硅损测试仪

高精度可控硅测试仪 ST-DC2000（250A）可测试 19大类27分类 大中小功率的 分立器件及模块的 静态直流参数（测试范围包括 Si/SiC/GaN 材料的 IGBTs/DIODEs/MOSFETs/BJTs/SCRs 等器件）主极输出 2000V / 50~1250A，分辨率*高至1mV / 10pA支持曲线扫描图示功能 ? 产品应用应用领域高精度可控硅测试仪适用于军工院所、高校、半导体器件生产厂商、电源、变频器、逆变器、变流器、数控、电焊机、白色家电、新能源汽车、轨道机车等所有的半导体器件应用产业链 ……主要用途? 测试分析（功率器件研发设计阶段的初始测试）? 失效分析（对失效器件进行测试，查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案 ）? 选型配对（在器件焊接至电路板之前进行全部测试，将测试数据比较一致的器件进行分类配对）? 来料检验（研究所及电子厂的质量部（IQC）对入厂器件进行抽检/全检，把控器件的良品率）? 产线自动化测试（可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备，实现规模化、自动化测试） ? 产品简述 高精度可控硅测试仪产品的扩展性强，通过选件可以提高电压、电流和测试品种范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了系统操作。通过功能按键，系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。 曲线追踪仪（晶体管图示仪）功能则是利用高速ATE测试步骤逐点生成曲线，可快速而准确地生成精确的数据点。数据增量是可编程的线性或对数，典型的每步测试时间为6到20ms。一个两百条数据点曲线通常只需几秒钟就能完成。使用该系列跟踪仪更容易获取诸如 Transistor hFE vs. IC, Transistor VCESAT vs. IB and MOSFETRDSvs. VGS 等曲线数据。此外， 针对多条曲线，设备可以根据每条曲线的数据运行并将所获数据自动发送到一个单独的 Excel 工作表。系统能够更快，更简洁的创建曲线（单击，双击，选择输入菜单，单击）。就是这么简单。 设备支持在单个 DUT 上运行高达 10 条不同曲线的能力，在运行过程中，每个图表都是可视的，每个数据集都被加载到一个被命名的 Excel 工作表中。系统运行速度快，可进行数据记录，提供更高级的数据工具箱，能够运行多条曲线并自动排序，自动将数据存入 Excel 表格，具有缩放功能，光标重新运行功能以及其他许多优点。 系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口，可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。? 产品特点?高精度可控硅测试仪的测试范围广（19大类，27分类）?升级扩展性强，通过选件可提高电压电流，和增加测试品种范围。支持电压电流阶梯升级至2000V,1250A?采用脉冲测试法，脉冲宽度为美军标规定的300us?被测器件引腿接触自动判断功能，遇到器件接触不良时系统自动停止测试, 保证被测器件不受损坏?真正的动态跨导测试。（主流的直流方法测动态跨导 ，其结果与器件实际值偏差很大）?系统故障在线判断修复能力，便于应急处理排障?二极管极性自动判别功能，无需人工操作?IV 曲线显示 / 局部放大?程序保护*大电流/电压,以防损坏 ?品种繁多的曲线?可编程的数据点对应 ? 增加线性或对数?可编程延迟时间可减少器件发热 ?保存和重新导入入口程序?保存和导入之前捕获图象 ?曲线数据直接导入到 EXCEL?曲线程序和数据自动存入 EXCEL ? 测试能力序号测试器件测试参数01IGBTICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON；VGEON；VF；GFS02MOSFET / MOS场效应管 IDSS；IDSV；IGSSF； IGSSR；VGSF；VGSR；BVDSS；VGSTH；VDSON、VF(VSD) IDON；VGSON；RDSON；GFS03J-FET / J型场效应管IGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON；IDSS；GFS；VGSOFF04晶体管（NPN/PNP）ICBO；ICEO；ICER； ICES； ICEV；IEBO；BVCEO ；BVCBO；BVEBO；HFE；VCESAT；VBESAT；VBE(VBEON)；RE；VF05DIODE / 二极管IR；BVR ；VF06ZENER / 稳压、齐纳二极管IR；BVZ；VF；ZZ07DIAC / 双向触发二极管VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-,08OPTO-COUPLER / 光电耦合ICOFF、ICBO；IR；BVCEO；BVECO；BVCBO；BVEBO；CTR；HFE；VCESAT； VSAT；VF(Opto-Diode)09RELAY / 继电器RCOIL；VOPER；VREL；RCONT；OPTIME； RELTIME10TRIAC / 双向可控硅VD+；VD-；VT+ ； VT-；IGT；VGT ；IL+；IL-；IH+；IH-11SCR / 可控硅IDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM；IGT；VGT；IL；IH12STS / 硅触发可控硅IH+； IH-；VSW+ ； VSW-；VPK+ ；VPK-；VGSW+；VGSW-13DARLINTON / 达林顿阵列ICBO；ICEO；ICER；ICES；ICEX；IEBO；BVCEO；BVCER；BVCEE；BVCES；BVCBO；BVEBO；hFE；VCESAT；VBESAT；VBEON14REGULATOR / 三端稳压器Vout；Iin；15OPTO-SWITCH / 光电开关ICOFF；VD；IGT；VON；ION ；IOFF16OPTO-LOGIC / 光电逻辑IR；VF；VOH；VOL；IFON； IFOFF17MOV / 金属氧化物压变电阻ID+ ID-；VN+； VN-；VC+ ；VCLMP-；VVLMP+ ；18SSOVP / 固态过压保护器ID+ ID-；VCLAMP+, VCLAMP-；VT+、VT-；IH+、IH-；；IBO+ IBO-；VBO+ VBO-；VZ+ VZ- 19VARISTOR / 压变电阻ID+； ID-；VC+ ；VC-

一、产品概述：介电常数测试仪采用数字液晶显示，是通过GB1409中的Q表法测试固体/液体绝缘材料介电常数及介质损耗因数的分析仪器。它以单片计算机控制仪器，测量核心采用了频率数字锁定、标准频率测试点自动设定、谐振点自动搜索、Q值量程自动转换、数值显示等新技术，改进了调谐回路，使得调谐测试回路的残余电感减至低值，并保留了原Q表中自动稳幅等技术，使得新仪器在使用时更为方便，测量时更为精确。可直读介电常数及介质损耗结果，免去人工计算的繁琐。经过新升级可通过上位机软件查看测试曲线，北京航天纵横检测仪器是代替进口设备的北京航天纵横仪器产品。仪器能在较高的测试频率条件下，测量高频电感或谐振回路的Q值，电感器的电感量和分布电容量，电容器的电容量和损耗角正切值，电工材料的高频介质损耗，高频回路有效并联及串联电阻，传输线的特性阻抗等。产地北京房山。二、技术特性：DDS数字合成信号：50KHz-160MHz；信号源频率覆盖比：1600:1；信号源频率精度：6位有效数3×10-5 ±1个字；Q测量范围/Q分辨率：1-1000自动/手动量程；4位有效数,分辨率0.1；Q测量工作误差：5%；电感测量范围/分辨率：1nH-140mH 4位有效数,分辨率0.1nH；电感测量误差：5%；调谐电容：主电容17-240pF；电容直接测量范围：1pF～25nF；调谐电容误差/分辨率：±1pF或1% / 0.1pF；谐振点搜索：自动扫描；Q合格预置范围：5-1000声光提示；Q量程切换：自动/手动；LCD显示参数：F，L，C，Q，Lt，Ct波段等；新增功能：自身残余电感和测试引线电感的自动扣除功能；新增功能：大电容值直接测量显示功能，测量值可达25nF；消耗功率：约25W；净重：约7kg；外型尺寸：（宽×高×深）mm：380×132×280。二、符合标准：GB/T1409-2006测量电气绝缘材料在工频、音频、高频下电容率和介质损耗因数的推荐方法；GB/T1693-2007硫化橡胶介电常数和介质损耗角正切值的测定方法；ASTM D150-11实心电绝缘材料的交流损耗特性和电容率（介电常数）的标准试验方法；GBT5594.4-2015电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法； 三、产品特点：1、双扫描技术 - 测试频率和调谐电容的双扫描、自动调谐搜索功能。2、双测试要素输入 - 北京航天纵横检测仪器测试频率及调谐电容值皆可通过数字按键输入。3、双数码化调谐 - 数码化频率调谐，数码化电容调谐。4、自动化测量技术 -对测试件实施 Q 值、谐振点频率和电容的自动测量。5、全参数液晶显示 – 数字显示主调电容、电感、 Q 值、信号源频率、谐振指针。6、DDS 数字直接合成的信号源 -确保信源的高葆真，频率的高精确、幅度的高稳定。7、计算机自动修正技术和测试回路优化—使测试回路 残余电感减至低值，彻底根除 Q 读数值在不同频率时要加以修正的困惑。8、新增功能：电感测试时，仪器自身残余电感和测试引线电感的自动扣除功能。大大提高了在电感值（特别是小电感值）测量时的精度。此技术只有北京航天纵横仪器生产的Q表有。9、新增功能：大电容值直接测量显示功能，电容值直接测量值可达25nF（配100uH电感时）。大电容值测量一个按键搞定。此技术只有北京航天纵横检测仪器生产的Q表有。四、工作环境：1、环境温度：0℃～+40℃；2、相对湿度：80％；3、电源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。五、配置清单：主机一台电感九只夹具一套液体杯一个电源线一根数据线一根说明书一份合格证一份保修卡一张六、适用单位：可以用于科研机关，学校，例如一些科研院所，大专院校或计量测试部门的实验室需要用介电常数仪对绝缘材料的介质损耗角正切tanδ及介电常数进行测试；北京航天纵横检测仪器同时也适用于工厂或单位，例如一些工厂对无机非金属新材料性能的应用进行研究，另外在电力、电工、化工等领域，如：电厂、电业局实验所、变压器厂、电容器厂、绝缘材料厂、炼油厂等单位对固体及液体绝缘材料的介质损耗和相对介电常数ε的质量检测等等。七、试验步骤：1、按照Q表的操作规程调整仪器，选定测量频率，测定C1和Q1的值。2、将试样放入测试电极中，并调节电容器C，使电路谐振，达到最大Q值记下调谐电容量C2和Q2的值。3、将试样从测试电极中取出，调节C或测试电极的距离，使电路重新谐振，记下C、或测试电极的校正电容值与Q值，北京航天纵横检测仪器并根据测试值计算出损耗角tanδ与介电常数ε。4、其他高频测试仪器按其说明书进行操作，北京航天纵横检测仪器通过测试值计算出损耗角tanδ和介电常数ε。八、试验条件：1、试样表面应清洁、平滑，无裂纹、气泡和杂质等，试样表面应用蘸有无水乙醇的布擦洗。2、试样应在标准实验室温度及湿度下至少调节24h。3、当试样处理有特殊要求时，可按其产品标准规定的进行。九、测试意义：1、介电常数——北京航天纵横检测仪器绝缘材料通常以两种不同方式来使用，即（1）用于固定电学网络部件，同时让其彼此以及与地面绝缘；（2）用于起到某一电容器的电介质作用。在第一种应用中，通常要求固定的电容尽可能小，同时具有可接受且一致的机械，化学和耐热性能。因此要求电容率具有一个低值。在第二种应用中，要求电容率具有一个高值，以使得电容器能够在外型上能尽可能小。有时使用电容率的中间值来评估在导体边缘或末端的应力，以将交流电晕降至最小。2、交流损耗——对于这两种场合（作为电学绝缘材料和作为电容器电介质），交流损耗通常必须是比较小的，以减小材料的加热，同时将其对网络剩余部分的影响降至最小。在高频率应用场合，特别要求损耗指数具有一个低值，因为对于某一给定的损耗指数，电介质损耗直接随着频率而增大。在某些电介质结构中，例如试验用终止衬套和电缆所用的电介质，通常电导增加可获得损耗增大，这有时引入其来控制电压梯度。在比较具有近似相同电容率的材料时或者在材料电容率基本保持恒定的条件下使用任何材料时，这可能有助于考虑耗散因子，功率因子，相位角或损耗角。3、相关性——北京航天纵横检测仪器当获得适当的相关性数据时，耗散因子或功率因子有助于显示某一材料在其它方面的特征，例如电介质击穿，湿分含量，固化程度和任何原因导致的破坏。然而，由于热老化导致的破坏将不会影响耗散因子，除非材料随后暴露在湿分中。当耗散因子的初始值非常重要的，耗散因子随着老化发生的变化通常是及其显著的。十、典型用户：沧州大化集团中国计量大学河南平煤神马聚碳材料有限责任公司温州市鹿城区科学技术局东莞初创应用材料有限公司北京航空航天大学中国科学技术大学惠州市杜科新材料有限公司宁波东烁新材料科技有限公司云南能投硅材科技发展有限公司天津科技大学十一、相关产品：ZJC-50kV电压击穿试验仪ZST-212体积表面电阻率测试仪ZJD-C介电常数介质损耗测试仪ZDH-20KV耐电弧试验仪LDQ-5漏电起痕试验仪XRW-300HB热变形维卡温度测定仪XNR-400H熔体流动速率测定仪JF-6氧指数测定仪CZF-5水平垂直燃烧试验机WDW-50KN材料电子拉力试验机一、介质损耗的基本概念1.介质损耗电介质在电场作用下(加电压后)，要发生极化过程和电导过程。有损极化过程有能量损耗；电导过程中，电学性泄漏电流流过绝缘电阻当然也有能量损耗。损耗程度一般用单位时间内损耗的能量，即损耗功率表示。这种电介质出现功率损耗的过程称为介质损耗。显然，介质损耗过程随极化过程和电导过程同时进行。介质损耗掉的能量(电能)变成了热能，使电介质温度升高。若介质损耗过大，则电介质温度将升得过高，这将加速电介质的热分解与老化，最终可能导致绝缘性能的完全失去，所以研究介质损耗有十分重要的意义。2.介质损耗的基本形式(1)电导损耗。电导损耗为电场作用下由泄漏电流引起的那部分损耗。泄漏电流与电场频率无关，故这部分损耗在直流交流下都存在。气体电介质以及绝缘良好的液、固体电介质，电导损耗都不大。液、固体电介质的电导损耗随温度升高而按指数规律增大。(2)极化损耗。极化损耗为偶极子与空间电荷极化引起的损耗。在直流电压作用下，由于极化过程仅在电压施加后很短时间内存在，与电导损耗相比可忽路。而在交流电压作用下，由于电介质随交流电压极性的周期性改变而作周期性的正向极化和反向极化，极化始终存在于整个加压过程之中。极化损耗在频率不太高时随频率升高而增大。但频率过高时，极化过程反而减弱，损耗减小。极化损耗与温度也有关，在某一温度下极化损耗达最大。(3)游离损耗，游离损耗主要是指气体间隙的电晕放电以及液、固体介质内部气泡中局部放电所造成的损耗。这是因为放电时，产生带电粒子需要游离能，放电时出现光、声、热、化学效应也要消耗能量。游离能随电场强度的增大而增大。二、介质损失角正切tanδ由上可见，在直流电压作用下，介质损耗主要为电导损耗，因此，电导率γ或电阻率ρ既表示介质电导的特性，同时也表征了介质损耗的特性。但在交流电压作用下，三种形式的损耗都存在，为此需引入一个新的物理量来表征介质损耗的特性，这个物理量就是tanδ。1.并联等值电路及损耗功率的计算公式电介质两端施加一交流电压时，就有电流流过介质。有三个电流分量组成式中 ——电导过程的电流，为阻性电流，与同相位；——无损极化和有损极化时的电流。对应的等值电路如图2-9(a)所示，此等值电路可进一步简化成如图2-9(b)所示的由R和Cp相并联的等值电路。此并联等值电路的相量图如图2-9(c)所示。我们定义功率因数角θ的余角为δ角。由相量图可见，介质损耗功率越大，IR越大，δ角也越大，因此δ角称为介质损失角。对此并联等值电路，可写出介质损耗功率P的计算公式当然，图2-9(b)的电路也可以简化成由r和Cs相串联的等值电路，可以证明当tanδ 很小时， Cs≈C对于串联等值电路，同样可以推出损耗功率的计算公式2.tanδ值的意义从介质损耗功率P的计算公式看，我们若用P来表征介质损耗的程度是不方便的，因为P值与试验电压U的高低、试验电压的角频率ω(ω=2Πf)、电介质等值电容量Cp (或Cs)以及tanδ值有关。而若在试验电压、频率、电介质尺寸一定的情况下，那么介质损耗功率仅取决于 tanδ，换句话说，也就是tanδ是与电压、频率、绝缘尺寸无关的量，它仪取决于电介质的损耗特性。所以 tanδ是表征介质损耗程度的物理量，与εr、γ相当。这样,我们可以通过试验测量电介质的tanδ值，并以此来判断介质损耗的程度。各种结构固体电介质的tanδ如表2-2所示。表2-2 各种结构固体电介质的tanδ值(1MHz，20℃时)电介质结构名称tanδ分子结构非极性分子石 蜡 聚苯乙烯 聚四氟乙烯小于0.0002极性分子纤维素 有机玻璃0.01~0.015离子结构晶格结构紧密岩 盐 刚 玉小于0.0002 小于0.0002晶格结构不紧密多铝红柱石0.015晶格畸变的晶体锆英石0.02无定形结构硅酸铅玻璃 硅碱玻璃0.001 0.01不均匀结构　绝缘子瓷 浸渍纸绝缘0.01 0.01三、影响 tanδ 的因素影响tanδ 值的因素主要有温度、频率和电压。1.温度对tanδ值的影响随电介质分子结构的不同有显著的差异中性或弱极性介质的损耗主要由电导引起，故温度对tanδ的影响与温度对电导的影响相似，即tanδ随温度的升高而按指数规律增大，且tanδ较小。极性介质中，极化损耗不能忽略，tanδ值与温度的关系如图2-10所示。当温度在t1时，由于温度较低，电导损耗与极化损耗都小，电导损耗随温度升高而略有增大，而极化损耗随温度升高也增大(黏滞性减小，偶极子转向容易)，所以tanδ随温度升高而增大。当温度在t1＜t＜t2时，温度已不太低，此时分子的热运动反而妨碍偶极子沿电场方向作有规则的排列，极化损耗随温度升高而降低，而且降低的程度又要超过电导损耗随温度升高的程度，因此tanδ随温度升高而减小。当温度在t＞t2时，温度已很高，电导损耗已占主导地位，tanδ又随温度升高而增大。2.频率对tanδ的影响主要体现于频率对极化损耗的影响tanδ与频率的关系如图2-11所示。在频率不太高的一定范围内，随频率的升高，偶极子往复转向频率加快，极化程度加强，介质损耗增大，tanδ值增大。当频率超过某一数值后，由于偶极子质量的惯性及相互间的摩擦作用，来不及随电压极性的改变而转向，极化作用减弱，极化损耗下降，tanδ值降低。3.电压对tanδ的影响主要表现为电场强度对tanδ值的影响在电场强度不很高的一定范围内，电场强度增大(由于电压升高)，介质损耗功率变大，但tanδ几乎不变。当电场强度达到某一较高数值时，随着介质内部不可避免存在的弱点或气泡发生局部放电，tanδ随电场强度升高而迅速增大。因此，在较高电压下测tanδ值，可以检查出介质中夹杂的气隙、分层、龟裂等缺陷来。此外，湿度对暴露于空气中电介质的tanδ影响也很大。介质受潮后，电导损耗增大，tanδ也增大，例如绝缘纸中水分含量从4%增加到10%，tanδ值可增大100倍。然而，假如tanδ值的测试是在温度低于0～5℃时进行，含水量增加tanδ反而不会增大，这是因为此时介质中的水分已凝结成冰，导电性又变差，电导损耗变小的缘故。为此，在进行绝缘试验时规定被试品温度不低于+5℃，这对tanδ的测试尤为重要，在工程实际中，通过tanδ以及tanδ=f(u)曲线的测量及判断，对监督绝缘的工作状况以及老化的进程有非常重要的意义。

介电常数介质损耗测试仪/介电常数测试仪/介质损耗测试仪 介电常数介质损耗测试仪/介电常数测试仪/介质损耗测试仪：GDAT-A 介电常数介质损耗测试仪/介电常数测试仪/介质损耗测试仪满足标准：GBT 1409-2006测量电气绝缘材料在工频、音频、高频(包括米波波长在内)下电容率和介质损耗因数的推荐方法 二、介电常数介质损耗测试仪/介电常数测试仪/介质损耗测试仪的技术指标 1．Q值测量 a．Q值测量范围：2～1023。 b．Q值量程分档：30、100、300、1000、自动换档或手动换档。 c．标称误差项 目 GDAT-A频率范围20kHz～10MHz；固有误差≤5％±满度值的2％；工作误差≤7％±满度值的2％；频率范围10MHz～60MHz；固有误差≤6％±满度值的2％；工作误差≤8％±满度值的2％。电感测量范围介电常数介质损耗试验仪电容测量14.5nH~8.14H1~ 460 项 目GDAT-A直接测量范围1～460pF主电容调节范围30～500pF，精准度150pF以上±1％ 150pF以下±1.5pF； 注：大于直接测量范围的电容测量见使用规则 4．介电常数介质损耗测试仪/介电常数测试仪/介质损耗测试仪信号源频率覆盖范围项 目 GDAT-A： 频率范围10kHz～50MHz频率分段(虚拟)10～99.9999kHz100～999.999kHz1～9.99999MHz10～60MHz 频率指示误差3×10-5±1个字Q合格指示预置功能预置范围：5～1000。Q表正常工作条件环境温度：0℃～+40℃； 相对湿度80％电源220V±22V，50Hz±2.5Hz。消耗功率约25W；净重约7kg外型尺寸(l×b×h)mm：380×132×280 8．产品配置：a. 测试主机一台；b. 电感9只；c. 夹具一套 电感：线圈号 Q 值 测试频率 分布电容p 电感值 9100KHz 98 9.4 25mH8400KHz 13811.4 4.87mH7 400KHz 20216 0.99mH61MHz 196 13252μH52MHz 198 8.749.8μH4 4.5MHz 231 7 10μH 312MHz 1936.9 2.49μH2 12MHz 229 6.4 0.508μH1 25MHz，50MHz233，2110.9 0.125μH 介电常数介质损耗测试仪/介电常数测试仪/介质损耗测试仪的详细资料： 一、 介电常数介质损耗测试仪/介电常数测试仪/介质损耗测试仪概述介质损耗和介电常数是各种电瓷、装置瓷、电容器等陶瓷，还有复合材料等的一项重要的物理性质，通过测定介质损耗角正切tanδ及介电常数(ε)，可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素，为提高材料的性能提供依据；仪器的基本原理是采用高频谐振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗测试。它以单片计算机作为仪器的控制，测量核心采用了频率数字锁定，标准频率测试点自动设定，谐振点自动搜索，Q值量程自动转换，数值显示等新技术，改进了调谐回路，使得调谐测试回路的残余电感减至最低，并保留了原Q表中自动稳幅等技术，使得新仪器在使用时更为方便，测量值更为精确。仪器能在较高的测试频率条件下，测量高频电感或谐振回路的Q值，电感器的电感量和分布电容量，电容器的电容量和损耗角正切值，电工材料的高频介质损耗，高频回路有效并联及串联电阻，传输线的特性阻抗等。介电常数介质损耗试验仪用于科研机关、学校、工厂等单位对无机非金属新材料性能的应用研究。感谢您耐心阅读我们的信息如果您对我们的介电常数介质损耗测试仪/介电常数测试仪/介质损耗测试仪感兴趣或者有什么疑问欢迎您来电咨询 我们会有专业的工程师为您解决您的疑问！！ 北广公司其它绝缘材料检测仪器: BDJC-0-100KV 介电击穿试验仪 BDJC系列绝缘材料工频率介电击穿试验仪 BDJC系列电压介电强度试验仪器 BDJC系列 电压击穿试验仪 BDJC系列绝缘漆漆膜击穿强度试验仪 BDJC电容器纸工频电压击穿试验仪 EST-121 体积表面电阻率测定仪 GDAT-A介质损耗测试仪/介电常数测试仪 GDAT-C新型介电常数介质损耗测试仪 BDH 耐漏电起痕试验仪 BDH-B耐电弧试验仪 中国检测行业与验证服务的尖端者和智领者，帮助众多检测质检单位和学校教研单位提供一站式的全面质量解决方案。 注重每一个细节是北广公司对于每个客户的承诺 ， 也是北广公司一直追求的宗旨。北京北广精仪仪器设备有限公司