半径规

在植物和环境的关系的研究中，一般环境指标，如气象因子、土壤等，可以每小时、每天高密度连续观测，但植物指标往往一年仅测定一个或数个，如生长量，产量，年轮宽度等等，其结果是一个因变量对数十个或数百个自变量，无法准确确定究竟哪个环境因素影响植物的生长。如果用茎干变化测量系统可以连续取得植物相关的数据，则可以大大提高植物和环境关系研究的可行性和准确性。 优点：此仪器可定位精确观测植物茎干的变化, 数据可以直读, 也可用数采自动记录；专用配套小数采自带的电源可连续测量2年；优点：精度高, 廉价, 安装方便, 性能稳定, 测量时传感器不需要电源，几乎无需维护措施，特殊尺寸可以定制。 技术参数： 型号DD型DR型测量范围测直径变化，适于直径变化在0～20 cm 的植物，大于20 cm需特制；不伤害植物。测半径变化，适于直径8 cm 以上的植物，茎杆上要钻两个4 mm 的小孔。扩张范围11 mm，测量对象变化超过11mm后需要重新调节标准配置传感器，固定框架，2 m电缆。传感器，固定框架，2 m电缆。安装工具万用表，两个小扳手，电缆固定带。万用表，两个小扳手，电缆固定带，手摇钻或电钻（直径4mm）, 树体伤保护胶。尺寸及重量27×24×1.5 cm，65 g14×15×1.5 cm，60 g读取数据需要读数表或数据采集器测量精度＜5mm (植物半径日变化0～300mm)温度系数＜0.1 mm/℃ (温度变化1℃, 变化小于0.1mm)适用环境温度-30～40°C, 湿度0～100%输出方式模拟输出 0～50 kΩ，不耗电。外壳材料表面强化铝，不锈钢电缆长度2 m，电缆可以延长到200 m 产地：德国

法国圣戈班Versilon™ SPT-60铂固化有机硅管Versilon™ SPT-60铂固化有机硅管-Versilon™ SPT-60是一款铂固化有机硅管，不产生任何味道或气味，专为食品和饮料分配应用而开发。Versilon™ SPT-60管的内表面光滑度无与伦比，可抑制蛋白质结合和细菌生长。此外，Versilon™ SPT-60硅胶管的光滑内径通过减少内表面形貌上的峰和谷来改善流体流动特性。Versilon™ SPT-60的功能：没有提取物不会发出任何味道或气味出色的柔韧性和弯曲半径抗撕裂优异的内表面光滑度蠕动泵使用寿命长在无尘室环境中制造典型应用 食品饮料分配

【NCHV-A探针】bruker原子力显微镜探针概述一组硅探针。数量为10用于TappingMode成像的Bruker'sValueLine蚀刻硅探针TM在空气中的非接触模式，具有反射涂层。这种探头也可以不使用铝反射涂层作为模型 NCHVO规格:几何■矩形 齿顶圆角半径nm尺寸：8 频率赫兹尺寸:320最小:270最大:400 弹簧常量Nm尺寸:40最小:20最大:75 长度pm尺寸:117最小:115最大:120 宽度pm尺寸：33最小:28最大:38 悬臂梁背面的铝反射涂层使激光信号增加了2.5倍。对于一般成像，通常不需要有反射涂层。反光涂层推荐用于薄悬臂梁、反光非常强的样品和机器视觉应用。几何形状:矩形悬臂梁数量：1悬臂厚度Nom:3.5um悬臂厚度RNG:2.8~4.2um背面涂层:反光铝

使用BudgetSensors的AFM探针，能够最大程度扽保证您获得客观真实的检测结果。BudgetSensors?探针由单晶硅做的，适用于目前大部分的商业AFM显微镜（VEECO, DI Nanoscope, AsylumResearch, Agilent/Molecular Imaging, PSI, JEOL,…）。针尖半径10nm应用：轻敲模式（间接接触）常规：旋转单片硅探针，对称针尖；支架尺寸：3.4×1.6×0.3 mm（可选在这种产品支架背上有调节凹槽）；包被：30nm铝膜包被，加强信号反射。此款完全取代Bruker的MPP-11120-10。ValueRangeResonant Freq.300 kHz+/-100 kHzForce Constant40 N/m20 - 75 N/mLength125 μm+/-10 μmMean Width30 μm+/-5 μmThickness4 μm+/-1 μmTip Height17 μm+/-2 μmTip Set Back15 μm+/-5 μmTip Radius10 nm (Tap 300 300AL 300GD) 25nm (Electri-Tap 300) 15nm (Tap300DLC) Also see individual probes.Half Cone Angle20°-25° along cantilever axis 25°-30° from side 10°-at the apex 订购信息：货号产品名称规格TAP300AL-G-10Silicon AFM Probes, Tap 300 AL -G, Aluminum Reflex Coating AFM探针10/BX 更多AFM探针产品请直接联系海德公司。

硅晶圆片随着半导体、微电子行业的发展，硅片的用途越来越广泛。比如半导体芯片领域、X射线晶体分析、磁控溅射样品生长、原子力、红外光谱测试分析、PVD/CVD镀膜衬底等。我们提供各种不同直径、厚度、电阻、级别和应用场景的硅片，请将您的参数要求发给我们，如有疑难，也请联系我们。哪里可以快速买到硅片作为基片，当然是这里！我们主要为国内的科研院所、高校提供高品质的硅片衬底，高纯抛光的硅基底也能够提供。选型指导：特性产品描述常规硅片直径1"、2"、3"、4"、5"、6"、8"、10"、12"厚度50um至10000um超薄硅片直径5mm、10mm、25mm、50mm、75mm、100mm超薄硅片厚度2um至50um，公差±0.5μm、±1.0μm、±1.5μm表面粗糙度Prime Grade wafer Ra5? .掺杂类型P型、N型、无掺杂晶向〈100〉± 0.5° 〈110〉±0.5° 〈111〉± 0.5°，〈100〉± 1°，〈110〉±1°表面处理抛光、刻蚀、ASCUT；单面/双面处理电阻率0~至 20000 (Ωcm)级别Mechanical Grade、Test Grade、Prime Grade、SEMI Prime Grade 产品举例：产品描述尺寸举例规格多孔硅晶圆，Porous silicon wafer76.2mm10片无掺杂硅晶圆，undoped silicon wafer100mm10片氮化硅膜硅晶圆，Silicon Nitride Wafer LPCVD PECVD100mm10片FZ区硅晶圆片，Float Zone Silicon Wafer25.4mm10片热氧化处理硅晶圆片Thermal Oxide Wafer76.2mm25片超平硅片Ultra-Flat or MEMS wafers6″5片太阳能硅晶片，Solar Silicon Cells6″，5″25片外延硅片，Epitaxial Silicon Wafer100mm10片N型硅晶圆片，N-Type Silicon Substrates100mm100片各种硅晶片 我们致力于为客户提供全面的硅片（Silicon Wafer）解决方案，从测试级硅片（Test Wafer）到产品级硅片（Prime Wafer），以及特殊硅片氧化硅片（Oxide）、氮化硅片(Si3N4)、镀铝硅片、镀铜硅片、SOI Wafer、MEMS Glass、定制超厚、超平硅片等，尺寸覆盖50mm-300mm。对于2D材料的研究，软光刻硅片，直接放射性核电实验，等离子体刻蚀硅片，以及微流控芯片平台的建立，我们均有成功的经验。 小常识：将某一特定晶向的硅种子(种子,通常为一小的晶棒)棒插入熔融液态硅,并慢慢向上拉起晶棒,一根和种子相同晶向的晶柱就被生产出来。将晶柱切割成多个一定厚度的圆片片,通常称呼的wafer就被制造出来了。初步切割出来的wafer表面，通常比较粗糙,无法用作晶圆生产，因而通常都在后续工艺中进行抛光，抛光片的名词就由此而来。针对不同晶圆制造要求，通常需要向粗制晶圆内掺杂一些杂质，如P、B等，以改变其电阻值,因而就有了低阻、高阻、重掺等名词。镀膜片可以理解为外延片Epi，是针对特定要求的半导体装置而制定的wafer,通常是在高端IC和特殊IC上使用，如绝缘体上Si(SOI)等。用Czochralski(CZ)晶体生长法或浮区（floatzone）（FZ）生长法生成单晶硅。超大规模集成电路应用更多采用Czochmlski硅，因为它比FZ材料有更多的耐热应力能力，而且它能提供一种内部吸杂的机械装置，该装置能从硅片表面上的器件结构中去除不需要的杂质。因为是在不与任何容器或坩埚接触的情况下制成，所以FZ硅比CZ硅有更高的纯度（从而有更高的电阻率）。器件和电路所需的高纯起始材料（如高压，高功率器件）一般都用FZ硅。我们的低应力PECVD氮化是一个单面膜，已优化为晶圆需要最小的热处理。因为低应力PECVD氮化物是在低温下沉积的，它提供了更大的灵活性，可以沉积在任何其他薄膜上。我们提供独立式超薄超平硅片，厚度从5μm到100μm不等，直径从5毫米到6英寸。薄硅片是真正的镜面光洁度DSP，良好的表面平整度，无雾，无空洞，表面RMS低(典型1-2 nm)，超低值TTV通常小于+/-1μm。我们的单晶太阳能硅片的效率高达19.5%。什么是太阳能效率，阳光光子击中太阳能晶片在一个特定的空间的百分比。更高的效率意味着发电所需的比表面积更小。因此，小型屋顶将希望使用更高的效率面板，以弥补较小的表面积。

内窥镜光纤探头产品简介：FlexiSpec® 产品线包括内窥镜式光纤探头，光谱分析过程是由一束粘在一起的光束，为光谱仪、光辐射（包括LED，激光，灯等），介质反射、荧光及吸收的光谱分析提供了较好的耦合效率。产品特点：* 多通道的光度、光谱处理（高达37通道）；* 预选波长的高光学通量，与各种光源、滤波器、迷你光谱仪兼容；* 根据客户应用定制，聚合物或金属涂覆层；* 高达600摄氏度的高温探针应用；* 高达469根光纤的光纤束，直径从100um到600um。产品示意图：产品技术参数： 光纤6+1 或 7+1 光纤束 50,100,200,300 μm光纤涂层为金属涂层光纤类型 UV-VIS光纤类型 VIS-NIR 探头PEEK 套管 ? 1.0mm 钛金属套圈不锈钢针 ? 1.5mm L=60mm带机头 ? 8 mm L=80mm客户定制可选光谱范围200-960nm 或 280-2100nm220-4000 nm 的特殊设计保护套有弹性高硬度的PEEK塑料管? 1.0mm有弹性的电镀金属Ni或Cr管? 4.9mm可选PVC管或者PVC + PC管，直径? 3.0-5.0 mm温度范围可根据要求从-40°C +120°一直到600°C –高低温探针可选光纤连接器SMA-905 +ST或FC -FC连接头的选择可根据客户要求设计传输通道光纤输入呈线性或者圆形分布柔韧性主要部件的最小弯曲半径为-20mm (短时间) -45mm (长时间)可定制最小弯曲半径可达5mm 附件*液体吸收测量的带可调节球面镜的长传光学头*对平行光束的光学增透膜透镜系统*适用于粉末和厚样品的反射探针头

布鲁克Bruker原子力显微镜探针AFM探针 智能成像模式 空气中—ScanAsyst Air ScanAsyst Air，是空气中智能成像模式ScanAsyst 专用探针，仅适用于具有Scansyst成像的AFM。其中包含：Dimension Icon,Multimode8,Bioscope Catalyst,Bioscope Resolve. ScanAsyst 利用一种专门的曲线采集方法和复杂的算法，对图像质量进行持续的监测，并能自动地对参数进行适当的调整。因此：- 无论用户的专业技术水平如何，图像自动优化都能更快获取更一致的结果。- 可直接控制力的强弱，调到超低力，从而保护易碎样品和针尖不受损坏。 实现了悬臂调节的消除，定位调整，获得最大优化让液态成像变得简单。 氮化硅单悬臂探针，所有ScanAsyst针尖都有2度的悬臂弯曲。详细规格： 延展阅读：关于布鲁克：布鲁克公司以先进的生产工艺，专业的AFM领域背景，得天独厚的生产装备，赋予探针制造众多的优势，确保在应用领域中提供完整的AFM解决方案。 布鲁克AFM探针制造中心独特优势：*Class100级别的无尘室*先进的设计、制造工序及制造工具*探针设计团队与AFM设备研发团队通力合作，配合紧密*训练有素的生产团队，制造出各种型号的探针*全面的质量管理体系，确保探针性能 在实验中，用户所得到的数据取决于探针的质量及探针的重复性。布鲁克的探针具有严格的纳米加工控制，全面的质量测试，和AFM领域的专业背景。所以用户尽可放心，我们的探针不仅为您当前的应用提供所需的结果，同时也能为将来的研究提供参考数据。 原子力显微镜AFM探针: 探针的工作模式：主要分为：扫描(接触)模式和轻敲模式探针的结构：悬臂梁+针尖探针针尖曲率半径Tip Radius：一般为10nm到几十nm。制作工艺：半导体工艺制作 指标：探针的指标主要分三个部分，分别对应了基片，微悬臂梁，和针尖三个部分。1. 基片，就是基片的长，宽，高，各种探针的基片尺寸是基本一致的。2. 悬臂梁，分为矩形梁和三角形悬臂梁，他们的长宽厚的几何尺寸决定了悬臂梁的弹性系数和共振频率。而弹性常数K是探针的很重要的一个参数，一般来说，接触模式的探针的弹性常数小于1N/m。轻敲模式的探针的悬臂梁弹性系数从几个N/m到几十个N/m。常用的RTESP的弹性常数是40N/m。3. 针尖，针尖的的几何形状是一个四面体。指标主要有，曲率半径(Tip Radius)，探针高度（Tip Height），对应于四面体的指标，前角（Front Angel），后角（Back Angel），侧角（Side Angel），还有一个是Tip Set Back，对应的是针尖离悬臂梁最末端的水平距离。材质：1. 轻敲探针：一般是单晶硅，型号如RTESP；2. 接触模式探针：材质是SiN，而新型号的SNL接触探针，悬臂梁是SiN，而针尖则Si（曲率半径2nm左右），这种探针可以提供接触模式下的分辨率图；3. 功能探针：如磁力探针（MESP），导电探针，则是在普通的硅探针的基础上再镀上相应的材料。MESP的镀层是Co/Cr，SCM-PIT的镀层是Pt。常用探针型号介绍： 常用探针型号介绍1. 轻敲模式，RTESPA-300，TESP，FESP2. 接触模式，SNL，NP，3. 智能扫描模式：Scanasyst air,ScanAsyst-fluid,ScanAsyst-Fluid+4. 磁力显微镜，MESP-V2,MESP-RC-V25. 静电力显微镜，导电AFM，等电学测量模式，DDESP，SCM-PIT，SCM-PIC等。6. 其他特殊功能探针。如金刚石探针，大长径比探针。

多晶卤化银红外光纤（PIR）产品简介：FlexiRay® 产品系列包含多晶卤化银红外光纤（PIR），应用于红外区域的特种光纤的发展造就了纤芯/包层多晶红外光纤（PIR）的诞生。PIR光纤在4~18μm的光谱范围内是具有高透过率的，可使用的温度范围是4K~420K。工程师采用真空挤出法把高质量的AgCl：AgBr固溶晶体制成纤芯/包层结构的多晶红外光纤。我们可根据客户要求，给PIR光纤安装耐用的PEEK-聚合物保护套并安装SMA连接头。也可以根据客户的要求设计并制造不同的光纤耦合部件。产品应用：CO和CO2激光系统的传输 / 灵活的红外成像系统 / 灵活的辐射线测定（远程测温范围100—600K） / 光纤探头用于远程控制在线红外光谱（气体光谱和液体光谱）产品特点：4μm到18μm之间高效传输 / 无毒、高柔软性 / 适用于CO2激光传输，传输功率高达50W / 10.6μm (0.1-0.5 dB/m)低损耗 / 标准光纤直径从0.3mm到1.0mm可选 / 无老化效应 / 光纤长度可达20m(直径0.5mm)产品技术参数：常规标准型号型号PIR240/300PIR400/500PIR600/700PIR900/1000类型阶跃型多模阶跃型多模阶跃型多模阶跃型多模纤芯直径，μm240±10400±10600±10860±20包层直径，μm300+0/-10500+0/-15700+0/-151000+0/-20保护套，μm没有没有没有没有数值孔径,NA0.35±0.050.35±0.050.35±0.050.35±0.05最小弯曲半径,mm4575100150参数纤芯/包层 组成AgCl:AgBr传输光谱范围3 - 18μm纤芯折射率2.15菲涅尔损耗25%传输损耗10.6μm0.2 - 0.4 dB/m有效数值孔径 NA0.35 +/- 0.05熔点410 °C工作温度–273 to +140°C纤芯/包层直径（标准）见上表连续CO2激光损伤阈值12 kW/cm2抗拉强度 70Mpa最小弯曲半径(固定）5 x [光纤直径]最小弹性弯曲半径150 x [光纤直径]

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为3％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为7％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为5％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为9％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为8％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为4％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为5％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为9％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为6％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为3％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为2％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为7％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为6％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为8％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为4％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为2％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

产品及型号：编号型号内径× 外径（&phi mm）最小弯曲半径（mm）RMB（含税）1-1721-01TSI-54.8× 10.670代替品1-1721-02TSI-66.3× 12.380代替品1-1721-03TSI-87.9× 14.390代替品1-1721-04TSI-99.5× 16.0100代替品1-1721-05TSI-1212.7× 19.5130代替品1-1721-06TSI-1515.9× 24.0150代替品1-1721-07TSI-1919.0× 28.0180代替品1-1721-08TSI-2525.4× 35.5220代替品※销售单位为1m。显示价格为每1m的价格。特点 1. 采用特殊编织补强构造，具有优秀的抗压性。 2. 耐热性・ 耐寒性优秀。 3. 透明度高，容易确认流体。规格 1. 材质：硅橡胶、补强材料／聚酯类 2. 使用温度范围：－30～＋150℃ 3. 使用压力：TSI-5～9／0～1.0MPa、TSI-12～25／0～0.5MPa 4. 定尺（最大长度）：TSI-5～9／20m、TSI-12～25／10m 5. 食品卫生法符合品　 6. FDA规格符合品

【rtespa-150】bruker原子力显微镜探针几何■矩形齿顶圆角半径nm尺寸:8最大:12频率赫兹尺寸:150最小:90最大:210长度um尺寸:125最小:15最大:135弹簧常量Nm尺寸:5最小:1.5最大:10宽度Nm尺寸:35最小:33最大:37

半导体PFA等径弯头，作为半导体工艺中的关键元件，其在集成电路制造和封装过程中扮演着至关重要的角色。随着科技的飞速发展，半导体行业对元件的性能和精度要求越来越高，PFA等径弯头作为连接和传输的关键部件，其性能的提升对于提高半导体制造的效率和可靠性至关重要。　　近年来，针对PFA等径弯头的研发与改进取得了显著进展。一方面，通过优化材料选择和制造工艺，PFA等径弯头的耐高温、耐腐蚀性能得到了显著提升，从而确保了其在高温、高湿等恶劣环境下的稳定运行。另一方面，通过精确控制弯头的弯曲半径和角度，使得PFA等径弯头在传输信号时能够保持较小的信号衰减和失真，从而提高了半导体器件的性能。　　此外，随着智能制造和自动化技术的广泛应用，PFA等径弯头的生产过程也日益智能化和精细化。借助先进的自动化生产线和智能检测系统，可以实现对弯头尺寸、形状和性能的精确控制，大大提高了生产效率和产品质量。　　展望未来，半导体PFA等径弯头将继续朝着高性能、高精度、高可靠性的方向发展。随着新材料、新工艺和新技术的不断涌现，我们有理由相信，PFA等径弯头将在半导体行业中发挥更加重要的作用，为集成电路制造和封装技术的进一步发展提供有力支撑。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为13％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为11％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为10％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。