半导体

SPM300系列半导体参数测试仪设备概览基于拉曼光谱法的半导体参数测试仪，具有非接触、无损检测、特异性高的优点。可以对半导体材料进行微区分析，空间分辨率＜ 800nm （典型值），也可以对样品进行扫描从而对整个面进行均匀性分析。设备具有智能化的软件，可对数据进行拟合计算，直接将载流子浓度、晶化率、应力大小或者分布等结果直观的展现给用户。系统稳定，重复性好，可用于实验室检验或者产线监测。① 光路接口盒：内置常用激光器及激光片组，拓展激光器包含自由光及单模光纤输入；② 光路转向控制：光路转向控制可向下或向左，与原子力、低温、探针台等设备连用，可升级振镜选项③ 明视场相机：明视场相机代替目镜④ 显微镜：正置科研级金相显微镜，标配落射式明暗场照明，其它照明方式可升级⑤ 电动位移台：75mm*50mm 行程高精度电动载物台，1μm 定位精度⑥ 光纤共聚焦耦合：光纤共聚焦耦合为可选项，提高空间分辨率⑦ CCD- 狭缝共聚焦耦合：标配CCD- 狭缝耦合方式，可使用光谱仪成像模式，高光通量⑧ 光谱CCD：背照式深耗尽型光谱CCD相机， 200-1100nm 工作波段，峰值QE ＞ 90%⑨ 320mm 光谱仪：F/4.2高光通量影像校正光谱仪， 1*10-5 杂散光抑制比SPM300系列半导体参数测试仪主要应用SPM300系列半导体参数测试仪选型表型号描述SPM300-mini基础款半导体参数分析仪，只含一路532nm 激光器，常规正置显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台SPM300-SMS532多功能型半导体参数分析仪，含532nm 激光器，常规正置显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台，可升级耦合最多4 路激光器SPM300-OM532开放式半导体参数测试仪，含532nm 激光器，定制开放式显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台，可升级耦合最多4 路激光器系统参数项目详细技术规格光源标配532nm，100mW 激光器，其他激光可选，最多耦合4 路激光，可电动切换，功率可调节光谱仪320mm 焦距影像校正光谱仪，光谱范围90-9000cm-1,光谱分辨率2cm-1空间分辨率1μm样品扫描范围标配75mm*50mm，最大300mm*300mm显微镜正置显微镜，明场或者暗场观察，带10X,50X,100X 三颗物镜；开放式显微镜可选载流子浓度分析测试范围测试范围1017 ~ 1020 cm-3，重复性误差5%应力测试可直观给出应力属性（拉力/ 张力），针对特种样品，可直接计算应力大小，应力均匀性分析（需额外配置电动位移台）, 应力解析精度0.002cm-1晶化率测试可自动分峰，自动拟合，自动计算出晶化率，并且自动计算晶粒大小和应力大小测试案例举例

SPM600 系列半导体参数分析仪是一款专用于半导体材料光电测试的系统。其功能全面，提供多种重要参数测试。系统集成高精度光谱扫描，光电流扫描以及光响应速率测试。40μm 探测光斑，实现百微米级探测器的绝对光谱响应度测量。超高稳定性光源支持长时间的连续测试，丰富的光源选择以及多层光学光路设计可扩展多路光源，例如超连续白光激光器，皮秒脉冲激光器，半导体激光器，卤素灯，氙灯等，满足不同探测器测试功能的要求。是半导体微纳器件研究的优选。功能：■ 光谱响应度■ 单色光/变功率IV；■ 不同辐照度IT曲线（分辨率200ms）■ 不同偏压下的IT曲线■ LBIC，Mapping■ 线性度测试■ 响应速率测试■ 瞬态光电压（载流 子迁移率）■ 瞬态光电流（载流子扩散长度）光源选项卓立汉光根据样品光谱相应范围选择适合的光源，如EQ 光源，氙灯光源，氙灯溴钨灯复合光源。EQ光源特点：■ 光谱范围宽：190-1700nm宽光谱范围；■ 光源本身发光点小，百微米级别；■ 紫外波段亮度高；■ 寿命长，理论寿命可达9000h；■ 体积小，重量轻；散热好；氙灯光源特点：■ 光谱范围宽：250-1700nm宽光谱范围；■ 光源本身发光点较小，mm级别；■ 总功率大，亮度高；适合紫外-可见-近红外光谱测试；■ 灯泡更换简单，成本低；氙灯卤素灯双光源特点：■ 光谱范围：250-2500nm■ 适合紫外、可见、近红外，且可见、近红外波段光谱平滑■ 灯泡更换简单，成本低。数采选项测试案例

普泰克主要经营恒温循环器/冷水机/低温恒温器/低温冷却液循环泵/（生物）低温恒温循环泵/超低温恒温器/超高温恒温器/工业级冷水机 /冷却水循环器 /超高温工艺过程恒温器/工艺过程恒温器/冷却水循环机/大功率循环冷却器/高低温动态温度控制系统/加热制冷循环器/动态温度控制系统/油浴循环器/低温恒温器 /加热制冷循环器/工艺过程恒温系统/高精度恒温器/TCU温度控制/实验室冷阱/投入式制冷器/动态温度控制系统/工业级冷水机 /半导体温控/反应釜温控/汽车温控/加热制冷恒温器 /制冷加热一体机/制冷加热循环装置/制冷加热设备/制冷加热循环机/高低温循环泵价格 /密闭高低温一体机/高品质低温冷冻机 /优质密闭低温冷冻机/低温冷冻机产品参数/精准控温高低温循环器/全封闭小型高低温循环装置 /微型高低温冷却循环器 /低温制冷循环器/加热循环器/制冷加热控温系统/低温冰机价格/半导体晶圆温度控制/样品冷热台高低温设备/冷热恒温一体机/高精度动态温度控制系统/半导体冷却加热恒温一体机/冷热源动态恒温控制系统/动态温度控制恒温循环器/精密冷水机/精密型冷水机/双温半导体冷水机/半导体冷水机/半导体冷却一体机/半导体制冷冷水机/半导体风冷式冷水机/半导体芯片测试冷水机/芯片半导体专用冷水机/恒温恒流恒压冷水机/半导体致冷冷水机/SMC国产替代水冷机/气体冷却机/气体温控设备/气体温度控制设备/冷气制冷机/气体冷却器/晶圆气体冷却设备/半导体测试国产替代温控设备/汽车行业温控设备/新能源行业温控设备/测试分选机高低温设备/电源模块及组件测试台/汽车冷却液循环泵(CCP)性能测试台/ECP电子元件性能试验台/新能源电池性能测试台/汽车热管理系统温度控制单元/汽车热管理系统温度控制系统/喷油器性能测试台/转换器 / 逆变器性能测试台/汽车无线电充系统性能测试台/液体冷却设备/液体冷却器/外部温度控制循环器/高低温一体机加热制冷温控系统/超低温气体制冷机/医疗设备气体制冷机/医用恒温、恒压、恒流功能制冷机/制冷型低温制冷机/冷水机厂家/半导体温控厂家/汽车温控厂家

1 产品概述: 半导体烘箱是一种专门用于半导体芯片、电子元器件等材料进行热处理的设备。它通过高温加热的方式，对半导体芯片进行烘干、固化、烘焙等处理过程，以提高半导体芯片的性能稳定性和可靠性。半导体烘箱采用先进的温度控制系统和加热技术，能够精确控制加热过程中的温度波动范围，确保半导体芯片在热处理过程中不受损害。2 设备用途：半导体烘箱的主要用途包括：半导体芯片制造：在半导体芯片制造过程中，烘箱用于烘干、固化和烘焙芯片，以提高芯片的稳定性和可靠性。电子元器件处理：对于电子元器件，如LED封装、印刷电路板等，半导体烘箱可用于去除水分、气体，保证元器件的质量稳定性和寿命。热处理实验：在科研和实验领域，半导体烘箱也常用于烘烤、老化实验，检验电子元气件、仪器仪表等材料在温度环境下的性能指标。3 设备特点半导体烘箱的特点主要体现在以下几个方面：高精度温度控制：半导体烘箱具备高精度的温度控制系统，能够精确控制加热过程中的温度波动范围，通常误差小于1℃，确保热处理过程的稳定性和可靠性。先进加热技术：采用不锈钢加热管等高效加热元件，加热速度快，热效率高，且使用寿命长。多种送风方式：部分高端半导体烘箱采用独特的水平+垂直送风相结合的强压鼓风循环系统，使温度更加均匀，提高热处理效果。 4 技术参数和特点：1. 含氧控制：500PPM以内 2. 温度范围：Room temp. +20~500℃3. 控温精度：±1.0℃4. 温度均匀性：±2.5%℃5. 升温时间：RT~ 500℃≤60min

半导体TEC温控平台及设备产品介绍本系列的“半导体温控平台、设备”是建立在半导体制冷片(热电制冷片)基础上设计的高性能温度控制系统，其特点是高精度和高稳定度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等优点，是真正的绿色产品。本系列产品带有完美的PID控制软件，智能无级控温，既可加热又可制冷。可用于控制激光器件、医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制的地方。该产品采用现代电力电子器件和高速微处理器(MPU)程序控制技术，以及PWM调制、双向电源、PID调节技术，具有优良的电压、电流输出特性，开关机时无过冲、反冲、浪涌现象，并带有过流、过压、过温、欠温等保护电路，以及RS232或RS485远程控制接口注：为了获到的精度、线性度、定度等,本产品采用标准日本进口NTC（热敏电阻）作为温度采样元件。产品特点 智能无级调温，双向温度控制 温度控制精度为±0.1度或0.01度 工作温度可任意设置(常规在-60℃～300℃之间选择，其它范围可定制) 工作温度超过上限/下限(软件设定)时报警 用户可以修改温度PID反馈参数 恒温模式：双向冷热恒温 具有过流、过压、过热等保护 具有硬件过温、欠温等保护电路 高稳定,高抗干扰,完全消除温度采样通道中的50/60Hz工频干扰 点阵液晶或触摸屏控制 友好的人机界面和故障诊断功能(在操作不当或电源故障时,电源将给出故障号提示) 模块尺寸：根据产品型号不同，具体参见产品手册 接受定制：可根据客户需要定制温控平台，夹具平台、恒温盒、恒温箱产品应用 半导体激光器、激光晶体，激光倍频晶体温度控制 固体温度控制、实验、科研温度控制 高低温实验等平台产品选型型号参数 TLT-FB120-30 TLT-FB120-50 TLT-WB120-80 TLT-WB120-120 TLT-WB120-200 TLT-WB120-300输入电压（VAC） AC220V±15%制冷功率（V） 30W 50W 80W 120W 200W 300W冷却方式 风冷 水冷控温精度 ±0.1℃或±0.01℃控温范围 -10℃~150℃ -60℃~100℃温度传感器 NTC（25℃-10K）平台体积 120*120*100mm温控仪体积 450×300×133mm 450×400×133mm远程接口 RS232或RS485显示 字符点阵液晶或真彩触摸屏4.3寸

一、产品概述：半导体参数测试仪是一种专门用于测量和分析半导体器件电气特性的测试设备。该仪器能够评估器件的电流-电压（I-V）特性、容量、泄漏电流和其他关键参数，广泛应用于半导体制造和研发领域。二、设备用途/原理：设备用途半导体参数测试仪主要用于测试各种半导体器件，如二极管、晶体管和集成电路。工程师可以利用该仪器进行器件特性分析、故障排查和性能评估，以确保半导体产品的质量和可靠性。工作原理半导体参数测试仪通过施加已知的电压并测量相应的电流来工作。仪器内部使用高精度的模数转换器（ADC）和数字信号处理技术，实时记录和分析I-V曲线。用户可以设置不同的测试条件，如扫频、阶梯测试等，生成详细的测试报告，帮助用户深入了解器件的电气特性和性能表现。三、主要技术指标：1. 配备集成电脑及显示屏一体机箱，包含高精度电流测量模块、电容测量模块、超快脉冲模块，配合用数据测量分析软件，无需外接其他仪表即可实现I-V曲线，I-t曲线，C-V曲线及C-f曲线的测量并能在屏幕实时显示测量结果2. 电流测量精度≤0.1 fA，小可测量电流≤20 fA3. 大电流测量量程≥0.1 A，大输出功率≥2 W4. 电流测量精度10 fA时，电流表的短采样时间间隔100 μs5. I-V特性测试及C-V特性测试切换时，无须更改电路6. 实现不同频率交流阻抗测量（C-V、C-f、C-t） 的测量，频率范围1 kHz-5 MHz，小频率步进≤1 mHz7. 电容测量精度≤5 fF (1 MHz)、≤10 fF（5 MHz）8. 电容测量范围5 fF-1 nF，电压0至±25V，步进≤1 mV9. 具有脉冲输出及采集模块，脉冲输出电压峰值10 V10. 脉冲采样大采样率≥200 MSa/s，小采样时间5 ns11. 具有瞬态波形捕获模式12. 具有任意波形发生器，支持多电平脉冲波形，可编程分辨率10 ns

产品简介“半导体恒温箱”是专门为高低温环境提供高精度和高稳定度的温控产品。平台采用半导体TEC作为控温器件，半导体制冷是利用帕尔帖效应原理工作的，具有高精度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无污染、既可制冷又可加热等特点，是可持续发展的绿色产品。产品智能无级控温，既可加热又可制冷。可用于控制激光器件、医疗器件、半导体器件、光电倍增管、或其它任何需要温度控制的地方。产品配置完善、性能稳定、性价比高，在国内外同类产品中处于先进地位。非常适合对温度的精度和稳定度要求高的各类厂家、公司、大学、科研机构、个人等。应用方向 实验、科研温度控制高低温实验等液体 控温（特殊定制）非标定制 产品选型表 产品尺寸图

高电压大电流功率半导体器件测试系统解决方案 为应对各行各业对功率器件的测试需求，武汉普赛斯正向设计、精益打造了一款高精密电压-电流的功率半导体器件测试系统，可提供IV、CV、跨导等丰富功能的综合测试，具有高精度、宽测量范围、模块化设计、轻松升级扩展等优势，旨在全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试需求。系统采用模块化集成的设计结构，为用户后续灵活添加或升级测量模块提供了极大便捷和优性价比，提高测试效率以及产线UPH。 功率半导体器件测试系统支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作，能够在从测量设置和执行到结果分析和数据管理的整个表征过程中实现高效和可重复的器件表征。也可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。 功率半导体器件测试系统主机内部采用的电压、电流测量单元，均采用多量程设计，测试精度为0.1%。其中，栅极-发射极，Z大支持30V@10A脉冲电流输出与测试，可测试低至pA漏电流；集电极-发射极，Z大支持6000A高速脉冲电流，典型上升时间为15μs，且具备电压高速同步采样功能；Z高支持 3500V(可扩展至10kV)电压输出，且自带漏电流测量功能。电容特性测试，包括输入电容，输出电容，以及反向传输电容测试，频率Z高支持1MHz，可灵活选配。 系统优势/Feature PART 01 IGBT等大功率器件由于其功率特点极易产生大量热量，施加应力时间长，温度迅速上升，严重时会使器件损坏，且不符合器件工作特性。普赛斯高压模块建立的时间小于5ms，在测试过程中能够减少待测物加电时间的发热。 PART 02 高压下漏电流的测试能力，测试覆盖率优于国际品牌。市面上绝大多数器件的规格书显示，小模块在高温测试时漏电流一般大于5mA，而车规级三相半桥高温下漏电大于50mA。以HITACH Spec.No.IGBT-SP-05015 R3规格书为例：3300V，125℃测试条件下ICES典型值14mA，Z大40mA。普赛斯静态系统高压模块测试几乎可以W美应对所有类型器件的漏电流测试需求。PART 03 此外，VCE(sat)测试是表征 IGBT 导通功耗的主要参数，对开关功耗也有一定的影响。需要使用高速窄脉冲电流源，脉冲上升沿速度要足够快时才能减小器件发热，同时设备需要有同步采样电压功能。 IGBT静态测试系统大电流模块：50us—500us 的可调电流脉宽，上升边沿在 15us(典型值)，减少待测物在测试过程中的发热，使测试结果更加准确。下图为 1000A 波形： PART 04 快速灵活的客制化夹具解决方案：强大的测试夹具解决方案对于保证操作人员安全和支持各种功率器件封装类型极为重要。不论器件的大小或形状如何，普赛斯均可以快速响应用户需求，提供灵活的客制化夹具方案。夹具具有低阻抗、安装简单、种类丰富等特点，可用于二极管、三极管、场效应晶体管、IGBT、SiC MOS、GaN等单管，模组类产品的测试。 结束语 功率半导体器件测试系统作为J端产品，以往在国际市场上只被少数企业掌握。全球半导体产业的发展以及先进半导体制造设备保有国出口管制的升级，对国产设备厂家来说既是挑战也是机遇。未来，武汉普赛斯将充分发挥自身的技术和创新优势，持续推动J端产品落地应用，真正做到以技术创造更多价值

该测试方案可适用于多数半导体器件的测试，以五种器件为例：场效应晶体管式传感器、电阻型二极管式传感器、电阻式存储器、生物器件脉冲式和电容测试。其他要求为系统漏电小于10-13（100fA）。测试需求整体可以归纳为微纳传感器件的IV、脉冲IV 和CV测试，漏电需求为100fA。整体系统组成为微纳器件测试探针台和半导体参数分析仪。可测器件器件1：场效应晶体管式传感器器件2：电阻型二极管式传感器器件3：电阻式存储器器件4：脉冲式（输入脉冲电压，测量电流值）器件5：电容测试欢迎与我司联系了解详情，可按需定制系统。

半导体分立器件特性参数测试是对待测器件（DUT）施加电压或电流，然后测试其对激励做出的响应；通常半导体分立器件特性参数测试需要几台仪器完成，如数字表、电压源、电流源等。然而由数台仪器组成的系统需要分别进行编程、同步、连接、测量和分析，过程既复杂又耗时，还占用过多测试台的空间。而且使用单一功能的测试仪器和激励源还存在复杂的相互间触发操作，有更大的不确定度及更慢的总线传输速度等缺点。 实施特性参数分析的最佳工具之一是数字源表（SMU）。普赛斯历时多年打造了高精度、大动态范围、率先国产化的源表系列产品，集电压、电流的输入输出及测量等功能于一体。可作为独立的恒压源或恒流源、伏特计、安培计和欧姆表，还可用作精密电子负载。其高性能架构还允许将其用作脉冲发生器，波形发生器和自动电流-电压(I-V)特性分析系统，支持四象限工作。普赛斯“五合一”高精度数字源表（SMU）可为高校科研工作者、器件测试工程师及功率模块设计工程师提供测量所需的工具。不论使用者对源表、电桥、曲线跟踪仪、半导体参数分析仪或示波器是否熟悉，都能简单而迅速地得到精确的结果。 普赛斯“五合一”高精度数字源表 普赛斯源表轻松实现二极管特性参数分析 二极管是一种使用半导体材料制作而成的单向导 电性元器件，产品结构一般为单个PN结结构，只允许电流从单一方向流过。发展至今，已陆续发展出整流二 极管、肖特基二极管、快恢复二极管、PIN二极管、光电 二极管等，具有安全可靠等特性，广泛应用于整流、稳压、保护等电路中，是电子工程上用途最广泛的电子元器件之一。IV特性是表征半导体二极管PN结制备性能的主要参数之一，二极管IV特性主要指正向特性和反向特性等； 普赛斯S系列、P系列源表简化场效应MOS管I-V特性分析 MOSFET(金属—氧化物半导体场效应晶体管)是 一种利用电场效应来控制其电流大小的常见半导体器件，可以广泛应用在模拟电路和数字电路当中，MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯，碳纳米管 等材料制作，是材料及器件研究的热点。主要参数有输入/输出特性曲线、阈值电压 VGS(th)、漏电流IGSS、 IDSS，击穿电压VDSS、低频互导gm、输出电阻RDS等。 普赛斯数字源表快速、准确进行三极管BJT特性分析 三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体 基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块 半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射 区和集电区。设计电路中常常会关注的参数有电流放大系数β、极间反向电流ICBO、ICEO、集电极最大允许电流ICM、反向击穿电压VEBO、VCBO、VCEO以及三极管的输入输出特性曲线等参数。 普赛斯五合一高精度数字源表（SMU）在半导体IV特性测试方面拥有丰富的行业经验，为半导体分立器件电性能参数测试提供全面的解决方案，包括二极管、MOS管、BJT、IGBT、二极管电阻器及晶闸管等。此外，普赛斯仪表还提供适当的电缆辅件和测试夹具，实现安全、精确和可靠的测试。欲了解更多半导体分立器件测试系统的信息，欢迎随时来电咨询普赛斯仪表！

仪器简介： JB半导体系列，主要应用子生产，科研，大专院校、工厂企业等部门低温实验的应用．其性能可靠控制精度高，是理想的低温试验仪器．并可为您定做特殊需要的异型产品。希望我们的产品能满足您的需要。 技术参数： 型 号 规格(mm) 控温范围 精 度 备 注 一级JB系列 1-0.5 Ф100× 150 -20℃ ± 0.5℃ 1-0.7 Ф100× 100 1-09 Ф80× 180 1-13 Ф120× 120 1-14 Ф100× 180 1-20 Ф120× 180 1-30 Ф150× 180 1-34 Ф120× 300 1-45 Ф180× 180 二级JB系列 2-0.5 Ф60× 150 ～-40℃ ± 0.5℃ 2-0.7 Ф100× 100 2-0.9 Ф80× 180 2-13 Ф120× 120 2-14 Ф100× 180 2-20 Ф120× 180 2-30 Ф150× 180 2-34 Ф120× 300 2-45 Ф180× 180 三级JB系列 3-0.5 Ф60× 150 ～-60℃ ± 0.5℃ 3-0.7 Ф100× 100 ～-60℃ 3-0.9 Ф60× 180 ～－60℃ 3-13 Ф120× 120 3-14 Ф100× 180 3-20 Ф120× 180 5-30 Ф150× 180 ～－55℃ 3-34 Ф120× 300 3-45 Ф180× 180 主要特点： 工作方式：半导体致冷 控温范围：室温～－60℃ 控温精度：± 0.5℃ 冷室容积：0.4L～5L 本产品主要应用于实验室的低温试验

产品关键词：荧光量子效率,光电流/光电压,光电导,荧光发射光谱,光催化,激发谱,光探测,空间光路搭建等产品简介Pina、NanoQ、Mic、Tuna、Stea是东谱科技面向高端光学应用推出的新一代紧凑型半导体光源，它们均包含基于半导体激光器和LED技术的两个系列。这些产品，从频域上，覆盖了紫外–可见–近红外的宽波段；从脉冲宽度上，覆盖了皮秒、纳秒、微秒、脉宽可调、连续的工作模式。同时，均搭载同步触发输出和灵活的外部触发输入功能，既可以作为单独激光模组使用，灵活搭建空间光路，实现客户个性化的需求；也可以与各种光谱仪和光纤系统进行耦合。Stea系列是CW连续半导体光源，具有稳定性好、高输出功率、可耦合光纤等特点，可用于荧光量子效 率、探测器响应、光电导等测试功能，常用于研究荧光粉、染料、有机半导体、钙钛矿、量子点等。系统特点□ 盖紫外-可见-近红外波段； □ 输出功率可调；□可视界面，易于操作； □ 体积紧凑； □ 光纤耦合；□ 功率稳定。技术参数Stea系列（255-420nm）型号中心波长 [λ,nm] 光谱线宽[Δλ,nm]平均功率[mW]Stea255255150.05Stea265A265150.05Stea265B265150.02Stea280280150.02Stea310A310150.2Stea310B310155Stea340A340150.12Stea340B340156.5Stea365A365151Stea365B3651550Stea375A375152Stea375B3751522Stea395A395154Stea395B3951550Stea405A4051550Stea405B4051550Stea42042050Stea系列（405-1550nm）型号中心波长 [λ,nm]光谱线宽 [Δλ,nm]平均功率 [mW]Stea405A4051010Stea405B4051050Stea450A450108Stea450B4501050Stea515515103.5Stea520A520102Stea520B520108Stea635A635102.5Stea635B6351050Stea650A6501010Stea650B6501020Stea6606601020Stea680680100.9Stea780A780101Stea780B780108Stea808A808105Stea808B8081030Stea8208201020Stea830A830105Stea830B8301021Stea850A8501050Stea850B8501050Stea905905105Stea980A9801020Stea980B9801020Stea1064A1064105Stea1064B10641020Stea14901495100.5Stea15501550100.5功率等级Class 3供电电压：15V,电流：1.2A联锁输入SMA钥匙开关有底部装配孔M6*1, M4*2工作温度0~60℃冷却自然冷却尺寸整体：150mm 长*75mm 宽*60mm 高圆筒：Ø 30mm x 38mm重量685g选配件1. 符合SMA/FC结构标准的光纤耦合件；2. 激光器安装支架；3. 多功能控制器及电脑软件；4. 更多可选配波长请咨询销售专员。*每款产品出厂前都需仔细调教，具体参数以出厂报告为准。量子点发光二极管等

半导体参数分析仪概述：SPA-6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发，具有桌越的测量效率与可靠性。基于模块化的体系结构设计，SPA-6100半导体参数分析仪可以帮助用户根据测试需要，灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量，同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量。SPA-6100半导体参数分析仪搭载普赛斯自主开发的专用半导体参数测试软件,支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作,能够从测量设置、执行、结果分析到数据管理的整个过程，实现高效和可重复的器件表征 也可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。产品特点：30μV-1200V；1pA-100A宽量程测试能力；测量精度高，全量程下可达0.03%精度；内置标准器件测试程序，直接调用测试简便；自动实时参数提取，数据绘图、分析函数；在CV和IV测量之间快速切换而无需重新布线；提供灵活的夹具定制方案，兼容性强；免费提供上位机软件及SCPI指令集；典型应用：纳米、柔性等材料特性分析；二极管；MOSFET、BJT、晶体管、IGBT；第三代半导体材料/器件；有机OFET器件；LED、OLED、光电器件；半导体电阻式等传感器；EEL、VCSEL、PD、APD等激光二极管；电阻率系数和霍尔效应测量；太阳能电池；非易失性存储设备；失效分析；系统技术规格半导体电学特性测试系统CV+IV测试仪订货信息模块化构成：低压直流I-V源测量单元-精度0.1%或0.03%可选-直流工作模式-Z大电压300V，Z大直流1A或3A可选-最小电流分辨率10pA-四象限工作区间-支持二线，四线制测试模式-支持GUARD保护低压脉冲I-V源测量单元-精度0.1%或0.03%可选-直流、脉冲工作模式-Z大电压300V,Z大直流1A或3A可选，Z大脉冲电流10A或30A可选-最小电流分辨率1pA-最小脉宽200μs-四象限工作区间.-支持二线，四线制测试模式-支持GUARD保护高压I-V源测量单元-精度0.1% -Z大电压1200V,Z大直流100mA-最小电流分辨率100pA-一、三象限工作区间-支持二线、四线制测试模式-支持GUARD保护高流I-V源测量单元-精度0.1%-直流、脉冲工作模式.-Z大电压100V，Z大直流30A,Z大脉冲电流100A-最小电流分辨率10pA-最小脉宽80μs-四象限工作区间支持二线、四线制测试模式-支持GUARD保护电压电容C-V测量单元-基本精度0.5%-测试频率10hZ~1MHz，可选配至10MHz-支持高压DC偏置，Z大偏置电压1200V-多功能AC性能测试，C-V、 C-f、 C-t硬件指标-IV测试半导体材料以及器件的参数表征，往往包括电特性参数测试。绝大多数半导体材料以及器件的参数测试，都包括电流-电压(I-V)测量。源测量单元(SMU)，具有四象限，多量程，支持四线测量等功能，可用于输出与检测高精度、微弱电信号，是半导体|-V特性测试的重要工具之-。SPA-6100配置有多种不同规格的SMU,如低压直流SMU,低压脉冲SMU,大电流SMU。用户可根据测试需求灵活配置不同规格,以及不同数量的搭配，实现测试测试效率与开支的平衡。灵活可定制化的夹具方案 针对市面上不同封装类型的半导体器件产品,普赛斯提供整套夹具解决方案。夹具具有低阻抗、安装简单、种类丰富等特点，可用于二极管、三极管、场效应晶体管、IGBT、SiC MOS、GaN等单管，模组类产品的测试 也可与探针台连接，实现晶圆级芯片测试。探针台连接示意图

1. 产品概述：MCF 的半导体研磨抛光机是用于半导体材料表面处理的关键设备。它通过机械研磨和化学抛光的协同作用，能够对半导体晶圆等材料进行高精度的平坦化处理，有效去除表面的瑕疵、划痕和不均匀层，以达到半导体制造过程中对材料表面质量的严苛要求。例如，可对硅晶圆、砷化镓晶圆等进行研磨抛光，为后续的光刻、蚀刻、薄膜沉积等工艺步骤创造理想的表面条件。2. 设备应用： 半导体制造：在半导体芯片的生产过程中，对晶圆进行研磨抛光是必不可少的环节。该设备可用于晶圆的初始表面处理，使其达到高度的平整度和光洁度，以便后续的电路图案制作；也可用于芯片制造过程中的中间阶段，对晶圆进行局部或全面的抛光，以改善电学性能和提高芯片的成品率。例如在逻辑芯片和存储芯片的制造中，都需要高精度的研磨抛光来确保芯片的质量和性能。 光电领域：用于制造光学元件，如激光器中的半导体激光芯片、光学传感器中的敏感元件等。通过对这些半导体材料进行精细的研磨抛光，可以提高光学元件的透光率、折射率均匀性等性能指标，从而提升整个光电系统的性能。 科研领域：为高校和科研机构的半导体材料研究提供有力的实验工具。科研人员可以利用该设备探索不同的研磨抛光工艺参数对半导体材料性能的影响，开发新的半导体材料和工艺技术。3. 设备特点： 高精度加工：能够实现纳米级甚至原子级的表面粗糙度控制，确保半导体材料表面的平整度和光洁度达到极高的标准，满足半导体制造对表面质量的苛刻要求。 工艺灵活性：可适应多种半导体材料，如硅、砷化镓、碳化硅等，并且针对不同材料和应用场景，能够灵活调整研磨抛光的工艺参数，如研磨压力、转速、抛光液配方等，以实现最佳的加工效果。 可靠的性能：具备稳定的机械结构和先进的控制系统，确保设备在长时间运行过程中保持高精度的加工性能，减少设备故障和停机时间，提高生产效率。 先进的监控系统：配备实时监控功能，能够对研磨抛光过程中的关键参数，如温度、压力、转速等进行实时监测和反馈，以便操作人员及时调整工艺参数，保证加工质量的稳定性。 易于操作和维护：具有人性化的操作界面，使操作人员能够方便快捷地进行设备操作和参数设置。同时，设备的维护保养也相对简便，降低了设备的使用成本和维护难度。4. 产品参数：1. 抛光盘规格：380mm 2. 陶瓷盘规格：139mm 3. 抛光头数量：2 4. 抛光盘转速范围：0~ 70RPM5.摆动幅度：±5mm实际参数可能会因设备的具体配置和定制需求而有所不同。

半导体TEC温控仪产品介绍本系列的“半导体制冷控制器”是专门为驱动半导体制冷片(热电制冷片)而设计的高性能温度控制系统(风冷)，其特点是高精度和高稳定度。输出负载为半导体制冷片(热电制冷片)。半导体制冷是利用帕尔帖效应原理工作的，具有高精度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等优点，是真正的绿色产品。本系列产品带有完美的PID控制软件，智能无级控温，既可加热又可制冷。可用于控制激光器件、医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制的地方。该产品采用现代新电力电子器件和高速微处理器(MPU)程序控制技术，以及PWM调制、双向电源、PID调节技术，具有优良的电压、电流输出特性，开关机时无过冲、反冲、浪涌现象，并带有过流、过压、过温、欠温等保护电路，以及RS232或RS485远程控制接口注：为了获到好的精度、线性度、定度等,本产品采用标准日本进口NTC（热敏电阻）作为温度采样元件。产品特点 智能无级调温，双向温度控制 温度控制精度为±0.1℃、0.01℃、0.005℃、0.001℃ 工作温度可任意设置(常规在-40℃～100℃之间选择，其它范围可定制) 工作温度超过上限/下限(软件设定)时报警 用户可以修改温度PID反馈参数 恒温模式：双向冷热恒温 具有过流、过压、过热等保护 具有硬件过温、欠温等保护电路 高稳定,高抗干扰,完全消除温度采样通道中的50/60Hz工频干扰 触摸屏控制接口 友好的人机界面和故障诊断功能(在操作不当或电源故障时,电源将给出故障号提示) 模块尺寸：W×L×H＝450×300×133mm 接受定制：可根据客户需要定制温控电源，定制夹具平台等 同时提供各种温控模块产品选择产品应用 半导体激光器、激光晶体，激光倍频晶体温度控制 固体温度控制、实验、科研温度控制 高低温实验等产品选型型号参数 TLTP-TEC0510 TLTP-TEC1210 TLTP-TEC2410 TLTP-TEC2420 TLTP-TEC3610 TLTP-TEC4810输入电压（VAC） AC220V±15%输出电压（V） 1~5V(可调节) 3.6~12V(可调节) 7.2~24V(可调节) 7.2~24V(可调节) 10.8~32V(可调节) 15~45V(可调节)输出电流（A） -10A~10A -10A~10A -10A~10A -20A~20A -10A~10A -10A~10A通道数 1到60通道可选控温精度 ±0.1℃或±0.01℃或±0.005℃或±0.001℃控温范围 -40℃~100℃温度传感器 NTC（25℃-10K）模块体积 450×300×133mm或450×400×133mm远程接口 RS232或RS485显示 字符点阵液晶或真彩触摸屏4.3寸

1 产品概述： 化合物半导体沉积系统是一类专门用于制备化合物半导体材料的设备，这些材料通常由两种或多种元素组成，如GaAs、GaN和SiC等。这些材料因其独特的高功率、高频率等特性，在信息通信、光电应用以及新能源汽车等产业中占据重要地位。2 设备用途：化合物半导体沉积系统的主要用途包括：晶圆制备：通过外延生长技术，在衬底上沉积高质量的化合物半导体薄膜，用于制造高性能的半导体器件。芯片设计与制造：支持化合物半导体器件的设计与制造过程，包括射频功率放大器、高压开关器件等。光电器件：用于制造太阳电池、半导体照明、激光器和探测器等光电器件。微波射频：在移动通信、导航设备、雷达电子对抗以及空间通信等系统中，化合物半导体沉积系统用于制造射频功率放大器等核心组件。3. 设备特点化合物半导体沉积系统通常具备以下特点：高精度与均匀性： 沉积均匀性：能够实现晶圆级的高沉积均匀性，确保薄膜厚度和质量的一致性。 精确控制：通过调节沉积参数，如温度、压力、气体流量等，可以精确控制薄膜的化学成分、形貌、晶体结构和晶粒度。多功能性： 多种沉积方法：支持化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）等多种沉积方法，满足不同材料和器件的制备需求。 多种薄膜材料：能够沉积金属薄膜、非金属薄膜、多组分合金薄膜以及陶瓷或化合物层等多种薄膜材料。高温与低温兼容性： 高温沉积：部分设备能够在高温下工作，确保薄膜的结晶质量和纯度。 低温辅助：采用等离子或激光辅助技术，可以降低沉积温度，保护基体材料不受高温损伤。高效与自动化： 高吞吐量：通过优化设计和自动化控制，提高生产效率，降低生产成本。 自动装载与卸载：部分设备配备自动卫星装载系统，实现样品的自动装载与卸载，提高操作便捷性。4 设备参数：用于在 150/200 mm 衬底（Si/Sapphire/SiC）上进行高级 GaN 应用 间歇式反应器的成本优势与单晶圆反应器独特的轴对称晶圆上均匀性相结合，在以下方面：o Wafer Bow （威化弓）o 层厚、材料成分、掺杂剂浓度o 组件产量暖吊顶通过晶圆提供最低的热通量o 由于垂直温度梯度最小，晶圆曲率最小o 允许使用标准厚度的硅晶片通过客户特定的衬底腔设计优化晶圆温度配置8x150 毫米5x200 毫米

产品名称：半导体制冷片温度控制半导体激光器温度控制产品介绍本系列的“半导体温控平台、设备”是建立在半导体制冷片(热电制冷片)基础上设计的高性能温度控制系统，其特点是高精度和高稳定度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等优点，是真正的绿色产品。本系列产品带有完美的PID控制软件，智能无级控温，既可加热又可制冷。可用于控制激光器件、医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制的地方。该产品采用现代电力电子器件和高速微处理器(MPU)程序控制技术，以及PWM调制、双向电源、PID调节技术，具有优良的电压、电流输出特性，开关机时无过冲、反冲、浪涌现象，并带有过流、过压、过温、欠温等保护电路，以及RS232或RS485远程控制接口注：为了获到的精度、线性度、定度等,本产品采用标准日本进口NTC（热敏电阻）作为温度采样元件。产品特点 智能无级调温，双向温度控制 温度控制精度为±0.1度或0.01度 工作温度可任意设置(常规在-60℃～300℃之间选择，其它范围可定制) 工作温度超过上限/下限(软件设定)时报警 用户可以修改温度PID反馈参数 恒温模式：双向冷热恒温 具有过流、过压、过热等保护 具有硬件过温、欠温等保护电路 高稳定,高抗干扰,完全消除温度采样通道中的50/60Hz工频干扰 点阵液晶或触摸屏控制 友好的人机界面和故障诊断功能(在操作不当或电源故障时,电源将给出故障号提示) 模块尺寸：根据产品型号不同，具体参见产品手册 接受定制：可根据客户需要定制温控平台，夹具平台、恒温盒、恒温箱等产品应用 半导体激光器、激光晶体，激光倍频晶体温度控制 固体温度控制、实验、科研温度控制 高低温实验等平台产品选型型号参数 TLT-FB120-30 TLT-FB120-50 TLT-WB120-80 TLT-WB120-120 TLT-WB120-200 TLT-WB120-300输入电压（VAC） AC220V±15%制冷功率（V） 30W 50W 80W 120W 200W 300W冷却方式 风冷 水冷控温精度 ±0.1℃或±0.01℃控温范围 -10℃~150℃ -60℃~100℃温度传感器 NTC（25℃-10K）平台体积 120*120*100mm温控仪体积 450×300×133mm 450×400×133mm远程接口 RS232或RS485显示 字符点阵液晶或真彩触摸屏4.3寸

产品简介本系列的半导体温控平台是专门为激光器件、医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制IC等产品定制开发，其特点是高精度和高稳定度。半导体制冷是利用帕尔帖效应原理工作的，具有高精度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等优点，是真正的绿色产品。整机配置完善、性能稳定、性价比高，在国内外同类产品中处于先进地位。非常适合对温度的精度和稳定度要求较高的各类厂家、公司、大学、科研机构、个人等使用。应用方向 半导体激光器、晶体温度控制、固体温度控制实验、科研温度控制高低温实验等液体 控温（特殊定制）非标定制 产品选型表 产品尺寸

产品简介本系列的半导体温控平台是专门为激光器件、医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制IC等产品定制开发，其特点是高精度和高稳定度。半导体制冷是利用帕尔帖效应原理工作的，具有高精度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等优点，是真正的绿色产品。整机配置完善、性能稳定、性价比高，在国内外同类产品中处于先进地位。非常适合对温度的精度和稳定度要求较高的各类厂家、公司、大学、科研机构、个人等使用。应用方向 半导体激光器、晶体温度控制、固体温度控制实验、科研温度控制高低温实验等液体 控温（特殊定制）非标定制 产品选型表 产品尺寸 风冷平台尺寸 水冷平台尺寸

产品简介本系列的半导体温控平台是专门为激光器件、医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制IC等产品定制开发，其特点是高精度和高稳定度。半导体制冷是利用帕尔帖效应原理工作的，具有高精度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等优点，是真正的绿色产品。整机配置完善、性能稳定、性价比高，在国内外同类产品中处于先进地位。非常适合对温度的精度和稳定度要求较高的各类厂家、公司、大学、科研机构、个人等使用。应用方向 半导体激光器、晶体温度控制、固体温度控制实验、科研温度控制高低温实验等液体 控温（特殊定制）非标定制 产品选型表 产品尺寸

产品简介“半导体恒温箱”是专门为高低温环境提供高精度和高稳定度的温控产品。平台采用半导体TEC作为控温器件，半导体制冷是利用帕尔帖效应原理工作的，具有高精度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等特点，是可持续发展的绿色产品。产品智能无级控温，既可加热又可制冷。可用于控制激光器件、医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制的地方。产品配置完善、性能稳定、性价比高，非常适合对温度的精度和稳定度要求高的各类厂家、公司、大学、科研机构、个人等。应用方向 实验、科研温度控制高低温实验等液体 控温（特殊定制）非标定制 产品选型表 产品尺寸图

半导体制冷器件的优点是没有滑动部件，可靠性要求高，无制冷剂污染的场合。利用半导体材料的Peltier效应，当直流电通过两种不同半导体材料串联成的电偶时，在电偶的两端即可分别吸收热量和放出热量，可以实现制冷的目的。它是一种产生负热阻的制冷技术，其特点是无运动部件，可靠性比较高。为了达到更高的制冷效果，我公司这款半导体制冷器件均采用大功率手焊器件，尺寸为170*75*21mm三级制冷，降温速度快，稳定控制精度高，主要应用在生产，科研，大专院校、工厂企业等部门低温实验的应用，是理想的低温试验器件．并可为您定做特殊需要的异型产品。希望我们的产品能满足您的需要。欢迎新老客户来电咨询洽谈！

1 产品概述：化合物半导体沉积系统是一种高度专业化的设备，主要用于在特定衬底上沉积高质量的化合物半导体薄膜。这些薄膜在电子、光电、微波通信等领域具有广泛的应用。该系统通常集成了多种先进的沉积技术，如化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）、原子层沉积（ALD）等，以满足不同材料和工艺的需求。2 设备用途： 化合物半导体沉积系统的主要用途包括：薄膜沉积：在硅、蓝宝石、碳化硅等衬底上沉积高质量的化合物半导体薄膜，如氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等。器件制造：用于制造高频、高速、高功率的化合物半导体器件，如射频功率放大器、微波器件、LED等。材料研究：支持新材料的研究与开发，包括新型化合物半导体材料的探索与性能验证。工艺优化：通过精确控制沉积参数，优化薄膜的结晶质量、成分、厚度等，提高器件的性能和可靠性。3. 设备特点化合物半导体沉积系统通常具备以下特点：1 高精度与可重复性：采用先进的沉积技术和精密的控制系统，确保薄膜的厚度、成分、结晶质量等关键参数具有高精度和可重复性。2 多工艺兼容性：支持多种沉积工艺，如CVD、PVD、ALD等，可根据具体材料和工艺需求进行选择和优化。3 高度自动化：系统集成度高，自动化程度高，能够实现从衬底预处理、沉积过程到后处理的全程自动化控制，提高生产效率和产品质量。4 广泛的材料适应性：可适用于多种化合物半导体材料的沉积，包括但不限于GaN、GaAs、InP等，满足不同应用领域的需求。5 高效能：沉积速率快，生产效率高，同时能够保持较低的能耗和成本。4 设备参数：1、可用反应器容量：42x2 英寸/11x4 英寸/6x6 英寸 2、最高的晶圆吞吐量和快速的循环时间3、通过提高均匀性和工艺稳定性实现最大生产量4、提高生产率

二、CW半导体激光电源应用于工业，激光雕刻，激光焊接，激光切割，及其它表面处理等。医疗美容行业，激光脱毛，激光祛斑。主要技术指标输入电压：220VAC±15%；2、 输出电压：0～80V自适应(self-adaptation)；3、 输出电流： 3A～30A连续可调；4、电流启动上升沿： 10S；5、电流停止下降沿： 10S；6、2U、19英寸标准工业机箱 可置入符合GB/T3047.2要求的机架内使用.主要特点5秒的安全延时，电流延时缓慢爬升、缓慢下降的功能；半导体电压自适应控制，不需人为设置；报警功能：输入过、欠压，负载开路保护、过流保护、限流保护、浪涌保护，散热器过热保护、断电保护，模块静电保护等；水压保护：水压和模块温度保护功能外控接口：外控信号与电源输出隔离，防止外控信号侵入干扰。“外控”接口为9针串口插座开关信号输入，5—15V为高电平。当此信号为高电平时，“运行”指示灯开始闪烁，5秒钟后点亮，电源开始输出电流；I/V输出，0—5V对应电源输出电流0—30A；V/I输入，0—5V电压控制电源输出电流0—30A；各种型号参数可以定制：如：24V30A 36V30A 48V30A 6V100A 6V200A 12V100A 12V200A 72V35A 80V30A ,等。

半导体激光模块 新势力光电供应半导体激光模块，波长：405nm、445nm、635nm/638nm、650nm。该系列半导体激光器具有效率高、可靠性好、结构紧凑、寿命长、免维护的特点，广泛应用于：生物医疗、数据存储、材料检测、科学研究、OEM系统集成。ModelLDM-405LDM-445LDM-635/638LDM-650Wavelength405± 5nm445± 5nm635± 5nm650± 5nmSpatial modeNear TEM00Near TEM00MultimodeMultimodeOutput power10, 20, ..., 200mW100, 200, 500, 1000mW200, 500, 800mW250, 500, 900mWHigher power could be available upon requestOperation modeCW or ModulationBeam diameter (1/e2)4.0mm2x4mm4.0mm5.0mmBeam divergence0.5mrad3x0.5mrad2mrad1.5 or 3mradPower stability3% per 4 hrs3% per 4 hrs3% per 2 hrs3% per 2 hrsWarm up time2minsOperating temp.20-30℃Storage temp.10-50℃Lifetime10000 hours10000 hours5000 hours5000 hours相关商品半导体激光二极管 光纤耦合激光二极管 皮秒半导体激光器 DPSS激光器

SPM600 系列半导体参数分析仪是一款专用于半导体材料光电测试的系统。其功能全面，提供多种重要参数测试。系统集成高精度光谱扫描，光电流扫描以及光响应速率测试。40μm 探测光斑，实现百微米级探测器的绝对光谱响应度测量。超高稳定性光源支持长时间的连续测试，丰富的光源选择以及多层光学光路设计可扩展多路光源，例如超连续白光激光器，皮秒脉冲激光器，半导体激光器，卤素灯，氙灯等，满足不同探测器测试功能的要求。是半导体微纳器件研究的优选。功能：■ 光谱响应度■ 单色光/变功率IV；■ 不同辐照度IT曲线（分辨率200ms）■ 不同偏压下的IT曲线■ LBIC，Mapping■ 线性度测试■ 响应速率测试■ 瞬态光电压（载流 子迁移率）■ 瞬态光电流（载流子扩散长度）光源选项卓立汉光根据样品光谱相应范围选择适合的光源，如EQ 光源，氙灯光源，氙灯溴钨灯复合光源。EQ光源特点：■ 光谱范围宽：190-1700nm宽光谱范围；■ 光源本身发光点小，百微米级别；■ 紫外波段亮度高；■ 寿命长，理论寿命可达9000h；■ 体积小，重量轻；散热好；氙灯光源特点：■ 光谱范围宽：250-1700nm宽光谱范围；■ 光源本身发光点较小，mm级别；■ 总功率大，亮度高；适合紫外-可见-近红外光谱测试；■ 灯泡更换简单，成本低；氙灯卤素灯双光源特点：■ 光谱范围：250-2500nm■ 适合紫外、可见、近红外，且可见、近红外波段光谱平滑■ 灯泡更换简单，成本低。数采选项测试案例

半导体TEC温控平台及设备产品介绍本系列的“半导体温控平台、设备”是建立在半导体制冷片(热电制冷片)基础上设计的高性能温度控制系统，其特点是高精度和高稳定度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等优点，是真正的绿色产品。本系列产品带有完美的PID控制软件，智能无级控温，既可加热又可制冷。可用于控制激光器件、医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制的地方。该产品采用现代电力电子器件和高速微处理器(MPU)程序控制技术，以及PWM调制、双向电源、PID调节技术，具有优良的电压、电流输出特性，开关机时无过冲、反冲、浪涌现象，并带有过流、过压、过温、欠温等保护电路，以及RS232或RS485远程控制接口注：为了获到的精度、线性度、定度等,本产品采用标准日本进口NTC（热敏电阻）作为温度采样元件。产品特点 智能无级调温，双向温度控制 温度控制精度为±0.1度或0.01度 工作温度可任意设置(常规在-60℃～300℃之间选择，其它范围可定制) 工作温度超过上限/下限(软件设定)时报警 用户可以修改温度PID反馈参数 恒温模式：双向冷热恒温 具有过流、过压、过热等保护 具有硬件过温、欠温等保护电路 高稳定,高抗干扰,完全消除温度采样通道中的50/60Hz工频干扰 点阵液晶或触摸屏控制 友好的人机界面和故障诊断功能(在操作不当或电源故障时,电源将给出故障号提示) 模块尺寸：根据产品型号不同，具体参见产品手册 接受定制：可根据客户需要定制温控平台，夹具平台、恒温盒、恒温箱产品应用 半导体激光器、激光晶体，激光倍频晶体温度控制 固体温度控制、实验、科研温度控制 高低温实验等平台产品选型型号参数 TLT-FB120-30 TLT-FB120-50 TLT-WB120-80 TLT-WB120-120 TLT-WB120-200 TLT-WB120-300输入电压（VAC） AC220V±15%制冷功率（V） 30W 50W 80W 120W 200W 300W冷却方式 风冷 水冷控温精度 ±0.1℃或±0.01℃控温范围 -10℃~150℃ -60℃~100℃温度传感器 NTC（25℃-10K）平台体积 120*120*100mm温控仪体积 450×300×133mm 450×400×133mm远程接口 RS232或RS485显示 字符点阵液晶或真彩触摸屏4.3寸

半导体TEC温控平台及设备产品介绍本系列的“半导体温控平台、设备”是建立在半导体制冷片(热电制冷片)基础上设计的高性能温度控制系统，其特点是高精度和高稳定度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等优点，是真正的绿色产品。本系列产品带有完美的PID控制软件，智能无级控温，既可加热又可制冷。可用于控制激光器件、医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制的地方。该产品采用现代电力电子器件和高速微处理器(MPU)程序控制技术，以及PWM调制、双向电源、PID调节技术，具有优良的电压、电流输出特性，开关机时无过冲、反冲、浪涌现象，并带有过流、过压、过温、欠温等保护电路，以及RS232或RS485远程控制接口注：为了获到的精度、线性度、定度等,本产品采用标准日本进口NTC（热敏电阻）作为温度采样元件。产品特点 智能无级调温，双向温度控制 温度控制精度为±0.1度或0.01度 工作温度可任意设置(常规在-60℃～300℃之间选择，其它范围可定制) 工作温度超过上限/下限(软件设定)时报警 用户可以修改温度PID反馈参数 恒温模式：双向冷热恒温 具有过流、过压、过热等保护 具有硬件过温、欠温等保护电路 高稳定,高抗干扰,完全消除温度采样通道中的50/60Hz工频干扰 点阵液晶或触摸屏控制 友好的人机界面和故障诊断功能(在操作不当或电源故障时,电源将给出故障号提示) 模块尺寸：根据产品型号不同，具体参见产品手册 接受定制：可根据客户需要定制温控平台，夹具平台、恒温盒、恒温箱产品应用 半导体激光器、激光晶体，激光倍频晶体温度控制 固体温度控制、实验、科研温度控制 高低温实验等平台产品选型型号参数 TLT-FB120-30 TLT-FB120-50 TLT-WB120-80 TLT-WB120-120 TLT-WB120-200 TLT-WB120-300输入电压（VAC） AC220V±15%制冷功率（V） 30W 50W 80W 120W 200W 300W冷却方式 风冷 水冷控温精度 ±0.1℃或±0.01℃控温范围 -10℃~150℃ -60℃~100℃温度传感器 NTC（25℃-10K）平台体积 120*120*100mm温控仪体积 450×300×133mm 450×400×133mm远程接口 RS232或RS485显示 字符点阵液晶或真彩触摸屏4.3寸

使用 4200A-SCS参数分析仪（参数测试仪）加快各类材料、半导体器件和先进工艺的开发，完成制程控制、可靠性分析和故障分析。4200A-SCS是业内性能领先电学特性参数分析仪，提供同步电流电压曲线测试 (I-V曲线测试)、电容-电压曲线测试 (C-V曲线测试) 和超快脉冲 I-V曲线测量。

有机半导体层的光电特性在有机光伏(OPV)和有机发光二极管(OLED)的应用中具有重要意义，T4000有机半导体参数测试系统基于LED光源和高速测量电子学进行各种实验，以获得载流子迁移率等特性参数。- TPV/TPC- 线性升压电荷提取/暗/光电荷提取- 瞬态电致发光- I-V特性/阻抗谱/电容电压(C-V)。- IMVS & IMPS