光敏二极管

各位大虾: 我看见有些紫外可见分光光度计用的检测器是光电二极管或硅光二极管,它们之间各自的特点是什么,各有什么优点?谁更好一些?现在用得比较多的是哪一个检测器? 谢谢您的回答.请参照：http://www.instrument.com.cn/bbs/shtml/20071107/1050063/

请问各位，液相中紫外检测器和二极管阵列检测器的灵敏度有很大差异吗？如果有，是原理上的不同造成的，还是由于仪器发展水平有限造成的呢？有点困惑，谢谢大家啊！

看到网上及论坛内不少说这两种是一样的，也有说是不一样的http://bbs.instrument.com.cn/shtml/20071107/1050063/硅光电池(硅光二极管)是一个大面积的光电二极管，它被设计用于把射到它表面的光转化为电能，因此，可用在光电探测器和光通信等领域。特点：当它照射光时会流过大致与光量成正比的光电流. 用途：1.作传感器用时,可广泛用于光量测定和视觉信息,位置信息的测定等. 2.作通信用时,广泛用于红外线遥控之类的光空间通信,光纤通信等. 3.紫蓝硅光电池是用于各种光学仪器，如分光光度计、比色度计、白度计、亮度计、色度计、光功率计、火焰检测器、色彩放大机等的半导体光接收器；紫蓝硅光电池具有光电倍增管，光电管无法比拟的宽光谱响应，它特别适用于工作在300nm-1000nm光谱范围的各种光学仪器对紫蓝光有较高的灵敏度、器件体积小、性能稳定可靠，电路设计简单灵活，是光电管的更新换代产品。目前也有可以使用到190-1100nm的产品,但紫外能量弱一些,光谱带宽不能太小,已经有很多厂家在紫外可见分光光度计上用了。 网上硅光电池是发电的硅光电二极管只要是用光来控制电流 本身几乎不发电另外光电二管管与硅光电二极管有什么区别？

[font=Calibri]PIN[font=宋体]二极管开关是最常用的开关二极管，通常由三个引脚组成，其中两个引脚用于控制电流开关，另一个引脚用作电路的接地装置。[/font][font=Calibri]PIN[/font][font=宋体]二极管开关的优点在于其速度快、低阻抗、灵敏度高等优点，可以在高频下快速控制电路，从而使[/font][/font][font=宋体]电源[/font][font=Calibri][font=宋体]电路的响应速度更快。[/font][/font][font=Calibri][font=宋体]反射型[/font]PIN[font=宋体]二极管开关是指具有至少一个反射表面的[/font][font=Calibri]PIN[/font][font=宋体]二极管开关。光学设备中的[/font][/font][url=https://www.leadwaytk.com/article/5271.html]MITEQ[/url][font=Calibri][font=宋体]反射式[/font][font=Calibri]PIN[/font][font=宋体]二极管开关具有转向光路、缩减仪器体积、改变图像的正反关系等等。[/font][/font]

我知道：紫外-可见光（UV-VIS）检测器　原理： 基于Lambert-Beer定律，即被测组分对紫外光或可见光具有吸收，且吸收强度与组分浓度成正比。很多有机分子都具紫外或可见光吸收基团，有较强的紫外或可见光吸收能力，因此UV-VIS检测器既有较高的灵敏度，也有很广泛的应用范围。由于UV-VIS对环境温度、流速、流动相组成等的变化不是很敏感，所以还能用于梯度淋洗。一般的液相色谱仪都配置有UV-VIS检测器。用UV-VIS检测时，为了得到高的灵敏度，常选择被测物质能产生最大吸收的波长作检测波长，但为了选择性或其它目的也可适当牺牲灵敏度而选择吸收稍弱的波长，另外，应尽可能选择在检测波长下没有背景吸收的流动相。　　二极管阵列检测器（diode-array detector, DAD）： 以光电二极管阵列（或CCD阵列，硅靶摄像管等）作为检测元件的UV-VIS检测器.它可构成多通道并行工作，同时检测由光栅分光，再入射到阵列式接受器上的全部波长的信号，然后，对二极管阵列快速扫描采集数据，得到的是时间、光强度和波长的三维谱图。与普通UV-VIS检测器不同的是，普通UV-VIS检测器是先用单色器分光，只让特定波长的光进入流动池。而二极管阵列UV-VIS检测器是先让所有波长的光都通过流动池，然后通过一系列分光技术，使所有波长的光在接受器上被检测。二极管阵列检测器可以获得全波长的样品信息，而且可以根据吸收光谱辅助定性。但相对来说，专门的紫外检测器灵敏度能高一些。二极管阵列检测器是检测的全波长，但是我做的产品需要打印特定波长下的谱图。现在我只会一个一个在离线下改波长。但我听说lc solution是可以在一开始做样前改方法的，不知道怎么弄，希望前辈能指点！谢谢！

快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（0.5-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100ns(纳秒)以下。 　 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--1.0V）、反向恢复时间很短（2-10ns纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。 肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒！ 　前者的优点还有低功耗，大电流，超高速！电特性当然都是二极管！快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 　肖特基二极管：反向耐压值较低(一般小于150V），通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 　 快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 　 快恢复二极管FRD（Fast Recovery Diode）是近年来问世的新型半导体器件，具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。超快恢复二极管SRD（Superfast Recovery Diode），则是在快恢复二极管基础上发展而成的，其反向恢复时间trr值已接近于肖特基二极管的指标。它们可广泛用于[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=27][color=#0000ff]开关电源[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=32975][color=#0000ff]电源模块V-60[/color][/url] 、脉宽调制器（PWM）、不间断电源（UPS）、交流电动机变频调速（VVVF）、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二极管或整流管，是极有发展前途的电力、电子半导体器件。 1．性能特点 1）反向恢复时间 反向恢复时间tr的定义是：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=38][color=#0000ff]整流器[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=4862][color=#0000ff]硅整流[/color][/url] 件性能的重要技术指标。反向恢复电流的波形如图1所示。IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流。Irr为反向恢复电流，通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时，正向电流I=IF。当t＞t0时，由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压，因此正向电流迅速降低，在t=t1时刻，I=0。然后整流器件上流过反向电流IR，并且IR逐渐增大；在t=t2时刻达到最大反向恢复电流IRM值。此后受正向电压的作用，反向电流逐渐减小，并在t=t3时刻达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。2）快恢复、超快恢复二极管的结构特点 快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受 很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。 20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看，可分成单管、对管（亦称双管）两种。对管内部包含两只快恢复二极管，根据两只二极管接法的不同，又有共阴对管、共阳对管之分。图2(a)是C 20-04型快恢复二极管（单管）的外形及内部结构。(b)图和(c)图分别是C92-02型（共阴对管）、MUR1680A型（共阳对管）超快恢复二极管的外形与构造。它们均采用TO-220塑料封装，主要技术指标见表1。 几十安的快恢复二极管一般采用TO-3P金属壳封装。更大容量（几百安～几千安）的管子则采用螺栓型或平板型封装形式。 2．检测方法 1）测量反向恢复时间 测量电路如图3。由直流电流源供规定的IF，脉冲[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=456][color=#0000ff]发生器[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=48158][color=#0000ff]SP1641B/1642B发生器[/color][/url] 经过隔直电容器C加脉冲信号，利用电子[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=293][color=#0000ff]示波器[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=18771][color=#0000ff]示波表190[/color][/url] 观察到的trr值，即是从I=0的时刻到IR=Irr时刻所经历的时间。 设器件内部的反向恢电荷为Qrr，有关系式trr≈2Qrr/IRM由式(5.3.1)可知，当IRM 为一定时，反向恢复电荷愈小，反向恢复时间就愈短。 2）常规检测方法 在业余条件下，利用[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=277][color=#0000ff]万用表[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=17373][color=#0000ff]绝缘万用表UT531[/color][/url] 能检测快恢复、超快恢复二极管的单向导电性，以及内部有无开路、短路故障，并能测出正向导通压降。若配以[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=283][color=#0000ff]兆欧表[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=14870][color=#0000ff]指针式兆欧表MIS-4A[/color][/url] ，还能测量反向击穿电压。实例：测量一只超快恢复二极管，其主要参数为：trr=35ns，IF=5A，IFSM=50A，VRM=700V。将万用表拨至R×1档，读出正向电阻为6.4Ω，n′=19.5格；反向电阻则为无穷大。进一步求得VF=0.03V/格×19.5=0.585V。证明管子是好的。 注意事项： 1）有些单管，共三个引脚，中间的为空脚，一般在出厂时剪掉，但也有不剪的。 2）若对管中有一只管子损坏，则可作为单管使用。 3）测正向导通压降时，必须使用R×1档。若用R×1k档，因测试电流太小，远低于管子的正常工作电流，故测出的VF值将明显偏低。在上面例子中，如果选择R×1k档测量，正向电阻就等于2.2kΩ，此时n′=9格。由此计算出的VF值仅0.27V，远低于正常值(0.6V)。更多技术论文请详见：[url=http://www.midiqi.com/][color=#810081]买电器网[/color][/url]（MIDIQI.COM） [url=http://www.midiqi.com/Knowledge/Index.asp][color=#810081]知识库[/color][/url]

在众多工业中，好多电子仪器仪表中，原先模拟电路已经淘汰，都采用了电子线路，众多电子元器中，二极管、三极管等十分广泛使用。比如说，智能数字显示表、智能氧化锆氧分析仪等，都采用数字线路。下边简要说明下，二极管的结构。晶体二极管的管芯是一个PN结，在管芯两侧的半导体上分别引出电极引线，其正极由P区引出，负极由N区引出，用管壳封装后就制成二极管。常用的晶体二极管是用硅或诸等半导体材料制成的，目前我过已系列化生产的硅二极管有2CP、2CZ、2CK等系列。二极管分为点接触型和面接触型。

一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件(MB95F128)。通常它包含一个PN结，有阳极和阴极两个端子。普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。例如，1N系列、2CZ系列、RLR系列等。

光二极管阵列检测器是一种对光子有响应的检测器。它是由硅片上形成的反相偏置的p-n结组成。反向偏置造成了一个耗尽层，使该结的传导性几乎降到了零。当辐射照到n区，就可形成空穴和电子。空穴通过耗尽层到达p区而湮灭，于是电导增加，增加的大小与辐射功率成正比。光二极管阵列检测器每平方毫米含有15000个以上的光二极管。每个二极管都与其邻近的二极管绝缘，它们都联结到一个共同的n型层上。当光二极管阵列表面被电子束扫描时，每个p型柱就连接着被充电到电子束的电位，起一个充电电容器的作用。当光子打到n型表面以后形成空穴，空穴向p区移动并使沿入射辐射光路上的几个电容器放电。然后当电子束再次扫到它们时，又使这些电容器充电。这一充电电流随后被放大作为信号。光二极管阵列可以制成光学多道分析器。

阵列二极管检测器一般用于什么呀？

很奇怪，我用EPA3050B消解稳压二极管的玻璃，居然铅含量高达25-50%，按ROHS豁免，它该豁免，但我怀疑稳压二极管的玻璃是真正的玻璃吗？EPA3050B消解其他的玻璃不可以，但为什么可以消解稳压二极管的玻璃呢？ 高手指点！谢谢

A diode array is a bank of many diodes. Each of these diodes cause electricity to flow in one direction. In the case of diodes which are sensitive to light, these diodes are termed photo diodes, hence the detector is a photodiode array detector (PDA). In HPLC Diode array detector (DAD) is a colloquial term for a PDA, it does not specify the parameter which causes the electricity to flow. The WaveQuest uses a different type of technology, which involves dynamic Absorbance detection technology, hence the term dynamic Absorbance detector (DAD). I am sorry, but the details of that technology are company confidential. 二极管是一种允许电流单向流动的设备。二极管阵列是一组二极管，每个二极管都只允许电子单向流动。有些二极管对光非常敏感，所有称为光电二极管photodiode，因此这种检测器称为光电二极管阵列检测器Photodiode array detector，PDA.液相色谱的Diode Array Detector（DAD）是PDA的口语化的表达方式，这种表达方式没有指明是什么因素导致电子的单向流动。

怎样区分二极管和三极管[em51]

在发表的文章时经常碰到检测限的问题，大家都说说紫外检测器和二极管阵列检测器在灵敏度、检测限区别有多大吧。有没有大概了数量级差，比如是2倍还是5倍。

X射线管的本质是一个在高电压下工作的二极管。我对电子学相关知识很http://simg.instrument.com.cn/bbs/images/default/em09506.gif无知，因此请大家普及二极管知识。

大家好，我想问一下大家什么是共阴极的激光二极管啊？就是说他的驱动电流和探测器共用一个阴极吗？

玻封二极管是不是只是玻璃豁免？以稳压二极管为例，引脚部分属不属于豁免呢？ 平时看到的都是整体测试报告，大家有拆分测试过吗？

最近领导说要买二极管阵列检测器，我只是听说，没有见过，不知什么原理，二极管个数对仪器是否重要？

晶体二极管是由一个PN结构成的具有单向导电性质的器件，它在正向导通时呈低阻，这个电阻称为晶体管的正向电阻，在反向偏置时呈高阻，这个电阻称为晶体管的反向电阻。总之，晶体二极管性能的好坏，依据单向导电性的测量来做简单的判断。 http://www.realchip.net/images/upload/Image/37d3d539b6003af3d2349ab2342ac65c1138b652.jpg 一、万用表在晶体二极管检测中的应用 1、普通二极管的检测 将万用表拨到电阻档的R*100或R*1K，将万用表的红、黑表笔分别接在二极管两端，若测得电阻比较小（几千欧以下），再将红、黑表笔对调后连接在二极管两端，而测得的电阻比较大（几百千欧），说明二极管具有单向导电性，质量良好。 如果测得二极管的正、反向电阻都很小，甚至为零，表示管子内部已短路；如果测得二极管的正反向电阻都很大，则表示管子内部已断路。 2、稳压二极管的检测 将万用表置于R*1K档，测量其正向电阻时，万用表的黑表笔接稳压二极管的正极，红表笔接稳压二极管的负极；测反向电阻时，两表笔的接法正好相反。一般正向电阻为几千欧到几十千欧，反向电阻为几百千欧以上。 3、发光二极管的检测 将万用表置于R*10k档，若测得的正向电阻在30KΩ之内，同时可以看到发光二极管的管芯有一个亮点，反向电阻值大于几百千欧，则表明被测发光二极管性能正常。二、检测二极管时应注意以下事项： 1、由于各电阻量程档的测试电流不尽相同，量程档越小，测试电流越大；反之，量程档越大，测试电流越小。为了被测元器件安全，必须正确选择合适的量程档。如果用万用表的小量程电阻档去测量小功率的元器件时，元器件会流过大电流，如果该电流超过了元器件所允许通过的电流，元器件可能会烧毁。另外，在大量程档，万用表内部电池电压较高，在测量耐压较低的元器件时，万用表不宜放置在大量程的电阻档上。 2、晶体二极管是非线性元器件，在用不同电阻档测同一只晶体二极管时，所测出的电阻值会有差异，这是由于各电阻档的测试电流不相同造成的，属于正常现象。

[B][center]英破解塑料激光二极管制造难题新材料在提高导电性能的同时不影响发光性能[/center][/B]　　英国帝国理工学院科学家在近期《自然• 材料》杂志上发表文章称，他们通过对一种被称为PFO的塑料材质的分子结构进行改进，最终解决了塑料激光二极管的制造难题。这意味着以塑料半导体作为材质的激光二极管有望很快应用于CD播放器等电子产品中。　　目前在各类电子产品中被广泛应用的激光二极管都是由无机半导体材料制成的，如砷化镓、氮化镓及其相关合金等。电流的正负电荷在激光二极管的材料内部相结合产生出激光发生需要的初始光，之后，初始光被驱动多次来回穿梭于半导体材料，并且每穿过一次光强都会增加，那么一段时间以后，一束发散性小、强度高、定向性好的激光束就产生了。　　在过去的20年里，尽管在有机分子半导体领域里也取得了很多的成就，例如一系列特别塑料的产生以及很多基于该类塑料的重要设备都得到了成功的应用，其中包括发光二极管、场效应晶体管以及光敏二极管等。然而，塑料激光二极管却在近十几年里没有取得任何的突破。直到现在，人们仍然普遍认为塑料半导体激光二极管几乎不可能生产出来，主要因为这一领域有一个重大阻碍：一种既可以维持足够大电流又可以提供有效初始光的塑料材质至今没有被发现或发明。　　现在，帝国理工学院的科学家们找到了符合要求的材料。他们对日本住友化学公司合成的、与蓝光塑料PFO密切关联的塑料进行了研究，通过轻微改变该塑料的化学结构生产出一种新型材料，可以比原材料多传递200倍的电荷却不会损耗它的发光效能，同时也提高了激光的产生能力。　　该研究小组带头人，帝国理工学院物理系多纳尔• 布拉德利教授说：“这是一次真正的突破。此前的研究大多是为电子设备和光电子设备设计聚合物，只涉及到加强材料的一种特质。然而，结果并不理想，因为当人们尝试去提高塑料半导体的发光性能时，导电性能会受到损害，而提高导电性能就会影响其发光性能。”　　研究小组成员保罗• 斯塔夫里诺补充说，对PFO结构的修改则使研究人员成功地协调了这两个先前水火不容的特性，这意味着塑料发光二极管将成为现实。　　塑料激光二极管的优势并不仅仅在于它的生产成本低廉以及其易整合的特性，它将比目前的激光二极管拥有更多优点。目前可用的激光二极管不能涵盖所有的可见光谱，这限制了显示器和分光镜的应用，而应用于波导和光学纤维的标准塑料则可以覆盖全部波长。这种新型塑料激光二极管也能够产生从近紫外到近红外的更广泛的波长。

请教各位HPLC高手有关光电二极管阵列检测器的原理.

晶体(4148)二极管是欧盟RoHS认证豁免零部件吗？如果是豁免的话，是那部分材料呢？谢谢。

最近实验室要向安捷伦购买一台1260的液相,带二极管阵列检测器,销售人员向我们提供了一个选择Agilent 1260 Infinity二极管阵列检测器(G4212B)和Agilent 1260 Infinity二极管阵列检测器(G1315D)请问G4212B和G1315D有什么区别吗？哪个更好用点？我们实验室主要检测食品的。希望各位大虾们多多指教！

有人用过二极管阵列检测器没？检测皮革中偶氮染料用二极管阵列检测器，波长有240nm，280nm，305nm，这个波长这么设置？哪位大侠知道，请指点，小弟先行多谢了！

现在市场上的发光二极管是否可靠，是否可以将单波长发光二极管直接作为发光光源进行光度法的测试？如果可以的话，作为接受部分的光电三极管怎样选择？谢谢！！