际光学工程学会（SPIE）、俄罗斯工程院、德国工程院、美国工程院等各国学会机构主办。大会以“光领制造，智创未来”为主题，聚焦光电子行业新市场、新产品、新技术，近20余场学术会议，八大主题展览，以及第12届国际应用光学与光子学技术交流大会（AOPC2023）同期举办，近百位大咖专家聚焦光电子领域的学术与技术的创新碰撞。大会期间，仪器信息网特别采访了中国科学院物理研究所魏志义研究员。据了解，魏志义主要从事超短脉冲激光（即超快激光）研究。采访中，魏志义向我们介绍，激光领域前沿研究主要关注如何实现越来越窄的激光脉冲宽度，窄的激光脉冲可以用于物质中分子、原子甚至电子的运动过程研究，因为运动过程决定了物质的一些规律和属性。此外，科研人员关心的另一方面是激光功率，更高功率的激光可能用于武器、加工、医疗等领域。功率方面的研究主要包括峰值功率和平均功率，其中峰值功率研究我国处于世界前列。魏志义在采访中对高频功率非常关注和感兴趣。以下为现场采访视频：

科学仪器是科技创新的重要基础和保障，也是创新研究成果的重要产出形式之一，标志着国家创新能力和科学技术可持续发展的水平。然而，目前我国大部分的科学仪器依赖进口，高端仪器和核心部件往往受制于人。《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标》中明确要求要“加强高端科研仪器设备研发制造”。中国科学院作为国家战略科技力量，是我国开展科学仪器创新研制的主力之一，从“八五”期间开始设立“科学仪器设备升级改造和自主研制”专项。通过长期坚持高端科学仪器的自主创新研制，中国科学院取得了一系列重要成果，积累了一批关键核心技术，产出了一批具有知识产权的科学仪器设备。自2019年起，中国科学院系统梳理了具有自主知识产权的仪器设备和关键零部件，编制《中国科学院自主研制科学仪器产品名录》，并通过《中国科学院院刊》出版和传播，进一步加强中国科学院自主研制科学仪器的推广和应用。本文特汇总了2019至2022年度《中国科学院自主研制科学仪器产品名录》，供科技工作者、相关部门和企业等了解和参考。2019-2022年度中国科学院自主研制科学仪器产品名录中国科学院自主研制科学仪器2022序号产品名称数理与天文科学1量子钻石原子力显微镜2低温扫描隧道显微镜3低温扫描隧道显微镜-分子束外延联合系统4低温强磁场用扫描探针显微镜5金刚石量子计算教学机6钨灯丝扫描电子显微镜7脉冲式电子顺磁共振谱仪8氦质谱检漏仪9便携式伽玛射线成像仪10便携式核素识别仪1110拍瓦超强超短激光器121拍瓦超强超短激光器13中子斩波器14大型平行光管15核与辐射应急车载平台16激光雷达望远镜171米口径光学望远镜18大口径标准镜面1920英寸大面积微通道板型光电倍增管20超快位敏型微通道板型光电倍增管21靶斑仪22多波长飞秒全固态激光器23高重频钛宝石飞秒激光放大器24氟化钡闪烁晶体探测器25星载铷原子钟26芯片原子钟27显微共焦拉曼荧光光谱测量模块28有机玻璃内应力无损定量移动式检测装置29同步控制系统30太阳辐照度绝对辐射计化学与材料科学31分子束外延系统32深紫外激光光致发光光谱仪33深紫外激光光发射电子显微镜34场发射扫描电子显微镜35原子层沉积系统36磁控溅射台37电子束蒸发镀膜设备38系列高离化磁控溅射镀膜仪39碳化硅晶体生长炉40等离子体化学气相沉积镀膜设备41有机、无机薄膜沉积设备42台式电子顺磁共振波谱仪43X波段连续波/W波段脉冲电子顺磁共振波谱仪44全自动比表面及孔径分析仪45微型流化床反应动力学分析仪46多功能内耗仪47多相流非均相特性测量系统48光谱椭圆偏振仪49激光共聚焦法流体液膜厚度及物性测量仪50高能衍射仪51多维跨尺度材料热性能测量仪52微颗粒实时在线监测仪5380-400开尔文低温绝热量热仪54实验室中能X射线吸收谱仪55偏振光栅光刻机56台式数字光刻机57蒸发源及控制器58射频电源59分子泵60双级高速离心式空气压缩机信息与工程科学61X射线三维分层成像仪62红外焦平面探测器测试分析系统63投影光刻机64接触式曝光机系列65大视场三线阵立体航测相机66傅里叶变换红外光谱辐射分析仪67激光干涉仪68衍射光栅（平面刻划光栅、平面全息光栅、曲面全息光栅）69超高分辨率超声缺陷检测设备70高密度等离子体刻蚀机71高精度电光晶体定向仪72超高精度面形干涉测量设备73智能环形抛光机74纤维增强复合材料超快激光切割装备75万瓦级半导体激光器综合测试系统76单频激光噪声测试仪77相干光场波前测量仪78长焦可见光/红外共口径光学成像相机79显微红外成像光谱仪80机载双频激光雷达81激光跟踪仪82卫星移动通信终端综合测试仪83光矢量网络分析仪84数字延时脉冲发生器85系列深紫外准分子激光器86高温液态金属流速实时在线监测仪87集束型纳米薄膜生长系统88涡轮叶片表面温度测量仪89线阵列X射线探测器90中红外锑化物大功率激光器地球与环境科学91地面电磁探测系统92小型绝对重力仪93近钻头方位伽马成像地质导向系统94分布式光纤声传感系统95偶极横波远探测井仪96高精度光纤地震采集系统97岩石空心圆柱扭剪试验系统98天光背景测量仪99质子转移反应质谱仪100大气臭氧观测激光雷达101便携式多组份气体紫外分析仪102车载双光路污染气体分布及网格化排放遥测系统103大气成分差分光学吸收光谱在线监测系统104轨道对地高时空分辨率快速成像仪105大动态范围积分球辐射源106温室气体柱总量地基观测系统107宽波段可调谐光腔衰荡光谱仪108激光散射大气颗粒物偏振浊度计109高频单颗粒偏光粒径谱仪110深海激光拉曼光谱原位定量探测系统111声学多普勒流速剖面仪112基于大型浮标的自由伸缩式海洋剖面观测平台113三锚式浮标综合观测平台114深海海底理化环境长期观测系统115深海多参数剖面观测浮标116海底地震仪117船载挥发性有机物监测仪118系列拉曼光谱探针1196000米级可视化可控轻型柱状取样器120漫反射标准参照板生命与医学科学121人体肺部气体磁共振成像仪1221.5T无液氦超导磁共振成像系统123乳腺/灵长类正电子发射断层成像仪124小动物能谱显微CT125消毒防疫机器人126全自动数字PCR检测系统127自动化核酸快速提取仪128固态纳米孔制备仪129流式光片成像仪

一、项目基本情况项目编号：GZGK22D205A0645Z项目名称：季华实验室分子束外延系统采购项目采购方式：公开招标预算金额：6,500,000.00元采购需求：合同包1(分子束外延系统):合同包预算金额：6,500,000.00元品目号品目名称采购标的数量（单位）技术规格、参数及要求品目预算(元)最高限价(元)1-1其他仪器仪表分子束外延系统1(台)详见采购文件6,500,000.00-本合同包不接受联合体投标合同履行期限：见“标的提供时间”要求。二、申请人的资格要求：1.投标供应商应具备《政府采购法》第二十二条规定的条件，提供下列材料：1）具有独立承担民事责任的能力：在中华人民共和国境内注册的法人或其他组织或自然人，投标时提交有效的营业执照（或事业法人登记证或身份证等相关证明）副本复印件。分支机构投标的，须提供总公司和分公司营业执照副本复印件，总公司出具给分支机构的授权书。2）有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录：提供投标截止日前6个月内任意1个月依法缴纳税收和社会保障资金的相关材料。如依法免税或不需要缴纳社会保障资金的，提供相应证明材料。3）具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度：供应商必须具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度（提供2021年度财务状况报告或基本开户行出具的资信证明）。4）履行合同所必需的设备和专业技术能力：按投标文件格式填报设备及专业技术能力情况。5）参加采购活动前3年内，在经营活动中没有重大违法记录：参照投标函相关承诺格式内容。 重大违法记录，是指供应商因违法经营受到刑事处罚或者责令停产停业、吊销许可证或者执照、较大数额罚款等行政处罚。（根据财库〔2022〕3号文，“较大数额罚款”认定为200万元以上的罚款，法律、行政法规以及国务院有关部门明确规定相关领域“较大数额罚款”标准高于200万元的，从其规定。）2.落实政府采购政策需满足的资格要求：合同包1(分子束外延系统)落实政府采购政策需满足的资格要求如下:本采购包不属于专门面向中小企业采购的项目。3.本项目的特定资格要求：合同包1(分子束外延系统)特定资格要求如下:(1)供应商未被列入“信用中国”网站(www.creditchina.gov.cn)“失信被执行人或重大税收违法失信主体或政府采购严重违法失信行为记录名单”；不处于中国政府采购网(www.ccgp.gov.cn)“政府采购严重违法失信行为信息记录”中的禁止参加政府采购活动期间。（以采购代理机构于投标截止时间当天在“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn）及中国政府采购网（http://www.ccgp.gov.cn/）查询结果为准，如相关失信记录已失效，供应商需提供相关证明资料）。(2)单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商，不得同时参加本采购项目（采购包）投标。 为本项目提供整体设计、规范编制或者项目管理、监理、检测等服务的供应商，不得再参与本项目投标。 投标函相关承诺要求内容。(3)已获取本项目采购文件。三、获取招标文件时间： 2022年10月14日 至 2022年10月21日 ，每天上午 00:00:00 至 12:00:00 ，下午 12:00:00 至 23:59:59 （北京时间,法定节假日除外）地点：广东省政府采购网https://gdgpo.czt.gd.gov.cn/方式：在线获取售价： 免费获取四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点2022年11月04日 09时00分00秒 （北京时间）递交文件地点：佛山市禅城区季华五路公交大厦6楼开标室（6）开标地点：佛山市禅城区季华五路公交大厦6楼开标室（6）五、公告期限自本公告发布之日起5个工作日。六、其他补充事宜1.本项目采用电子系统进行招投标，请在投标前详细阅读供应商操作手册，手册获取网址：https://gdgpo.czt.gd.gov.cn/help/transaction/download.html。投标供应商在使用过程中遇到涉及系统使用的问题，可通过020-88696588 进行咨询或通过广东政府采购智慧云平台运维服务说明中提供的其他服务方式获取帮助。2.供应商参加本项目投标，需要提前办理CA和电子签章，办理方式和注意事项详见供应商操作手册与CA办理指南，指南获取地址：https://gdgpo.czt.gd.gov.cn/help/problem/。3.如需缴纳保证金，供应商可通过"广东政府采购智慧云平台金融服务中心"(http://gdgpo.czt.gd.gov.cn/zcdservice/zcd/guangdong/)，申请办理投标（响应）担保函、保险（保证）保函。/七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。1.采购人信息名 称：季华实验室地 址：广东省佛山市南海区桂城街道环岛南路28号联系方式：李工 0757-635053532.采购代理机构信息名 称：广州市国科招标代理有限公司地 址：广州市先烈中路100号科学院大院9号楼东座2楼（中国广州分析测试中心对面）联系方式：0757-83277829、020-876888473.项目联系方式项目联系人：黄小姐、李小姐电 话：0757-83277829、020-87688847广州市国科招标代理有限公司2022年10月14日

p style=" text-align: justify " & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp 中美贸易战以来，半导体产业受到了空前的关注。半导体产业发展至今经历了三个阶段，第一代半导体材料以硅（Si）为代表。第二代半导体材料砷化镓（GaAs）也已经广泛应用。而以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）等宽禁带为代表的第三代半导体材料相较前两代产品，性能优势显著并受到业内的广泛好评。面对第一代和第二代半导体落后于世界先进水平的局面，我国在第三代半导体上的研究有望实现“弯道超车”。因此，我国对第三代半导体的研究空前重视。 /p p style=" text-align: justify " & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp 而分子束外延是第三代半导体中的关键技术，主要用来沉淀GaAs异质外延层并可达到原子分辨率的一种主要方法。也被用来在硅片衬底上沉积硅并能严格控制外延层厚度和掺杂的均匀性。 /p p style=" text-align: justify " & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp 近日，中国科学院物理研究所耗资908.1774000万成功采购一套分子束外延系统（MBE）。 /p p style=" text-align: justify " & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp 以下为中标公告。 /p p style=" text-align: justify " 一、项目编号：OITC-G200331103（招标文件编号：OITC-G200331103） /p p style=" text-align: justify " 二、项目名称：中国科学院物理研究所分子束外延系统（MBE）采购项目 /p p style=" text-align: justify " 三、中标（成交）信息 /p p style=" text-align: justify " 供应商名称：磊备半导体科技（上海）有限公司 /p p style=" text-align: justify " 供应商地址：上海市宝山区毛家路31号12幢G006室 /p p style=" text-align: justify " 中标（成交）金额：908.1774000（万元） /p p style=" text-align: justify " 四、主要标的信息 /p table style=" border-collapse:collapse " tbody tr class=" firstRow" td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width=" 35" valign=" top" & nbsp 序号 br/ /td td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width=" 112" valign=" top" & nbsp 供应商信息 br/ /td td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width=" 96" valign=" top" & nbsp 货物名称 br/ /td td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width=" 54" valign=" top" & nbsp 货物品牌 br/ /td td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width=" 84" valign=" top" & nbsp 货物型号 br/ /td td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width=" 66" valign=" top" & nbsp 货物数量 br/ /td td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width=" 74" valign=" top" & nbsp 货物单价（欧元） br/ /td /tr tr td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width=" 35" valign=" top" & nbsp 1 br/ /td td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width=" 112" valign=" top" & nbsp 磊备半导体科技（上海）有限公司 /td td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width=" 96" valign=" top" & nbsp 分子束外延系统 /td td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width=" 54" valign=" top" & nbsp RIBER br/ /td td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width=" 84" valign=" top" & nbsp Compact 21 /td td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width=" 66" valign=" top" 1 br/ /td td style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width=" 74" valign=" top" & nbsp 1105000 /td /tr /tbody /table p style=" text-align: justify " 五、评审专家（单一来源采购人员）名单： /p p style=" text-align: justify " 奚文龙、高子萍、蒋秀高、李毅民、苏少奎 /p p style=" text-align: justify " 六、代理服务收费标准及金额： /p p style=" text-align: justify " 本项目代理费收费标准：[2002]1980号文件 /p p style=" text-align: justify " 本项目代理费总金额：9.1654万元（人民币） /p p style=" text-align: justify " 七、公告期限 /p p style=" text-align: justify " 本公告发布之日起1个工作日。 /p p style=" text-align: justify " 八、其它补充事宜 /p p style=" text-align: justify " 中标金额：欧元1105000 /p p style=" text-align: justify " 1欧元=8.2188人民币 /p

2024年3月20日至22日，备受瞩目的SEMICON China 2024在上海新国际博览中心隆重举行。作为全球规模最大、规格最高、最具影响力的展会，有1100家企业参展，覆盖芯片设计、制造、封测、设备、材料、光伏、显示等产业链，是半导体行业的开年盛会。展会期间，仪器信息网有幸采访到了费勉仪器科技（南京）有限公司MBE应用专家高汉超。在采访中，高老师详细介绍了公司所带来的分子束外延设备的具体型号，同时，还深入阐述了这些设备的创新点。此外，高老师还分享了公司产品相比国外产品在价格好和服务售后方面所具有的优势。不仅如此，高老师还提及了公司过往的销售成绩，并且阐述了未来的规划，包括拓展产品线和实现更大量产型机台的销售。最后，高老师也就国产替代发表了看法，并对分子束外延设备的市场趋势进行了分析和预测。以下是现场采访视频：仪器信息网：本次是贵公司第几次参加Semicon China，参会感受如何？高老师：我们公司是第三次参加半导体展会，然后从这次参会的看，目前国产的设备厂商越来越多，从原材料到设备部件到整机，然后我们也看出来这几年的国产厂商在持续发力，我们这是非常好的现象，然后我们也希望国产的半导体厂商越来越多的进入半导体的供应链，然后实现国产替代。 仪器信息网：本次参会，贵公司带来了哪些分子束外延设备和产品？有哪些创新？高老师：我们这次带来总共有 MBE600、800、800plus和1000这一些型号，然后目前我们展板上就有1000，这些型号我们能覆盖从2寸到8寸的这种化物半导体的晶圆，然后覆盖材料从二代半导体的镓、砷、铟、磷到三代半导体的氮化镓以及超宽基带的半导体这种氧化镓的材料外延生产的分子外延设备。这些分子测设备我们的主要创新点其实主要包括两个方面，第一个我们采用直接蒙特卡洛这种模拟的方法，然后在通过模拟原子和分子在生长腔内的行为，然后我们能够实现结构的优化，我们可以通过这种优化能够实现分子束外延具有非常好的一个布局，能够实现这种良好的均匀性。然后另一个创新点就是采用这种重载式的机械臂，能够实现非常好的定位精度，定位精度大概在±0.05毫米，能够保证分子束外延这种持续高效稳定的运行。 仪器信息网：相比于其他分子束外延厂商有哪些优势和特点？贵公司如何保持自己的差异化优势？高老师：首先我们对比国外的这些产品，我们公司的产品的各项参数性能与国外类似的产品在指标性能上基本能够保持一致，但是价格我们比国外的产品应该是更有优势，而且我们公司立足在国内具有完善的研发服务，还有售后的这种团队，我们能够第一时间响应客户的要求，然后能够为客户提供这种多样的外延服务，就是多样的这种以客户为中心进行服务，能够满足客户的各种需求。 仪器信息网：您认为当前半导体行业对分子束外延设备的最大需求是什么？高老师：MBE需求 我认为主要体现在两个方面，第一个就是在面向应用的就是生产型的设备，主要是面向应用，主要是用于微电子和光电子。由于份数具有比较好的真空，它生产的材料纯度也高，而且它的可控性好，它特别适合制造就是长周期的一些结构，包括砷化镓、磷化铟基的这种激光器、探测器等等以及一些微电子材料。例如砷化镓的一些HTTP的这种结构，这种材料都要求这种界面的可控性要求就比较高。而且随着现在这种微电子和光电子技术发展，可能对材料可控性要求越来越高，然后我相信未来MBE会进入更多的这种研究生产领域。 仪器信息网：贵公司在过去一年中，在中国市场取得了怎样的成绩？在2024年又有哪些战略或市场规划？高老师：我们在2023年总共销售应该有9个产品，就是9套系统，然后目前在国内的分子束外延市场，我们几乎处于领先的一个位置2024年我们希望拓展我们的产品线，能够覆盖更多的材料，生产值及这种研发，然后我们希望能够实现这种更大的量产型机台的这种销售。 仪器信息网：近年来，国产替代受到广泛关注，请您谈谈在分子束外延设备领域的国产替代看法，以及贵公司在国产替代方面的布局。高老师：由于近年来大家众所周知的原因，有很多设备是不能进口到国内的，然后我们分子束有些客户也遇到相同的问题，而且随着这几年的发展，大家对国产设备的接受度越来越高，而且我们公司的产品迭代的也越来越快，性能相比于前几代的产品越来越好，得到了客户的广泛认可。我们现在基本能够实现零部件和一些运动部件的平替，后续我们希望整个产品线从研发生产一直到生产的所有的机台型号设备产品的一个平替。 仪器信息网：根据您的观察和分析，您认为未来分子束外延设备市场将呈现哪些趋势？高老师：我觉得主要有两个趋势，一方面是基础研究，目前国家对这个基础研究投入越来越高，而且MBE是作为一个非常灵活的基础研究的工具，它适合生长各类的材料和薄膜，这块是一个很明显的增量市场，还有一个趋势，可能大家希望在量产型设备向更大尺寸更高稳定性这块发展，我们公司也在规划未来会做一些量产型的这种大设备，以满足市场的需求。