光敏管

光敏晶体三极管 光敏晶体三极管用来放大入射光产生的电流。与光电二极管相比，晶体三极管即使在很小的感光面积上也可以产生很大的输出电流。欢迎您登陆滨松中国全新中文网站 查看该产品更多详细信息！产品图像产品型号产品名称封装封装类型光电流暗电流集电极-发射极电压（最大值）峰值响应波长 S4404-01光敏晶体三极管塑料带透镜2.5 mA100 nA0.4 V870 nm S2829光敏晶体三极管塑料带透镜1 mA100 nA0.4 V850 nm

产品信息 光敏光纤所属类别： ? 光纤/光纤器件 ? 其他特种光纤 所属品牌：法国IXFiber公司 产品简介iXFiber设计光敏单模光纤有效抑制包层模式损耗和包层模式偏移，是制造光纤布拉格光栅理想元件。 关键词：IXFiber，光敏光纤，光敏单模光纤，光纤布拉格光栅，载氢光纤 光敏光纤(Photosensitive Fibers) 适用于布拉格光栅iXFiber光敏单模光纤旨在抑制包层模式损耗（CMF包层模式自由）或为了优化信道间隔改变包层模式偏移（包层模式转移）。我们的光敏光纤展现出了一致并可控的对常规紫外辐射的光敏特性，并且我们可提供宽范围光敏水平的光纤。 关键特性：氢载必备高热稳定性光栅为光纤激光器激光腔设计的双包层 如有任何需求，请咨询IXFiber中国代理商，上海昊量光电设备有限公司 分享到 : 人人网 腾讯微博 新浪微博 搜狐微博 网易微博 相关产品 激光器用FBG光纤光栅 光纤传感/滤波用光纤光栅（FBG） 增益平坦滤波器

一,Ge 锗 超大光敏PIN光电二极管（800-1800nm 直径 10mm）总览筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD)，包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率，其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管，它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上，铟镓砷基底在下)，组合波长范围从400到1700 nm。为了丰富我们的光电二极管产品线，我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用，探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应，从而扭曲光电二极管的时域响应。因此，我们建议使光入射在有效面积中心。为此，可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔。Ge 锗 超大光敏PIN光电二极管（800-1800nm 直径 10mm）,Ge 锗 超大光敏PIN光电二极管（800-1800nm 直径 10mm）技术参数产品特点● 小光敏面大光敏面可选 (100µ m to 25mm)● 800nm to 1800nm 光谱响应● 高线性 10 dBm● 可以定制透镜组合(Biconvex, Planoconvex, or Ball)● 封装方式可选(TO-46, TO-18, TO-5, TO-8, TO-9 or BNC)引脚定义产品应用● 激光功率计● LED/LD老化诊断● 光谱学● LED/LD特性● 眼睛安全激光检测传感器产品规格探测材料Ge响应波长800 - 1800 nm峰值波长1550 nm (Typ.)响应度0.85 A/W (Typ.)光敏面直径78.5 mm2 (Ø 10mm)上升/下降沿时间 (RL = 50 Ohms, 10 V)500 ns / 500 ns (Typ.)NEP, Typical (1550 nm)4.0 x 10-12 W/Hz1/2 (Typ.)暗电流 (5 V)60 µ A (Max.)电容(10 V) 电容(0 V)1800 pF (Max.) 16000 pF (Max.)分流电阻4000 Ohm (Typ.)封装形式TO-9最大额定值最大击穿打压10 V操作温度-55 to 60 °C存储温度-55 to 60 °C备注：1、典型值；RL = 50 Ω，除非另有说明 2、NEP指Ding在光伏模式下光谱响应曲线：二,铟镓砷 InGaAs 超大光敏面光电二极管(10mm ) 900-1700nm 近红外波长总览筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD)，包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率，其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管，它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上，铟镓砷基底在下)，组合波长范围从400到1700 nm。为了丰富我们的光电二极管产品线，我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用，探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应，从而扭曲光电二极管的时域响应。因此，我们建议使光入射在有效面积中心。为此，可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔。铟镓砷 InGaAs 超大光敏面光电二极管(10mm ) 900-1700nm 近红外波长,铟镓砷 InGaAs 超大光敏面光电二极管(10mm ) 900-1700nm 近红外波长产品特点● 10mm超大光敏面● 900nm to 1700nm 光谱响应● 高线性 10 dBm● —正照平面型芯片结构 ● 光敏面积大、低暗电流产品应用● 激光功率计● LED/LD老化诊断● 光谱学● LED/LD特性● 眼睛安全激光检测传感器通用参数技术参数特性参数符号测试条件最小典型最大单位光谱响应范围λ—900～1700nm光敏面直径φ—10mm响应度 ReVR=5V,λ=1.31μm,φe=100μw0.85——A/WVR=5V,λ=1.55μm,φe=100μw0.95——响应时间tSVR=5V,RL=50Ω,f=2KHz—820μs总电容CVR=5V,f=1KHz—310nF暗电流IDVR=5V,φe=0—25100nA分流阻抗RshVR=10mV10——MΩ光谱响应曲线封装及尺寸极限值参数名称符号额定值单位工作温度TC-40～+85℃贮存温度TSTG-55～+125℃正向电流IF10mA反向电流IR5mA焊接温度（时间）St260℃（10s）-

总览器件为硅PIN 光电二极管，在反向偏置条件下工作。峰值波长在 940nm 左右,光谱探测范围从 400nm~1100nm。8mm大光敏面硅（Si）硅光电探测器,8mm大光敏面硅（Si）硅光电探测器技术参数特点：平面正照结构快速响应低暗电流高响应度高可靠性 应用领域：光纤通信、传感、测距可见光至近红外领域的光探测快速光脉冲检测各种工业控制系统。 产品参数：*器件的光敏面尺寸及技术指标可根据用户的使用要求而定 具体参数及器件管壳使用引脚详见产品附带参数表. 产品参数：参数符号测试条件典 型 值单位光敏面尺寸Φ0.2Φ0.5Φ1Φ2Φ4Φ5Φ80.5X0.51X11.3X1.32X23X3mm 光参数光谱响应范围 λ 400~1100 nm 响应度 ReVR=15Vλ=900nm 0.40 0.45 0.5 0.5 0.5 0.5 0．55 0.45 0.45 0.5 0.5 0.5 A/W 响应时间 trVR=15V，RL=50Ω 2 5 6 8 15 15 25 3.5 5 8 10 15 nS电参数暗电流IDVR=15V1235124060334610nA反向击穿电压 VBR IR=10μA 100 50 80 V 电容 Cjf=1MHzVR=15V 0.8 1.2 2.0 6 20 30 70 6.0 3 3 10 25 pF工作电压VR0~15V 管座型号同轴 II 型、5501、TO46、插拔式、带尾纤 T0-5 TO-8同轴 II 型、5501、TO46、插拔式、T05 T0-5饱和光功率 0.3w/cm2*器件的光敏面尺寸及技术指标可根据用户的使用要求而定 具体参数及器件管壳使用引脚详见产品附带参数表. 封装尺寸：：封装图片尺寸信息订购代码 C-II TO46 5501 TO5A TO5B TO8 FC-SA ADP 注意事项该器件在反向偏置电压下工作,注意器件极性不能接反。光纤弯曲度不能小于 45 度。器件在贮运、使用中注意静电防护措施。

一,硅 Si 雪崩光电二极管 400-1100nm硅 Si 雪崩光电二极管 400-1100nm,硅 Si 雪崩光电二极管 400-1100nm通用参数产品特点：正照平面型芯片结构高速响应高增益低结电容低噪声产品应用：激光测距激光雷达激光警告技术参数：光电性能（@Ta=22±3℃） 器件型号光谱响应范围(nm)峰值响应波长(nm)响应度λ =905nmφ e =1μWM=100(A/W)暗电流M=100(nA)响应时间λ =905nmR L =50Ω（ns）工作电压温度系数T a =-40℃～85℃（V/℃）总电容M=100f=1MHz（pF）击穿电压I R =10μA（V）典型最大最小最大APD-SI-905-2-TO46400～1100905550.210.60.91.0130220APD-SI-905-5-TO460.411.2APD-SI-905-8-TO460.822.0APD-SI-905-2-LCC30.211.0APD-SI-905-5-LCC30.411.2 结构/最大绝对额定值器件型号封装形式光敏面直径(mm)工作电压(V)工作温度(℃)储存温度(℃)焊接温度(℃)正向电流(mA)耗散功率(mW)APD-SI-905-2-TO46TO-460.230.9×V BR-40～85-45～1002600.25100APD-SI-905-5-TO46TO-460.50APD-SI-905-8-TO46TO-460.80APD-SI-905-2-LCC3LCC30.23APD-SI-905-5-LCC3LCC30.50 产品型号 名称型号描述价格货期硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-2-TO46光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.23mm封装：TO46硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-5-TO46光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.50mm封装：TO46硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-8-TO46光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.80mm封装：TO46硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-2-LCC3光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.23mm封装：LCC3硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-5-LCC3光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.50mm封装：LCC3 典型特性曲线封装外形、尺寸及引脚定义APD-SI-2-2/5/8-TO46（三脚和两脚封装）APD-SI-2-2/5-LCC3等效电路及应用电路注：C 1 －滤波电容，滤除偏置工作电压 V R 的噪声。C 2 －旁路电容，为交流信号提供对地回路。R 1 －限流电阻，防止偏置工作电压 V R 过高时，损坏探测器。R i －取样电阻，将光电流转化为电压信号。定购信息：型号规则【APD-SI-响应波长-光敏面直径-封装形式】二,硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18C30902EH高性能硅雪崩光电二极管(APD)的感光面直径为0.5 mm，适合于生物医学和分析应用。 这种Si APD设计为双扩散“穿透式”结构，可在400和1000 nm之间提供高响应度，以及在所有波长处都极快的上升和下降时间。器件的响应度与最高约800 MHz的调制频率无关。探测器芯片采用经过修改的TO-18封装，密封在平玻璃窗后面。多型号C30902EH/C30902EH-2 C30902SH C30902SH-TC硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18,硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18技术参数C30902和C30921系列用于微光应用的高速固态探测器C30902EH系列雪崩光电二极管非常适合广泛的应用，包括激光雷达、测距、小信号荧光、光子计数和条形码扫描。Excelitas Technologies的C30902EH系列雪崩光电二极管采用双扩散“穿透”结构制造。这种结构在400到1000纳米之间提供了高响应度，并且在所有波长上都提供了极快的上升和下降时间。该器件的响应度与高达800 MHz的调制频率无关。探测器芯片密封在一个改进的TO-18封装的平板玻璃窗后面。感光表面的有效直径为0.5 mm。C30921EH封装在TO-18光管中，该光管允许从聚焦点或直径高达0.25 mm的光纤将光有效耦合到探测器。密封的TO-18封装允许光纤与光管端部匹配，以最大限度地减少信号损失，而无需担心危及探测器稳定性。C30902EH-2或C30902SH-2（带内置905nm通带滤波器的密封TO-18封装）和C30902BH（带密封球透镜）构成了C30902系列。C30902SH和C30921SH均选用具有急低噪声和体暗电流的C30902EH和C30921EH光电二极管。它们适用于超微光级应用（光功率小于1 pW），可在增益高达250或更高的正常线性模式（VrVbr）下的光子计数器使用，其中单个光电子可触发约108个载波的雪崩脉冲。在这种模式下，不需要放大器，单光子检测概率可能高达约50%。光子计数在门控和符合技术用于信号检索的情况下也是有利的。主要特征 高量子效率：在830 nm时为77% C30902SH和C30921SH可在盖革模式下运行 C30902EH/SH-2型，带内置905 nm过滤器 C30902BH型，带球形透镜 密封包装 室温下的低噪音 高响应度–内部雪崩增益超过150 光谱响应范围- （10%Q.E.点）400至1000纳米 时间响应–通常为0.5纳秒 宽工作温度范围-40°C至+70°C 符合RoHS标准应用&bull 激光雷达&bull 测距&bull 小信号荧光&bull 光子计数&bull 条形码扫描表1。电光特性测试条件：外壳温度=22&ring C，除非另有规定，请参见下页的注释。。C30902EH/C30902EH-2C30902SHC30902SH-TCDetector TypeC30902BHC30921EHC30902SH-2C30921SHC30902SH-DTCParameterMinTypMaxMinTypMaxMinTypMaxUnits感光区有效直径0.50.50.5mmactive area0.20.20.2mm² 光管特性（C30921）光管数值孔径0.550.55[no units]岩芯折射率（n）1.611.61[no units]芯径0.250.25mmField of view α (see Figure 15)视野α（见图15） 带标准/球形透镜窗口（-2）内置905 nm滤光片 90559055122N/ADegrees带灯管（在空气中） 3333N/AField of view α’ (see Figure 15)带标准窗口/球透镜114114129Degrees（-2）内置905 nm滤光片7878N/A击穿电压, Vbr225225225V反向偏置温度系数，Vr，恒定增益电压0.50.70.90.50.70.90.50.70.9V/&ring C探测器温度（见注2）-TC0&ring C-DTC-20&ring CGain (see note 1)150250250响应度830 nm时（不适用于-2）7077117128128A/Wat 900 nm556592108108A/W量子效率at 830 nm (not applicable for -2)777777%at 900 nm606060%Dark current, id153015301530nA-TC (at 0 °C)2nA-DTC (at -20 °C)1nANoise current, in (see note 3)-TC (at 0 °C)0.230.50.110.2 0.04pA/Ö HzpA/Ö Hz-DTC (at -20 °C)0.02pA/Ö Hz电容1.621.621.62pFRise/Fall time, RL=50 Ω 10% to 90% points 0.5 0.75 0.5 0.75 0.5 0.75 ns90% to 10% points0.50.750.50.750.50.75ns最大驱动电流-TC1.8A-DTC1.4A最大偏置电压-TC0.8V-DTC2.0V5%光子检测时的暗计数率 probability (830 nm)(see Figure 9 and note 4) 5000 150001100 (-TC)250 (-DTC) 15000 cps电压高于Vbr，光子探测概率为5%（830nm）（见图7和注4） 2 2 V5%光子检测时的脉冲比后概率（830nm）（注5）2152%1.在特定直流反向工作电压下，Vop或Vr，随每个装置提供，光斑直径为0.25 mm（C30902EH，SH）或0.10 mm（C30921EH，SH）。在180至250V的电压下运行，设备将满足上述电气特性限制。2.热敏电阻的温度（开尔文）可为使用以下方程式计算：[𝐾 ] = 𝛽 ,项次(𝑅 /𝑟 ∞)式中，R是测量的热敏电阻电阻，单位为Ω ,𝛽 = 3200，R0=5100Ω，T0=298.15 K和r∞ =&minus 𝛽 R e &cong 0.1113表2–最大额定值1.雪崩光电二极管中散粒噪声电流的理论表达式为in=（2q（Ids+（IdbM² +PORM）F）BW）&half ，其中q是电子电荷，Ids是暗表面电流，Idb是暗体电流，F是过量噪声系数，M是增益，PO是器件上的光功率，BW是噪声带宽。对于这些装置，F=0.98（2-1/M）+0.02 M（参考文献：PP Webb，RJ McIntyre，JJ Conradi，“RCA审查”，第35卷第234页，（1974年））。2.C30902SH和C309021SH可在更高的检测概率下运行。（参见盖革模式操作部分）。3.主脉冲后1µ s至60秒发生脉冲后。ParameterSymbolMinMaxUnits储存温度TS-60100°C工作温度Top-4070°CSoldering for 5 seconds (leads only)焊接5秒钟（仅限引线）260°C室温反向电流平均值，连续运行200µ A峰值（1s持续时间，非重复）1mA室温正向电流平均值，连续运行IF550mAmA峰值（1s持续时间，非重复）60mW

总览器件是N型硅象限探测器，当光辐射到器件各个象限的辐射通量相等时，则各个象限输出的光电流相等。而当目标发生偏移时，由于象限间辐射通量的变化，引起各个象限的输出光电流的变化，由此可测出物体的方位，从而起到跟踪、制导的作用。硅 Si 大光敏面四象限探测器 1064nm,硅 Si 大光敏面四象限探测器 1064nm产品特点● 标低暗电流● 高均匀性、高对称性 ● 高可靠性 ● 盲区小产品应用● 激光瞄准、制导跟踪及探索装置● 激光微定位、位移监控等精密测量系统技术参数特性参数符号测试条件（除另有规定外，TA=22℃±3℃）参数值单位最小值最大值响应度(交流)(象限)Spiλ=1.064μmVR=135 V脉宽20 ns、Pin=2 mW0.25—A/W响应度(直流)(象限)Rei直流、Pin=1μw0.30—响应度变化量(直流) (象限)a响应度变化量(交流) (象限)aΔReiTA=-45 ℃±2 ℃—50%暗电流(象限)IDiVR=135VPin=0μwTA=22℃±3℃—1μATA=70℃±3℃—10暗电流(环)IDTA=22℃±3℃—10TA=70℃±3℃—100结电容（象限）CjiVR=135V，f=1MHz—15pF光敏面直径φ1016mm等效噪声功率NEPiλ=1.064 μm，VR=135 V ,脉宽20 ns—5×10-12W/HZ1/2击穿电压（象限、环）VBRIR=10μA200—V象元间灵敏度非均匀性Rfλ=1.064 μm，VR=135 V ，脉宽20 ns；Pin=2mW—5%象元内灵敏度非均匀性Rfnλ=1.064 μm，VR=135 V ，脉宽20 ns；Pin=2mW—5%象元间窜扰因子SLiλ=1.064 μm，VR=135 V ，脉宽20 ns；Pin=2mW—5%通用参数外形结构TO型气密性封装。外形结构见图1，外形尺寸见表1。表1、外形尺寸（单位为毫米）尺寸符号φD1ΦD2ΦD3ΦD4ΦD5ΦdAL1L2L3e最小值30.5527.803.0027.91522.600.987.033.021.852.7018.00最大值30.6528.003.0627.9423.401.027.203.101.953.0018.05引出端排列器件的引出端排列见图2，引出端功能应符合表2的规定。表2、引出端功能表管脚功能电压极性1象限1正2公共P极负3象限4正4环极正5象限3正6壳体地7象限2正

光敏感通道全自动膜片钳系统port-A-patc-Light对于细胞和组织在光遗传学和离子通道的研究中，在单通道膜片钳的光敏感通道及细胞、组织上离子通道的电流变化情况。全自动的操作模式，高效的完成各种光遗传研究。光敏感通道全自动膜片钳系统port-A-patc-Light是目前世界上zui小的膜片钳系统。无论操作者有无膜片钳使用经验，均可以快速完成实验，获得高质量的数据。不仅是功能强大的科研工具，也是用于教学和快速检测细胞及离子通道的理想选择。封接效果能够达到千兆级的高阻封接，从而极大地提高了成功率。其记录模式有全细胞模式、穿孔模式以及细胞贴附式模式。完备的配件包括：快速更换内外液的自动灌流系统，温度控制仪可控制系统内部温度以保障细胞活性，显微成像配件可向用户提供显微放大系统的接口。同时，可用于电流钳实验和脂双层实验，这极大地丰富了产品的科研实验范围。

主要应用：-5G及其以上传输系统不断增长的高速及大容量需求对光电二极管提出了更高的要求. 铟镓砷 (InGaAs)二极管、磷化镓(GaP)二极管和硅(Si)光电二极管，锗(Ge)光电二极管....-光电二极管（光敏二极管），有机光电二极管,光电三极管（光敏三极管），光敏器件......-光谱响应测试-DIV测试，电容测试-光电二极管（ Photodiode）灵敏度角度特性测试.

带有干涉滤光片的光电二极管，用于单色光（220 nm）检测S12742-220的窗口使用干涉滤光片，仅对单色光敏感。 光谱响应宽度在10 nm（FWHM）时非常窄，可以在没有任何杂散光影响的情况下进行精确的光度测量。 峰值灵敏度波长为220nm（典型值）。 S12742-220可以定制，以支持其他峰值灵敏度波长，如340 nm，560 nm。详细参数感光面积3.6 × 3.6 mm像元个数1冷却方式Non-cooled封装Metal反向电压 (最大值)5 V光谱响应范围216 to 224 nm光敏度 (典型值)0.006 A/W暗电流 (最大值)25 pA峰值灵敏度波长(典型值)220 nm上升时间 (典型值.)1 μs结电容(典型值)500 pF测量条件Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted, Photosensitivity: λ=220 nm, Dark current: VR=10 mV, Terminal capacitance: VR=0 V, f=10 kHz光谱响应范围外形尺寸（单位：mm）

位敏探测器(PSD) 新势力光电供应位敏探测器(PSD)，是根据横向光电效应(电压和电流信号随着光斑位置变化而变换的现象)的半导体敏感元件，将照射在光敏面上的光斑强度和位移量转换为电信号，以实现位置探测。Position sensitive diodes (up to 20mm measuring range in two directions)Type No.Active areaRise time DimensionsChipPackageSizeArea865nm 10V 50&Omega mmmm2nsOD3.5-6SO83.5× 13.5200singleOD3.5-6SMD3.5× 13.5200singleOD6-6SO166× 16200singleOD6-6SMD6× 16200singleDL16-7CERpin4× 416500dual a× isDL16-7CERsmd4× 416500dual a× isDL16-7LCC10G4× 416500dual a× isDL100-7CERpin10× 101004000dual a× isDL100-7CERsmd10× 101004000dual a× isDL100-7LCC10G10× 101004000dual a× isDL400-7CERpin20× 204004000dual a× isDL400-7CERsmd20× 204004000dual a× is相关商品雪崩二极管(APD) 光电二极管(PIN) 四象限探测器(QP) 光电二极管模块

一, 铟镓砷 (QPD) 象限光电二极管 600-1750nm TO-5 光敏面3mm马克科技的4346系列是一个高灵敏度和高可靠性的产品系列，非常适合光通信设备。该模型也 可选用定制包装铟镓砷 (QPD) 象限光电二极管 600-1750nm TO-5 光敏面3mm,铟镓砷 (QPD) 象限光电二极管 600-1750nm TO-5 光敏面3mm光电参数 (Ta = 25º C)项目符号条件MIN典型值MAX单位暗电流IDVR=0V--0.13--nA灵敏度范围λVR=0V600--1750nm峰值波长λVR=0V--1600--nm串扰CTVR=0V, λ=1600nm--25%响应度Rλ=1330nmλ=1600nm--0.900.550.95----A/W上升时间@1330nmTRVR=2V RL=50Ω--8--ns并联电阻RSHVR=10mV,-10mV--1.43--MΩ静电容CVR=0V 1MHz--107--pF通用参数硅和InGaAs象限光电二极管(“Quads” or quadrant photodiodes)“四象限”或象限光电二极管（QPD）是具有四个平面扩散光电二极管元件的分段光电二极管位置感测检测器（PSD，AKA位置感测二极管），这些元件是单片的或在同一硅或InGaAs芯片上。Marktech光电四元光电二极管具有低暗电流、高分辨率或精度、高精度、低噪声高响应（高S/N比）、宽光谱范围、良好的频率带宽、优异的动态范围、Min. 的元件间距、低工作电压、高分流电阻和大有源区。两段、双元件或双单元光电二极管是另一种类型的位置感测装置，通常结合到对准或定位系统中。虽然象限光电二极管可以感测沿着两个维度或X和Y轴的位置，但双元件光电二极管沿着一个维度或轴对齐或定位。Marktech的四元件光电二极管阵列或四元探测器在激光对准和纳米定位应用中提供了优秀的性能。象限光电二极管（QPD）或象限位置敏感探测器通常具有低至10nm的分辨率，使用的光束的光功率为10至100微瓦（MÉ KYNEN）。Quads可用于激光对准的自动准直器、光学跟踪器、扫描探针显微镜、载物台定位器、表面轮廓仪、掩模对准器、光束定中心系统、空间太阳传感器、椭圆仪、光学镊子、倾斜传感器、高精度位移传感器和其他超精密定位应用。QPD的快速响应和宽的操作带宽使这些定位设备在原子力显微镜（AFM）行业中占据主导地位（Chien等人）。卫星通信系统也可以受益于象限光电二极管。例如，象限光电二极管是用于卫星间激光干涉测量的象限光电接收器（QPR）前端设备的关键部件。硅和InGaAs光电二极管阵列双单元和象限光电二极管都是光电二极管阵列（PDA），分别具有两个（1X2）和四个（2X2）元件。Bi和quad PD适用于在小波束位移或位置范围内的对准或位置感测。对于更大范围的激光或光束位置感测，需要更长的多元件光电二极管阵列。Marktech Optoelectronics还生产多元件线性（一维，1D）和面积（二维，2D）光电二极管阵列，具有许多分段，用于色散光谱、折射测量、距离或测距（三角位置传感）、干涉测量和粒子分析仪。大多数光电二极管阵列应用都需要定制设计的阵列和OEM集成，这是Marktech的行业优秀能力之一。Marktech的探测器专家设计并制造了具有2、4、16、20、32、64和更多元件的光电二极管阵列。我们的InGaAs象限光电二极管和光电二极管阵列的波长灵敏度范围为600nm–2600nm。我们的硅象限光电二极管和光电二极管阵列的波长灵敏度范围为250nm至1100nm。这些芯片可以单独封装在各种密封TO封装中，也可以集成到定制封装中（PLCC、COB、ATLAS密封SMD、陶瓷载体等），以适应您的特定应用和引脚设计规格。特点高 速 反 应 - 1.0GHzTO-5金属罐封装有效面积3.0mm/高灵敏度光谱范围: 600nm - 1750nm应用高速光通信工业控制光开关雷达医疗jue对Max. 额定值 (Ta=25º C)项目符号数值单位有效面积Ф3.0mm运行温度范围Topr40 to +85 º C储存温度范围Tstg40 to +125º C二, 高速铟镓砷PIN光电二极管 800-2600nm (TO-39 光敏面直径1.5mm)灵敏度波长范围的800nm~2600nm MTPD260K8-150是一个高灵敏度和高可靠性的产品系列，非常适合于光通信设备 。客户可定制不同的封装形式。高速铟镓砷PIN光电二极管 800-2600nm (TO-39 光敏面直径1.5mm),高速铟镓砷PIN光电二极管 800-2600nm (TO-39 光敏面直径1.5mm)通用参数特点响应速度快TO-39密封圆顶透镜封装1.5mm Ф的有效面积/高灵敏度光谱范围 800nm - 2600nm应用高速光通信工业控制分析气体/水激光测距医疗绝对最大额定参数 (Ta=25º C)参数符号主要指标单位有效光敏面直径Ф1.5mm工作温度范围Topr40 to +85 º C储存温度范围Tstg40 to +125º C光电参数 (Ta = 25º C)参数符号条件MIN典型值MAX单位击穿电压VRIR=100uA----1V灵敏度范围λVR=0V800--2600nm暗电流IDVR=0V--150--nA暗电流IDVR=1V--350--uA响应度Rλ=2400nm--1.24--A/W分流电阻Shunt ResistanceRSVR=10mV--1.25--kOhm量子效率QEλ=1840nm--72--%电容CVR =0V--1500--pF电容CVR =1V--100--pF封装尺寸单位: mm, 误差: ±0.2光谱响应曲线量子效率曲线三, 高速铟镓砷PIN光电二极管 800-2600nm TO-39 光敏面3mm灵敏度波长范围为800nm ~2600nm 的MTPD260T8-300是一个高灵敏度和高可靠性的产品系列， 非常适合于光通信设备。客户可以定制封装形式。高速铟镓砷PIN光电二极管 800-2600nm TO-39 光敏面3mm,高速铟镓砷PIN光电二极管 800-2600nm TO-39 光敏面3mm通用参数特点响应速度快TO-39封装 有效面积3.0mmФ/高灵敏度 光谱范围800nm-2600nm应用高速光通信工业控制分析气体/水激光测距医疗jue对Max. 额定参数 (Ta=25º C)参数符号主要指标单位有效光敏面直径Ф3.0mm工作温度范围Topr40 to +85 º C储存温度范围Tstg40 to +125º C光电参数 (Ta = 25º C)参数符号条件MIN典型值MAX单位击穿电压VRIR=10uA----1V灵敏度范围λVR=0V800--2600nm暗电流IDVR=0V--80--nA暗电流IDVR=1V--770--uA响应度Rλ=2400nm--1.24--A/W分流电阻Shunt ResistanceRSVR=10mV--0.5--kOhm量子效率QEλ=1840nm--72--%电容CVR =0V--3100--pF电容CVR =1V--500--pF封装尺寸单位: mm, 误差: ±0.2光谱响应曲线四, 高速铟镓砷PIN光电二极管 800-2600nm (TO-39 光敏面直径3.0mm)MTPD260K8-300是一个高灵敏度和高可靠性的产品系列， 非常适合于光通信设备。该模具的定制包装也可选用。高速铟镓砷PIN光电二极管 800-2600nm (TO-39 光敏面直径3.0mm),高速铟镓砷PIN光电二极管 800-2600nm (TO-39 光敏面直径3.0mm)通用参数特点响应速度快TO-39密封圆顶透镜封装3.0mm Ф的有效面积/高灵敏度光谱范围 800nm - 2600nm应用高速光通信工业控制分析气体/水激光测距医疗绝对最大额定参数 (Ta=25º C)参数符号主要指标单位有效光敏面直径Ф3.0mm工作温度范围Topr40 to +85 º C储存温度范围Tstg40 to +125º C光电参数 (Ta = 25º C)参数符号条件MIN典型值MAX单位击穿电压VRIR=100uA----1V灵敏度范围λVR=0V800--2600nm暗电流IDVR=0V--850--nA暗电流IDVR=1V--830--uA响应度Rλ=2400nm--1.24--A/W分流电阻Shunt ResistanceRSVR=10mV--0.34--kOhm量子效率QEλ=1840nm--72--%静电容CVR =0V--3000--pF静电容CVR =1V--450--pF封装尺寸单位: mm, 误差: ±0.2光谱响应曲线五, 高速InGaAs PIN光电二极管 600-1750nmMarktech的1346系列是高灵敏度和高可靠性的产品系列，非常适合于光通信设备。 客户可以定制其他封装形式,波长灵敏度范围: 600nm ~ 1750nm 高速InGaAs PIN光电二极管 600-1750nm,高速InGaAs PIN光电二极管 600-1750nm通用参数绝对最大额定参数 (Ta=25º C)参数符号主要指标单位有效光敏面直径Ф3.0mm工作温度范围Topr40 to +85 º C储存温度范围Tstg40 to +125º C产品特点：高速响应TO-39封装有效面积3.0mm /高灵敏度光谱范围600nm—1750nm应用:高速光通讯管线区域网路光开关以太网光纤通道光电参数 (Ta = 25º C)参数符号条件MIN典型值MAX单位击穿电压VRIR=10uA----5V灵敏度范围λVR=0V600--1750nm暗电流IDVR=1V--265--uA电容CVR=1V *2----2090pF响应度Rλ=1.6um--0.50--A/W分流电阻Shunt ResistanceRSVR=10mV--0.360--kOhm量子效能QEλ=1.6um--0.40--%弱电流ILλ=1.6um *1--35.4--µ A上升下降时间Tr,Tf--102--ns带宽BW--4.3--MHz提示:*1: Ee=1mW/cm2 *2: f=100kHz/1kHz光谱响应图

总览Agiltron制造先进的硒化铅（PbSe）探测器，用于室温操作以及增强灵敏度的热电冷却操作。这些设备可以用于集成的光滤波器、预放大器或多路复用放大器。硒化铅PbSe光电二极管 2-5um,硒化铅PbSe光电二极管 2-5um通用参数产品特点：新型自动化学加工（ACP）以较低的成本产生更高的产量在极duan条件下，可靠性高保质期长密封包装各种尺寸都可供选择 PbSe探测器的典型室温电特性。光敏面大小（mm)电阻(MΩ )时间常数(µ sec)D*BB(500K, 1KHz, 1)(cm&bull Hz&half &bull W–1)D*(cm&bull Hz&half &bull W–1)响应度(PK, 1KHz)(V/W)1.0X1.00.2 - 5.053X1082X1097500 机械特性：探测器通常在0.020英寸-0.030英寸厚度的石英衬底上制造。可以与光学冷凝器元件、热电（TE）冷却器和处理电子设备集成，所有这些都装在一个微型包装中。老化特性所有的库存探测器至少要经历四周的老化期。PbSe探测器的光谱响应PbSe的典型室温响应在2 - 5μm的光谱区域工作，时间常数小于5 μsec。TE冷却可在1到5微米区域增加D*。标准PbSe探测器的典型光谱响应如下图所示订购型号信息：环境探测器PBAD-探测器材料类型封装光敏面大小窗口AR 涂层温度传感器环境探测器1=Lead Selenide (PbSe)3=High Performance Lead Selenide (HP-PbSe)00=Flat Plate 01=Packaged0=special 1=TO-185=TO-57=TO-378=TO-89=TO-390=Special 1=1x1mm 2=2x2mm 3=3x3mm 4=4x4mm 5=5x5mm6=6x6mm0=Special 1=Spectral Filter 2=Quartz 3=Sapphire 4=Germanium 5=Silicon0=No1=Yes00=No Themistor TH=Thermistor TC=Thermistor Calibrated 制冷型探测器PBCD-探测器材料T.E.制冷类型封装光敏面大小窗口AR 涂层温度传感器TE制冷型光电探测器1=Lead00=Special0=special0=Special0=Special0=No00=No ThemistorSelenide(PbSe)01=1 stage5=TO-51=1x1mm1=Spectral Filter1=YesTH=Thermistor3=High02=2 stage7=TO-372=2x2mm2=QuartzTC=ThermistorPerformance03=3 stage8=TO-83=3x3mm3=SapphireCalibratedLead Selenide9=TO-394=4x4mm4=Germanium(HP-PbSe)5=5x5mm5=Silicon6=6x6mm

产品特征-带有干涉滤光片的Si光电二极管-单色光（275 nm）检测详细参数感光面积3.6 × 3.6 mm像元个数1冷却方式Non-cooled封装Metal反向电压 (最大值)5 V光谱响应范围271 to 279 nm光敏度 (典型值)0.01 A/W暗电流 (最大值)25 pA峰值灵敏度波长(典型值)275 nm上升时间 (典型值.)1 μs结电容(典型值)500 pF测量条件Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted, Photosensitivity: λ=275 nm, Dark current: VR=10 mV, Terminal capacitance: VR=0 V, f=10 kHz光谱响应范围外形尺寸图（单位：mm）

带干涉滤光片，适合单色光（254nm）探测的硅光电二极管S12742-254的窗口使用干涉滤光片，只对单色光灵敏。其光谱响应宽度极窄，只有10nm（FWHM），可以屏蔽杂散光，精确地进行光度计测。其典型峰值波长为254nm，也可以接受客户定制，改变其峰值波长，比如340nm、560nm、650nm等。产品特性-带干涉滤光片的硅光电二极管-单色光（254nm）探测详细参数感光面积3.6 × 3.6 mm像元个数1冷却方式Non-cooled封装Metal反向电压 (最大值)5 V光谱响应范围252 to 256 nm光敏度 (典型值)0.018 A/W暗电流 (最大值)25 pA峰值灵敏度波长(典型值)254 nm上升时间 (典型值.)1 μs结电容(典型值)500 pF测量条件Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted,Photosensitivity: λ=254 nm, Dark current: VR=10 mV, Terminal capacitance: VR=0 V, f=10 kHz光谱响应外形尺寸（单位：mm）

光电倍增管 9367-TS 光电倍增管 9367-TS 光电倍增管 9367-TS 产品简介：光电倍增管是将微弱光信号转换成电信号的真空电子器件。光电倍增管用在光学测量仪器和光谱分析仪器中。它能在低能级光度学和光谱学方面测量波长200~1200纳米的极微弱辐射功率。闪烁计数器的出现，扩大了光电倍增管的应用范围。激光检测仪器的发展与采用光电倍增管作为有效接收器密切有关。电视电影的发射和图象传送也离不开光电倍增管。光电倍增管广泛地应用在冶金、电子、机械、化工、地质、医疗、核工业、天文和宇宙空间研究等领域。工作原理：光电倍增管建立在外光电效应、二次电子发射和电子光学理论基础上，结合了高增益、低噪声、高频率响应和大信号接收区等特征，是一种具有极高灵敏度和超快时间响应的光敏电真空器件，可以工作在紫外、可见和近红外区的光谱区。日盲紫外光电倍增管对日盲紫外区以外的可见光、近紫外等光谱辐射不灵敏，具有噪声低、响应快、接收面积大等特点。

微秒时间分辨超灵敏红外光谱仪 传统光谱仪由于光源，测量方式等限制，需要几秒钟或者更长的测量时间来获取一个完整的光谱。 然而，生物医学、化学动力学等许多过程都是发生在微秒的时间内，这些过程是传统技术的光谱仪没办法观察到。IRsweep公司推出的IRis-F1时间分辨快速双光梳红外光谱仪是一种基于量子联激光器频率梳的红外光谱仪，突破了传统光谱仪需要几秒钟或者更长的测量时间来获取一个完整的光谱的限制，能实现高达1 μs时间分辨的红外光谱快速测量，提供了结合高测量速度（微秒时间分辨率）、高光谱分辨率和宽光谱范围的解决方案，这种高速的测量方案开启了生物医药、化学反应动力学光谱分析的全新的可能。 IRis-F1 微秒时间分辨超灵敏红外光谱仪IRis-F1微秒时间分辨超灵敏红外光谱仪原理示意图 主要特点： 1 μs时间分辨率 高达0.25 ~0.5 cm-1波数分辨率 双量子联激光频率梳技术提供高能量光源 测量数据信噪比高 易于微量及痕量光谱分析 方便易用、可靠性高 主要技术参数： 高信噪比 广泛的应用领域： 时间分辨光谱 动力学研究 光催化研究 高通红外光谱分析 适用固体、液体、气体样品化学成分分析 主要应用案例：1、菌紫红质时间分辨红外光谱研究 菌紫红质（bacteriorhodopsin）是存在于细菌（如生活在盐湖中的嗜盐细菌）中的光敏跨膜质子泵。 菌紫红质结构示意图盐湖中嗜盐细菌光敏变色实验装置示意图 时间分辨快速双光梳红外光谱测量结果时间分辨快速双光梳红外光谱测量结果显示： 成功观察到微秒时间分辨下的菌紫红质光敏状态变化 在微秒测试时间内，mOD浓度下光谱结果良好 光谱噪音水平低 时间分辨快速双光梳红外光谱适用于： 直接分析快速生物过程 实时研究动力学变化 高通分析蛋白-配体相互作用 2、光催化过程的时间分辨红外光谱研究 三联吡啶钌（Ru(bpy)32+ ）由于具有良好的受激发特性，在电致发光（ECL）检测领域有着广泛的应用。光催化水分解反应机理: (i) Ru(bpy)32+ 被光激活；(ii) 消耗 S2O82- ，变为3+ 价转态 (iii)在 Co3O4 催化下，电子从水转移到 Ru(bpy)33+ 还原成2+价转态 相应的实验方案示意图时间分辨快速双光梳红外光谱测量结果时间分辨快速双光梳红外光谱测量结果显示： 成功观察到微秒时间分辨下的催化反应 获得μOD浓度下信号 能结合ATR技术时间分辨快速双光梳红外光谱适用于： 催化反应 化学反应 反应过程监控3、时间分辨红外光谱进行远距探测 远距探测用于远程探测危险物质，如爆炸物、生物/化学试剂等在安全防护领域具有重要的意义。而远距探测依赖于来自遥远表面的光束反射信号探测，具有较大的挑战。 实验装置示意图IRsweep远程探测方案测量结果IRsweep远程探测方案测量结果显示： 成功探测到远程物体的漫反射信号 较高的输出能量具有远程探测的优势 能探测到 1 μg/cm2 表面覆盖的信号IRsweep远程探测方案可用于： 国土安全 机场安检 IRsweep 相关光学产品IRcell – 超长光程激光样品池 适用于红外激光吸收光谱 工业、医疗、环境领域的痕量气体检测 工业过程控制 安全监控 微量样品测试更低容量更高灵敏度 光程长度：349 cm 样品池体积：38 ml 低边噪声水平：0.2‰ rms IRcell 技术参数： IRcell 应用案例 实时分析呼吸气体中的CO和CO2 — using an EC-QCL 实验装置示意图实验测试结果Ghorbani, R. & F. Schmidt, F.M. Appl. Phys. B (2017) 123: 144. doi:10.1007/s00340-017-6715-x 使用IRcell用于呼吸气体的分析结果显示： 成功探测呼唤气体中的CO2和CO 较长的光程具有痕量气体探测的优势 对痕量气体探测具有很高的信噪比IRcell适用于： 工业、医疗、环境领域的痕量气体检测 工业过程控制 安全监控 微量样品测试 部分用户 2018年8月，套新一代IRis-F1时间分辨快速双光梳红外光谱系统在德国柏林自由大学（ Free University of Berlin）的Joachim Heberle 教授组成功完成安装。

适用于紫外到红外的35象元硅光电二极管阵列 S4111-35Q是一款DIP陶瓷封装线阵硅光电二极管，主要用于低光量探测，比如分光光度测量等。其具有从紫外到近红外的宽光谱范围。由于所有象元都可以用反向偏压进行存储电荷读出，该产品具有高灵敏度低光量探测的能力。像元之间的串扰减小，保持了信号的纯度。而且可以用特制的滤波片作为该产品的入射窗。产品特性-大感光面积 - 低串扰- 低暗电流- 红外灵敏度增强详细参数元素大小(每1列)4.4 × 0.9 mm像元个数35封装Ceramic封装类型40pin-DIP冷却方式Non-cooled反向电压(最大值)15 V光谱响应范围190 to 1100 nm峰值灵敏度波长(典型值)960 nm光敏度 (典型值)0.58 A/W暗电流 (最大值)10 pA上升时间 (典型值.)1.2 μs结电容(典型值)550 pF测量条件Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise notedper one element, Photosensitivity: λ=960 nm, Dark current: VR=10 mV, Rise time: VR=0 V, Terminal capacitance: VR=0 V光谱响应外形尺寸（单位：mm）

长波长型（截止波长： 2.6 μm）产品特性- 截止波长： 2.6μm- 低成本- 感光面积： φ1mm- 低噪声- 高灵敏度- 高可靠性- 高速响应详细参数光敏面尺寸φ1 mm像元个数1封装Metal封装类型TO-18冷却方式Non-cooled光谱响应范围0.9 to 2.6 μm峰值灵敏度波长(典型值)2.3 μm光敏度 (典型值)1.3 A/W暗电流 (最大值)30000 nA截至频率（典型值）6 MHz结电容(典型值)500 pF测量条件Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted光谱响应外形尺寸（单位：mm）

一, 铒/镱共掺双包层光纤这款铒镱共掺光纤适用于1.5μm波段应用，具有高掺杂浓度和高能量转换能量转换。由于其高吸收率，该产品是设计光纤放大器高功率光学放大器（5w）的理想选择，广泛应用在不同的应用市场，如电信的CATV及低功率激光雷达等应用领域。光纤类根据数量价格,合同金额原则上不低于3500元 铒/镱共掺双包层光纤,铒/镱共掺双包层光纤通用参数产品特点高掺杂浓度-提供高效的能量转换，zui小化泵浦功率需求高吸收率–zui小化纤维长度并减少非线性效应优化的铒/镱共掺合成芯–减少1µ m处的寄生发射产品应用大功率电信放大器低功率光纤激光器和光纤放大器传感器：激光雷达和光谱学参数光学数据纤芯吸收 @ 915nm (dB/m):2.4 ± 0.4纤芯吸收 @ 1535nm ( 标称值 ) (dB/m):85 ± 25核心数值孔径:0.20 ± 0.02背景损耗 @ 1200 nm (dB/km): 150.0几何与力学特性芯径 (µ m):10 ± 1包层直径 (µ m):128 ± 3纤芯/包层同心度误差 (µ m): 1.0涂层直径 (µ m):260 ± 15使用环境工作湿度（%）5-85工作温度（C&ring ）0-70储存湿度（%）5-85储存温度（C&ring ）-40-85熊猫型保偏掺镱光纤筱晓保偏掺镱光纤系列采用熊猫型应力元设计，以提高双折射率，具有较高的保偏性能，产品分普通涂层的单模光纤和双包层大模场光纤两大类可供选择，具有转换效率高，增益大的特点，可实现高功率高光束质量偏振光输出。适用于超快光纤激光器，以及要求偏振光输出的光纤激光器和放大器。熊猫型保偏掺镱光纤,熊猫型保偏掺镱光纤截止波长880±80nm技术参数产品特点高精度几何尺寸控制截面几何对称性良好光学性能优异应用领域材料加工、科学研究和医疗高精度测量光学检测超快光纤激光器和放大器 规格参数PN#Yb85-6/125-PMYb85-20/400-PMYb85-30/250-PM(纤芯吸收)Core Absorption at 915nm(nominal)85dB/m//模场直径Mode Field Diameter at 1060 nm (1)6.0 ± 0.520.0 ± 1.530.0 ± 0.5包层吸收Cladding Absorption at 920 nm/0.52.3核心数值孔径Core Numerical Aperture (nominal)0.110.0650.060截止波长Cut-off wavelength (2)880 ± 80nm880 ± 80nm880 ± 80nm包层数值孔径Cladding Numerical Aperture, ≥Core background loss at 1200 nm, ≤≤15db/km≤15db/km≤30db/km双折射Birefringence, ≥(1E-04)2.541.5芯包同心度Core Concentricity Error, ≤1.0um5um4um包层直径Cladding Diameter (flat-to-flat)125 ± 2um400 ± 10um250 ± 5.0um包层几何形状Cladding GeometryRound, PANDARound, PANDARound, PANDA涂层直径Coating Diameter245 ± 15um 550 ± 15um400 ± 15um涂层材料Coating MaterialDual coated low index acrylate双涂层低指数丙烯酸酯Dual coated low index acrylateDual coated low index acrylate验证试验Proof Test, ≥100kpsi100kpsi100kpsi二,LIEKKI Yb1200-10/125‒ 大模场双包层掺镱光纤LIEKKI Yb1200-10/125 光纤是高度掺杂的大模面积光纤，适用于中等功率光纤激光器和放大器应用。高包层吸收、低光暗化损耗和高光束质量的结合使它们成为紧凑型光纤功率放大器的理想选择。 LIEKKI Yb1200-10/125 光纤可用作双包层 (Yb1200-10/125DC) 和双包层保偏 (Yb1200-10/125DC-PM) 光纤。光纤类根据数量价格,合同金额原则上不低于3500元 LIEKKI Yb1200-10/125‒ 大模场双包层掺镱光纤,LIEKKI Yb1200-10/125‒ 大模场双包层掺镱光纤通用参数 特征行业领xian的纤维沉积工艺——直接纳米颗粒沉积realNA — 精确的光纤纤芯 NA，可实现出色的光纤性能可预测性和zui小的熔接损耗适用于低非线性和高光束质量应用的大型、低 NA 纤芯结合高泵浦吸收和低光暗化损失丙烯酸酯涂层使光纤能够在极端环境条件下应用：经证明可在高达 120&ring C 和极端湿度下工作。匹配无源光纤，经过优化设计，可将熔接损耗降至zui低应用中等功率放大器和激光器脉冲和连续波应用用于倍频的红外源 工业、医疗和科学应用参数FiberLIEKKI Yb1200-10/125DCLIEKKI Yb1200-10/125DC-PMOpticalUnits976 nm时的峰值包层吸收（标称）dB/m(7.4)(7.4)920 nm时的包层吸收dB/m1.7 ± 0.31.7 ± 0.3模场直径（1）（标称）um(11.1)(11.1)核心数值孔径（realNA）0.080 ± 0.0050.080 ± 0.005包层数值孔径，≥0.480.48Core background loss at 1200 nm, ≤1200 nm时的堆芯背景损耗，≤dB/km2525Birefringence, ≥双折射，≥1E-04-1.4几何和机械属性纤芯直径um10.0 ± 1.010.0 ± 1.0纤芯同心度误差，≤um1.01.0Cladding Diameter (flat-to-flat)包层直径（平到平）um125 ± 2125 ± 2包层几何形状OctagonalRound, PANDA涂层直径245 ± 15245 ± 15涂层材料Dual coated low index acrylate双涂层低指数丙烯酸酯Dual coated low index acrylate验证试验，≥kpsi100100单模掺镱纤芯泵浦光纤 1030-1100nm (用于低功率光纤激光器)DF1100单模掺镱纤芯泵浦光纤用于低功率光纤激光器。它在977 nm处提供900 dB的高峰值吸收，并且提供了900到1064 nm的宽泵浦范围。 SM掺镱光纤（DF1100）是一种高掺杂的掺镱单模光纤 为低功率光纤激光器和放大自发辐射（ASE）光源设计的电平。 DF1100设计用于915nm或980nm左右的堆芯泵送。高吸收率允许短时间 用于飞秒锁模环形激光器或前置放大器的增益长度。 可以通过改变光纤的长度来调节光纤的发射光谱，发射 DF1100可实现1030nm至1100nm。核心泵送设计 1060、1085 和 1550nm 发射 ,与熔接锥形接头兼容的接头 ,低泵阈值设计光纤类根据数量价格,合同金额原则上不低于3500元 单模掺镱纤芯泵浦光纤 1030-1100nm (用于低功率光纤激光器),单模掺镱纤芯泵浦光纤 1030-1100nm (用于低功率光纤激光器)通用参数产品特点核心泵送设计1060、1085 和 1550nm 发射与熔接锥形接头兼容的接头低泵阈值设计典型应用：光纤激光器放大自发发射 (ASE) 光源掺铒光纤放大器 (EDFA)有线电视 (CATV)教育工具包参数工作波长(nm)1030 - 1100截止波长(nm)800- 900数值孔径0.14-0.17模场直径(m)5.1-6.3 @1085nm衰减(dB/km)50 @1200nm验证实验(%)1 (100 kpsi)包层直径(um)125 ±1 µ m纤芯包层同心度(um)0.5涂层直径(um)245 ± 7涂层类型Dual Layer Acrylate工作温度(C)-55至+85泵浦吸收峰值(dB/m)1500(标称）@977nm掺杂剂镱 Ytterbium (Yb)

适用于紫外到红外波段精密光度测定产品特性● 高紫外灵敏度: QE＝75 % (λ=200 nm)● 低电容详细参数感光面积5.8 × 5.8 mm像元个数1冷却方式Non-cooled封装Ceramic反向电压 (最大值)5 V光谱响应范围190 to 1100 nm峰值灵敏度波长(典型值)960 nm光敏度 (典型值)0.5 A/W暗电流 (最大值)100 pA上升时间 (典型值.)1 μs结电容(典型值)380 pF测量条件Ta=25 ℃, Typ., unless otherwise noted, Photosensitivity: λ=960 nm, Dark current: VR=10 mV, Rise time: VR=0 V, Terminal capacitance: VR=0 V, f=10 kHz光谱响应外形尺寸（单位：mm）

仪器简介：产品概况相对分光敏感度的特性作为辉度仪受光部的相对分光敏感度的特性,比较理想的状态应与人眼目视的标准光谱光视效率V(λ)一致。主要用途测量CRT、LED、EL等的辉度 道路照明、隧道照明的测量 测量铁路系统的标识 测量机动车道、机场系统的标识。 普通照明、户外广告牌等的测量 各种照明设施、器具发光部位的测量 各种研究、测量试验 测量各种测量仪器的亮度 主要特征技术参数：形式 点式单反数码辉度仪 测量角度 1° 光学系统 f=85mmF2.8 取景器视野 9°(带取景器视度调整功能) 测量距离(测量面积) ∞～1,014mm(∞～φ14.4mm) 自本体基准位置标志起 使用特写镜头时No.153 1210～623mm(φ18.7～φ8.0mm)No.135 615～447mm(φ8.7～φ5.2mm)No.122 368～323mm(φ4.3～φ3.2)No.110 205～203mm(φ1.5～φ1.3mm) 受光素子 硅光电管 分光灵敏度 距离标准光谱光视效率(Vλ)的偏差fs：8%以内 应答时间 FAST： 显示时间为0.8～1.0秒、取样时间0.1秒SLOW: 显示时间约为1.4～1.6秒、取样时间0.4秒 辉度单位※ cd/m2 测量辉度范围 FAST： 0.001～299900cd/m2SLOW: 0.001～49990cd/m2 测量准确度 1,000cd/m2以上：指示值的±2％±1digit0.001～0.999cd/m2：指示值的±2%±2digit(A光源、20～30℃的条件下) 重复精度 1,000cd/m2以上：指示值的±0.2％±1digit0.001～0.999cd/m2：指示值的±0.2%±0.2digit(A光源) 温度误差 指示值的±3％±1digit(0～40℃、20℃标准) 校正模式 柯尼卡美能达/任意基准 转换式输入任意校正基准：1个通道、输入数值输入色彩修正系数：1个通道、输入数值(0.001～9.999) 辉度比率模式 1个通道、输入测量值或数值 测量功能 测量辉度瞬间值、辉度峰值、辉度比率(%) 表示 外部显示：LCD有效位数为4位取景器内显示：带LED照明的LCD，有效位数为为4位 数码信号输出入 以RS-232C为标准数据传输速度4,800BPS 外部操作 可从数码输出端子加以控制 电源 电源为1节9V叠层干电池(JIS 6F22)可从数据打印机DP-10上提供电源 消耗电量 取景器内显示灯亮时 平均电量16mA(测量按钮为ON状态)取景器内显示灯熄灭时 使用环境 温湿度：0～40℃、相对湿度85％以下(35℃时)/不可结露，污染程度：2，设备种类:II 保管温湿度范围 -20～55℃，相对湿度85％以下(35℃时)/不可结露 尺寸、重量 79(宽)×208(高)×150(进深)mm 850g(不含电池) 标准配件 镜头盖、目镜ND滤波器、目镜盖、9V叠层干电池(JIS 6F22)、专用盒 主要特点：采用单反非扩口式管体的光学系统。测量时，采用实际测量领域和取景器内的测量领域之间无偏差的单反方式。只对测量范围内实施测量，可避免非扩口式管体的光学系统受到测量范围外光源的影响。是可扑捉细小部位的点式测量。LS-100的测量角度是1°，LS-110则为1/3°，所以可测量细小部位的辉度。另外，通过使用特写镜头(另售)，LS-100可测量直径为1.3mm，LS-110可测量0.4mm以内的微小面积的辉度。可输入色彩修正系数，测量范围广。作为一个任意校正模式，用户可以通过在独自的标准辉度上输入可再校正的任意校正基准的方法，也可以通过向特定光源输入修改指示差的彩色修改系数的方法，在无误差的状态下使用多台辉度仪，实施精确的辉度管理。可进行辉度比率测量和峰值测量。测量值可根据使用目的不同，选择【辉度瞬间值】、【辉度峰值】、【辉度比率】。可通过RS-232C实现双向通信。通过RS-232接口的标准装备，可进行测量数据的输出和电脑控制。小型轻量化设计，电源为1节9V叠层干电池。(可从数据打印机DP-10上提供电源。）目录下载 软件下载 联系

Mini-X2 是一个微型 X 射线管系统，包括 X 射线管、电源、控制电子器件和与计算机的 USB 通信。它针对紧凑型 X 射线荧光（XRF）应用进行了优化。Mini-X2 通过接地阳极、USB 电流和电压控制、简单的准直器安装方式以及操作简便性简化了 XRF 过程。产品组成包括射线管和高压电源。有几种不同的选项可供选择：1）最大功率可以是 4 W 或 10W；2）最大 HV 可以是 50 kV 或 70 kV；3）阳极可以是 Ag、Au、Rh 或 W。控制器包括 USB 通信和软件控制。它可通过软件进行配置，以支持任何 X 射线管模块。一根 10 针软排线将控制器和 X 射线管模块连接起来。信和软件控制。它可通过软件进行配置，以支持任何 X 射线管模块。一根 10 针软排线将控制器和 X 射线管模块连接起来。控制器接口包括 12 VDC 电源、用于命令和控制的 USB 以及带有安全联锁和警告灯驱动程序的 AUX 接口。特点：4 或 10 W 输出功率10至50kV或 35至70kV5至200µ A（请参阅等功率曲线）Ag、Rh、Au 或 W 靶（Ag 在 70kV下不可用）USB控制应用：X 射线荧光（XRF）便携式和台式仪器在线处理教学实验室产品参数靶材料银（Ag）、金（Au）、铑（Rh）、钨（W）靶厚度Ag 和 Rh = 0.75 μm（±0.1 µ m）Au 和 W = 1.00 μm（±0.1 µ m）射线管电压10 至 50 kV 或 35 至 70 kV射线管电流最小5 µ A/最大 200 µ A 近似剂量率Ag 和 Rh：1 Sv/h（100 Rem/hr）@ 轴上 30 cm，50 kV 和 80 μAAu 和 W：2.2 Sv/h（220 Rem/hr）@ 轴上 30 cm，50 kV 和 80 μA连续输出功率100% 占空比时最大为 4 W 或 10 W窗户材料铍（Be）；窗口接地窗口厚度127 μm焦点大小约 2 mm阴极类型钨丝（W）HV 极性接地阳极高电压稳定性0.1%输出通量稳定性0.3%（温度稳定）输出锥角120°冷却风冷5 cm 处的泄漏辐射装有安全塞5 µ Sv/h（0.5 mrem/h）功耗功耗4 W 管：9 W @ 全功率10 W 管：18 W @ 全功率输入电压12 VDC（随附交流适配器）控制USB、mini-USB 接口（随附电缆）稳定时间通常 1 s重量400 克湿度30% 至 90%，不结露工作温度范围-10°C 至 +50°C存储温度范围-25°C 至 +60°C安全控制和指示灯1）外部硬件联锁2）闪烁 LED3）蜂鸣器软件用于控制电压和电流的 Mini-X 控制软件。用于自定义编程应用程序的 Mini-X API。保修一年或 2000 小时，具体取决于哪一个先到Mini-X2 与之前的 Mini-X 有什么不同 Mini-X2 相对于 Mini-X 来说，提供了更多的控制参数和更好的硬件监 控。更快的反馈时间来评估光管的工作状态。用户更容易通过软件更改配 置，而不是通过硬件。安全锁包括故障保险灯驱动器和软件的可配置性。 具有更完整故障监控能力。 Mini-X2 控制器具有与 MX-50 相同的物理因子，相同的电压，同样 的电流曲线，都是通过 USB 通讯。互锁连接器的输出 pin 脚不同。软件 界面也完全不同:新的 USB 驱动程序、新的命令集、新的参数设置等。 需新版操作软件，包括之前软件的所有功能，增加了一个高级菜单。对 于编写自己的软件的客户，他们需要用新的程序替换。

一, 300um 扩展型InGaAs 光电二极管应用领域：光谱探测与分析、气体分析、水含量分析等产品特点：正照射结构、灵敏度高、响应时间快、TO46 封装300um 扩展型InGaAs 光电探测器,300um 扩展型InGaAs 光电探测器通用参数特性参数典型值光敏面直径Φ 0.3 mm规模单元工作温度-20～ +60 ℃储存温度-55~ +70 ℃波段1.0~2.6 um峰值波长2.2 um峰值量子效率≥70%峰值响应率≥1.2 A/W器件阻抗2×104Ω暗电流5×10-7@-0.01V等效噪声功率4×10-13 W/Hz1/2峰值探测率7×1010 cm.Hz1/2/W封装形式TO-46管壳典型光谱响应曲线：产品结构及尺寸： （单位 mm） 注意事项：（1）产品使用过程中，需要防静电保护，操作人员应戴静电手环。 （2）产品在存贮、运输过程中，应放入防静电的泡沫中，并储存于防静电盒内。（3）针脚插拔不能用力过大，针脚弯折不能沿根部弯折超过 45°，防止弯折造成玻璃珠开裂。（4）产品需在断电后进行插拔操作。二,铟镓砷 InGaAs 扩展型 光电二极管 2.2um GAP3000/2.2总览2.2um扩展型InGaAs光电二极管响应截止波长达到2.2um,提供了出色的分流电阻，并在带宽范围内具有出色的响应度。铟镓砷 InGaAs 光电二极管探测器 2.2um扩展型 GPD GAP3000/2.2,铟镓砷 InGaAs 光电二极管探测器 2.2um扩展型 GPD GAP3000/2.2技术参数产品特点：有效直径2mm,3 mm可选扩展的截止波长2.2μm高分流电阻封装形式TO-5产品应用：气体检测碳氢化合物传感红外光谱光谱学SWIR光电探测技术参数：电学参数@ 23 º C ± 2 º C参数 GAP2000/2.2 GAP3000/2.2单位有效直径23mm峰值波长（典型） 2.0 ± 0.1 2.0 ± 0.1um截止波长 (50%) 2.2 ± 0.1 2.2 ± 0.1µ m响应度@ λP(min/typ) 0.9/1.0 0.9/1.0 A/W分流电阻 (min/typ) 6k/10k 2k/6kΩ暗电流(max) 40 @ 1 V 100 @ 1 V µ A电容 (typ) @ 0 V 40008000pF带宽 w/ 50 Ω @ 0 V (typ) 0.795 0.397 MHz上升时间 w/ 50 Ω @ 0 V (typ) 440881nsNEP @ λPEAK (typ) 128 x 10-14287 x 10-14W/Hz1/2 线性度 (± 0.2 dB @ 0 V)66dBm封装TO-5TO-5最大参数参数 GAP2000/2.2 GAP3000/2.2单位存储温度 -40 to 125 -40 to 125 ℃工作温度 -40 to 85 -40 to 85℃ 反向电压11V反向电流1010mA 正向电流1010mA功耗5050mW 波长响应曲线

适用于紫外到近红外的精密光度计测产品特性-紫外波段高灵敏度- 低电容- 高可靠性详细参数感光面积3.6 × 3.6 mm像元个数1冷却方式Non-cooled封装Metal封装类型TO-5反向电压 (最大值)5 V光谱响应范围190 to 1100 nm光敏度 (典型值)0.5 A/W暗电流 (最大值)50 pA峰值灵敏度波长(典型值)960 nm上升时间 (典型值.)0.5 μs结电容(典型值)150 pF测量条件Ta=25 ℃, Typ., unless otherwise noted, Photosensitivity: λ=960 nm, Dark current: VR=10 mV, Rise time: VR=0 V, Terminal capacitance: VR=0 V, f=10 kHz光谱响应外形尺寸

适用于紫外到近红外的精密光度计测特征-紫外波段高灵敏度-低电容-高可靠性详细参数感光面积3.6 × 3.6 mm像元个数1冷却方式Non-cooled封装Metal封装类型TO-5反向电压 (最大值)5 V光谱响应范围320 to 1100 nm光敏度 (典型值)0.5 A/W暗电流 (最大值)50 pA峰值灵敏度波长(典型值)960 nm上升时间 (典型值.)0.5 μs结电容(典型值)150 pF测量条件Ta=25 ℃, Typ., unless otherwise noted, Photosensitivity: λ=960 nm, Dark current: VR=10 mV, Terminal capacitance: VR=0 V, f=10 kHz, Rise time: VR=0 V光谱响应外形尺寸（单位：mm）