温度探测器

仪器简介：硅光电探测器（Si）&mdash &mdash &mdash 室温型探测器，波长范围：200-1100nm技术参数：型号列表及主要技术指标：技术指标＼型号名称 DSi200 紫敏硅探测器 DSi300 硅探测器 进口紫外增强型 国产低暗电流型有效接收面积(mm2) 100(&Phi 11.28) 100(10× 10)波长范围(nm) 200-1100 300-1100峰值波长(nm) ------- 800± 20峰值波长响应度(A/W) 0.52 0.4254nm的响应度(A/W) 0.14(0.09) -------响应时间(&mu s) 5.9 -------工作温度范围(℃) -10～+60 -------储存温度范围(℃) -20～+70 -------分流电阻RSH(M&Omega ) 10(5) -------等效噪声功率NEP (W/&radic Hz) 4.5× 10-13 -------暗电流(25℃；-1V) ------- 1X10-8&mdash 5× 10-11 A结电容(pf) 4500 3000(-10V)信号输出模式 电流 电流输出信号极性 正（P） 正（P）主要特点：■ DSi200/DSi300硅光电探测器硅光电探测器（Si）&mdash &mdash &mdash 室温型探测器，波长范围：200-1100nm两种型号的探测器室的外观相同，其中：◆ DSi200型内装进口紫敏硅光电探测器◆ DSi300型内装国产低暗电流硅光电探测器◆ 推荐配合I-V放大器（型号：ZAMP）使用 硅光电探测器使用建议：◆ DSi200/DSi300均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85做为前级放大并转换为电压信号，标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；◆ DSi200/DSi300配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；◆ DSi200/DSi300配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器。

仪器简介：■ 砷化铟探测器（InAs）&mdash &mdash &mdash 近红外探测器 波长范围：1-3.8&mu m技术参数：主要技术指标型号/参数 DInAs3800 DInAs3800-TE光敏面直径(mm) 2 2波长范围(&mu m) 1-3.8 1-3.8峰值响应度(A/W) 0.8 1.5D*(@&lambda peak, 1KHz)cm Hz1/2W-1 2.5× 109 9.1× 1012NEP(@&lambda peak,1KHz)pW/Hz1/ 2 71 4.4温控器型号 - ZTC-2探测器温度(℃) 室温 -40温度稳定度(℃) - ± 0.5信号输出模式 电流 电流输出信号极性 正（P） 正（P）制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）推荐使用前置放大器型号：ZAMP主要特点：■ 砷化铟探测器（InAs）&mdash &mdash &mdash 近红外探测器 波长范围：1-3.8&mu mDInAs3800和DInAs3800-TE两种型号，其中：◆ DInAs3800内装进口常温型探测元件；◆ DInAs3800-TE内装进口TE制冷型探测元件。砷化铟探测器使用建议：● DInAs3800和DInAs3800-TE均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85做为前级放大并转换为电压信号，标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器；● 制冷型DInAs3800-TE砷化铟探测器，在制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）进行降温控制。

DPe系列为常温型热释电探测器，适合经济型的测量，专门用于红外波段的光谱测量。热电元件由独特的薄膜热释电PZT材料组成，允许红外辐射被有源区域高效吸收。具有更高的灵敏度、更低的噪声、更好的频率响应以及更好的温度稳定性。热释电探测器使用建议：DPe系列热释电探测器必须配合锁相放大器，推荐使用DCS500PA。DPe系列热释电探测器的响应率与调制频率成反比，最优工作频率在低频（10HZ左右）区域。DPe系列热释电探测器为全波段响应的探测器，实际工作波长受窗口材料限制，可根据实际需要来选择合适的窗口。 频率响应曲线： 窗口透过率曲线： 光谱响应曲线： 常温型热释电探测器型号列表及主要技术指标：型号/参数DPe16DPe22工作区域面积（㎜2）1.65×1.651.65×1.65光敏面直径尺寸（㎜2）3.73.7窗口材料类型A4A3波长范围（μm）2-162-22信号输出模式电压电压响应率（V/W）12.75×1052.75×105典型值D* [cmHz1/2W-1] 14.32×1084.32×108NEP（W/Hz1/2）13.82×10-103.82×10-10反馈电阻（GOhm）1010反馈电容（fF）200±50 200±50 工作电压（V）±2.2～±8±2.2～±8环境温度（℃）-10～+50-10～+50输出信号极性正（P）正（P）备注125℃，10Hz，带宽1Hz黑体T = 500K；E = 38 W / m2不含窗口材料

仪器简介：■ 常温型铟镓砷探测器（InGaAs） ———常温型近红外探测器，波长范围：0.8-1.7μm ■ TE制冷型铟镓砷探测器（InGaAs） ——TE制冷型近红外探测器，波长范围：0.8-2.6μm TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件。技术参数：■ 常温型铟镓砷探测器（InGaAs） ———常温型近红外探测器，波长范围：0.8-1.7μm 三种常温型铟镓砷探测器DInGaAs1600/ DInGaAs1650/ DInGaAs1700具有相同的外观设计，其中： ◆ DInGaAs1600型内装国产小面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图1） ◆ DInGaAs1650型内装国产大面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图2） ◆ DInGaAs1700型内装进口大面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图3）主要特点：■ 常温型铟镓砷探测器（InGaAs） ———常温型近红外探测器，波长范围：0.8-1.7μm ■ TE制冷型铟镓砷探测器（InGaAs） ——TE制冷型近红外探测器，波长范围：0.8-2.6μm TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件，光谱响应曲线参考图如下：铟镓砷探测器使用建议： ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85)做为前级放大并转换为电压信号；标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度； ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度； ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器； ● 制冷型DInGaAs-TE系列铟镓砷探测，在制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）进行降温控制；

仪器简介：■ 硫化铅探测器（PbS）&mdash &mdash &mdash 常温型红外探测器,波长范围：0.8-3.2&mu m技术参数： DPbs2900 DPbs3200光敏面尺寸 mm 1× 5 6× 6波长范围 &mu m 0.8～2.9 0.8～3.2峰值波长 &mu m &ge 2.2 &ge 2.1响应Su V/W &ge 3× 104 &ge 300电阻Rd M&Omega 0.2-2 0.1-0.3D* cm(Hz) 1/2/W &ge 5× 108 &ge 1× 108时间常数 &mu s &le 200 &le 400放大倍数 × 1，× 10，× 100输入端失调电压 µ V ＜± 1前放输入端的漂移 µ V ± 1频率响应范围 Hz 100&mdash 1000 （推荐400Hz）信号输出模式 电压 电压输出信号极性 正（P） 正（P）主要特点：■ 硫化铅探测器（PbS）&mdash &mdash &mdash 常温型红外探测器,波长范围：0.8-3.2&mu mDPbS2900/3200两种型号，两种探测器室的外观相同（内带前置放大器），其中：◆ DPbS2900内装进口硫化铅探测器（光谱响应度曲线参考图1）◆ DPbS3200内装国产硫化铅探测器（光谱响应度曲线参考图2）硫化铅探测器使用建议：● DPbS2900和DPbS3200硫化铅探测器为光导型红外探测器，使用时必须配合锁相放大器，推荐使用SR830型（Page98）或Model 420型（Page97）；● DPbS2900和DPbS3200硫化铅探测器集成了前置放大器，输出信号模式为电压模式，在与DCS103或DCS300PA数据采集系统（Page95）配合使用时，需要选择电压信号采样模式。

仪器简介：热释电探测器&mdash 常温型红外探测器，波长范围：0.5-22um技术参数：技术指标型号/参数 DPe22光敏面尺寸(mm) 0.5× 2窗口材料 ZnSe（标配）波长范围(nm) 0.5-22响应率R(500,12.5)(V/W) 2× 105D*(500,12.5,1(cm Hz1/2 W-1) 1× 109NEP(500,12.5,1))W/Hz 9× 1011允许最大入射功率(&mu W) 1最大输出电压(V) 4信号输出模式 电压输出信号极性 正（P）主要特点：&mdash &mdash &mdash 常温型红外探测器，波长范围：0.5-22um◆ DPe22为常温型热释电探测器，适合经济型的测量，集成前置放大器，由LATGS晶体制成，仿热电偶结构，专门用于红外波段的光谱测量热释电探测器使用建议：● DPe22热释电探测器为全波段响应的探测器，实际工作波长范围受到窗口材料限制，可根据实际需要来选择合适的窗口● DPe22热释电探测器使用时必须配合锁相放大器,推荐使用SR830或Model 420（Page97-98）● 热释电探测器的响应率与调制频率成反比，所以需工作在低频（70Hz左右）条件下

PhaseTech 中红外探测器 2DMCTPhaseTech 中红外探测器 2DMCT是用于中红外的下一代碲化汞镉（MCT）探测器。具有128×128像素、高灵敏度和极低噪声的电子器件。PhaseTech 中红外探测器 2DMCT功能和特点：&bull 16384个高品质MCT像素&bull 非常低的暗噪声&bull 杜瓦温度读数&bull QuickShape快速扫描电子设备&bull 控制软件和LabVIEWTM驱动程序PhaseTech 中红外探测器 2DMCT主要应用：&bull 瞬态红外光谱&bull 二维红外光谱&bull 中红外成像&bull 二维红外成像PhaseTech 中红外探测器 2DMCT主要参数：像素128×128或64×64光谱范围2-12.3µ m像素尺寸40 x 40µ m最大全帧速率1.5 kHz最大窗口帧速率4 kHz（请联系PhaseTech了解更高的帧速率）比检测率（D*）4 x 1011 cm Hz1/2 W-1垂直分辨率14位动态范围~1300:1典型的暗噪声（1σ）*10次计数，超过1000次近似尺寸8.5 x 4 x 10.2英寸（21.6 x 10.2 x 25.9厘米） 低噪声中红外探测器 2DMCT是一种非常低噪声的探测器更好的激光器意味着探测器的噪声很重要典型的暗噪声小于10个计数（1000次拍摄时为1σ）垂直装仓进一步降低噪音 漂亮的测试数据高分辨率、高质量的光谱与传统探测器相比，信噪比相似或更好 覆盖面广2至12.3微米的良好灵敏度 尺寸小采集电子设备的尺寸只有几英寸，直接连接到探测器上直接连接意味着更少的电子噪音 特殊优势可编程偏移使其易于根据不同的信号强度进行调整内置杜瓦瓶温度读数消除了对液氮水平的担忧 软件友好用于设置、控制和采集的用户友好型软件包括偏移、设置感兴趣的区域、显示各种切片LabViewTM驱动程序，可轻松整合到现有代码中 PT_2DMCT_Datasheet.pdf

探测器Thorlabs提供一系列光学探测器产品，能够探测整个紫外、可见、近红外、红外以及太赫兹光谱区域内的光源。根据所选择的传感器可以测量不同参数，如强度、功率、强度分布、波前形状、能量和波长。未安装的光电二极管 校准过的光电二极管 已安装的无偏压的光电二极管 带尾纤的光电二极管 偏压探测器 放大探测器 位置传感探测器 积分球 平衡放大探测器 单光子计数器 光电倍增管模块 多通道光电倍增管模块 雪崩探测器 光纤耦合PMT模块 太赫兹 CCD / CMOS Cameras 光电二极管放大器 激光观察卡 光电二极管 Related Products 概述 Thorlabs提供一系列分立光电二极管和经过校准的光电二极管。其中包括铟镓砷（InGaAs）光电二极管，磷化镓 （GaP）光电二极管，硅（Si）光电二极管， 和锗（Ge）光电二极管。我们也提供一些专用的光电二极管。例如DSD2双波段光电二极管，它在一个包装内同时提供硅光电二极管和铟砷化镓光电二极管，两者结合起来可以达到400到1700纳米的波长范围。FGA20是一个具有高响应率的铟镓砷光电二极管，波长范围从1200到2600纳米，能够探测到的波长范围比典型的铟镓砷光电二极管的1800纳米要高。我们也提供FGAP71，它是一种磷化镓（GaP）光电二极管，它的波长范围是我们所提供的光电二极管中最短的，从150纳米到550纳米。已校准的光电二极管 Related Products 概述 Thorlabs公司提供5种NIST可追溯校准的光电二极管，有库存随时发货，包括一种铟镓砷（InGaAs）、两种硅（Si）和两种锗（Ge）光电二极管。校准特性：在光电二极管的整个光谱范围内，每隔10纳米测量响应度测量不确定度± 5%NIST可追溯每个光电二极管都附带响应度与波长的关系的数据表和图。不同批次的光电二极管之间的响应度不一样。因此，您收到的光电二极管的响应也许与下面描述的会有轻微的差异，但是仍将附带有校准数据。右图显示了不同FDS1010光电二极管之间的响应特性有多显著。这些数据是从104个光电二极管中采集的。在每个数据点都计算了最小、平均和最大响应度，并给出了曲线。 点击放大已封装的光电二极管 Related Products 概述 SM05PD和SM1PD系列光电二极管包含安装在方便的SM05（Ø 0.535英寸-40）和SM1（Ø 1.035英寸-40）外螺纹套管的铟镓砷、锗、硅或磷化镓光电二极管。光电二极管的电信号输出是通过一个能快速连接到测量电路上的标准SMA接头（SM05PD系列）或BNC接头（SM1PD系列）提供的。该光电二极管可分为A型（阴极接地）或B型（阳极接地）布置。所有的型号都是测量脉冲和CW光源的理想选择。主体上的绝缘外螺纹能使这些光电二极管与Thorlabs公司的所有SM05和SM1安装适配器兼容。 带尾纤光电二极管 Related Products 概述 特性适用于610-770纳米和780-970纳米的单模型号多模型号高速宽带特性低偏置电压增强型光纤典型应用光通信高速光度测定监测Thorlabs 的FDSP系列带尾纤光电二极管是高速带尾纤硅PIN光电二极管，设计用于可见到近红外范围的光探测。这些光电二极管具有在低偏置电压下的宽带特性，是光通信、高速光度测定和监测等应用的理想选择。FDSP系列的外壳为不锈钢套管，用来实现光纤到光电二极管的主动耦合。光纤用一个900微米的松套管外保护和橡胶护套进行强化，以便于减少光纤的弯曲应力。 提供两种型号的单模光纤和一种型号的多模光纤：FDSP780 Nufern的780-HP单模光纤，780-970纳米，芯径5微米，数值孔径0.13FDSP660 Nufern的630-HP，单模光纤，610-770纳米，芯径4微米，数值孔径0.13FDSP625 梯度折射率多模光纤，320-1000纳米，芯径62.5微米，数值孔径0.27单模光纤的型号设计用于低背反射，同时单模光纤也能抑制模式干扰（也称为MPI－多路径干扰），是基于光纤的干涉仪的信号探测中的基本组件。根据需要，可提供带工业标准光纤接头的连接。偏压探测器该页面是我们的各种偏压探测器。我们提供自由空间型和光纤耦合型两种类型。可通过转接件将光纤和自由空间探测器耦合起来。偏压探测器 光纤耦合探测器 放大探测器Thorlabs提供一系列自由空间型和光纤耦合型放大探测器。此外，光纤转接件可用于本公司的自由空间探测器，以获得更多的功能和灵活性。放大探测器 飞瓦光电探测器 TEC HgCdTe 探测器 光纤耦合探测器 Menlo Systems快速PIN光电探测器 雪崩探测器 位置传感器 Related Products 横向效应位置传感器概述 特性2D横向效应位置传感探测器对光斑形状和功率密度不敏感SM05镜筒兼容结构紧凑Item #PDP90AWavelength Range320 to 1100 nmResolution, @ 635 nm0.68 µ m @ 100 µ W,6.8 µ m @ 10 µ WNoise2.25 µ mpp, 340 nmrmsRecommended Spot SizeØ 0.2 &ndash 7 mm PDP90A位置传感器利用针垫横向传感器来精确测量入射光与校准中心之间的位移。这些器件适用于测量光线的移动，传播的距离或者作为对准系统的反馈。 大的探测表面允许光束直径9毫米，然而，我们推荐光束直径范围在0.2到7 毫米。与象限传感器需要所有象限均有覆盖不同，横向传感器可以提供在探测区域内任何点的位置信息，与光斑形状，尺寸和能量分布无关。PDP90A的噪声很小2毫伏峰峰值（300微伏有效电压），对应的探测误差为0.675微伏有效电压。分辨率与输入光功率直接相关，表示为以下方程，这里，&Delta R是分辨率，Lx是探测器长度，9毫米，en是输出噪声电压，300微伏有效电压，Vo是总输出电压水平，4伏特最大值因此，对于最高功率水平，分辨率将达到0.675微米。更多详细技术信息参见技术信息标签。每个PDP90A象限探测器与一个8-32到M4适配器一同包装，提供与英制或者公制安装接杆的兼容性。 下表中阴影区域显示最小和最大输入光强水平与波长的关系。确保输入光功率与最大水平接近来获得最佳的分辨率和噪声系数。超过最大水平传感器将饱和，结果将会有误差。 积分球Thorlabs提供已定标的（NIST标定）和未标定的积分球。已定标的积分球有一个接口，能连接自由空间光源或光纤光源。它能与本公司的所有C系列接头的功率计兼容。未定标的积分球有三到四个接口，这些接口可以连接多种探测器和输入转接件。多端口积分球 校准的积分球功率传感器 平衡探测器这里介绍了Thorlabs的平衡探测器。根据这个模型，硅或者InGaAs探测器可以用于320-1000纳米、800-1700纳米或者1270-1350纳米范围内。偏振非敏感平衡探测器 偏振相关平衡探测器 带高速输出监测的平衡放大光电探测器 平衡放大探测器 单光子计数器 Related Products 概述 Item #SPCM20ASPCM20A/MSPCM50ASPCM50A/MDetector TypeSi Avalanche PhotodetectorWavelength Range350 - 900 nmActive Detector Diameter20 µ m50 µ mTypical Max Responsivity35% @ 500 nmDark Count Rate Typical60 Hz Max (25 Hz Typical)200 Hz Max(150 Hz Typical)Max Count Rate *28 MHz22 MHz* 对于脉冲光特点低暗计数 SPCM20A(/M): 25赫兹 (常规值)SPCM50A(/M): 150赫兹(常规值l)两种探头面积 SPCM20A(/M): Ø 20微米 有效面积SPCM50A(/M): Ø 50微米 有效面积有源抑制温度稳定USB接口脉冲输出TTL 开启/触发 输入体积小: 68毫米x 85毫米x 25毫米应用单分子的光谱学研究光谱-光度计测量流式细胞计光子相关谱法激光雷达图 1: 光子探测几率作为其波长的函数如图显示。SPCM仅在白框区域内对光子有感应。Thorlabs的光子计数器模块使用雪崩硅光电二极管探测单光子。SPCM计数器对发出的光子在350至900纳米范围内敏感，最高灵敏度在500纳米（见图1）。其工作原理是用光电探头将接收的光子转换成一个TTL脉冲，然后由内部的31位计数器计数。另有一个额外的USB接头可直接输出脉冲信号，可以输出到示波器查看或连接到外部计数器模块。这个光子计数器的功能的详细信息，请参阅&ldquo 教程&rdquo 选项。用一个集成的Peltier元件来稳定二极管的温度，使之降低到环境温度以下，那么低暗计数率也就降低了。有两种型号供选择，SPCM20A 和 SPCM50A，其典型的低暗计数率分别为25赫兹和150赫兹，能够探测到的功率低至0.4飞瓦。SPCM中的二极管集成了有源抑制电路，从而能获得高计数率。它的高速性能让用户每35-45 ns计数一个光子，取决于不同的型号。 SPCM20A提供的有效探测面积为Ø 20微米，而SPCM50A为Ø 50微米。软件SPCM包括一个GUI 软件包来进行暗箱操作。以下操作模式可以通过软件设置：手动模式 用于手动操作自由运行时间计数器用于计数一定&ldquo 时间块长度&rdquo 内的入射光子数量外部触发时间计数器用于触发时间器开始计算一定周期内的入射光子数量外部触发计数器通过一个外部触发来开启或关闭计数器外部启动 用于外部激活计数器和 雪崩光电二极管如需获得更多关于软件和它的操作方法的信息，请见&ldquo 软件 &rdquo 选项光电倍增管模块 Related Products 概述 特性提供两种光谱范围：280&ndash 630纳米，或280&ndash 850纳米端窗型光电倍增管结构静电和磁屏蔽转换增益：阳极电流1伏/微安圆形打拿极链配置外壳有SM1螺纹外壳有4个螺纹孔，用于ER系列笼式支杆可以三种不同方式接杆安装附带120和230伏插接适配器的电源SMA输出无需高压电源需要可变（0-1.8伏直流）电源（不包括）Thorlabs提供两种光电倍增管模块，结合了一个端窗型光电倍增管（PMT），外壳，以及高增益、直流耦合的跨阻抗放大器：PMM01用于280 &ndash 630纳米光谱范围，PMM02用于280 &ndash 850纳米光谱范围。PMM01具有一个半透明的双碱光电阴极，与PMM02（点击规格标签了解详细信息）相比，它具有更高的增益，&lambda 500纳米时更高的量子效率，和更低的暗电流，但是它适用的光谱范围较窄。由于灵敏度与最常用的闪烁体材料非常匹配，双碱光电阴极在闪烁光探测方面具有广泛应用。相比之下，PMM02具有半透明的多碱（S20型）光电阴极，具有&lambda 500纳米时更高的量子效率，和更宽的光谱范围。多碱光电阴极常用于宽带分光光度计和光子计数应用。Thorlabs的PMT模块具有内置高压电路，消除了PMT运行时通常对外部高压电源的需要。通过将高压电路加入PMT模块，Thorlabs的PMT降低了成本和设备的大小，以及触电的风险。此外，该PMT模块由± 12伏直流电源（包括120伏和230伏插接适配器）和0&ndash 1.8伏的可变直流电源（不包括在内）供电。两种模块都配备有3个8-32螺纹，可在不同方向接杆安装。附带1个公制兼容的AS4M8E（8-32至M4）适配器。此外，在该模块的正面有4个4-40螺纹孔，使其与我们的30毫米笼式共轴系统 （点击笼式兼容性标签了解更多信息）兼容。这些部件与PMT孔径上的保护盖一起发货。一旦去除保护盖，该模块带有的SM1兼容内孔，可与我们一系列的SM1透镜套管兼容。因此，成像光学元件和滤光片可便捷地安装并位于PMT光电阴极的中心。此外，使用透镜管可阻止杂散光和散射光到达探测器，这对探测弱光或噪声信号非常有利。光电倍增管模块 Related Products 概述 特性极其适合用于激光扫描显微应用兼容Thorlabs公司的激光扫描必备套件光电倍增管模块可以扩展到最多8个通道附带双通道模块 两个多碱光电倍增管可替换荧光滤光片立方SM1螺纹光电倍增管安装座用于安装滤光片模块我们还提供单体多碱光电倍增管宽带光谱响应：185 - 900纳米 点击了解详情 Thorlabs公司的光电倍增管（PMT）模块设计使成像系统，如我们的激光扫描必备套件，更容易集成PMT探测功能。PMTSS2双通道PMT模块包含两个多碱标准灵敏度的PMT、一个DFMT1滤光片立方插件、和一个底座。该模块中的两个多碱PMT能够进行高效探测，并具有185 -900纳米的宽带光谱响应范围。模块的底座装备有一个MDFB滤光片立方和一些插槽，这些插槽可以用来安装英制或公制光学平台、面包板的配件。其滤光片模块的输入端口带有SM1（1.035英寸-40）螺纹，可以直接兼容Thorlabs公司的各种SM1透镜套筒和光纤准直适配器。PMT已经经过准直，可以和附带的滤光片立方插件配合使用，该滤光片立方插件可以轻松替换进行分色镜/发射滤光套件。通过购买额外的单通道附加模块（PMTSS2-SCM），该双通道PMT模块可以最多被扩展为8个探测通道。这些PMT模块在我们的C共聚焦激光扫描显微系统中有专题介绍。对于只需要购买PMT的用户，我们提供不带滤光片模块和底座的PMTSS系列的多碱PMT探测器。该探测器带有C安装座内螺纹，可以直接兼容常用显微镜相机接口。这些PMT探测器附带一根电源线，用于连接用户自备的± 15伏电压和0.25 - 1伏的增益控制。探测器数据输出则由BNC接头输出。将一个PMTSS2双通道模块与额外的PMTSS2-SCM单通道模块相结合可以实现三通道探测。附带的滤光片模块可以实现荧光滤光片套件的简易插入和替换。雪崩探测器Thorlabs提供两种雪崩探测器。第一种是由Thorlabs的合作公司Menlo系统设计和制造的，该探测器能探测最高1GHz频率的信号。第二种是由本公司自己设计和制造的。两种探测器的探测波长范围从400纳米到1700纳米可选。Menlo Systems雪崩探测器 雪崩探测器 用于共聚焦荧光成像的光电倍增管 Related Products 概述 特性设计用于VCM-F共聚焦基础系统有单PMT和双PMT单元可供选择低噪声高灵敏度的镓砷磷PMT或标准灵敏度的多碱PMT选项光谱响应 300-720纳米，高灵敏度型号185-900纳米，标准灵敏度型号软件控制在附带的三种发射滤光片之间选择 带通：440 ± 40纳米带通：525 ± 50纳米长通：600纳米 Thorlabs提供两种不同的光电倍增管（PMT）单元，用于VCM-F共聚焦基础系统。PCU2A包含两个宽带，标准灵敏度的PMT模块。 PCUxB系列包含一个（PCU1B）或者两个（PCU2B）高灵敏度低噪声PMT模块（详细信息请看表格）。双PMT单元（PCU2A或者PCU2B）是使用基于VCM-F共聚焦基础系统进行多通道荧光成像的理想选择，因为它们可用ThorVCM软件完全控制。每个双PMT单元标配三种发射滤光片，能通过软件控制进行选择。用户可以在440/40带通滤光片和525/50带通滤光片之间，或者525/50带通滤光片和600纳米长通滤光片之间切换。需要其他发射滤光片，请联系我们的技术支持询问具体信息和价格。太赫兹该指南介绍了Thorlabs的太赫兹系列产品。我们目前提供的产品有THz天线/接收器安装座、THz天线和THz套件。太赫兹套装 太赫兹天线 太赫兹接收器安装座 CCD/CMOS相机Thorlabs提供一系列结构紧凑的CCD和CMOS面阵列相机，以及CCD线阵列相机。我们的CCD面阵列相机属于高端设备，提供外部触发输入。而对于不需要外部触发的应用，我们的CMOS相机是高性价比的替代方案。CCD和CMOS面阵列相机都有黑白或者彩色版本。这些相机与Thorlabs的MVL系列C接口相机镜头兼容。CCD线阵列相机提供外部触发输入，可用于自制光谱仪等应用中。CMOS相机，C形安装 CCD相机，C形安装 线性CCD相机 C形安装相机镜头 台式光电二极管放大器 Related Products 概述 特性阻抗光电流放大器整个动态范围内噪声极低分辨率高达10皮安的5位数字显示支持单点功率校准支持两种光电二极管极性（CG和AG）偏压可调输入放大器及光电二极管暗电流偏移补偿符合RoHS标准PDA200C型光电二极管放大器适用于很小光电二极管电流的超低噪声放大。可以提供从100纳安到10毫安满量程的六种电流范围，以及最10pA大的显示分辨率。该设备同时支持阴极接地（CG）以及阳极接地（AG）光电二极管。这种放大器可以在光伏或光导模式下工作。可调节的偏压提供更好的响应线性度和增强的频率响应。利用升级的PDA200C系列，我们的光电流放大器符合RoHS标准，此外，还改变了电流测量范围。其余的特性与以前的PDA200系列几乎相同。

单光子计数模块|硅APD探测模块SPDSi|Si-APD单光子探测器 单光子计数模块SPDSi是基于Si-APD的超灵敏光电探测器。探测波段覆盖200 -1060 nm，可工作在线性模式和盖革模式。盖革模式下增益超过60 dB。SPDSi特有的高性能主动抑制电路，可以实现连续的单光子探测，并且可加载任意宽度和周期的探测门。该电路实现了大于20 dB的雪崩抑制，从而将Si APD的性能发挥到最佳状态。在700 nm波段的探测效率超过60%，暗计数200-2000 cps，死时间小于50 ns。SPDSi标准型号的有效光敏探测面积最高可达500 um，单光子计数信号在模块内部转化为数字TTL信号，并通过SMA接口送出。高度集成的模块化设计便于OEM应用和工业集成。APD通过模块内部制冷工作在-20 ℃的低温环境下，以获得最佳的信噪比。制冷模块由高效的TEC控制。控制精度可达±0.2 ℃。技术特点： 高探测效率：65%@700 nm500 um光敏面积TTL数字信号输出低暗计数低后脉冲低时间抖动 应用领域： 荧光测量 激光测距量子通信 光谱测量光子关联 自适应光学 Fig1. 量子效率 Fig2. Si单光子探测器 Fig3. Si单光子探测器结构图 产品参数：参数规格 参数值单位供电电压*122 -28V供电电流0.5A光谱响应范围200 ----1060nm探测效率@200 nm@700 nm@850 nm@1060 nm 265453%暗计数200 -2000cps死时间50ns后脉冲3 - 8%时间抖动300 - 500ps饱和计数率*210Mcps光敏面积500umAPD制冷温度-20℃工作温度-15 - +50℃输出信号电平LVTTL 输出信号脉宽530ns门脉冲输入电平Disable=LVTTL lowEnable=LVTTL high 0-0.42 -3.3V产品说明：1.不正确的电压可能损坏模块，应保证接入电源不高于28V，并可提供足够电流。2.APD属于高灵敏光电探测器件，在雪崩状态下应控制输入光信号强度，过高的光强可能损坏APD，这种损害可能降低APD的探测灵敏度，严重时甚至会造成二极管击穿。3.在特殊的应用场景下，应保证模块的工作温度不超过50 ℃，过高的温度可能导致APD工作温度上升，从而引起暗计数水平升高。4.SPDSi的默认死时间为50ns。死时间设定会影响模块的最大计数率，当死时间设定在50ns时，最大计数率为10Mcps，如您的应用对死时间设定有特别要求，请在订购时与我们联系。5.同样，输出信号的脉宽也会影响最大计数率，典型脉宽为30 ns，如您的应用对输出信号有特别要求，请在订购时与我们联系。6.SPDSi支持空间和光纤接口接入。单光子探测器选型：

硅光电倍增（SiPM）高灵敏度中子探测器SiPM(Silicon Photo-multiplier,硅光电倍增探测器)是近年来逐渐兴起的一种用于光探测领域的光电探测器件。与传统的PMT(Photo-multiplier tube,光电倍增管)相比,它有着尺寸小、工作电压低、几乎不受磁场影响等优点,但其缺点是对环境温度变化较敏感。为了掌握SiPM性能指标随环境温度的变化规律,搭建了SiPM温度特性实验系统,通过改变环境温度来实时测量记录SiPM的雪崩临界电压和增益,从而定量得出SiPM的温度特性,并通过理论计算对实验数据进行分析。简单集成化探测系统取代过去He3探测组件可扩展性能 极高性价抗冲击和振动，特别适用于恶劣环境下

3543数字DR成像系统 3543数字DR成像系统，用于X-RAY成像；尺寸可选. 技术参数描述 GOS CsI 探测器类别 非晶硅 非晶硅 闪烁体 GOS CsI 图像尺寸 (mm) 350×427.28 350×427.28 像素矩阵 2560×3072 (14×17 in) 2560×3072 (14×17 in) 像素间距 (um) 139 139 A/D转换 (bits) 16 16 探测剂量 (nGy) 20 14 灵敏度 (LSB/uGy, RQA5) 375/395/415 525/553/581 线性剂量 (uGy, RQA5). 150 110 动态范围 (dB) 80/83.5/- 80/83.5/- 调制传递函数 @ 1.0 LP/mm 0.51/0.56/- 0.60/0.63/- 调制传递函数 @ 2.0 LP/mm 0.22/0.24/- 0.30/0.32/- 调制传递函数 @ 3.0 LP/mm 0.09/0.11/- 0.18/0.20/- 残影 (%, 300uGy, 60s) -/0.10/0.25 -/0.10/0.25 量子探测效率 @ 0.0 LP/mm (2.5uGy) 0.48/0.50/ - 0.70/0.72/- 量子探测效率 @ 1.0 LP/mm (2.5uGy) 0.30/0.32/ - 0.43/0.46/- 量子探测效率 @ 3.0 LP/mm (2.5uGy) 0.04/0.05/- 0.08/0.10/- 空间分辨率 (LP/mm) 3.6/3.6/- 3.6/3.6/- 采集时间 (s，有线) 1.0 1.0 采集时间 (s，无线) -/2.0/6.0 -/2.0/6.0 图像处理时间 (s，有线) 2.0 2.0 图像处理时间 (s，无线) -/2.3/6.3 -/2.3/6.3 X-射线工作范围 (kV) 40/-/150 40/-/150 平板存图 (幅) 20 20 电池待机时间(h，无线) 11.5/12.1/- 11.5/12.1/- 数据接口 千兆以太网/802.11n 千兆以太网/802.11n 功率 (W) 20 20 交流电源 (V) 100/-/240 AC 100/-/240 AC 交流电源频率 (Hz) 50/-/60 50/-/60 适配器输出电压 (V) 24 DC 24 DC 探测器尺寸 (mm) 383.0×460.0×15.0 383.0×460.0×15.0 探测器重量 (kg,不含线缆) 3.7±0.1 3.7±0.1 探测器外壳材料 碳板,铝合金 碳板,铝合金 探测器线缆长度 (m) 标准1m(最长8m) 标准1m(最长8m) 防水等级 IPX3 IPX3 存储温度 (º C) -20/-/55 -20/-/55 工作温度 (º C) 5/-/35 5/-/35 存储和运输湿度 (%RH) 10/-/75 10/-/75 工作湿度 (%RH) 10/-/75 10/-/75 承重(kg，均匀分布表面) 150 150 承重(kg，分布在4厘米直径的圆盘) 100 100

火焰探测器 UVTRON是一款紫外ON/OFF传感器管，利用了金属的光电效应和气体放电的电流倍增效应。它具有从185nm到300nm的极窄的灵敏度宽度，并且对可见光完全不敏感。因为利用了放电现象，它可以获得很高的灵敏度和足够大的输出，从而通过简单的电路就可以实现高灵敏度和快速响应的紫外探测。UVTRON能可靠地探测火焰的微弱紫外发光，从而可以将其理想地应用在火灾报警器，纵火监视，燃烧器的燃烧监控设备中。UVTRON还能用于探测诸如高压输电线路的放电等现象中。产品实例：产品图像产品型号产品名称短波限长波限 R2868火焰探测器(UVTRON)185 nm260 nm R9454火焰探测器(UVTRON)185 nm260 nm R9533火焰探测器(UVTRON)185 nm260 nmR2868参数：详细参数 短波限 185 nm 长波限 260 nm 电极材料 Ni 重量 约1.5 g [最大速率]供给电压(直流) 400 V [最大速率]平均放电电流 1 mA [最大速率]峰值电流 30 mA [最大速率]工作环境温度 -0.333333333 ℃ 开始放电电压(直流) 280 V 连续放电电压(直流) 240 V 灵敏度(典型值) 5000 min-1 背景值(最大值) 10 min-1 平均寿命 10000 h [推荐工作参数]供给电压(直流) 325 +/- 25 V [推荐工作参数]平均放电电流 0.3 mA [推荐工作参数]灭弧时间(最小值) 2 ms

仪器简介：锗红外探测器，覆盖光谱范围800nm-1800nm，不同探测面积及制冷温度可选，包括非制冷、半导体制冷及液氮制冷技术参数：Model Number Active Size Shunt Resist. Dark Current Max. Reverse Volt. Typical Capacitance Cutoff Freq. (dia.) RD@ VR = 10mV ID@ Max. VR 　 NEP@ lpeak CD @ Max. VR 　 　 　 　 　 　 and 300Hz @ VR = 0V and RL = 50W 　 (KW) (µ A) VR 　 　 　 　 (mm) Min. Typ. Typ. Max. (V) (pW/Hz1/2) (nF) (MHz) LOW CAPACITANCE OPTION ("HS") J16-18A-R250U-HS 0.25 400 600 0.1 3 10 0.15 0.02 400 J16-18A-R500U-HS 0.5 200 300 0.3 5 10 0.2 0.03 250 J16-18A-R01M-HS 1 100 200 1 5 10 0.3 0.15 50 J16-5SP-R02M-HS 2 25 50 4 10 5 0.6 0.6 12 J16-5SP-R03M-HS 3 15 30 7 20 5 0.8 1 8 J16-8SP-R05M-HS 5 10 15 10 40 5 1 3 2.5 J16-P1-R10M-HS 10 1 2 100 400 2 4 12 0.6 HIGH SHUNT RESISTANCE OPTION ("SC") J16-18A-R250U-SC 0.25 1400 2400 0.03 0.05 0.25 0.1 0.14 40 J16-18A-R500U-SC 0.5 700 1200 0.05 0.1 0.25 0.1 0.5 10 J16-18A-R01M-SC 1 250 350 0.1 0.2 0.25 0.2 2 2 J16-5SP-R02M-SC 2 80 120 0.2 1 0.25 0.4 8 0.5 J16-5SP-R03M-SC 3 35 60 0.5 5 0.25 0.6 14 0.2 J16-8SP-R05M-SC 5 14 20 1.5 10 0.25 1 36 0.1 J16-P1-R10M-SC 10 3 5 25 50 0.25 2 120 0.03 J16-P1-R13M-SC 13 1.5 2.5 50 100 0.25 3 200 0.02 STANDARD J16-18A-R01M 1 100 200 1 5 5 0.3 1 15 J16-5SP-R02M 2 25 50 4 10 5 0.6 4 4 J16-5SP-R03M 3 15 30 7 30 5 0.8 7 2 J16-8SP-R05M 5 10 15 15 50 5 1.4 18 0.8 J16-P1-R10M 10 1 2 100 400 2 3 60 0.1 J16-P1-R13M 13 0.5 1 250 800 2 4.5 100 0.07主要特点：在选择探测器时，主要考虑制冷温度以及探测面积两个主要因素： 1.制冷功能会降低暗噪声，但同时会造成阻抗的增加 2.较大探测面积会减小阻抗，但会增加暗噪声 对于低噪声要求比较苛刻的应用，可以选择小面积的探测器，同时为了增加感光的灵敏度，最好能够增加光学聚焦系统，用于光信号的收集。 除了以下常规温度的锗红外探测器，还可以提供标准半导体TE或液氮制冷的标准产品。

结冰探测创新之处 凝冰监测传感器IDS-20，有立方体形和棒状两种探测器，用于可靠精确的凝冰探测，适用于航空、风力发电厂、高压电线、电缆汽车、天线、架空电 线，街道，建筑等。为使用者提供冻雨防治，凝冰预警等多种功能服务。测量原理创新的冰传感器利用不同频率的空气、水和冰的不同物理特性。通过测量传感器周围介质的复杂阻抗，IDS-20能够区分水和冰，从而识别冰的形成。增加了数据质量自我检查冰的形成和增加取决于特定的气候条件，这些条件是由冰所附着的气温、湿度和表面温度决定的。 现在，IDC-20的独特和非常有价值的特点是它额外地考虑了气象数据，以便进行合理的检查:系统与冰传感器平行，测量空气温度和湿度，计算露点和霜点。然后，传感器系统将这些数据与测量的冰值一起进行合理性检查。因此，有可能在质量上增加测量的可靠性，提高冰的检测结果。特性及优势9 结冰及冻雨监测9 冰水混合态分析分辨9 结冰探测: 0.01 mm to 80 mm冰层厚度探测9 不同应用选用不同版本传感器，方形探测器及棒形探测器9 可靠的观测结果9 适用于现有或新系统安装9 不需要维护，低成本9 参数实测： 结冰 冻雨 露点，霜点空气温度和湿度9 分析：结冰次数和持续时间 IDS传感器，冰层测量传感器类型cube sensor 5cube sensor 1rod sensor 80 冰 层厚度测量范围0.1 ... 5 mm0.01 ... 1 mm1 ... 80 mm重量0.7 kg0.7 kg2.3 kg长度560 mm560 mm580 mm IDS传感器，气象测量露点-20 ... +20 °C冰点-20 ... +20 °C空气温度-40 ... +60 °C空气湿度0 ... 100 %重量0,715 kgs尺寸 (mm)310 x 120 x 165 (H x W x D) IDS控制器重量3.6 kg尺寸 (mm)318 x 208 x 132 (L x W x D)防水IP 66操作温度范围-40 ... 60 °C电源冰层探测器：10 ... 28 VDC | heating: 24 V AC/DC功率主动测量: 50 mA at 12 VDC | heating: max. 7 A at 24 V AC/直流输出Icing: SDI-12 RS 485 (Modbus)three relay-outputs: rain, ice, failure其他综合防雷 集成过压保护

仪器简介：Si PIN探测器按封装形式分为XPIN-XT和XPIN-BT两个系列。XPIN-XT系列包括探测器和前置放大器，成本低廉，封装形式多样；XPIN-BT系列则集成了温度控制和供电部分，既可配合Moxtek的MXDPP-200数字脉冲处理器使用，也可与用户自己的DPP配套。技术参数：产品指标 XPIN-XT系列XPIN-BT系列Si PIN探测器面积 6 mm2 或 13 mm2 6 mm2 或 13 mm2硅片厚度 625&mu m625&mu m铍窗厚度8&mu m 或 25&mu m8&mu m 或 25&mu m准直器材料W/Co/Ti/AlW/Co/Ti/Al能量分辨率 6 mm2 170eV FWHM 13 mm2: 230eV FWHM6 mm2 170eV FWHM 13 mm2: 230eV FWHM峰背比6mm2: 3600/1 @ 1keV (typical) 13mm2: 3000/1 @1keV (typical)6mm2: 3600/1 @ 1keV (typical) 13mm2: 3000/1 @1keV (typical)主要特点：1.能量分辨率高2.Be窗厚度薄3.探测器硅片更厚，计数率高4.尺寸小，梯形外形设计，结构紧凑5.封装形式多样

硅/硅微条探测器常用于带电粒子测量，当探测器在加有一定反向偏压并正常工作时，如果具有一定能量的带电粒子注入硅探测器，由于粒子对半导体材料的电离作用，会产生大量的电子空穴对。由于每产生一对电子空穴对需要的电离能是一定的（约为3 eV），因此产生的总的电子空穴对数目与粒子在探测器中损失的能量成正比。硅探测器对电离产生的电子空穴对进行收集，得到的电信号幅度就正比于粒子在探测器中的能量损失，可以准确的测量带电粒子能谱。同时，由于硅探测器对信号的时间响应较快，还可用于带电粒子的定时测量。硅微条探测器是在硅片表面通过蚀刻工艺，将硅片分割成多个独立的有效探测区域，通过不同的信号来源判断粒子位置和方向。硅/硅微条探测器广泛接受用户定制，根据用户需要提供合适的探测器。

实验室氮气探测器 氮气探测器产品信息详情实验室氮气探测器 氮气探测器产品信息详情 产品简介：一款智能型多功能气体探测仪器，【 】仪表采用高性能检测元器件和电脑微控制技术，结合先进的全自动贴装工艺制造而成，产品兼具现场蜂鸣指示音，现场闪烁指示灯等功能,并实时显示监控现场气体浓度。多功能点型气体探测器能将空气中气体浓度信号转化为电信号显示并远传，采用三线制4～20mA或者四总线RS485的输出方式，具有传输距离远、抗干扰性好等特点。气体探测器可使用于化工厂区、冶炼造纸、制冷消防、燃气餐饮、橡胶、污水处理、制药铸造、石油炼化、采矿电力、消防市政、通讯等需要防爆炸、防中毒、防窒息的工业环境中。【 】更多产品信息请登录如特安防网站：实验室氮气探测器 氮气探测器产品信息详情产品参数：探测原理：催化燃烧式 电化学式 红外线检测气体：可燃气体 液体蒸气TVOC 有毒有害 氧气采样方式：自然扩散测试范围：(0～100%)LEL 0-****PPM测量误差：满量程±3%LEL 状态指示：LCD指示调试方式：操控器 环境温度：-20℃～50℃(室内) -40℃～70℃(室外)相对湿度：95% 防爆等级：Ex d ⅡC T6 Gb 防护等级：IP65电 源：DC24V±10% 输出信号：4～20mA或者RS485安装锣纹：G1/2 使用电缆：≥1.5mm2×3 ≥1.5mm2×4探测器与主机间最大距离：≤1500m 实验室氮气探测器 氮气探测器产品信息详情 资质证书：防爆合格证、生产许可证、检验报告、型式认可证书等国家各项证书产品销往：山东-江苏-江西-河北-河南-浙江-辽宁-天津-甘肃-四川-广东-广西--福建-湖北-湖南-重庆-云南-安徽-宁夏-内蒙古-吉林-上海-贵州-新疆-陕西-山西等全国各地。产品售后服务:1、我公司生产的产品，质保期为自出厂之日起一年（人为因素和不可抗拒力除外）2、一般情况下传感器的使用寿命为：催化燃烧式传感器为2年，电化学式传感器为1年。传感器的实际使用寿命与工作环境有直接的关系，使用环境不同，传感器的寿命会发生变化。3、为确保产品性能的可靠性，我们建议用户，在使用期限内，定期对产品进行维护和校准。

仪器简介：砷化铟探测器提供不同级别半导体制冷，覆盖波长范围为1um-3.8um。砷化铟探测器还可提供优秀的脉冲响应，适合监控探测快速脉冲激光。技术参数：砷化铟探测器提供不同级别半导体制冷，覆盖波长范围为 1um-3.8um。不同于常规的光导型探测器，砷化铟为光伏型，不需要偏置电流主要特点：砷化铟探测器适用于直流或低频应用。砷化铟探测器还可提供优秀的脉冲响应，适合监控探测快速脉冲激光。主要应用包括： 激光预警 在线控制监测 温度传感器 脉冲激光监测 红外光谱 功率计

仪器简介：■ 砷化铟探测器（InAs）&mdash &mdash &mdash 近红外探测器 波长范围：1-3.8&mu m技术参数：主要技术指标型号/参数 DInAs3800 DInAs3800-TE光敏面直径(mm) 2 2波长范围(&mu m) 1-3.8 1-3.8峰值响应度(A/W) 0.8 1.5D*(@&lambda peak, 1KHz)cm Hz1/2W-1 2.5× 109 9.1× 1012NEP(@&lambda peak,1KHz)pW/Hz1/ 2 71 4.4温控器型号 - ZTC-2探测器温度(℃) 室温 -40温度稳定度(℃) - ± 0.5信号输出模式 电流 电流输出信号极性 正（P） 正（P）制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）推荐使用前置放大器型号：ZAMP主要特点：■ 砷化铟探测器（InAs）&mdash &mdash &mdash 近红外探测器 波长范围：1-3.8&mu mDInAs3800和DInAs3800-TE两种型号，其中：◆ DInAs3800内装进口常温型探测元件；◆ DInAs3800-TE内装进口TE制冷型探测元件。砷化铟探测器使用建议：● DInAs3800和DInAs3800-TE均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85做为前级放大并转换为电压信号，标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器；● 制冷型DInAs3800-TE砷化铟探测器，在制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）进行降温控制。

BOLOMETER探测器Bolometer是用于测量入射红外辐射的探测器。Bolometer探测器对热辐射非常敏感，主要用于10至5000μm（30THz至60GHz）的红外光谱。探测器核心是一个非常灵敏的热敏电阻，进行深度制冷以降低热背景。任何入射到探测器的热辐射都会引起温度变化，这将导致电阻变化并转化为电压差而被放大测量。因为Bolometer测量的是温度的变化，所以入射辐射必须经过调制，这允许Bolometer被能量激发和释放，从而进行与入射辐射的能量相对应的电阻变化的测量。Bolometer探测器对这种温度变化作出反应的速度取决于几个因素，如果需要，这些参数可以在系统订购时改变。所有复合硅Bolometer系统都安装在IRLabs的HDL-5型号液氦杜瓦瓶中，带有液氮冷却辐射屏蔽。4.2K系统的标准灌装间隔时间大于20小时，1.6K型号的标准灌装时间大于10小时。Bolometer探测器配有红外光收集锥组件、真空密封楔形窗、视场挡板和低噪声电子设备。并且，Bolometer系统可配红外截止滤光片或手动操作的2或3位置滤光片转轮。远红外长波通截止型滤波器，波长范围从10um到285μm。如果您的应用需要更长的保持时间、双探测器或更多的滤波器位置等，我们可以提供定制设计的系统，以满足您的个人需求。欢迎对定制设计提出特殊要求。应用领域：■ 傅里叶变换红外光谱 ■ 分子束光谱 ■ 强磁场研究 ■ 太赫兹探测关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。

双红外加紫外火焰探测器 MIC-200-UVIR2MIC-200-UVIR2火焰探测器结合了紫外和双红外探测技术，能提供快速、准确和可靠的火灾探测，且提高了对错误光源的抗干扰能力，能更远距离的有效探测火焰。MIC-200-UVIR2探测器依配备2个红外传感器和1个紫外传感器，具有反应速度快，灵敏度高优点。根据用户对灵敏度和延迟时间的设定，MIC-200-UVIR2探测器能有效地排除误报，且能适应在高危工业环境的应用。除一般应用外，特别适用于铁路机车灭火、军用装甲车辆及舰船的爆炸压制、氢气燃烧火焰。MIC-200-UVIR2探测器的防爆壳在户内和户外都能牢固而准确的安装，高亮LED可显示探测器的状态，其自动测试功能可保证探测器在任何时候都能充分发挥其功能。双红外加紫外火焰探测器特点：1、 紫外及红外探测原理组合，误报率低 2、 高速响应火焰 3、 内置高性能微处理器 4、 优异的抗射频和电磁干扰性能 5、 可靠的系统故障自诊断功能 6、 4-20mA、RS485、继电器三种输出方式可选 7、 专利信号处理算法，消除误报的可能性 8、 多级灵敏度设置，满足更多场合的不同需求9、 安装方便，探测角度可360°调节 10、 ExdⅡ CT6防爆等级，适用于1区和2区危险场所。双红外加紫外火焰探测器参数：

张经理气体报警控制器参数：1.概述 气体报警控制器，功能实用、操作方便，可以与 气体探测器配套组成工业用控制器为非防爆产品，应安装在非防爆场合，采用壁挂式安装。特点： ? 液晶显示，全中文菜单操作；? 单回路 2 总线通讯，信号无极性设计，具有自动保护功能，系统抗干扰能力强，布线经济，安装方便；? 自动故障检测，能准确指示故障部位及类型；? 可自动检索探测器类型和报警点，实现%LEL / ppm / %vol 多类型探测器在同一系统监控，无需设置；? 内置大容量数据存储，能记录 999 条报警信息、100 条开机时间信息以及 100 条关机时间信息，信息掉电不丢失；? RS485 总线通讯接口（选配，标准 Modbus/RTU 协议），能实现与上位机控制系统联网，实现异地监控，大大提高可监控的及时性、准确性；? 内置 2 组继电器触点信号输出，可联动控制排风扇或电磁阀等设备。联动信号可手动或自动输出。 SF6气体报警控制器 2.主要技术指标 安装方式：非防爆场合的壁挂式安装工作电压：主电：AC220V±15%,50-60Hz备电：36VDC/2.2AH功 耗：≤10W工作温度： 0℃～40℃工作温度： -10℃～50℃工作湿度： 10%RH～95%RH容 量：≤9信号传输：36V 无极性两总线连接线缆：≥RVS 2*2.5mm2(双绞线)信号传输距离：≤1000m报警声音：≥75dB报警方式：声、光报警声音报警：分故障报警，浓度报警两种不同的声音光 报 警：通过 LED 显示出系统状态（报警、故障）、电源状态（主电故障、备电故障、充电故障）联动输出：两组继电器输出（容量：5A/250VAC 或 5A/30 VDC）其中一组为保持型常开常闭，另一组脉冲型常开常闭；上位通讯接口：RS485 总线通讯接口（选配），支持 Modbus/RTU 协议）代码及含义：“E0” 显示板和输出板不通讯 “E1” 当前地址探测器传感器故障 “E2” 当前地址探测器通讯故障 “E3” 当前地址探测器存储芯片故障 “E6” 时钟芯片故障 “E7” 存储芯片故障 “E8” 连接探测器的回路短路OFF 探测器屏蔽重 量：1.8kg外形尺寸：288mm×220mm×86mm

DPe系列为常温型热释电探测器，适合经济型的测量，专门用于红外波段的光谱测量。热电元件由独特的薄膜热释电PZT材料组成，允许红外辐射被有源区域高效吸收。具有更高的灵敏度、更低的噪声、更好的频率响应以及更好的温度稳定性。热释电探测器使用建议：DPe系列热释电探测器必须配合锁相放大器，推荐使用DCS500PA。DPe系列热释电探测器的响应率与调制频率成反比，最优工作频率在低频（10HZ左右）区域。DPe系列热释电探测器为全波段响应的探测器，实际工作波长受窗口材料限制，可根据实际需要来选择合适的窗口。 频率响应曲线： 窗口透过率曲线： 光谱响应曲线： 常温型热释电探测器型号列表及主要技术指标：型号/参数DPe16DPe22工作区域面积（㎜2）1.65×1.651.65×1.65光敏面直径尺寸（㎜2）3.73.7窗口材料类型A4A3波长范围（μm）2-162-22信号输出模式电压电压响应率（V/W）12.75×1052.75×105典型值D* [cmHz1/2W-1] 14.32×1084.32×108NEP（W/Hz1/2）13.82×10-103.82×10-10反馈电阻（GOhm）1010反馈电容（fF）200±50 200±50 工作电压（V）±2.2～±8±2.2～±8环境温度（℃）-10～+50-10～+50输出信号极性正（P）正（P）备注125℃，10Hz，带宽1Hz黑体T = 500K；E = 38 W / m2不含窗口材料

产品说明产品型号：DAPD 5×5+ PCB-1550-100品牌：Amplification Technologies离散放大光子探测器阵列包含一个带有 25 个前置放大器的印刷电路板、一个二级 TEC制冷 和一个热敏电阻，主要应用于激光雷达系统、三维成像和环境监测。 产品特点：950 至 1650 nm 的近红外光谱响应使用低功率两级热电冷却器，阵列温度可稳定冷却至-30°C，可在大范围的环境温度下工作对所有25个阵列元件使用单个SMA连接器，使用单一的直流偏置非常高的增益，大约每光子10万个电子低噪声，低抖动，50Ω，射频模拟前置放大板极低的探测器噪声系数 参数/规格（在阵列温度-35℃，封装环境温度为22℃的条件下）参数DAPDNIR 5x5 Array 1550 系列100 μm Pitch单位有效面积尺寸500 by 500μm2有效面积单像素90 by 90μm2像素数25-光子探测效率@1550nm (PDE)115%光谱响应范围 (λ)950 – 1650nm单光电子增益 (M)1x105-过量噪声系数1.05-暗计数率(单像素)4MHz工作偏压60V上升时间(10% - 90%)750ps单放大通道恢复时间（-35°C）50ns每脉冲线性范围(10kHz，重复频率，单像素)1200Photons/pulse（1）光子探测效率包括后脉冲。

PhaseTech JackHammer 中频红外探测器PhaseTech JackHammer 中频红外探测器是一种用于高重复率中红外激光系统的强大检测系统，能够以非常低的噪声在高达100kHz的频率下进行炮对炮采集。PhaseTech JackHammer 中频红外探测器非常适合中红外瞬态吸收、泵浦探针和二维红外实验中的高信噪比数据收集。PhaseTech JackHammer 中频红外探测器主要参数：波长范围~3-10μm（1000-3333 1/cm）源激光重复率≤100 kHz像素数32-128外部通道每32个像素1个数字分辨率16位（65536计数）有效动态范围典型值。10000比1暗噪声（标准偏差）。6个计数PhaseTech JackHammer 中频红外探测器功能和特点：&bull shot to shot采集模式&bull 平均片上采集模式&bull LabViewTM控制和采集VI&bull 噪音极低&bull 外部通道采集&bull USB连接PhaseTech JackHammer 中频红外探测器主要应用：&bull 时间分辨红外光谱&bull 2D红外光谱&bull 2D电子红外光谱 超低噪音暗噪声比激光噪声低一个数量级。典型的暗噪声约为6次计数（标准偏差超过500次） 可与现有MCT探测器一起使用JackHammer 可与旧的MCT阵列配合使用-升级您的旧探测器，使其与新的100kHz激光器配合使用。 专为超快而设计JackHammer的电路设计由苏黎世大学的Peter Hamm教授博士开发。哈姆教授拥有数十年设计超快实验采集系统的经验。PT_JackHammer_100kHz_Datasheet.pdf

美国U2D公司基于微结构半导体中子探测器（MSND）技术的中子剂量计、中子能谱仪便携式包装中子能谱仪——中子源辐射的准确定位和识别新一代中子剂量当量仪——重量只有8磅，坚固耐用，比传统中子剂量仪测试更精准 这种中子探测器的产品应用：1）防扩散国土安全的中子源定位和识别2）辐射安全管理、核反应堆现场安全分析等各种核安全领域的中子剂量当量的精准测量 产品优势：微结构半导体中子探测器具有位置分辨率好、时间响应快、体积小、工作电压低等优点，同时也解决了平面型半导体中子探测器探测效率低的问题；这种最新技术的中子探测器

柱型图和图标多种方式 ★本地或远程传感器安装模式 ★可选的源型或漏型输出 , 也可单独使用 ★HARTTM 通讯标准协议 ,可远程诊断和控制 ★减少使用成本 ★全部操作可使用非接触型磁棒进行 ★毒气和氧气传感器可热插拔 ★耐用的催化燃烧和红外传感器 ★维护期间输出抑制信号 ★便于安装 ★集成墙面安装孔 , 也可选配管道安装套件 ★5xM25或 3/4”NPT标准电气接口 ★便于装卸的模块使接线更轻松 典型应用 ★海上油气平台 ★油气矿钻探 ★炼油厂 ★化工和石化装置★油气储运 ★气站 ★电厂 有效的气体检测系统通常需应用多种检测技术 , 包括点式可燃气探测器 ( 催化燃烧或红外型 ), 有毒气体和氧气电化学探测器 , 开路红外探测器等 ,XNX 提供了一个通用的变送器平台使所有这些探测器都可转化为标准的工业信号以满足各种不同的实际需求 , 当装置的信号需求发生变化时 ,XNX 可简便的调整为新的输出信号 , 同时 XNX可通过加入新的模块来满足未来可能产生的新的工业信号标准 , 一个通用的气体变送器平台为长期的使用带来很多益处 , 统一的工具和安装方法以及备件可降低安装维修成本 , 统一的操作模式学习起来更加简单 , 减少了培训时间的同时也降低了工作失误的风险 ,XNX 帮助你在需要的位置使用*合适的气体探测器而无需考虑信号问题 , 将各种探测器通过统一的平台转化为各种需要的信号模式。

仪器简介：雪崩光电探测器（APD） 产品特性： 高速响应达GHz 封装尺寸小：50 x 50 x 45 mm 400-1000 nm /850-1650 nm波长可选 增益连续可调：1x to 100x (ADP210) 1x to 10x (ADP310) SM05适配器 光电倍增管Photomultiplier Modules 产品特性： 两种波段可选：280 - 630 nm 或 280 - 850 nm 可提供倍增管接口组件 具有防静电和消磁作用 变换增益：阳极电流1 V/&mu A 链构型环形电极 封装与SM1螺纹匹配 封装含4个螺纹孔，与ER系列笼杆匹配 支杆可安装于3种不同组件 120V电源供应（230V可选） SMA输出技术参数：高速探测器Biased Detectors 产品特性： 宽光谱150 nm to 2.6 &mu m 高速响应1 ns~220ns 大面积光敏面Ø 1.0 mm~Ø 9.8 mm 可选的光纤适配器，方便光纤耦合输入 标准的BNC输出接口 内装A23 12V电池，使用方便，还可外接电源 带放大电路探测器Amplified Detectors 产品特性: 宽光谱150 nm to 4.8 &mu m 带宽高达150MHz 放大增益可固定，亦可调 0-10V电信号输出 大面积光敏面Ø 1.0 mm~Ø 9.8 mm 可选的光纤适配器，方便光纤耦合输出 标准的BNC输出接口 提供230 VAC外接电源主要特点：光纤耦合探测器Fiber Optic Detectors 产品特性： 宽光谱320 nm to 1700nm ps级高速响应，带宽1-8GHz 可提供带放大电路 FC/PC光纤接口，方便光纤耦合输入 标准的BNC输出接口 内装A23 12V电池，使用方便，可外接电源 平衡探测器Balanced Detectors 产品特性： 宽光谱320nm-1700nm 高带宽DC-350MHz 超低噪音 探测器类型：Si & InGaAs 可提供带放大电路 自由空间或尾纤输入 直接的探测器监视输出 含外接电源 增益可调和增益固定可选 应用： 光谱与波谱学: 外差检测 OCT系统 光学延迟测量 THz检测

SiPM单光子探测器硅光电倍增管（Silicon photomultiplier，简称SiPM)，是一种新型的光电探测器件，由工作在盖革模式的雪崩二极管阵列组成，SiPM单光子探测器具有增益高、灵敏度高、偏置电压低、对磁场不敏感、结构紧凑等特点。SiPM单光子探测器发明于二十世纪九十年代末，广泛应用于高能物理及核医学（PET）等领域，代表着未来极微弱光探测器的发展方向。SiPM单光子探测器主要参数：有效面积3mmX3mm像元尺寸15um微孔数量38800探测效率31% @ 430nm, ctrl=0.7V暗计数率125kHz/mm3串扰几率18%残留脉冲几率5%恢复时间15ns跨阻增益150V/A输出带宽12.5MHz偏置电压0-1V输入电压5VDC功耗350mW （typ.）外观尺寸40mm×50mm×19.8mm工作温度0-60oCSiPM单光子探测器应用图例：其他规格要求，可咨询上海昊量光电设备有限公司。更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。

仪器简介：位置灵敏探测器PSD (Position Sensitive Device) 属于半导体器件, 一般做成PN结构,具有高灵敏度、高分辨率、响应速度快和配置电路简单等优点。其工作原理是基于横向光电效应。作为新型器件, PSD 已经被广泛应用在位置坐标的精确测量上, 如: 兵器制导和跟踪、工业自动控制、或位置变化等技术领域上.技术参数：分节PSD 这类PSD的基底通常分成两节或四节（分别对应一维或二维测量）。如果光斑停在中心位置，对称的光斑会在所有的节上产生相等的光电流。通过简单测量各节的输出电流，可以得到相对的位置信息。由于各单元之间超强的响应匹配，它们提供的位置分辨率优于0.1um，精确度也比横向效应的PSD高。与横向效应PSD不同的是，分节PSD的位置分辨率与系统的信噪比无关，因此它可以探测非常微弱的光信号。横向效应PSD 横向效应PSD采用连续的平面扩散型光电二极管，没有条带或盲区。这类PSD直接读出整个有效区域下的光斑位移量。在探测器有效区域上，光斑的位置和密度信息与模拟输出量直接成正比，通过这一输出就可以获得位移量。照在有效区域上的光斑会产生光电流，光电流流过入射点，穿过电阻层，进入接触层。入射点与接触层之间的电阻与光电流成反比。当光斑正好照到器件中央位置，会产生相同的电流信号。当在有效区域上移动光斑，接触层产生的电流大小，会确定光斑正确的瞬态位置。这些电信号与从中心到光斑的位置成比例关系一维探测器从2.5*0.6mm2' ---60.0*3.0mm2' 可选，上升时间为0.3us---4.5us。二维探测器从2.0*2.0mm2' ---45.0*45.0mm2' 可选，上升时间为0.3us---7us。 另外，还提供带信号处理电路的高线性二维PSD探测器，面积可达10*10mm2' 。主要特点：分节PSD 展示了基于时间和温度条件下的超强稳定性，以及脉冲应用所需的快速时间效率。然而，它们也受一些因素的限制，比如光斑必须在任何时间叠加在所有的节上，它不能小于各节之间的条带宽度。同时，正确的测量、均匀的光斑密度分配也是很重要的。它们是调零应用和光束准直应用的优秀器件。分节PSD产品包括二像素系列，四像素系列，紫外增强型系列横向效应光电PSD的主要优势在于它们宽的动态范围。它们能测量到探测器边缘的所有光斑位置。它们与光斑形状、密度分布无关，而这一点会影响分节光电二极管的位置读取。输入的光束可以是任何的尺寸和形状，这是因为电气输出信号由光斑位置重心指示，而输出与到中心的位移量成正比。器件的位置分辨率优于0.5um。分辨率取决于探测器/电路信号与噪声的比值。一维PSD探测器 一维PSD探测出一个亮点移动在它的在一个唯一方向的表面。入射光引起的光电流流经设备，作为输入偏压电流被划分成二个输出电流。输出电流的分布显示出探测器的光斑的位置。二维PSD探测器在其的方形的表面上的一个入射光斑点位置。入射光引起的光电流流经设备，作为二个输入电流和二个输出电流。输出电流的分布显示一个维度(y)的光斑的位置和输入电流的分布显示另一个维度(y)的光斑的位置。