探针影量仪

电探针/弹簧探针爆速测量仪WKDV-5000【简介】： 电探针/弹簧探针爆速测量仪WKDV-5000采用大规模集成电路FPGA技术，全数字控制，实现高精度时间间隔测试，整机具有高稳定度、高准确度的优点，功能完善，操作方便，抗干扰能力强。仪器采用时间放大式模拟内插原理、组件式结构,能同时测量一个起始脉冲和32个停止脉冲信号之间的时间间隔,测时范围为50ns-9999ms,时间分辨率为2ns。电探针/弹簧探针爆速测量仪WKDV-5000【技术指标】：参数 指标测时范围50ns～820ms外参考 1路，频率20MHz,电平3.3-12V ，可外加-330V高压脉冲信号源 被测路数 通道数 4/8/16/32路被测电平TTL 起止信号 上升或者下降沿测时误差±5ns（1ms） ≤1ms±3 ±0.05tr ±PT 1ms（tr输入信号上升时间，T测量时间间隔，P晶振精度（晶振20MHz，精度1×10-7） 置位方式单次、多次、程控显示方式 液晶触摸屏供电需求220V±20V50Hz或者充电电平（内置）工作温度 5-50℃掉电保护保存掉电前的数据；配充电电源，满足野外实验使用 测量次数： 1、10、50电探针/弹簧探针爆速测量仪WKDV-5000【应用领域】 ： 电探针/弹簧探针爆速测量仪WKDV-5000应用于爆轰与粒子判别等科学试验中爆速、弹速、冲击波速度、自由面速度、飞片速度等爆轰参数测量，是爆轰物理、冲击波物理、常规武器研究、天文实验、激光测距、定位定时、航天遥测遥控等科研领域。

名称：四探针电阻测量仪图片：品牌：KLA 集团旗下品牌 Filmetreics型号：R50用途：金属膜均匀性分布、离子掺杂和注入表征、薄膜厚度和电阻率分布、以及非接触膜厚等量测。优势 :1)接触式四点探针(4PP)和非接触式电涡流(EC)2) 100mm Z行程，高精度控制 3)导体和半导体薄膜电阻，10个数量级范围适用 4)测试点自定义编辑，包括矩形、线性、极坐标 以及自定义配置 5)200mm XY电动平台 6)RSMapper软件灵活易用 7)兼容KLA所有电阻测试探针应用市场：1）半导体 2）化合物半导体 3）先进封装4）平板和VR显示 5）印刷电路 6）穿戴设备 7）导电材料8）太阳能

探针式植物茎流测量仪采用热消散探针法测量树干瞬时茎流密度，可以长期连续观测树木的液流，有利于研究树木和大气之间的水分交换规律，并以此为观测手段，长期监测森林生态系统对环境变化的影响。对于造林绿化、森林管理和林业管理等具有重要的理论指导意义和应用价值。　　工作原理　　植物茎流测量仪采用法国学者Granier在20世纪80年代后发明的一种测定SapFlow的新方法，即热消散探针法(恒定热流传感器法)。该方法的数据采集具有准确稳定的特点，而且可以连续不间断的读取数据，因而数据具有系统性。该测定系统由一对长33mm的热消散探针组成，安装时将探针上下相隔10cm-15cm插入树木的边材中，上方的探针缠绕电阻丝，供以直流电加热，下方探针不加热，保持与周围边材组织的温度相同，两探针的温差变化反应树木的液流密度。　　仪器特点　　双探针，配有相应的钻孔工具，容易插拔，可以反复使用　　采用热消散法，可恒温加热　　可以长期连续监测　　不锈钢探针，采用Teflon涂层，持久耐用　　采用高精度T型热电偶直接与数据分析仪连接　　采用大容量SD卡存储　　技术指标　　测量指标：瞬时液流密度　　测量通道：单通道　　存储容量：2GB　　采样时间间隔：1-99分钟可调　　显示：320×160液晶显示屏　　电源：8.4V可充电锂电池(也可选用太阳能电池供电)　　工作温度：10℃-60℃　　工作湿度：0-100RH

BVW2型多通道电导探针气泡特征参数测量仪BVW2型多通道电导探针气泡特征参数测量仪应用一定间距排列的两支电导探针测量反应器内局部电导率值，根据气液两相电导率的显著差异，可以准确反映所处位置气相(气泡)变化过程，用于测量气液两相流流动过程中的局部气含率、气泡尺寸分布、气泡速度分布、界面浓度等气泡特征参数。整套设备由BVW2多通道气泡特征参数测量仪主机、4-16支电导探针、信号电缆及应用软件组成。技术指标仪器型号：BVW2-4、BVW2-8、BVW2-16；适用环境：电导率100-2000μs/cm的清洁水；常温，不高于60°C；压力小于0.1Mp；测量范围：气泡流速1 m/s，气泡尺寸约 2～30 mm；测量方式：接触式在线测量；探针尺寸：标准探针测量端面直径5mm，探针测量段长度400mm；备注：配合不同规格的订制电导探头可对不同情况下的气泡进行测量；产品特点产品尺寸小，对流动体系干扰较小；仪器可同时连接4、8或16支探针，可实时对4、8或16个测量点同时测量；各通道分别设有激励电平及电平偏移调节功能，采样频率（500Hz-20kHz）和采样数据量可调；该系统软件功能包括：原始数据采集和显示；实时或回放显示每个通道电压-时间曲线；保存每个通道电压-时间数据，计算和保存每个通道的电压平均值和阈值电压、气泡平均速度、速度极值、气泡速度分布、气泡含率、气泡平均直径、直径极值以及直径分布等；可设置和保存包括采样频率、采样数据量、探针间距和采样通道窗口等；保存的数据文件可由记事本和EXCEL软件打开；应用测量软件可在windows环境下运行；在线测量，实时数据显示，原始数据、计算得出的气泡速度、直径分布等可通过直方图、列表、曲线等方式给出统计结果。

ST 系列硬针是 0.020 inch (0.51mm) 直径钨材质针杆经过精密电化学加工成为不同的针尖直径，长度为 1.5inch(38.1mm)的探针。这种探 针应用与绝大多数的芯片电极点测和线路点测。ST 系列硬针可以用于与刮擦或者刺穿芯片表面钝化层。该探针可以选择表面镀镍，如果选择 镀镍则型号后面增加“NP”。一般配合探针台一起使用，用于测试相关半导体行业样品的电学测试。比如IV/CV等。根据其它使用场景，比如二维材料转移系统，机械探针臂等都有运用。详情可以随时联系我们。主要参数：针杆长度38mm，直径0.5mm；可测电流范围1fA~1A

光纤探针爆速测量仪WKFODV-20【简介】： 光纤探针爆速测量仪WKFODV-20是基于石英光纤探针是利用熔石英在受到冲击时会产生光辐射的特性工作的。当冲击波或飞片撞击石英光纤端面时石英光纤会产生一个强烈的光脉冲信号，光纤探针爆速测量仪WKFODV-20通过检测该光脉冲的出现时刻就可以知道冲击波或飞片到达光纤探针的时刻。光纤探针测量系统主要分为有源光纤探针和无源光纤探针两种，可以根据不同的使用环镜选配。光纤探针爆速测量仪WKFODV-20【技术指标】：序号名称参数1通道数20通道（根据用户要求可选定）2响应时间＜5ns3同步性＜10ns4相对测试精度≤1％5信号传输距离≥20m光纤探针爆速测量仪WKFODV-20【特点及用途】： 光纤探针具有受电磁干扰，响应快（可达亚纳秒），抗电磁干扰，可对非金属材料进行直接测量等优点。它可用于爆速测量，测量飞片速度、飞片平整性、样品中冲击波速度和材料高压声速以及测量炸药爆速和爆轰波阵面等，利于水下爆速测量。

四探针半导体电阻率测量仪HRDZ-300C并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成图表和报表。能便携全自动测量导线、棒材电阻率、电导率等参数。应用电流–电压降四端子测量法、单片机技术及自动检测技术。其性能完全符合GB/T3048.2及GB/T3048.4中的相关技术要求。广泛应用于冶金、电力电工、电线电缆、电机电器、高等院校、科研单位等行业。硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻 半导体材料/晶圆、太阳能电池、电子元器件，导电薄膜（ITO导电膜玻璃等），金属膜，导电漆膜，蒸发铝膜，PCB铜箔膜，EMI涂层等物质的薄层电阻与电阻率 导电性油漆，导电性糊状物，导电性塑料，导电性橡胶，导电性薄膜，金属薄膜，抗静电材料， EMI 防护材料，导电性纤维，导电性陶瓷等提供中文或英文两种语言操作界面选择，满足国内及国外客户需求四探针半导体电阻率测量仪HRDZ-300C方阻计算和测试原理如下：　　直线四探针测试布局如图8，相邻针距分别为S1、S2、S3,根据物理基础和电学原理：　　当电流通过1、4探针，2、3探针测试电压时计算如下：　　四探针半导体电阻率测量仪HRDZ-300C工作原理图　　四探针半导体电阻率测量仪HRDZ-300C步骤及流程　　1. 开启电源，预热5分钟.　　2. 装配好探头和测试平台.　　3. 设定所需参数.　　4. 测量样品　　5. 导出数据.　　优点描述：　　1. 自动量程　　2. 准确稳定性.　　3. 双电组合测试方法　　4. 标准电阻校准仪器　　5. PC软件运行　　6. 同时显示电阻、电阻率、电导率数据.　　7. 可显示5位数字.　　8. 中、英文界面四探针半导体电阻率测量仪HRDZ-300C性能特点1. 体积小巧、重量轻。2. 全中文菜单操作，操作简单方便。3. 测量速度快，数据精确稳定。4. 具有自动放电和放电指示功能，减少误操作，保证设备及人员安全。

探针式植物茎流测量仪IN-JL01来因科技采用热消散探针法测量树干瞬时茎流密度，可以长期连续观测树木的液流，有利于研究树木和大气之间的水分交换规律，并以此为观测手段，长期监测森林生态系统对环境变化的影响。对于造林绿化、森林管理和林业管理等具有重要的理论指导意义和应用价值。工作原理 植物茎流测量仪采用法国学者Granier在20世纪80年代后发明的一种测定Sap Flow的新方法，即热消散探针法（恒定热流传感器法）。该方法的数据采集具有准确稳定的特点，而且可以连续不间断的读取数据，因而数据具有系统性。该测 定系统由一对长33mm的热消散探针组成，安装时将探针上下相隔10cm-15cm插入树木的边材中，上方的探针缠绕电阻丝，供以直流电加热，下方探针不 加热，保持与周围边材组织的温度相同，两探针的温差变化反应树木的液流密度。仪器特点 双探针，配有相应的钻孔工具，容易插拔，可以反复使用采用热消散法，可恒温加热可以长期连续监测不锈钢探针，采用Teflon涂层，持久耐用采用高精度T型热电偶直接与数据分析仪连接采用大容量SD卡存储技术指标测量指标：瞬时液流密度测量通道：单通道存储容量：2GB采样时间间隔：1-99分钟可调显示：320×160液晶显示屏电源：8.4V可充电锂电池(也可选用太阳能电池供电)工作温度：10℃-60℃

产品概要:英铂磁场探针台为材料以及早期的电子器件的非破坏电学测量提供了精确的可控环境。可使物理科学家和研究员通过方便的，可重复的测量进行基础的科学研究并得到连续的结果。磁场探针台是一个多用的灵活的研究平台，可被用于专用的或者多用的团体研究资源。基本信息：1、 二维磁场2、磁场最大值10000Gs(可配置不同磁场)3、高分辨率CCD数字显微镜4、真空吸附样品台5、四个低频探针(可选配高达67GHz的GSG探针)6、四个三维高精度探针座，控制探针精确的移动(可选配增加探针座以及探针)7、磁场均匀区：中心区50毫米球体内1%8、先对电流和磁场的关系进行标定，然后通过给定电流值来得到磁场9、可选配高斯计10、高精度双极性电源技术优势：1、四个三维高精度探针座，控制探针精确的移动(可选配增加探针座以及探针)2、先对电流和磁场的关系进行标定，然后通过给定电流值来得到磁场3、高精度双极性电源4、提供了精确的可控环境应用方向：探针台主要应用于半导体行业、光电行业、集成电路以及封装的测试。 广泛应用于复杂、高速器件的精密电气测量的研发，旨在确保质量及可靠性，并缩减研发时间和器件制造工艺的成本。

光纤探针气泡行为测量仪Bubble-Pro可测量多相流(气体为离散相、液体为连续相)局部气含率、气泡速率和气泡弦长等气泡行为。具有对气泡响应迅速、阶跃显著的特点。将光纤探针信号进行方波化处理,探针在气相中的采样点数与总采样点数之比即为局部气含率,再沿径向积分可得平均气含率:对两列光纤探针信号进行相关性分析,可求得每个气泡的上升速率 根据每个探针描过气泡的时长,得到气泡的弦长,并提供气泡速率和气泡的弦长的统计数据。此探针可应用于高温、高压、液相为有机体系的气液环境。主要技术指标:◎ 压力范围:小于2.0MPa◎ 温度范围:小于250℃C◎ 介质要求: 透明体系◎ 光纤直径:0.125mm◎ 光纤间距:0.5mm,可根据要求具体调节◎ 气含率区间:0.5%~50%◎ 气泡尺寸分辨率:大于2mm◎ 气泡速率分辨率:小于4m/s产品优势:◎ 光纤直径小,级联式结构,对流场影响小,数据准确◎ 无机胶密封,适用于高温体系◎ 毛细管、不锈钢管钎焊连接,适用于高压体系◎ 无机胶密封,不溶不挥发,适用有机溶剂体系◎ 基于反射光强度的不同进行测量,适用于非导电介质◎ 响应迅速,0.25ms即可实现气液信号的切换◎上下游信号相关性好,气泡速率、气泡尺寸数据准确◎ 软件具有中文界面,操作简便

光纤探针是本公司采用有热熔拉伸技术研制的气泡参数测量仪。基于光纤顶端接触的介须不同折射率也不相同的原理进行测量。探针处于气相时，光在探针顶端形成全反射，反射光强度高:探针处于液相时，反射光强度低，基于光强的差异判断探针顶部所处相态。光纤直径65um，探针外包金属毛细管，光纤与毛细管间的缝隙用高强度无机胶密封 毛细管尾部与不锈钢管相连，采用联式加固结构，逐渐增加直径，既可以保证探针的强度，又减少对流场的影响。光纤直径小，联式结构，对流场影响小，数据准确无机胶密封，适用于高温体系毛细管、不锈钢管钎焊连接，适用于高压体系无机胶密封，不溶不挥发，适用有机溶剂体系基于反射光强度的不同进行测量，适用于非导电介质气泡检测仪，气泡探测仪，掺气率测量仪，含气率测量仪，气泡探针，电导探针，流体探针，光纤探针，气泡大小测量，气泡速度测量，气泡速率测量，气泡粒径测量，液滴检测仪，液滴探测仪，带液率测量仪，气泡测试仪，液滴粒径测量仪，液滴大小测量仪，液滴速度测量仪，液滴速率测量仪，液滴测量仪，蓝宝石探针，双光纤探针，气泡检测仪，气泡探测仪，掺气率测量仪，含气率测量仪，气泡探针，电导探针，流体探针，光纤探针，气泡大小测量，气泡速度测量，气泡速率测量，气泡粒径测量，液滴检测仪，液滴探测仪，带液率测量仪，气泡测试仪，液滴粒径测量仪，液滴大小测量仪，液滴速度测量仪，液滴速率测量仪，液滴测量仪，蓝宝石探针，双光纤探针，气泡检测仪，气泡探测仪，掺气率测量仪，含气率测量仪，气泡探针，电导探针，流体探针，光纤探针，气泡大小测量，气泡速度测量，气泡速率测量，气泡粒径测量，液滴检测仪，液滴探测仪，带液率测量仪，气泡测试仪，液滴粒径测量仪，液滴大小测量仪，液滴速度测量仪，液滴速率测量仪，液滴测量仪，蓝宝石探针，双光纤探针，气泡检测仪，气泡探测仪，掺气率测量仪，含气率测量仪，气泡探针，电导探针，流体探针，光纤探针，气泡大小测量，气泡速度测量，气泡速率测量，气泡粒径测量，液滴检测仪，液滴探测仪，带液率测量仪，气泡测试仪，液滴粒径测量仪，液滴大小测量仪，液滴速度测量仪，液滴速率测量仪，液滴测量仪，蓝宝石探针，双光纤探针，气泡检测仪，气泡探测仪，掺气率测量仪，含气率测量仪，气泡探针，电导探针，流体探针，光纤探针，气泡大小测量，气泡速度测量，气泡速率测量，气泡粒径测量，液滴检测仪，液滴探测仪，带液率测量仪，气泡测试仪，液滴粒径测量仪，液滴大小测量仪，液滴速度测量仪，液滴速率测量仪，液滴测量仪，蓝宝石探针，双光纤探针，气泡检测仪，气泡探测仪，掺气率测量仪，含气率测量仪，气泡探针，电导探针，流体探针，光纤探针，气泡大小测量，气泡速度测量，气泡速率测量，气泡粒径测量，液滴检测仪，液滴探测仪，带液率测量仪，气泡测试仪，液滴粒径测量仪，液滴大小测量仪，液滴速度测量仪，液滴速率测量仪，液滴测量仪，蓝宝石探针，双光纤探针，气泡检测仪，气泡探测仪，掺气率测量仪，含气率测量仪，气泡探针，电导探针，流体探针，光纤探针，气泡大小测量，气泡速度测量，气泡速率测量，气泡粒径测量，液滴检测仪，液滴探测仪，带液率测量仪，气泡测试仪，液滴粒径测量仪，液滴大小测量仪，液滴速度测量仪，液滴速率测量仪，液滴测量仪，蓝宝石探针，双光纤探针，气泡检测仪，气泡探测仪，掺气率测量仪，含气率测量仪，气泡探针，电导探针，流体探针，光纤探针，气泡大小测量，气泡速度测量，气泡速率测量，气泡粒径测量，液滴检测仪，液滴探测仪，带液率测量仪，气泡测试仪，液滴粒径测量仪，液滴大小测量仪，液滴速度测量仪，液滴速率测量仪，液滴测量仪，蓝宝石探针，双光纤探针，气泡检测仪，气泡探测仪，掺气率测量仪，含气率测量仪，气泡探针，电导探针，流体探针，光纤探针，气泡大小测量，气泡速度测量，气泡速率测量，气泡粒径测量，液滴检测仪，液滴探测仪，带液率测量仪，气泡测试仪，液滴粒径测量仪，液滴大小测量仪，液滴速度测量仪，液滴速率测量仪，液滴测量仪，蓝宝石探针，双光纤探针，气泡检测仪，气泡探测仪，掺气率测量仪，含气率测量仪，气泡探针，电导探针，流体探针，光纤探针，气泡大小测量，气泡速度测量，气泡速率测量，气泡粒径测量，液滴检测仪，液滴探测仪，带液率测量仪，气泡测试仪，液滴粒径测量仪，液滴大小测量仪，液滴速度测量仪，液滴速率测量仪，液滴测量仪，蓝宝石探针，双光纤探针，气泡检测仪，气泡探测仪，掺气率测量仪，含气率测量仪，气泡探针，电导探针，流体探针，光纤探针，气泡大小测量，气泡速度测量，气泡速率测量，气泡粒径测量，液滴检测仪，液滴探测仪，带液率测量仪，气泡测试仪，液滴粒径测量仪，液滴大小测量仪，液滴速度测量仪，液滴速率测量仪，液滴测量仪，蓝宝石探针，双光纤探针，气泡检测仪，气泡探测仪，掺气率测量仪，含气率测量仪，气泡探针，电导探针，流体探针，光纤探针，气泡大小测量，气泡速度测量，气泡速率测量，气泡粒径测量，液滴检测仪，液滴探测仪，带液率测量仪，气泡测试仪，液滴粒径测量仪，液滴大小测量仪，液滴速度测量仪，液滴速率测量仪，液滴测量仪，蓝宝石探针，双光纤探针，气泡检测仪，气泡探测仪，掺气率测量仪，含气率测量仪，气泡探针，电导探针，流体探针，光纤探针，气泡大小测量，气泡速度测量，气泡速率测量，气泡粒径测量，液滴检测仪，液滴探测仪，带液率测量仪，气泡测试仪，液滴粒径测量仪，液滴大小测量仪，液滴速度测量仪，液滴速率测量仪，液滴测量仪，蓝宝石探针，双光纤探针，气泡检测仪，气泡探测仪，掺气率测量仪，含气率测量仪，气泡探针，电导探针，流体探针，光纤探针，气泡大小测量，气泡速度测量，气泡速率测量，气泡粒径测量，液滴检测仪，液滴探测仪，带液率测量仪，气泡测试仪，液滴粒径测量仪，液滴大小测量仪，液滴速度测量仪，液滴速率测量仪，液滴测量仪，蓝宝石探针，双光纤探针，气泡检测仪，气泡探测仪，掺气率测量仪，含气率测量仪，气泡探针，电导探针，流体探针，光纤探针，气泡大小测量，气泡速度测量，气泡速率测量，气泡粒径测量，液滴检测仪，液滴探测仪，带液率测量仪，气泡测试仪，液滴粒径测量仪，液滴大小测量仪，液滴速度测量仪，液滴速率测量仪，液滴测量仪，蓝宝石探针，双光纤探针，气泡检测仪，气泡探测仪，掺气率测量仪，含气率测量仪，气泡探针，电导探针，流体探针，光纤探针，气泡大小测量，气泡速度测量，气泡速率测量，气泡粒径测量，液滴检测仪，液滴探测仪，带液率测量仪，气泡测试仪，液滴粒径测量仪，液滴大小测量仪，液滴速度测量仪，液滴速率测量仪，液滴测量仪，蓝宝石探针，双光纤探针，气泡检测仪，气泡探测仪，掺气率测量仪，含气率测量仪，气泡探针，电导探针，流体探针，光纤探针，气泡大小测量，气泡速度测量，气泡速率测量，气泡粒径测量，液滴检测仪，液滴探测仪，带液率测量仪，气泡测试仪，液滴粒径测量仪，液滴大小测量仪，液滴速度测量仪，液滴速率测量仪，液滴测量仪，蓝宝石探针，双光纤探针

1 产品概述： 探针台是一种精密的电子测试设备，主要用于半导体行业、光电行业、集成电路以及封装的测试。它集成了载物台、光学元件、卡盘、探针卡、探针夹具及电缆组件等多个部分，能够确保从晶圆表面向精密仪器输送更稳定的信号，从而进行高精度的电气测量。探针台根据操作方式可分为手动、半自动和全自动三种类型，每种类型都有其特定的应用场景和优势。2 设备用途：探针台的主要用途包括：半导体测试：在晶圆加工之后、封装工艺之前的CP测试环节，探针台负责晶圆的输送与定位，确保晶圆上的晶粒依次与探针接触并逐个测试，实现更加精确的数据测试测量。它广泛应用于晶圆检测、芯片研发和故障分析等应用。光电行业测试：在光电行业中，探针台同样用于测试光电元件和组件的性能，确保产品的质量和可靠性。集成电路测试：探针台可用于集成电路的测试，包括功能测试、电参数测试等，帮助工程师评估和优化集成电路的性能。封装测试：在封装工艺之前，探针台可以对封装基板进行测试，确保封装过程中不会出现质量问题。3 设备特点探针台具有以下显著特点：高精度：探针台配备高精度的定位系统和微调机构，能够精确地将探针定位到芯片上的指定测试点，并实现稳定的接触，确保测试的准确性和可靠性。多功能性：探针台可用于多种测试场景，包括晶圆检测、芯片研发、故障分析、网络测量等，具有广泛的应用范围。自动化程度高：全自动探针台通常配备有晶圆材料处理搬运单元（MHU）、模式识别（自动对准）等功能，能够自动完成测试序列，减少人工干预，提高测试效率。灵活性：探针台可根据测试需求进行配置和调整，如可选配接入光纤，将电学探针替换为光纤，提高测试灵活性。4 设备参数：由于结合了精确的探测台、完全集成的控制软件和微调的电动定位系统，实现了出色的对准精度。对具有非常小焊盘尺寸和低至微米级间距的 Micro LED 具有高精度探测能力。 - 精密的针力控制 - 精确的热控制 - 适用于不同测试环境的抗振解决方案 - 探头接触补偿集成探针卡或微定位器，用于可靠的 Micro LED 背板测量。 - 能够轻松 测试具有复杂焊盘布局的光学设备 - 灵活的探头序列管理MPI 探针台控制软件提供全面的控制功能，从基本的晶圆对准、映射、探针标记检测到部署 MPI 先进的针对准机构 （NAM） 技术。MPI 光子学测试系统采用以用户为中心的设计，可根据您的独特测试要求灵活配置和编程。灵活性：由于支持多种测试配方，用户可以根据正在执行的产品和测试灵活选择或修改工作流程或编辑参数。 生产管理：通过直观易用的软件界面管理实验室/生产数据。集成的实时系统监控和报告功能可实现顺畅且完全无人值守的测试过程。 无缝集成：借助 MPI 广泛的仪器库，MPI 测试系统可以轻松与主流第三方测量仪器对接，满足您独特的测试需求。

四探针低电阻率测试仪技术参数：1.电阻率：10-5～2×106Ω-cm2.电 阻：10-5～2×106Ω3.电导率：5×10-6～105ms/cm4.分辨率： 小0.1μΩ测量误差±（0.05%读数±5字）5.测量电压量程： 2mV 20mV 200mV 2V 测量精度±（0.1%读数）6.分辨率： 0.1uV 1uV 10uV 100uV7.电流输出：直流电流 0～1000mA 连续可调，由交流电源供电。量程：1μA，10μA，100µ A，1mA，10mA，1000mA, 误差：±0.2%读数±2字8.显示方式：液晶显示电阻值、电阻率、电导率值、温度、压强值、单位自动换算9.传感器压力：200kg (其他规格可以定制)10.粉末测量装置 模具：内径10mm；高：25mm；加压方式：手动液压加压/自动加压方式（选购）11.电源：220±10% 50HZ/60HZ12.主机外形尺寸：330mm*350mm*120mm13.净重量：约6kg14.标配外选购：1）.标四探针低电阻率测试仪本标准修改采用SEMIMF84-1105《硅片电阻率测定四探针法》和SEMIMF397-1106《硅棒电阻率测定两探针法》。本标准与SEMIMF84-1105和SEMI MF 397-1106相比,主要变化如下:--中厚度修正系数F(W/S)表格范围增加 一按中文格式分直排四探针法、直流两探针法进行编排。本标准代替GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》和GB/T 1552-1995《硅、锗单品电阻率测定直排四探针法》。本标准与GB/T 1551-1995和GB/T 1552-1995相比，主要有如下变化:一一删除了锗单晶测定的相关内容 一用文字描述代替了原标准GB/T 1551-1995和GB/T1552-1995中的若干记录测试数据的表格 --修改了直排四探针法中计算公式 --补充了干扰因素。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。本标准起草单位:信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所。本标准主要起草人:李静、何秀坤、张继荣、段曙光。本标准所代替标准的历次版本发布情况为:--GB1552-1979、GB1551--1979、GB5251--1985、GB5253-1985、GB 6615-1986 GB/T 1551-1995、GB/T1552--1995。四探针低电阻率测试仪1范围本方法规定了用直排四探针法测量硅单晶电阻率的方法.本方法适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍的硅单晶体电阻率以及测量直径大于探针间距10倍、厚度小于探针间距4倍的硅单晶圆片的电阻率。本方法可测定的硅单晶电阻率范围为1X10-Ω・ cm~3X10' Ω.cm.2环境要求环境温度为23℃±1℃,相对湿度不大于65%。3干扰因素3.1光照可能严重影响观察电阻率,特别是近似本征材料。因此,所有测试应在暗室进行,除非是待测样品对周围的光不敏感。3.2当仪器放置在高频于扰源附近时,测试回路中会引入虚假电流，因此仪器要有电磁屏蔽。3.3试样中电场强度不能过大,以避免少数载流子注入。如果使用的电流适当,则用该电流的两倍或一半时,引起电阻率的变化应小于0.5%。3.4由于电阻率受温度影响,一般测试适用温度为23℃±1 ℃.3.5对于厚度对测试的影响,仲裁测量要求厚度按本方法的6.3规定测量,一般测量用户可以根据实际需要确定厚度的要求偏差。3.6由于探针压力对测量结果有影响,测量时应选择合适的探针压力。3.7仲裁测量时选择探针间距为1.59mm,非仲裁测量可选择其他探针间距。4方法提要排列成一直线的四根探针垂直地压在距离边缘6mm以上的平坦试样表面上,将直流电流I在两外探针间通入试样,测量内侧两探针间所产生的电势差V,根据测得的电流和电势差值,按式(1)计算电阻率。对圆片试样还应根据几何修正因子进行计算。测量示意图见图1.p=2xs￥..…………--…(1)式中:一电阻率,单位为欧姆厘米(Ωcm) V-测得的电势差,单位为毫伏(mV) I一通入的电流,单位为毫安(mA) S一探针间距,单位为厘米(cm).四探针低电阻率测试仪直排四探针测量示意图5测量仪器5.1探针装置由以下几部分组成。5.1.1探针用钨,碳化钨或高速钢等金属制成,针尖呈圆锥型,夹角为45°~150*,尖端初始标称半径为25 μm~50 μm。5.1.2探针压力,每根探针压力为1.75 N士0.25 N或4.0N±0.5N,分别用于硅单晶棒的电阻率测量,也可选择其他合适的探针压力。5.1.3绝缘性,一探针(包括连接弹簧和外部引线)与任何其他探针或装置任一部分之间绝缘电阻大于10’Ω.5.1.4探针排列和间距,四根探针的尖端应成等间距直线排列。仲裁测量时,探针间距(相邻探针之间的距离)标称值应为1.59mm。其他标称间距如1.00mm和0.6mm用于非仲裁测量,探针间距按7.2测定。5.1.5探针架,能在针尖几乎无横向移动的情况下使探针下降到试样表面.5.2电学测量装置由下列几部分组成。5.2.1任何满足7.1.6要求的电路均可用来进行电学测量。推荐电路(见图2)包括下述几部分。电位选择开关恒流源标准电阻数字电压表0.001mA一100mA电流选择开关探针装置圈2推荐电路图5.2.2恒流源,电流范围为10-'A~10-*A,纹波系数不大于士0.1%,稳定度优于士0.05%。5.2.3电流换向开关。5.2.4标准电阻,0.01 0~100000Ω.0.05级.5.2.5双刀双掷电位选择开关,图2推荐电路需要这一开关来选择测量标准电阻或试样上电势差。5.2.6数字电压表,可用来测量以毫伏为单位的电势差或者连同电流源一起校准到能直接读出电压-电流比值。测量满量程为0.2mV~50mV,分辨率为±0.05%(3&half 位有效数字),输入阻抗大于10°倍试样电阻率。如试样电阻率仅限定在某一数值范围内,一个较小满量程范围就足够了。5.3样品架/台,用于固定试样的合适夹具。5.4散热器,用一直径至少为100 mm,厚为38 mm的铜块来支撑圆片试样和起散热器作用(图3)。它应包括一个容纳温度计的小孔,使温度计能放置在离试样10mm范围内的散热器中心区。散热器上放一片10 μm~25μm厚的云母片,使试样和散热器电绝缘。在云母片和铜块间、温度计孔中填充矿物油活动有机硅散热以减少热阻。散热器安放应能使探针尖端阵列中心在试样中心的1mm以内。散热四探针低电阻率测试仪GB/T 1551-2009器应与电学测量装置的接地端相连接。为了迅速对准试样中心,可在散热器表面加工一个与铜块同心的浅圆环。一样品云母片38mm温度计100mm图3带有样品、云母片和温度计的散热器5.5 研磨或喷砂设备,用以提供平坦的试样表面。研磨设备应能将圆片试样研磨到厚度变化不大于试样中心处厚度值的±1.0%，5.6机械或电子厚度测量仪,能测量试样不同位置的厚度,精度优于±1.0%。5.7千分尺或游标卡尺,分辨率优于士0.05 mm。5.8微移动机构,能以0.05 mm~0.10mm增量使探针装置或硅表面以垂直于探针尖端连线方向并平行于硅表面移动。5.9 工具显微镜,分辨率为1μm。5.10显微镜至少放大400倍。5.11温度计或其他测温仪器0℃~40℃,分度值为0.1℃。5.12欧姆计,能指示大于10°Ω绝缘电阻。5.13超声波清洗器,具有适当频率(18 kHz~45 kHz)和功率。5.14化学实验室器具(如塑料烧杯、量筒、处理和清洗酸及其蒸气所需的设备等)。6试样制备6.1 试样用W14#(粒径为10μm)金刚砂研磨上下表面,保证无机械损伤、无沾污物。6.2在不包括参考面或参考缺口的圆周上测量直径3次,计算试样的平均直径D。试样直径应大于10倍平均探针间距S,直径变化不大于D的D/5S%,记下D值。6.3在试样上测量9个点的厚度(见图4)。要求各测量点厚度与试样中心点厚度的偏差不大于士1.0%,记下试样的中心厚度W.

覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.概述：采用四端测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门，实验室；是检验和分析导体材料和半导体材料质量的工具。可配置不同测量装置测试不同类型材料之电阻率。液晶显示，温度补偿功能，自动量程，自动测量电阻，电阻率，电导率数据。恒流源输出；选配：PC软件过程数据处理和标准电阻校准仪器，薄膜按键操作简单，中文或英文两种语言界面选择，电位差计和电流计或数字电压表，量程为1mV¯ 100mV,分辨率为0.1%，直流输入阻抗不小250μm的半球形或半径为50 μm~125 μm的平的圆截面。探针(带有弹簧及外引线)之间或探针系统其他部分之间的绝缘电照至少为10°Ω.探针排列和间距，四探针应以等距离直线排列，探针阀距及针突状况应符合GB/T 552 中的规定。R=1(R +R, )…………………………(3)R2=与(R +R，)计算试样平均直径D与平均操针间距S之比，由表3中查出修正因子F，也可以见GB/T11073中规定的几何修正因子。 9.4计算几何修正因子F，见式(4)。对于薄层厚度小于3μm的试样，选用针尖半径为100μm250μm的半球形探针或针尖率径为50μm~125 pm平头探针，针尖与试样间压力为0.3 N¯ 0.8Ni对于薄层厚度不小于3μ的试样，选用针尖半径为35μm100 pm 半球形操针，针尖与试样间压力不大于 0.3 N.Rr=V R,/V=V/I,…… … R,=V,R,/V_=V,/I,-双刀双撑电位选择开关。.定。欧娇表，能指示阻值高达10°日的漏电阻，温度针0℃-40℃，小刻度为0.1℃。光照、高频、需动、强电磁场及温醒度等测试环境会影响测试结果，甲醇、99.5%，干燥氮气。测量仪器探针系统操针为具有45"~150°角的圆罐形破化鸭振针，针实半径分别为35μm~100μm.100 μm…… … ………(5)电压表输入阻抗会引入测试误差，硅片几何形状，表面粘污等会影响测试结果，R(TD-R_xF式中:计算每一测量位置的平均电阻R.，见式(3).试剂优级纯，纯水，25℃时电阻率大于2MN.cm,s=号(二[R，(TD-瓦(7D羽yt ..计算每一测量位置在所测温度时的薄层电阻(可根据薄层电阻计算出对应的电阻率并修正到23℃，具体见表4)见式(5).用干净涂题颗子或吸笔将试样置于样品台上，试样放置的时间应足够长，到达热平衡时，试样温度为23 ℃±1℃.接通电流，令其任一方向为正向，调节电流大小见表1测量范围电阻率：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辨率：1×10-5～1×102 Ω-cm方 阻：5×10-4～2×105 Ω/□，分辨率：5×10-5～1×102 Ω/□电 阻：1×10-5～2×105 Ω ，分辨率：1×10-6～1×102 Ω 材料尺寸(由选配测试台决定和测试方式决定)直 径：A圆测试台直接测试方式 Φ15～130mm， 方测试台直接测试方式180mm×180mm， 长(高)度：测试台直接测试方式 H≤100mm, 测量方位: 轴向、径向均可

手动探针台的主要用途是为半导体芯片的电参数测试提供一个测试平台，探针台可吸附多种规格芯片（晶圆及碎片），并提供多个可调测试针以及探针座，配合测量仪器可完成集成电路的电压、电流、电阻以及电容电压特性曲线等参数检测。还可以设计验证/IC工程，晶圆级可靠性，MEMS，高功率和器件表征和建模。

胶带探针式初粘力测定仪又叫探针式初粘力试验机（Probe Tack Tester），是胶带初粘力测试的方式之一，主要用于各种胶带、粘合剂类等各种不同产品的初始粘着力测试，产品满足ASTM D2979 的规范等标准，适合各类研究机构、胶粘剂企业、不干胶等检验检疫机构等。测试原理：使用5mm直径研磨的平面探头压在黏胶面，完全接触之后，再反方向恒速完全分离所产生的 大力，这个 大力值即为所测试样的初粘力，机器会记录离开时 大拉力数值。 胶带探针式初粘力测定仪特点：1.数据收集系统具有即又易用的特点，是当前先进的测量仪器。2.采用微电脑控制技术，，精度高，操作简便。3.采用高精度传感器，度可以达到重量感应器标准的+0.1%。4.先进的静音电机和滚珠丝杠，传动运行平稳，位移测量更加准确。5.高清晰LCD显示，操作一目了然6.连接微型打印机：可实现实验日期、试验结果，直接及时打印.7.具有试验力值保持功能，查看实验结果更加方便。8.无级调速可在1—800范围内任意设定精度胶带探针式初粘力测定仪技术参数：1.负荷范围：0－20N2.精 度：0.5级3.分 辨 率：0.01N4.试验速度：24 ipm (英寸/分)，61cpm (公分/分)，610 mm/min（0.001～800mm/min可调 ）5、试验行程：600mm（标配）或1000mm（可定做）6、速度控制范围：1mm/min～800mm/min7、试验机尺寸：530*266*1450或1810 mm8、供电电源：220V，50Hz9、重量:75kG探头式初粘力测试仪标准配置：主机、电源线、探头一副、试验板3片，夹持辅具一副

Avantgarde 室温手动探针台的主要用途是为半导体芯片的电参数测试提供一个测试平台，外接不同的测量仪器，配合测量仪器可完成集成电路的电压、电流、电阻以及电容电压特性曲线等参数检测，用于室温下的芯片、晶圆和器件的非破坏性测试。PSM系列室温手动探针台是一款高品质的探针台能够对2寸、4寸、6寸、8寸晶圆片进行大量非破坏性的、标准的电学实验，外接不同的测试设备，可以完成对器件的电学特性测量、参数测量、DC测量。科学的桌面设计是学术和实验研究的最佳选择。特点:1.稳定的双位移调节系统，可以调节样品座和探针臂的位移。2.样品座可以放置最大8英寸的晶圆样品，采用多孔分区控制气体吸附固定。3.移动样品座下面的滑台，可以实现最大X-Y轴±100mm的移动行程，使得样品测试和换样更加便捷。 滑台采用磁力吸附固定。4.最多可安装6个探针臂。5. 探针臂采用磁铁吸附，可任意移动，并且可以三维微调，操作方便，扎针精准，四个探针臂的探针 可以扎到样品的任意位置。6.探针臂采用三同轴线缆和三同轴接头，漏电流小，在100fA以内。7. CCD最大放大倍数为180倍，最大工作距离为100mm。

双电测电四探针方阻电阻率测试仪环境要求环境温度为23℃±1℃,相对湿度不大于65%。干扰因素光照可能严重影响观察电阻率,特别是近似本征材料。因此,所有测试应在暗室进行,除非是待测样品对周围的光不敏感。3.2当仪器放置在高频于扰源附近时,测试回路中会引入虚假电流，因此仪器要有电磁屏蔽。3.3试样中电场强度不能过大,以避免少数载流子注入。如果使用的电流适当,则用该电流的两倍或一半时,引起电阻率的变化应小于0.5%。3.4由于电阻率受温度影响,一般测试适用温度为23℃±1 ℃.3.5对于厚度对测试的影响,仲裁测量要求厚度按本方法的6.3规定测量,一般测量用户可以根据实际需要确定厚度的要求偏差。3.6由于探针压力对测量结果有影响,测量时应选择合适的探针压力。3.7仲裁测量时选择探针间距为1.59mm,非仲裁测量可选择其他探针间距。4方法提要直排四探针测量示意图5测量仪器5.1探针装置由以下几部分组成。5.1.1探针用钨,碳化钨或高速钢等金属制成,针尖呈尽可能使用非导电的工作桌工作台。操作人员和待测物之间不得使用任何金属。操作人员的位置不得有跨越待测物去操作或调整测试仪器的现象。测试场所必须随时保持整齐、干净，不得杂乱无章。测试站及其周边之空气中不能含有可燃气体或在易燃物质。4.3.4人员资格本仪器为精密仪器，必须由训练合格的人员使用和操作。4.3.5安全守则操作人员必须随时给予教育和训练，使其了解各种操作规则的重要性，并依安全规则操作。圆锥型,夹角为45°~150*,尖端初始标称半径为25 μm~50 μm。5.1.2探针压力,每根探针压力为1.75 N士0.25 N或4.0N±0.5N,分别用于硅单晶棒的电阻率测量,也可选择其他合适的探针压力。5.1.3绝缘性,一探针(包括连接弹簧和外部引线)与任何其他探针或装置任一部分之间绝缘电阻大于10’Ω.5.1.4探针排列和间距,四根探针的尖端应成等间距直线排列。仲裁测量时,探针间距(相邻探针之间的距离)标称值应为1.59mm。其他标称间距如1.00mm和0.6mm用于非仲裁测量,探针间距按7.2测定。5.1.5探针架,能在针尖几乎无横向移动的情况下使探针下降到试样表面.双电测电四探针方阻电阻率测试仪技术参数：1.电阻率：10-5～2×106Ω-cm2.电 阻：10-5～2×106Ω3.电导率：5×10-6～105ms/cm4.分辨率： 小0.1μΩ测量误差±（0.05%读数±5字）5.测量电压量程： 2mV 20mV 200mV 2V 测量精度±（0.1%读数）6.分辨率： 0.1uV 1uV 10uV 100uV7.电流输出：直流电流 0～1000mA 连续可调，由交流电源供电。量程：1μA，10μA，100µ A，1mA，10mA，1000mA, 误差：±0.2%读数±2字8.显示方式：液晶显示电阻值、电阻率、电导率值、温度、压强值、单位自动换算9.传感器压力：200kg (其他规格可以定制)10.粉末测量装置 模具：内径10mm；高：25mm；加压方式：手动液压加压/自动加压方式11.电源：220±10% 50HZ/60HZ12.主机外形尺寸：330mm*350mm*120mm双电测电四探针方阻电阻率测试仪安全要点● 非合格的操作人员和不相关的人员应远离测试区。● 万一发生问题，请立即关闭电源并及时处理故障原因。双电测电四探针方阻电阻率测试仪衣着规定操作人员不可穿有金属装饰的衣服或戴金属手饰和手表等，这些金属饰物很容易造成意外的感电。4.3.7医学规定绝对不能让有心脏病或配戴心律调整器的人员操作。4.4测试安全程序规定 一定要按照规定程序操作。操作人员必须确定能够完全自主掌控各部位的控制开关和功能。双电测电四探针方阻电阻率测试仪操作流程和测试步骤1.使用前期准备--测试前准备工作：1.1.开机预热：将220V电源插头插入电源插座，打开电源开关，让仪器预热15分钟，保证测试数据稳定。若测试仪无法正常启动，请按以下步骤检查：①检查电源线是否接触良好；②检查后面板上的电源开关是否已经打开③检查保险丝是否熔断，如有必要，请更换保险丝④_x0001_ 如经上述检查无误后，测试仪仍未正常启动，请联系本公司进行解决。

MPI TS2000是全球范围内公认的 探针系统的自然演变，其专用设计可满足高级半导体测试市场的需求。该系统与所有MPI系统附件完全兼容，主要设计用于解决故障分析，设计验证，IC工程，晶圆级可靠性以及对M MEMS，高功率，RF和mmW 器件测试的特殊要求。TS2000可用于环境和/或仅高温操作模式，速度极快,高可达10 Dies / second（取决于终配置），这使其成为分立RF器件进行生产前电气测试的理想选择。 特点:大探针台TS2000系列提供了易于使用的大型探针台板，以容纳多达12个DC或4个RF MicroPositioner。集成了负载拉力调谐器或更大面积的MicroPositioners,使得TS2000系统成为RF和mmW测量的理想选择。简易晶圆装载 宽大的前门通道可轻松装载/卸载100、150、200毫米的晶片，晶片碎片，甚至小至5×5毫米的IC。AUX卡盘都位于前面，可以很方便地进行装卸。没有推出阶段允许采用简单的自动化方法来进行RF校准和探针卡清洁。集成硬件控制面板智能硬件控制面板完全集成到探针系统中，并基于数十年的经验和客户互动而设计，以提供更快，更安全，更便捷的系统控制和测试操作。键盘和鼠标的位置非常重要，可以在必要时控制软件，并且还可以控制Windows基于仪器。晶圆和辅助夹具的真空控制面板位于右前侧，以便在装卸过程中轻松检修。热卡盘集成可以使用完全集成的触摸屏显示器来操作热吸盘（从20°C或从环境温度到高300°C），该触摸屏显示器放置在操作员面前的便利位置，以实现快速操作和即时反馈。探针卡和微型定位器–同时许多单探针，用于4.5英寸x 11英寸探针卡的薄型探针卡座以及较低的板到卡盘距离非常适合与主动探针同时进行探测，使该系统成为设计验证 和/或 故障分析 工作的理想选择 。整合式DarkBoxTS2000-D就是已经集成了DarkBox的TS2000！该系统专为各种测量仪器的佳占位面积，嵌入式互锁，LED照明和标准化接口面板而设计，是受光和激光安全保护的测试环境的。易于从背面板上进行访问，从而使重新配置或初始设置变得非常快捷和方便。仪器集成可选的仪器架可缩短电缆长度，并提高 RF和mmW?应用中的测量动态性和方向性。隔振TS2000结合了两种类型的隔振解决方案，可以在不同的实验室测试环境中更好地运行。总占地面积可比或小于行业中常用的独立振动台。软件套件SENTIOMPI自动工程探针系统由独特且革新性的多点触摸操作SENTIO控制软件套件 –简单直观的操作节省了大量的培训时间，“滚动”，“缩放”，“移动”命令模仿了现代智能移动设备，使每个人都可以在短短几分钟内成为专家。在活动应用程序与其余APP之间的切换仅需简单的手指操作即可。对于RF应用，无需切换到另一个软件平台– MPI RF校准软件程序QAlibria 与SENTIO完全集成 –为了遵循单一操作概念方法而易于使用。

四探针电阻率方块电阻测试仪便于查看的显示/直观的操作性：高亮度、超清晰4.3寸彩色LCD显示；操作易学，直观使用；基本设置操作简单，方阻、电阻、电阻率、电导率和分选结果；多种参数同时显示。精度高：电阻基本准确度： 0.05％；方阻基本准确度：3%；电阻率基本准确度：3%整机测量最大相对误差：≤±3%；整机测量标准不确定度：≤±3%四位半显示读数；八量程自动或手动测试；6. 测量范围宽： 电阻：10-4Ω～105Ω ；方阻：10-4Ω/□～105Ω/□；7. 正反向电流源修正测量电阻误差8. 恒流源：电流量程分为： 1uA、10uA、100uA、1mA、10mA 、100mA六档；仪器配有恒流源开关可有效保护被测件，即先让探针头压触在被测材料上，后开恒流源开关，避免接触瞬间打火。为了提高工作效率，如探针带电压触单晶对材料及测量并无影响时，恒流源开关可一直处于开的状态。9. 可配合多种探头进行测试；也可配合多种测试台进行测试。10. 校正功能：可手动或自动选择测试量程 全量程自动清零。11. 厚度可预设，自动修正样品的电阻率,无需查表即可计算出电阻率。12. 自动进行电流换向,并进行正反向电流下的电阻率(或方块电阻)测量,显示平均值.测薄片时,可自动进行厚度修正。13. 双电测测试模式，测量精度高、稳定性好.14. 具备温度补偿功能，修正被测材料温漂带来的测试结果偏差。15. 比较器判断灯直接显示，勿需查看屏幕，作业效率得以提高。3档分选功能：超上限，合格，超下限，可对被测件进行HI/LOW判断，可直接在LCD使用标志显示；也可通过USB接口、RS232接口输出更为详细的分选结果。16. 测试模式：可连接电脑测试、也可不连接电脑单机测试。17. 丰富的接口，Handler接口、RS232接口、USB HOST、USB DEVICE。实现远程控制。U盘可记录测试数据18. 软件功能（选配）：软件可记录、保存、各点的测试数据；可供用户对数据进行各种数据分析。标配：测试平台一套、主机一套、电源线数据线一套。四探针电阻率方块电阻测试仪GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯ 0.8N两种。以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。但凡注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括订正的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件，其新版本适用于本标准。GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的规定。样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士5"，测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。四探针电阻率方块电阻测试仪电位差计和电流计或数字电压表，量程为1mV¯ 100mV,分辨率为0.1%，直流输入阻抗不小250μm的半球形或半径为50 μm~125 μm的平的圆截面。探针(带有弹簧及外引线)之间或探针系统其他部分之间的绝缘电照至少为10°Ω.探针排列和间距，四探针应以等距离直线排列，探针阀距及针突状况应符合GB/T 552 中的规定。R=1(R +R, )…………………………(3)R2=与(R +R，)计算试样平均直径D与平均操针间距S之比，由表3中查出修正因子F，也可以见GB/T11073中规定的几何修正因子。 9.4计算几何修正因子F，见式(4)。对于薄层厚度小于3μm的试样，选用针尖半径为100μm250μm的半球形探针或针尖率径为50μm~125 pm平头探针，针尖与试样间压力为0.3 N¯ 0.8Ni对于薄层厚度不小于3μ的试样，选用针尖半径为35μm100 pm 半球形操针，针尖与试样间压力不大于 0.3 N.Rr=V R,/V=V/I,…… … R,=V,R,/V_=V,/I,-双刀双撑电位选择开关。四探针电阻率方块电阻测试仪规格型号 300c电阻10-7～2×107Ω2.电阻率范围10-8～2×108Ω-cm3.电导率5×10-8～108s/cm4.测试电流范围1μA，10μA，100µ A，1mA，10mA，1000mA5.测量电压量程 测量电压量程：2mV 20mV 200mV 2V测量精度:±（0.1%读数）分辨率： 0.1uV 1uV 10uV 100uV6.电流精度±0.1%读数7.电阻精度≤0.3% 8.显示读数 液晶显示：电阻值、电阻率、电导率值、温度、单位自动换算、横截面、高度、电流、电压等9.测试方式四端测量法10.测量装置（治具）选购1.标准方体和圆柱体测量装置：测试行程：L70mm*W：60mm2.定制治具11.工作电源 AC 220V±10%.50Hz功 耗：30WH12. 主机外形尺寸约330mm*350mm*120mm 13.净重量约6kgNet14.标配外选购 1.标准校准电阻1-5个；2.PC软件一套；3.电脑和打印机依据客户要求配置；4.计量证书1份四探针电阻率方块电阻测试仪定。欧娇表，能指示阻值高达10°日的漏电阻，温度针0℃-40℃，小刻度为0.1℃。光照、高频、需动、强电磁场及温醒度等测试环境会影响测试结果，甲醇、99.5%，干燥氮气。测量仪器探针系统操针为具有45"~150°角的圆罐形破化鸭振针，针实半径分别为35μm~100μm.100 μm…… … ………(5)电压表输入阻抗会引入测试误差，硅片几何形状，表面粘污等会影响测试结果，R(TD-R_xF式中:计算每一测量位置的平均电阻R.，见式(3).试剂优级纯，纯水，25℃时电阻率大于2MN.cm,s=号(二[R，(TD-瓦(7D羽yt ..计算每一测量位置在所测温度时的薄层电阻(可根据薄层电阻计算出对应的电阻率并修正到23℃，具体见表4)见式(5).用干净涂题颗子或吸笔将试样置于样品台上，试样放置的时间应足够长，到达热平衡时，试样温度为23 ℃±1℃.接通电流，令其任一方向为正向，调节电流大小见表1所给出的某一合适值，测量并记录所得数据，所有测试数据至少应取三位有效数字。改变电流方向，测量、记录数据。关断电流，抢起探针装置，对仲裁测量，探针间距为1.59

室温手动探针台的主要用途是为半导体芯片的电参数测试提供一个测试平台，外接不同的测量仪器，配合测量仪器可完成集成电路的电压、电流、电阻以及电容电压特性曲线等参数检测，用于室温下的芯片、晶圆和器件的非破坏性测试。 PSM系列室温手动探针台是一款高品质的探针台能够对2寸、4寸、6寸、8寸晶圆片进行大量非破坏性的、标准的电学实验，外接不同的测试设备，可以完成对器件的电学特性测量、参数测量、DC测量。科学的桌面设计是学术和实验研究的选择。特点&bull 稳定的双位移调节系统，可以调节样品座和探针臂的位移。&bull 样品座可以放置8英寸的晶圆样品，采用多孔分区控制气体吸附固定。&bull 移动样品座下面的滑台，可以实现X-Y轴±100mm的移动行程，使得样品测试和换样更加便捷。滑台采用磁力吸附固定。&bull 可安装6个探针臂。&bull 探针臂采用磁铁吸附，可任意移动，并且可以三维微调，操作方便，扎针精准，四个探针臂的探针可以扎到样品的任意位置。&bull 探针臂采用三同轴线缆和三同轴接头，漏电流小，在100fA以内。&bull CCD放大倍数为180倍，工作距离为100mm。型号分类：型号PSM-2PSM-4PSM-6PSM-8样品座尺寸2英寸4英寸6英寸8英寸参数和指标： 样品座卡盘尺寸：2/4/6/8英寸，可定制材质：无氧铜镀金样品固定方式：多孔分区吸附有外圈、内圈和中间三个单独控制的气体吸附通道滑台X-Y移动行程：2/4寸: X-Y轴±50mm；6/8寸: X-Y轴 ±100mm读数精度：10μm探针臂固定方式：磁铁吸附XYZ微调移动行程：XYZ-13mm微调可分辨精度：10μm探针臂数量：可安装6个探针臂（左右各3个）电学线缆：三同轴线缆漏电流：100fA探针类型：直流探针光学系统显微镜放大倍数：10-180倍显微镜工作距离：90-100mm显微镜分辨率：3μm（可选1μm）光源类型：兼配同轴和环形光源可加选件光学平台/直流探针/微波探针/样品座/屏蔽箱/光纤

机器是双系统控制模式，可电脑控制，也可以触摸屏控制。 数据处理：测试数据可显示测试点的 X, Y 坐标，电流电压范围，电阻，电阻率等。 图谱功能画面：制图软件可根据样品形状，测量点数量和位置，测量点的方阻值绘出2D, 3D MAP图. 控制系统：机器是双系统控制模式，可电脑控制，也可以触摸屏控制 有伺服电机，高精度走位，探头压力传感器，设有多重压力感应保护机制。测量区域封闭无尘空间，减少污染。 机器参数1．方阻测量范围：1x10E-6ohm/sq~5x10E6ohm/sq2．四探针探头测量金属类型：铝 / 钛 / 镍钒 / 金/ 铜 等金属3．四探针探头测量金属厚度：100A～10μm4．四探针系统电流量程：1μA , 10μA , 100μA ,1mA , 10mA , 50mA , 500mA 七档5．四探针标准晶圆方阻重复性：1，≤±0.1%（同点静态测量）2，≤±0.2% （动态多点测量）6．四探针标准晶圆测量精度：≤±1%（典型晶圆）7．量测区域：以探针头的中心到晶圆的边缘距离3mm8．测试图形： 1，极地图形（在对位晶圆的notch) 2，矩形图形（无效边缘排除以外进行选择） 3，直线扫描（可以是直径，半径或沿直径的点到点，最小距离0.1mm) 4，用户自定义（使用模板） 9．测量图形表示：可以为轮廓图，3D图，water上显示的数据图数据表示10．探针自清洁功能：陶瓷片清洁11．所有设备测量的数据文件可以被导入到Excel，Word文档，工作站等，数据图形可以合并

测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.R,=V,R,/V_=V,/I,-双刀双撑电位选择开关。.定。欧娇表，能指示阻值高达10°日的漏电阻，温度针0℃-40℃，小刻度为0.1℃。光照、高频、需动、强电磁场及温醒度等测试环境会影响测试结果，甲醇、99.5%，干燥氮气。测量仪器探针系统操针为具有45"~150°角的圆罐形破化鸭振针，针实半径分别为35μm~100μm.100 μm…… … ………(5)电压表输入阻抗会引入测试误差，硅片几何形状，表面粘污等会影响测试结果，R(TD-R_xF式中:计算每一测量位置的平均电阻R.，见式(3).试剂优级纯，纯水，25℃时电阻率大于2MN.cm,s=号(二[R，(TD-瓦(7D羽yt ..计算每一测量位置在所测温度时的薄层电阻(可根据薄层电阻计算出对应的电阻率并修正到23℃，具体见表4)见式(5).用干净涂题颗子或吸笔将试样置于样品台上，试样放置的时间应足够长，到达热平衡时，试样温度为23 ℃±1℃.接通电流，令其任一方向为正向，调节电流大小见表1测量范围电阻率：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辨率：1×10-5～1×102 Ω-cm方 阻：5×10-4～2×105 Ω/□，分辨率：5×10-5～1×102 Ω/□电 阻：1×10-5～2×105 Ω ，分辨率：1×10-6～1×102 Ω 材料尺寸(由选配测试台决定和测试方式决定)直 径：A圆测试台直接测试方式 Φ15～130mm， 方测试台直接测试方式180mm×180mm， 长(高)度：测试台直接测试方式 H≤100mm, 测量方位: 轴向、径向均可

Avantgarde 室温真空探针台能够为半导体芯片的电学参数测试提供一个室温真空测试环境，通过外接不同的电学测量仪器，可完成集成电路的电压、电流、电阻以及IV曲线等参数检测，用于室温真空环境下的芯片、晶圆和器件的非破坏性电学测试。PSV系列室温真空探针台是一款专门针对室温真空电测环境开发的探针台，能够对2寸、4寸晶圆片进行重复非破坏性的、标准的电学实验，外接不同的测试设备可以完成对器件的电学特性测量、参数测量、DC测量和RF测量。特点1.真空腔极限真空度能够达到5E-4 mbar，通过真空泵连接KF25法兰抽真空。2. 样品座可以放置最大4英寸的晶圆样品，探针臂的位移调节在真空腔外操作，可以在不破坏真空的情况下，切换样品上的不同器件进行测试。探针臂可在X-Y-Z-R范围内进行四维调节，能满足最大4英寸范围内全部位置的扎针测试。3.真空腔材质为铝制材料，能够有效减小外界的电磁干扰，提高测试的精准度和稳定性。4.直流探针臂采用三同轴接头，漏电性能好，使用4200实测漏电流小于100fA @1V。5.独特设计的柔性探针，将探针安装到铜制弹片上，避免扎针过程中力量过大导致样品或电极损坏。6.可选微波探针臂，最高频率可达到110GHz。

PW-US16T探针式初粘力测试仪YL-1106E环型初粘性试验机PW-US16T探针式初粘力测试仪又叫探针式初粘力试验机（Probe Tack Tester），是胶带初粘力测试的方式之一，主要用于各种胶带、粘合剂类等各种不同产品的初始粘着力测试，产品满足ASTM*2979 的规范等国际标准，适合各类研究机构、胶粘剂企业、不干胶等检验检疫机构等。　　测试原理：使用5mm直径精密研磨的平面探头压在黏胶面，完全接触之后，再反方向恒速完全分离所产生的da力，这个da力值即为所测试样的初粘力，机器会记录离开时da拉力数值。产品特点：　　1.数据收集系统具有即又易用的特点，是当前先进的测量仪器。　　2.采用电脑控制技术，，精度高，操作简便。　　3.采用高精度传感器，度可以达到重量感应器标准的+0.1%。　　4.先进的静音电机和精密滚珠丝杠，传动运行平稳，位移测量更加准确。5.全电脑操作显示，测试数据一目了然 　　6.具有试验力值保持功能，查看实验结果更加方便。技术参数：　　1.负荷范围：0－50N　　2.测量精度：±1%测量误差　　　3.分 辨率：0.01N　　4.加载速度：0.5—500mm/min） 　　5、 试验行程：200mm　　6、 速度控制范围：1mm/min～800mm/min7、试验机尺寸：360mm（B）×380mm（L）×520mm（H） 8、供电电源：220V，50Hz　　9、重量:75kG

Avantgarde紧凑型室温手动探针台的主要用途是为半导体芯片的电参数测试提供一个测试平台，外接不同的测量仪器，配合测量仪器可完成集成电路的电压、电流、电阻以及电容电压特性曲线等参数检测，用于室温下超小芯片晶圆和器件的非破坏性测试。SPSM系列紧凑型室温手动探针台是一款经济实惠、入门级的探针台，能够对2寸、4寸晶圆片进行大量非破坏性的、标准的电学实验，外接不同的测试设备，可以完成对器件的电学特性测量、参数测量、DC测量。紧凑的桌面设计是学术和实验研究的最佳选择。特点&bull 样品座可以放置最大4英寸的晶圆样品&bull 样品座下方位移座可实现样品座三维精细位移调节使得样品测试和换样更加便捷。&bull 最多可安装6个探针臂&bull 探针臂采用磁铁吸附，可任意移动，并且可以三维微调，操作方便，扎针精准，四个探针臂的探针可以扎到样品的任意位置。&bull 探针臂采用三同轴线缆和三同轴接头，漏电流小，在100fA以内&bull CCD最大放大倍数为180倍，最大工作距离为100mm型号分类：型号样品座尺寸SPSM-22英寸SPSM-44英寸参数和指标：样品座卡盘尺寸：2/4英寸，可定制材质：无氧铜镀金样品固定方式：多孔分区吸附有外圈、内圈和中间三个单独控制的气体吸附通道位移行程：X-±6.5mm，Y-±6.5mm，Z-±5mm读数精度：10μm探针臂固定方式：磁铁吸附XYZ微调移动行程：XYZ-13mm读数精度：10μm探针臂数量：可安装6个探针臂（左右各3个）电学线缆：三同轴线缆漏电流：100fA探针类型：直流探针光学系统显微镜放大倍数：50-1000倍显微镜工作距离：90-100mm显微镜分辨率：最小可识别3μm可加选件光学平台/直流探针/微波探针/样品座/屏蔽箱/光纤

产品概要：本磁场探针台采用无磁材料制成，一对类亥姆霍兹线圈水平放置，产生平面内水平磁场，线圈采用自然风冷结构，并且配备有线圈过热保护，因此磁场可以长时间稳定工作。根据出厂标定的电流磁场对应关系，通过电源前面板或者软件输入相应电流，已达到所要求磁场，也可选配高斯计实时监测磁场的大小。探针台配备有可移动样品台，可以实现水平方向二维移动和样品台360度旋转，便于样品的安装和测试。探针台具有四个高精度探针臂，同时配有高精度电子显微镜，便于微小样品的观察操作。基本信息：1、一维水平磁场(可以选配二维磁场或者三维磁场)2、磁场最大值200Gs(可选配更高磁场)3、高分辨率CCD数字显微镜4、三维无磁可调样品台，实现水平二维移动和样品台自身转动5、四个低频探针(可选配高达67GHz的GSG探针)6、四个三维高精度探针座，控制探针精确的移动(可选配增加探针座以及探针)7、磁场均匀区：中心区50毫米球体内1%8、先对电流和磁场的关系进行标定，然后通过给定电流值来得到磁场9、可选配高斯计10、高精度双极性电源技术优势：1、线圈骨架采用优质铝合金制作，线圈内侧采用镂空结构，有利于线圈的散热2、线圈采用优质耐180℃高温定制线绕制3、线圈整体经过电磁仿真软件优化，最大化提高电流利用效率4、轻量化线圈，减少热量产生5、四个高精度探针座，分辨率20微米6、四个低频探针，频率高达1GHz7、CCD数字显微镜，放大倍数达到300倍8、9寸CCD显示器9、三维无磁样品台，实现水平二维移动和样品台自身旋转10、前面板同轴测量接口，方便连接测量引线11、整体无磁材料制作12、可定制样品台13、供电接口采用优质航空接头，方便易用14、表面进行氧化、喷塑等处理15、可长时间工作，不需要值守应用方向：探针可通过直流或者低频交流信号，用来测试芯片、晶圆片、封装器件等，广泛应用于半导体工业、MEMS 、超导、电子学、铁电子学、物理学、材料学和生物医学等领域。典型的应用包括样品的IV曲线测试，微波测试，光电测试，表征变磁环境下的磁输运特性，理解载流子浓度的霍尔效应测试，和其它材料的研究。

室温永磁铁探针台为半导体芯片的电参数测试提供一个测试平台，外接不同的测量仪器，配合测量仪器可完成集成电路的电压、电流、电阻以及电容电压特性曲线等参数检测。另外，可用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要的霍尔参数。在室温下对芯片、晶圆和器件进行非破坏测试。 PSPM系列室温永磁体探针台是一款专门针对室温垂直磁场电测环境开发的探针台，提供0.5T垂直磁场，能够对2寸、4寸、6寸、8寸晶圆片进行重复性的、标准的电学实验，外接不同的测试设备可以完成对器件的电学特性测量、参数测量、DC测量、RF测量和霍尔测量。特点&bull 样品座可以放置8英寸的晶圆样品，通过移动样品座下面的滑台，可以实现X-Y轴±100mm的移动行程，并且样品座本身可以进行三维上的精细调节，使得样品测试和换样更加便捷。&bull 探针臂底座采用磁铁吸附固定，可使探针在X-Y-Z三个维度上进行调节，配合样品座位移调节，可满足探针快速扎到8英寸样品的任意位置&bull 探针臂采用三同轴线缆和三同轴接头，漏电性小，漏电流在100fA以内，探针臂内置线缆，避免杂乱的走线&bull 探针采用针套固定，只有针尖裸露在外，减小漏电&bull 永磁铁采用电动控制，可以实现前进后退翻转运动&bull 永磁铁支架与探针台采用分体隔离支架，在磁体运动时避免振动传导到样品上&bull 样品固定方式采用多孔分区吸附，有外圈、内圈和中间三个单独控制的气体吸附通道，可吸附固定1mm*1mm样品型号分类：型号PSPM-2PSPM-4PSPM-6PSPM-8样品座尺寸2英寸4英寸6英寸8英寸参数和指标： 样品座卡盘尺寸：2/4/6/8英寸，可定制材质：无氧铜镀金样品固定方式：多孔分区吸附有外圈、内圈和中间三个单独控制的气体吸附通道滑台X-Y移动行程：2/4寸: X-Y轴±50mm；6/8寸: X-Y轴 ±100mm读数精度：10μm探针臂X-Y-Z移动行程：X-13mm，Y-13mm，Z-13mm旋转度：360度自由旋转移动精度：10μm探针臂数量：可安装6个探针臂（左右两边各3个）电学线缆：三同轴线缆漏电流：100fA探针类型：直流探针光学系统显微镜放大倍数：10-180倍显微镜工作距离：90-100mmCCD相机分辨率：3800万像素永磁铁组件磁场大小：0.5T磁铁间距：30mm磁铁极面尺寸：50mm可加选件 光学平台/直流探针/微波探针/样品座/屏蔽箱/光纤

Avantgarde 室温永磁铁探针台为半导体芯片的电参数测试提供一个测试平台，外接不同的测量仪器，配合测量仪器可完成集成电路的电压、电流、电阻以及电容电压特性曲线等参数检测。另外，可用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要的霍尔参数。在室温下对芯片、晶圆和器件进行非破坏测试。PSPM系列室温永磁体探针台是一款专门针对室温垂直磁场电测环境开发的探针台，提供0.5T垂直磁场，能够对2寸、4寸、6寸、8寸晶圆片进行重复性的、标准的电学实验，外接不同的测试设备可以完成对器件的电学特性测量、参数测量、DC测量、RF测量和霍尔测量。特点&bull 样品座可以放置最大8英寸的晶圆样品，通过移动样品座下面的滑台，可以实现最大X-Y轴±100mm的移动行程，并且样品座本身可以进行三维上的精细调节，使得样品测试 和换样更加便捷。&bull 探针臂底座采用磁铁吸附固定，可使探针在X-Y-Z三个维度上进行调节，配合样品座位移调节，可满足探针快速扎到最大8英寸样品的任意位置&bull 探针臂采用三同轴线缆和三同轴接头，漏电性小，漏电流在100fA以内，探针臂内置线缆，避免杂乱的走线&bull 探针采用针套固定，只有针尖裸露在外，减小漏电&bull 永磁铁采用电动控制，可以实现前进后退翻转运动&bull 永磁铁支架与探针台采用分体隔离支架，在磁体运动时避免振动传导到样品上&bull 样品固定方式采用多孔分区吸附，有外圈、内圈和中间三个单独控制的气体吸附通道，最小可吸附固定1mm*1mm样品型号分类：型号PSPM-2PSPM-4PSPM-6PSPM-8样品座尺寸2英寸4英寸6英寸8英寸参数和指标： 样品座卡盘尺寸：2/4/6/8英寸，可定制材质：无氧铜镀金样品固定方式：多孔分区吸附有外圈、内圈和中间三个单独控制的气体吸附通道滑台X-Y移动行程：2/4寸: X-Y轴±50mm；6/8寸: X-Y轴 ±100mm读数精度：10μm探针臂X-Y-Z移动行程：X-13mm，Y-13mm，Z-13mm旋转度：360度自由旋转移动精度：10μm探针臂数量：可安装6个探针臂（左右两边各3个）电学线缆：三同轴线缆漏电流：100fA探针类型：直流探针光学系统显微镜放大倍数：10-180倍显微镜工作距离：90-100mmCCD相机分辨率：3800万像素永磁铁组件磁场大小：0.5T磁铁间距：30mm磁铁极面尺寸：50mm可加选件 光学平台/直流探针/微波探针/样品座/屏蔽箱/光纤

室温真空探针台能够为半导体芯片的电学参数测试提供一个室温真空测试环境，通过外接不同的电学测量仪器，可完成集成电路的电压、电流、电阻以及IV曲线等参数检测，用于室温真空环境下的芯片、晶圆和器件的非破坏性电学测试。 PSV系列室温真空探针台是一款专门针对室温真空电测环境开发的探针台，能够对2寸、4寸晶圆片进行重复非破坏性的、标准的电学实验，外接不同的测试设备可以完成对器件的电学特性测量、参数测量、DC测量和RF测量。特点&bull 真空腔极限真空度能够达到5E-4 mbar，通过真空泵连接KF25法兰抽真空。&bull 样品座可以放置4英寸的晶圆样品，探针臂的位移调节在真空腔外操作，可以在不破坏真空的情况下，切换样品上的不同器件进行测试。探针臂可在X-Y-Z-R范围内进行四维调节，能满足4英寸范围内全部位置的扎针测试。&bull 真空腔材质为铝制材料，能够有效减小外界的电磁干扰，提高测试的精准度和稳定性。&bull 直流探针臂采用三同轴接头，漏电性能好，使用4200实测漏电流小于100fA @1V。&bull 独特设计的柔性探针，将探针安装到铜制弹片上，避免扎针过程中力量过大导致样品或电极损坏。&bull 可选微波探针臂，频率可达到110GHz。型号分类：型号样品座尺寸PSV-22英寸PSV-44英寸参数和指标： 样品座样品座类型及材质：无氧铜接地样品座尺寸：2/4英寸可选配置：接地样品座、绝缘样品座、同轴样品座、三同轴样品座探针臂组件类型：直流探针臂数量：4个接头和线缆：三同轴接头漏电流：100fA@1V真空环境信号频率：直流~50MHz 交流匹配阻抗：50 Ω探针针尖直径：100μm铍铜探针位移行程：X-±35mm，Y-±12.5mm,Z-±6.5mm ，R-±10°读数精度：10μm光学系统显微镜放大倍数：10~180 倍分辨率：3μm视野范围：可到 22mm显微镜工作距离：90~100mm显微镜支架升级行程：65mm真空腔体材料：铝合金腔体容积：4/6L外形尺寸：800*800*600腔体入口尺寸：Ø 124mm可视窗口尺寸：50mm真空度：5E-4 torr真空抽口：KF25法兰真空腔体窗片：红外绝热材质防辐射屏窗片：石英材质充气阀接口：Ø 8 快拆接头预留接口：2个探针臂接口，2个电学接口减振支架（选件）尺寸（mm）：800×800×870；桌脚：有固定脚和滚轮可调换