单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为2%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为7%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为4%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为6%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为2%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为3%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为8%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为7%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为5%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为9%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为6%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为3%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为8%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为5%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为4%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为9%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为1%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
单晶硅标样,5mm x 5mm。可用于检查SEM、LM放大校正图像扭曲度。每10µ m (0.01mm)有一方格。格与格之间分割线大约为1.9µ m宽,由电子束形成。每隔500µ m有一稍宽的分隔线,用于光学显微镜检测。分隔线和方格使用蚀刻法,约2µ m宽200nm深。不同标样均可以安装在单晶硅检测标样上,可对电镜进行内部标定。可根据扫描电镜型号的不同选择标样及所带的样品台。
单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为1%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
认证的单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。认证的单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为20%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
认证的单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。认证的单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为20%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为11%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为10%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。