工作原理:设备配备上下两个NIR探测器,通过获得探测器位置和硅片反射,得到TT厚度,再通过NIR穿透DC tape获得DC tape厚度T2,从而得到硅片厚度T1的数据。技术参数NIR 影像定位厚度量測模組 (Wavelegnth 840um )1. 最大量測 1,000 um2. 單層最小量測厚度: 10 um3. 單層量測解析度 0.35 um4. 顯示解析 0.01 um5. 單層量測重複精度a. (含厚度直線誤差的單點量點重覆精度)單層厚度 50 um : ± 0.01 x測量值單層厚度= 50 um : ± 0.5 umb. (不含厚度直線誤差的單點量點重覆精度) 20±1度C, 重覆精度 ± 0.5 um當環境溫度與振動更穩定, 量測樣品粗糙度達Rz0.1um下, 重覆精度可達± 0.1 um上層超薄膜量測模組1. 量測點大小: 40um2. 最大薄膜量測厚度 : 50um3. 最小薄膜量測厚度: 1um4. 顯示最小解析 : 0.01um5. 複測量精度 : +0.25um6. 高解析可見光譜儀设备可同时加装白光干涉镜头,实现3D扫描和量测
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