曝光尺

可见光分幅相机（双曝光）● 通道数：4 通道● 画幅数：4画幅& 8画幅● 空间分辨率: 25lp/mm● 光谱响应范围： 350-850nm● 门控宽度：3ns—DC● 门控及延迟调节精度：1ns● 延时调节范围：0-1s● 增强器阴极尺寸：18mm● 增强器最大增益：1*104● 读出面阵： 1932*1452 (4X）4.5um*4.5um 像素● A/D位：12bit● 一体化数据采集软件使用与四分幅相机相同的分光光路，将耦合相机改为双曝光的CCD 相机，可以获得最高八分幅的相机。此种相机结构即可以工作在四分幅模式下，也可以工作在八分幅模式下。四分幅画幅之间最小时间间隔1ns, 八分幅相机的画幅之间第四和第五幅最小时间间隔为250ns（双曝光模式），其余画幅间隔最小1ns。此种工作模式的优势是在减少通道数及硬件成本的基础上得到更多的画幅数。基于4通道八分幅相机的 微秒闪光灯的放电过程测试： 20ns门宽，500ns 画幅间隔分幅相机汇总一览型 号FC-2-S-VISFC-4-S-VISFC-4-D-VISFC-8-S-VISFC-8-D-VIS主要描述2分幅4分幅4分幅双曝光8分幅8分幅双曝光单次画幅数2幅4幅4幅 & 8幅8幅8幅 & 16幅光路2路4路4路8路8路光路实现方式反射平行分光反射分光反射平行分光光瞳分光光瞳分光相机sCMOS2048*2048sCMOS2048*2048双曝光CCD1932*1420sCMOS2048*2048双曝光CCD1932*1420增强器口径18mm18mm18mm18mm18mm荧光屏P43P43P47P43P47最小门宽3ns3ns3ns3ns3ns耦合方式光纤面板光纤面板镜头耦合面板耦合镜头耦合分辨率=30lp/mm=30lp/mm=30lp/mm=30lp/mm=30lp/mm最小固有延迟120ns120ns36.5u+4us120ns36.5us+4usJitter（触发输入与输出）典型值100ps，最大200ps延迟及门控精度Step：1ns最小画幅间隔1ns1ns1-4 & 5-8：1ns4-5：300ns1ns1-4 & 5-8：1ns4-5：300ns

OAI 超过35年的历史按照您的具体规格设计和制造紫外线仪器和曝光系统在世界范围内亨有声誉无论复杂还是简单，OAI都有最聪明的解决方案。OAI 200型光刻机和紫外曝光系统 OAI系统可以处理各种常规和不规则形状的宽范围的基材。 高效光源在各种光谱上提供均匀的紫外线照射。. OAI 200型光刻机和紫外线曝光系统是一种经济高效的高性能工具，采用行业验证的模块化组件进行设计，使OAI成为MEMS，纳米技术和半导体设备行业的领先者。200型是台式机型，需要最小的洁净室空间。它为研发，试验或小批量生产提供了经济的替代方案。利用创新的空气轴承/真空卡盘校平系统，基板被快速和平缓地平整以用于平行光掩模对准和在接触暴露期间在晶片上的均匀接触。该系统具有微米分辨率和对准精度。对准模块具有掩模插入件组和快速更换晶片卡盘，其允许使用各种衬底和掩模，而不需要对机器重新设定。对准模块包含X，Y和θ轴（微米）。200型对准器可以广泛地安装进对准光学仪器，包括背面IR。 IR照明真空吸盘可以被配置用于整个或或部分晶片的对准。 OAI 200型可配置OAI纳米压印模块，使其成为最低成本的NIL工具。 OAI还提供了一个模块，设计用于使用液体光引物进行快速成型或生产微流体器件。 Model 200具有可靠的OAI光源，在近紫外或深紫外线下使用200至2000瓦功率的灯提供准直的紫外光。双传感器，光学反馈回路与恒定强度控制器相关联，以提供在所需强度的±2％内的曝光强度的控制。可以简单快速地改变UV波长。 型号200是一个高度灵活的， 经济的解决方 案，适合任何 入门级掩模对准和紫外线照射应用。 特点:&bull 高效，均匀，曝光系统与强度控制电源&bull 近，中，深紫外线能力可用&bull 亚微米套印和逐层校准&bull 易于互换的掩膜架和掩膜&bull 用户可设置，“基板到掩膜”间的压力&bull 软接触，硬接触，真空接触，接近曝光模式&bull 暴露可用时氮气N2吹扫&bull 超精确的卡盘运动&bull 可变速率电子操纵杆(可选)&bull 红外对准能力(型号200IR)(可选)&bull 顶部侧对齐以及背面对齐选项&bull 系统隔振具有四(4)象限独立调节(可选)&bull 高可靠性和低维护设计与优秀的文件应用MEMSNIL微流体纳米技术II-VI和III-V器件制造多级抗蚀剂处理LCD和FED显示器MCM’S薄膜器件太阳能电池SAW器件 选项提供单或双相机和屏幕（双相机/双屏版本如照片所示）可以安装NIL的Nano Imprint模块可安装微流体模块 OAI 200型台式光刻机和紫外线曝光系统 OAI 200型掩模对准器和UV曝光系统 特征 规格 体积小 基板平台 X, Y TravelZ TravelMicrometerGraduationsRotation ± 10mm 真空吸盘 1,500 microns.001" .0001"or .01mm .001mm± 3.5? 精密对准模块 可互换的面罩架和基板卡盘 掩膜 大小 Up to 14" x 14" 好处 光源 光束尺寸灯功率 Up to 12" square200, 350, 500, 1,000, and2,000 Watt NUV I 需要最小的洁净室空间 500, 1,000 and 2,000 Watt DUV I 对易碎基材材料造成损坏降至最低 快门定时器设施 定时器 0.1 to 99.0 sec. at 0.1second incrementsor 1 to 999 sec. at 1second increments I 精确对准至1微米 I 可轻松容纳各种基材和面罩 电压 110或220 / 400vac（或根据其他国家电源要求） I IR透明晶片的背面掩模对准，精度高达3-5微米 真空 20 - 28” Hg. I 高度准直，均匀的紫外线 空气和氮气 CDA at 60 PSI andN2at 40 PSI 排气 .35“至.5”水 I 快速更改UV光波长 I 曝光控制强度为±2％ 尺寸 高度宽度深度运输重量 37” (200mm), 45” (300mm)31” (200mm) , 60” (300mm)25” (200mm), 70” (300mm)250 Lbs. (200mm), 400lbs (300mm) I 可以配置为NIL的Nano Imprint工具

产品介绍： LSCE-800接触式曝光机指掩膜板直接与基板的光刻胶层接触，曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当 精确，设备简单。产品特点：分辨率相当精确，更广范围的紫外光波长选择； 支持恒定光强或恒定功率模式，广泛应用于半导体、微电子、 生物器件和纳米科技领域。参数：应用领域：半导体制造；光电电子、平板；射频微波，衍射光学；微机电系统；凹凸或覆晶设备等。

RAITH电子束曝光设备资料一、基本信息:品牌名称：RAITH主要设备：电子束曝光及成像系统、图形发射器。主要用途：在化合物半导体等领域加工线宽8-350纳米图形或掩膜板加工。 二、设备及应用:(一). 多功能电子束光刻设备Pioneer Two: Pioneer Two是一款高性价比的成套的电子束光刻设备，采用30kV Gemini电子束技术，应用于2英寸以下晶圆的纳米级光刻、高分辨成像及低压电子束光刻。 20keV下在HSQ胶上曝光亚8nm线条(二). 多功能电子束光刻设备eLine Plus: eLine Plus是一款集成了纳米操纵设备，如纳米探针、用于聚焦电子束诱导过程的气体注入系统等各种多功能选件的电子束光刻设备，广泛应用于学校和各大科研机构，采用30kV Gemini电子束技术，应用于4英寸以下基板的纳米级光刻、纳米工程、纳米操纵、纳米探测、纳米轮廓仪、聚焦电子束诱导和成像分析等。 HSQ胶上制作亚5nm线条(三). 专业型电子束光刻设备Raith150 Two: Raith150 Two是一款高分辨电子束光刻设备，采用30kV Gemini电子束技术，应用于8英寸以下基板（可曝光面积6英寸）的纳米级光刻、高分辨成像及低压电子束光刻，可实现亚5nm的曝光结构。 HSQ胶上制作亚4.5nm线条及PMMA胶上制作精细的11nm线条(四). 专业型电子束光刻设备Voyager: Voyager是一款高性价比采用创新的eWrite体系结构的电子束光刻设备，采用50kV eWrite 电子束技术，应用于8英寸以下基板（可曝光面积6英寸）的高速直写，适合衍射光学元件、防伪元件的加工及化合物半导体器件的高速加工。 HSQ胶上制作亚7nm线条(五). 专业型电子束光刻设备EBPG5150/5200: EBPG5150/5200是一款高自动化的电子束光刻设备，采用100kV EBPG 电子束技术，应用于8英寸以下基板（5150可曝光面积6英寸、5200可曝光面积8英寸）的高深宽比纳米结构曝光、高速电子束直写，适合防伪标识的加工及化合物半导体器件的高速加工。 制作GaAs T型器件及在化合物半导体上的应用(六). 纳米加工和纳米光刻升级配件Elphy: Elphy系列光刻升级配件可以将现有的SEM、SEM-FIB、HIM等聚焦离子束电子束系统升级为纳米光刻和纳米加工设备。

简介：真空曝光机：用于对厚度至7mm的锌板和镁板进行曝光试验.两个型号：板尺寸至75 x 85 cm和90 x 110 cm金属卤化物灯该款曝光机用于研究不适用常规标准的曝光试验，用于测试薄膜和板.我们的目的是减少功耗但曝光时间不变，并且提供一个快速安全的真空环境.曝光试验的光源功率为4000W.与市场上Z好的试验箱比较，我们的曝光时间更短.对灯参数的检查使我们得到连续且相等的曝光.光学积分器不足以得到相同曝光.半透明有机玻璃的正面板可在试验过程期间检查仪器，这样会减少90%的灯晕.我们产品的每个型号都会提供多语种液晶显示，显示信息和可能出现的异常.技术参数：技术参数紫外曝光系统1紫外曝光系统2总长1.106 mm.1.301 mm.宽度1.105 mm.1.510 mm.高度1.890 mm.2.110 mm.工作尺寸750 x 850 mm.900 x 1100 mm.灯（W）4000 W4000 W通道3939光学积分器YESYES4个架子YESYES功率4000W, 380V, 12A4000W, 380V, 12A扩散器YESYES光服务YESYES控制灯YESYES液晶屏YESYES

45年来，OAI始终是紫外能量测试仪器领域的全球领导者，其仪器用于半导体、微机电系统、晶圆封装和晶圆植球行业中光刻工艺的可靠，精确校准控制。Model 659是一款手持式紫外功率计，配有触摸屏和 USB 接口。通过使用特殊探头（365nm、400nm、420nm 和 436nm），可以测量主要用于步进应用的宽范围波长。 ● 多达400个曝光参数 ● 以太网和USB接口，用于下载记录的测量值 ● 强度范围达7500mW/cm2 ● 强度分辨率：0.01mW/cm2 ● 探头波长：365nm、400nm、420nm、436nmModel 659 型曝光分析仪，与晶圆步进光刻机配合使用，专为Ultratech Stepper等高强度光刻设备而设计（读数高达7500mW/cm2,1000000mJ/cm2'',最长9999秒）。可选择探头光谱响应：365nm、400nm、420nm或436nm. OAI拥有完整的认证校准实验室，以确保仪器的性能，质量，和可靠性。Model 659 可追溯至NIST标准。

仪器简介： 光刻机/紫外曝光机 (Mask Aligner) 原产国: 韩国MIDAS公司 型号：MDA-400M, MDA-400LJ，MDA-600S 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，光刻机，紫外曝光机等；MIDAS为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。 感谢南开大学，中科院半导体所,中科院长春应化所，中科院物理所，浙江师范大学使用此设备做课题研究！！ 此型号光刻机是所有进口设备中性能价格比最高的型号，达到欧美品牌的对准精度，CCD显示屏对准更为方便，液晶触摸屏操作，采用Ushio紫外灯或者LED光源，寿命长。整机效果皮实耐用，正常使用3年内不会出问题！！ 技术参数：项目 技术规格 曝光系统光源功率 350W 紫外光源及电源品牌：Ushio，使用寿命保证1000小时 *也可以采用LED光源，使用寿命保证10000小时 *以上两种光源需选择一种分辨率 - 真空接触模式 : 1um ( Thin PR@Si Wafer )- 硬接触模式 : 1um- 软接触模式 : 2um- 20um 渐进模式: 5um 最大光束尺寸*4.25×4.25 inch光束均匀性 *≤ 3% (4inch standard)光束强度 max 30mW/cm2 (365nm Intensity)曝光时间可调整0.1 to 999.9 sec对准系统对准精度0.5um对准间隙手动调节光刻模式真空,硬接触，软接触，渐进模式卡盘水平调节楔形错误补偿Wedge Error Compensation (专利技术)真空卡盘移动范围*X, Y: 10 mm, Theta: ±5°Z向移动范围*10mm接近调整步幅 1um整体对准移动*气动式，前后纵向移动显微镜及显示器 显微镜及显示器 CCD and Monitor*双CCD显微镜，Dual CCD zoom microscope 17寸LCD显示器 ，放大倍数 : 80x ~ 480x 样品尺寸大小2, 3, 4 inch掩模板尺寸4 and 5 inch安装要求真空 Vacuum -200 mbar (*包含进口无油真空泵)压缩空气 CDA 5Kg/cm2氮气 N23Kg/cm2电力 Electricity220V, 15A, 1Phase 1）高分辨光刻，至1um水平；2）可使用各种掩模板，小尺寸~4英寸均可用；再大尺寸，可以定制化服务。3）特殊的基底卡盘可定做；4）高精度对准台及显微镜操纵器；5）用于不同紫外曝光的高强度光学装置；6）用于楔形补偿的空气方位系统；7）所有部件均可接触；8）符合人体工程学操作；9）低成本，高品质；10） *两年保修主要特点：- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式- 两个CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；

产品类型：1. 紫外光刻胶（Photoresist）各种工艺：喷涂专用胶，化学放大胶，lift-off胶，图形反转胶，高分辨率胶，LIGA用胶等。各种波长: 深紫外(Deep UV)、I线(i-line)、G线(g-line)、长波(longwave)曝光用光刻胶。各种厚度: 光刻胶厚度可从几十纳米到上百微米。 2. 电子束光刻胶（电子束抗蚀剂）（E-beam resist）电子束正胶：PMMA胶，PMMA/MA聚合物， LIGA用胶等。电子束负胶：高分辨率电子束负胶，化学放大胶（高灵敏度电子束胶）等。3. 特殊工艺用胶（Special manufacture/experimental sample）电子束曝光导电层，耐酸碱保护胶，全息光刻用胶，聚酰亚胺胶（耐高温保护胶）等特殊工艺用胶。4. 配套试剂（Process chemicals）显影液、除胶剂、稀释剂、增附剂（粘附剂）、定影液等。 产品特点 1. 光刻胶种类齐全，可以满足多种工艺要求的用户。 产品种类包含：各种厚度的紫外光刻胶（正胶或负胶），lift-off工艺用胶，LIGA用胶，图形反转胶，化学放大胶，耐刻蚀保护胶，聚酰亚胺胶，全息曝光用胶，电子束光刻胶（包含PMMA胶、电子束负胶、三维曝光用胶（灰度曝光用胶）、混合曝光用胶等） 2. 光刻胶包装规格灵活多样，适合各种规模的生产、科研需求。 包装规格包含：250毫升、1升、2.5升等常规包装，还提供试验用小包装，如30毫升、100毫升等。 3. 交货时间短。 4. 可以提供高水准的技术咨询服务，具有为客户开发、定制特殊复杂工艺用光刻产品的能力。 5. 储存条件： 密闭储存在容器中并置于避光、干燥阴凉、通风良好之处。 储存在适当的温度下。详情请联系我们的销售人员。 光刻胶理论光刻胶定义 光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist，又翻译为抗蚀剂、光阻等。因为光刻胶的作用就是作为抗刻蚀层保护衬底表面。光刻胶只是一种形象的说法，因为光刻胶从外观上呈现为胶状液体。 光刻胶通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。当紫外光或电子束的照射时，光刻胶材料本身的特性会发生改变，经过显影液显影后，曝光的负性光刻胶或未曝光的正性光刻胶将会留在衬底表面，这样就将设计的微纳结构转移到了光刻胶上，而后续的刻蚀、沉积等工艺，就可进一步将此图案转移到光刻胶下面的衬底上，最后再使用除胶剂将光刻胶除去就可以了。 光刻胶按其形成图形的极性可以分为：正性光刻胶和负性光刻胶。正胶指的是聚合物的长链分子因光照而截断成短链分子；负胶指的是聚合物的短链分子因光照而交链长链分子。 短链分子聚合物可以被显影液溶解掉，因此正胶的曝光部分被去掉，而负胶的曝光部分被保留。 光刻胶一般由4部分组成：树脂型聚合物（resin/polymer），溶剂（solvent），光活性物质（photoactive compound，PAC），添加剂（Additive）。 其中，树脂型聚合物是光刻胶的主体，它使光刻胶具有耐刻蚀性能；溶剂使光刻胶处于液体状态，便于涂覆；光活性物质是控制光刻胶对某一特定波长光/电子束/离子束/X射线等感光，并发生相应的化学反应；添加剂是用以改变光刻胶的某些特性，如控制胶的光吸收率/溶解度等。 光刻胶的主要技术参数1. 灵敏度（Sensitivity） 灵敏度是衡量光刻胶曝光速度的指标。光刻胶的灵敏度越高，所需的曝光剂量越小。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。2．分辨率（resolution） 区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。 光刻胶的分辨率是一个综合指标。影响该指标的因素通常有如下3个方面： （1）曝光系统的分辨率。 （2）光刻胶的对比度、胶厚、相对分子质量等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。 （3）前烘、曝光、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。3. 对比度（Contrast） 对比度指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。 对比度越好，越容易形成侧壁陡直的图形和较高的宽高比。4. 粘滞性/黏度 （Viscosity） 衡量光刻胶流动特性的参数。黏度通常可以使用光刻胶中聚合物的固体含量来控制。同一种光刻胶根据浓度不同可以有不同的黏度，而不同的黏度决定了该胶的不同的涂胶厚度。5. 抗蚀性（Anti-etching） 光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。6. 工艺宽容度（Process latitude） 光刻胶的的前后烘温度、曝光工艺、显影液浓度、显影时间等都会对最后的光刻胶图形产生影响。每一套工艺都有相应的最佳的工艺条件，当实际工艺条件偏离最佳值时要求光刻胶的性能变化尽量小，即有较大的工艺宽容度。 这样的光刻胶对工艺条件的控制就有一定的宽容性。 特殊光刻胶介绍1. 化学放大光刻胶（CAR，Chemical Amplified Resist） 化学放大胶中含有一种叫做“光酸酵母”（PAG, Photo Acid Generator）的物质。在光刻胶曝光过程中，PAG分解，首先产生少量的光酸。在曝光后与显影前经过适当温度的烘烤，即后烘（PEB, Post Exposure Baking）这些光酸分子又发连锁反应，产生更多的光酸分子。大量的光酸使光刻胶的曝光部分变成可溶（正胶）或不可溶（负胶）。 主要的化学反应是在后烘过程中发生的，只需要较低的曝光能量来产生初始的光酸，因此化学放大胶通常有很高的灵敏度。 光刻胶推荐： AR-N 4340，AR-N 4400，AR-N 7700等。2. 灰度曝光（Grey Scale Lithography） 灰度曝光可以产生曲面的光刻胶剖面，是制作三维浮雕结构的光学曝光技术之一。灰度曝光的关键在于灰度掩膜板的制作、灰度光刻胶工艺与光刻胶浮雕图形向衬底材料的转移。传统掩膜板只有透光区和不透光区，而灰度掩膜板的透光率则是以灰度等级来表示的。实现灰度掩膜板的方法是改变掩膜的透光点密度。 灰度曝光用胶的特点：光刻胶要有较大的黏度。光刻胶要有比较低的对比度。光刻胶的抗刻蚀比尽量和衬底材料的接近。 光刻胶推荐：AR-N 7720 3. LIGA技术 由厚胶曝光形成深结构的目的是进行电铸，使之转化为金属深结构，因为只有金属结构才是为系统器件所需要的功能结构。这种技术又称为LIGA技术。LIGA是德文Lithographie(LI) Galvanoformung(G) Abformung(A)，即“光刻、电镀、注塑复制”的缩写。 光刻胶推荐：AR-P 6510，AR-N 4400， PMMA等 4. lift-off工艺 溶脱剥离法（lift-off）是微纳加工中应用到的最普遍的图形转移技术之一。其基本原理是由光学或电子束曝光首先形成光刻胶的图形，在薄膜沉积之后将光刻胶用除胶剂等溶解清除，凡是没有被光刻胶覆盖的区域都留下了金属薄膜，实现了由光刻胶图形向金属薄膜图形的转移。 光刻胶推荐: AR-P 5350，AR-P 5400，AR-N 4240，AR-N 4340，AR-N 4400等 5. 电镀法（electroplating） 电镀法是转移较厚的金属结构时使用到的一种转移技术。其过程一般为3个步骤：首先，在衬底材料上制作一层金属导电薄膜作为电镀的起始衬底，然后通过光刻或电子束曝光形成光刻胶或抗蚀剂掩膜； 第二步是将制作有光刻胶图形的基片放在电镀液中与被镀金属电极连接成电流通路，金属电极在电解液作用下释放金属离子并在电场驱动下沉积到基片表面暴露的金属层上； 最后，将光刻胶去除，并腐蚀清除衬底表面其余的金属膜，便得到金属微结构图形。 光刻胶推荐： AR-P 3200, AR-N 4400等

接触式曝光机 LSCE-800产品介绍： LSCE-800接触式曝光机指掩膜板直接与基板的光刻胶层接触，曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当精确，设备简单。接触式曝光机 LSCE-800产品特点：分辨率相当精确，更广范围的紫外光波长选择； 支持恒定光强或恒定功率模式，广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域。接触式曝光机 LSCE-800参数：接触式曝光机 LSCE-800应用领域：半导体制造；光电电子、平板；射频微波，衍射光学；微机电系统；凹凸或覆晶设备等。

主要简介： UTA系列是将DLP投影仪盒金相显微镜相结合的缩小投影型无掩模曝光系统，其价格低于传统系统（用于掩膜光刻的图案投影曝光系统） 可以使用专门为此目的开发的软件来创建想要的图案。主要特点： l 显微镜LED曝光装置概述l 显微镜LED曝光单元UTA系列是不需要掩模的用于光刻的图案投影曝光装置。l 使用金相显微镜盒LED光源DLP投影仪，将具有机微米分辨率的任意图案投影到涂有抗蚀剂的基板上进行曝光。l 图案可以在PC上自由创建。l 因为可以在普通的室内环境中在各种大小盒形状的单晶薄片上形成电极，所以它比电子束光刻便宜且简单，不需要制造昂贵的电极图案掩膜。 主要应用：l 薄膜FET和霍尔效应测量样品的电极形成l 从石墨烯/钼原石中剥离电极形成并评估其特性l 研发应用的图案形成。 技术参数：由于显微镜和DLP的结合，可以用很低的成本来构建系统易于使用的软件可以轻松的创建曝光图案通过物镜放大倍率图案，可以进行大范围的批量曝光可以连接到您自己的显微镜上（选项）分辨率在微米级曝光范围：2.5mm×1.5mm 最小100um×60um可以连接到您自己的显微镜上（选项）分辨率在微米级曝光范围：2.5mm×1.5mm 最小100um×60um

SUSS苏斯/休斯，EVG, OAI等系列光刻机用曝光灯HBO系列SUSS苏斯，EVG, OAI公司生产的半导体和太阳能行业用光刻机，目前得到业界的广泛认同，该系列光刻机曝光系统的曝光灯，主要是由德国欧司朗及日本牛尾公司生产的曝光灯进行配套供应。欧司朗/牛尾曝光灯系列，具备良好的光通量，稳定的光强度以及优质的品质受到业界的青睐。目前供苏斯光刻机配套的相关参数如下：HBO short-arc mercury varour lamps for microlithography适用SUSS苏斯光刻机型的曝光灯灯管型号 寿命（H） 适用SUSS苏斯光刻机型HBO 200W/DC 1000H MJB3, MJB4HBO 350W/S 600H MA4, MA6, MA/BA6,MA8, MA150, MJB3, MJB21,UV300/500HBO 1000W/D 1000H MA150,MA200,MA4,MA6, MA/BA6,MA8HBO 5000W/S 1000H MA300以下是欧司朗曝光灯的技术参数,适用于SUSS苏斯，EVG, OAI等光刻机：

iAS系列创新型整面曝光机，适用于高端显示、封装基板、先进封装等领域的 Micro-LED 大面积曝光、封装基板大面积曝光和扇出大芯片曝光。

海思科技 吴先生 全自动接近式曝光机、半自动光刻机主要应用：MEMS制造、CMOS图像传感器、存储器、声波器件、微流体芯片、化合物半导体、 晶圆级先进封装、（TSV）等领域。技术参数：1．工作方式：装载机械手将晶圆片从 A 晶圆盒自动装载至预定位工作台，经过定位传感器及自动旋转系统的调节，实现工件的预定位；装载机械手再将完成预定位后的晶圆片装载至对准工作台，经过计算机图像识别及自动对准系统的调节，实现掩模版上图形与晶圆片上的图形的自动对准，也可以不用对位图形完成一次曝光，经过曝光系统的自动曝光后，再由卸载机械手将晶圆片自动放入 B 晶圆盒，直至整个晶圆盒内的晶圆全部完成套刻曝光。2．曝光面积：110×110mm； 支持晶圆4-12寸3．曝光照度不均匀性：≤3%；4．曝光强度：0～≥50mw/cm2可调；5．紫外光束角：≤3°（可选 2?或 1°相对曝光照度会变弱）；6．紫外光中心波长：365nm；7．紫外光源寿命：≥2 万小时；8．分离量：0～≥1090um 可调；9．对准精度：≤1μm；10．曝光方式：硬接触、软接触和接近式曝光；11. 曝光模式：可选择一次曝光或套刻曝光12. 定位传感器及自动旋转系统（含预订位工作台）：旋转角度 Q≥±180°旋转精度 Q≤0.001°；13．图像识别及自动对准系统（含对准工作台）：对准范围 X.Y≥±5mm，升旋转角度 Q≥±3°，显微镜整体横向相对移动≥±70mm。14．掩模版尺寸：5″×5″； 可定制15．晶圆尺寸：4″； 、6、816.A.B 晶圆盒移动：Z≥±100mm；17．装卸载机械手：X≥±100mm，Y≥±100mm,Z≥±20mm；18.晶圆盒晶圆片数量：根据客户晶圆盒晶圆数量定；19．版架台移动：X.Y≥±3mm，Z≥±2mm；20．曝光定时：0～999.9 秒可调；21. 生产节拍：10 秒+曝光时间；22．电源：单相 AC220V 50HZ ，功耗≤1KW；23．洁净空气压力：≥0.4MPa；24．真空度：-0.07MPa～-0.09MPa；25．尺寸：1200*1000*1500mm ；26．重量：约 200kg

光刻机又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，紫外曝光机等；美国公司为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。产地：美国；型号：M-150技术规格：- 掩模尺寸：最大7英寸；- 样品尺寸：最大6英寸；- 卡盘移动：X,Y,Z,Theta轴手动，楔形补偿调平；- 紫外光源：6.25" X 6.25"；- 光源功率：350瓦紫外灯；- 光源均匀性：+/-3%；- 光源365nm波长强度：最大30毫瓦；- 显微镜：双显微镜系统；- 显微镜移动：X,Y,Z轴手动调节；- 显微镜物镜空间：50-150mm；- 标配放大倍率：80X-400X；- 显示器：20" LCD；- 曝光时间：0.1-999秒；- 接触模式：真空接触，硬接触，软接触，接近接触(距离可调)；- 对准精度：1um (Vacuum Contact), 1.5um(Hard Contact), 3um(Soft Contact), 5um(Proximity Mode)；- 电源：220V，单相，15安培；主要特点:- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式- 双CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；

FRAME-多重曝光频率辨识算法2017-10-31 LaVision 欧兰科技 多重曝光频率辨识算法（FRAME-Frequency Recognition Algorithm for Multiple Exposures）技术，利用单台相机单次曝光存储同一时刻若干幅图像。所记录的多次曝光图像，采用一种筛选算法进行重构，获得原始的单幅曝光图像，并将其分别存储下来。从FRAME 相机的一幅单次曝光图像，可以还原提取出超快事件的四幅时间分立的图像出来。这种创新技术为超快事件成像记录开辟了一条崭新的途径。 FRAME高速阴影测量系统(FRAME HS Shadow)由LaVision的DaVis软件平台全面操控，为照明和相机控制提供方便的用户界面。集成的FRAME算法能够仅用很少的用户交互命令完成图像序列重构运算。性能特色超快过程如脉冲喷雾形成和爆发的成像记录用一台常规相机以1MHz帧频记录4幅图像简单集成的FRAME照明装置FRAME HS Shadow 阴影测试系统 FRAME HS Shadow 阴影测试系统由一套FRAME照明组件和一台装有远心镜头的高分辨静态相机构成。照明组件和相机按照阴影法测试的视线方向形式布局。被测对象放置在照明组件和相机之间。FRAME 阴影照明组件 时间编码FRAME技术基于FRAME HS阴影照明系统。它把顺序4幅编码了的图像投影到测量区域。FRAME照明组件由4套独立的光源构成，每套光源配有一套FRAME图样发生器来给4幅图像编码。FRAME相机 高分辨相机配备远心镜头，采用平行光成像机制，可以获得最佳质量的FRAME图像。 重构图像的分辨率由照明组件提供的编码图像的调制线数目决定。FRAME 软件 FRAME照明组件完全由DaVis软件平台控制。每次曝光时刻都可以精确地，各自独立地设置，并和相机完全准确地同步。FRAME系统的测量可以和任意触发事件同步。重复对象（如脉冲喷雾）和单次事件（如激波管和爆轰）都可以用DaVis控制灵活多样的PTUX时间控制单元PTUX进行采集和记录。 DaVis集成FRAME重构算法，选择一次处理步骤，即可处理图像数据并给出图像序列。指标参数：FRAME HS 阴影照明组件最小帧间隔 1μs最小曝光时间 1μs通道数 4180毫米焦距 Nikong f-接口照明透镜工作距离 50 - 70 cm照明视场12 x 12 mm^2FRAME 调制频率 40线/毫米 （在测试视场所在平面*)尺寸 42 x 26 x 13 cm3 (W x L x H)重量 5 kg运行环境温度 10 to 40°C电源供电 100 - 230 VACFRAME HS 阴影测试系统相机型号 Imager M-lite 5M*)有效FRAME成像空间分辨率 500 x 400 pixel*)最大重复频率 50 Hz*)相机镜头 1:1 远心镜头工作距离 10cm景深 ~1 mm视场 12.5 x 9 mm2 (W x H)*)*)可根据需要提供其它型号相机和更高调制频率的FRAME照明组件。如有需求，请联系我们。订购信息：部件序列号，描述说明1103448 FRAME HS 阴影照明组件1105085 FRAME 软件包1101503 Imager M-lite 5M 相机1010610 远心镜头 1:1, c-口, 工作距离=10 cm

ChemiMOS 长曝光 CMOS相机ATIK Cameras 科学相机作为迄今为止技术最先进的一代cmos相机，适用于低噪声、高灵敏度和高动态范围的应用。 ChemiMOS是一种冷却的CMOS相机，从头开始设计，非常适合集成到需要长时间曝光图像的科学系统中。以前的曝光时间只能使用CCD技术，但现在可以与ChemiMOS由于零放大器发光和低噪声设计。这个最新一代的CMOS技术将在可预见的将来投入使用确保供应链的长期稳定。优点包括非常低的读取和深像素全好。优点包括非常低的读取和深像素全井，允许前所未有的动态范围。冷却被优化，以最小化暗电流，而不需要极端温度，这可能会使最终用户的设计复杂化。校准程序，如暗帧减影和相机外图像处理，这意味着操作相机时的灵活性和透明度。由于传感器特性随时间的变化，重新校准没有停机时间。 非常适合集成到需要长时间曝光图像的科学系统中规格参数：Image SensorSony IMX533Resolution3000 x 3000Pixel Pitch3.76 μmSensor Size1" CMOS sensorFull Well50,000 e-Read Noise1.5 e-Dark Current Noiseat camera set point0.0005 e-/p/sSet Point Coolingat ambient of 20oC-20 °CFrame Rate14 bit - 16fps12 bit - 20fps.Mount TypeC-MountADC12bit or 14bitReading ModeRolling Shutter CMOSExposure Range10 ms - 24 hourSystem RequirementsWindows 10USB 3.08GB Ram64 bit Operating System

光刻机又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，紫外曝光机等；美国公司为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。产地：美国；型号：M-150技术规格：- 掩模尺寸：最大7英寸；- 样品尺寸：最大6英寸；- 卡盘移动：X,Y,Z,Theta轴手动，楔形补偿调平；- 紫外光源：6.25" X 6.25"； - 光源功率：350瓦紫外灯；- 光源均匀性：+/-3%；- 光源365nm波长强度：最大30毫瓦；- 显微镜：双显微镜系统；- 显微镜移动：X,Y,Z轴手动调节；- 显微镜物镜空间：50-150mm；- 标配放大倍率：80X-400X；- 显示器：20" LCD；- 曝光时间：0.1-999秒；- 接触模式：真空接触，硬接触，软接触，接近接触(距离可调)； - 对准精度：1um (Vacuum Contact), 1.5um(Hard Contact), 3um(Soft Contact), 5um(Proximity Mode)；- 电源：220V，单相，15安培；主要特点:- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式 - 双CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；

仪器简介：光刻机/紫外曝光机 (Mask Aligner)原产国: 韩国，唯一能做到图形化蓝宝石衬底（PSS）光刻机，高性价比型号：KCMA-100；又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，光刻机，紫外曝光机等；ECOPIA为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。感谢南开大学，中科院半导体所,中科院长春应化所，中科院物理所，浙江师范大学使用此设备做课题研究！！此型号光刻机是所有进口设备中性能价格比最高的型号，达到欧美品牌的对准精度，CCD显示屏对准更为方便，液晶触摸屏操作，采用欧司朗紫外灯，寿命长。整机效果皮实耐用，正常使用3年内不会出问题！！目前，上海蓝光已采用该公司全自动型光刻机做LED量化生产，证明其品质达到LED产业标准要求！！而且已经成功提供图形化蓝宝石衬底（PSS）光刻工艺设备.技术参数：- 基片尺寸：4、6、8、12、25英寸，其他尺寸可定制；- 光束均匀性：±3%；- 曝光时间可调范围：0.1 to 999.9秒；- 对准精度：0.6-1微米- 分辨率：1微米；- 光束输出强度：15-25mW/cm2； 项目技术规格曝光系统(Exposure System)MDA-400M型光源功率350W UV Exposure Light source with Power supply分辨率- Vacuum Contact : 1um ( Thin PR@Si Wafer )- Hard Contact: 1um- Soft contact : 2um- 20um Proximity: 5um最大光束尺寸4.25×4.25 inch光束均匀性≤ ±3% (4inch standard)光束强度15~20mW/cm2 (365nm Intensity)曝光时间可调整0.1 to 999.9 sec对准系统(Alignment System)对准精度1um对准间隙手动调节(数字显示)光刻模式真空, 硬接触, 软接触，渐进（Proximity）卡盘水平调节楔形错误补偿Wedge Error Compensation真空卡盘移动X, Y: 10 mm, Theta: ±5°Z向移动范围10mm接近调整步幅1um样品(Sample)基底 Substrate2, 3, 4 inch掩模板尺寸4 and 5 inchUtilities真空 Vacuum -200 mbar (系统包含真空泵)压缩空气 CDA 5Kg/cm2氮气 N23Kg/cm2电源 Electricity220V, 15A, 1Phase显微镜及显示器CCD and MonitorDual CCD zoom microscope and LCD (17inch) monitor Magnification : 80x ~ 1000x 主要特点：- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式- 两个CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；

0.0005 e-/p/s暗电流可替代冷CCD长曝光应用FL 9BW暗电流已低至0.0005 e-/p/s, 制冷深度可达-25℃，关键性能达到了深度制冷CCD相当的水平。在~10分钟长曝光的条件下，FL 9BW仍能获取高信噪比(SNR)的图像，且在正常曝光时间内 (60分钟)，信噪比都优于695 CCD。背景均一定量分析更精准FL 9BW同时集成了索尼芯片优异的辉光抑制能力和鑫图先进图像降噪处理技术，基本杜绝了边角亮光、坏点像素等不良制程因素对正常信号的干扰，成像背景均一，更适合定量分析应用。SONY 背照式科学级芯片综合成像性能优越FL 9BW采用索尼新一代背照式科学级CMOS芯片，不仅长曝光性能和CCD相当，峰值量子效率高达92%，读出噪声仅0.9 e-，弱光成像能力碾压CCD，动态范围更是传统CCD的4倍以上，综合成像性能十分优越。技术参数芯片类型BSI CMOS芯片型号SONY IMX533CLK-D彩色/黑白黑白对角线尺寸15.96 mm （1”）有效面积11.28 mm × 11.28 mm像素大小3.76 μm × 3.76 μm分辨率3000 × 3000, 9 MP峰值量子效率92% @ 530nm暗电流 0.0005e-/p/s位深14 bit@bin1 FPGA bining 自动扩展到16bit增益模式Gain 0 - 高满阱Gain 1 - 平衡Gain 2 - 高灵敏满阱容量Gain 0：47 ke- @ bin1 180 ke- with binningGain 1：16 ke- @ bin1 64 ke- with binningGain 2: 3 ke- @ bin1 12 ke- with binning读出模式Standard, Low-Noise读出噪声Standard: 3.2 e- @ Gain 0 1.2 e- @ Gain 1, 1.0 e-@ Gain 2Low-Noise: 2.5 e- @ Gain 0 1.0 e- @Gain 1, 0.9 e- @ Gain 2读出噪声Standard: 3.2 e- @ Gain 0 1.2 e- @ Gain 1, 1.0 e-@ Gain 2Low-Noise: 2.5 e- @ Gain 0 1.0 e- @Gain 1, 0.9 e- @ Gain 2帧率18fps @ Standard Mode, 12fps @ Low Noise Mode快门类型卷帘曝光时间12.2 μs ~ 60 min 图像校正DPCROI支持Binning2 x 2 , 3 x 3, 4 x 4 , 6 x 6 , 8 x 8制冷方式风冷制冷温度-25 ℃ @ 室温（22 ℃）触发模式硬件, 软件触发输出曝光开始, 全局, 读出结束, 高电平, 低电平触发接口HoriseSDKC, C++, C#数据接口USB 3.0光学接口C-Mount, 支持定制电源12 V / 6A功耗≤ 40W操作环境温度 0~40 °C, 湿度 10~85%储存环境温度 -10~60 °C, 湿度 0~85%相机尺寸76 mm x 76 mm x 98.5 mm操作系统Windows/Linux

志圣曝光机薄丝网印刷表面通常印刷在焊料掩模上。通常，在丝网印刷表面上印刷符号和字符，可以指示电子元件在某一位置的信息和位置。因此，丝网印刷表面也称为图标表面。 1、工作台真空由排气扇产生，通过风道连接到工作台底部，气缸控制风道阀的打开和关闭。 2、气缸伸缩由电磁阀控制。 3、气缸伸出，真空阀关闭；气缸缩回，真空阀打开。 4、用手动模式实验打开和关闭真空阀。电磁阀起作用，但气缸不起作用。气缸始终处于伸出状态。难怪没有真空。 顾名思义，PCB是印刷电路板的缩写。它存在于每个电子设备中。

瑞士idonus提出了一种创新的紫外线照明系统，该系统基于大功率LED和高级微透镜阵列的使用。该产品可用于光致抗蚀剂曝光，适用于多种基材。我们完整的UV照明产品线可满足300 mm宽的掩模和晶圆的光刻需求。可以设计定制的解决方案来满足您的特定要求（例如，对掩模对准器进行改造，为将来的产品提供OEM）。LED的好处直到最近，水银弧光灯能够提供适合UV光刻曝光的高强度光的光源。由于LED技术的进步，UV-LED已成为耗能汞灯的极具吸引力的替代品。除了生态和安全方面，与传统的汞灯相比，UV-LED的技术优势众多，并且对光刻具有重要意义。UV-LED的最重要的优点是，它们具有稳定的发射性，使用寿命长。结果，不需要日常校准和维护。此外，通过提高能源效率，LED减少了发热量，从而大大简化了系统冷却。UV-LED技术的好处LED使用寿命长，这意味着不再需要消耗品无需每日校准，即时稳定的照明即时开启，光线仅在曝光期间开启，无需机械快门低功耗有限的加热，这意味着非常低的空气冷却成本没有维护费用紫外线LED曝光系统idonus已经推出了完整的UV-LED曝光产品线。我们的系统将市场上最有效的UV-LED与高级微透镜阵列集成在一起。它们完全组装并在内部进行控制。我们的设计采用全远心光学元件，可在整个曝光区域提供可重复且均匀的照明条件-即高度均匀且稳定的强度，并且发散角很小。这种光学器件可确保整个基板完全均匀地曝光，从而生产出具有笔直侧壁的固化光致抗蚀剂，并具有微米级。应用：光刻曝光纳米压印紫外固化优点：工艺稳定免校准，免维护即时开/关无有害物质，无特殊安全规定

产品详情美国OAI边缘曝光机 2000SM,2000AF详细介绍型号2000SM边缘曝光系统2000AF型曝光系统OAI 2000型曝光系统可以配置为边缘曝光系统（2000SM）或曝光系统（2000AF） 这两种配置都基于OAI经过验证的，经过时间测试的平台。两种型号的2000型曝光系统包括UV光源，强度控制电源和机器人衬底处理子系统。 UV光源提供发散半角2.0％的可调强度光束。电源从200W到2,000W。强度控制器传感器直接连接到光源，用于精确的强度监控。机器人衬底处理系统是微处理器控制的，并且可以被编程以适应各种各样的衬底尺寸。阴影掩模能力使得用户能够在保持非常接近掩模的同时对衬底的顶部进行图案化。在25微米的分离时，这些系统能够具有6微米的分辨率。在SM配置中，边缘珠曝光系统提供了一种经济有效的方法，使用标准阴影掩模技术进行边缘珠去除。掩模和基材切换可以快速且容易地实现，从而增加了该大批量生产工具的通用性和生产量。在AF配置中，2000型泛光曝光系统用于增强和/或增强生产和研发环境中的光刻过程。应用包括光刻胶稳定和改性，图像反转和PCM工艺。Model 2000SM Edge-bead Exposure SystemModel 2000AF Flood Exposure SystemThe OAI Model 2000 Exposure Systems may be configured as either an edge-bead exposure system (2000SM) or a flood exposure system (2000AF) both configurations are based on OAI' s proven, time-tested platform.Both versions of the Model 2000 Exposure System include a UV light source, intensity controlling power supply and robotic substrate handling subsystem. UV light sources provide adjustable intensity beams with divergence half-angles of 2.0%. Power supplies are available from 200W to 2,000W. Intensity controller sensors are linked directly to the light source for accurate intensity monitoring. The robotic substrate handling system is microprocessor controlled and may be programmed to accommodate a wide variety of substrate sizes. The shadow mask capability enables the user to pattern the top of a substrate while being held in very close proximity to the mask. At a separation of 25-microns, these systems are capable of 6-micron resolution.In the SM configuration, the Edge-bead Exposure System provides a cost-effective method for edge-bead removal using standard shadow mask technology. Mask and substrate changeover can be accomplished quickly and easily adding to both versatility and throughput of this high-volume production tool.In the AF configuration, the Model 2000 Flood Exposure System is used to augment, and/or enhance the photolithography processes in both production and R&D environments. Applications include photo resist stabilization and modification, image reversal and PCM processes.

品牌：Elionix型号：ELS-F125/F100/HS50电子束曝光，电子束直写，电子束光刻用途：利用电子束在抗蚀剂上书写纳米级图案，通过ELB设备曝光和显影，可用于加工sub-10nm的精细结构。一、简介ELS-F125是Elionix推出的世界上最早的加速电压高达125KV的电子束曝光系统之一，其可加工线宽下限为5nm的精细图形。(以下参数基于ELS-F125)ELS-F125具有以下优点：l 超高书写精度- 5 nm 线宽精度 @ 125 kV- 1.7 nm 电子束直径&邻近效应最小化 @ 125 kVl 高通量、均匀性好- 超大视野书写:500um视场下10 nm线宽- 高束流下电子束直径依然很小，高通量而不影响分辨率，2 nm 电子束直径@ 1 nAl 界面用户友好基于Windows系统的CAD和SEM界面:-简单易用的图案设计功能-易于控制的电子束条件二、主要功能l 主要应用纳米器件的微结构集成光学器件，如光栅，光子晶体等NEMS结构，复杂精细结构光刻掩模板，压印模板l 技术能力型号ELS-F125ELS-F100ELS-HS50电子枪ZrO/W 热场发射枪ZrO/W 热场发射枪ZrO/W 热场发射枪加速电压125 kV, 75 kV, 25 kV100 kV, 50 kV, 25 kV50 kV, 20 kV最小束流直径Φ 1.7 nm (@ 125 kV)Φ 1.8 nm (@ 100 kV)Φ 2.8nm (@ 50 kV,1 nA)最小线宽5 nm or less (@125 kV)6 nm or less (@100 kV)20 nm (@ 50 kV, 2 nA)电子束束流5 pA to 100 nA20 pA to 100 nA1 nA to 1 μA视场范围Max. 3,000 μm ｘ 3,000 μmMax. 3,000 μm ｘ 3,000 μmMax. 3,000 μm ｘ 3,000 μmMin. 100 μm ｘ 100 μmMin. 100 μm ｘ 100 μmMin. 100 μm ｘ 100 μm束流定位Max. 1,000,000 ｘ 1,000,000 (20bit DAC)Max. 1,000,000 ｘ 1,000,000 (20bit DAC)Max. 1,000,000 ｘ 1,000,000 (20bit DAC)束流定位分辨率Min. 0.1 nmMin. 0.1 nmMin. 0.1 nm大样品尺寸8" wafer or 7" square mask8" wafer or 7" square mask8" wafer or 7" square mask三、应用

平行光曝光系统设计紧凑的平行光曝光系统。这种准直镜式平行光曝光系统使用一个超高压汞灯作为点光源。 主要部件由光源、吸式曝光台和面罩单元组成，曝光方式可以是真空接触（硬接触）曝光方式。 也可根据要求提供接近系统。对于曝光控制，安装了一个集成的测光表，以方便设置正确的曝光量。基本信息基本规格。工件尺寸：150毫米×150毫米，厚度约0.1 - 1.0毫米光学性能：超高压汞灯1KW（风冷），波长约300-470纳米（主波长365、405、436纳米）。紫外线照度约为40 mw/cm^2的初始值（@365 nm），照度分布为90% min。射线平行度：准直半角≤1.5°，倾角≤1.0°。曝光快门：用空气驱动的快门打开/关闭曝光控制：取决于集成测光表（控制波长为365纳米），20通道记忆面罩（基本）： □8英寸玻璃面罩，3.0毫米或5.0毫米厚曝光台：吸气台，前/后可移动，内置真空泵上层框架类型：专用玻璃罩框架或麦拉框架公用设施：电源3相200V 50/60 Hz，断路器开关30A，10.5KVA　　　　　　　压力空气约0.5 Mpa　　　　　　　废气：约8 m^3/min外部尺寸：(W)800mmx(D)1470mmx(H)1915mm

美国 International Light 公司的多功能，轻便的辐射度计、照度计，可检测紫外光， 可见光到红外光的各波段，光参量的测量，对任意光学单位都可直接读数。 光刻胶紫外曝光测量 IL1740-B/IL1440-B 326-401nm(UV-B)

美国 International Light 公司的多功能，轻便的辐射度计、照度计，可检测紫外光， 可见光到红外光的各波段，光参量的测量，对任意光学单位都可直接读数。 光刻胶紫外曝光测量 IL1740-A/IL1440-A 320-475nm(UV-A)

基于改装SEM纳米图形电子束曝光机NPGS V9.2仪器简介：在过去的几年中，半导体器件和IC生产等微电子技术已发展到深亚微米阶段及纳米阶段。为了 追求晶片更高的运算速度与更高的效能，三十多年 来，半导体产业遵循著摩尔定律 （Moore’s Law）：每十八个月单一晶片上电晶体的数量倍增，持续地朝微小化努力 。为继续摩尔定律 ，在此期间，与微电子领域相关的微/纳加工技术得到了飞速发展，科学家提出各种解决方案如：图形曝光（光刻）技术、材料刻蚀技术、薄膜生成技术等。其中，图形曝光技术（微影术）是微电子制造技术发展的主要推动者，正是由于曝光图形的分辨率和套刻精度的不断提高，促使集成电路集成度不断提高和制备成本持续降低。 电子束曝光系统（electron beam lithography, EBL）是一种利用电子束在工件面上扫描直接产生图形的装置。由于SEM、STEM及FIB的工作方式与电子束曝光机十分相近，美国JC Nabity Lithography Systems公司成功研发了基于改造商品SEM、STEM或FIB的电子束曝光装置（Nanometer Pattern Generation System纳米图形发生系统，简称NPGS，又称电子束微影系统）。电子束曝光技术具有可直接刻画精细图案的优点，且高能电子束的波长短（ 1 nm），可避免绕射效应的困扰，是实验室制作微小纳米电子元件非常好的选择。相对于购买昂贵的专用电子束曝光机台，以既有的SEM等为基础，外加电子束控制系统，透过电脑介面控制电子显微镜中电子束之矢量扫描，以进行 直接刻画图案，在造价方面可大幅节省 ，且兼具原SEM 的观测功能，在功能与价格方面均具有优势。由于其具有高分辨率以及低成本等特点，在北美研究机构中，JC Nabity的NPGS是非常热销的配套于扫描电镜的电子束微影曝光系统，而且它的应用在世界各地越来越广泛。 NPGS的技术目标是提供一个功能强大的多样化简易操作系统，结合使用市面上已有的扫描电镜、扫描透射电镜或聚焦离子束装置，用来实现艺术级的电子束或离子束平版印刷技术。NPGS能成功满足这个目的，得到了当前众多用户的强烈推荐和一致肯定。 应用简述 基于改装SEM纳米图形电子束曝光机NPGS V9.2能够制备出具有高深宽比的微细结构纳米线条，从而为微电子领域如高精度掩模制作、微机电器件制造、新型IC研发等相关的微/纳加工技术提供了新的方法。NPGS系统作为制作纳米尺度的微小结构与电子元件的技术平台，以此为基础可与各种制程技术与应用结合。应用范围和领域取决于客户的现有资源，例如： NPGS电子束曝光系统可与等离子应用技术做非常有效的整合，进行 各项等离子制程应用的开发研究，简述如下： (一) 半导体元件制程 等离子制程已广泛应用于当前半导体元件制程，可视为电子束微影曝光技术的下游工程。例如： (1) 等离子刻蚀（plasma etching） (2) 等离子气相薄膜沉积（plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD） (3) 溅镀（sputtering） (二) 微机电元件制程（Semiconductor Processing） 微机电元件在制程上与传统半导体元件制作有其差异性。就等离子相关制程而言，深刻蚀（deep etching）是主要的应用，其目标往往是完成深宽比达到102 等级的深沟刻蚀或晶圆穿透刻蚀。而为达成高深宽比，深刻蚀采用二种气体等离子交替的过程。刻蚀完成后可轻易 以氧等离子去除侧壁覆盖之高分子。在微机电元件制作上，深刻蚀可与电子束微影曝光技术密切 结合。电子束微影曝光技术在图案设计上之自由度 十分符合复杂多变化的微机电元件构图。一旦完成图案定义，将转由深刻蚀技术将图案转移到晶圆基板。技术参数：型号：NPGS V9.2最细线宽（μm）：根据SEM 最小束斑（μm）：根据SEM 扫描场：可调 加速电压：根据SEM，一般为0-40kV 速度：5MHzA. 硬件： 微影控制介面卡：NPGS PCIe-516A High Speed Lithography Board，high resolution (0.25%) 控制电脑：DELL或类似品牌主流配置电脑工作站皮可安培计：KEITHLEY 6485 Picoammeter B. 软件： 微影控制软件 NPGS V9.2 for Windows10图案设计软件 QCAD for Windows主要特点：技术描述： 为满足纳米级电子束曝光要求，JC Nabity出品的NPGS系统设计了一个纳米图形发生器和数模转换电路，并采用PC机控制。PC机通过图形发生器和数模转换电路去驱动SEM等仪器的扫描线圈，从而使电子束偏转并控制束闸的通断。通过NPGS可以对标准样片进行图像采集以及扫描场的校正。配合精密定位的工件台，还可以实现曝光场的拼接和套刻。利用配套软件也可以新建或导入多种通用格式的曝光图形。 (一) 电子源（Electron Source） 曝照所需电子束是由既有的SEM、STEM或FIB产生的电子束（离子束）提供。 (二) 电子束扫描控制（Beam Scanning Control） 电子射出后，受数千乃至数万伏特之加速电压驱动沿显微镜中轴向下移动，并受中轴周围磁透镜（magnetic lens）作用形成聚焦电子束而对样本表面进行 扫描与图案刻画。扫描方式可分为循序扫描（raster scan）与矢量扫描（vector scan）。 循序扫描是控制电子束在既定的扫描范围内进行 逐点逐行 的扫描，扫描的点距与行 距由程式控制，而当扫描到有微影图案的区域时，电子束开启进行 曝光，而当扫描到无图案区域时，电子束被阻断；矢量扫描则是直接将电子束移动到扫描范围内有图案的区域后开启电子束进行 曝光，所需时间较少。 扫描过程中，电子束的开启与阻断是由电子束阻断器（beam blanker）所控制。电子束阻断器通常安装在磁透镜组上方，其功效为产生一大偏转磁场使电子束完全偏离中轴而无法到达样本。 (三) 阻剂（光阻） 阻剂（resist）是转移电子束曝照图案的媒介。阻剂通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。高能电子束的照射会改变阻剂材料 的特性，再经过显影（development）后，曝照（负阻剂）或未曝照（正阻剂）的区域将会留 在基材表面，显出所设计的微影图案，而后续的制程将可进一步将此图案转移到阻剂以下的基材中。 PMMA（poly-methyl methacrylate）是电子束微影中非常常用的正阻剂，是由单体甲基丙烯酸甲酯（methyl methacrylate, MMA）经聚合反应而成。用在电子阻剂的PMMA 通常分子量在数万至数十万之间，受电子束照射的区域PMMA 分子量将变成数百至数千，在显影时低分子量与高分子量PMMA 溶解度 的对比非常大。 负阻剂方面，多半由聚合物的单体构成。在电子束曝照的过程中会产生聚合反应形成长链或交叉链结（crosslinking）聚合物，所产生的聚合物较不 易 被显影液溶解因而在显影后会留 在基板表面形成微影图案。目前常用的负阻剂为化学倍增式阻剂（chemically amplified resist），经电子束曝照后产生氢离子催化链结反应，具有高解析度 、高感度 ，且抗蚀刻性高。 (四) 基本工序 电子束微影曝光技术的基本工序与光微影曝光技术相似，从上阻、曝照到显影，各步骤的参数（如温度 、时间等等）均有赖于使用者视需要进行 校对与调整。

介绍：1)显微镜 LED曝光系统 UTA系列，为不需使用光罩即可以完成Pattern曝光的投影式曝光设备。 2)使用金相显微镜和 LED 光源 DLP 光机，即可在涂布光阻的基板上进行数个微米 分辨率的曝光。 3)Pattern 形状可以使用计算机绘图自由制作。4)可在一般环境操作，样品外观及尺寸限制小，价格比一般电子束曝光机更便宜、方便性更高，可以大幅降低研发成本。特色： 使用显微镜和 DLP 组合之曝光系统，可比既有系统拥有更具竞争性之价格。 ‚ 软件操作简便，可以自由绘制曝光Pattern。 ƒ 透过物镜倍率选择，调整曝光范围大小与分辨率。 „ 可以制造微米等级尺寸的 Pattern 。使用案例：ü形成薄膜 FET 以及 Hole 效果量测用试料之电极。 üMo 原石取出薄片，形成原石特性评估的电极。

KLOE 微流控芯片光刻机/曝光机 UV-KUB系列图片简介法国KLOE公司在光刻方面有着丰富的经验，其研发的UV- KUB系列光刻机是一种基于UV LED的曝光机系统，结构紧凑，可以直接放置在实验台上，能够处理zui大直径4英寸的晶圆，兼容硬接触（接触式）或者软接触（接近式）工艺，可自动调整掩膜高度以适应不同的基板厚度，可使用365 nm或405 nm的光源，不需要预热，也不需要单独的冷却单元。另外，UV-KUB系列先进的设计，保证了光源的准直性和均匀性，其zui小分辨率可达2μm，zui大发散角小于2°本系统适用于市面上常用的光刻胶，如AZ系列、Shipley系列、SU-8系列和K-CL系列。规格参数 项目UV-KUB 2UV-KUB 3zui小分辨率2 μm2 μm光源波长365 nm / 385 nm / 405 nm365 nm能量密度25 mW / cm2 ± 10 %30 mW / cm2 ± 10 %热效应zui大升温 1°C 1°C曝光时间1s~18 hours1s~18 hourszui大存储程序数量10个无限制对准分辨率/ 3 μm外形尺寸260 x 260 x 260 mm3480 x 480 x 480 mm3重量8.2 kg55 kg显示屏彩色触摸屏5.7 inches彩色触摸屏15.6 inches 功能图解UV-KUB 2型光刻机，是国际市场上一款采用UV-LED光源系统的光刻机，其配备了基于LED光源的光学头，使用寿命大大提高，结构小巧，性价比高，非常适合实验室应用。UV-KUB 3是一款带对位功能的UV-LED曝光机，光源为365nm，其触摸屏和CCD相机代替了传统的显微镜及双筒目镜，控制器提供了图像捕获、测量以及对齐坐标的记录等功能，可以实现预对准，这样，用户再通过操作手柄便能方便的进行对准操作。 UV-KUB 2 UV-KUB 3应用系统微流控芯片MEMS器件

产品详情SUSS苏斯光刻机用曝光灯HBO 200W/DC ,HBO 350W/S, HBO 1000W/D, HBO 5000W/S 详细介绍SUSS Micro Tecv美国苏斯公司生产的半导体和太阳能行业用光刻机，目前得到业界的广泛认同，该系列光刻机曝光系统的曝光灯，主要是由德国欧司朗公司生产的曝光灯进行配套供应。欧司朗曝光灯系列，具备良好的光通量，稳定的光强度以及优质的品质受到业界的青睐。目前供苏斯光刻机配套的相关参数如下：HBO short-arc mercury varour lamps for microlithography适用SUSS苏斯光刻机型的曝光灯灯管型号 寿命（H） 适用SUSS苏期光刻机型HBO 200W/DC 1000H MJB3, MJB4HBO 350W/S 600H MA4, MA6, MA8, MA150, MJB3, MJB21,UV300/500HBO 1000W/D 1000H MA150,MA200,MA4,MA6, MA8HBO 5000W/S 1000H MA300 以下是欧司朗曝光灯的技术参数,适用于SUSS苏斯光刻机型：其它相关SUSS苏斯设备业务也可以咨询我们,合作愉快,谢谢!