四探导定仪

四通道自动电位滴定仪 AT-710M介绍 自动电位滴定仪AT-710M是日本京都电子工业公司(KEM)zui的自动电位滴定仪，集成京都电子工业公司(KEM)自动滴定仪和卡尔费休水分仪多年的技术经验，是世界上先进的设计理念与特点优势之完美结合。具有智能的滴定管和智能的电极… 等技术参数外，另可扩充四通道的自动电位滴定仪AT-710B，或库仑法卡氏水分测定仪MKC-710B，或容量法卡氏水分滴定仪MKV-710B，执行四个样品同时进行分析的测试功能。 四通道自动电位滴定仪 AT-710M 主要特点:1. 采用大型8.4英寸彩色液晶触摸屏，操作控制。2. 同时控制四台自动电位滴定仪和卡尔费休水分测定仪。3. 智能滴定管单元，滴定剤的信息存储在芯片中。4. 智能化的电极电缆，记录存储电极的相关资讯。5. 新型的滴定管单元，可减少死体积和试剂使用量。6. 触摸屏透过无线蓝牙操作，更加安全且降低危险性。7. 用户权限设定功能，防止错误设置，管控方便。8. 同时记录两个不同的侦测电极，如pH和光度等。9. 测量结果可存储在U盘，可生成PDF实验报告。 四通道自动电位滴定仪 AT-710M 技术参数:名称和型号: 自动电位滴定仪AT-710M。仪器组成: MCU-710M+AT-710+螺旋桨或磁力搅拌器。测量范围: 电位: -2000.0mV～+2000.0mV，pH: -20.000～20.000pH，温度: 0～100°C。滴定方式: 自动控制，自动间歇，间歇，恒pH，石油中和价，COD，学习滴定。滴定方法: 标准方法120组，方法结合10组(多可结合5组标准方法)。滴定类型: 电位滴定(酸碱, 氧化还原, 沉淀)，光度滴定，极化滴定，电导滴定。终点判断: 全量(自动终点)，自动终点，设定终点，交叉点，自动终点/设定终点滴定。特殊应用: 测量电极电位(pH, mV)，酸解离常数(pKa)，同时记录双通道电位。输入设置: 触摸屏输入。显示: 8.4英寸彩色液晶屏，中/英/日/韩/俄/西/德/法八种语文，四个通道同时显示。计算: 浓度计算，统计计算(平均值，标准差，相对标准差)，自动输入空白值和滴定度。数据储存: 500组样品结果。GLP认证: 登记操作者/使用群组管理，滴定剂和电极记录管理。滴定管单元: 20mL玻璃滴定管附褐色保护套(标配)，选配: 10mL, 5mL或1mL。滴定管准确度: 20mL滴定管: ±0.02mL，重复性: ±0.01mL，解析度: 0.001mL。滴定管分辨率: 1/20,000。扩大器: STD: pH(mV), mV, 双通道(标配)，PTA/POT/CMT/TET(选配)。外部输出: RS-232C(打印机/电脑)，SS-BUS(多样品进样器)，ELE.(智能电极)，TEMP.C0MP.(滴定剂温度补偿)，USB(打印机/U盘/键盘/条码机/脚踏开关/USB集线器)，LAN(电脑)。扩充功能: 多四台测量单元，多10组滴定管驱动单元，多样品自动进样器CHA-600/CHA-700。使用环境: 温度: 5～35°C，相对湿度: 85%RH以下。电源: AC100～240V ±10%，50Hz/60Hz。耗电量: 主机: 约30瓦，打印机: 约7瓦。尺寸: 触摸屏: 225(W)×190(D)×42(H)mm，滴定单元: 141(W)×296(D)×367(H)mm。重量: 触摸屏: 约1.5公斤，滴定单元: 约4.0公斤。

AT-710M四通道旗舰型自动电位滴定仪Automatic Potentiometric Titrator 大型彩色液晶触控屏，提供滴定图形并实时显示测定结果。可连接4台滴定仪(包括710系列的电位滴定仪、卡尔费休水分仪)进行同步测量。滴定过程中可监测样品温度，以确保安全测量。自动滴定仪可以远程操作(例如在通风柜中进行滴定)。自动电位滴定仪是根据电位滴定法原理设计、用于容量分析的一种分析仪器。 电位滴定法的原理是: 选用适当的指示电极和参比电极与被测溶液组成一个工作电池，随着滴定剂的加入，由于发生化学反应，被测离子的浓度不断发生变化，因而指示电极的电位随之变化。在滴定终点附近，被测离子浓度发生突变，引起电极电位的突跃。因此，根据电极电位的突跃可确定滴定终点。AT-710M四通道旗舰型自动电位滴定仪 主要特点: 1. 采用大型8.4英寸彩色液晶触摸屏，操作控制。2. 同时控制四台自动电位滴定仪和卡尔费休水分测定仪。3. 智能滴定管单元，滴定剤的信息存储在芯片中。4. 智能化的电极电缆，记录存储电极的相关资讯。5. 新型的滴定管单元，可减少死体积和试剂使用量。6. 触摸屏透过无线蓝牙操作，更加安全且降低危险性。7. 用户权限设定功能，防止错误设置，管控方便。 8. 同时记录两个不同的侦测电极，如pH和光度等。9. 测量结果可存储在U盘，可生成PDF实验报告。AT-710M四通道旗舰型自动电位滴定仪 技术参数: 名称和型号: 自动电位滴定仪AT-710M。仪器组成: MCU-710M+AT-710+螺旋桨或磁力搅拌器。测量范围: 电位: -2000.0mV～+2000.0mV，pH: -20.000～20.000pH，温度: 0～100°C。滴定方式: 自动控制，自动间歇，间歇，恒pH，石油中和价，COD，学习滴定。滴定方法: 标准方法120组，方法结合10组(最多可结合5组标准方法)。滴定类型: 电位滴定(酸碱, 氧化还原, 沉淀)，光度滴定，极化滴定，电导滴定。终点判断: 全量(自动终点)，自动终点，设定终点，交叉点，自动终点/设定终点滴定。特殊应用: 测量电极电位(pH, mV)，酸解离常数(pKa)，同时记录双通道电位。输入设置: 触摸屏输入。显示: 8.4英寸彩色液晶屏，中/英/日/韩/俄/西/德/法八种语文，滴定仪水分仪四个通道同时显示。计算: 浓度计算，统计计算(平均值，标准差，相对标准差)，自动输入空白值和滴定度。数据储存: 500组样品结果。GLP认证: 登记操作者/使用群组管理，滴定剂和电极记录管理。滴定管单元: 20mL玻璃滴定管附褐色保护套(标配)，选配: 10mL, 5mL或1mL。滴定管准确度: 20mL滴定管: ±0.02mL，重复性: ±0.01mL，解析度: 0.001mL。 滴定管分辨率: 1/20,000。扩大器: STD: pH(mV), mV, 双通道(标配)，PTA/POT/CMT/TET(选配)。 外部输出: RS-232C (打印机/电脑)，SS-BUS(多样品进样器)，ELE.(智能电极)，TEMP.COMP.(滴定剂温度补偿)，USB(打印机/U盘/键盘/条码机/脚踏开关/USB集线器)，LAN(电脑)。扩充功能: 最多四台测量单元，最多10组滴定管驱动单元，多样品自动进样器CHA-600/CHA-700。使用环境: 温度: 5～35°C，相对湿度: 85%RH以下。电源: AC100～240V ±10%，50Hz/60Hz。耗电量: 主机: 约30瓦，打印机: 约7瓦。尺寸: 触摸屏: 225(W)×190(D)×42(H)mm，滴定单元: 141(W)×296(D)×367(H)mm。重量: 触摸屏: 约1.5公斤，滴定单元: 约4.0公斤。

1：四探针测试仪 四探针检测仪 四探针测定仪/四探针电阻率测定仪 型号：HARTS-8HARTS-8型数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。该仪器按照单晶硅物理测试方法家标准并参考美 A.S.T.M 标准而的，于测试半导体材料电阻率及方块电阻（薄层电阻）的仪器。仪器由主机、测试台、四探针探头、计算机等分组成，测量数据既可由主机直接显示，亦可由计算机控制测试采集测试数据到计算机中加以分析，然后以表格，图形方式统计分析显示测试结果。仪器采用了电子行、装配。具有能选择直观、测量取数快、度、测量范围宽、稳定性好、结构紧凑、易操作等特点。本仪器适用于半导体材料厂、半导体器件厂、科研单位、等院校对半导体材料的电阻性能测试。　术　　标 ： 测量范围 电阻率：10-5～105 &Omega .cm(可扩展)； 方块电阻：10-4～106 &Omega /□(可扩展)； 电导率：10-5～105 s/cm； 电阻：10-5～105 &Omega ； 可测晶片直径 140mmX150mm(配S-2A型测试台)； 200mmX200mm(配S-2B型测试台)； 400mmX500mm(配S-2C型测试台)；恒流源 电流量程分为1&mu A、10&mu A、100&mu A、1mA、10mA、100mA六档，各档电流连续可调数字电压表 量程及表示形式：000.00～199.99mV；　　　　 分辨力：10&mu V； 输入阻抗：1000M&Omega ； 度：± 0.1% ； 显示：四位半红色发光管数字显示；性、量程自动显示；四探针探头基本标 间距：1± 0.01mm； 针间缘电阻：&ge 1000M&Omega ； 机械游移率：&le 0.3%； 探针：碳化钨或速钢Ф0.5mm； 探针压力：5～16 牛顿(总力)；四探针探头应用参数 (见探头附带的合格证)模拟电阻测量相对误差( 按JJG508-87行) 0.01&Omega 、0.1&Omega 、1&Omega 、10&Omega 、100&Omega 、1000&Omega 、10000&Omega &le 0.3%± 1字整机测量相对误差(用硅标样片：0.01-180&Omega .cm测试)&le ± 5%整机测量标准不确定度 &le 5%计算机通讯接口 并口，速并行采集数据，连接电脑使用时采集数据到电脑的时间只需要1.5 秒（在 0.1mA、1mA、10mA、100mA量程档时）。连接电脑使用时带自动测量 能，自动选择适合样品测试电流量程；标准使用环境 温度：23± 2℃； 相对湿度：&le 65%； 无频干扰； 无强光直射；配置 四探针测试仪主机、探针台、四探针探头、 2：多种气体采样器/多种气体取样器/多种气体出样器（100ml） 型号：HAD/CZY-100产品介绍：主要用于检查空气中各种气体的含量。配合气体检测管使用。配套使用检测管的方法及优势：1、用砂片稍用力将检测管两端各划圈割印。2、用硅胶管套套住检测管上的箭头所端，沿切割印掰断，用同样方法掰断另端。3、用硅胶管套套住检测管上的箭头所端（防止漏气），插入所要检测标注的气体通道口上（稍用力插紧）。注意方向性，箭头方向代表气体流过方向。4、将所需检测的若干项的检测管，按以上方法均插好之后，接通电源，即可正常使用。5、调节所需检测气体对应的时间控制器，使其符合标（见附表）。6、检测结束，拔出检测管。7、手持检测管箭头朝下，并垂直于地面放在与目光基本不平的位置，观察管上颜色变化所刻度，既为被检测气体的浓度。 （1）双重优点：测量气体的检测管实际是将化学分析方法仪器化，是种定量、定性、定值的检测方式,具有化学分析和仪器分析的双重优点。（2）适应性好：检测管现有Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三种，从零点到几个PPM（10-6）到百分之几十，适用范围很大，为分析作提供了很大方便。（3）操作简便：为专业检验人员提供了很大的方便，操作人员按照使用说明书操作方法行测试即可。（4）使用安：使用时手动操作，无需要电源、热源，在有易燃易气体存在的场所能安使用。（5）分析速度快：由于操作方便，使得每次分析所需时间大为缩短，般仅需十几分钟即可得知结果，其分析速度是何化学分析和仪器方法不能比拟的。（6）测量度：在检测管含量标度的确定上模拟了现场分析条件，采用不同标准气标定，克服了化学分析中易带入的方法误差。同时减少了人为误差。 温馨提示：以上产品资料与图片顺序相对应。

最高温度 1650°c测量范围 0.1mΩ-100MΩ温度精度 ±0.25°c最快测量 6.4ms更多功能 高温四探针、退火高温I-V特性测试高温真空测量高温气氛测量高温烧结/退火高温四探针测量 消除电网谐波对采集精度的影响高温四探针测试仪采用直排四探针法设计原理测量。主要用于评估半导体薄膜和薄片的导电性能，参考美国 A.S.T.M 标准设计。重复性与稳定性更好，采用双屏蔽高频测试线缆，提高测试参数的精确度，同时抗干扰能力更强。本设备也可应用于产品检测以及新材料电学性能研究等用途。 搭配Labview系统开发的Huacepro软件，具备弹性的自定义功能，可进行介电温谱、频谱、升温速度、测量参数等设置，符合功能材料测试多样化的需求。电压、过电流、超温等异常情况以保证测试过程的安全；资料保存机制，当遇到电脑异常瞬时断电可将资料保存于控制器中，不丢失试验数据，设备重新启动后可恢复原有试验数据。 源测量仪器的精密耦合特点相对分立仪器具有许多优点。例如，它具有更短的测试时间，通过减少GPIB的流量并简化了远程编程接口。它还保护被测设备在偶尔过载、热失控等情况下不被损坏。电流源和电压源都可设置回读使器件测量完整性最大化。如果回读达到可编程容限的极限，那么该源就被钳位在此极限，从而提供错误保护。 华测系列阻抗分析仪是华测仪器电子事业部采用当前先进的自动平衡电桥原理研制成功的新一代阻抗测试仪器，为国产阻抗测试仪器的最新高度。也彻底超越了国外同类仪器，在测量10Hz-50MHz的频率瓶颈；解决了国外同类仪器只能分析、无法单独测试的缺陷；采用单测和分析两种界面，让测试更简单。得益于先进的自动平衡电桥技术，在10Hz-50MHz的频率范围可以保证0.05%的基本精度。 快达5ms的测试速度及高达50M的阻抗测试范围可以满足元件与材料的测量要求，特别有利于低损耗(D)电容器和高品质因数(Q)电感器的测量。四端对的端口配置方式可有效消除测试线电磁耦合的影响，将低阻抗测试能力的下限比常规端配置的仪器向下扩展了十倍。 消除不规则输入的自动平均值功能 更强数据处理及内部屏蔽华测近红外高温炉配合吉时利数字源表进行四探针电阻测量，让测试更加稳定可靠，吉时利数字源表系列专用于要求紧密结合源和测量 的测试应用。全部数字源表型号都提供精密电压源和电 流源以及测量功能。每款数字源表既是高度稳定的直流 电源也是真仪器级的6位半万用表。此电源的特性包括 低噪声、精密和回读。此万用表的功能包括可重复性高和低噪声。最终形成了紧凑、单通道、直流参数测试仪。 在工作时，这些仪器能用作电压源、电流源、电压表、电流表和欧姆表。源和阱（4象限）工作，0.012%基础测量精度（6位半分辨率）。 2线、4线电压源和测量感测1700读数/秒（4位半分辨率），通过GPIB通过/失效比较器用于快速提供高速感测线接触检查功能，在半导体、功能材料行业吉时利数字源表是适于特性析和生产测试等广泛应用的重要源表。目前国内高温加热大都为管式炉或马弗炉，主要原理为加热丝或硅碳棒对炉体加热，加热与降温过程速度慢，效率低下。也无法实现温度的高精度测量，加热区域也存在不均匀的现象，华测仪器通过多年研究开发了一种可实现高精度，高反射率的抛物面与高质量的加热源相配置，在高速加热及高速冷却时，具有良好的温度分布。 可实现宽域均热区，高速加热、高速冷却 ，用石英管保护加热试样，无气氛污染。可在高真空，高纯度气体中加热 。设备可组成均热高速加热炉，温度斜率炉，阶段加热炉。 它提高了加热试验能力。 同电阻炉和其他炉相比，红外线反射炉节省了升温时间和保持时间及自然冷却到室温所需时间，再试验中也可改写设定温度值。从各方面讲，都节省试验时间并提高实验速度。 同高频炉相比，不需特殊的安装条件及对加热试样的要求。同电阻炉一样安装简单，有冷却系统安全可靠。以提高试验人员的工作效率，实现全新的温度控制操作！高能量的红外灯和镀金反射方式允许高速加热到高温。同时炉体可配置水冷系统，增设气体冷却装置，可实现快速冷却。 1、高速加热与冷却方式高能量的红外灯和镀金反射方式允许高速加热到高温。同时炉体可配置水冷系统，增设气体冷却装置，可实现快速冷却。2、温度高精度控制近红外镀金聚焦炉和温度控制器的组合使用，可以精确控制样品的温度(远比普通加温方式)。此外，冷却速度和保持在任何温度下可提供高精度。3、不同环境下的加热与冷却加热/冷却可用真空、气氛环境、低温（高纯度惰性气体 静态或流动），操作简单，使用石英玻璃制成。红外线可传送到加热/冷却室。 更强的扩展能力，实现一机多用█ 多功能真空加热 炉，可实现高温、真空、气氛环境下电学测试 █ 采用铂金材料作为测量导线、以减少信号衰减、提高测试精度 █ 设备配置水冷装置，降温速度更快、效率更高█ 可实现高温下四探针电阻谱等测量功能█ 进口温度传感器、PID自动温度控制，使测量温度更精准█ 近红外加热，样品受热更均匀，不存在感应电流，达到精准测量█ 10寸进口触摸屏设计，一体化设计机械结构，更加稳定、可靠 █ 采用进口高频测试线，抗干扰能力更强，采集精度更高█ 99氧化铝陶瓷绝缘，配和铂金电极夹具█ huace pro 强大的控制分析软件与功能测试平台系统相互兼容温度范围： RT-800 (最高1650)°C 控温精度：±0.25°C 升温斜率：10°C/min（可设定） 测试范围 : 0.1mΩ-100MΩ 加热方式：近红外加热 冷却方式：水冷 输入电压：110~220V 样品尺寸：φ＜25mm，d＜4mm 电极材料：碳化钨针 夹具辅助材料：99氧化铝陶瓷 测量方式：直接四探针 测试功能：I-V、R-T等 数据传输：4个USB接口 设备尺寸：600x500x350mm动态测量范围：电流：10pA to 10A 电压：1µ V to 200V四象限工作 0.012%的精确度，5&half 的分辨率 可程控电流驱动和电压测量钳位的 6位线电阻测量 在4&half 数位时通过GPIB达1700读数/秒 可选式接触检查功能

星帆仪器是一家专注于推进激光诱导击穿光谱 (LIBS) 技术及其商业化的 LIBS 公司，星帆仪器携手众多的行业专家在该领域进行原创研发，拥有多项知识产权。 第一代 Vela 手持式 LIBS 分析仪于 2018 年推出。第二代手持 Pegasus™ LIBS 碳分析仪于 2021 年推出。 Pegasus™ LIBS 碳分析仪专门用于测量各种钢中的碳含量。 它满足了各种合金加工和制造应用的期待已久的现场碳分析要求，例如材料质量控制、积极的材料识别和分类。 例如，它能够测量L级不锈钢以及合金钢和碳钢中的低碳含量。 LIBS 光谱仪与原子发射光谱仪非常相似。 用于元素的定性和定量光谱分析。 当高功率脉冲激光聚焦在测试样品的表面时，少量材料将被烧蚀并激发以产生等离子体羽流。 在激光脉冲结束时，等离子体迅速扩散并冷却。 在此期间，处于激发态的原子和离子从高能态迁移回低能态，并发出具有特定波长的特征光辐射。 用灵敏的光谱仪分析发射光谱，可以得到材料中元素的种类和相应的含量。 LIBS技术被称为“未来化学分析之星”，因为它不需要样品制备，几乎无损、快速、安全的多元素分析，特别适用于碳、锂、硅等轻元素检测 。 在碳测量应用中，氩气是最重要的耗材之一。Pegasus™ 配备使用微型的一次性氩气筒，可以进行大约 200 次测量。 Pegasus™ 内置的高清摄像头可以帮助定位理想的测试点。许多表面需要在测试前进行准备。使用内置摄像头，用户只需研磨一个便士大小的小点，仍然可以轻松定位，省时省力。 便携式蓝牙打印机是一个有用的附件，是 Pegasus™ 的独特之处。它可以在几秒钟内直接打印测试结果。将带背胶的热敏打印纸放在被测材料上作为醒目的记录。 Pegasus™ 附带免费的 Velainstruments™ 软件，它提供了强大的工具来下载测试数据、编辑等级库、生成测试报告和编译校准文件。对于高级用户，它提供了非常有用的附加功能来满足他们的专业要求。 Pegasus™ 手持LIBS 碳分析仪的重量约在1.8KG以内，机身纤薄小巧，手持部分采用人体工学设计非常适合长时间的操作，高效便捷，游刃有余。 Pegasus™ 手持LIBS 碳分析仪的生产基地放在了中国，所以我们可以给客户提供优异的产品性价比及完美的售后维护服务体验。

四探针测试仪产品名称：四探针测试仪产品型号：HCTZ-2S品牌：北京华测 一、产品介绍HCTZ-2S四探针测试仪器是运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。用于测试半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)的专用仪器。仪器由主机、测试台、四探针探头、计算机等部分组成，测量数据既可由主机直接显示，亦可由计算机控制测试采集测试数据到计算机中加以分析，然后以表格，图形方式统计分析显示测试结果。HCTZ-2S双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器利用电流探针、电压探针的变换，采用两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，也可应用于产品检测以及新材料电学性能研究等用途。四探针软件测试系统是一个运行在计算机上拥有友好测试界面的用户程序，通过此测试程序辅助使用户简便地进行各项测试及获得测试数据并对测试数据进行统计分析。测试程序控制四探针测试仪进行测量并采集测试数据，把采集到的数据在计算机中加以分析，然后把测试数据以表格，图形直观地记录、显示出来。用户可对采集到的数据在电脑中保存或者打印以备日后参考和查看，还可以把采集到的数据输出到Excel中，让用户对数据进行各种数据分析。二、四探针测试探头1、使用几何尺寸十分精确的红宝石轴承，量具精度的硬质合金探针，在宝石导孔内运动，持久耐磨，测量精度高、重复性好。A.探头间距1.00㎜B.探针机械游率：±0.3%C.探针直径0.5㎜ D.探针材料：碳化钨，常温不生锈E探针间及探针与其他部分之间的绝缘电阻大于109欧姆。 2、手动测试架手动测试架探头上下由手动操作，可以用作断面单晶棒和硅片测试，探针头可上下移动距离：120mm，测试台面200x200(mm)。 三、产品应用HCTZ-2S四探针测试仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料在高温、真空及气氛条件下测量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，配备10英寸触摸屏，软件可保存和打印数据，自动生成报表；本仪器可显示电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度、电导率，配备不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购。四、产品特点 1.TVS瞬间抑制防护技术：光耦与隔离无非是提高仪器的采集的抗干扰处理,对于闪络放电过程中的浪涌对控制系统的防护起不到作用。华测的TVS瞬间抑制防护技术，将起到对控制系统的jue对防护。 2.本仪器的特点是主机配置三个数字表，在测量电阻率的同时，一块数字表适时监测全程的电流变化，及时掌控测量电流，一块显示2、3探针间的测量电压，另一块是显示当前1、4探针测量使用的电压，可以适当调整测量电压避免材料耐压不够而电压击穿被测材料。 3.主机还提供精度为0.05%的恒流源，使测量电流高度稳定。本机配有恒流源开关，在测量某些薄层材料时，可免除探针尖与被测材料之间接触火花的发生，更好地保护薄膜。采用低通滤波电流检测技术以保证采集电流的有效值，以及电流抗干扰的屏蔽。 4.探针采用碳化钨硬质合金，硬度高、常温不生锈，探针游移率在0.1～0.2%。保证了仪器测量电阻率的重复性和准确度。本机如加配测量软件，测量硅片时可自动进行厚度、直径、探针间距的修正，并计算、打印出硅片电阻率、径向电阻率的zui大百分变化、平均百分变化、径向电阻率不均匀度，给测量带来很大方便。软件平台5.HCTZ-800系统搭配Labview系统开发的hcpro软件，具备弹性的自定义功能，可进行电压、电流。6.仪器通过USB转RS232连接线与电脑连接，软件可对四探针电阻率测量数据进行处理并修正测量数据，特定数据存储格式，显示变化曲线，兼容性：适用于通用电脑7.测试系统的软件平台hcpro，采用labview系统开发，符合导体、半导体材料的各项测试需求，具备强大的稳定性和安全性，并具备断电资料的保存功能，图像资料可保存恢复。兼容XP、win7、win10系统。五、软件功能具有试验电压设置功能；可选择试验标准可选择是否自定义或自动试验截止条件：时间/电压/电流 语音提示:可选择是否语音提示功能。统计报告：可自定报表格式可生出PDF、CSV、XLS文件格式分析功能：可对测试的数据进行统计。zui大/最小值、平均值等。 六、技术参数测量范围电 阻：1×10-4~2×105Ω， 分辨率：1×10-5~1×102Ω电阻率：1×10-4~2×105Ω-cm， 分辨率：1×10-5~2×102Ω-cm方 阻：5×10-4~2×105Ω/□， 分辨率：5×10-5~1×102Ω/□数字电压表量程：20.00mV~2000mV误差：±0.1%读数±2字数控恒流源量程：0.1μA，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100mA,1A误差：±0.1%读数±2字四探针探头碳化钨探针：Ф0.5mm，直流探针间距1.0mm，探针压力：0~2kg可调薄膜方阻探针：Ф0.7mm，直流或方形探针间距2.0mm，探针压力：0~0.6kg可调 七、注意事项1、仪器操作前请您仔细阅读使用说明书，规范操作2、轻拿轻放，避免仪器震动，水平放置，垂直测量3、仪器不使用时请切断电源，连接线无需经常拔下，避免灰尘进入航空插引起短接等现象4、探针笔测试结束，套好护套，避免人为断针

硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.导体材料电阻率测试仪GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯ 0.8N两种。以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。但凡注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括订正的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件，其新版本适用于本标准。GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的规定。样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士5"，测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。

导体材料电阻率测试仪GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯ 0.8N两种。以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。但凡注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括订正的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件，其新版本适用于本标准。GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的规定。样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士5"，测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.

本超声探伤仪检定/校准系统是专为JJG746-2024《超声探伤仪检定规程》量身定制的一款计量标准器，完全满足2024版要求超声探伤仪检定装置：频率范围至少覆盖 20kHz～30 MHz，频率准确度优 于 5×10-4；总衰减范围不小于101 dB，至少有 10 dB、1 dB 和 0.1dB 三种衰 减步级；衰减误差为±（0.5%A + 0.02）dB，其中 A 为衰减量；测量带宽不小 于 200MHz，幅度测量不确定度优于 3%（k=2），时间测量不确定度优于 0.2% （k=2）。

四探针 四点探针 四探针测试仪 四探针太阳能硅片电阻率测试仪光伏测试专用美国ResMap四点探针CDE ResMap的特点如简述如下: * 高速稳定及专利自动决定范围量测与传送,THROUGHPUT高 * 数字方式及每点高达4000笔数据搜集,表现良好重复性及再现性 * Windows 操作接口及软件操作简单 * 新制程表现佳(铜制程低电阻率1.67m&Omega -cm及Implant高电阻2K&Omega /□以上,皆可达成高精确度及重复性) * 体积小,占无尘室面积少 * 校正简单,且校正周期长 * 可配合客户需求,增强功能与适用性 * 300mm 机种可以装2~4个量测头,并且可以Recipe设定更换CDE　ResMap&ndash CDE　公司生产之电阻值测试系统是以四探针的工艺，以配合各半导体成光伏生产厂家进出之生产品质监控，超卓可靠又简易操作的设备是半导体及光伏生产厂家不可缺少的。 主要特点： 测量范围广,精度高,稳定性好,功能齐全强大,软件好用,维修成本低,服务好,配件齐全...美国进口四探针电阻率测试仪(4PP)/方块电阻测试仪/太阳能光伏扩散薄层电阻测试仪（Four point probe(4PP)）设备名称: 四点探针电阻仪 (CDE ResMap)主机厂牌、型号与附件: CDE ResMap规格:1. Pin material: Tungsten Carbide.2. Pin compression force Typically 100 gm to 200 gm.3. 样品尺寸: 2吋至6吋晶圆 (表面须为平整的导电薄膜，半导体材料)设备用途: 导电薄膜的电阻值分布测量，半导体，光伏特点：1）针尖压力一致2）适用于各种基底材料3）友好的用户界面4）快速测量5）数据可存储 应用：1）方块电阻2）薄片电阻3）掺杂浓度4）金属层厚度5）P/N类型6）I/V测试

本超声探伤仪检定/校准系统是专为JJG746-2024《超声探伤仪检定规程》量身定制的一款计量标准器，完全满足2024版要求：超声探伤仪检定装置：频率范围至少覆盖 20kHz～30 MHz，频率准确度优 于 5×10-4；总衰减范围不小于101 dB，至少有 10 dB、1 dB 和 0.1dB 三种衰 减步级；衰减误差为±（0.5%A + 0.02）dB，其中 A 为衰减量；测量带宽不小 于 200MHz，幅度测量不确定度优于 3%（k=2），时间测量不确定度优于 0.2% （k=2）。

四探针低电阻率测试仪技术参数：1.电阻率：10-5～2×106Ω-cm2.电 阻：10-5～2×106Ω3.电导率：5×10-6～105ms/cm4.分辨率： 小0.1μΩ测量误差±（0.05%读数±5字）5.测量电压量程： 2mV 20mV 200mV 2V 测量精度±（0.1%读数）6.分辨率： 0.1uV 1uV 10uV 100uV7.电流输出：直流电流 0～1000mA 连续可调，由交流电源供电。量程：1μA，10μA，100µ A，1mA，10mA，1000mA, 误差：±0.2%读数±2字8.显示方式：液晶显示电阻值、电阻率、电导率值、温度、压强值、单位自动换算9.传感器压力：200kg (其他规格可以定制)10.粉末测量装置 模具：内径10mm；高：25mm；加压方式：手动液压加压/自动加压方式（选购）11.电源：220±10% 50HZ/60HZ12.主机外形尺寸：330mm*350mm*120mm13.净重量：约6kg14.标配外选购：1）.标四探针低电阻率测试仪本标准修改采用SEMIMF84-1105《硅片电阻率测定四探针法》和SEMIMF397-1106《硅棒电阻率测定两探针法》。本标准与SEMIMF84-1105和SEMI MF 397-1106相比,主要变化如下:--中厚度修正系数F(W/S)表格范围增加 一按中文格式分直排四探针法、直流两探针法进行编排。本标准代替GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》和GB/T 1552-1995《硅、锗单品电阻率测定直排四探针法》。本标准与GB/T 1551-1995和GB/T 1552-1995相比，主要有如下变化:一一删除了锗单晶测定的相关内容 一用文字描述代替了原标准GB/T 1551-1995和GB/T1552-1995中的若干记录测试数据的表格 --修改了直排四探针法中计算公式 --补充了干扰因素。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。本标准起草单位:信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所。本标准主要起草人:李静、何秀坤、张继荣、段曙光。本标准所代替标准的历次版本发布情况为:--GB1552-1979、GB1551--1979、GB5251--1985、GB5253-1985、GB 6615-1986 GB/T 1551-1995、GB/T1552--1995。四探针低电阻率测试仪1范围本方法规定了用直排四探针法测量硅单晶电阻率的方法.本方法适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍的硅单晶体电阻率以及测量直径大于探针间距10倍、厚度小于探针间距4倍的硅单晶圆片的电阻率。本方法可测定的硅单晶电阻率范围为1X10-Ω・ cm~3X10' Ω.cm.2环境要求环境温度为23℃±1℃,相对湿度不大于65%。3干扰因素3.1光照可能严重影响观察电阻率,特别是近似本征材料。因此,所有测试应在暗室进行,除非是待测样品对周围的光不敏感。3.2当仪器放置在高频于扰源附近时,测试回路中会引入虚假电流，因此仪器要有电磁屏蔽。3.3试样中电场强度不能过大,以避免少数载流子注入。如果使用的电流适当,则用该电流的两倍或一半时,引起电阻率的变化应小于0.5%。3.4由于电阻率受温度影响,一般测试适用温度为23℃±1 ℃.3.5对于厚度对测试的影响,仲裁测量要求厚度按本方法的6.3规定测量,一般测量用户可以根据实际需要确定厚度的要求偏差。3.6由于探针压力对测量结果有影响,测量时应选择合适的探针压力。3.7仲裁测量时选择探针间距为1.59mm,非仲裁测量可选择其他探针间距。4方法提要排列成一直线的四根探针垂直地压在距离边缘6mm以上的平坦试样表面上,将直流电流I在两外探针间通入试样,测量内侧两探针间所产生的电势差V,根据测得的电流和电势差值,按式(1)计算电阻率。对圆片试样还应根据几何修正因子进行计算。测量示意图见图1.p=2xs￥..…………--…(1)式中:一电阻率,单位为欧姆厘米(Ωcm) V-测得的电势差,单位为毫伏(mV) I一通入的电流,单位为毫安(mA) S一探针间距,单位为厘米(cm).四探针低电阻率测试仪直排四探针测量示意图5测量仪器5.1探针装置由以下几部分组成。5.1.1探针用钨,碳化钨或高速钢等金属制成,针尖呈圆锥型,夹角为45°~150*,尖端初始标称半径为25 μm~50 μm。5.1.2探针压力,每根探针压力为1.75 N士0.25 N或4.0N±0.5N,分别用于硅单晶棒的电阻率测量,也可选择其他合适的探针压力。5.1.3绝缘性,一探针(包括连接弹簧和外部引线)与任何其他探针或装置任一部分之间绝缘电阻大于10’Ω.5.1.4探针排列和间距,四根探针的尖端应成等间距直线排列。仲裁测量时,探针间距(相邻探针之间的距离)标称值应为1.59mm。其他标称间距如1.00mm和0.6mm用于非仲裁测量,探针间距按7.2测定。5.1.5探针架,能在针尖几乎无横向移动的情况下使探针下降到试样表面.5.2电学测量装置由下列几部分组成。5.2.1任何满足7.1.6要求的电路均可用来进行电学测量。推荐电路(见图2)包括下述几部分。电位选择开关恒流源标准电阻数字电压表0.001mA一100mA电流选择开关探针装置圈2推荐电路图5.2.2恒流源,电流范围为10-'A~10-*A,纹波系数不大于士0.1%,稳定度优于士0.05%。5.2.3电流换向开关。5.2.4标准电阻,0.01 0~100000Ω.0.05级.5.2.5双刀双掷电位选择开关,图2推荐电路需要这一开关来选择测量标准电阻或试样上电势差。5.2.6数字电压表,可用来测量以毫伏为单位的电势差或者连同电流源一起校准到能直接读出电压-电流比值。测量满量程为0.2mV~50mV,分辨率为±0.05%(3&half 位有效数字),输入阻抗大于10°倍试样电阻率。如试样电阻率仅限定在某一数值范围内,一个较小满量程范围就足够了。5.3样品架/台,用于固定试样的合适夹具。5.4散热器,用一直径至少为100 mm,厚为38 mm的铜块来支撑圆片试样和起散热器作用(图3)。它应包括一个容纳温度计的小孔,使温度计能放置在离试样10mm范围内的散热器中心区。散热器上放一片10 μm~25μm厚的云母片,使试样和散热器电绝缘。在云母片和铜块间、温度计孔中填充矿物油活动有机硅散热以减少热阻。散热器安放应能使探针尖端阵列中心在试样中心的1mm以内。散热四探针低电阻率测试仪GB/T 1551-2009器应与电学测量装置的接地端相连接。为了迅速对准试样中心,可在散热器表面加工一个与铜块同心的浅圆环。一样品云母片38mm温度计100mm图3带有样品、云母片和温度计的散热器5.5 研磨或喷砂设备,用以提供平坦的试样表面。研磨设备应能将圆片试样研磨到厚度变化不大于试样中心处厚度值的±1.0%，5.6机械或电子厚度测量仪,能测量试样不同位置的厚度,精度优于±1.0%。5.7千分尺或游标卡尺,分辨率优于士0.05 mm。5.8微移动机构,能以0.05 mm~0.10mm增量使探针装置或硅表面以垂直于探针尖端连线方向并平行于硅表面移动。5.9 工具显微镜,分辨率为1μm。5.10显微镜至少放大400倍。5.11温度计或其他测温仪器0℃~40℃,分度值为0.1℃。5.12欧姆计,能指示大于10°Ω绝缘电阻。5.13超声波清洗器,具有适当频率(18 kHz~45 kHz)和功率。5.14化学实验室器具(如塑料烧杯、量筒、处理和清洗酸及其蒸气所需的设备等)。6试样制备6.1 试样用W14#(粒径为10μm)金刚砂研磨上下表面,保证无机械损伤、无沾污物。6.2在不包括参考面或参考缺口的圆周上测量直径3次,计算试样的平均直径D。试样直径应大于10倍平均探针间距S,直径变化不大于D的D/5S%,记下D值。6.3在试样上测量9个点的厚度(见图4)。要求各测量点厚度与试样中心点厚度的偏差不大于士1.0%,记下试样的中心厚度W.

性能特点 粉体样品或块样品快速，非破损分析。可快速分析粉末压片，玻璃熔片和块状物料。采用多路数字MCA实时检测，大大提高元素检测效率谱峰，不仅便于仪器调试和故障诊断，并可进一步提高仪器的分析精度和稳定性。配置充氦装置后可以分析液体样品或易挥发性固体样品。与顺序型大功率仪器相比较有如下优点：a、在较小功率和测定时间基本相当的情况下即可达到足够的分析精度。b、延长X光管使用寿命。c、减少高压电源故障。d、降低整机维修成本。e、采用固定通道，无测角仪磨损问题。技术指标高压电源：400W（50kv/8mA）。X射线管：Varian公司生产的400W薄铍窗端窗X射线管，Rh靶（Pd靶可选）。管压管流12小时稳定度：优于0.05%。分析元素种类：从Na到U的任意十种元素。探测器：流气正比探测器+封闭正比探测器，10路1024道独立脉冲高度分析器。真空系统：独立泵站结构，易于维护。测量室真空度：低于5Pa。流气系统：高精度流气密度稳定装置，压力稳定度达到±0.003KPa。前主放：高速前主放电路，大大提高仪器的探测效率，提高仪器的测量精度。MCA多道：采用数字MCA多道幅度采集器，大大提高检测效率。交流220V供电设备：1KVA交流净化稳压电流。分析精度：σn-1（24小时，百分比含量）≤0.05%。单个样品测量时间：（含换样抽真空时间）≤3～5分钟。恒温室温度控制精度：设定值±0.1℃。应用领域建材（水泥、玻璃、陶瓷等）钢铁有色金属矿业地质化工石油质量检验商品检验

四探针方阻电阻率检测仪如果采用直接测量电阻(电压一电流比值仪器)。开始在任一极性上(正向)测量模拟电路的正向电阻r.。改变连接极性,测量反向电阻r.。继续改变极性进行测量,记录5次每一极性的正向电阻r和反向电阻r.测量值,然后按6.1.5进行。7.1.4如果不是采用直接测量电阻仪器,则让电流在正向,调节电流大小到近似表2推荐圆片的测量电流值,测量正向电流时标准电阻两端的电势差V,或直接测量流过模拟电路的正向电流1,再测量正向电流时模拟电路的电势差Va。将电流换向,测量反向电流时标准电阻两端的电势差V&bdquo 或模拟电路的反向电流I&bdquo 和反向电流时模拟电路的电势差V&bdquo 。继续改变极性重复进行测量,记录5次每一极性的测量值。7.1.5按8.2计算平均电阻r和标准偏差.7.1.6电学测量装置应满足下述条件:7.1.6.1 r值应在已知r值的0.3%以内。7.1.6.2样品标准偏差口应小于r的0.3%。7.1.6.3设备应能测量出0.05%电阻的变化。7.2确定探针间距与探针尖端状态7.2.1 将四探针以正常压力压在严格固定的抛光硅片表面上,形成一组压痕。提起探针,在垂直于探针尖连线方向上移动硅片表面或探针0.05 mm~0.10 mm,再将探针压到硅片表面上,重复上述步骤，直到获得10组压痕。建议在两组或三组压痕后,将硅片表面或探针移动上述距离的两倍,以帮助操作者识别压痕属于哪一组。7.2.2将硅片表面清洗,用空气干燥。7.2.3将此具有压痕的硅片表面置于工具显微镜的载物台上,使y轴的读数(图6中的yn和ys)相差不大于0.150mm,记录在工具显微镜中的10组压痕A到H的x轴读数,精确到1μm。四探针方阻电阻率检测仪1.电阻率：10-5～2×106Ω-cm2.电 阻：10-5～2×106Ω3.电导率：5×10-6～105ms/cm4.分辨率： 小0.1μΩ测量误差±（0.05%读数±5字）5.测量电压量程： 2mV 20mV 200mV 2V 测量精度±（0.1%读数）6.分辨率： 0.1uV 1uV 10uV 100uV7.电流输出：直流电流 0～1000mA 连续可调，由交流电源供电。量程：1μA，10μA，100µ A，1mA，10mA，1000mA, 误差：±0.2%读数±2字8.显示方式：液晶显示电阻值、电阻率、电导率值、温度、压强值、单位自动换算四探针方阻电阻率检测仪在放大倍数不小于400倍的显微镜下检查压痕。7.2.5按9.1计算探针间距S,,平均探针间距S,标准偏差a 和探针系数C.7.2.6对于合格的探针,必须满足下述条件。7.2.6.1对于S.来说,3组10次测量值的每一组样品标准偏差σ应小于S，的0.30%。7.2.6.2,和S的差应不大于2%。7.2.6.3每根探针的压痕应只出现一个接触面,最大直径线度小于100μm。如果有的压痕出现不连续的接触面,则更换探针并重新测量。7.2.6.4在放大倍数为400倍的显微镜下检验时,在与硅片表面的接触面上出现明显的横向移动的探针是不合格的。该探针系统必须重新调整,以防止上述移动。7.3测量7.3.1将试样清洗干净,用空气干燥。7.3.2将试样置于样品架/台上。如果是圆片试样,应将试样置于散热器的云母上,用欧姆表测量试样与散热器间电阻,以保证两者是电绝缘的(10’Ω)。7.3.3测量并记录环境温度T,如果是圆片试样应借助置于散热器中的温度计来确定温度。让试样在该温度下保持足够的时间,以便温度平衡,准确到0.1℃注:根据试样的质量决定温度平衡时间。对于小的试样需时30min~60 min,而大的试样则需1d~2d时间。在圆片仲裁测试前,应将散热器放置在室内48h(并且要求室温变化不超过±1℃).7.3.4将探针下降到试样表面的待测位置,每一探针尖离试样边缘的最近距离至少为平均探针间距的4倍。如果为圆片试样,应使探针尖端的阵列中心在试样中心的0.25mm以内。7.3.5让电流在正向,根据试样电阻率大小按表2调节电流大小。要求两内探针之间测得的电势差小于50mV。不同的测量方法要求记录不同的数据,如果用标准电路测量记录V、V1、VsR、VR、T要求至少3一有效数字 用直接测量电路记录I、VI,V,T,要求至少3一有效数字 用直接测量电阻记录四探针方阻电阻率检测仪卜全因斤的试件,如来远用视展电况在数但上等于2,则两内探什之间则得的电势力在数值上等于电阻率值,可免于计算。推荐的圆片测量电流是在试样厚度为0.5mm,两内探针间为10 mV电势差时得到。8测量结果计算8.1 利用7.2测量数据计算探针间距S、平均探针间距S、标准偏差a、探针系数C和探针间距修正因子F&bdquo .8.1.1对十组测量数据中的每一组,用式(2)计算探针间距S, ,S2,,SyS = [(C, + D,)/2]-[(A, +B,)/2]S,=[(E, + Fj)/2]-[(C, +D,)/2].....-(2)S,,=[(G, +H,)/2]-[(E +F )/2]式中:S,~S,,--探针间距,单位为厘米(cm) A~H一一探针压痕的点位,见图6所示,单位为厘米(cm) 脚标j一组数,取1到10。8.1.2用式(2)得到的S,计算每一间距平均值S，如式(3):-(0)s………--………(3)式中:i取 1,2,3.8.1.3将按式(3)计算得到的S,和按式(2)计算得到的S。,利用式(4)分别计算3个间距的试样标准偏差a・ /÷[∑....…...……(4)8.1.4计算平均探针间距S,如式(5):s=/(++)...……………(5)8.1.5计算探针系数C和适用于圆片测量时的探针间距修正因子F&bdquo ,分别如式(6)和式(7):C-2x…………----*(6)京+¯ +s¯ s+S1F,=1+1.082[1-(/).......-.-*****……(7)8.2利用7.1.3~7.1.4测量的数据计算模拟电路测量的平均电阻r和标准偏差o。8.2.1如果采用直接测量电阻,用单个正向和反向电阻(无论是计算结果或是测量结果)均按式(8)计算平均电阻,否则按8.2.2计算模拟电路的正向电阻r,及反向电阻r,:…………---…(8)式中:r-10个模拟电路的正向电阻r,及反向电阻r,中的任意一个值.8.2.2根据测量值计算模拟电路的正向电阻r,及反向电阻r,如式(9):四探针方阻电阻率检测仪r, = V&bdquo R,/V&bdquo 式中:模拟电路的正向电阻,单位为欧姆(Ω) r,一模拟电路的反向电阻,单位为欧姆(Ω) R,一标准电阻值,单位为欧姆(Ω) V。一正向电流下模拟电路两端的电势差,单位为毫伏(mV)1V---反向电流下模拟电路两端的电势差,单位为毫伏(mV) V一正向电流下标准电阻两端的电势差,单位为毫伏(mV) V,一反向电流下标准电阻两端的电势差,单位为毫伏(mV).当直接测量电流时,使用式(10)计算模拟电路的正向电阻r¡ 及反向电阻r,.r1=Va/I.………-----…(10)r,- V&bdquo /I_式中:I。一流过模拟电路的正向电流,单位为毫安(mA) I&bdquo 一流过模拟电路的反向电流,单位为毫安(mA)。8.2.3根据式(11)计算样品标准偏差:-÷∑cr,-F)]t10* ……………(11)8.3计算试样电阻率p。8.3.1计算正向和反向电流的电阻,如式(12)。R¡ - V(R,/Va*….………*…*(12)R, V,R./V&bdquo 式中:R一正向电流时的试样电阻,单位为欧姆(Ω) R,一-反向电流时的试样电阻,单位为欧姆(Ω) V一正向电流时测得的试样电势差,单位为毫伏(mV) V,一反向电流时测得的试样电势差,单位为毫伏(mV) V,一正向电流下标准电阻两端的电势差,单位为毫伏(mV) v,一反向电流下标准电阻两端的电势差,单位为毫伏(mV)。当直接测量电流,采用式(13)计算。如果使用电阻直读仪器,就不需此计算。要求R与R,之差与R:或R,(取两者中较大者)的比值小于10%。R,= V,/I,..……-……(13)R,= V,/I,式中:I一通过试样的正向电流,单位为毫安(mA) I,一通过试样的反向电流,单位为毫安(mA).

仪器简介：ManTech很荣幸推出TitraSip SA系统，这是一款台式多参数滴定仪/离子分析系统，专业设计为环境和酒实验室使用。操作极其简单，仅仅： 1、放置样品 2、选择参数 3、按Start。 TitraSip SA多参数滴定仪/离子分析系统将自动吸取样品，进行多参数分析，将分析后样品直接排到废液站，自动清洗分析容器和探头，然后执行相应的非滴定分析。这是常见的自动滴定系统所做不到的! 应用 市政环境实验室 电镀实验室 小型应用实验室 排放物测试实验室 小规模商业，环境实验室 酒分析实验室(一般要求分析pH, 总酸度(TA), 挥发性酸(VA), 游离SO2和总SO2, 还原性糖等。)主要特点：关键特点与优势 通过美国EPA&rsquo s环境技术计划(ETV)认证 自动吸液管/液体处理 可通过以下方法分析样品： 滴定 电导率 离子选择电极(ISE)分析(如Fl, NH3) 浊度 色度(如色度, PO4) UV (如NO3, 酚) 溶解氧(DO) 每个样品仅测量选择的参数 自动排掉已分析完的样品到废液站，然后自动清洗分析容器，电极，热敏温度传感器和探头 分析多个参数仅需要1个系统 多个结果可输出和打印到一列中，易于查看和分析 创建样品批次非常容易，TitraSip SA自动提示用户准备下一个样品 将TitraSip近线系统连接到一个流动系统，自动执行预定分析。如无人值守30分钟分析一次pH, 电导率,碱度和浊度 符合EPA, 标准方法, ASTM, AOAC和AOCS方法 增加SmartCal TM系统，可预先设置自动校准 能升级和增加自动进样器/增加测量参数 可增加ManTech PCBOD SA进行BOD分析

测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.R,=V,R,/V_=V,/I,-双刀双撑电位选择开关。.定。欧娇表，能指示阻值高达10°日的漏电阻，温度针0℃-40℃，小刻度为0.1℃。光照、高频、需动、强电磁场及温醒度等测试环境会影响测试结果，甲醇、99.5%，干燥氮气。测量仪器探针系统操针为具有45"~150°角的圆罐形破化鸭振针，针实半径分别为35μm~100μm.100 μm…… … ………(5)电压表输入阻抗会引入测试误差，硅片几何形状，表面粘污等会影响测试结果，R(TD-R_xF式中:计算每一测量位置的平均电阻R.，见式(3).试剂优级纯，纯水，25℃时电阻率大于2MN.cm,s=号(二[R，(TD-瓦(7D羽yt ..计算每一测量位置在所测温度时的薄层电阻(可根据薄层电阻计算出对应的电阻率并修正到23℃，具体见表4)见式(5).用干净涂题颗子或吸笔将试样置于样品台上，试样放置的时间应足够长，到达热平衡时，试样温度为23 ℃±1℃.接通电流，令其任一方向为正向，调节电流大小见表1测量范围电阻率：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辨率：1×10-5～1×102 Ω-cm方 阻：5×10-4～2×105 Ω/□，分辨率：5×10-5～1×102 Ω/□电 阻：1×10-5～2×105 Ω ，分辨率：1×10-6～1×102 Ω 材料尺寸(由选配测试台决定和测试方式决定)直 径：A圆测试台直接测试方式 Φ15～130mm， 方测试台直接测试方式180mm×180mm， 长(高)度：测试台直接测试方式 H≤100mm, 测量方位: 轴向、径向均可

该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.导体材料电阻率测试仪GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯ 0.8N两种。以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。但凡注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括订正的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件，其新版本适用于本标准。GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的规定。样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士5"，测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。

ST2258C型多功能数字式电阻率、薄膜方阻测试仪简介一、结构特征 二、概述 2.1基本功能和依据标准：ST2258C型多功能数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理测试材料电阻率/方块电阻的多用途、智能化综合测量仪器。该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》等并参考美国 A.S.T.M 标准。 2.2仪器成套组成：由ST2258C四探针主机、选配的四探针探头、选配四探针测试台等部分组成。2.3优势特征：1：本测试仪特赠设测试结果自动分类功能，可分类10类。2：可定制USB通讯接口，便于其拓展为集成化测试系统中的测试模块。3：8档位超宽量程。 同行一般为五到六档位。4:仪器小型化、手动/自动一体化。5:仪器操作简便、性能稳定，所有参数设定、功能转换全部采用数字化键盘输入，简便而且免除模拟定位器的不稳定。2.4探头选配：根据不同材料特性需要，探头可有多款选配。详情见《四探针探头型号规格特征选型参照表》1配高耐磨的碳化钨探针探头，如ST2253-F01型，以测试硅等半导体、金属、导电塑料类等硬质材料的电阻率/方阻；2配不伤膜的球形或平头镀金铜合金探针探头，如ST2558B-F01型，可测金属箔、碳纸等导电薄膜，也可测陶瓷、玻璃或PE膜等基底上导电涂层膜， 如金属镀膜、喷涂膜、ITO膜、电容卷积膜等材料的薄膜涂层电阻率/方阻。3配专用箔上涂层探头，如ST2558B-F02型，也可测试锂电池电池极片等箔上涂层电阻率/方阻。4换上四端子测试夹具，还可对电阻器的体电阻进行测量。。2.5测试台选配：根据不同材料特性需要，测试台可有多款选配。详情见《四探针测试台型号规格特征选型参照表》四探针法测试固体或薄膜材料选配SZT-A型或SZT-B型（电动）或SZT-C型（快速恒压）或SZT-F型（太阳能电池片）测试台。二探针法测试细长棒类材料选配SZT-K型测试台.平行四刀法测试橡塑材料选配SZT-G型测试台。 2.6适用范围：仪器适用于半导体材料厂器件厂、科研单位、高等院校四探针法对导体、半导体、类半导体材料的导电性能的测试三、基本技术参数 1.测量范围、分辨率（括号内为可向下拓展1个数量级）电 阻：10.0×10-6～ 200.0×103 Ω, 分辨率1.0×10-6～ 0.1×103 Ω（1.0×10-6～ 20.00×103 Ω, 分辨率0.1×10-6～ 0.01×103Ω）电 阻 率：10.0×10-6～ 200.0×103Ω-cm 分辨率1.0×10-6～ 0.1×103 Ω-cm（1.0×10-6～ 20.00×103Ω-cm 分辨率0.1×10-6 ～ 0.01×103Ω-cm）方块电阻：50.0×10-6～ 900.0×103Ω/□ 分辨率5.0×10-6～ 0.5×103 Ω/□（5.0×10-6～ 100.0×103Ω/□ 分辨率0.5×10-6～ 0.1×103 Ω/□）2.材料尺寸(由选配测试台和测试方式决定)直 径： SZT-B/C/F方测试台直接测试方式180mm×180mm，手持方式不限长(高)度： 测试台直接测试方式 H≤100mm, 手持方式不限.测量方位: 轴向、径向均可3.3量程划分及误差等级满度显示200.020.002.000200.020.002.000200.020.00测试电流0.1μA1.0μA10μA100μA1.0mA10mA100mA1.0A常规量程kΩ-cm/□kΩ-cm/□Ω-cm/□mΩ-cm/□基本误差±2%FSB±4LSB±1.5%FSB±4LSB±0.5%FSB±2LSB±1.0%FSB±4LSB3.4四探针探头（选配其一或加配全部）(1)碳化钨探针：Φ0.5mm，直线探针间距1.0mm，探针压力: 0～2kg 可调(2)薄膜方阻探针：Φ0.7mm，直线或方形探针间距2.0mm，探针压力: 0～0.6kg 可调3.5.电源输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：3.6.外形尺寸、重量：主 机： 220mm（长）×245 mm（宽）×100mm（高）， 净 重：≤2.5kg

四探针电阻率方块电阻测试仪便于查看的显示/直观的操作性：高亮度、超清晰4.3寸彩色LCD显示；操作易学，直观使用；基本设置操作简单，方阻、电阻、电阻率、电导率和分选结果；多种参数同时显示。精度高：电阻基本准确度： 0.05％；方阻基本准确度：3%；电阻率基本准确度：3%整机测量最大相对误差：≤±3%；整机测量标准不确定度：≤±3%四位半显示读数；八量程自动或手动测试；6. 测量范围宽： 电阻：10-4Ω～105Ω ；方阻：10-4Ω/□～105Ω/□；7. 正反向电流源修正测量电阻误差8. 恒流源：电流量程分为： 1uA、10uA、100uA、1mA、10mA 、100mA六档；仪器配有恒流源开关可有效保护被测件，即先让探针头压触在被测材料上，后开恒流源开关，避免接触瞬间打火。为了提高工作效率，如探针带电压触单晶对材料及测量并无影响时，恒流源开关可一直处于开的状态。9. 可配合多种探头进行测试；也可配合多种测试台进行测试。10. 校正功能：可手动或自动选择测试量程 全量程自动清零。11. 厚度可预设，自动修正样品的电阻率,无需查表即可计算出电阻率。12. 自动进行电流换向,并进行正反向电流下的电阻率(或方块电阻)测量,显示平均值.测薄片时,可自动进行厚度修正。13. 双电测测试模式，测量精度高、稳定性好.14. 具备温度补偿功能，修正被测材料温漂带来的测试结果偏差。15. 比较器判断灯直接显示，勿需查看屏幕，作业效率得以提高。3档分选功能：超上限，合格，超下限，可对被测件进行HI/LOW判断，可直接在LCD使用标志显示；也可通过USB接口、RS232接口输出更为详细的分选结果。16. 测试模式：可连接电脑测试、也可不连接电脑单机测试。17. 丰富的接口，Handler接口、RS232接口、USB HOST、USB DEVICE。实现远程控制。U盘可记录测试数据18. 软件功能（选配）：软件可记录、保存、各点的测试数据；可供用户对数据进行各种数据分析。标配：测试平台一套、主机一套、电源线数据线一套。四探针电阻率方块电阻测试仪GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯ 0.8N两种。以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。但凡注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括订正的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件，其新版本适用于本标准。GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的规定。样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士5"，测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。四探针电阻率方块电阻测试仪电位差计和电流计或数字电压表，量程为1mV¯ 100mV,分辨率为0.1%，直流输入阻抗不小250μm的半球形或半径为50 μm~125 μm的平的圆截面。探针(带有弹簧及外引线)之间或探针系统其他部分之间的绝缘电照至少为10°Ω.探针排列和间距，四探针应以等距离直线排列，探针阀距及针突状况应符合GB/T 552 中的规定。R=1(R +R, )…………………………(3)R2=与(R +R，)计算试样平均直径D与平均操针间距S之比，由表3中查出修正因子F，也可以见GB/T11073中规定的几何修正因子。 9.4计算几何修正因子F，见式(4)。对于薄层厚度小于3μm的试样，选用针尖半径为100μm250μm的半球形探针或针尖率径为50μm~125 pm平头探针，针尖与试样间压力为0.3 N¯ 0.8Ni对于薄层厚度不小于3μ的试样，选用针尖半径为35μm100 pm 半球形操针，针尖与试样间压力不大于 0.3 N.Rr=V R,/V=V/I,…… … R,=V,R,/V_=V,/I,-双刀双撑电位选择开关。四探针电阻率方块电阻测试仪规格型号 300c电阻10-7～2×107Ω2.电阻率范围10-8～2×108Ω-cm3.电导率5×10-8～108s/cm4.测试电流范围1μA，10μA，100µ A，1mA，10mA，1000mA5.测量电压量程 测量电压量程：2mV 20mV 200mV 2V测量精度:±（0.1%读数）分辨率： 0.1uV 1uV 10uV 100uV6.电流精度±0.1%读数7.电阻精度≤0.3% 8.显示读数 液晶显示：电阻值、电阻率、电导率值、温度、单位自动换算、横截面、高度、电流、电压等9.测试方式四端测量法10.测量装置（治具）选购1.标准方体和圆柱体测量装置：测试行程：L70mm*W：60mm2.定制治具11.工作电源 AC 220V±10%.50Hz功 耗：30WH12. 主机外形尺寸约330mm*350mm*120mm 13.净重量约6kgNet14.标配外选购 1.标准校准电阻1-5个；2.PC软件一套；3.电脑和打印机依据客户要求配置；4.计量证书1份四探针电阻率方块电阻测试仪定。欧娇表，能指示阻值高达10°日的漏电阻，温度针0℃-40℃，小刻度为0.1℃。光照、高频、需动、强电磁场及温醒度等测试环境会影响测试结果，甲醇、99.5%，干燥氮气。测量仪器探针系统操针为具有45"~150°角的圆罐形破化鸭振针，针实半径分别为35μm~100μm.100 μm…… … ………(5)电压表输入阻抗会引入测试误差，硅片几何形状，表面粘污等会影响测试结果，R(TD-R_xF式中:计算每一测量位置的平均电阻R.，见式(3).试剂优级纯，纯水，25℃时电阻率大于2MN.cm,s=号(二[R，(TD-瓦(7D羽yt ..计算每一测量位置在所测温度时的薄层电阻(可根据薄层电阻计算出对应的电阻率并修正到23℃，具体见表4)见式(5).用干净涂题颗子或吸笔将试样置于样品台上，试样放置的时间应足够长，到达热平衡时，试样温度为23 ℃±1℃.接通电流，令其任一方向为正向，调节电流大小见表1所给出的某一合适值，测量并记录所得数据，所有测试数据至少应取三位有效数字。改变电流方向，测量、记录数据。关断电流，抢起探针装置，对仲裁测量，探针间距为1.59

导体材料电阻率测试仪GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯ 0.8N两种。以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。但凡注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括订正的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件，其新版本适用于本标准。GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的规定。样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士5"，测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。概述：采用四端测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门，实验室；是检验和分析导体材料和半导体材料质量的工具。可配置不同测量装置测试不同类型材料之电阻率。液晶显示，温度补偿功能，自动量程，自动测量电阻，电阻率，电导率数据。恒流源输出；选配：PC软件过程数据处理和标准电阻校准仪器，薄膜按键操作简单，中文或英文两种语言界面选择，电位差计和电流计或数字电压表，量程为1mV¯ 100mV,分辨率为0.1%，直流输入阻抗不小250μm的半球形或半径为50 μm~125 μm的平的圆截面。探针(带有弹簧及外引线)之间或探针系统其他部分之间的绝缘电照至少为10°Ω.探针排列和间距，四探针应以等距离直线排列，探针阀距及针突状况应符合GB/T 552 中的规定。R=1(R +R, )…………………………(3)R2=与(R +R，)计算试样平均直径D与平均操针间距S之比，由表3中查出修正因子F，也可以见GB/T11073中规定的几何修正因子。 9.4计算几何修正因子F，见式(4)。对于薄层厚度小于3μm的试样，选用针尖半径为100μm250μm的半球形探针或针尖率径为50μm~125 pm平头探针，针尖与试样间压力为0.3 N¯ 0.8Ni对于薄层厚度不小于3μ的试样，选用针尖半径为35μm100 pm 半球形操针，针尖与试样间压力不大于 0.3 N.Rr=V R,/V=V/I,…… …

四探针三维样品台，主要用于搭载测试样品，可以三维移动、电性能测试、光电性能测试、光化学测试等。在进行太阳能光电转换实验时， 为了测试实验样品的转化效率，需要在照射的同时测定样品的各项参数，因为常规的万用表测量自身测量原理的局限性，在对半导体材料测量时不能够得到准确的数据。而采用四探针法测量时，配合相应的光电测试系统，得出的、稳定、准确的测试数据。探针平台技术参数平台型号AULTT-FTVMAULTT-FTVAAULTT-FTLMAULTT-FTLM样品放置面垂直垂直水平水平操作模式手动电动，PC控制手动电动，PC控制位移距离50mm50mm50mm50mm平台规格220*190*328mm210*210*278mm166*166*108mm210*210*120mm应用样品垂直放置光束水平照射样品垂直放置光束水平照射样品水平放置，光束由上向下照射样品水平放置，光束由上向下照射 1.AULTT-FTVM手动平台此款探针平台分为手动平台和自动平台，手动平台采用微分头进行手动调整操作。A.三维平台为三个位移平台及直角固定块组合而成，用于接收水平光源照射。B.每个位移台面可移动±25mm的距离，移动精度为0.02mm，可精确对准光源发射点。C.位移台采用丝杆传动，并用2根优质钢导轨作为稳定装置，移动稳定无颤动。D.探针组件固定后可调节位置，可适应边长25mm-45mm的被测样本。E.探针固定到绝缘针套内，保证“被测样本-探针-数据收集”整个测量环节内没有外部干扰，测量信号纯净。F.探针与针套不采用粘合剂固定，如需更换探针简单方便。G.采用正规厂商生产的尖头弹簧探针，表面镀铜工艺，确保接触信号良使用长久。 2.AULTT-FTVA自动平台适用于水平光束照射的自动平台采用步进电机作为驱动，除拥有手动平台的特点外还有以下特点。A.采用步进电机驱动，步进角为1.8°，保证了位移的精确度。B.拥有单独的控制器与位移平台连接，控制平台的运动，并可根据使用需要变更运动速度，最大速度可达到10mm/s。C.采用半闭环控制系统，可根据电机运动状态计算位移状态，可实现较精确的位移操作，重复定位精度可达到±5μ。D.拥有上位机软件，可在PC端对平台进行远距离控制。 3.AULTT-FTLM手动平台适用于光束垂直照射的探针平台同样分为手动平台和自动平台，手动平台的X、Y轴平移采用微分头进行精细调整，升降台采用螺杆调整。A.三维平台为两个位移平台及一个垂直升降台组成，用于接收垂直光源照射。B.每个位移台面可移动60mm的距离，移动精度为0.02mm，可精确对准光源发射点。C.垂直升降台行程为60mm-120mm，采用剪形支撑结构，可承载较大载荷，使用安全可靠。D.位移台采用丝杆传动，并用2根优质钢导轨作为稳定装置，移动稳定无颤动。E.探针组件固定后可调节位置，可适应边长25mm-45mm的被测样本。F.探针固定到绝缘针套内，保证“被测样本-探针-数据收集”整个测量环节内没有外部干扰，测量信号纯净。G.探针与针套不采用粘合剂固定，如需更换探针简单方便。H.采用正规厂商生产的尖头弹簧探针，表面镀铜工艺，确保接触信号良使用长久。 4.AULTT-FTLM自动平台适用于垂直光源的自动平台采用步进电机进行驱动，除拥有手动平台的特点外还有以下特点。A.位移平台采用步进电机驱动，步进角为1.8°，保证了位移的精确度，可达到±10μ。B.垂直升降台由原来的手动升降方式也更改为电机驱动的升降方式，可精确的调整升降高度，精度为5μ，重复定位精度可达到±10μ。C.拥有单独的控制器与位移平台连接，控制平台的运动，并可根据使用需要变更运动速度，最大速度可达到10mm/s。D.采用半闭环控制系统，可根据电机运动状态计算位移状态，可实现较精确的位移操作，重复定位精度可达到±5μ。E.拥有上位机软件，可在PC端对平台进行远距离控制。

覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.概述：采用四端测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门，实验室；是检验和分析导体材料和半导体材料质量的工具。可配置不同测量装置测试不同类型材料之电阻率。液晶显示，温度补偿功能，自动量程，自动测量电阻，电阻率，电导率数据。恒流源输出；选配：PC软件过程数据处理和标准电阻校准仪器，薄膜按键操作简单，中文或英文两种语言界面选择，电位差计和电流计或数字电压表，量程为1mV¯ 100mV,分辨率为0.1%，直流输入阻抗不小250μm的半球形或半径为50 μm~125 μm的平的圆截面。探针(带有弹簧及外引线)之间或探针系统其他部分之间的绝缘电照至少为10°Ω.探针排列和间距，四探针应以等距离直线排列，探针阀距及针突状况应符合GB/T 552 中的规定。R=1(R +R, )…………………………(3)R2=与(R +R，)计算试样平均直径D与平均操针间距S之比，由表3中查出修正因子F，也可以见GB/T11073中规定的几何修正因子。 9.4计算几何修正因子F，见式(4)。对于薄层厚度小于3μm的试样，选用针尖半径为100μm250μm的半球形探针或针尖率径为50μm~125 pm平头探针，针尖与试样间压力为0.3 N¯ 0.8Ni对于薄层厚度不小于3μ的试样，选用针尖半径为35μm100 pm 半球形操针，针尖与试样间压力不大于 0.3 N.Rr=V R,/V=V/I,…… … R,=V,R,/V_=V,/I,-双刀双撑电位选择开关。.定。欧娇表，能指示阻值高达10°日的漏电阻，温度针0℃-40℃，小刻度为0.1℃。光照、高频、需动、强电磁场及温醒度等测试环境会影响测试结果，甲醇、99.5%，干燥氮气。测量仪器探针系统操针为具有45"~150°角的圆罐形破化鸭振针，针实半径分别为35μm~100μm.100 μm…… … ………(5)电压表输入阻抗会引入测试误差，硅片几何形状，表面粘污等会影响测试结果，R(TD-R_xF式中:计算每一测量位置的平均电阻R.，见式(3).试剂优级纯，纯水，25℃时电阻率大于2MN.cm,s=号(二[R，(TD-瓦(7D羽yt ..计算每一测量位置在所测温度时的薄层电阻(可根据薄层电阻计算出对应的电阻率并修正到23℃，具体见表4)见式(5).用干净涂题颗子或吸笔将试样置于样品台上，试样放置的时间应足够长，到达热平衡时，试样温度为23 ℃±1℃.接通电流，令其任一方向为正向，调节电流大小见表1测量范围电阻率：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辨率：1×10-5～1×102 Ω-cm方 阻：5×10-4～2×105 Ω/□，分辨率：5×10-5～1×102 Ω/□电 阻：1×10-5～2×105 Ω ，分辨率：1×10-6～1×102 Ω 材料尺寸(由选配测试台决定和测试方式决定)直 径：A圆测试台直接测试方式 Φ15～130mm， 方测试台直接测试方式180mm×180mm， 长(高)度：测试台直接测试方式 H≤100mm, 测量方位: 轴向、径向均可

导电四探针电阻检测仪HRDZ通过此测试程序辅助使用户简便地进行各项测试及获得测试数据并对测试数据进行统计分析。测试程序控制四探针测试仪进行测量并采集测试数据，把采集到的数据在计算机中加以分析，然后把测试数据以表格，图形直观地记录、显示出来。用户可对采集到的数据在电脑中保存或者打印以备日后参考和查看，还可以把采集到的数据输出到Excel中，让用户对数据进行各种数据分析采用了四探针双电测组合(亦称双位组合)测量新技术,将范德堡测量方法推广应用到直线四探针上,利用电流探针、电压探针的变换，在计算机控制下进行两次电测量，能自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响。导电四探针电阻检测仪HRDZ因而每次测量不必知道探针间距、样品尺寸及探针在样品表面上的位置。由于每次测量都是对几何因素的影响进行动态的自动修正，因此显著降低了几何因素影响，从而提高了测量结果的准确度。所有这些，导电四探针电阻检测仪HRDZ用目前大量使用的常规四探针测量方法所生产的仪器是无法实现的。适用于企业、高等院校、科研部门，是检验和分析半导体材料质量的工具；液晶显示，自动测量和系数补偿，并带有温度补偿功能，自动转换量程；采用芯片控制，恒流输出，导电四探针电阻检测仪HRDZ选配：PC软件，保存和打印数据，生成报表技术参数1.方块电阻范围 10^-5～2×10^5Ω/□2.电阻率范围 10^-6～2×10^6Ω-cm测试电流范围 0.1μA ，1μA，10μA，100µ A，1mA，10mA，100mA4.电流精度 ±0.1%5.电阻精度 ≤0.3%6.显示读数 液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式 普通单电测量8.工作电源 输入: AC 220V±10%.50Hz 功 耗 lt 30W测量范围：可测量 电阻率：0.01～199.9Ω&bull cm。导电四探针电阻检测仪HRDZ可测方块电阻：0.1～1999Ω/口当被测材料电阻率≥200Ω&bull cm数字表显示0.00。（2）恒流源：输出电流：DC 0.1mA～10mA分两档10mA量程：0.1～1mA 连续可调10mA量程：1mA ～10mA连续可调恒流精度：各档均优于±0.1%适合测量各种厚度的硅片（3） 直流数字电压表测量范围：0～199.9mv灵敏度：100μv准确度：0.2%（±2个字）（4） 供电电源：AC：220V ±10% 50/60HZ 功率8W（5） 使用环境：相对湿度≤80%（6） 重量、体积重量：2.2 公斤体积：宽210×高100×深240（mm）(7)KD探针头压痕直径：30/50μm间距：1.00mm探针合力：8±1N针材：TC

产品说明、技术参数及配置仪器介绍WDX-200小型多道X射线荧光光谱仪可配置10个固定分光道，可同时分析10种元素。根据用户的应用要求可配置为从Na到U的任意十种元素。该仪器可广泛应用于水泥、钢铁、粉末冶金、煤炭、石油、高岭土、玻璃、耐火材料、环保等行业，是大中型企业质量控制的理想选择。性能特点粉体样品或块样品快速，非破损分析。采用多路高速MCA并行实时检测各元素谱峰，不仅便于调试仪器和故障诊断，而且有利于提高仪器稳定性。技术指标型号：WDX-200恒温室温度控制精度：设定值±0.1℃。分析元素种类：从Na到U的任意十种元素。分析方法：经验系数法和理论α系数法。交流220V供电设备：1KVA交流净化稳压电流。高压电源：200W（50KV4mA）。管压管流12小时稳定度：优于0.05%。真空泵：两相～220V、2升。工控微机：工控104微机。分析精度：σn-1（24小时，百分比含量）≤0.05%。单个样品测量时间：（含换样抽真空时间）≤3～5分钟。X 射线管：Varian公司生产的400W薄铍窗端窗X射线管，Rh靶（Pd靶可选）。探测器：流气正比探测器+封闭正比探测器，10路1024道独立脉冲高度分析器。真空系统：独立泵站结构，易于维护。测量室高真空度：低于5Pa。流气系统：高精度流气密度稳定装置，压力稳定度达到±0.003KPa。分析软件：备有经验系数法和理论α系数法两种定量分析方法，采用全谱检测技术，实现了各道谱线的即时跟踪和校正，从而大大提高了定量分析的重现性和长期稳定性，同时也提供了诊断仪器工作状态的直观依据。完善的自诊断措施。内置了RS-232串行通讯协议，TCP/IP协议与DCS或QCS系统共享数据。应用领域建材(水泥、玻璃、陶瓷)冶金(钢铁、有色金属)石油（微量元素S、Pb等）化工地质采矿商品检验质量检验人体微量元素的检验

FT-3671系列全量程四探针测试仪一.概述：四探针法，可测微欧到兆欧方阻值量程，采用AD芯片控制，恒流输出， PC软件运行，自动数据测量和系数修正，直读方阻，电阻，电阻率和电导率数据；中文或英文语言版本；具有屏蔽功能；参考美国 A.S.T.M 标准。单晶硅物理测试方法二.适用范围：1.导电性新材料、铝箔、铜箔、铝涂层、碳纤维材料、电极材料；2.一般的涂层材料、薄膜、薄片基底材料研究.3.大学、研究所、R&D部门对新材料宽量程电阻率或电导性能研究使用.三.参数资料：规格型号FT-3671A经济型FT-3671B自动型1.方块电阻范围 10^6～2×10^7Ω/□2.电阻率范围 10^7～2×10^8Ω-cm3.测试电流范围 1A、100mA、10mA、1mA、100uA、10uA、1uA、0.1uA,100nA ,10nA , 1nA4.电流精度1A、100mA、10mA、1mA、100uA、10uA、1uA、0.1uA±0.1% 100nA ,10nA , 1nA±2%5.电阻精度10^2Ω以下量程≤0.5% 10^2Ω以上量程≤10% 6.PC软件界面操作PC软件界面显示：电阻、电阻率、方阻、电导率、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度、过程图谱，报表生成.7.测试方式手动测量自动测量8.工作电源输入: AC 220V±10%.50Hz功 耗：100W 9.误差小量程≤4%（标准样片结果） 大量程≤10%10.校准方式标准电阻和标准样片11.测试探头探针间距选购： 2mm；3mm两种规格 探针材质选购：碳化钨针、镀金磷铜半球形针

今图32通道金矿探测仪器 300AX-32D多通道金矿探测器,非金属矿探测仪器：300AX-32D多通道金矿探测仪，非金属矿探测仪器是根据地壳中各类岩（矿）石、油气、地下水等的电磁学性质（如导电性、导磁性、介电性）和电化学特性的差异，通过测量天然电（电磁）场强弱来反应地下电阻率等物理参数变化，寻找不同类型有用矿床、地下水、查明地质构造及解决工程地质、环境灾害地质等问题的地球物理勘探仪器，再结合地质理论及测量数据进行定性及半定量的数据解释，探明地下异常体的走向、埋深、厚度和储量等相关信息。今图32通道金矿探测仪器 300AX-32D多通道金矿探测器,非金属矿探测仪器：300AX-32D多通道金矿探测器，非金属矿探测仪器是我公司研制出的全球比较先进的单人操作，无人值守的实时成像智能物探仪，单个剖面一次性测量完成，属于电法勘探MT法，并且结合了频率测深法、AMT法的优点于一身，采用32通道同时输入测量来获取稳定的场源，不仅解决了天然电场随时变化的问题，而且在同一剖面避免多次移动电极造成的误差，解决了单通道仪器重复测量数据剖面不一样的缺点。重复测量可以获得一致性非常好的剖面数据，解决了以往仪器多次测量数据剖面异常完全不一样的缺点。深度从5/10/20/40/80/100/200/300可选可调整，通道数量可选，可以选配探头测量。产品优势：不仅能准确的测量各种低频信号，并且把天然电场场源变化的干扰降到低点，主要特点有： 场源稳定、重复一致性好，大程度减少场源随时变化和移动误差，在同一位置重复测量可以获得良好的一致性。 300AX-32D多通道金矿探测器， 非金属矿探测仪器主要针对于金属矿（金矿，沙金矿，铝矿，铁矿，银矿等各种金属矿）、非金属矿(钻石，水晶，玉石矿）的详查和普查勘探，降低矿山投资风险，提高开采成功率和科学性 受到广大客户的一致好评！探测深度5/10/20/40/80/100/200/300米可选，现场快速绘制二维、三维和曲线效果图，快速与手机、平板、PC及云端交换数据和图片。今图32通道金矿探测仪器 300AX-32D多通道金矿探测器,非金属矿探测仪器：自动成像：10寸安卓系统触摸屏实时智能成2D、3D和曲线图像。精准稳定：解决天然电磁场场源强度大小不一致及随时变化的缺点，精准度大幅度提升。三屏互通：仪器屏、手机屏、电脑屏三屏互通。智能灵活：1-32个通道可选，并且可以选配电磁探头进行TT探头测量模式，数据叠加滤波可选，也支持无线连接艾都金箍棒。最大5000米勘探深度，通道数量、电场、电磁场测量模式可选。可选配有线探头或无线连接勘探金箍棒数据采集。32道高密度MT电磁法仪采用32通道同时输入测量，解决了MT场源随时变化的缺陷而获得稳定场源，并且勘探深度达到5000米，突破了传统高密度电法仪的深度限制。野外操作十分方便，广大客户高度认可。1、用于寻找金属矿、非金属矿的详查和普查勘探，降低矿山投资风险，提高开采成功率和科学性； 2、用于工程地质勘探、灾害地质勘探、煤矿采空区、考古挖掘、城市物探、非金属管道勘测等应用； 3、用于寻找地下水的详查和普查勘探，解决人畜饮水、工业用水和农业灌溉的需求； 4、用于玉石、宝石、乌木、水晶等稀由矿产的探测勘查，提高开采成功率和科学性。型号300AX-32D600AX-32D1200AX-32D3000AX-32D5000AX-32D最大深度(m)≤300≤600≤1200≤3000≤5000通道输入32道同时输入，最大电极间距5m通道选择1-30可选深度100-300100-600100-1200100-3000100-5000深度分层60-200连接方式串口、Wifi、蓝牙4.0、USB(选配4G通讯）显示屏10.1寸IPS广角178°可视触摸屏操作系统安卓6.0.1 运行内存1G 内存8G（可扩展128G）CPUARM Cortex-A7 8核CPU 2.0HzGPUOpenGL ES 2.0主要功能深度可选、通道数可选、实时2D/3D绘图、电池可拆卸测量模式MN/TT频率范围(HZ）0.001-7K选频滤波预设选频和智能选频、模拟+数据滤波1-16次叠加可选分辨率0.001mV±2%0.001mV±1%采样时间（秒）1200-9000280-14400电池功耗700mA/H1100mA/H主机重量2.2kg

高温四探针测试仪 HGTZ-800型号高温四探针测试仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料在高温、真空及气氛条件下测量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，配备10英寸触摸屏，软件可保存和打印数据，自动生成报表；本仪器可显示电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电 流、电压、探针形状、探针间距、厚度、电导 率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购。双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度,也可应用于产品检测以及新材料电学性能研究等用途。 HGTZ-800型号系列采用电子护系统，设备的安全性；选用热电偶保定温度的采集有效值、采用SPWM 电子升压技术，电压输出稳定性好。配备高精度电压、电流传感器以保证试验数据的有效性。 HGTZ-800型号系統搭配Labview系统开发的hcpro软件，具备弹性的自定义功能，可进行电压、电 流、温度、时间等设置，符合导体、半导体材料与其它新材料测试多样化的需求。高精度的输出与测量规格，保障检测结果的品质，适用于新材料数据的检测。例如：多晶硅材料、石墨烯材料、导电功能薄膜材料、半导体材料，也可做为科研院所新材料的耐电弧性材料的性能测试。针探针测试仪做了多项安全设计，测试过程中有过电压、过电流、超温等异常情况以保证测试过程的安全；资料保存机制：当遇到电脑异常瞬时断电可将资料保存于控制器中，不丢失试验数所新开启动后可恢复原有试验数据。 应用领域： █ 多晶硅材料█ 石墨烯材料 █ 石墨功能材料 █ 半导体材料 █ 导电功能薄膜材料 █ 锗类功能材料 █ 导电玻璃（ito）材料 █ 柔性透明导电薄膜 █ 其它导电材料等 系统功能： █ 电压、电流、温度实时显示 █ 自动升压功能 █ 循环自动测试 █ 升温速度可控 █ 自动试验报表 █ 过压、过流、超温报警 █ 软件自动升级 █ 试验电压、电流可调 █ 电极方便更换 █ 在线设备诊断 系统特点： 多功能真空加热炉，一体炉膛设计、可实现、高温、真空、气氛环境下进行测试 █ 采用铂材料作为导线、以减少信号衰减、提高测试精度， █ 可以测量半导体薄膜材、薄片材料的方块电阻、电阻率； █ 可实现常温、变温、恒温条件的I-V、R-T、R-t等测量功能 █ 温度传感器、PID自动温度控制，使测量温度更准确； █ 仪器可自动计算试样的电阻率pv █ 10寸触摸屏设计，一体化设计机械结构，稳定、可靠； █ 程控电子升压技术，纹波低、TVS防护系统，保证仪器安 █ 99氧化铝陶瓷绝缘、碳化钨探针； █ huace pro 强大的控制分析软件。

云唐钢丝绳探伤仪概述● 能在线检测钢丝绳内外部断丝、磨损、锈蚀、变形、松股、跳丝、材质变化等各种缺陷功能。● 检测结果报告能满足不同行业的标准同时具有断丝根数和断丝断面积与钢丝总断面积的之比的形式显示。● 利用计算机USB接口直接采样处理分析，具有在线声光报警与实时显示结果功能。● 传感器圆型结构、周向环绕、轴向磁化，将钢丝绳瞬间磁化到饱和状态。● 传感揣采用合金铝外壳，具有防水、防尘、防震、防潮功能。● 工作稳定，性能可靠，检测精度高，抗干扰性能强，数据准确。● 软件适应Windows98／2000／xp／Vista/windows7各种计算机操作系统● 根据国家计量法和国家安全生产法的规定，每台仪器均由国家计量机构，按美国ASTM1571美国标准作为第三方进行检验，并出具检测报告，获得法定资质。● 广泛应用在矿山、索道、起重设备、电梯、港口机械、缆索桥等领域。云唐钢丝绳探伤仪技术核心及标准1. 虚拟仪器：钢丝绳无限不确定。唯有应用虚拟仪器技术，以软件取代传统仪器，由电脑直接采样处理，才能保证不漏检、不误判，如同看电影，对钢丝绳进行全程扫描，结果准确无误，重复性好。2. 三定仪器：根据不同行业的钢丝绳报废的国家标准规定，本产品应用电磁定性、定量、定位，在线无损检测钢丝绳的内外部断丝、锈蚀、磨损、金属截面积变化、松股、跳丝、变形、材质异常等缺陷。3.本仪器符合以下标准：GB_T 26832-2011无损检测仪器钢丝绳电磁检测仪技术条件 美标ASTM1571-2006技术指标全系列能检测钢丝绳直径范围：Φ1.5—300 mm （需配置不同系列规格传感器） 传感器与钢丝绳相对速度：0.0—6.0 m/s 最佳：0.3—1.5 m/s传感器导套与钢丝绳间隙最佳：2—6 mm，允许间隙：0—15mm断丝缺陷（LF）检测能力定性：单处集中断丝定性检测准确率 99.99% 定量：单处集中断丝根数允许有一根或一当量根误判单处集中断丝根数无误-差定量检测100次以上准确率≥95%金属截面积定量变化率（LMA）检测灵敏度重复性允许误差：±0.055%检测精度示值允许误差：±0.2％ 位置（L）检测能力：检测长度示值百分比误差：±0.2%电源：电脑电池供电 5V 传感器重量：常用规格 10kg环境温度：-10℃~40℃ 大气压力：86~106Kpa 相对湿度：≤85%标准配置传感器 1只（常规测量直径58mm以下，根据具体检测尺范围配置传感器一只）转换器、软件包、线缆。选配直径58mm以上为定制传感器选配；电脑选配系统配置及型号应用行业及传感器常用规格配置序号行业分类常用钢丝绳直径较少用钢丝绳直径建议适配传感器规格1电梯（单绳检测）（多绳同步检测）8-13mm16-20mmA、电梯型13-20mm单绳*B、4-6根多绳常用，8绳订制C、20mm通用型测单根*2起重机械、建筑第三方检测机构特检计量等认证单位8-24mm26-34mmA、20mm*B、28mm*C、38mm3水利、电力14-30mm26-34mmA、20mmB、28mm*C、38mm*4煤矿、码头、索道18-42mm42-54mmA、28mmB、38mm*C、48mm*D、58mm*5油田、船舶水上平台大型起闭机门34-54mm54-100mmA、38mmB、48mm*C、58mm*D、订制6其它特殊订制类1-5mm（较小规格）如：军工、单铁丝、威亚等（直径太细检测信号弱）62-102mm（常用订制尺寸）如：钢丝绳厂、船级社等按需订制备注：1. * 表示实际发货时更常用到的规格，最右侧，打*的，就是这些行业会发到的传感器常用规格；2.销售推荐时根据客户具体使用的钢丝绳直径范围为准，选择对应范围的传感器产品展示

四通道32孔实时荧光定量PCR仪-非洲猪瘟和猪瘟均是猪常见的一类疾病，会导致猪死亡，不仅会严重影响猪的健康，而且会影响饲养者的经济效益，因此，要通过有效的方法对非洲猪瘟和猪瘟进行防控。非洲猪瘟与猪瘟在特征表现上有一定的相似性，因此鉴别诊断是關键所在，而针对不同疾病类型进行有效的防控也是十分重要的。实时荧光定量PCR系统简介四通道32孔实时荧光定量PCR仪主要用于运行实时荧光定量PCR实验，通过荧光激发和采集的方式，对实验过程进行实时监控，将实验过程数据绘制成荧光曲线，实时呈现于仪器显示界面，并对实验数据进行拟合和分析，最后可生成PDF格式的实验报告。对取于其他动物体内的生物样本（如血液，体液等）中包含的目标核酸，进行快速精准的定性和定量分析，同时也能够对特殊样本进行标准曲线，熔解曲线，基因分型等分析。基本原理四通道32孔实时荧光定量PCR仪的原理：聚合酶链式反应（polymerase chain reaction，PCR）是一种用于放大扩增特定的DNA片段的分子生物学技术，它可看作是生物体外的特殊DNA扩增，由高温变性、低温退火及适温延伸等几步反应组成一个温度循环周期，使目的基因得以迅速扩增，具有特异性强、灵敏度高、操作简便、省时等特点，是基因扩增技术的一次重大革新。PCR技术可将极微量的目标DNA特异地扩增上百万倍，从而大大提高对DNA分子的分析和检测能力。实时荧光定量PCR技术是在常规PCR基础上加入相应的荧光染料或荧光标记探针，在PCR反应过程中通过荧光信号变化，对整个PCR进程进行实时检测，以荧光化学物质监测每次聚合酶链式反应（PCR）循环后产物总量的方法，通过内参或外参的方法对待测样品中的特定DNA序列进行定量分析的方法。实时荧光定量PCR系统应用领域◆食源性致病菌检测 ◆动植物源性检测◆植物科学与农业生物技术◆基因突变及多态性◆基础科学研究◆水体监测◆病原核酸检测◆ 转基因检测◆动物疫情监测◆食品卫生检疫◆海关进出口检疫仪器基本结构实时荧光定量PCR系统是实时检测反应的仪器，主要由基因扩增热循环系统、荧光实时检测系统、微电路控制系统、计算机及应用软件组成。其中两个核心功能模块：热循环系统和荧光实时检测系统。其中基因扩增热循环系统工作原理与传统基因扩增仪工作原理基本相同，采用半导体加热制冷工作方式完成热循环过程。荧光检测系统主要有由荧光激发部件、光信号传输部件、荧光检测部件、控制系统组成。仪器特点：1、体积小，重量轻，方便携带，兼容0.2PCR单管、八联管；2、采用美国MARLOW定制型帕尔贴模块高级别半导体芯片，新一代半导体升降温技术，最快变温速率可达每秒7度，使用寿命可达一百万次循环；3、采用独有的采光检测处理技术，自动调节荧光本底，提高荧光信号灵敏度和信噪比，获得更佳结果；4、13S四通道快速采光，荧光采集信号稳定，减少延时误差；5、采用免维护的长寿命LED光源，无需更换，独立荧光通道，不同通道之间的串扰更小；6、 恒流式控制电路，功率输出平滑，延长 Peltier寿命，提高控温精度；7、具有过流、过温、掉电数据自恢复等保护功能；8、强大的软件分析功能，可以进行定量分析，熔解曲线分析，基因分型等，分析软件终身免费升级，支持不同行业的软件定制；9、支持恒温、荧光定量双模式，适配市面上所有的恒温PCR试剂盒和荧光定量PCR试剂盒；10、自带10寸彩色触摸屏控制，也可以连接电脑控制。仪器技术指标“///” 符号表示国家标准目前没有定义该项指标或者强制性要求。指标名称H160H320H480外观外形尺寸235mm*385mm*175mm（宽*深*高）重量5.6kg5.7kg5.8Kg电气参数~220V/50Hz，255W数据接口USB 2.0 *2（右侧两个）环境参数运行条件温度：10-30℃，湿度：20%~80%运输及贮存条件温度：-20~55℃，湿度：20%~80%海拔高度2500米噪声等级A计权，60dB样本参数样本容量16*0.2mL32*0.2mL48*0.2mL试管类型单管，八联排试管样本容积15-100uL温度特性加热/冷却方式半导体加热/制冷温度范围4℃-99℃最大升温速率≥3.5℃/s平均升温速率≥2.5℃/s最大降温速率≥3.5℃/s平均降温速率≥2.5℃/s控温精度≤±0.01℃温度准确度≤±0.1℃温度均匀性≤±0.3℃光学特性荧光检测通道数4通道发光器件高亮度LED采光器件高灵敏度，高信噪比光电二极管适配探针或染料第一通道：470/520 FAM,SYBR Green第二通道：530/570 HEX,JOE,VIC第三通道：580/610 ROX,CY3.5,Texas-Red第四通道：630/670 CY5检测灵敏度1个拷贝线性检测范围100~1010个拷贝线性相关系数≥0.999通道交叉串扰无串扰检测重复性≤1.0%

四通道32孔实时荧光定量PCR仪通过在同一反应体系中加入荧光染料或荧光标记的特异性探针，实时监测PCR过程中荧光信号的变化，从而实现对目标DNA或RNA的定量分析。这种技术具有高度的特异性和灵敏度，能够准确快速地检测出非洲猪瘟病毒的存在。实时荧光定量PCR系统简介四通道32孔实时荧光定量PCR仪主要用于运行实时荧光定量PCR实验，通过荧光激发和采集的方式，对实验过程进行实时监控，将实验过程数据绘制成荧光曲线，实时呈现于仪器显示界面，并对实验数据进行拟合和分析，最后可生成PDF格式的实验报告。对取于其他动物体内的生物样本（如血液，体液等）中包含的目标核酸，进行快速精准的定性和定量分析，同时也能够对特殊样本进行标准曲线，熔解曲线，基因分型等分析。基本原理四通道32孔实时荧光定量PCR仪的原理：聚合酶链式反应（polymerase chain reaction，PCR）是一种用于放大扩增特定的DNA片段的分子生物学技术，它可看作是生物体外的特殊DNA扩增，由高温变性、低温退火及适温延伸等几步反应组成一个温度循环周期，使目的基因得以迅速扩增，具有特异性强、灵敏度高、操作简便、省时等特点，是基因扩增技术的一次重大革新。PCR技术可将极微量的目标DNA特异地扩增上百万倍，从而大大提高对DNA分子的分析和检测能力。实时荧光定量PCR技术是在常规PCR基础上加入相应的荧光染料或荧光标记探针，在PCR反应过程中通过荧光信号变化，对整个PCR进程进行实时检测，以荧光化学物质监测每次聚合酶链式反应（PCR）循环后产物总量的方法，通过内参或外参的方法对待测样品中的特定DNA序列进行定量分析的方法。实时荧光定量PCR系统应用领域◆食源性致病菌检测◆动植物源性检测◆植物科学与农业生物技术◆基因突变及多态性◆基础科学研究◆水体监测◆病原核酸检测◆转基因检测◆动物疫情监测◆食品卫生检疫◆海关进出口检疫仪器基本结构实时荧光定量PCR系统是实时检测反应的仪器，主要由基因扩增热循环系统、荧光实时检测系统、微电路控制系统、计算机及应用软件组成。其中两个核心功能模块：热循环系统和荧光实时检测系统。其中基因扩增热循环系统工作原理与传统基因扩增仪工作原理基本相同，采用半导体加热制冷工作方式完成热循环过程。荧光检测系统主要有由荧光激发部件、光信号传输部件、荧光检测部件、控制系统组成。仪器特点：1、体积小，重量轻，方便携带，兼容0.2PCR单管、八联管；2、采用美国MARLOW定制型帕尔贴模块高级别半导体芯片，新一代半导体升降温技术，最快变温速率可达每秒7度，使用寿命可达一百万次循环；3、采用独有的采光检测处理技术，自动调节荧光本底，提高荧光信号灵敏度和信噪比，获得更佳结果；4、13S四通道快速采光，荧光采集信号稳定，减少延时误差；5、采用免维护的长寿命LED光源，无需更换，独立荧光通道，不同通道之间的串扰更小；6、恒流式控制电路，功率输出平滑，延长Peltier寿命，提高控温精度；7、具有过流、过温、瞬时断电数据自恢复等保护功能，仪器重启后继续运行未完成实验，确保实验安全运行；8、强大的软件分析功能，可以进行定量分析，熔解曲线分析，基因分型等，分析软件终身免费升级，支持不同行业的软件定制；9、支持恒温、荧光定量双模式，适配市面上多数的恒温PCR试剂盒和荧光定量PCR试剂盒；10、自带10寸彩色触摸屏控制，也可以连接电脑控制。仪器技术指标“///”符号表示国家标准目前没有定义该项指标或者强制性要求。指标名称H160H320H480外观外形尺寸235mm*385mm*175mm（宽*深*高）重量5.6kg5.7kg5.8Kg电气参数~220V/50Hz，255W数据接口USB 2.0 *2（右侧两个）环境参数运行条件温度：10-30℃，湿度：20%~80%运输及贮存条件温度：-20~55℃，湿度：20%~80%海拔高度2500米噪声等级A计权，60dB样本参数样本容量16*0.2mL32*0.2mL48*0.2mL试管类型单管，八联排试管样本容积15-100uL温度特性加热/冷却方式半导体加热/制冷温度范围4℃-99℃最大升温速率≥5.5℃/s平均升温速率≥3.5℃/s最大降温速率≥4.5℃/s平均降温速率≥2.5℃/s控温精度≤±0.01℃温度准确度≤±0.1℃温度均匀性≤±0.3℃光学特性荧光检测通道数4通道发光器件高亮度LED采光器件高灵敏度，高信噪比光电二极管适配探针或染料第一通道：470/520 FAM,SYBR Green第二通道：530/570 HEX,JOE,VIC第三通道：580/610 ROX,CY3.5,Texas-Red第四通道：630/670 CY5检测灵敏度1个拷贝线性检测范围100~1010个拷贝线性相关系数≥0.999通道交叉串扰无串扰检测重复性≤1.0%