单晶炉

D8 VENTURE/QUEST—面向未来的单晶X射线衍射仪D8 VENTURE/QUEST是布鲁克公司推出的新款，功能强大的X射线单晶衍射仪。 一体化的设计， 配备目前世界上先进的光源以及PHOTON III MMPAD探测器，帮助您测试最富有挑战性的晶体，获得好的数据质量。 其主要特点为：● 同时适合小分子晶体学和蛋白质晶体学的研究需要，应用范围广。● 新一代的lus 3.0微焦斑光源，性能娘美微焦斑转靶，零维护，寿命超长。● 液态金属靶MetalJET，室内X射线光源， 强度远● 远高千微焦斑转靶，让您拥有个人的“同步辐射＂ ，解决最难的晶体学问 题， 比如GPCR膜蛋白的结构。● 采用四代光源XFEL探测器技术的PHOTON III MMPAD混合光子计数探测器，● 超大面积，超快速度， 零噪音， 单光子检测的灵敏度。● 双靶配置， 软件自动切换光源。 满足不同类型的研究需要。 元件自动识别， 智能化光路管理。● 新一代的APEX3/PROTEUM3软件， 功能强大， 智能化程度高， 轻松操控仪器， 获得好数据。● lus Diamond微焦斑光源， 零维护， 性能超越微焦斑转靶。

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我公司研发生产的坩埚下降法生长的单晶炉设备，是一种常用的晶体生长方法又叫布里奇曼晶体生长法。把原料装在坩埚内，并通过控制加热炉体缓慢的上升，形成一个温度梯度，炉温控制在略高于材料的熔点，在通过加热区域时，坩埚中的材料被熔融，当炉体持续上升时，坩埚底部材料低于熔点以下，并开始结晶，晶体随炉体上升而持续长大。这种方法通常拥有金属单晶双晶的生长，用于制备碱金属和碱土金属卤化物和氟化物单晶生长等。我公司在晶生长拥有丰富的经验，其中自主研发生长的单晶有三十多种，有6种单晶生长都是全世界唯一的。我公司可以免费培训单晶生长技术，欢迎你与我公司联系洽谈！具体信息请点击查看：

四电弧高温单晶生长炉 日本GES公司生产的四电弧高温单晶生长炉，采用电弧放电的高温材料合成方法，非常适合生长化学性质活跃但熔点高（一般在3000摄氏度左右）的金属间化合物，包括含有稀土元素（或者金属铀）的二元及四元金属间化合物，例如UGe2, UPt3, V3Si, URu2Si2, RE2Co17 , CePd2Al3, REFe10Ti2 合金单晶以及Nd2Fe14B, URhAl, UNiAl and RENi5等合金单晶。生长的过程中，原料放在旋转的铜坩埚中，四个电同时放电形成高温熔化原料，精密控制的拉晶棒使用Czochralski方法将熔化的原料拉成单晶。样品室的真空度可达10-6托，也可以充入保护性气体。产品特点* 采用四电弧法加热* 可实现3000°C高温* 适用于金属间化合物材料基本参数样品腔：高温度：3000℃气氛：Ar工作压强：5x10-6 Torr~1.1Atm真空度：10-6 Torr尺寸:直径208*300H材料:不锈钢冷却:水冷提拉棒：提拉生长速度：0.1-39mm/hr转动速度:0-10rpm行程：150mm坩埚：转动速度：0-10rpm行程：20mm电弧电流：样品：25/30A（可调） 真空吸气剂：25/30A（可调）炉体：重量：350Kg尺寸：600W*700D*2155H工作原理图发表文章1. Single-Crystal Growth of f-Electron Intermetallics in a Tetra-Arc Czochralski Furnace. ACTA PHYSICA POLONICA A (2013), 124 (2):336-339.2. Crystal structure and magnetic properties of the ferromagnet CoMnSb. Proc. J-Physics 2019: Int. Conf, Multipole Physics and Related Phenomena JPS Conf. Proc. , 013004 (2020).国内用户单位北京大学中科院物理所复旦大学国外用户单位Tokyo UniversityOkayama UniversityOsaka UniversityUniversity of California San DiegoUniversity of MarylandVienna University of Technology

新一代高性能激光浮区法单晶炉-LFZ Quantum Design Japan公司推出的激光浮区法单晶生长系统传承日本理化研究所(RIKEN,CEMS)的先进设计理念，新一代高性能激光浮区炉（型号：LFZ-2kW）具有更高功率、更加均匀的能量分布和更加稳定的性能，将浮区法晶体生长技术推向一个全新的高度！应用领域可广泛用于凝聚态物理、化学、半导体、光学等多种学科领域相关单晶材料制备，尤其适合高饱和蒸汽压、高熔点材料及高热导率材料等常规浮区法单晶炉难以胜任的单晶生长工作。激光浮区法单晶生长系统可广泛用于凝聚态物理、化学、半导体、光学等多种学科领域相关单晶材料制备，尤其适合高饱和蒸汽压、高熔点材料及高热导率材料等常规浮区法单晶炉难以胜任的单晶生长工作，跟传统的激光浮区法单晶生长系统相比，Quantum Design公司推出的新一代激光浮区法单晶炉系统具有以下技术优势：● 采用全新五束激光设计，确保熔区能量分布更加均匀 ● 更加科学的激光光斑优化方案，有助于降低晶体生长过程中的热应力● 采用了特的实时温度集成控制系统RIKEN（CEMS）设计的五束激光发生器原型机实物新一代激光浮区法单晶炉系统主要技术参数： 加热控制加热类型5束激光激光功率2KW熔区温度2600℃ ~ 3000℃*温度稳定性+/-1℃晶体生长控制 晶体生长设计长度可达150mm*晶体生长设计直径可达8mm*晶体生长速度/转速可达 300mm/hr 100rpm样品腔可施加压力可达10bar样品腔气氛多种气路（O2/Ar/混合气等）可供选配晶体生长监控高清摄像头晶体生长控制PC控制*具体取决于材料及实验条件应用案例采用新一代激光浮区法单晶炉系统生长出的部分单晶体应用案例： RubyDy2Ti2O7BaTiO3 Sr2RuO4 SmB6 Ba2Co2Fe12O22Y3Fe5O12 * 以上单晶图片由 Dr. Y. Kaneko (RIKEN CEMS) 提供用户单位东京大学日本国立材料研究所

高精度光学浮区法单晶炉Quantum Design Japan公司推出的高温光学浮区法单晶炉，采用镀金双面镜、高反射曲面设计，温度可达2100℃-2200℃，系统采用高效冷却节能设计（不需要额外冷却系统），稳定的电源输出保证了灯丝的恒定加热功率......应用领域：✔ 高温超导体✔ 介电和磁性材料✔ 金属间化合物✔ 半导体/光学晶体/宝石产品特点：✔ 占地空间小，操作简单，易于上手，立支撑设计✔ 镀金双面高效反射镜，加热效率更高✔ 可实现温度达2150°C✔ 稳定的电源✔ 内置闭循环冷却系统，无需外部水冷装置✔ 采用商业化标准卤素灯 光学浮区法（垂直区熔法）也可以说是一种垂直的区熔法。在生长装置中，在生长的晶体和多晶棒之间有一段靠光学聚焦加热的熔区，该熔区有表面张力所支持。熔区自上而下或自下而上移动，以完成结晶过程。 浮区法的主要优点是不需要坩埚，也由于加热不受坩埚熔点限制，可以生长熔点高材料。生长出的晶体沿轴向有较小的组分不均匀性在生长过程中容易观察等。浮区法晶体生长过程中，熔区的稳定是靠表面张力与重力的平衡来保持，因此，材料要有较大的表面张力和较小的熔态密度。浮区法对加热技术和机械传动装置的要求都比较严格。镜面系统 部分生长晶体Photographs of (a) a wafer with a growth rate of 5 mm/h in pure oxygen. (b) An as-grown (Nb + ln) co-doped TiO2 crystal with growth rate of 5 mm/h in air and the crystal wafer cut perpendicular to the growth direction.发表文章1. Evidence of linear magnetoelectric effect in Mn4Nb2O9 single crystal, Journal of Alloys and Compounds, Volume 886,2021,161272,ISSN 0925-8388.2. Enhanced stability of floating-zone by modifying its liquid wetting ability and fluidity for YBa2Cu3O7-δ crystal growth, Ceramics International，Volume 47, Issue 4, 15 February 2021, Pages 5495-5501.3. Ultralow-temperature heat transport in the quantum spin liquid candidate Ca10Cr7O28 with a bilayer kagome lattice, PHYSICAL REVIEW B 97, 104413 (2018).4. 光学浮区法生长掺铟氧化镓单晶及其性能, 硅酸盐学报 Vol. 45，No. 4，April，2017，P548-P552.5. High quality(InNb)0.1Ti0.9O2 single crystal grown using optical floating zone method, Journal of Crystal Growth 446(2016)74–78.国内合作用户，排名不分先后北京大学武汉大学中科院物理所吉林大学中科院硅酸盐所哈尔滨工业大学上海大学浙江师范大学南京大学浙江大学东南大学南方科技大学中科院宁波材料所曲靖师范学院西北工业大学

SciDre高温高压光学浮区炉德国SciDre公司推出的高温高压光学浮区法单晶炉能够提供2200–3000℃以上的生长温度，晶体生长腔压力可达300bar，甚至10-5mbar的高真空。适用于生长各种超导材料单晶，介电和磁性材料单晶，氧化物及金属间化合物单晶等。耐高温、耐高压、高真空、高透光率、拆装简便的样品腔由德国弗劳恩霍夫应用光和精密工程研究所优化设计的高反射率镜面，镜体位置可由高精度步进马达控制调节光阑式光强控制器更方便地调节熔区温度，延长灯泡寿命 仿真化触屏控制软件界面友好，操作简单熔区测温选件测温技术可实时监测加热区温度多路立气路控制选件可控制N2、O2、Ar、空气等的流量和压力， 并可对气体进行比例混合与熔区进行反应气体除杂选件可使高压氩气中的氧含量达到10-12ppm退火选件可对离开熔区的单晶棒提供高达1100℃退火温度和高压氧环境SciDre高温高压光学浮区炉特点● 采用垂直式光路设计● 采用高照度短弧氙灯，多种功率规格可选● 熔区温度：3000℃● 熔区压力：10bar/50bar/100bar/150bar/300bar等多种规格可选● 氧气/氩气/氮气/空气/混合气等多种气路可选● 采用光栅控制技术，加热功率从0-100% 连续可调● 样品腔可实现低至10-5mbar真空环境● 丰富的可升选件SciDre高温高压光学浮区炉技术参数熔区温度：高达2000 - 3000℃以上熔区压力：高至10、50、100、150、300 bar可选熔区真空：1*10-2 mbar或 1*10-5 mbar可选熔区气氛：Ar、O2、N2等可选气体流量：0.25 – 1 L/min流量可控氙灯功率：3kW至15kW可选料棒台尺寸：6.8mm或9.8mm可选拉伸速率：0.1-50mm/h调节速率：0.6 mm/s拉伸尺寸：130mm，150mm，195mm可选旋转速率：0-70rpm用电功率：400V三相 63A 50Hz 主机尺寸：330cm*163cm*92cm （不同规格略有差异）发表文章1. (2020)Single crystal growth and luminescent properties of YSH:Eu scintillator by optical floating zone method Chemical Physics Letters, Volume 738, 1369162. (2020)Anisotropic character of the metal-to-metal transition in Pr4Ni3O10 Phys. Rev. B 101, 1041043. (2020)Synthesis of a New Ruthenate Ba26Ru12O57 Crystals 2020, 10(5), 3554. (2020)Synthesis and characterization of bulk Nd1- SrxNiO2 and Nd1- xSrxNiO3 Phys. Rev. Materials 4, 0844095. (2020)Magnetic phase diagram and magnetoelastic coupling of NiTiO3 Phys. Rev. B 101, 1951226. (2019)High pO2 Floating Zone Crystal Growth of the Perovskite Nickelate PrNiO3 Crystals 2019, 9(7), 3247. (2019)Magnetic properties of high-pressure optical floating-zone grown LaNiO3 single crystals Journal of Crystal Growth Volume 524, 15 October 2019, 1251578. (2019)Bulk single-crystal growth of the theoretically predicted magnetic Weyl semimetals RAlGe (R = Pr, Ce) Phys. Rev. Materials 3, 0242049. (2019)Pushing boundaries: High pressure, supercritical optical floating zone materials discovery Journal of Solid State Chemistry 270 (2019): 705-70910. (2018). Antiferromagnetic correlations in the metallic strongly correlated transition metal oxide LaNiO3. Nature Communications 9:4311. (2017). Single-crystal growth and physical properties of 50% electron-doped rhodate Sr 1.5 La 0.5 RhO 4 Physical Review Materials 1(4), 04400512. (2017). Single crystal growth and structural evolution across the 1st order valence transition in (Pr1-yYy) 1- xCaxCoO3-δJournal of Solid State Chemistry 254, 69-7413. (2017). Large orbital polarization in a metallic square-planar nickelate. Nature Physics 13, 864–86914. (2017). High-Pressure Floating-Zone Growth of Perovskite Nickelate LaNiO3 Single Crystals. Crystal Growth & Design 17(5), 2730-2735.15. (2017). High-pressure optical floating-zone growth of Li(Mn,Fe)PO4 single crystals. Journal of Crystal Growth, 462, 50-59.16. (2016). Evidence for a spinon Fermi surface in a triangular-lattice quantum-spin-liquid candidate. Nature 540, 559–562.17. (2016). Stacked charge stripes in quasi-2D trilayer nickelate La4Ni3O8. PNAS 2016 113 (32) 8945-8950.18. (2016). Single Crystal Growth of Pure Co3+ Oxidation State Material LaSrCoO4. Crystals, 6(8), 98.19. (2015). Floating zone growth of Ba-substituted ruthenate Sr2?xBaxRuO4. Journal of Crystal Growth, 427, 94-98.20. (2015). High pressure floating zone growth and structural properties of ferrimagnetic quantum paraelectric BaFe12O19. APL Materials 3, 062512.21. (2015). Impact of local order and stoichiometry on the ultrafast magnetization dynamics of Heusler compounds. Journal of Physics D: Applied Physics, 48(16), 164016.22. (2014). Brownmillerite Ca2Co2O5: Synthesis, Stability, and Re-entrant Single Crystal to Single Crystal Structural Transitions. Chemistry of Materials, 26(24), 7172-7182.23. (2014). Low-temperature properties of single-crystal CrB2. Physical Review B, 90(6), 064414. (Also on archiv.org.)24. (2014). Effect of annealing on spinodally decomposed Co2CrAl grown via floating zone technique. Journal of Crystal Growth, 401, 617-621. (Also on arxiv.org.)25. (2013). de Haas–van Alphen effect and Fermi surface properties of single-crystal CrB2. Physical Review B, 88(15), 155138. (Also on arxiv.org.)26. (2013). Phase Dynamics and Growth of Co2Cr1–xFexAl Heusler Compounds: A Key to Understand Their Anomalous Physical Properties. Crystal Growth & Design, 13(9), 3925-3934.27. (2011). Exploring the details of the martensite–austenite phase transition of the shape memory Heusler compound Mn2NiGa by hard x-ray photoelectron spectroscopy, magnetic and transport measurements. Applied Physics Letters, 98(25), 252501.28. (2011). Challenges in the crystal growth of Li2CuO2 and LiMnPO4. Journal of Crystal Growth, 318(1), 995-999.29. (2011). Self-flux growth of large EuCu 2 Si 2 single crystals. Journal of Crystal Growth, 318(1), 1043-1047.30. (2010). Influence of heat distribution and zone shape in the floating zone growth of selected oxide compounds. Journal of materials science, 45(8), 2223-2227.31. (2009). Highly ordered, half-metallic Co2FeSi single crystals. Applied Physics Letters, 95(16), 161903.32. (2009). Single-crystal growth of LiMnPO4 by the floating-zone method. Journal of Crystal Growth, 311(5), 1273-1277 (Also on uni-heidelberg.de.)33. (2008). Crystal growth of rare earth-transition metal borocarbides and silicides. Journal of Crystal Growth, 310(7), 2268-2276.用户单位中国科学院物理研究所中国科学院固体物理研究所北京师范大学中山大学南昌大学上海大学北京大学北京航空航天大学......

产品名称SKJ-BG1650-1650℃布里奇曼单晶生长炉主要特点1、Φ42的氧化铝样品台，一热电偶探在样品台底部，测其坩埚底部温度。一根热偶从上方插入到坩埚内部，实时监测其样品温度，也可测出整个炉体内的温度分布2、电动升降样品台，便于客户放样/取样3、当客户需要大的温度梯度时，可选用三温区炉体，采用莫来石炉管，具有较好抗热震性技术参数1、电源AC220V 50/60Hz,单相最大功率：9.5KW 2、工作温度最高工作温度：1650℃（1小时）连续工作温度：1600℃3、加热元件：硅钼棒4、炉管&法兰 高纯氧化铝炉管，其尺寸问Φ80×1000mm 配有一套不锈钢密封法兰，允许在真空或气氛保护环境下进行晶体生长 5、样品台Φ42×40mm氧化铝样品台B型热偶插入到样品台底部，可实时测量坩埚温度6、坩埚装载自动样品台升降，便于坩埚放置/取样最大行程700mm7、加热区单温区，温区长度200mm可选购三温区炉体，形成较大的温度梯度（每个温区长度100mm,总温区300mm）8、控温系统采用PID方式控温，可设置24段升降温程序带有超温和断偶保护采用欧陆仪表（Eurotherm），控温精度可达：±0.1℃热电偶：B型热偶（一热电偶探在样品台底部，测其坩埚底部温度。一根热偶从上方插入到坩埚内部，实时监测其样品温度，也可测出整个炉体内的温度分布）控制界面：在一触摸屏上设置和检测各参数，如加热温度，加热速率，移动速度和移动位移等9、炉体移动行程&速度炉体最大移动行程为200mm移动速度：0.03~3mm/小时10、真空泵（可选）真空度：10E-3Torr(采用机械泵） 10-5Torr(采用分子泵)可在本公司选购各种真空泵产品规格设备尺寸：1155（L）×930（W）×2300mm（H）

D8 VENTURE/QUEST—面向未来的单晶X射线衍射仪D8 VENTURE/QUEST是布鲁克公司推出的新款，功能强大的X射线单晶衍射仪。 一体化的设计， 配备目前世界上先进的光源以及PHOTON III MMPAD探测器，帮助您测试最富有挑战性的晶体，获得好的数据质量。 其主要特点为：● 同时适合小分子晶体学和蛋白质晶体学的研究需要，应用范围广。● 新一代的lus 3.0微焦斑光源，性能娘美微焦斑转靶，零维护，寿命超长。● 液态金属靶MetalJET，室内X射线光源， 强度远● 远高千微焦斑转靶，让您拥有个人的“同步辐射＂ ，解决最难的晶体学问 题， 比如GPCR膜蛋白的结构。● 采用四代光源XFEL探测器技术的PHOTON III MMPAD混合光子计数探测器，● 超大面积，超快速度， 零噪音， 单光子检测的灵敏度。● 双靶配置， 软件自动切换光源。 满足不同类型的研究需要。 元件自动识别， 智能化光路管理。● 新一代的APEX3/PROTEUM3软件， 功能强大， 智能化程度高， 轻松操控仪器， 获得好数据。● lus Diamond微焦斑光源， 零维护， 性能超越微焦斑转靶。

产品名称：单晶靶材 产品简介：我公司是各种靶材的专业生产商。可为光学镀膜、半导体、磁数据存储，玻璃，机械加工等镀膜企业和科研院所提供高品质（高纯度、高致密度、单相性好）的靶材。不仅满足了国内科研院所及相关企业的需求，而且远销至美国、德国、日本、韩国、新加坡等国家和地区，并得到客户的称赞和信赖。欢迎来函来电定购。本公司生产的单晶靶材由单晶棒制作，质量可靠，为广大用户理想选择。 具体信息：材料纯度相对密度最大直径Al2O34N100%4"CaF24N100%2"GaAs5N100%2"GaP5N100%2"LaAlO34N100%3"LiNbO34N100%3"LiTaO34N100%3"MgO4N100%2"SrTiO34N100%1"SiO24N100%4"Si5N100%6"Ge5N100%4"YSZ4N100%2"

详细介绍标准太阳电池为2cm*2cm的单晶硅或多晶硅晶硅（可依据用户需要定制）光伏电池，经过老化、筛选，选择稳定性好、表面均匀的进行全密封式封装。太阳电池置于方形铝基座的中心，并配有一个抗辐照玻璃保护窗口，窗口的封装采用透明性好，折射系数相近的光敏胶。太阳电池的下面装有Pt100铂电阻温度传感器，在封装前已进行标定。太阳电池和测温传感器均采用四端输出的Kelvin连接接线方式。型号：1）CEL-RCCN单晶硅标准太阳能电池2）CEL-RCCO多晶硅标准太阳能电池标准太阳电池通常用于日常校准或测试光源（氙灯、太阳模拟器等）在被测太阳电池表面所建立的总辐照度（W/m2）。太阳模拟器的辐照度发生变化时，照射在太阳电池上产生的短路电流与太阳模拟器的辐照度之比接近常数，因此可以通过测量短路电流的大小来获得太阳的辐照度。太阳电池的标定值定义为：在标准测试条件下，标准太阳电池的短路输出电流与辐照度之比，单位A/(W/m2)，称为CV值。当太阳电池的短路电流等于其标定值时，即可认为太阳模拟器的辐照度达到一个太阳常数，即1000W/m2。规格参数尺寸和外观测试条件光伏材料单晶硅/多晶硅光谱AM1.5光伏器件尺寸20mm x 20mm标定温度25oC窗口材料空间抗辐照盖片标定辐照度1000 W/m2外围材料空间抗辐照盖片波长范围400-1100nm外围材料70mm x 70mm x 20 mm测试参数温度传感器100 Ω Pt电阻标定值CV (A/W/m2 )电流电压连接器LEMO插头短路电流Isc ( mA)温度连接器LEMO插头开路电压Voc ( mV)电性能短路电流的温度系数α(mA• oC-1)标定辐照度1000 W/m2开路电压的温度系数β(mV• oC-1)操作电流不超过200 mA电流最大值Imax ( mA)操作温度10oC - 40oC电压最大值Vmax ( mV)转换效率大于16%功率最大值Pmax ( mW)填充因子大于0.7填充因子FF短路电流变化不超过±0.5% 测试证书每个电池会有一份测试证书和独立的数据记录。证书记录了测量值及其不确定度，标准电池溯源的基础及各种参数数据，可以作为与ISO相符合的质量证书。

X-3/4/4A型高精度X射线单晶定向仪 此3种型号为双晶衍射型高精度定向仪，强度较低。主要用于测定高精度水晶晶片以及其他单晶材料。 型号 角度显示方式 测角精度 角度显示精度 X-3型 刻度显示 ± 15&Prime 最小读数15&Prime X-4型 数字显示 ± 15&Prime 最小读数10&Prime X-4A型 数字显示 ± 15&Prime 最小读数1&Prime 技术指标: 完全符合国家最新标准（JB/T5482-2004），并达到国外相似型号仪器水平。 输入电源：单相交流220V，50Hz,0.5kW X射线管：铜靶，风扇冷却 最大管电压电流：30Kv，mA 时间常数：0.4，0.8秒 测角范围：2&theta ＝10～120° ，&theta =-10～60° 角度读数：刻度环上标出最小读数为：2&theta ：1° ，&theta ：1° 数字显示以度、分、秒表示 角度调整：数字显示可予置在作任何角度上 主 光 匣：手动 显示板：角度显示，射线强度表。 附件：陶瓷真空样品架，长条样品架。弹簧样品架、大块样品架为任选件 单 色 器：内置 综合精度：± 15&Prime 外型尺寸：1140（长）× 650（宽）1100× （高）mm 重量：300kg具体信息请点击查看：

产品概述：MWL120实时反射劳厄相机系统用来测定单晶的取向（反射和透射）、单晶的完整性、测量晶体的对称性、观察晶体的一般缺陷、拍摄板材棒材的结构相、精确测定点阵常数、测定残余应力等。 原理：由X射线管产生的X射线从相机的入射光阑射入，照射在被分析样品上，在满足布拉格公式：nλ=2dSinθ条件下，产生X射线衍射图像，这些图像记录在感光片上，然后对这些图像进行计算分析，可以了解物质内部结构。 本产品所具有的特点1 有效检测范围大：30cm×30cm2 灵敏度高：单光3 角灵敏度高：0.054 探测速度快：几秒钟即可根据角的偏差自动收集分析并在电脑上形成劳厄图像5 维护成本低：半年更换一次气体，一年更换一次冷却剂即可（价格较低廉）6 样品可旋转：探测器转过程中同时转动样品，可以得到对称性高的图像

世界上先进的单晶定向设备典型样品的定向时间可以达到最快1秒样品三轴转角转角分辨率高转换台步长精度高样品尺寸大如有需求，需要更详细的信息，还请随时联系我司。

详细介绍标准太阳电池为2cm*2cm的单晶硅或多晶硅晶硅（可依据用户需要定制）光伏电池，经过老化、筛选，选择稳定性好、表面均匀的进行全密封式封装。太阳电池置于方形铝基座的中心，并配有一个抗辐照玻璃保护窗口，窗口的封装采用透明性好，折射系数相近的光敏胶。太阳电池的下面装有Pt100铂电阻温度传感器，在封装前已进行标定。太阳电池和测温传感器均采用四端输出的Kelvin连接接线方式。型号：1）CEL-RCCN单晶硅标准太阳能电池2）CEL-RCCO多晶硅标准太阳能电池标准太阳电池通常用于日常校准或测试光源（氙灯、太阳模拟器等）在被测太阳电池表面所建立的总辐照度（W/m2）。太阳模拟器的辐照度发生变化时，照射在太阳电池上产生的短路电流与太阳模拟器的辐照度之比接近常数，因此可以通过测量短路电流的大小来获得太阳的辐照度。太阳电池的标定值定义为：在标准测试条件下，标准太阳电池的短路输出电流与辐照度之比，单位A/(W/m2)，称为CV值。当太阳电池的短路电流等于其标定值时，即可认为太阳模拟器的辐照度达到一个太阳常数，即1000W/m2。 规格参数尺寸和外观测试条件光伏材料单晶硅/多晶硅光谱AM1.5光伏器件尺寸20mm x 20mm标定温度25oC窗口材料空间抗辐照盖片标定辐照度1000 W/m2外围材料空间抗辐照盖片波长范围400-1100nm外围材料70mm x 70mm x 20 mm测试参数温度传感器100 Ω Pt电阻标定值CV (A/W/m2 )电流电压连接器LEMO插头短路电流Isc ( mA)温度连接器LEMO插头开路电压Voc ( mV)电性能短路电流的温度系数α(mA• oC-1)标定辐照度1000 W/m2开路电压的温度系数β(mV• oC-1)操作电流不超过200 mA电流最大值Imax ( mA)操作温度10oC - 40oC电压最大值Vmax ( mV)转换效率大于16%功率最大值Pmax ( mW)填充因子大于0.7填充因子FF短路电流变化不超过±0.5% 测试证书每个电池会有一份测试证书和独立的数据记录。证书记录了测量值及其不确定度，标准电池溯源的基础及各种参数数据，可以作为与ISO相符合的质量证书。

产品型号：DX-100产品简介：该仪器是光机电一体化精密仪器，采用主机与电器控制分体化，体积小、重量轻，是各种单晶材料期间的科研部门和生产行业较为理想的仪器。技术参数：1、输入电源：单相220V(AC),50Hz，0.5KW X-ray管铜靶，风扇冷却，阳极接地。 2、最大管电压电流：30KV,5mA(连续可调) 3、探测器：盖革记数管。 4、工作电压最高为1050V 5、时间常数：1(快)、2(慢)两档 6、角度读数：刻度环上标出最小读数为2&theta :1度&theta :1度，数子显示以度、分、秒表示，最小读数为10度 7、角度调整：数字显示可置于任何角度上，测量的角度范围(2&theta ):--10度~140度(&theta ):--10度~70度 8、狭缝：4'、5'、6' 9、衍射峰位置的测量精度：± 30 标准配件：主光闸：电动 标准包装：体积：主机628 x 512 x 428mm，电气控制箱520 x 520 x 468mm 重量：45kg 具体信息请点击查看：

SciDre激光高压光学浮区炉激光加热高压浮区炉LKZ我们的激光加热浮区晶体生长炉LKZ的主要部分是5个波长为980 nm的300w二极管激光器。影响样品的激光束的矩形几何形状和尺寸可以在很大范围内改变，以适应不同的样品材料和杆径。除了可配置的激光加热系统，我们的LKZ炉最显著的特点之一是可以在高达300巴的高压下进行激光加热的FZ晶体生长。有LKZ版本的10巴，50巴，150巴和300巴最大。压力可用。过程气氛的组成和压力可以通过每个气体的独立质量流量控制器和易于自动化的压力调节器进行精确调节和控制。这种世界范围内独特的设置允许用户将熔体和大气之间的元素扩散控制到一定的等级，并管理材料的生长，由于其元素的高挥发性或所需相的亚稳定性质，在低气压下难以或不可能生产。我们专利的基于激光的后加热器系统为对样品进行额外的热处理提供了无与伦比的灵活性。真空涡轮泵直接连接到工艺室使用短和宽直径的管道。这确保了过程室内的良好真空，即使低于10-5毫巴也是可能的。为了进行超清洁生长，许多过程需要具有低氧分压的惰性气氛。我们可选的气体清洗系统可可靠地去除氩气中的氧气痕迹，残余O2浓度可降至10-12 ppm。此外，可以用高质量的双色高温计测量浮区以及进料和结晶棒的温度。所有熔炉都配备了精确的线性和旋转进料系统，用于同步或独立旋转，转速可达50转/分钟，线性拉出速率从0.1甚至0.01毫米/小时开始。一个快速齿轮是实现杆设置。高压驱动器是磁耦合的，完全封装，没有加压轴承。整套实验参数，如激光功率，拖动驱动器的直线和旋转运动，质量流量和气体压力由可编程逻辑控制器PLC控制。一个舒适的软件应用程序显示和直观地操作通过触摸屏结合所有相关的系统信息和过程调整在一个图形用户界面单元。LKZ系统的一个重要特点是易于扩展的模块化设计，它允许以一种简单且经济高效的方式进行附加和升级。耐高温、耐高压、高真空、高透光率、拆装简便的样品腔由德国弗劳恩霍夫应用光和精密工程研究所优化设计的高反射率镜面，镜体位置可由高精度步进马达控制调节光阑式光强控制器更方便地调节熔区温度，延长灯泡寿命 仿真化触屏控制软件界面友好，操作简单熔区测温选件测温技术可实时监测加热区温度多路立气路控制选件可控制N2、O2、Ar、空气等的流量和压力， 并可对气体进行比例混合与熔区进行反应气体除杂选件可使高压氩气中的氧含量达到10-12ppm退火选件可对离开熔区的单晶棒提供高达1100℃退火温度和高压氧环境SciDre高温高压光学浮区炉特点● 采用垂直式光路设计● 采用高照度短弧氙灯，多种功率规格可选● 熔区温度：3000℃● 熔区压力：10bar/50bar/100bar/150bar/300bar等多种规格可选● 氧气/氩气/氮气/空气/混合气等多种气路可选● 采用光栅控制技术，加热功率从0-100% 连续可调● 样品腔可实现低至10-5mbar真空环境● 丰富的可升选件SciDre激光高压光学浮区炉技术参数熔区温度：高达2000 - 3000℃以上熔区压力：高至10、50、100、150、300 bar可选熔区真空：1*10-2 mbar或 1*10-5 mbar可选熔区气氛：Ar、O2、N2等可选气体流量：0.25 – 1 L/min流量可控氙灯功率：3kW至15kW可选料棒台尺寸：6.8mm或9.8mm可选拉伸速率：0.1-50mm/h调节速率：0.6 mm/s拉伸尺寸：130mm，150mm，195mm可选旋转速率：0-70rpm用电功率：400V三相 63A 50Hz 主机尺寸：330cm*163cm*92cm （不同规格略有差异）发表文章1. (2020)Single crystal growth and luminescent properties of YSH:Eu scintillator by optical floating zone method Chemical Physics Letters, Volume 738, 1369162. (2020)Anisotropic character of the metal-to-metal transition in Pr4Ni3O10 Phys. Rev. B 101, 1041043. (2020)Synthesis of a New Ruthenate Ba26Ru12O57 Crystals 2020, 10(5), 3554. (2020)Synthesis and characterization of bulk Nd1- SrxNiO2 and Nd1- xSrxNiO3 Phys. Rev. Materials 4, 0844095. (2020)Magnetic phase diagram and magnetoelastic coupling of NiTiO3 Phys. Rev. B 101, 1951226. (2019)High pO2 Floating Zone Crystal Growth of the Perovskite Nickelate PrNiO3 Crystals 2019, 9(7), 3247. (2019)Magnetic properties of high-pressure optical floating-zone grown LaNiO3 single crystals Journal of Crystal Growth Volume 524, 15 October 2019, 1251578. (2019)Bulk single-crystal growth of the theoretically predicted magnetic Weyl semimetals RAlGe (R = Pr, Ce) Phys. Rev. Materials 3, 0242049. (2019)Pushing boundaries: High pressure, supercritical optical floating zone materials discovery Journal of Solid State Chemistry 270 (2019): 705-70910. (2018). Antiferromagnetic correlations in the metallic strongly correlated transition metal oxide LaNiO3. Nature Communications 9:4311. (2017). Single-crystal growth and physical properties of 50% electron-doped rhodate Sr 1.5 La 0.5 RhO 4 Physical Review Materials 1(4), 04400512. (2017). Single crystal growth and structural evolution across the 1st order valence transition in (Pr1-yYy) 1- xCaxCoO3-δJournal of Solid State Chemistry 254, 69-7413. (2017). Large orbital polarization in a metallic square-planar nickelate. Nature Physics 13, 864–86914. (2017). High-Pressure Floating-Zone Growth of Perovskite Nickelate LaNiO3 Single Crystals. Crystal Growth & Design 17(5), 2730-2735.15. (2017). High-pressure optical floating-zone growth of Li(Mn,Fe)PO4 single crystals. Journal of Crystal Growth, 462, 50-59.16. (2016). Evidence for a spinon Fermi surface in a triangular-lattice quantum-spin-liquid candidate. Nature 540, 559–562.17. (2016). Stacked charge stripes in quasi-2D trilayer nickelate La4Ni3O8. PNAS 2016 113 (32) 8945-8950.18. (2016). Single Crystal Growth of Pure Co3+ Oxidation State Material LaSrCoO4. Crystals, 6(8), 98.19. (2015). Floating zone growth of Ba-substituted ruthenate Sr2?xBaxRuO4. Journal of Crystal Growth, 427, 94-98.20. (2015). High pressure floating zone growth and structural properties of ferrimagnetic quantum paraelectric BaFe12O19. APL Materials 3, 062512.21. (2015). Impact of local order and stoichiometry on the ultrafast magnetization dynamics of Heusler compounds. Journal of Physics D: Applied Physics, 48(16), 164016.22. (2014). Brownmillerite Ca2Co2O5: Synthesis, Stability, and Re-entrant Single Crystal to Single Crystal Structural Transitions. Chemistry of Materials, 26(24), 7172-7182.23. (2014). Low-temperature properties of single-crystal CrB2. Physical Review B, 90(6), 064414. (Also on archiv.org.)24. (2014). Effect of annealing on spinodally decomposed Co2CrAl grown via floating zone technique. Journal of Crystal Growth, 401, 617-621. (Also on arxiv.org.)25. (2013). de Haas–van Alphen effect and Fermi surface properties of single-crystal CrB2. Physical Review B, 88(15), 155138. (Also on arxiv.org.)26. (2013). Phase Dynamics and Growth of Co2Cr1–xFexAl Heusler Compounds: A Key to Understand Their Anomalous Physical Properties. Crystal Growth & Design, 13(9), 3925-3934.27. (2011). Exploring the details of the martensite–austenite phase transition of the shape memory Heusler compound Mn2NiGa by hard x-ray photoelectron spectroscopy, magnetic and transport measurements. Applied Physics Letters, 98(25), 252501.28. (2011). Challenges in the crystal growth of Li2CuO2 and LiMnPO4. Journal of Crystal Growth, 318(1), 995-999.29. (2011). Self-flux growth of large EuCu 2 Si 2 single crystals. Journal of Crystal Growth, 318(1), 1043-1047.30. (2010). Influence of heat distribution and zone shape in the floating zone growth of selected oxide compounds. Journal of materials science, 45(8), 2223-2227.31. (2009). Highly ordered, half-metallic Co2FeSi single crystals. Applied Physics Letters, 95(16), 161903.32. (2009). Single-crystal growth of LiMnPO4 by the floating-zone method. Journal of Crystal Growth, 311(5), 1273-1277 (Also on uni-heidelberg.de.)33. (2008). Crystal growth of rare earth-transition metal borocarbides and silicides. Journal of Crystal Growth, 310(7), 2268-2276.用户单位中国科学院物理研究所中国科学院固体物理研究所北京师范大学中山大学南昌大学上海大学北京大学北京航空航天大学......

EVG301 Single Wafer Cleaning SystemEVG301 单晶圆清洗系统 研发型单晶圆清洗系统 EVG301半自动化单晶片清洗系统采用一个清洗站，该清洗站使用标准的去离子水冲洗以及超音速，毛刷和稀释化学药品作为附加清洗选项来清洗晶片。 EVG301具有手动加载和预对准功能，是一种多功能的R＆D型系统，适用于灵活的清洁程序和300 mm的能力。 EVG301系统可与EVG的晶圆对准和键合系统结合使用，以消除晶圆键合之前的任何颗粒。旋转夹头可用于不同的晶圆和基板尺寸，从而可以轻松设置不同的工艺。 特征使用1 MHz的超音速喷嘴或区域传感器（可选）进行高效清洁单面清洁刷（选件）用于晶圆清洗的稀释化学品防止从背面到正面的交叉污染完全由软件控制的清洁过程 选件带有红外检查的预粘接台非SEMI标准基材的工具技术数据晶圆直径（基板尺寸）200、100-300毫米清洁系统：开室，旋转器和清洁臂腔室：由PP或PFA制成（可选）清洁介质：去离子水（标准），其他清洁介质（可选）旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成 旋转：最高3000 rpm（5秒内）超音速喷嘴：频率：1 MHz（3 MHz选件）输出功率：30-60 W去离子水流量：最高1.5升/分钟有效清洁区域：?4.0 mm材质：聚四氟乙烯兆声区域传感器：频率：1 MHz（3 MHz选件）输出功率：最大 2.5 W /cm2有效面积（最大输出200 W）去离子水流量：最高1.5升/分钟有效的清洁区域：三角形，确保每次旋转时整个晶片的辐射均匀性材质：不锈钢和蓝宝石；刷；材质：PVA

单晶铁石榴石YIG球体和立方体铁石榴石球体和立方体（单晶YIG）具有低衰减和很高的品质因数！单晶铁石榴石YIG球体和立方体产品描述：昊量光电全新推出的单晶铁石榴石YIG球体和立方体，十多年来，matesy一直在制造具有高Q值的低衰减单晶铁石榴石球体，用于商业微波应用。单晶铁石榴石YIG球体和立方体设计与功能:单晶材料通常由高温溶液（助焊剂熔体）生长而成。将单晶切成薄片，然后切成立方体，以产生直径约为 0.25 毫米的光学抛光球体。然后将它们四舍五入成球体，并进行蕞高质量的蕞终表面抛光。球体的饱和极化（4pMs）取决于抗磁性离子取代的程度。matesy 目前提供 4pMs YIG 立方体和 1600 ± 80 G 的球体，铁磁共振线宽 ΔH 的典型 FWHM 小于 1.5 Oe。单晶铁石榴石YIG球体和立方体技术规格：铁磁共振线宽ΔH的典型FWHM小于1.5 Oe4pMs von 1600 ± 80 G球体直径： 0.25 mm立方体尺寸：0.5 mm 边缘长度单晶铁石榴石YIG球体和立方体产品亮点：低缺陷单晶确定每个球体的饱和磁化强度单晶铁石榴石YIG球体和立方体优势：低衰减高 Q 值YIG薄膜应用领域：钇铁石榴石 （YIG） 单晶主要用于构建微波振荡器（YIG 振荡器）和滤波器，这些振荡器和滤波器可以通过外部磁场进行频率调谐。YIG球体被用作这些固态谐振器中的频率决定元件。产品详细信息可联系我们或下载数据资料！更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是国内知名光电产品专业代理商，代理品牌均处于相关领域的发展前沿；产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等，涉及应用领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防及更细分的前沿市场如量子光学、生物显微、物联传感、精密加工、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等优质服务。

仪器简介：&bull XtaLABmini的出现，标志先进的台式X射线单晶衍射技术时代的到来；仪器技术先进，操作简单，为学生和研究者提供测试分析平台；不需要培训，通过自动测量软件及自动分析软件，可以得到精确的小分子结构数据。 技术参数：1. X射线发生器：Mo靶，高频技术，600W2. 光学系统：SHINE3. &chi ：固定在54º 4. &Phi ：-360º ，沿样品中心轴自由旋转5. &omega ：2&theta ± 90º (-60~120º )6. 2&theta ：固定30º 7. 70倍CCD摄像头观察样品8. 照相距离：50mm9. 探测器：CCD10. 探测面积：&Phi 75mm11. 像素尺寸：73.2&mu m/146.4&mu m12. 像素点数：1024x1024/512x51213. 读取时间：2.24sec/0.56sec14. 暗电流：0.1electorns/pixel/sec15. 选件，可以提供低温装置主要特点：&bull XtaLABmini是专门为晶体学家、课题组开发的仪器。实现小型化，充分发辉理学的技术优势，是世界上最小的单晶衍射装置。自动测试、自动分析。即使没有相关经验，也可以使用本仪器实现自动快速收集数据及分析工作。数据符合Acta投稿要求。使用新型CCD探测器，读取数据时间大幅度降低，通常2～3小时可以完成晶体的数据采集。有极高的性能价格比，保养简便，使用成本低。

FKS3351ND进口单晶硅压力变送器描述 美国FAWKES（福克斯）FKS3351ND单晶硅压力/差压变送器用于测量液体、气体或蒸汽的液位、密度、压力，然后将其转变成4-20mA HART电流信号输出，也可与BST9900、HART375或BST Modem相互通信，通过他们进行参数设定、过程控制FKS3351ND进口单晶硅压力变送器特点： 工业级精度 稳定准确，精度可达0.075级 量程覆盖 双保护膜片 稳定性能优越 阻尼可调，耐过压性强 使用寿命长，是普通扩散硅压力的2倍以上，稳定性强FKS3351ND进口单晶硅压力变送器： 产 品 名 称：FKS3351ND单晶硅压力变送器 测 量 类 型：压力/差压/绝压 测 量 范 围：0~160pa-40MPa准 确 度 等 级：0.1级、0.2级、0.5级 膜 片 材 质：316L/钽膜片/ 蒙乃尔膜片 /哈氏合金膜片 显 示 类 型：LCD显示 输 出 类 型：4-20MA /4-20MA+HART/1-5V/ RS485防 爆 类 型：普通型/隔爆型ExdIⅡICT6 Gb/本安型ExialICT6 Ga接 线 方 式：M20X1.5 1/2NPT G1/2内螺纹 安 装 支 架：管装弯支架/板装弯支架/板装平支架FKS3351ND进口单晶硅压力变送器电路接线

锗片、锗衬底 1、晶体习性与几何描述： 该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为： D ----外形尺寸当量直径 W----锗晶体重量 L-----晶体长度 测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务。 2、纯度：残留载荷 最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。 同轴探测器：同轴探测器适用于下列公式： Nmax = 每立方厘米最大杂质含量 VD = 耗尽层电压 = 5000 V εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm εr = 相对介电常数(Ge) = 16 q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge) r1 = 探测器内孔半径 r2 = 探测器外孔半径锗片、锗衬底 3、纯度 ： 假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径， 适用公式变为： D = 晶体外表面 平面探测器：平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式： d=探测器外观尺寸厚度 径向分散载荷子（绝对值） 迁移：霍尔迁移 性能： P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s 能级： P 型晶体 通过深能瞬态测量，Cutot ≤ 4.5*109 cm-3 N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 5*108 cm-3 晶体主要指标： P 型晶体 N 型晶体 错位密度 ≤ 10000 ≤ 5000 星型结构 ≤ 3 ≤ 3 镶嵌结构 ≤ 5 ≤ 5 电阻率 0.02-0.04 ohm.cm 4、高纯度高纯锗HPGe晶体 说明： 高纯锗晶体产地法国物理性质颜色银灰色属性半导体材料密度5.32g/cm3熔点937.2℃沸点2830℃ 技术指标材料均匀度特级光洁度特优纯度99.999 999 99%-99.999 999 999 99%（10 N-13N)制备方式锗单晶是以区熔锗锭为原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。产品规格P、N型按客户要求定制产品用途超高纯度，红外器件、γ辐射探测器P型N型高纯锗在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等，得到p型锗；在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。提供各种规格锗单晶、锗片（锗衬底），包含8英寸及以上的规格锗片

劳厄单晶取向测试系统：背散射劳厄测试系统，实时确定晶体方向，精度高达0.1度；PSEL 软件定向误差低至 0.05度；多晶硅片二维定向mapping；大批量样品筛选；超20kg重负荷样品定位 水平放置系统 特征优点200um 光束尺寸可测量小 晶体电动位移台可沿生长轴轴向扫描电动角位移与同步加速器/中子设备直接兼容手动角位移与切割刀具直接兼容 垂直放置系统 特征优点200um 光斑适用于小晶粒的多晶结构大范围电动线性扫描位移台允许自动晶圆mapping或多个样品电动Z 轴驱动适用大尺寸晶棒或样品手动角位移允许定位到+/- 0.02度精度 配备PSEL CCD 背反射劳厄X-RAY 探测器：有效输入探测面约： 155*105 mm最小输入有效像素尺寸83um，1867*1265 像素阵列可选曝光时间从1ms 到35分钟芯片上像素叠加允许以牺牲分辨率为代价增强灵敏度自动背景扣除模式16位高精度采集模式12位快速预览模式PSEL 劳厄影像采集处理专业软件 劳厄影像校准软件：自动检测衍射斑点，并根据参考晶体计算斑点位置；根据测角仪和晶体轴自动计算定向误差(不需要手动拟合扭曲的图形)以CSV格式保存角度测量值，以进一步保证质量的可追溯性；顶部到底部的终端用户菜单，允许资深结晶学用户自行逐步确认定位程序；基于Python的软件，允许使用套接字命令对现有软件/系统进行远程访问控制； 系统附件包括：劳厄X-RAY 探测器劳厄校准软件高亮度X-RAY 发生器电动/手动 角位移台& 高精度位移台；样本定位/视频监控 摄像头；激光距离传感器/操纵杆典型劳厄衍射应用图样： 劳厄单晶取向测试系统应用方向：探测器材料： HgCdTe/CdTe, InGaAs, InSb 窗口玻璃材料&压电/铁电陶瓷： Al2O3, Quantz，LiNbO3金属合金： 钨，钼，镍基合金；激光晶体材料： YAG, KTP, GaAs薄膜/半导体基地材料： AIN, InP SiC 磁性&超导材料: BCO/BSCCO/HBCCO, FeSe， NbSn/NbTi闪烁体材料： BGO/LYSO, CdWO4, BaF2/CaF2

产品名称：天然六方氮化硼单晶BN技术参数：纯度：99.5%常规尺寸：0.6-1mm订购数量：≥20片/盒

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铌酸锂（LiNbO3）晶体是重要的光电材料, 是集成光学、非线性光学、光电子元器件等领域中应用*广泛,*重要的基片材料之一。目前,铌酸锂晶体被广泛应用在声表面波、电光调制、激光调Q、光陀螺、光参量振荡、光参量放大、光全息存储等器件中,这些器件在手机、电视机、光通讯、激光测距、电场探测器等器件中发挥着重要的作用。晶正科技生产的铌酸锂单晶薄膜产品, 其晶格结构为单晶, 完全保持了体材料的**物理性质, 直径为3英寸,上层铌酸锂单晶薄膜厚度为300-700纳米, 中层为2微米厚的二氧化硅（SiO2）, *下层为0.5毫米厚的铌酸锂芯片衬底。其产品结构自上而下依次为铌酸锂单晶薄膜、二氧化硅层、铌酸锂衬底。铌酸锂单晶薄膜集成到铌酸锂衬底上，此结构可应用于电光调制器、光波导、谐振器、声表面波器件、铁电存储器等。 技术参数 产品应用 光纤通讯, 例如波导调制器等。用此薄膜材料生产的器件与传统产品相比体积可缩小百万倍以上, 集成度大幅提高, 响应频带宽,功耗低, 性能更加稳定, 制造成本降低。信息存储领域, 可实现高密度信息存储。电子学器件, 比如高质量滤波器、延迟线等。红外探测领域, 比如高灵敏度红外探测器。

产品介绍：1.产品概述 特定环境下单晶衍射的测试应用越来越广泛，STOE 提供了一款功能强大的高温附件：HEATSTREAM， 可以完美应用于 IPDS II & 2T 单晶衍射仪。 2 圆测角仪中的单晶颗粒可以稳定固定在精确控温的N2 气流中 (δT2°) 。热电偶安装在最接近晶体的位置，确保控温精度。带有风扇的排气管道直接安装在晶体的上方，可以把散发到周围的灼热气体抽走，防止对周围仪器的损害。 2.产品特点 温度范围：RT ~ 1100 K； 控温精度： +/- 1°； 加热介质：N2 ( 开放式 气流 )； 最适合样品加热的垂直式气流形态。3.适用仪器IPDS II & 2T / STADIVARI

X射线单晶衍射仪 D8 结晶解决方案 — 单晶 X 射线衍射 (SC-XRD) 的质量和多功能标准结晶是确定小分子和大分子结构的zui明确方法，且单晶 X 射线衍射可以通过其他科学无法企及的方式，提供准确、精确的分子大小测量结果。Structural Biology D8 QUEST和D8 VENTURE 提供广泛的 X 射线源及光学器件，以及测角仪选项。D8 QUEST 是一种体型小巧、经济实惠的高性能单一 X 射线源配置，适用于化学结晶等典型用途，而D8 VENTURE 为化学和生物结晶的双波长组合提供平台。 D8 QUEST 是一个专为单波长试验而设计的紧凑型解决方案，配备有革新性的 PHOTON 100 CMOS 探测器。该系统可以在较小的空间里高度灵活的进行试验，可十分方便的拿取物品并具备较高的样品可视性。 根据 DAVINCI.DESIGN 原理，该系统使用zui好的组件进行高度模块化设计，并且具有完全气冷配置。因此，D8 QUEST 能够提供完全符合您的研究需求的解决方案。保证提供zui好的结构。系统参数：具备 CMOS 技术的全新 PHOTON 100 探测器100 平方厘米的大型有效面积高灵敏度气冷3 年保修密封 X 射线源Mo or Cu radiation经济划算的解决方案可选 3 倍强度的 TRIUMPH全新的高亮度 IμS 微聚焦 X 射线源Mo or Cu or Ag radiation强度zui多增加 60%气冷 (观看我们的 Air-Cooled 视频)3 年保修提供zui佳的软件APEX2 是适用于化学晶体的zui完整套件PROTEUM2 现在具有一个适用于结构生物学的数据处理线路完全集成的低温装置（可选） D8 VENTURE 的试验装置放置在更为宽敞的外壳内，还为旋转阳极提供空间以及双波长解决方案。所有系统均配备革新性 PHOTON 100 CMOS 探测器。 D8 VENTURE 提供zui高的试验灵活性，可十分方便地拿取物品并具备较高的样品可视性。获专利的门可采用滑门模式或双开式弹簧门模式打开。该系统使用zui好的组件进行高度模块化设计，并且具有完全气冷配置。 因此，D8 VENTURE 能够提供完全符合您的研究需求的解决方案。保证提供zui好的结构。系统参数：具备 CMOS 技术的全新 PHOTON 100 探测器 100 平方厘米的大型有效面积高灵敏度气冷提供三年保修密封X 射线源 Mo or Cu radiation经济型解决方案可选 3 倍强度的 TRIUMPH全新的高亮度 IμS 微聚焦 X 射线源Mo or Cu or Ag radiation强度增加高达 60%气冷 (观看气冷演示视频)提供三年保修微聚焦 TXS 旋转阳极紧凑型直接驱动，维护量低细丝经预先结晶和预先校准METALJET 适用于结构生物学的革新性液态金属 X 射线源适用于更小、更具挑战性样品的zui高 X 射线强度室内源使用镓放射自生式标靶，降低背底散射和放射损伤购置成本低，正常运行时间长测角仪FIXED-CHIKAPPABest goniometer precision选择一个带有小于 7 微米弥散球的测角仪，确保即使是zui小的样品，也能稳固地放置在 X 射线束的中心先进安全外壳 符合zui严格的辐射安全规范符合新机械指令提供zui佳的软件 APEX2 - 适用于化学晶体学的zui完整套件PROTEUM2 - 现在具有一个适用于结构生物学的数据处理线路完全集成的低温设备（可选）设备咨询电话：（微信同号）；QQ：；邮箱：欢迎您的来电咨询！

产品型号： SrTiO3钛酸锶单晶基片产品简介：SrTiO3 单晶与多种钙钛矿结构材料晶格匹配好，它是高温超导薄膜和多种氧化物薄膜优质的衬底材料，同时还广泛应用于特殊光学窗口及高质量的溅射靶材。科晶公司拥有独立全套生产线，从高质量SrTiO3粉末，SrTiO3单晶到多种尺寸外延抛光基片，可为全球提供高质量低价位的SrTiO3单晶及基片。技术参数：晶体结构立方 晶格常数a=3.905?生长方法火焰法熔点2080℃密度5.175g/cm3莫氏硬度 6 Mohs热膨胀系数9.4×10-6/℃介电常数~ 300 损耗正切~5x10-4 @ 300K , ~3 x10-4 @77K颜色及外观透明（根据退火状态有时有轻微的棕色）无孪晶化学稳定性不溶于水产品规格：100, 110, 111公差：+/-0.5度dia30x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm，5x5x0.5mm单抛或双抛，Ra5A；可按客户要求定制方向和尺寸。标准包装：等离子清洗器专业清洗（详情请点击），1000级超净室，100级超净袋封装, 相关产品： SrTiO3LSATLaAlO3MgO旋转涂层机 SrLaAlO4NdCaAlO4SrTiO3YSZ基片包装盒系列

TD-5000型单晶X射线衍射仪产品介绍国内独家—填补国内空白仪器功能： TD-5000 X射线单晶衍射仪主要用于测定无机物、有机物和金属配合物等结晶物质的三维空间结构和电子云密度，分析孪晶、无公度晶体、准晶等特殊材料结构。测定新化合物(晶态)分子的准确三维空间(包括键长、键角、构型、构象乃至成键电子密度)及分子在晶格中的实际排列状况 可以提供晶体的晶胞参数、所属空间群、晶体分子结构、分子间氢键和弱作用的信息以及分子的构型及构象等结构信息。它广泛用于化学晶体学、分子生物学、药物学、矿物学和材料科学等方面的分析研究。X射线单晶衍射仪是以丹东通达科技有限公司为牵头单位，承担的国家科技部-【国家重大科学仪器设备开发专项】立项的高新技术产品，填补国内没有单晶衍射仪研制和生产的空白。仪器特点：整机采用可编程序控制器PLC控制技术； 操作方便，一键式采集系统；模块化设计，配件即插即用，无需校准；触摸屏实时在线监测，显示仪器状态；高功率X射线发生器，性能稳定可靠；电子铅门联锁装置，双重防护。仪器精度：2θ角重复精度：0.0001°；最小步进角度：0.0001°； 温度控制范围：100K—300K控制精度：±0.3K测角仪：采用四圆同心技术来保证无论发生怎么样的转动均可使测角仪中心保持不变,实现获得最精准的数据的目的,得到更高的完整率，四圆同心是常规单晶扫描的必要条件。PILATUS混合像素探测器：采用PILATUS混合像素探测器能够实现最好的数据质量的同时保证低功耗和低冷却的特点,该探测器将单光子计数和混合像素这两项关键技术相结合，应用于同步辐射和常规实验室光源等各个领域，有效排除读出噪声和暗电流的干扰，混合像素技术可以直接探测X射线，更易分辨信号，并且PILATUS探测器可以高效提供优质数据。 PILATUS面探测器特点（可选配）： 敏感区域 [mm2]：83.8 × 70.0像素尺寸 [µ m2]：172 × 172像素间距： 0.03%最大帧速率[Hz]：20读出时间[ms]:7能量范围[keV]:3.5 - 18低温设备：通过低温设备采集的数据结果更加理想，在低温设备的作用下可提供更多的优势条件可以使不理想的晶体获得理想的结果，也可使理想的晶体获得更理想的结果。温度控制范围:100K~300K； 控制精度:±0.3K 液氮消耗量:1.1~2升/小时；完美的控制软件及测试结果：可选附件：多层膜聚焦透镜：X射线管功率：30W或50W；发散度：0.5~1 mrad；X射线管靶材：Mo / Cu 靶；焦斑：0.5~2 mm销售业绩：