上海伯东 KRI 霍尔离子源应用于黑膜镀制
上海伯东美国 KRI 霍尔离子源辅助沉积镀制增透吸收膜, 可以获得非常好的单质 SI 材料可见波段的吸收常数, 离子源辅助沉积过程稳定, 膜层致密性高, HR 膜更加得心应手, 加以合理工艺匹配, 可获得高信耐性、工艺性能良好的黑膜和 HR 膜. 使用离子源辅助的电子束蒸发来在不加热基板上进行蒸发, 可得到附着力良好, 遮盖力强, 材料可均匀融化, 工艺性能良好, 能很好地粘附于多种基底类型, 并表现出良好的环境稳定性的黑膜. 美国进口 KRI 霍尔离子源辅助镀制, 可达到行业顶级水准的效果.