固态材料中的核自旋既是消相干的原因也是自旋比特的来源。在这项工作中,芝加哥大学David D. Awschalom通过在碳化硅(SiC)中控制单个的29Si核自旋,在一个具有光学活性的空位自旋和强耦合的核寄存器之间创造了一个纠缠态。此外,作者还展示了如何利用SiC的同位素加工来实现弱耦合核自旋的控制,并提出了一种性原理计算方法来预测优同位素分数,使可用核存储器的数量大化。总的来说,作者展示了在固态系统中控制核环境的重要性,实现了工业尺度材料中的单光子发射器与核寄存器的连接。
许多微粒系统取决于颗粒悬浮体系的稳定性和再分散能力,而它的PH范围不能太过局限。一种达到稳定性的方法为通过适当的离子端基修饰改变它的界面。越高的离子电荷密度,单个颗粒间的排斥力就越高,从而可以克服范德华吸引力。离子排斥可以通过静电学的颗粒界面电势(PIP)和总的离子表面电势表征。PH稳定范围和总离子电势,都可以通过Stabino II ® 电位滴定轻松控制。