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光谱探测器

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光谱探测器相关的仪器

  • 仪器简介:DSR100系列探测器光谱响应度测量系统,是适应不断增长的材料科学对检测设备的需求而诞生的。它结合了北京卓立汉光仪器有限公司给多家科研单位定制的探测器光谱响应测量系统的特点和经验,采用国家标准计量方法进行测试,是光电探测器、器件、光电转换材料科研和检验的必备工具。技术参数:型号 DSR100UV-A DSR100UV-B DSR100IR-A DSR100IR-B波长范围 200~2500nm 1~14&mu m测试光斑\光斑模式 均匀平行光斑 汇聚光斑 均匀平行光斑 汇聚光斑尺寸 Ф2~20mm Ф0.3~3mm Ф2~20mm Ф0.3~3mm 光源 光源 氘灯/溴钨灯复合光源 溴钨灯/碳化硅复合光源光强稳定性 &le 0.8% &le 2%光源切换方式 软件自动切换 软件自动切换三光栅单色仪 光 谱分辨率 <0.1nm(435.8nm@1200g/mm光栅) <2.5nm (2615nm@75g/mm光栅)扫描间隔 最小可至0.005nm输出波长带宽 <5nm <10nm多级光谱滤除装置 根据波长自动选择滤光片,消除多级光谱杂散光  光调制频率 4~400Hz数据采集装置灵敏度 锁相放大器 2nV;直流数据采集可选标准探测器 标准硅探测器 (标定200~1100nm) 标准热释电探测器(标定1~14mm)光谱响应度测量重复性* &le ± 1.5% &le ± 5%光路中心高 305mm仪器尺寸 1500mm× 1200mm× 560mm控制机柜 标准4U控制柜,含计算机主要特点:◆ 宽光谱范围(200~2500nm或1~14&mu m可选),适用面广宽光谱范围意味着适用于各种不同样品,如响应在日盲区的深紫外探测器、响应在可见光的太阳能电池、响应在近红外的光纤传感器、响应在中远红外的红外光电传感器,都可以在DSR100上测量光谱响应度。◆ 开机即用的Turnkey系统设计,维护简单系统采用替代法的测量原理,设计成开机即用的turnkey模式,用户不需要在实验前对系统进行复杂的调试,日常维护也十分简单。◆ 调制法测量技术,提升测量结果信噪比DSR100系统采用调制法测量技术。调制法是目前国家计量单位采用的标准方法,通过选频放大的技术,可以大幅度抑制杂散光或环境噪声对测量精度带来的负面影响。DSR100系统针对弱信号采集专门设计了独特的前置放大电路,同时采用高性能的锁相放大器进行调制法测量。锁相放大器测量灵敏度达到2nV,动态范围达到100dB。通过提高测量灵敏度并且抑制噪声,DSR100系统可以从背景噪声中提取非常微弱的光电探测器响应信号。◆ 全反射光路设计,优化光斑质量由于各种光电探测器的光谱响应范围不同,因此好的探测器光谱响应度测量系统应该是宽光谱范围的,这样才能具备较强的通用性。在宽光谱范围的光学设计中,采用反射式的光路设计要比透射式得到更高品质的光束质量和均匀光斑。在透射式的光学系统中,影响光束质量和光斑品质的重要因素是色差,色差源自于不同波长的单色光在光学材料中的折射率不同,波长范围越宽,色差越明显。而在反射式的光学系统中,由于根本不涉及折射,所以不存在色差的问题。因此采用反射式光路,成像质量大大优于透射式光路,从而可以得到更高均匀度的平行光斑,或者更小尺寸的汇聚光斑。◆ 高稳定性光源,降低背景噪声影响尽管采用调制法可以降低系统杂散光和背景噪声对测量的影响,但光源本身的波动依然无法消除。因此,在采用调制法的系统中,光源稳定性反而成为系统噪声的主要来源。DSR100采用高稳定性的光源来保证系统的高重复性。右图是典型的光源相对强度的稳定度测量数据。◆ 全自动测量流程1)自动化测量流程得到高重复性样品的重复定位精度很大程度上决定了测量重复性,电动平移台重复定位精度10um,远远高于手动样品定位2)自动化测量流程降低了操作人员的要求按软件文字提示即可正确操作系统进行测量,不需要对操作人员进行复杂的培训,特别适合工业客户做检测用3)自动化测量流程提高时间利用率系统在预设方案后即自动运行测量流程,可提高操作人员时间利用率◆ 大空间样品仓,四壁可拆卸,方便系统调试特别设计的四壁方便拆卸的样品仓,给实验人员足够大的空间进行样品安装和调试。同时,也能容纳一些特殊体积的探测器,比如液氮制冷的探测器、条纹变相管等。实验人员的可操作性大大增强。◆ 激光监视光路选项,CCD图像监控,可对极小面积的光电探测器进行精确定位◆ 标准测量软件,数据导出格式支持第三方软件DSR100系统的软件保存所有测试第一手原始数据,可供实验人员导出成txt、xls等常见格式的文档,以便后期分析处理。
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  • 仪器简介:硅光电探测器(Si)&mdash &mdash &mdash 室温型探测器,波长范围:200-1100nm技术参数:型号列表及主要技术指标:技术指标\型号名称 DSi200 紫敏硅探测器 DSi300 硅探测器 进口紫外增强型 国产低暗电流型有效接收面积(mm2) 100(&Phi 11.28) 100(10× 10)波长范围(nm) 200-1100 300-1100峰值波长(nm) ------- 800± 20峰值波长响应度(A/W) 0.52 0.4254nm的响应度(A/W) 0.14(0.09) -------响应时间(&mu s) 5.9 -------工作温度范围(℃) -10~+60 -------储存温度范围(℃) -20~+70 -------分流电阻RSH(M&Omega ) 10(5) -------等效噪声功率NEP (W/&radic Hz) 4.5× 10-13 -------暗电流(25℃;-1V) ------- 1X10-8&mdash 5× 10-11 A结电容(pf) 4500 3000(-10V)信号输出模式 电流 电流输出信号极性 正(P) 正(P)主要特点:■ DSi200/DSi300硅光电探测器硅光电探测器(Si)&mdash &mdash &mdash 室温型探测器,波长范围:200-1100nm两种型号的探测器室的外观相同,其中:◆ DSi200型内装进口紫敏硅光电探测器◆ DSi300型内装国产低暗电流硅光电探测器◆ 推荐配合I-V放大器(型号:ZAMP)使用 硅光电探测器使用建议:◆ DSi200/DSi300均为电流输出模式的光电探测器,在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前,建议采用I-V跨导放大器ZAMP(Page85做为前级放大并转换为电压信号,标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号,但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度;◆ DSi200/DSi300配合DCS103数据采集系统(Page95)使用时,建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度;◆ DSi200/DSi300配合DCS300PA数据采集系统(Page95)使用时,由于DCS300PA双通道已集成信号放大器,故可不再需要另行选配前置放大器。
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  • 光电探测器 400-860-5168转1545
    仪器简介:雪崩光电探测器(APD) 产品特性: 高速响应达GHz 封装尺寸小:50 x 50 x 45 mm 400-1000 nm /850-1650 nm波长可选 增益连续可调:1x to 100x (ADP210) 1x to 10x (ADP310) SM05适配器 光电倍增管Photomultiplier Modules 产品特性: 两种波段可选:280 - 630 nm 或 280 - 850 nm 可提供倍增管接口组件 具有防静电和消磁作用 变换增益:阳极电流1 V/&mu A 链构型环形电极 封装与SM1螺纹匹配 封装含4个螺纹孔,与ER系列笼杆匹配 支杆可安装于3种不同组件 120V电源供应(230V可选) SMA输出技术参数:高速探测器Biased Detectors 产品特性: 宽光谱150 nm to 2.6 &mu m 高速响应1 ns~220ns 大面积光敏面Ø 1.0 mm~Ø 9.8 mm 可选的光纤适配器,方便光纤耦合输入 标准的BNC输出接口 内装A23 12V电池,使用方便,还可外接电源 带放大电路探测器Amplified Detectors 产品特性: 宽光谱150 nm to 4.8 &mu m 带宽高达150MHz 放大增益可固定,亦可调 0-10V电信号输出 大面积光敏面Ø 1.0 mm~Ø 9.8 mm 可选的光纤适配器,方便光纤耦合输出 标准的BNC输出接口 提供230 VAC外接电源主要特点:光纤耦合探测器Fiber Optic Detectors 产品特性: 宽光谱320 nm to 1700nm ps级高速响应,带宽1-8GHz 可提供带放大电路 FC/PC光纤接口,方便光纤耦合输入 标准的BNC输出接口 内装A23 12V电池,使用方便,可外接电源 平衡探测器Balanced Detectors 产品特性: 宽光谱320nm-1700nm 高带宽DC-350MHz 超低噪音 探测器类型:Si & InGaAs 可提供带放大电路 自由空间或尾纤输入 直接的探测器监视输出 含外接电源 增益可调和增益固定可选 应用: 光谱与波谱学: 外差检测 OCT系统 光学延迟测量 THz检测
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  • 产品简介:探测器是采用具有光电效应的材料制作的光电转换器件。由于不同类型的材料具有不同的光谱选择特性,因此探测器光谱响应测试对探测器的生产、检测、应用和研究等都有重要的意义。SSC-DSR探测器光谱响应测试系统可以方便、简捷地对探测器的光谱性能进行检测。系统符合国家计量技术规范 JJF 1150-2006《光电探测器相对光谱响应度校准规范》规定的测试方法和测试要求,是探测器光谱响应测试的首选设备。测试项目:绝对光谱响应曲线(A/W或V/W);相对光谱响应曲线;内/外量子效率曲线(%);等效噪声功率(NEP) 比探测率(D*) 响应时间(s);线性度,以及暗电流(A)。偏置电压下的光谱响应度及外量子效率,指定波长下的I-V特性测试。 主要特点:1. 光谱范围宽,适用面广 宽光谱范围可适用于各种不同样品,如响应在日盲区的深紫外探测器;响应在可见光的太阳能电池;响应在近红外的光纤传感器;响应在中远红外的光电传感器,都可以在本系统上测量光谱响应度。2. 监视光路,方便样品定位 采用监视光路,使用高精度显微镜配合CCD 相机实现对微小器件的可视化控制,可清楚观察暗室内测试光斑与样品有效区域的位置关系,配合精密位移台实现样品精确定位。3. “TurnKey”理念,“OneKey”应用,系统集成度高。 秉承“交付即使用”的“TurnKey”理念,我们将系统设计为高度集成结构。在保留模块化系统兼容性高和升级空间大的前提下,将众多调整环节整合,达到无需多加调整即可使用。为免除定标的繁琐操作,本系统采用替代法进行测试。替代法作为现行的国家级计量部门通用的测试方法,与传统方法相比避免了对系统中各相关部件分别定标的繁琐以及多项误差的引入,具有更准确,更方便的特点。 4. 针对不同器件的结构特点,配置不同的测试模式,配合两种不同的光路形式。4.1.有效面积小的样品,需要通过照度法进行响应度的测试。采用积分球匀质光路设计,光均匀度高。 在宽光谱范围的光学设计中,采用积分球实现光的匀质输出是一种常用的手段。积分球内设置合理的挡板可有效防止入射光的直接出射,保证输出光的匀质要求。4.2.有效面积大的样品,可采用通量法进行响应度的测试。采用全反射式成像光路,可提高光利用率,增大测试信噪比。 在宽光谱范围的光学设计中,反射式光路要比透射式光路具有更高的成像质量。透射式光学系统中影响成像的重要因素是色差,其来源是不同波长的辐射在光学材料中的折射率不同,波长范围越宽,色差越明显。在反射式的光学系统中,由于不涉及折射,所以不存在色差。因此采用反射式光路,成像质量会优于透射式光路。反射式汇聚光斑成像光路示意图测试系统暗箱内部测试系统样品室采用暗箱避光设计结构,同时便于取放样品或进行调整操作。样品室内上方为主光光源出光口,出光口角度出厂前已调整好,可准确照射在样品及探测器上;通过CCD相机对暗箱内进行可视化控制,可清楚的观测光斑效果,使样品精准定位;下方为可调整样品台,样品台可按需定制为手动或电控驱动,搭配我公司多种的探针台或其他配件。这种模块化的灵活搭配方式,适合工业、科研用户建立多种类样品的测试平台。系统参数:光谱范围200nm~2500nm内可选波长准确性±0.2nm光谱分辨率±0.1nm光谱带宽0.2nm~10nm可调光电源电流漂移<0.04%/h系统重复性 1%系统框图: 系统软件:a) 集成分光系统、滤光片轮、数据采集器等参数设置功能b) 测量项目选择,扫描参数设置c) 自动扫描、信号放大、A/D、数据采集d) 粗大误差的自动去除,通过统计学的数据处理手段进一步提高了系统测试结果的准确性e) 多组数据对比功能f) 图、表文件自动生成与显示 g) 多种格式的数据和图片备份和打印输出功能 相关组件:氘灯光源氘灯光源主要用于紫外,可到真空紫外界限195nm,并且波长越短,亮度越高,在360nm以下比一般卤钨灯的辐亮度高。氘灯光源室内置长寿命氘灯灯泡,用户可自行更换。可用作独立的紫外光源,荧光光源的激发光源,或与我公司生产的单色仪、光谱仪、样品室、滤光片轮等配套使用组成各种应用系统。 卤钨灯光源卤钨灯光源室内置德国OSRAM原装进口灯泡及灯座,使用寿命长,用户可自行更换灯泡。光源具有色温高,光效高,光通稳定的特点,灯泡寿命终止时的光通量为开始时的95~98%,可基本保持恒定。输出光通量波动仅为0.12%~0.2%。该光源可与我公司生产的单色仪、样品室、滤光片轮等配套使用组成各种应用系统,也可单独作为照明光源使用。 氙灯光源氙灯光源室内置德国OSRAM原装进口高压短弧氙灯,亮度高于国产灯源数倍,寿命长,更换方便。光源室的F/#连续可调,且高压触发器置于光源室内部,避免光源室与电源之间传递高压造成安全隐患。关闭电源后,风冷系统继续工作保证光源室和电源充分冷却以延长各零组件寿命。 光栅扫描单色仪光栅扫描单色仪,配置滤光片轮,消除二次色散设计,有效抑制杂散光;单色仪采用多光栅塔台式分光结构,可根据需求灵活配置多块光栅;集成式软件可自动控制光栅转换、滤光片更换和波长扫描,实现全自动宽光谱测试;单色仪产品可与我公司光源、探测器等产品灵活组合搭建,广泛应用于我公司各光谱测试系统。 光学斩波器光学斩波器是一种高精密的光学设备,主要作用是将连续光调制成为有固定频率的光,同时输出调制频率;通常是与锁相放大器配合使用;光学斩波器一般由如下几个部件构成:控制单元、斩波装置、斩波片和连接线等 锁相放大器锁相放大器是用来检测极微弱的AC信号(可低至nV级)的高灵敏数据采集器,即使在噪声高于信号数千倍的情况下,也可得到精确的测量;锁相放大器是使用PSD相位敏感检测器的技术,只有存在于特定参考频率的信号可被挑选出来,而其他频率的噪声则不会被检出。系统需求确认表:SSC-DSR系统需求确认表(****单位****老师),请勾选填写后发到邮箱ssc@shinsco.cn1光谱范围(nm)(200-2500nm)2测试内容绝对光谱响应、量子效率、等效噪声功率NEP、暗电流pA级、最大反向电压,短路电流,开断电阻,暗电流-反向电压,暗电流-环境温度,响应温度系数,增益,一致性(Mapping)3样品种类(光电二极管、雪崩二极管等)4样品材质(硅、铟镓砷、锗等)5样品极数(二级、三级)7样品封装方式(裸片、TO5、TO8等)8光敏面尺寸9是否需要电偏置电偏置电压范围(V)10测试模式(交流、直流、交/直流切换;电动、手动)11附件需求 (平台,电脑,打印机,备用灯泡等)12是否提供电池样品、照片或尺寸图等13其他要求根据不同的需求进行配置,报价区间25-80万元左右。应用案例:江苏某高校探测器光谱响应测试系统深圳某高校探测器光谱响应测试系统大连某高校探测器光谱响应测试系统长春某高校探测器光谱响应测试系统中国航天某院探测器光谱响应测试系统新疆某高校探测器光谱响应测试系统
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  • 仪器简介:S1024DW大阱深探测器光谱仪采用1024像元光电二极管阵列探测器,用于需要高信噪比的测量。通过S1024DW可以观察到小于0.00001个吸光度单位的变化,适合高亮度的应用。技术参数:S1024DW系列探测器选项 特性 S1024DW S1024DWX 探测器:Hamamatsu S3903 线阵二极管 Hamamatsu S3904线阵二极管 像元: 1024像元 1024像元 像元尺寸:25 µ m x 500 µ m 25 µ m x 2500 µ m 阱深: 31,000,000 electrons 156,000,000 electrons 信噪比(全扫描) 2500:1 8000:1 A/D精度: 12 bit 16 bit 暗噪声: 2 RMS 2 RMS 校正后线性度: 99% 99% S1024DW系列探测器附件 型号描述 L2探测器聚光镜:附着在探测器上的圆柱状透镜,用于增加光的采集效率。 OFLV-DW:可变长通滤光片,在200-850 nm系统中消除高阶效应。 OFLV-350-DW:可变长通滤光片,在350-1000 nm系统中消除高阶效应。 规格 尺寸:153.4 mm x 105.2 mm x 65.6 mm (采用 ADC1000-USB A/D转换器) 消除高次衍射滤光片: 带通和长通滤光片 焦距:42 mm (入射) 68 mm (出射) 功耗:180 mA @ 5 VDC (S1024DW & DWX主通道) 140 mA @ 5 VDC (S1024DW & DWX辅助通道) 光学分辨率: ~0.3-10.0 nm FWHM (取决于光栅和入射狭缝) 探测器:线性二极管阵列 杂散光: 600 nm时 0.05%; 435 nm时 0.10% 探测器范围:200-1100 nm 相对灵敏度:和USB4000的CCD探测器相比,S1024DW 在紫外段约为1/30,可见段约为1/80 光栅:14种光栅 UV到NIR 入射孔径:5, 10, 25, 50, 100 or 200 µ m宽狭缝或光纤(无狭缝) 光纤连接:SMA905连接到0.22孔径单芯光纤 积分时间:31ms到65s o-element-wrap: around mso-element-anchor-vertical: paragraph mso-element-anchor-horizontal: margin mso-element-top: 2.85pt mso-height-rule: exactly" 焦距:42 mm (入射) 68 mm (出射) 功耗:180 mA @ 5 VDC (S1024DW & DWX主通道) 140 mA @ 5 VDC (S1024DW & DWX辅助通道) 光学分辨率:~0.3-10.0 nm FWHM (取决于光栅和入射狭缝) 探测器:线性二极管阵列 杂散光: 600 nm时 0.05%; 435 nm时 0.10% 探测器范围:200-1100 nm 相对灵敏度:和USB4000的CCD探测器相比,S1024DW 在紫外段约为1/30,可见段约为1/80 光栅: 14种光栅 UV到NIR 入射孔径:5, 10, 25, 50, 100 or 200 µ m宽狭缝或光纤(无狭缝) 光纤连接:SMA905连接到0.22孔径单芯光纤 积分时间:31ms到65s o-element-wrap: around mso-element-anchor-vertical: paragraph mso-element-anchor-horizontal: margin mso-element-top: 2.85pt mso-height-rule: exactly" 焦距:42 mm (入射) 68 mm (出射) 功耗:180 mA @ 5 VDC (S1024DW & DWX主通道) 140 mA @ 5 VDC (S1024DW & DWX辅助通道) 光学分辨率:~0.3-10.0 nm FWHM (取决于光栅和入射狭缝) 探测器:线性二极管阵列 杂散光:600 nm时 0.05%; 435 nm时 0.10% 探测器范围:200-1100 nm 相对灵敏度:和USB4000的CCD探测器相比,S1024DW 在紫外段约为1/30,可见段约为1/80 光栅: 14种光栅 UV到NIR 入射孔径:5, 10, 25, 50, 100 or 200 µ m宽狭缝或光纤(无狭缝) 光纤连接:SMA905连接到0.22孔径单芯光纤 积分时间:31ms到65s主要特点:灵敏度高达0.00001个吸光度单位 S1024DW大阱深探测器光谱仪采用1024像元光电二极管阵列探测器,用于需要高信噪比的测量。通过S1024DW可以观察到小于0.00001个吸光度单位的变化,适合高亮度的应用。 &ldquo X"选项:超大阱深探测器 S1024DW是标准阱深光谱仪,其二极管阵列探测器的信噪比为2500:1。S1024DWX具有更大的阱深,信噪比为8000:1。 理想的高光强应用光学平台 S1024DW应用&ldquo USB"(也称作&ldquo S")系列光谱平台,可以根据具体不同的应用来配置光学平台。具体选项有入射孔径、探测器附件、滤光片及光栅等等。S1024DW光学平台的操作和USB4000光学平台很相似。S1024DW光学平台通过光纤采集光信号并色散到1024个高灵敏度光电二极管组成的阵列上,而在USB4000中采用的是3648像元的CCD阵列。 可集成的系统,适合多点采样 在S1024DW光谱仪的主通道上可以附加多至7个辅助通道用以多点采样,可以用来扩展探测的波长范围或监视参考光谱。所有通道都通过一个ADC1000-USB A/D转换器进行数据采集,每个通道轮流工作,总共8个光谱仪通道的数据同时采集。ADC1000-USB转换器通过USB接口连接S1024DW到PC。可以分开购买S1024DW和ADC1000-USB,或同时作为一个整体(S1024DW-USB)购买。
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  • 闪光探测器 400-860-5168转1401
    仪器简介:人眼的光谱响应随着光强的变化而改变。人眼有两种特殊的光谱响应,根据进入人眼的光亮度对其进行定义。第一种光谱响应发生在通常白天照明环境下(photopic),即光强高于0.1Lux。第二种光谱响应发生在低光条件下(scotopic),即光强介于0.0001-0.001 Lux之间。光强小于0.0001 Lux 的光强很难被人眼发觉。人眼从明视响应到暗视响应的偏移叫做Purkinje Shift。对用于固化工业的闪光灯而言,该探测器是理想的测试工具。闪光灯的峰值强度远高于连续光源。PMA2135探测器捕获峰值强度并每五秒钟在PMA2100上显示。除了峰值强度,PMA2135积分并保存一个单脉冲剂量。辐射峰值强度以mW/cm2 或 W/cm2显示。全刻度由客户在订货时指定。剂量全刻度为mJ/cm2 或 J/cm2。光电探测器有0.474平方英寸的有效面积。聚四氟乙烯半球明视探测器具有极好的余弦响应,这就可以实现对点或长光源的精确测量。技术参数:光谱响应 遵循CIE 明视光谱发光效率曲线(400-700nm) Figure 1 (适光效率和探测器响应)角响应 5% for angles 范围 由用户指定 - W/cm2 or mW/cm2 J/cm2 or mJ/cm2显示分辨率 Range/104 mW/cm2 or W/cm2 Range/104 mJ/cm2 or J/cm2 操作环境 15 to 140 °F (-10 to +60 °C) no precipitation 电缆 3ft. 直径 1.6" (40.6 mm) 高度 1.8" (45.8 mm) 重量 10 oz. (284 grams)主要特点:捕获峰值辐照度以及有效能量 辐射单位显示卓越的长期稳定性 余弦修正 NIST 可溯源校准
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  • FS24X 是采用*新的高科技多频段 ( 三重红外 / 可见光 ) 检测的火焰探测器 , 使用宽频红外结合4.3 微米红外及可见光探测技术,FS24X 使火焰探测技术有了巨大的飞跃 , **的软件及双微处理器保证了 FS24X 拥有*强大的火焰检测及避免误报警的能力。 宽频红外技术采用高速晶体传感器 , 可检测到各种类型火焰 , 包括碳氢类及 非碳氢类火焰, 同时可工作在各种天气条件及使用环境下。 双微处理器提供可有效避免误报警 , 提高运行稳定性 , 主处理器用于高速 数据采样及信号处理 , 辅助处理器负责处理传感器数据 , 自检和支持平台运转 ,内置的存储器用于记录事件数据。 FSX 系列火焰探测器使用FirePic 数据记录功能 , 可记录起火前数 据用于火场分析及起火原因调查 , 另外 , 独特的实时图表功能 (RTGTM) 可提供 探测器的真实原始数据 , 结合实时输出功能 ,FS24X可用于各种工业场所。 FS24X 可探测到200 英尺远的一平尺庚烷火焰 , 同时探测面积也高于其它 类型的多频红外探测器。 产品特点 ★宽频红外技术 ★频率分析系统★可见光传感器保证报警准确性★可选的检测灵敏度★110°锥形可探测区域★双处理器保证性能可靠★内置时钟 ★FirePicTM 起火事件记录★带有日期及时间的数据记录★RS-485 ModBus 通讯模块 ★4-20 mA 模拟输出 ( 源型或漏型 )★警报 , 故障及辅助继电器★自动的光路及电气自检★工作温度范围宽广★模块化设计便于现场安装★低功耗 ★FM, ATEX, CE 认证 ★很强的抗电磁干扰能力
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  • PyLoN系列成像型与光谱型探测器PyLoN系列CCD探测器针对超微弱信号检测而设计,拥有超低的噪声。-120oC深度制冷,特别适合要求超微弱信号、需要长时间积分(几个小时)的研究。在200nm-1100nm(紫外到近红外) 波段范围内拥有极高的量子效率和超高的灵敏度。应用PyLoN系列具有低值 1e-/pixel/hour 的超低暗电流噪声,是需要超长曝光时间最理想的候选探测器,例如针尖增强型拉曼光谱(TERS),天文观察,以及光致发光等应用。• 拉曼光谱检测 • 微弱吸收、发射、透射、荧光 • 近红外微弱优势• 支持多种芯片格式,从1340 x 100 到 2048 x 2048 分辨率,从13 x 13 μm 到 26 x 26 μm 像素大小• 弱光光谱zui适合的探测器• 超低制冷至 ~ -120oC和真空保持技术,带来业界zui低的暗噪声,暗电流噪声低至:1e-/pixel/hour• 有eXcelon抗干涉技术 (eXcelon technology) • 50 kHz, 100 kHz, 200 kHz, 500 kHz,1 MHz,2 MHz 和4 MHz 7种不同的读出速度,您可以方便的根据您的实验选择最合适的速度来满足您的实验,通过PI强大的软件支持,几乎可以为您所有的研究提供zui佳的完整的解决方案。• 低噪声,消干涉,高灵敏度• 16bit动态范围,1, 2, 4 e-/ADU 和 4, 8, 16 e-/ADU不用模拟增益• GigE 千兆网线接口,即插即用
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  • 杭州谱镭光电技术有限公司(HangzhouSPL Photonics Co.,Ltd)是一家专业的光电类科研仪器代理商,致力于服务于国内科研院所、高等院校实验室、企业研发部门。我们代理的产品涉及光电子、激光、光通讯、物理、化学、材料、环保、食品、农业和生物等领域,可广泛应用于教学、科研及产品开发。 我们主要代理的产品有:微型光纤光谱仪、中红外光谱仪、积分球及系统、光谱仪附件、飞秒/皮秒光纤激光器、KHz皮秒固体激光器、超窄线宽光纤激光器、超连续宽带激光器、He-Ne激光器、激光器附件及激光测量仪器、光学元器件、精密机械位移调整架、光纤、光学仪器、光源和太赫兹元器件、高性能大口径瞬态(脉冲)激光波前畸变检测干涉仪(用于流场、波前等分析)、高性能光滑表面缺陷分析仪、大口径近红外平行光管、Semrock公司的高品质生物用滤波片以及Meos公司的光学教学仪器等。 热线电话: / 传真:+86571 8807 7926网址: /邮箱: 杭州谱镭SPL-PM-IR 低功率数字型光电探测器 杭州谱镭SPL-PM-IR系列光电探测器与同类产品相比,其优点在于探测器内部完成了数据的采集与处理,并且与SPL-PM系列光功率计仪表之间采用数字通讯,使外部干扰降到最小,保证了数据的准确性。该系列探测器集成了校准数据存储功能,提供了紫外增强型硅、硅、砷化铟镓(InGaAs)等光电探测器,覆盖200nm到1700nm波段,可选配10/100/1000倍衰减片,扩大测量范围。SPL-PM-IR02 特 点 1.数字型光电探测器 2.多波长测量 3.集成的校准数据存储功能 4.可选配10/100/1000 倍的衰减片,扩大测量范围 技术参数 杭州谱镭光电技术有限公司(HangzhouSPL Photonics Co.,Ltd)是一家专业的光电类科研仪器代理商,致力于服务于国内科研院所、高等院校实验室、企业研发部门。我们代理的产品涉及光电子、激光、光通讯、物理、化学、材料、环保、食品、农业和生物等领域,可广泛应用于教学、科研及产品开发。 我们主要代理的产品有:微型光纤光谱仪、中红外光谱仪、积分球及系统、光谱仪附件、飞秒/皮秒光纤激光器、KHz皮秒固体激光器、超窄线宽光纤激光器、超连续宽带激光器、He-Ne激光器、激光器附件及激光测量仪器、光学元器件、精密机械位移调整架、光纤、光学仪器、光源和太赫兹元器件、高性能大口径瞬态(脉冲)激光波前畸变检测干涉仪(用于流场、波前等分析)、高性能光滑表面缺陷分析仪、大口径近红外平行光管、Semrock公司的高品质生物用滤波片以及Meos公司的光学教学仪器等。热线电话: / 传真:+86571 8807 7926网址: /邮箱:
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  • GPD光电探测器 400-860-5168转4186
    量青光电代理美国GPD公司全线产品 成立于1973年的GPD公司,一直致力于高速锗晶体和光电探测器的研发和生产,为用户提供用于辐射探测和电信应用的Ge,p-n,APD和InGaAs p-i-n高速和大面积光电探测器。 GPD维护符合MIL-I-45208的检查系统。 光电二极管要符合Telcordia的测试要求(TA-NWT-00093),MIL-STD-883测试方法和/或客户要求。 主要产品包括:温馨提示:点击产品名称,自动跳转到详情页。更多信息可联系我们。低偏振相关损耗铟镓砷探测器Low Polarization Dependent Loss (PDL) InGaAs Photodiodes线性阵列式探测器 Linear Arrays铟镓砷象限探测器 InGaAs Quadrant Photodiodes含制冷铟镓砷光电探测器铟镓砷光电探测器 InGaAs Avalanche Photodiodes1.9-2.6μm铟镓砷探测器Extended InGaAs Photodiodes大面积铟镓砷探测器Large Area InGaAs Photodiodes高速铟镓砷探测器High Speed InGaAs Photodiodes锗雪崩探测器Ge Avalanche Photodiodes锗探测器Ge Photodiodes
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  • 仪器简介:硅光电探测器(Si)&mdash &mdash &mdash 室温型探测器,波长范围:200-1100nm技术参数:型号列表及主要技术指标:技术指标\型号名称 DSi200 紫敏硅探测器 DSi300 硅探测器 进口紫外增强型 国产低暗电流型有效接收面积(mm2) 100(&Phi 11.28) 100(10× 10)波长范围(nm) 200-1100 300-1100峰值波长(nm) ------- 800± 20峰值波长响应度(A/W) 0.52 0.4254nm的响应度(A/W) 0.14(0.09) -------响应时间(&mu s) 5.9 -------工作温度范围(℃) -10~+60 -------储存温度范围(℃) -20~+70 -------分流电阻RSH(M&Omega ) 10(5) -------等效噪声功率NEP (W/&radic Hz) 4.5× 10-13 -------暗电流(25℃;-1V) ------- 1X10-8&mdash 5× 10-11 A结电容(pf) 4500 3000(-10V)信号输出模式 电流 电流输出信号极性 正(P) 正(P)主要特点:■ DSi200/DSi300硅光电探测器硅光电探测器(Si)&mdash &mdash &mdash 室温型探测器,波长范围:200-1100nm两种型号的探测器室的外观相同,其中:◆ DSi200型内装进口紫敏硅光电探测器◆ DSi300型内装国产低暗电流硅光电探测器◆ 推荐配合I-V放大器(型号:ZAMP)使用 硅光电探测器使用建议:◆ DSi200/DSi300均为电流输出模式的光电探测器,在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前,建议采用I-V跨导放大器ZAMP(Page85做为前级放大并转换为电压信号,标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号,但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度;◆ DSi200/DSi300配合DCS103数据采集系统(Page95)使用时,建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度;◆ DSi200/DSi300配合DCS300PA数据采集系统(Page95)使用时,由于DCS300PA双通道已集成信号放大器,故可不再需要另行选配前置放大器。
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  • 在基于垂直腔面发射激光器(VCSEL)的激光雷达和面部识别系统中,对激光束的多属性评估至关重要。这些属性包括功率、频谱和时间脉冲形状,它们共同决定了激光性能的优劣。然而,捕获和准确测量这些属性,特别是对于准直、发散、连续和脉冲光源,极具挑战性。Labsphere的多功能激光功率积分球和传感器凭借其出色的性能和精确度,为解决这些问题提供了有效方案。我们可根据您的需求提供激光功率测量积分球。选择不同的尺寸和涂层以满足您特定的测试激光功率水平。同时,根据测试激光的波长以及光学探测器的光谱响应度校准范围,我们可为您定制最合适的光学探测器,确保满足您的所有需求。特点确保激光器发出的功率能够被全面收集,无论其发散角度或偏振状态如何。高效地衰减高功率,以防止传感器过载。集成第二个探测器端口,用于进行光谱监测或扩大波长覆盖范围。减少在裸露状态下,传感器有效区域响应不均匀所引起的误差。应用&bull 连续(CW)与脉冲激光测量&bull 实验室与生产测试&bull 镜头校准&bull 激光功率质量评估LPMS 配备皮安计和激光功率软件&bull 第n波长的平均辐射功率(连续波)&bull 第n波长的平均峰值辐射功率(脉冲)&bull 探测器采样率(Hz)&bull 探测器扫描间隔(秒)&bull 激光功率密度:单位面积的瞬时激光束功率,单位为W/cm2,可选择以cm2为单位的光束面积需要输入光束面积&bull 最大功率(连续波)&bull 最小功率(连续波)&bull 峰值辐射功率(脉冲)&bull 脉冲宽度或脉冲持续时间间隔&bull 辐射功率范围(连续波)&bull 辐射功率(W)&bull 重复率/频率(脉冲)&bull 标准偏差(连续波)&bull 总脉冲数&bull 波长(由客户根据激光输出和校准数据表选择)
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  • 笔尖大小,极紧凑的微型化光谱探测器 滨松MEMS-FPI近红外光谱探测器是一个极紧凑的微型化光谱探测产品。在指尖大的封装中,装置一个MEMS-FPI(法布里-珀罗干涉仪)可调滤波器以及一个单点InGaAs PIN光电二极管。光谱范围在1.55~1.85μm。可以装入一些紧凑的仪器设备中,可实现对塑料、气体(环境测量)、食品和饮料、农产品、饲料、石油化工等的检测。 特征 -内置滨松自制单点InGaAs PIN光电二极管 -光谱范围在1.55~1.85μm -体积极紧凑:TO-5 package -重量极轻:1g -密封封:在潮湿环境性能保持高稳定性 -内置热敏电阻 DEMO演示 尺寸图(单位:mm)
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  • 高速光电探测器 400-860-5168转2255
    高速光电探测器 Related Products 特性9种型号涵盖150纳米到2.6微米的波长范围上升时间快达1纳秒超薄机身能在狭窄空间进行测量容易使用、结构紧凑和多功能SM05(0.535英寸-40)和SM1(1.035英寸-40)螺纹是光纤耦合或安装中性密度滤光片的理想选择内部A23偏压电池(附带)Thorlabs提供9种型号的偏压光电探测器,涵盖了紫外到中红外(150纳米到2.6微米)的波长范围,与之前的光电探测器型号相比,它们具有更宽的带宽和更好的NEP(噪声等效功率)性能。其纤薄的外壳能让光学探测器嵌入到狭窄的装置中。每个型号都配备有快速的PIN光电二极管和以坚固铝制外壳包装好的外部偏压电池。通过宽带宽的直流耦合输出,这些探测器是用于监测快速脉冲激光和直流光源的理想选择。每个DET都有T型偏置电路,将高频交流信号和直流信号结合起来,作为单一的输出。侧面板的BNC上提供了直接的光电二极管阳极电流。通过一个终端电阻可以很容易地将该输出转换为正电压。至于高速信号,Thorlabs推荐使用一个50欧姆负载电阻。对于低带宽的应用,使用本公司的可变端接器可节省很多时间。 所有的连接和控制都已经移到远离光路的位置,这样就简化了我们的探测器在封闭空间内的集成。DET探测器外壳上的SM1、SM05和8-32(M4)螺纹使其可以安装在笼式共轴系统、透镜套管系统,或TR系列接杆上。关于如何将DET系列光电探测器嵌入到光学装置的更多细节请参看安装选项 标签。每个DET都配有安装好的12伏的直流偏压电池。由于电池是一种噪音极低的电源,所以将它作为电压源。当允许信号噪声由于线电压中的噪声产生小幅度增长或不能接受电池的有限寿命时,可以用DET1B电源适配器替换该电池。A23电池是目前DET系列光电探测器的更换电池,而本公司的旧型号中(即 DET1-SI和DET2-SI)则使用T505更换电池。请注意,由于不同制造商生产的电池的正极端子之间可能会存在细微差别,针对DET系列光电探测器,Thorlabs公司只推荐使用Energizer电池。磷化镓探测器&mdash 紫外波长Zoom型号#有效面积波长范围上升(下降)时间NEP(W/vHz)暗电流结电容*DET25K4.8 mm2 (2.2 x 2.2 mm)150 - 550 nm1 ns (140 ns)1.6 x 10-1440 nA40 pF*典型值,RL = 50欧姆硅探测器-可见光波长Zoom型号#有效面积波长范围上升时间NEP(W/vHz)暗电流结电容*DET10A0.8 mm2 (Ø 1.0 mm)200 - 1100 nm1 ns1.9 x 10-140.3 nA (2 nA Max)6 pFDET36A13 mm2 (3.6 x 3.6 mm)350 - 1100 nm14 ns1.6 x 10-140.35 nA (6 nA Max)40 pFDET100A75.4 mm2(Ø 9.8 mm)400 - 1100 nm43 ns5.5 x 10-14600 nA Max300 pF *典型值,RL = 50欧姆锗探测器&mdash 近红外光波长ZoomItem #Active AreaWavelengthRangeRiseTimeNEP(W/Hz1/2)Dark CurrentJunctionCapacitance*DET50B19.6 mm2 (Ø 5.0 mm)800 - 1800 nm440 ns4 x 10-1280 µ A4000 pF (Max)DET30B7.1 mm2(Ø 3.0 mm)800 - 1800 nm600 ns1.0 x 10-120.8 µ A (1.0 µ A Max)4000 pF (Max)*典型值,RL = 50欧姆铟镓砷探测器-近红外到红外波长ZoomItem #Active AreaWavelengthRangeRise TimeNEP(W/vHz)Dark CurrentJunctionCapacitance*DET10C0.8 mm2(Ø 1.0 mm)700 - 1800 nm10 ns1.6 x 10-141 nA (25 nA Max)40 pFDET20C3.1 mm2(Ø 2.0 mm)800 - 1800 nm25 ns0.03 x 10-1255 nA (70 nA Max)100 pFDET10D0.8 mm2(Ø 1.0 mm)1200 - 2600 nm25 ns2 x 10-1215 µ A (75 µ A Max)175 pF*典型值,RL = 50欧姆DET交流电源适配器ZoomDET1B交流电源适配器可替代本公司的DET系列探测器所使用的电池。该适配器套件使DET探测器能与附带的外部交流LDS2电源配合使用。使用时,只需要简单地将电池盖卸下,取出电池,然后装上附带的DET1A,并插上电源即可。我们同时还可以单独出售适配器或电源,可供需要的用户选择购买。用于DET系列的电池ZoomA23电池是现有DET系列光电探测器的更换电池。T505更换电池则用于我们老式、已停产的探测器系列。SBP20更换电池用于SV2-FC、SIR5-FC和SUV7-FC光纤探测器包。 BNC接头Zoom当光电二极管加上反向偏压,例如工作在光导模式下,将会由于光子吸收产生光电流。通常,使用一个50欧姆的电阻来增加带宽。但是,常常需要更简单高效的方法测量信号,当对准光电二极管时可是使用较大的势差。可调接头使得用户可以在光束对准时增大电阻,然后降低电阻以获取最大的带宽。相对于固定接头来说,可调接头有绝对的优势。Thorlabs供应两款接头:VT1可调电阻接头和T4119型50欧姆固定电阻接头。 VT1可调接头提供7个离散电阻供用户设置,用户可以很容易的通过外部的旋转筒进行选择。VT1提供以下7个电阻值:50欧姆,100欧姆,500欧姆,1千欧姆,5千欧姆,10千欧姆和50千欧姆。 T4119是一个50欧姆的转接型接头,应用在DET系列探测器中,可以获得最大的带宽。
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  • 铟镓砷(InGaAs)放大型光电探测器PDA20A6B4G-NIRPDA20A6B4G-NIR光电探测器是一种额定带宽,固定增益的光电探测器,用于检测光信号。光信号从光电sensor感应面输入,输出通过BNC以电压形式输出。本产品能测量800nm到1700nm波长范围的光信号。具体性能参数数据参考附录表格。PDA20A6B4G-NIR光电探测器外壳带有英制1/4"-20螺纹的安装孔,可以方便的安装固定。外壳部分还附带两种不同尺寸的螺纹接圈,这两种螺纹接圈分别适合于工业应用和科研应用,可以方便适配外部光学部件,如滤光片,衰减片,镜头,FC光纤转接盘等。该产品包含一个塑料防尘盖。具体安装请参考阅读第三章节。每个光电探测器都配有一个输出±9V的直流线性电源,该直流电源的输入额定电压为220VAC/50HZ。 工作原理PDA系类主要可以用来测试脉冲光信号或者连续光波信号。内部包括一个反向偏置的光电二极管与固定增益的跨组放大器相匹配。光信号由光电二极管与匹配的固定增益的跨组放大器转换为微弱的电压信号。后级放大将小信号电压放大输出。系统中包含了一个固定调偏的电路,保证在无光的情况下系统输出的偏置电压接近0V。PDA20A6B4G-NIR光电探测器经过调偏电路后,暗偏置电压(在无光的情况下输出的偏置电压)可以控制在±5mV以内。系统内部同样集成了功率驱动电路,用以驱动BNC转接线以及50Ω阻抗适配器,保证宽电压输出的线性度。当输出载荷为高阻态时,线性输出电压可以达到6V。当输出载荷为50欧姆阻抗匹配时,线性输出电压可以达到2.5V。 电气参数光谱灵敏度交流传输特性
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  • 极紧凑的近红外光谱探测器,集成了MEMS可调滤波器以及光传感器,内置带通滤波片。滨松MEMS-FPI近红外光谱探测器是一个极紧凑的微型化光谱探测产品。在指尖大的封装中,装置一个MEMS-FPI(法布里-珀罗干涉仪)可调滤波器以及一个单点InGaAs PIN光电二极管。光谱范围在1.55~1.85μm。可以装入一些紧凑的仪器设备中,可实现对塑料、气体(环境测量)、食品和饮料、农产品、饲料、石油化工等的检测。 特征 -内置带通滤波片,过滤光谱响应范围以外波段的光 -内置滨松自制单点InGaAs PIN光电二极管 -光谱范围在1.55~1.85μm -体积极紧凑:TO-5 package -重量极轻:1g -密封封:在潮湿环境性能保持高稳定性 -内置热敏电阻DEMO演示尺寸图(单位:mm)
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  • 室温光声探测器Tydex 400-860-5168转3512
    Golay Cell探测器室温光声探测器简介:Golay Cell是最有效的探测器之一。该产品在室温下具有优异的灵敏度,并具有宽波长范围内的平坦光学响应。GC系列探测器是在室内制造并且独立校准。该产品包括一个探头和一个电源。滤波器支架可选。GC-1P入口窗片是聚乙烯窗口片,主要应用于检测和控制近红外和THZ辐射;GC-1T探测器用TPX窗口片代替聚乙烯窗口片,工作波长范围更宽,可以延至可见/紫外。由于TPX比金刚石对THz辐射中的透光率高,而且价格要便宜,可以考虑作为金刚石很好的替代品。所以GC-1T价格比GC-1P探测器稍微贵一点,主要用于检测和控制紫外/近红外和THZ辐射; GC-1D探测器是用金刚石窗口片代替聚乙烯窗口片,工作波长范围更宽,可以延至可见。当不仅需要探测THz和可见光,还需要探测中红外波段时,通常会选用GC-1D。GC-1D探测器比GC-1T探测器更贵一点。在使用该产品过程中,多种THz光学元件例如用HRFZ-Si 和TPX制成的长带滤波片,聚乙烯偏振片以及窗口片,镜片和分束片等可以作为THz应用的有益补充. 为了从模拟型号转变成数字信号,Tydex特提供硬件软件函数。它用于检测,处理,分析optoacoustical探测器信号。该函数是由一个专门的软件和电子单元通过USB界面将探测器和个人电脑相连。品牌:Tydex一、 室温光声探测器GC-1P(Room Temperature Optoacoustic Detector GC-1P)Golay Cell是最有效的THZ探测器。在室温下,它在非常宽的带宽下都有优良的灵敏度和平坦的光谱响应。Golay探测器出厂就是经过单独校准过的。它包含一个探测头和电源,同时也可以提供滤波片的选项。各种HRFZ-Si和TPX材料做成的THZ光学元件如低通滤波片,聚乙烯偏振片,窗口镜,透镜以及分光片可以满足不同的THZ应用。我们也提供软硬件组件来把Golay Cell产生的模拟信号转变成数字信号。该组件包含一个特殊的软件和一个电路单元,并可通过USB线和个人电脑相连。可用于检测,处理和分析光声信号。应用:监测和控制中红外和THZ波技术参数二、室温光声探测器GC-1T Tydex(Room Temperature Optoacoustic Detector GC-1T)由于聚乙烯窗口镜换成了TPX材料,GC-1T探测器的工作波段更宽,更达到可见甚至是紫外波段。该型号可看作钻石窗口的最佳替代品。TPX材料在THZ波段的透过率比钻石材料更高,而且价格更低,只比GC-1P略贵一点。Golay探测器出厂就是经过单独校准过的。它包含一个探测头和电源,同时也可以提供滤波片的选项。各种HRFZ-Si和TPX材料做成的THZ光学元件如低通滤波片,聚乙烯偏振片,窗口镜,透镜以及分光片可以满足不同的THZ应用。 我们也提供软硬件组件来把Golay Cell产生的模拟信号转变成数字信号。该组件包含一个特殊的软件和一个电路单元,并可通过USB线和个人电脑相连。可用于检测,处理和分析光声信号。应用:检测和控制紫外/近红外和THZ辐射技术参数:三、室温光声探测器GC-1D(Room Temperature Optoacoustic Detector GC-1D)Golay探测器出厂就是经过单独校准过的。它包含一个探测头和电源,同时也可以提供滤波片的选项。由于聚乙烯窗口镜换成了钻石材料,GC-1D探测器的工作波长范围更宽,可达到可见光波段。如果除了可见光和THZ波段,也要求MIR波段的时候,就需要采用这种窗口镜。当然,GC-1D型号的探测器的价格会比GC-1T略贵。 各种HRFZ-Si和TPX材料做成的THZ光学元件如低通滤波片,聚乙烯偏振片,窗口镜,透镜以及分光片可以满足不同的THZ应用。我们也提供软硬件组件来把Golay Cell产生的模拟信号转变成数字信号。该组件包含一个特殊的软件和一个电路单元,并可通过USB线和个人电脑相连。可用于检测,处理和分析光声信号。应用:检测和控制可见光到THZ辐射技术参数:
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  • 米字科技生产的激光式气体探测器采用TDLAS激光吸收光谱技术,光学设计、气体分子“指纹”精准探测,不受雨水、烟雾、灰尘以及其他气体等环境因素干扰,无中毒:快速响应;免维护,长寿命。 产品防护等级满足各种苛刻的现场环境,激光探测器可监测甲烷、氨气、硫化氢、氧气(微氧)等多种气体。米字科技生产的激光探测报警器是通过光的吸收强度对比组分的吸收系数和吸收长度从而得到气体的浓度。传统电化学/电催化报警器激光式气体报警器接触式测量,传感器易中毒非接触式测量,探头无损耗无污染使用寿命有限,需定期更换探头使用寿命10年受周边环境温度、湿度影响大精确可靠,不受温度压力影响交叉干扰,误报率高分子指纹光谱测量,无误报 激光式气体探测器技术规格:描述规格检测原理激光TDLAS技术检测方式扩散式/采样可检测气体甲烷、硫化氢、氨气、氧气准确度±2%F.S(0到50PPM);±5%F.S(50到100PPM)重复性±1%F.S响应时间T90≤5s输出信号标准4-20mA,最大阻抗500欧姆工作电压工作电压24VDC±5%最大功率30W工作温度 -10℃-50℃材质相对湿度0-95%,无冷凝尺寸约350*150*115mm重量4㎏接线要求三线制,28-12AWC,建议线径1.5平方毫米电气接口3*3/4"NPT内螺纹显示方式2位高亮LED显示LED状态指示灯4个LED功能指示灯:低报警(红色),故障报警(黄色),正常(绿色)继电器预报警,报警,故障继电器,继电器最大容量30VAC/0.5A,预报警可选24VDC有源输出防护等级IP67防爆类型隔爆型 Ex d IIB T4产品认证CPA/ExHART规格选配漂移零点漂移:1%/三个月:量程漂移:2%/三个月探头保护标配环境防护罩标定出厂前所有探头都已标定现场服务提供现场安装指导,以及调试培训服务探头寿命典型十年气体种类表:检测气体标准量程分辨率氨气0-100PPm0.2ppm硫化氢0-100PPm1ppm氧气0-25%0.1%vo1甲烷0-100%LEL1%LEL 订货信息:产品料号描述S10001001氨气, 3/4"NPT,铝合金S10002001硫化氢,3/4"NPT,铝合金S10003001氧气, 3/4"NPT,铝合金 特定波长的光会产生分子键的旋转或伸展“分子键振动“吸收能量、气体通过浓度特定能量光子的吸收精准测量分子水平测量,实现高精度(PPM/PPB级);TDLAS核心技术是激光探测的优势:精、准、快、捷、 自主技术分析光谱“指纹”精准可靠,不受背景气体干扰; 激光测量,实时快速(1-3s); 免维护,长寿命(5-10年)不需要更换探头,大大降低成本。
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  • 探测器 400-860-5168转2255
    探测器Thorlabs提供一系列光学探测器产品,能够探测整个紫外、可见、近红外、红外以及太赫兹光谱区域内的光源。根据所选择的传感器可以测量不同参数,如强度、功率、强度分布、波前形状、能量和波长。未安装的光电二极管 校准过的光电二极管 已安装的无偏压的光电二极管 带尾纤的光电二极管 偏压探测器 放大探测器 位置传感探测器 积分球 平衡放大探测器 单光子计数器 光电倍增管模块 多通道光电倍增管模块 雪崩探测器 光纤耦合PMT模块 太赫兹 CCD / CMOS Cameras 光电二极管放大器 激光观察卡 光电二极管 Related Products 概述 Thorlabs提供一系列分立光电二极管和经过校准的光电二极管。其中包括铟镓砷(InGaAs)光电二极管,磷化镓 (GaP)光电二极管,硅(Si)光电二极管, 和锗(Ge)光电二极管。我们也提供一些专用的光电二极管。例如DSD2双波段光电二极管,它在一个包装内同时提供硅光电二极管和铟砷化镓光电二极管,两者结合起来可以达到400到1700纳米的波长范围。FGA20是一个具有高响应率的铟镓砷光电二极管,波长范围从1200到2600纳米,能够探测到的波长范围比典型的铟镓砷光电二极管的1800纳米要高。我们也提供FGAP71,它是一种磷化镓(GaP)光电二极管,它的波长范围是我们所提供的光电二极管中最短的,从150纳米到550纳米。已校准的光电二极管 Related Products 概述 Thorlabs公司提供5种NIST可追溯校准的光电二极管,有库存随时发货,包括一种铟镓砷(InGaAs)、两种硅(Si)和两种锗(Ge)光电二极管。校准特性:在光电二极管的整个光谱范围内,每隔10纳米测量响应度测量不确定度± 5%NIST可追溯每个光电二极管都附带响应度与波长的关系的数据表和图。不同批次的光电二极管之间的响应度不一样。因此,您收到的光电二极管的响应也许与下面描述的会有轻微的差异,但是仍将附带有校准数据。右图显示了不同FDS1010光电二极管之间的响应特性有多显著。这些数据是从104个光电二极管中采集的。在每个数据点都计算了最小、平均和最大响应度,并给出了曲线。 点击放大已封装的光电二极管 Related Products 概述 SM05PD和SM1PD系列光电二极管包含安装在方便的SM05(Ø 0.535英寸-40)和SM1(Ø 1.035英寸-40)外螺纹套管的铟镓砷、锗、硅或磷化镓光电二极管。光电二极管的电信号输出是通过一个能快速连接到测量电路上的标准SMA接头(SM05PD系列)或BNC接头(SM1PD系列)提供的。该光电二极管可分为A型(阴极接地)或B型(阳极接地)布置。所有的型号都是测量脉冲和CW光源的理想选择。主体上的绝缘外螺纹能使这些光电二极管与Thorlabs公司的所有SM05和SM1安装适配器兼容。 带尾纤光电二极管 Related Products 概述 特性适用于610-770纳米和780-970纳米的单模型号多模型号高速宽带特性低偏置电压增强型光纤典型应用光通信高速光度测定监测Thorlabs 的FDSP系列带尾纤光电二极管是高速带尾纤硅PIN光电二极管,设计用于可见到近红外范围的光探测。这些光电二极管具有在低偏置电压下的宽带特性,是光通信、高速光度测定和监测等应用的理想选择。FDSP系列的外壳为不锈钢套管,用来实现光纤到光电二极管的主动耦合。光纤用一个900微米的松套管外保护和橡胶护套进行强化,以便于减少光纤的弯曲应力。 提供两种型号的单模光纤和一种型号的多模光纤:FDSP780 Nufern的780-HP单模光纤,780-970纳米,芯径5微米,数值孔径0.13FDSP660 Nufern的630-HP,单模光纤,610-770纳米,芯径4微米,数值孔径0.13FDSP625 梯度折射率多模光纤,320-1000纳米,芯径62.5微米,数值孔径0.27单模光纤的型号设计用于低背反射,同时单模光纤也能抑制模式干扰(也称为MPI-多路径干扰),是基于光纤的干涉仪的信号探测中的基本组件。根据需要,可提供带工业标准光纤接头的连接。偏压探测器该页面是我们的各种偏压探测器。我们提供自由空间型和光纤耦合型两种类型。可通过转接件将光纤和自由空间探测器耦合起来。偏压探测器 光纤耦合探测器 放大探测器Thorlabs提供一系列自由空间型和光纤耦合型放大探测器。此外,光纤转接件可用于本公司的自由空间探测器,以获得更多的功能和灵活性。放大探测器 飞瓦光电探测器 TEC HgCdTe 探测器 光纤耦合探测器 Menlo Systems快速PIN光电探测器 雪崩探测器 位置传感器 Related Products 横向效应位置传感器概述 特性2D横向效应位置传感探测器对光斑形状和功率密度不敏感SM05镜筒兼容结构紧凑Item #PDP90AWavelength Range320 to 1100 nmResolution, @ 635 nm0.68 µ m @ 100 µ W,6.8 µ m @ 10 µ WNoise2.25 µ mpp, 340 nmrmsRecommended Spot SizeØ 0.2 &ndash 7 mm PDP90A位置传感器利用针垫横向传感器来精确测量入射光与校准中心之间的位移。这些器件适用于测量光线的移动,传播的距离或者作为对准系统的反馈。 大的探测表面允许光束直径9毫米,然而,我们推荐光束直径范围在0.2到7 毫米。与象限传感器需要所有象限均有覆盖不同,横向传感器可以提供在探测区域内任何点的位置信息,与光斑形状,尺寸和能量分布无关。PDP90A的噪声很小2毫伏峰峰值(300微伏有效电压),对应的探测误差为0.675微伏有效电压。分辨率与输入光功率直接相关,表示为以下方程,这里,&Delta R是分辨率,Lx是探测器长度,9毫米,en是输出噪声电压,300微伏有效电压,Vo是总输出电压水平,4伏特最大值因此,对于最高功率水平,分辨率将达到0.675微米。更多详细技术信息参见技术信息标签。每个PDP90A象限探测器与一个8-32到M4适配器一同包装,提供与英制或者公制安装接杆的兼容性。 下表中阴影区域显示最小和最大输入光强水平与波长的关系。确保输入光功率与最大水平接近来获得最佳的分辨率和噪声系数。超过最大水平传感器将饱和,结果将会有误差。 积分球Thorlabs提供已定标的(NIST标定)和未标定的积分球。已定标的积分球有一个接口,能连接自由空间光源或光纤光源。它能与本公司的所有C系列接头的功率计兼容。未定标的积分球有三到四个接口,这些接口可以连接多种探测器和输入转接件。多端口积分球 校准的积分球功率传感器 平衡探测器这里介绍了Thorlabs的平衡探测器。根据这个模型,硅或者InGaAs探测器可以用于320-1000纳米、800-1700纳米或者1270-1350纳米范围内。偏振非敏感平衡探测器 偏振相关平衡探测器 带高速输出监测的平衡放大光电探测器 平衡放大探测器 单光子计数器 Related Products 概述 Item #SPCM20ASPCM20A/MSPCM50ASPCM50A/MDetector TypeSi Avalanche PhotodetectorWavelength Range350 - 900 nmActive Detector Diameter20 µ m50 µ mTypical Max Responsivity35% @ 500 nmDark Count Rate Typical60 Hz Max (25 Hz Typical)200 Hz Max(150 Hz Typical)Max Count Rate *28 MHz22 MHz* 对于脉冲光特点低暗计数 SPCM20A(/M): 25赫兹 (常规值)SPCM50A(/M): 150赫兹(常规值l)两种探头面积 SPCM20A(/M): Ø 20微米 有效面积SPCM50A(/M): Ø 50微米 有效面积有源抑制温度稳定USB接口脉冲输出TTL 开启/触发 输入体积小: 68毫米x 85毫米x 25毫米应用单分子的光谱学研究光谱-光度计测量流式细胞计光子相关谱法激光雷达图 1: 光子探测几率作为其波长的函数如图显示。SPCM仅在白框区域内对光子有感应。Thorlabs的光子计数器模块使用雪崩硅光电二极管探测单光子。SPCM计数器对发出的光子在350至900纳米范围内敏感,最高灵敏度在500纳米(见图1)。其工作原理是用光电探头将接收的光子转换成一个TTL脉冲,然后由内部的31位计数器计数。另有一个额外的USB接头可直接输出脉冲信号,可以输出到示波器查看或连接到外部计数器模块。这个光子计数器的功能的详细信息,请参阅&ldquo 教程&rdquo 选项。用一个集成的Peltier元件来稳定二极管的温度,使之降低到环境温度以下,那么低暗计数率也就降低了。有两种型号供选择,SPCM20A 和 SPCM50A,其典型的低暗计数率分别为25赫兹和150赫兹,能够探测到的功率低至0.4飞瓦。SPCM中的二极管集成了有源抑制电路,从而能获得高计数率。它的高速性能让用户每35-45 ns计数一个光子,取决于不同的型号。 SPCM20A提供的有效探测面积为Ø 20微米,而SPCM50A为Ø 50微米。软件SPCM包括一个GUI 软件包来进行暗箱操作。以下操作模式可以通过软件设置:手动模式 用于手动操作自由运行时间计数器用于计数一定&ldquo 时间块长度&rdquo 内的入射光子数量外部触发时间计数器用于触发时间器开始计算一定周期内的入射光子数量外部触发计数器通过一个外部触发来开启或关闭计数器外部启动 用于外部激活计数器和 雪崩光电二极管如需获得更多关于软件和它的操作方法的信息,请见&ldquo 软件 &rdquo 选项光电倍增管模块 Related Products 概述 特性提供两种光谱范围:280&ndash 630纳米,或280&ndash 850纳米端窗型光电倍增管结构静电和磁屏蔽转换增益:阳极电流1伏/微安圆形打拿极链配置外壳有SM1螺纹外壳有4个螺纹孔,用于ER系列笼式支杆可以三种不同方式接杆安装附带120和230伏插接适配器的电源SMA输出无需高压电源需要可变(0-1.8伏直流)电源(不包括)Thorlabs提供两种光电倍增管模块,结合了一个端窗型光电倍增管(PMT),外壳,以及高增益、直流耦合的跨阻抗放大器:PMM01用于280 &ndash 630纳米光谱范围,PMM02用于280 &ndash 850纳米光谱范围。PMM01具有一个半透明的双碱光电阴极,与PMM02(点击规格标签了解详细信息)相比,它具有更高的增益,&lambda 500纳米时更高的量子效率,和更低的暗电流,但是它适用的光谱范围较窄。由于灵敏度与最常用的闪烁体材料非常匹配,双碱光电阴极在闪烁光探测方面具有广泛应用。相比之下,PMM02具有半透明的多碱(S20型)光电阴极,具有&lambda 500纳米时更高的量子效率,和更宽的光谱范围。多碱光电阴极常用于宽带分光光度计和光子计数应用。Thorlabs的PMT模块具有内置高压电路,消除了PMT运行时通常对外部高压电源的需要。通过将高压电路加入PMT模块,Thorlabs的PMT降低了成本和设备的大小,以及触电的风险。此外,该PMT模块由± 12伏直流电源(包括120伏和230伏插接适配器)和0&ndash 1.8伏的可变直流电源(不包括在内)供电。两种模块都配备有3个8-32螺纹,可在不同方向接杆安装。附带1个公制兼容的AS4M8E(8-32至M4)适配器。此外,在该模块的正面有4个4-40螺纹孔,使其与我们的30毫米笼式共轴系统 (点击笼式兼容性标签了解更多信息)兼容。这些部件与PMT孔径上的保护盖一起发货。一旦去除保护盖,该模块带有的SM1兼容内孔,可与我们一系列的SM1透镜套管兼容。因此,成像光学元件和滤光片可便捷地安装并位于PMT光电阴极的中心。此外,使用透镜管可阻止杂散光和散射光到达探测器,这对探测弱光或噪声信号非常有利。光电倍增管模块 Related Products 概述 特性极其适合用于激光扫描显微应用兼容Thorlabs公司的激光扫描必备套件光电倍增管模块可以扩展到最多8个通道附带双通道模块 两个多碱光电倍增管可替换荧光滤光片立方SM1螺纹光电倍增管安装座用于安装滤光片模块我们还提供单体多碱光电倍增管宽带光谱响应:185 - 900纳米 点击了解详情 Thorlabs公司的光电倍增管(PMT)模块设计使成像系统,如我们的激光扫描必备套件,更容易集成PMT探测功能。PMTSS2双通道PMT模块包含两个多碱标准灵敏度的PMT、一个DFMT1滤光片立方插件、和一个底座。该模块中的两个多碱PMT能够进行高效探测,并具有185 -900纳米的宽带光谱响应范围。模块的底座装备有一个MDFB滤光片立方和一些插槽,这些插槽可以用来安装英制或公制光学平台、面包板的配件。其滤光片模块的输入端口带有SM1(1.035英寸-40)螺纹,可以直接兼容Thorlabs公司的各种SM1透镜套筒和光纤准直适配器。PMT已经经过准直,可以和附带的滤光片立方插件配合使用,该滤光片立方插件可以轻松替换进行分色镜/发射滤光套件。通过购买额外的单通道附加模块(PMTSS2-SCM),该双通道PMT模块可以最多被扩展为8个探测通道。这些PMT模块在我们的C共聚焦激光扫描显微系统中有专题介绍。对于只需要购买PMT的用户,我们提供不带滤光片模块和底座的PMTSS系列的多碱PMT探测器。该探测器带有C安装座内螺纹,可以直接兼容常用显微镜相机接口。这些PMT探测器附带一根电源线,用于连接用户自备的± 15伏电压和0.25 - 1伏的增益控制。探测器数据输出则由BNC接头输出。将一个PMTSS2双通道模块与额外的PMTSS2-SCM单通道模块相结合可以实现三通道探测。附带的滤光片模块可以实现荧光滤光片套件的简易插入和替换。雪崩探测器Thorlabs提供两种雪崩探测器。第一种是由Thorlabs的合作公司Menlo系统设计和制造的,该探测器能探测最高1GHz频率的信号。第二种是由本公司自己设计和制造的。两种探测器的探测波长范围从400纳米到1700纳米可选。Menlo Systems雪崩探测器 雪崩探测器 用于共聚焦荧光成像的光电倍增管 Related Products 概述 特性设计用于VCM-F共聚焦基础系统有单PMT和双PMT单元可供选择低噪声高灵敏度的镓砷磷PMT或标准灵敏度的多碱PMT选项光谱响应 300-720纳米,高灵敏度型号185-900纳米,标准灵敏度型号软件控制在附带的三种发射滤光片之间选择 带通:440 ± 40纳米带通:525 ± 50纳米长通:600纳米 Thorlabs提供两种不同的光电倍增管(PMT)单元,用于VCM-F共聚焦基础系统。PCU2A包含两个宽带,标准灵敏度的PMT模块。 PCUxB系列包含一个(PCU1B)或者两个(PCU2B)高灵敏度低噪声PMT模块(详细信息请看表格)。双PMT单元(PCU2A或者PCU2B)是使用基于VCM-F共聚焦基础系统进行多通道荧光成像的理想选择,因为它们可用ThorVCM软件完全控制。每个双PMT单元标配三种发射滤光片,能通过软件控制进行选择。用户可以在440/40带通滤光片和525/50带通滤光片之间,或者525/50带通滤光片和600纳米长通滤光片之间切换。需要其他发射滤光片,请联系我们的技术支持询问具体信息和价格。太赫兹该指南介绍了Thorlabs的太赫兹系列产品。我们目前提供的产品有THz天线/接收器安装座、THz天线和THz套件。太赫兹套装 太赫兹天线 太赫兹接收器安装座 CCD/CMOS相机Thorlabs提供一系列结构紧凑的CCD和CMOS面阵列相机,以及CCD线阵列相机。我们的CCD面阵列相机属于高端设备,提供外部触发输入。而对于不需要外部触发的应用,我们的CMOS相机是高性价比的替代方案。CCD和CMOS面阵列相机都有黑白或者彩色版本。这些相机与Thorlabs的MVL系列C接口相机镜头兼容。CCD线阵列相机提供外部触发输入,可用于自制光谱仪等应用中。CMOS相机,C形安装 CCD相机,C形安装 线性CCD相机 C形安装相机镜头 台式光电二极管放大器 Related Products 概述 特性阻抗光电流放大器整个动态范围内噪声极低分辨率高达10皮安的5位数字显示支持单点功率校准支持两种光电二极管极性(CG和AG)偏压可调输入放大器及光电二极管暗电流偏移补偿符合RoHS标准PDA200C型光电二极管放大器适用于很小光电二极管电流的超低噪声放大。可以提供从100纳安到10毫安满量程的六种电流范围,以及最10pA大的显示分辨率。该设备同时支持阴极接地(CG)以及阳极接地(AG)光电二极管。这种放大器可以在光伏或光导模式下工作。可调节的偏压提供更好的响应线性度和增强的频率响应。利用升级的PDA200C系列,我们的光电流放大器符合RoHS标准,此外,还改变了电流测量范围。其余的特性与以前的PDA200系列几乎相同。
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  • 高纯锗γ伽马能谱仪器第一部分:高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率,是核测量最精密和最先进的工具,在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定, 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理:高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级,是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极,在该两种电极上加反向偏压后,由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度,其内部将工作在全耗尽状态,此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集,形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体,在 其外表面为 N+电极,在其内部电极孔内部为 P+电极, 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚,P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放,性能优异,长期稳 定性好,除适配威视系列数字谱仪外,还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指,并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计,同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率,探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性:能量响应范围:30keV 至 10MeV;相对探测效率 10% 至 80%; 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求; 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标; 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标:型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比(≥)效率(≥)直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分:谱仪(多道分析仪) 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善,其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求,结合软件,谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性:全数字化控制,保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能(shutdown)多种滤波模式,可根据特定环境配置滤波参数,具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复,自动极零,零死时间校正,弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps,对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能: 基础参数显示:系统的电源开启状态,高压开启状态,高压目标值,高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载:用户根据探测器参数选定高压后,系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载,直到满足探测器要求。异常处理功能:当系统意外掉电,设备自动启动 UPS 功能,并按异常处理逻辑,进 行高压缓降,以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能:基于 FPGA 的硬件算法,利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标: 系统非线性:积分非线性:≤ 0.01%;微分非线性:≤±0.28最大通过率:成形时间设置为上升时间 500ns,平顶时间 500ns时,系统等效的死时间约为 2.79μs,此时,最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益::由计算机选定为 1,2,4,8细调增益:由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量:376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件:0 C 到 50 C(包括 LCD 显示)。操作系统:Windows 7/ Windows10。显示/接口:320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子,USB3.0接口。高压输出接口,探测器电源接口,探测器信号输入端子。第三部分:液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机,运行寿命长于 10 年; 25L 液氮容器,不断电条件下可连续工作两年以上; 对探测器分辨率无影响; 可匹配垂直、水平与弯头型冷指; 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息; 可选购基于无线技术的遥控器,远程控制制冷系统或显示运行状态; 配有自动式液氮填充接口,可自动加注液氮; 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警; 外形尺寸:64.5cm 高 x 45.6cm 直径(不含探测器); 功耗:运行时小于 150W,启动时最大 250W; 工作环境:0 - 35℃,相对湿度 20%至 80%(无冷凝); 噪声:1m 处小于 60 分贝。第四部分:伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪,除了高纯锗探测器这一核心部件之外,还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢,目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包,只需一次安装,用户即可实现如下功能: 系统的参数设置与硬件控制,包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时,软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能,以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果,以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点: 设计有可切换的操作员(operator)与专家(expert)两种使用权限,以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时, 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品,可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性: 刻度:支持能量、峰形、效率刻度,可人工刻度,也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件,并支持三种拟合方法:单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”(Knee)的多项式拟合。 寻峰:支持 Mariscotti 法寻峰,可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法:自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库: 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询,和对母子核的编辑。 核素识别的方法: 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法,具体执行程序如下: 使用广义二阶差分方法初步寻峰,根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底,扣除本底后,在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上,方便查看。 谱分析中的校正:母子核衰变校正;样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算:Currie 算法,后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告:报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容,支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面:默认 office 风格,可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容,并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统:Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分:实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包:基于 Geant4 软件程序包,能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型:支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围:10keV-7000keV; 刻度角度:支持任意角度刻度。探测效率:支持真实物理级别的级联符合校正,通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库:内置 9 种常见的容器库,支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具:内置 40 余种常见材料,允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验:提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义,提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析:提供输入参数敏感性分析工具,方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具:允许用户自主完成探测器表征,无需返厂,确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式:允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统:Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分:铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室,用于高纯锗γ能谱仪系统,屏蔽环 境本底对探测过程的干扰,提高测量的准确性。具体参数: 外层材料:1cm 低碳钢;中层材料:10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽;内层材料:3 mm 无氧铜;结构:压杆式顶部平移开门设计; 承重桌材料:低碳钢;占地面积:65cm x 65cm;内腔尺寸:Φ310mm x 409mm;重量:大于 1.1 吨; 铅室说明:分三个型号,TKLBS-G1,TKLBS-G2,和TKLBS-U,TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写,G1代表Grad1等级1,使用铅材料厚度为10cm,本底保 证<3.0cps,常规值<2.8cps;G2代表Grad1等级2,使用铅材料厚度为15cm,本 底保证<2.0cps,常规值<1.6cps;U代表Ultra超级,使用铅材料厚度为15cm, 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气,使之降低空气中氡的影响,本底保证<1.0cps。按照约定俗称,以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室,用于高纯锗γ能谱仪系统,屏蔽环境本底 对探测过程的干扰,提高测量的准确性。本底指标:本底指标:在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps(40%效率), 典型值约 1cps 左右。具体参数: 高度 682.1 mm (26.9 in.); 直径 558.8 mm (22.0 in.); 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.); 深度:355.6 mm (14 in.);最外层:9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢; 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅; 内衬:1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度:68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬:2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。
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  • 高纯锗γ伽马能谱仪器第一部分:高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率,是核测量最精密和最先进的工具,在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定, 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理:高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级,是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极,在该两种电极上加反向偏压后,由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度,其内部将工作在全耗尽状态,此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集,形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体,在 其外表面为 N+电极,在其内部电极孔内部为 P+电极, 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚,P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放,性能优异,长期稳 定性好,除适配威视系列数字谱仪外,还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指,并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计,同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率,探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性:能量响应范围:30keV 至 10MeV;相对探测效率 10% 至 80%; 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求; 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标; 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标:型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比(≥)效率(≥)直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分:谱仪(多道分析仪) 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善,其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求,结合软件,谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性:全数字化控制,保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能(shutdown)多种滤波模式,可根据特定环境配置滤波参数,具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复,自动极零,零死时间校正,弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps,对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能: 基础参数显示:系统的电源开启状态,高压开启状态,高压目标值,高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载:用户根据探测器参数选定高压后,系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载,直到满足探测器要求。异常处理功能:当系统意外掉电,设备自动启动 UPS 功能,并按异常处理逻辑,进 行高压缓降,以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能:基于 FPGA 的硬件算法,利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标: 系统非线性:积分非线性:≤ 0.01%;微分非线性:≤±0.28最大通过率:成形时间设置为上升时间 500ns,平顶时间 500ns时,系统等效的死时间约为 2.79μs,此时,最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益::由计算机选定为 1,2,4,8细调增益:由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量:376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件:0 C 到 50 C(包括 LCD 显示)。操作系统:Windows 7/ Windows10。显示/接口:320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子,USB3.0接口。高压输出接口,探测器电源接口,探测器信号输入端子。第三部分:液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机,运行寿命长于 10 年; 25L 液氮容器,不断电条件下可连续工作两年以上; 对探测器分辨率无影响; 可匹配垂直、水平与弯头型冷指; 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息; 可选购基于无线技术的遥控器,远程控制制冷系统或显示运行状态; 配有自动式液氮填充接口,可自动加注液氮; 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警; 外形尺寸:64.5cm 高 x 45.6cm 直径(不含探测器); 功耗:运行时小于 150W,启动时最大 250W; 工作环境:0 - 35℃,相对湿度 20%至 80%(无冷凝); 噪声:1m 处小于 60 分贝。第四部分:伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪,除了高纯锗探测器这一核心部件之外,还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢,目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包,只需一次安装,用户即可实现如下功能: 系统的参数设置与硬件控制,包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时,软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能,以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果,以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点: 设计有可切换的操作员(operator)与专家(expert)两种使用权限,以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时, 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品,可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性: 刻度:支持能量、峰形、效率刻度,可人工刻度,也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件,并支持三种拟合方法:单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”(Knee)的多项式拟合。 寻峰:支持 Mariscotti 法寻峰,可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法:自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库: 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询,和对母子核的编辑。 核素识别的方法: 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法,具体执行程序如下: 使用广义二阶差分方法初步寻峰,根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底,扣除本底后,在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上,方便查看。 谱分析中的校正:母子核衰变校正;样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算:Currie 算法,后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告:报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容,支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面:默认 office 风格,可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容,并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统:Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分:实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包:基于 Geant4 软件程序包,能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型:支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围:10keV-7000keV; 刻度角度:支持任意角度刻度。探测效率:支持真实物理级别的级联符合校正,通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库:内置 9 种常见的容器库,支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具:内置 40 余种常见材料,允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验:提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义,提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析:提供输入参数敏感性分析工具,方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具:允许用户自主完成探测器表征,无需返厂,确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式:允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统:Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分:铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室,用于高纯锗γ能谱仪系统,屏蔽环 境本底对探测过程的干扰,提高测量的准确性。具体参数: 外层材料:1cm 低碳钢;中层材料:10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽;内层材料:3 mm 无氧铜;结构:压杆式顶部平移开门设计; 承重桌材料:低碳钢;占地面积:65cm x 65cm;内腔尺寸:Φ310mm x 409mm;重量:大于 1.1 吨; 铅室说明:分三个型号,TKLBS-G1,TKLBS-G2,和TKLBS-U,TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写,G1代表Grad1等级1,使用铅材料厚度为10cm,本底保 证<3.0cps,常规值<2.8cps;G2代表Grad1等级2,使用铅材料厚度为15cm,本 底保证<2.0cps,常规值<1.6cps;U代表Ultra超级,使用铅材料厚度为15cm, 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气,使之降低空气中氡的影响,本底保证<1.0cps。按照约定俗称,以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室,用于高纯锗γ能谱仪系统,屏蔽环境本底 对探测过程的干扰,提高测量的准确性。本底指标:本底指标:在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps(40%效率), 典型值约 1cps 左右。具体参数: 高度 682.1 mm (26.9 in.); 直径 558.8 mm (22.0 in.); 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.); 深度:355.6 mm (14 in.);最外层:9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢; 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅; 内衬:1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度:68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬:2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。
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  • 高纯锗γ伽马能谱仪第一部分:高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率,是核测量最精密和最先进的工具,在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定, 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理:高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级,是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极,在该两种电极上加反向偏压后,由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度,其内部将工作在全耗尽状态,此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集,形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体,在 其外表面为 N+电极,在其内部电极孔内部为 P+电极, 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚,P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放,性能优异,长期稳 定性好,除适配威视系列数字谱仪外,还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指,并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计,同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率,探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性:能量响应范围:30keV 至 10MeV;相对探测效率 10% 至 80%; 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求; 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标; 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标:型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比(≥)效率(≥)直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分:谱仪(多道分析仪) 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善,其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求,结合软件,谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性:全数字化控制,保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能(shutdown)多种滤波模式,可根据特定环境配置滤波参数,具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复,自动极零,零死时间校正,弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps,对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能: 基础参数显示:系统的电源开启状态,高压开启状态,高压目标值,高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载:用户根据探测器参数选定高压后,系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载,直到满足探测器要求。异常处理功能:当系统意外掉电,设备自动启动 UPS 功能,并按异常处理逻辑,进 行高压缓降,以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能:基于 FPGA 的硬件算法,利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标: 系统非线性:积分非线性:≤ 0.01%;微分非线性:≤±0.28最大通过率:成形时间设置为上升时间 500ns,平顶时间 500ns时,系统等效的死时间约为 2.79μs,此时,最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益::由计算机选定为 1,2,4,8细调增益:由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量:376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件:0 C 到 50 C(包括 LCD 显示)。操作系统:Windows 7/ Windows10。显示/接口:320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子,USB3.0接口。高压输出接口,探测器电源接口,探测器信号输入端子。第三部分:液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机,运行寿命长于 10 年; 25L 液氮容器,不断电条件下可连续工作两年以上; 对探测器分辨率无影响; 可匹配垂直、水平与弯头型冷指; 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息; 可选购基于无线技术的遥控器,远程控制制冷系统或显示运行状态; 配有自动式液氮填充接口,可自动加注液氮; 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警; 外形尺寸:64.5cm 高 x 45.6cm 直径(不含探测器); 功耗:运行时小于 150W,启动时最大 250W; 工作环境:0 - 35℃,相对湿度 20%至 80%(无冷凝); 噪声:1m 处小于 60 分贝。第四部分:伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪,除了高纯锗探测器这一核心部件之外,还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢,目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包,只需一次安装,用户即可实现如下功能: 系统的参数设置与硬件控制,包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时,软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能,以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果,以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点: 设计有可切换的操作员(operator)与专家(expert)两种使用权限,以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时, 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品,可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性: 刻度:支持能量、峰形、效率刻度,可人工刻度,也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件,并支持三种拟合方法:单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”(Knee)的多项式拟合。 寻峰:支持 Mariscotti 法寻峰,可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法:自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库: 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询,和对母子核的编辑。 核素识别的方法: 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法,具体执行程序如下: 使用广义二阶差分方法初步寻峰,根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底,扣除本底后,在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上,方便查看。 谱分析中的校正:母子核衰变校正;样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算:Currie 算法,后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告:报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容,支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面:默认 office 风格,可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容,并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统:Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分:实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包:基于 Geant4 软件程序包,能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型:支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围:10keV-7000keV; 刻度角度:支持任意角度刻度。探测效率:支持真实物理级别的级联符合校正,通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库:内置 9 种常见的容器库,支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具:内置 40 余种常见材料,允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验:提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义,提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析:提供输入参数敏感性分析工具,方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具:允许用户自主完成探测器表征,无需返厂,确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式:允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统:Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分:铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室,用于高纯锗γ能谱仪系统,屏蔽环 境本底对探测过程的干扰,提高测量的准确性。具体参数: 外层材料:1cm 低碳钢;中层材料:10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽;内层材料:3 mm 无氧铜;结构:压杆式顶部平移开门设计; 承重桌材料:低碳钢;占地面积:65cm x 65cm;内腔尺寸:Φ310mm x 409mm;重量:大于 1.1 吨; 铅室说明:分三个型号,TKLBS-G1,TKLBS-G2,和TKLBS-U,TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写,G1代表Grad1等级1,使用铅材料厚度为10cm,本底保 证<3.0cps,常规值<2.8cps;G2代表Grad1等级2,使用铅材料厚度为15cm,本 底保证<2.0cps,常规值<1.6cps;U代表Ultra超级,使用铅材料厚度为15cm, 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气,使之降低空气中氡的影响,本底保证<1.0cps。按照约定俗称,以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室,用于高纯锗γ能谱仪系统,屏蔽环境本底 对探测过程的干扰,提高测量的准确性。本底指标:本底指标:在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps(40%效率), 典型值约 1cps 左右。具体参数: 高度 682.1 mm (26.9 in.); 直径 558.8 mm (22.0 in.); 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.); 深度:355.6 mm (14 in.);最外层:9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢; 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅; 内衬:1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度:68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬:2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。
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  • Alphalas超快光电探测器UPD系列超快光电探测器系列适用于从直流到25GHz的空间光波形的测量。可提供检测最短为15ps上升时间的光脉冲信号,覆盖从170至2600nm的光谱范围。所有探测器都由紧凑坚实的过氧极化铝外壳封装,供电方式可以采用电池或外接电源。是可提供从170到1100 nm扩展到紫外光谱范围高速硅探测器商业产品。另一种类型独特的紫外线敏感的InGaAs 探测器,可用于检测从350到1700纳米范围内的激光脉冲,因此具有最宽的光谱范围和highest的响应速度。Alphalas超快光电探测器UPD阻抗匹配和微波技术结合,确保测量的脉冲波形的保真度。用户可以自由使用50Ω的匹配电阻,进行highest响应速度的检测。或为获得大的信号响应曲线,加入高阻抗负载。保证了UPD产品为不同的应用提供max的灵活性。 结合BBA系列宽带高增益放大器,高速光探测器对于取代昂贵和繁琐的雪崩光电二极管是一个选择。UPD的系列高速光电探测器是激光和光子学研究的不可缺少的工具。特点:1.Alphalas超快光电探测器UPD可超高速运行2.上升时间:15 ps - 500ps3.带宽:highest达25 GHz4.光谱范围:170 - 2600纳米5.紧凑封装6.电池或外部电源7.自由空间光入射或FC/PC型8.接头或光纤尾纤应用:1.脉冲形式测量2.脉冲宽度测量3.精确的同步4.模式变化监控5.外差测量新的UPD型号:快速的上升时间及更宽的光谱范围1.UPD-15-IR2-FC: 超快InGaAs光电探测器,上升时间15ps,带宽25 GHz,光谱范围800 - 1700 nm, 光纤耦合输入, FC/APC口。2.UPD-35-IR2-P, UPD-35-IR2-D: 超快 InGaAs 光电探测器,上升时间 35 ps, 带宽 10 GHz, 光谱范围 800 - 1700 nm, 光面或漫反射的入射窗。3.UPD-35-UVIR-P, UPD-35-UVIR-D: 超快 InGaAs PIN 光电探测器, 上升时间 35 ps, 带宽 10 GHz, 光谱范围 350 - 1700 nm, 光面或漫反射的入射窗。4.UPD-50-SP, UPD-50-SD, UPD-50-UD, UPD-50-UP: 超快 Si 光电探测器, 上升时间 50 ps, 下降时间 50 ps, 带宽 7 GHz, 光谱范围 170 - 1100 nm or 320 - 1100 nm, 光面或漫反射的入射窗。5.UPD-100-IR1-P: 超快 Ge 光电探测器, 上升时间 100 ps, 脉宽 (FWHM) 300 ps, 光谱范围 400 - 2000 nm。6.UPD-3N-IR2-P: 超快 InGaAs 光电探测器, 延伸到 2.1 μm, 上升时间 150 ps。7.UPD-5N-IR2-P: 超快 InGaAs 光电探测器, 延伸到2.6 μm,上升时间 200 ps。其他UPD型号及详细参数,请联系德国Alphalas代理商武汉能带科技有限公司咨询。
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  • 高速光电探测器 400-860-5168转3067
    高速光电探测器 The UPD series of ultrafast photo-detectors are best suited for mea-surement of optical waveforms from DC to 25 GHz. Various models feature rise times as short as 15 ps and cover the spectral range from 170 to 2600 nm. All photodetectors are enclosed in compact and solid aluminum hous-ings and can be biased with a battery or an external power supply. The UV-extended versions of the silicon type photodetectors are the only commercial products that cover the spectral range from 170 to 1100 nm. Another type of unique UV-sensitive InGaAs photodetectors can be used for detecting laser pulses in the range from 350 to 1700 nm, thus having the widest spectral range and the highest speed commercially available. Perfect impedance matching and state-of-the-art microwave technology assure pulse form measurements without any ringing or artefacts. The customer is free to use a 50 &Omega terminating resistor for highest speed operation, or a high impedance load for obtaining large signals. This guarantees maximum flexibility for diverse applications. In combination with our BBA series of wideband high-gain amplifiers, the high-speed photodetectors are an advantageous alternative to the expensive and cumbersome avalanche photodiodes. The UPD series high-speed photodetectors are indispensable tools for laser and photonics research. Features of the Photodiodes Applications of the Photodiodes Ultra High-Speed Operation Rise Times: starting from 15 ps Bandwidths: up to 25 GHz Spectral Ranges: 170 - 2600 nm (UV to IR) Compact Design Battery or External Power Supply Models for Free-Space Beam, or with FC/PC Receptacle or Pigtailed with Fiber Pulse Form Measurements Pulse Duration Measurements Precise Synchronization Mode Beating Monitoring Heterodyne Measurements Notes: ¹ ⁾ The diffuse window reduces the positioning accuracy requirements and increases the damage threshold at the cost of a reduced sensitivity by a factor of approx. three to five. Recommended for high peak power lasers only. ² ⁾ This model has negative output. All other models have positive output by default but may be ordered with negative output if required. ³ ⁾ With TEC cooling module, non-standard housing. ⁴ ⁾ Modified material with increased blue / UV sensitivity. DET10A 纳秒级光电探测器
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  • PhaseTech 中红外探测器 2DMCTPhaseTech 中红外探测器 2DMCT是用于中红外的下一代碲化汞镉(MCT)探测器。具有128×128像素、高灵敏度和极低噪声的电子器件。PhaseTech 中红外探测器 2DMCT功能和特点:&bull 16384个高品质MCT像素&bull 非常低的暗噪声&bull 杜瓦温度读数&bull QuickShape快速扫描电子设备&bull 控制软件和LabVIEWTM驱动程序PhaseTech 中红外探测器 2DMCT主要应用:&bull 瞬态红外光谱&bull 二维红外光谱&bull 中红外成像&bull 二维红外成像PhaseTech 中红外探测器 2DMCT主要参数:像素128×128或64×64光谱范围2-12.3µ m像素尺寸40 x 40µ m最大全帧速率1.5 kHz最大窗口帧速率4 kHz(请联系PhaseTech了解更高的帧速率)比检测率(D*)4 x 1011 cm Hz1/2 W-1垂直分辨率14位动态范围~1300:1典型的暗噪声(1σ)*10次计数,超过1000次近似尺寸8.5 x 4 x 10.2英寸(21.6 x 10.2 x 25.9厘米) 低噪声中红外探测器 2DMCT是一种非常低噪声的探测器更好的激光器意味着探测器的噪声很重要典型的暗噪声小于10个计数(1000次拍摄时为1σ)垂直装仓进一步降低噪音 漂亮的测试数据高分辨率、高质量的光谱与传统探测器相比,信噪比相似或更好 覆盖面广2至12.3微米的良好灵敏度 尺寸小采集电子设备的尺寸只有几英寸,直接连接到探测器上直接连接意味着更少的电子噪音 特殊优势可编程偏移使其易于根据不同的信号强度进行调整内置杜瓦瓶温度读数消除了对液氮水平的担忧 软件友好用于设置、控制和采集的用户友好型软件包括偏移、设置感兴趣的区域、显示各种切片LabViewTM驱动程序,可轻松整合到现有代码中 PT_2DMCT_Datasheet.pdf
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  • 德国Alphalas公司创建于1997年,主要是激光器及激光设备供应商。主要产品有:分秒、皮秒和亚纳秒脉冲激光器,超快光电探测器等。 UPD系列超快光电探测器适合从DC到25GHz的光学波形测量。多种型号的上升时间低至15皮秒,光谱范围从170到2600纳米。所有光电探测器都是封装在坚固紧凑的铝制外壳中,使用电池或者外部电源偏置。硅光电探测器的紫外扩展版本是一个可覆盖170到1100纳米光谱范围的商用产品。紫外灵敏的InGaAs光电探测器的另一种类型可以探测350到1700纳米的激光脉冲,因此是商用上可选的很宽的波长范围和很高的探测速度。理想的阻抗匹配和先进的微波技术确保了无需振铃或人为操作就能测量脉冲波形。客户可以使用50Ω终端电阻完成超快速工作,或者使用高阻抗负载获得大信号。这个特点保证超大的灵活性,能用于多种应用。UPD系列高速光电探测器是激光和光子学研究必不可少的工具。 光电探测器特点 应用超快工作速度上升沿时间: 15 ps带宽: 上限 25 GHz光谱范围: 170 - 2600 nm (UV to IR)紧凑式设计外部电源和电池自由光束/ FC-PC接口/尾纤式脉冲测量脉冲间隔测量精确的同步模拍频监控外差振荡测量超快光电探测器 (UPD Series) - Available ModelsUPD系列:可选型号 型号上升时间 (ps)带宽(GHz)光谱范围 (nm)峰值量子效率 感光面积直径μm / mm2)噪声等效功率 (W/√Hz)暗电流 (nA)材料光输入窗口类型RF输出接头类型UPD-15-IR2-FC 15 25800 - 170075%Fiber, 9 μm1.0 × 10-1?0.1InGaAsFiber w. FC/APC ??SMAUPD-30-VSG-P 30 10320 - 90040%200×200 / 0.043.0 × 10-1?0.1GaAsPolished, glassSMAUPD-35-IR2-P 35 10800 -170080%55 / 0.00241.0 × 10-1?0.3InGaAsPolished, glassSMAUPD-35-IR2-D 35 10800 -170080%55 / 0.00241.0 × 10-1?0.3InGaAsDiffuse, quartzSMAUPD-35-IR2-FR 35 10800 -170080%55 / 0.00241.0 × 10-1?0.3InGaAsFC/PC receptacle ??SMAUPD-35-IR2-FC 35 10800 -170080%Fiber, 9 μm1.0 × 10-1?0.3InGaAsFiber w. FC/APC ??SMAUPD-35-UVIR-P 35 10350 -170080%55 / 0.00241.0 × 10-1?0.3InGaAs ??Polished, MgF?SMAUPD-35-UVIR-D 35 10350 -170080%55 / 0.00241.0 × 10-1?0.3InGaAs ??Diffuse, quartzSMAUPD-40-VSI-P 40 8.5500 - 169040%200×200 / 0.043.0 × 10-1?5000InGaAsPolished, glassSMAUPD-40-IR2-P 40 8.5800 - 170080%60 / 0.00281.1 × 10-1?0.5InGaAsPolished, glassSMAUPD-40-IR2-D 40 8.5800 - 170080%60 / 0.00281.1 × 10-1?0.5InGaAsDiffuse, quartzSMAUPD-40-IR2-FR 40 8.5800 - 170080%60 / 0.00281.1 × 10-1?0.5InGaAsFC/PC receptacle ??SMAUPD-40-IR2-FC 40 8.5800 - 170080%Fiber, 9 μm1.1 × 10-1?0.5InGaAsFiber w. FC/APC ??SMAUPD-40-UVIR-P 40 8.5350 - 170080%60 / 0.00281.1 × 10-1?0.5InGaAs ??Polished, MgF?SMAUPD-40-UVIR-D 40 8.5350 - 170080%60 / 0.00281.1 × 10-1?0.5InGaAs ??Diffuse, quartzSMAUPD-50-SP 50 7.0320 - 110045%100 / 0.00791.2 × 10-1?0.001SiPolished, glassSMAUPD-50-SD 50 7.0320 - 110045%100 / 0.00791.2 × 10-1?0.001SiDiffuse, quartzSMAUPD-50-UP 50 7.0170 - 110045%100 / 0.00791.2 × 10-1?0.001Si ??Polished, MgF?SMAUPD-50-UD 50 7.0170 - 110045%100 / 0.00791.2 × 10-1?0.001Si ??Diffuse, quartzSMAUPD-70-IR2-P 70 5.0800 - 170080%80 / 0.0052.0 × 10-1?0.8InGaAsPolished, glassSMAUPD-70-IR2-D 70 5.0800 - 170080%80 / 0.0052.0 × 10-1?0.8InGaAsDiffuse, quartzSMAUPD-70-IR2-FR 70 5.0800 - 170080%80 / 0.0052.0 × 10-1?0.8InGaAsFC/PC receptacle ??SMAUPD-70-IR2-FC 70 5.0800 - 170080%Fiber, 9 μm2.0 × 10-1?0.8InGaAsFiber w. FC/APC ??SMAUPD-70-UVIR-P 70 5.0350 - 170080%80 / 0.0052.0 × 10-1?0.8InGaAs ??Polished, MgF?SMAUPD-70-UVIR-D 70 5.0350 - 170080%80 / 0.0052.0 × 10-1?0.8InGaAs ??Diffuse, quartzSMAUPD-100-IR1-P 2? 100 3.0400 - 200080%80 / 0.0053.0 × 10-13700GePolished, glassSMAUPD-200-SP 175 2.0320 - 110085%400 / 0.1261.5 ×10-1?0.001SiPolished, glassBNCUPD-200-SD 175 2.0320 - 110085%400 / 0.1261.5 ×10-1?0.001SiDiffuse, quartzBNCUPD-200-UP 175 2.0170 - 110085%400 / 0.1261.5 ×10-1?0.001Si ??Polished, MgF?BNCUPD-200-UD 175 2.0170 - 110085%400 / 0.1261.5 ×10-1?0.001Si ??Diffuse, quartzBNCUPD-300-SP 300 1.0320 - 110090%600 / 0.2833.0 ×10-1?0.01SiPolished, glassBNCUPD-300-SD 300 1.0320 - 110090%600 / 0.2833.0 ×10-1?0.01SiDiffuse, quartzBNCUPD-300-UP 300 1.0170 - 110090%600 / 0.2833.0 ×10-1?0.01Si ??Polished, MgF?BNCUPD-300-UD 300 1.0170 - 110090%600 / 0.2833.0 ×10-1?0.01Si ??Diffuse, quartzBNCUPD-500-SP 500 0.6320 - 110090%800 / 0.53.5 ×10-1?0.01SiPolished, glassBNCUPD-500-SD 500 0.6320 - 110090%800 / 0.53.5 ×10-1?0.01SiDiffuse, quartzBNCUPD-500-UP 500 0.6170 - 110090%800 / 0.53.5 ×10-1?0.01Si ??Polished, MgF?BNCUPD-500-UD 500 0.6170 - 110090%800 / 0.53.5 ×10-1?0.01Si ??Diffuse, quartzBNCUPD-3N-IR2-P 150 ?? 0.4 ??800 - 210075%300 / 0.071.5 × 10-1390InGaAsPolished, glassBNCUPD-5N-IR2-P 200 ?? 0.3 ??800 - 260070%300 / 0.077.0 ×10-132000InGaAsPolished, glassBNCUPD-2M-IR2-P 75000 0.004900 - 170080%2000 / 3.144.0 ×10-1?5InGaAsPolished, glassBNCUPD-2M-IR2-P-1TEC 3? 75000 0.004900 - 170075%2000 / 3.141.0 ×10-1?0.3InGaAsPolished, glassBNC备注 1. 漫反射窗口降低定位精度并以降低灵敏度3到5倍来增大损伤阈值。仅推荐用于高峰值功率激光器。2. 该型号输出为负。所有其它型号默认都是正输出,可根据要求定制负输出。3. TEC冷却模式,非标准外壳。4. 改性材料增加蓝光/紫外灵敏度。5. 不兼容可选配的滤波片架。6. 可显著改善性能。
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  • UPD超快光电探测器(Ultrafast_Photodetectors)品牌:ALPHLAS UPD产品简介: ALPHLAS UPD系列自由空间入射超快光电探测器系列最适合用于从直流到25GHz的空间光波形的测量。可提供检测最短为15ps上升时间的光脉冲信号,覆盖从170至2600nm的光谱范围。 所有探测器都由紧凑坚实的过氧极化铝外壳封装,供电方式可以采用电池或外接电源。 是唯一可提供从170到1100 nm扩展到紫外光谱范围高速硅探测器商业产品。 另一种类型独特的紫外线敏感的InGaAs 探测器,可用于检测从350到1700纳米范围内的激光脉冲,因此具有最宽的光谱范围和最高的响应速度。完美的阻抗匹配和最先进的微波技术,确保测量的脉冲波形的保真度。用户可以自由使用50Ω的匹配电阻,进行最高响应速度的检测。或为获得大的信号响应曲线,加入高阻抗负载。保证了UPD产品为不同的应用提供最大的灵活性。 结合BBA系列宽带高增益放大器,高速光探测器对于取代昂贵和繁琐的雪崩光电二极管是一个极好的选择。UPD的系列高速光电探测器是激光和光子学研究的不可缺少的工具。产品图片:特点: 超高速运行 上升时间:15 ps - 500ps 带宽:最高达25 GHz 光谱范围:170 - 2600纳米 紧凑封装 电池或外部电源 自由空间光入射或FC/PC型接头或光纤尾纤应用: 脉冲形式测量 脉冲宽度测量 精确的同步 模式变化监控 外差测量 UPD系列:Photodetector ModelRise Time(ps)Band-width(GHz)Spectral Range(nm)Quantum Efficiency@ PeakSensitiveArea (Dia. μm/mm2)Noise Equiv. Power (W/√Hz)DarkCurrent (nA)MaterialOptical Input / Window Type 1)RF Output Connec-tor UPD-15-IR2-FC 15 25800 - 170075%Fiber, 9 μm1.0 × 10-150.1InGaAsFiber w. FC/APC 5)SMA UPD-30-VSG-P 30 10320 - 90040%200x200/0.043.0 × 10-150.1GaAsPolished, glassSMA UPD-35-IR2-P 35 10800 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAsPolished, glassSMA UPD-35-IR2-D 35 10800 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAsDiffuse, quartzSMA UPD-35-IR2-FR 35 10800 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAsFC/PC receptacle5)SMA UPD-35-IR2-FC 35 10800 - 170080%Fiber, 9 μm1.0 × 10-150.3InGaAsFiber w. FC/APC 5)SMA UPD-35-UVIR-P 35 10350 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAs4)Polished, MgF2SMA UPD-35-UVIR-D 35 10350 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAs4)Diffuse, quartzSMA UPD-40-VSI-P 40 8.5500 - 169040%200x200/0.043.0 × 10-105000InGaAsPolished, glassSMA UPD-40-IR2-P 40 8.5800 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAsPolished, glassSMA UPD-40-IR2-D 40 8.5800 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAsDiffuse, quartzSMA UPD-40-IR2-FR 40 8.5800 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAsFC/PC receptacle5)SMA UPD-40-IR2-FC 40 8.5800 - 170080%Fiber, 9 μm1.1 × 10-150.5InGaAsFiber w. FC/APC 5)SMA UPD-40-UVIR-P 40 8.5350 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAs4)Polished, MgF2SMA UPD-40-UVIR-D 40 8.5350 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAs4)Diffuse, quartzSMA UPD-50-SP 50 7.0320 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001SiPolished, glassSMA UPD-50-SD 50 7.0320 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001SiDiffuse, quartzSMA UPD-50-UP 50 7.0170 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001Si 4)Polished, MgF2SMA UPD-50-UD 50 7.0170 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001Si 4)Diffuse, quartzSMA UPD-70-IR2-P 70 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsPolished, glassSMA UPD-70-IR2-D 70 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsDiffuse, quartzSMA UPD-70-IR2-FR 70 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsFC/PC receptacle5)SMA UPD-70-IR2-FC 70 5.0800 - 170080%Fiber, 9 μm2.0 × 10-150.8InGaAsFiber w. FC/APC 5)SMA UPD-70-UVIR-P 70 5.0350 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAs4)Polished, MgF2SMA UPD-70-UVIR-D 70 5.0350 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAs4)Diffuse, quartzSMA UPD-100-IR1-P 100 3.0400 - 200080%80/0.0053.0 × 10-13700GePolished, glassSMA UPD-200-SP 175 2.0320 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001SiPolished, glassBNC UPD-200-SD 175 2.0320 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001SiDiffuse, quartzBNC UPD-200-UP 175 2.0170 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001Si 4)Polished, MgF2BNC UPD-200-UD 175 2.0170 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001Si 4)Diffuse, quartzBNC UPD-300-SP 300 1.0320 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01SiPolished, glassBNC UPD-300-SD 300 1.0320 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01SiDiffuse, quartzBNC UPD-300-UP 300 1.0170 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01Si 4)Polished, MgF2BNC UPD-300-UD 300 1.0170 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01Si 4)Diffuse, quartzBNC UPD-500-SP 500 0.6320 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01SiPolished, glassBNC UPD-500-SD 500 0.6320 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01SiDiffuse, quartzBNC UPD-500-UP 500 0.6170 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01Si 4)Polished, MgF2BNC UPD-500-UD 500 0.6170 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01Si 4)Diffuse, quartzBNC UPD-3N-IR2-P 1506) 0.46)800 - 210075%300/0.071.5 × 10-1390InGaAsPolished, glassBNC UPD-5N-IR2-P 2006) 0.36)800 - 260070%300/0.077.0 × 10-132000InGaAsPolished, glassBNC UPD-2M-IR2-P 75000 0.004900 - 170080%2000/3.144.0 × 10-145InGaAsPolished, glassBNC UPD-2M-IR2-P-1TEC 3) 75000 0.004900 - 170075%2000/3.141.0 × 10-140.3InGaAsPolished, glassBNC MSM超快光电探测器UltraFast产品简介:UltraFast系列MSM超快光电探测器,探测带宽可达35GHz,探测波长范围400~1600nm。经过优化设计,探测器脉冲拖尾降至最低,并可无震荡脉冲响应工作。所采用的MSM结构(金属-半导体-金属)具有电容低、串联阻抗低和感应面积大等内在优点,这些优点使得探测器具有优良的性能。特殊的结构和掺杂,提高了探测器的响应度,降低了电噪声。MSM探测器是测定高速光源和光波系统的时频特性的理想选择。两种型号:UltraFast-20 (Bandwidth DC – 20 GHz)UltraFast-35 (Bandwidth DC – 35 GHz)技术参数: UltraFast-20-xx UltraFast-35-xx 探测器类型MSM (Metal – Semiconductor – Metal)感应材料InGaAs带宽 (-3 dB)DC – 20 GHzDC – 35 GHz上升时间 (10% - 90%) 12 ps 11 ps脉宽 (FWHM) 20 ps 18 ps波长范围400 nm – 1.6 μm最大响应度*0.24 A/W @ 810 nm 0.19 A/W @ 1.3 μm 0.12 A/W @ 1.5 μm0.12 A/W @ 810 nm 0.1 A/W @ 1.3 μm 0.06 A/W @ 1.5 μm偏置电压2 V – 9 V偏置输入接口SMC male标准射频信号输出口K-Type female* 跟耦合结构有关,响应度值可能会降低。 上海尖丰光电技术有限公司AOE TECH CO.,LTD 地址:上海市闵行区元江路3599号328室 邮编: 201109电话:传真:E-mail: 网址:
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  • 一、产品描述 TP-WPD-1是专为高校光电类专业设计的实验仪器,用于测量光电探测器的特性。它采用便捷的测量方法和直观的操作面板,提供全面、准确的光电探测器特性测量方案。该仪器分为基础特性实验和应用实验两部分。基础实验涵盖6种常用光电探测器,包括光敏电阻光电二极管、光电三极管、硅光电池、雪崩光电二极管和色敏二极管。设计了多个基础特性测量实验,如亮暗电流特性、伏安特性、光谱特性、时间响应特性等,帮助学生理解探测器原理。应用实验则让学生了解探测器的具体应用领域,为日后实践中的选型提供实验基础。二、产品特点1.外观方面:仪器采用平面箱式结构,面板分区直观,操作简便。相比同类产品,操作台更轻巧便于携带和使用。2.光源选择:仪器配备LED冷光源,包括白光及六种单色光,可通过旋钮切换。省去更换滤光片步骤,简化操作,加快实验结果获取速度。3.光路设计:采用T型遮光筒,将光源分为两路,分别用于检测光强和探测器接收。避免交替更换照度计和探测器,提高测量效率。
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  • PhaseTech JackHammer 中频红外探测器PhaseTech JackHammer 中频红外探测器是一种用于高重复率中红外激光系统的强大检测系统,能够以非常低的噪声在高达100kHz的频率下进行炮对炮采集。PhaseTech JackHammer 中频红外探测器非常适合中红外瞬态吸收、泵浦探针和二维红外实验中的高信噪比数据收集。PhaseTech JackHammer 中频红外探测器主要参数:波长范围~3-10μm(1000-3333 1/cm)源激光重复率≤100 kHz像素数32-128外部通道每32个像素1个数字分辨率16位(65536计数)有效动态范围典型值。10000比1暗噪声(标准偏差)。6个计数PhaseTech JackHammer 中频红外探测器功能和特点:&bull shot to shot采集模式&bull 平均片上采集模式&bull LabViewTM控制和采集VI&bull 噪音极低&bull 外部通道采集&bull USB连接PhaseTech JackHammer 中频红外探测器主要应用:&bull 时间分辨红外光谱&bull 2D红外光谱&bull 2D电子红外光谱 超低噪音暗噪声比激光噪声低一个数量级。典型的暗噪声约为6次计数(标准偏差超过500次) 可与现有MCT探测器一起使用JackHammer 可与旧的MCT阵列配合使用-升级您的旧探测器,使其与新的100kHz激光器配合使用。 专为超快而设计JackHammer的电路设计由苏黎世大学的Peter Hamm教授博士开发。哈姆教授拥有数十年设计超快实验采集系统的经验。PT_JackHammer_100kHz_Datasheet.pdf
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  • 该测试系统为自动测试系统,具有测试快速准确、操作简单、可靠性高度特点,能实现了200-250nm范围内绝对光谱响应度、量子效率、归一化探测率、信号电压、噪声电压、响应时间等参数随波长、频率、外加偏压的变化曲线的全自动测试。技术指标 光谱范围:200-2500nm(可根据实际需要选择)光电源电流漂移: 0.04%/h波长准确度:± 02nm光谱分辨率:± 0.1nm光谱带宽:0.2-10nm 可调光斑:15mm,各点不均匀性1%偏压源:电压:200uV-505V;电流:20fA-200mA系统噪声: 2mV系统重复性: 2%激光监视光路:CCD 图像监视,可对极小光电探测器进行精确定位。
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