晶闸管

晶闸管的保护内容很多，使用的保护方法也很多。这里叙述的仅是晶闸管本身的过电压保护所常用的阻容吸收以及电阻电容取值计算方法。尽管计算公式很简单，使用很频繁，但还是常有问询者了解此事。　　一、 计算公式　　例如图一是一个晶闸管三相全波整流桥。每只晶闸管两端都并联了一组串联的电阻R和电容C，这就是所谓的“阻容吸收”。http://www.p-e-china.com/uploadfile/Article/201207/20120704134752666.jpg　　图一 晶闸管阻容吸收示意图　　王兆安和张明勋主编的“电力电子设备设计和应用手册”第二版第五章5.2.1节，提供了计算公式：　　吸收电容： C = (2～4)×10-3 IT(AV) (μf)式中IT(AV)为晶闸管中通过的通态电流平均值。系数(2～4)表示2、3、4三数字中自选。电容交流电压选晶闸管两端交流有效值的1.5倍。如电容以直流电压标称，则选晶闸管两端交流有效值的5倍。　　吸收电阻： R = 10～30 Ω (10到30欧自选)　　电阻功率： P ≥ f•C•10-6•(UARM)2 (瓦)　　式中：f 为电源频率(Hz)　　C为上式计算的吸收电容值(μf)UARM 为晶闸管两端反向工作峰值电压(V)　　二、 实例　　晶闸管三相全波整流桥，阻性负载，输入电压交流有效值380V，输出直流电流平均值ID = 1500A，计算每只晶闸管上阻容吸收的电阻、电容值。http://www.p-e-china.com/uploadfile/Article/201207/20120704134826627.jpg　　经计算，每只晶闸管两端反向工作峰值电压为：　　V = 380V × 1.41 = 536V　　每只晶闸管通过的通态平均电流为　　IT(AV) = 0.333 ID = 1500×0.333 = 500A　　1，吸收电容： C = (2～4)×10-3 IT(AV)　　= 3×10-3×500 = 1.5μf (取系数为3)　　电容耐压(交流) VC(AC) = 380 × 1.5 = 570V　　电容耐压(直流) VC(DC) = 38 × 5 = 1900V　　2，取吸收电阻： R = 30 Ω　　吸收电阻功率 P ≥ f•C•10-6•(UARM)2　　= 50 × 1.5 ×10-6×(536)2　　= 21.55瓦　　选用30Ω、50瓦电阻。　　文章来源：中国电力电子朱英文：高级工程师，中国电力电子产业网特约顾问

一、问题的提出　　在高压领域使用晶闸管往往会遇到一只晶闸管的耐压(正反向重复峰值电压)不够，承担不了加在晶闸管两端的峰值电压，于是需要晶闸管串联使用。比如高压晶闸管整流桥的每一个臂、高压无功补偿反并联无触点开关等，这样的晶闸管串联组件常称为：“晶闸管高压阀体”。　　举例来说：加在一个高压整流桥臂两端的电压为有效值10000伏，其电压的最大值即峰值为14100伏，如选用正反向重复峰值电压为4000伏的晶闸管，则需几只串联?　　首先要解释一下何为晶闸管的正反向重复峰值电压?所谓正反向重复峰值电压即为该晶闸管所能承担的最高电压。这是出厂时测试后定下的。我国标准规定其条件是：1，在结温125℃时测得，2，测得PN结雪崩电压值后减去100V，3，取正反向两个方向上述值的最小值定为“重复峰值电压”。由此可以看到出厂时留的余量只有100V，在电网中使用，往往高次谐波的峰值比基波峰值高许多，甚至几倍。所以设计时除了留有足够的的裕量外，还要十分认真地采取均压和过电压保护措施，以免晶闸管电压击穿现象发生。　　二、晶闸管串联桥臂串联器件数的确定　　王兆安、张明勋主编的“电力电子设备设计和应用手册(第二版)第4章4.1.3节提出　　了一个计算公式：http://www.p-e-china.com/uploadfile/Article/201206/20120601140813814.jpg　　式中：　　KCU — 过电压冲击系数，取1.3-----1.6 ，根据设备中过电压保护措施的完备情况而定;　　UAM — 臂的工作峰值电压，指的正向峰值电压UATM 或臂的反向峰值电压UARM ，计算时取两者之较大者;　　Kb — 电网电压升高系数，一般取1.05—1.1，特殊情况可取更高值;　　KAU — 电压的设计裕度，一般取1—2，根据器件的可靠程度及对设备的可靠性要求而定;　　KU — 均压系数，一般取0.8—0.9;　　URM — 串联器件的额定重复峰值电压。　　三、实例计算　　KCU 取1.4 ，因为电网电压冲击情况较多;　　UAM = 14100V ;　　Kb 取1.1;　　KAU 高压使用时裕度取1.5;　　KU = 0.85，均压系数取中;　　URM = 4000V　　代入：http://www.p-e-china.com/uploadfile/Article/201206/20120601140855192.jpg　　结论是用10只4000V晶闸管串联。　　四、晶闸管串联后出现的问题　　1， 均压：要求所加的电压均匀地分摊在每只晶闸管上，即每只器件分摊的电压基本一致。　　2， 触发信号的传送：因为每只晶闸管各处于不同的电位上，每只器件的触发信号不可能有共同的零点。　　3， 同时触发：上例中十只晶闸管串联，不允许个别器件不触发，要不就会发生高压全加于这一只器件上，而导致该器件电压击穿。　　上述问题将在下篇文章“晶闸管设计实例4——串联时的技术措施”中叙述。文章来源：中国电力电子朱英文，高级工程师，中国电力电子产业网特约顾问

有谁知道双向晶闸管交流调功器的相关内容啊知道的说下，先谢谢了

故障现象:装置起动后，调功钮已旋到尽头，但各仪表指示值仍很小，装置无法正常运行。 检查:根据故障现象可判定故障范围在装置的整流部分。用示波器对整流桥输出的直流电压波形检测可发现一个[b][u]整流晶闸管[/u][/b]导通不太好，但对每个晶闸管两端电压波形的检测均未发现异常，遂采用替代法(用完好晶闸管逐一替代整流桥中原晶闸管)进行逐一排除后，发现故障元件为A相一整流晶闸管。 分析:对一些因[b][u]电器元件[/u][/b]特性不良而引发的装置复杂故障，由于检查中使用的仪器有限和其它条件制约，不易进行精确检测。而替代法和排除法简单有效，是排除此类故障的常用方法。

串联谐振和并联谐振这两种现象是正弦交流电路的一种特定现象，它在电子和通讯工程中得到广泛的应用，但在电力系统中，发生谐振有可能破坏系统的正常工作。接下来分析一下串联谐振和并联谐振这两种谐振到底都有哪些区别。从负载谐振方式划分，可以为并联谐振逆变器和串联谐振逆变器两大类型，下面对这两种类型进行比较：串联谐振回路是用L、R和C串联，并联谐振回路是L、R和C并联。（1）串联谐振逆变器的负载电路对电源呈现低阻抗，要求由电压源供电。当逆变失败时，浪涌电流大，保护困难。并联谐振逆变器的负载电路对电源呈现高阻抗，要求由电流源供电。在逆变失败时，冲击不大，较易保护。（2）串联谐振逆变器的输入电压恒定，输出电压为矩形波，输出电流近似正弦波，换流是在晶闸管上电流过零以后进行，因而电流总是超前电压一φ角。并联谐振逆变器的输入电流恒定，输出电压近似正弦波，输出电流为矩形波，换流是在谐振电容器上电压过零以前进行，负载电流也总是越前于电压一φ角。（3）串联谐振逆变器是恒压源供电。并联谐振逆变器是恒流源供电。（4）串联谐振逆变器的工作频率必须低于负载电路的固有振荡频率。并联谐振逆变器的工作频率必须略高于负载电路的固有振荡频率。（5）串联谐振逆变器的功率调节方式有二：改变直流电源电压Ud或改变晶闸管的触发频率。并联谐振逆变器的功率调节方式，一般只能是改变直流电源电压Ud。（6）串联谐振逆变器在换流时，晶闸管是自然关断的，关断前其电流已逐渐减小到零，因而关断时间短，损耗小。并联谐振逆变器在换流时，晶闸管是在全电流运行中被强迫关断的，电流被迫降至零以后还需加一段反压时间，因而关断时间较长。（7）串联谐振逆变器的晶闸管所需承受的电压较低，用380V电网供电时，采用1200V的晶闸管就行。并联谐振逆变器的晶闸管所需承受的电压高，其值随功率因数角φ增大，而迅速增加。 （8）串联谐振逆变器可以自激工作，也可以他激工作。而并联谐振逆变器一般只能工作在自激状态。（9）在串联谐振逆变器中，晶闸管的触发脉冲不对称，不会引入直流成分电流而影响正常运行；而在并联谐振逆变器中，逆变晶闸管的触发脉冲不对称，则会引入直流成分电流而引起故障。（10）串联谐振逆变器起动容易，适用于频繁起动工作的场合；而并联谐振逆变器需附加起动电路，起动较为困难。（11）串联谐振逆变器的感应加热线圈与逆变电源(包括槽路电容器)的距离远时，对输出功率的影响较小。而对并联谐振逆变器来说，感应加热线圈应尽量靠近电源(特别是槽路电容器)，否则功率输出和效率都会大幅度降低。并联谐振逆变器和串联谐振逆变器（通称并联或串联变频电源）各有其自己的技术特点和应用领域。从工业加热应用的角度，并联谐振逆变器广泛应用于熔炼、保温、透热、感应加热热处理等各种领域，其功率可以从几千瓦到上万千瓦。串联谐振逆变器广泛应用于熔炼—保温的一拖二炉组以及高Q值高频率的感应加热场合，其功率可以从几千瓦到几千千瓦。目前我国工业上采用的变频电源90%以上属并联谐振变频电源。

[1] 潘天明.现代感应加热装置[M].北京:冶金工业出版社,1996.[2] 杨思俊,朱伯年.晶闸管中频电源基本知识[M].浙江科学技术出版社,1989.[3] 林渭勋等. 可控硅中频电源[M].北京:机械工业出版社,1989.

变频器是把工频电源(50Hz或60Hz)变换成各种频率的交流电源，以实现电机的变速运行的设备，其中控制电路完成对主电路的控制，整流电路将交流电变换成直流电，直流中间电路对整流电路的输出进行平滑滤波，逆变电路将直流电再逆成交流电。对于如矢量控制变频器这种需要大量运算的变频器来说，有时还需要一个进行转矩计算的CPU以及一些相应的电路。变频调速是通过改变电机定子绕组供电的频率来达到调速的目的。 变频技术是应交流电机无级调速的需要而诞生的。20世纪60年代以后，电力电子器件经历了SCR(晶闸管)、GTO(门极可关断晶闸管)、BJT(双极型功率晶体管)、MOSFET(金属氧化物场效应管)、SIT(静电感应晶体管)、 SITH(静电感应晶闸管)、MGT(MOS控制晶体管)、MCT(MOS控制晶闸管)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、HVIGBT(耐高压绝缘栅双极型晶闸管)的发展过程，器件的更新促进了电力电子变换技术的不断发展。20世纪70年代开始，脉宽调制变压变频(PWM-VVVF)调速研究引起了人们的高度重视。20世纪80年代，作为变频技术核心的 PWM模式优化问题吸引着人们的浓厚兴趣，并得出诸多优化模式，其中以鞍形波PWM模式效果最佳。20世纪80年代后半期开始，美、日、德、英等发达国家的VVVF变频器已投入市场并获得了广泛应用。 变频器的分类方法有多种，按照主电路工作方式分类，可以分为电压型变频器和电流型变频器;按照开关方式分类，可以分为PAM控制变频器、PWM控制变频器和高载频PWM控制变频器;按照工作原理分类，可以分为V/f控制变频器、转差频率控制变频器和矢量控制变频器等;按照用途分类，可以分为通用变频器、高性能专用变频器、高频变频器、单相变频器和三相变频器等。 VVVF：改变电压、改变频率 CVCF：恒电压、恒频率。各国使用的交流供电电源，无论是用于家庭还是用于工厂，其电压和频率均为400V/50Hz或200V/60Hz(50Hz)，等等。通常，把电压和频率固定不变的交流电变换为电压或频率可变的交流电的装置称作“变频器”。为了产生可变的电压和频率，该设备首先要把电源的交流电变换为直流电(DC)。 用于电机控制的变频器，既可以改变电压，又可以改变频率。 变频器的工作原理 我们知道，交流电动机的同步转速表达式位： n=60 f(1-s)/p (1) 式中 n———异步电动机的转速; f———异步电动机的频率; s———电动机转差率; p———电动机极对数。 由式(1)可知，转速n与频率f成正比，只要改变频率f即可改变电动机的转速，当频率f在0～50Hz的范围内变化时，电动机转速调节范围非常宽。变频器就是通过改变电动机电源频率实现速度调节的，是一种理想的高效率、高性能的调速手段。 变频器控制方式 低压通用变频输出电压为380～650V，输出功率为0.75～400kW，工作频率为0～400Hz，它的主电路都采用交—直—交电路。其控制方式经历了以下四代。 1U/f=C的正弦脉宽调制(SPWM)控制方式 其特点是控制电路结构简单、成本较低，机械特性硬度也较好，能够满足一般传动的平滑调速要求，已在产业的各个领域得到广泛应用。但是，这种控制方式在低频时，由于输出电压较低，转矩受定子电阻压降的影响比较显著，使输出最大转矩减小。另外，其机械特性终究没有直流电动机硬，动态转矩能力和静态调速性能都还不尽如人意，且系统性能不高、控制曲线会随负载的变化而变化，转矩响应慢、电机转矩利用率不高，低速时因定子电阻和逆变器死区效应的存在而性能下降，稳定性变差等。因此人们又研究出矢量控制变频调速。 2电压空间矢量(SVPWM)控制方式 它是以三相波形整体生成效果为前提，以逼近电机气隙的理想圆形旋转磁场轨迹为目的，一次生成三相调制波形，以内切多边形逼近圆的方式进行控制的。经实践使用后又有所改进，即引入频率补偿，能消除速度控制的误差;通过反馈估算磁链幅值，消除低速时定子电阻的影响;将输出电压、电流闭环，以提高动态的精度和稳定度。但控制电路环节较多，且没有引入转矩的调节，所以系统性能没有得到根本改善。 矢量控制(VC)方式 矢量控制变频调速的做法是将异步电动机在三相坐标系下的定子电流Ia、Ib、Ic、通过三相-二相变换，等效成两相静止坐标系下的交流电流 Ia1Ib1，再通过按转子磁场定向旋转变换，等效成同步旋转坐标系下的直流电流Im1、It1(Im1相当于直流电动机的励磁电流;It1相当于与转矩成正比的电枢电流)，然后模仿直流电动机的控制方法，求得直流电动机的控制量，经过相应的坐标反变换，实现对异步电动机的控制。其实质是将交流电动机等效为直流电动机，分别对速度，磁场两个分量进行独立控制。通过控制转子磁链，然后分解定子电流而获得转矩和磁场两个分量，经坐标变换，实现正交或解耦控制。矢量控制方法的提出具有划时代的意义。然而在实际应用中，由于转子磁链难以准确观测，系统特性受电动机参数的影响较大，且在等效直流电动机控制过程中所用矢量旋转变换较复杂，使得实际的控制效果难以达到理想分析的结果。 直接转矩控制(DTC)方式 1985年，德国鲁尔大学的DePenbrock教授首次提出了直接转矩控制变频技术。该技术在很大程度上解决了上述矢量控制的不足，并以新颖的控制思想、简洁明了的系统结构、优良的动静态性能得到了迅速发展。目前，该技术已成功地应用在电力机车牵引的大功率交流传动上。 直接转矩控制直接在定子坐标系下分析交流电动机的数学模型，控制电动机的磁链和转矩。它不需要将交流电动机等效为直流电动机，因而省去了矢量旋转变换中的许多复杂计算;它不需要模仿直流电动机的控制，也不需要为解耦而简化交流电动机的数学模型。 矩阵式交—交控制方式 VVVF变频、矢量控制变频、直接转矩控制变频都是交—直—交变频中的一种。其共同缺点是输入功率因数低，谐波电流大，直流电路需要大的储能电容，再生能量又不能反馈回电网，即不能进行四象限运行。为此，矩阵式交—交变频应运而生。由于矩阵式交—交变频省去了中间直流环节，从而省去了体积大、价格贵的电解电容。它能实现功率因数为l，输入电流为正弦且能四象限运行，系统的功率密度大。该技术目前虽尚未成熟，但仍吸引着众多的学者深入研究。其实质不是间接的控制电流、磁链等量，而是把转矩直接作为被控制量来实现的。具体方法是：——控制定子磁链引入定子磁链观测器，实现无速度传感器方式;——自动识别(ID)依靠精确的电机数学模型，对电机参数自动识别;——算出实际值对应定子阻抗、互感、磁饱和因素、惯量等算出实际的转矩、定子磁链、转子速度进行实时控制;——实现Band—Band控制按磁链和转矩的Band—Band控制产生PWM信号，对逆变器开关状态进行控制。 矩阵式交—交变频具有快速的转矩响应(2ms)，很高的速度精度(±2%，无PG反馈)，高转矩精度(+3%);同时还具有较高的起动转矩及高转矩精度，尤其在低速时(包括0速度时)，可输出150%～200%转矩。

在新型抵押控制电器中，接近开关、温度继电器、固态继电器和光继电器都是常用新型电子式无触点低压电器。其中，固态继电器是近年来最受欢迎的一种新型电子继电器，因为SSR具有开关速度快、工作频率高、质量轻、使用寿命长、噪声低、工作频率高、动作可靠的优势，所以受到了制造业的好评。在固态继电器中的电子元件当中，光耦合器、光敏晶体管、晶体管、晶闸管、双向晶闸管都起到了至关重要的作用。经过多年的科研耕耘和研究，库顿电子发行新型电子式无触点低压电器产品有电子式稳压器和DETSC低压动态无功补偿装置。库顿固态继电器可以解决新型抵押控制电器存在的低压断路器进线方向和断流容量的问题，也可以解决新型电力稳压器的触发驱动问题和晶闸管阻挡问题。触电低压电器的生产制造商一直面临着这样一个问题：因为在制造过程中机械磨损、触点的电损耗、触电分合时的颤动产生电弧等原因，触电低压电器非常容易损坏，从而导致开关动作松动不可靠。业界高新技术企业对微电子技术和电力电子技术进行了不断革新和研发，生产商越来越多地选用电子元器件来组成各种新型低压控制电器。固态继电器对无触点电器的作用是，无触点电器也具有接触器、启动器、开关、控制台（其中大部分是控制台）。固态继电器能够显著提高低压电器的使用寿命，大大降低了电器的维护成本，减少了维修的工作量，为生产制造提供了便利。KYR是单相调压模块，采用移相控制输出，由于其具备多种应用的性能，是最广泛使用的工业调压模块。直流控制信号0-5VDC、 0-10VDC或4-20mA，4-20mA输入时可不接外接电源，输出电流为25A、40A、60A、80A@175-530VAC。● 单相调压模块● 负载电流: 25A, 40A, 60A，80A@175-530VAC● SCR输出用于恶劣的工业环境● 直流控制: 0-5VDC/4-20mA, 0-10VDC/4-20mA● 电压/功率输出范围0-100%● LED指示适用于：高低温箱，塑料机械，孵化机，注油机，空调，照明，喷泉控制器。

小小的电子元器件看似微小，实则是很重要的组成部分之一。因为电子设备出现故障现象，很大一部分情况是由于电子元器件失效或损坏所导致。如此一来，检测电子元器件成为很重要的事，那么对于电子元器件检测经验和技巧有哪些？[b]1．单向晶闸管检测[/b]可用万用表的R×1k或R×100挡测量任意两极之问的正、反向电阻，如果找到一对极的电阻为低阻值(100Ω～lkΩ)，则此时黑表笔所接的为控制极，红表笔所接为阴极，另一个极为阳极。晶闸管共有3个PN结，我们可以通过测量PN结正、反向电阻的大小来判别它的好坏。测量控制极(G)与阴极[C)之间的电阻时，如果正、反向电阻均为零或无穷大，表明控制极短路或断路；测量控制极(G)与阳极(A)之间的电阻时，正、反向电阻读数均应很大；测量阳极(A)与阴极(C)之间的电阻时，正、反向电阻都应很大。[b]2．检查发光数码管的好坏[/b]先将万用表置R×10k或R×l00k挡，然后将红表笔与数码管(以共阴数码管为例)的“地”引出端相连，黑表笔依次接数码管其他引出端，七段均应分别发光，否则说明数码管损坏。[b]3．测整流电桥各脚的极性[/b]万用表置R×1k挡，黑表笔接桥堆的任意引脚，红表笔先后测其余三只脚，如果读数均为无穷大，则黑表笔所接为桥堆的输出正极，如果读数为4～10kΩ，则黑表笔所接引脚为桥堆的输出负极，其余的两引脚为桥堆的交流输入端。[b]4．双向晶闸管的极性识别[/b]双向晶闸管有主电极1、主电极2和控制极，如果用万用表R×1k挡测量两个主电极之间的电阻，读数应近似无穷大，而控制极与任一个主电极之间的正、反向电阻读数只有几十欧。根据这一特性，我们很容易通过测量电极之间电阻大小，识别出双向晶闸管的控制极。而当黑表笔接主电极1。红表笔接控制极时所测得的正向电阻总是要比反向电阻小一些，据此我们也很容易通过测量电阻大小来识别主电极1和主电极2。[b]5．判断晶振的好坏[/b]先用万用表(R×10k挡)测晶振两端的电阻值，若为无穷大，说明晶振无短路或漏电；再将试电笔插入市电插孔内，用手指捏住晶振的任一引脚，将另一引脚碰触试电笔顶端的金属部分，若试电笔氖泡发红，说明晶振是好的；若氖泡不亮，则说明晶振损坏。[b]6．判别结型场效应管的电极[/b]将万用表置于R×1k挡，用黑表笔接触假定为栅极G的管脚，然后用红表笔分别接触另外两个管脚，若阻值均比较小(5～10 Ω)，再将红、黑表笔交换测量一次。如阻值均大(∞)，说明都是反向电阻(PN结反向)，属N沟道管，且黑表笔接触的管脚为栅极G，并说明原先假定是正确的。若再次测量的阻值均很小，说明是正向电阻，属于P沟道场效应管，黑表笔所接的也是栅极G。若不出现上述情况，可以调换红、黑表笔，按上述方法进行测试，直至判断出栅极为止。一般结型场效应管的源极与漏极在制造时是对称的，所以，当栅极G确定以后，对于源极S、漏极D不一定要判别，因为这两个极可以互换使用。源极与漏极之间的电阻为几千欧。[b]7．三极管电极的判别[/b]对于一只型号标示不清或无标志的三极管，要想分辨出它们的三个电极，也可用万用表测试。先将万用表量程开关拨在R×100或R×1k电阻挡上。红表笔任意接触三极管的一个电极，黑表笔依次接触另外两个电极，分别测量它们之间的电阻值，若测出均为几百欧低电阻时，则红表笔接触的电极为基极b，此管为PNP管。若测出均为几十至上百千欧的高电阻时，则红表笔接触的电极也为基极b，此管为NPN管。在判别出管型和基极b的基础上，利用三极管正向电流放大系数比反向电流放大系数大的原理确定集电极。任意假定一个电极为c极，另一个电极为e极。将万用表量程开关拨在R×1k电阻挡上。对于：PNP管，令红表笔接c极，黑表笔接e极，再用手同时捏一下管子的b、c极，但不能使b、c两极直接相碰，测出某一阻值。然后两表笔对调进行第二次测量，将两次测的电阻相比较，对于：PNP型管，阻值小的一次，红表笔所接的电极为集电极。对于NPN型管阻值小的一次，黑表笔所接的电极为集电极。[b]8．电位器的好坏判别[/b]先测电位器的标称阻值。用万用表的欧姆挡测“1”、“3”两端(设“2”端为活动触点)，其读数应为电位器的标称值，如万用表的指针不动、阻值不动或阻值相差很多，则表明该电位器已损坏。再检查电位器的活动臂与电阻片的接触是否良好。用万用表的欧姆挡测“1”、“2”或“2”、“3”两端，将电位器的转轴按逆时针方向旋至接近“关”的位置，此时电阻应越小越好，再徐徐顺时钟旋转轴柄，电阻应逐渐增大，旋至极端位置时，阻值应接近电位器的标称值。如在电位器的轴柄转动过程中万用表指针有跳动瑚象，描踢活动触』点接触不良。[b]9．激光二极管损坏判别[/b]拆下激光二极管，测量其阻值，正常情况下反向阻值应为无穷大，正向阻值在20kΩ～40kΩ。如果所测的正向阻值已超过50kΩ，说明激光二极管性能已下降；如果其正向阻值已超过90kΩ，说明该管已损坏，不能再使用了。[b]10．判别红外接收头引脚[/b]万用表置R×1k挡，先假设接收头的某脚为接地端，将其与黑表笔相接，用红表笔分别测量另两脚电阻，对比两次所测阻值(一般在4～7k Q范围)，电阻较小的一次其红表笔所接为+5V电源引脚，另一阻值较大的则为信号引脚。反之，若用红表笔接已知地脚，黑表笔分别测已知电源脚及信号脚，则阻值都在15kΩ以上，阻值小的引脚为+5V端，阻值偏大的引脚为信号端。如果测量结果符合上述阻值则可判断该接收头完好。[b]11．判断无符号电解电容极性[/b]先将电容短路放电，再将两引线做好A、B标记，万用表置R×100或R×1k挡，黑表笔接A引线，红表笔接B引线，待指针静止不动后读数，测完后短路放电；再将黑表笔接B引线，红表笔接A引线，比较两次读数，阻值较大的一次黑表笔所接为正极，红表笔所接为负极。[b]12．测发光二极管[/b]取一个容量大于100“F的电解电容器(容量越大，现象越明显)，先用万用表R×100挡对其充电，黑表笔接电容正极，红表笔接负极，充电完毕后，黑表笔改接电容负极，将被测发光二极管接于红表笔和电容正极之间。如果发光二极管亮后逐渐熄灭，表明它是好的。此时红表笔接的是发光二极管的负极，电容正极接的是发光二极管的正极。如果发光二极管不亮，将其两端对调重新接上测试，还不亮，表明发光二极管已损坏。[b]13. 光电耦合器检测[/b]万用表选用电阻R×100挡，不得选R×10k挡，以防电池电压过高击穿发光二极管。红、黑表笔接输入端，测正、反向电阻，正常时正向电阻为数十欧姆，反向电阻几千欧至几十千欧。若正、反向电阻相近，表明发光二极管已损坏。万用表选电阻R×1挡。红、黑表笔接输出端，测正、反向电阻，正常时均接近于∞，否则受光管损坏。万用表选电阻R×10挡，红、黑表笔分别接输入、输出端测发光管与受光管之间的绝缘电阻(有条件应用兆欧表测其绝缘电阻，此时兆欧表输出额定电压应略低于被测光电耦合器所允许的耐压值)，发光管与受光管问绝缘电阻正常应为∞。[b]14．光敏电阻的检测[/b]检测时将万用表拨到R×1kΩ挡，把光敏电阻的受光面与入射光线保持垂直，于是在万用表上直接测得的电阻就是亮阻。再把光敏电阻置于完全黑暗的场所，这时万用表所测出的电阻就是暗阻。如果亮阻为几千欧至几十干欧，暗阻为几至几十兆欧，说明光敏电阻是好的。[b]15．测量大容量电容的漏电电阻[/b]用500型万用表置于R×10或R×100挡，待指针指向最大值时，再立即改用R×1k挡测量，指针会在较短时间内稳定，从而读出漏电电阻阻值。

我们的岛津AA6880。 春节之前用着一直是正常的。春节停机了20多天，之后开机想做样品，结果还没进样，石墨管加热一下的时候，石墨管就炸掉了。火星四射。场面太刺激，没来得及拍照。之后我们换了一根石墨管，重新试着做，结果这次不爆炸了，石墨管起了半米高的火。那样子就像装了笑气的火焰。火烧了两秒左右，还是没来及拍照。现在仪器已经报修，可是还要好几天才能上门。上门之前怎么办呢？？还有谁能帮忙分析一下原因，是什么导致的呢？？？

AC(alternating current) 交流(电) A／D(analog to digital) 模拟／数字转换 ADC(analog to digital convertor) 模拟／数字转换器 ADM(adaptive delta modulation) 自适应增量调制 ADPCM(adaptive differential pulse code modulation) 自适应差分脉冲编码调制 ALU(arithmetic logic unit) 算术逻辑单元 ASCII(American standard code for information interchange) 美国信息交换标准码 AV(audio visual) 声视，视听 BCD(binary coded decimal) 二进制编码的十进制数 BCR(bi-directional controlled rectifier)双向晶闸管 BCR(buffer courtier reset) 缓冲计数器 BZ(buzzer) 蜂鸣器，蜂音器 C(capacitance，capacitor) 电容量，电容器 CATV(cable television) 电缆电视 CCD(charge-coupled device) 电荷耦合器件 CCTV(closed-circuit television) 闭路电视 CMOS(complementary) 互补MOS CPU(central processing unit)中央处理单元 CS(control signal) 控制信号 D(diode) 二极管 DAST(direct analog store technology) 直接模拟存储技术 DC(direct current) 直流 DIP(dual in-line package) 双列直插封装 DP(dial pulse) 拨号脉冲 DRAM(dynamic random access memory) 动态随机存储器 DTL(diode-transistor logic) 二极管晶体管逻辑 DUT(device under test) 被测器件 DVM(digital voltmeter) 数字电压表 ECG(electrocardiograph) 心电图 ECL(emitter coupled logic) 射极耦合逻辑 EDI(electronic data interchange) 电子数据交换 EIA(Electronic Industries Association) 电子工业联合会 EOC(end of conversion) 转换结束 EPROM(erasable programmable read only memory) 可擦可编程只读存储器 EEPROM(electrically EPROM) 电可擦可编程只读存储器 ESD(electro-static discharge) 静电放电 FET(field-effect transistor) 场效应晶体管 FS(full scale) 满量程 F／V(frequency to voltage convertor) 频率／电压转换 FM(frequency modulation) 调频 FSK(frequency shift keying) 频移键控 FSM(field strength meter) 场强计 FST(fast switching shyster) 快速晶闸管 FT(fixed time) 固定时间 FU(fuse unit) 保险丝装置 FWD(forward) 正向的 GAL(generic array logic) 通用阵列逻辑 GND(ground) 接地，地线 GTO(Sate turn off thruster) 门极可关断晶体管 HART(highway addressable remote transducer) 可寻址远程传感器数据公路 HCMOS(high density COMS) 高密度互补金属氧化物半导体(器件) HF(high frequency) 高频 HTL(high threshold logic) 高阈值逻辑电路 HTS(heat temperature sensor) 热温度传感器 IC(integrated circuit) 集成电路 ID(international data) 国际数据 IGBT(insulated gate bipolar transistor) 绝缘栅双极型晶体管 IGFET(insulated gate field effect transistor) 绝缘栅场效应晶体管 I／O(input／output) 输入／输出 I／V(current to voltage convertor) 电流-电压变换器 IPM(incidental phase modulation) 附带的相位调制 IPM(intelligent power module) 智能功率模块 IR(infrared radiation) 红外辐射 IRQ(interrupt request) 中断请求 JFET(junction field effect transistor) 结型场效应晶体管 LAS(light activated switch)光敏开关 LASCS(light activated silicon controlled switch) 光控可控硅开关 LCD(liquid crystal display) 液晶显示器 LDR(light dependent resistor) 光敏电阻 LED(light emitting diode) 发光二极管 LRC(longitudinal redundancy check) 纵向冗余(码)校验 LSB(least significant bit) 最低有效位 LSI(1arge scale integration) 大规模集成电路 M(motor) 电动机 MCT(MOS controlled gyrator) 场控晶闸管 MIC(microphone) 话筒，微音器，麦克风 min(minute) 分 MOS(metal oxide semiconductor)金属氧化物半导体 MOSFET(metal oxide semiconductor FET) 金属氧化物半导体场效应晶体管 N(negative) 负 NMOS(N-channel metal oxide semiconductor FET) N沟道MOSFET NTC(negative temperature coefficient) 负温度系数 OC(over current) 过电流 OCB(overload circuit breaker) 过载断路器 OCS(optical communication system) 光通讯系统 OR(type of logic circuit) 或逻辑电路 OV(over voltage) 过电压 P(pressure) 压力 FAM(pulse amplitude modulation) 脉冲幅度调制 PC(pulse code) 脉冲码 PCM(pulse code modulation) 脉冲编码调制 PDM(pulse duration modulation) 脉冲宽度调制 PF(power factor) 功率因数 PFM(pulse frequency modulation) 脉冲频率调制 PG(pulse generator) 脉冲发生器 PGM(programmable) 编程信号 PI(proportional-integral(controller)) 比例积分(控制器) PID(proportional-integral-differential(controller))比例积分微分(控制器) PIN(positive intrinsic-negative) 光电二极管 PIO(parallel input output) 并行输入输出 PLD(phase-locked detector) 同相检波 PLD(phase-locked discriminator) 锁相解调器 PLL(phase-locked loop) 锁相环路 PMOS(P-channel metal oxide semiconductor FET) P沟道MOSFET P-P(peak-to-peak) 峰--峰 PPM(pulse phase modulation) 脉冲相位洲制 PRD(piezoelectric radiation detector) 热电辐射控测器 PROM(programmable read only memory) 可编只读程存储器 PRT(platinum resistance thermometer) 铂电阻温度计 PRT(pulse recurrent time) 脉冲周期时间 PUT(programmable unijunction transistor) 可编程单结晶体管 PWM(pulse width modulation) 脉宽调制 R(resistance，resistor) 电阻，电阻器 RAM(random access memory) 随机存储器 RCT(reverse conducting thyristor) 逆导晶闸管 REF(reference) 参考，基准 REV(reverse) 反转 R/F(radio frequency) 射频 RGB(red／green／blue) 红绿蓝 ROM(read only memory) 只读存储器 RP(resistance potentiometer) 电位器 RST(reset) 复位信号 RT(resistor with inherent variability dependent) 热敏电阻 RTD(resistance temperature detector) 电阻温度传感器 RTL(resistor transistor logic) 电阻晶体管逻辑(电路) RV(resistor with inherent variability dependent on the voltage) 压敏电阻器 SA(switching assembly) 开关组件 SBS(silicon bi-directional switch) 硅双向开关，双向硅开关 SCR(silicon controlled rectifier) 可控硅整流器 SCS(safety control switch) 安全控制开关 SCS(silicon controlled switch) 可控硅开关 SCS(speed control system) 速度控制系统 SCS(supply control system) 电源控制系统 SG(spark gap) 放电器 SIT(static induction transformer) 静电感应晶体管 SITH(static induction thyristor) 静电感应晶闸管 SP(shift pulse) 移位脉冲 SPI(serial peripheral interface) 串行外围接口 SR(sample realy，saturable reactor) 取样继电器，饱和电抗器 SR(silicon rectifier) 硅整流器 SRAM(static random access memory) 静态随机存储器 SSR(solid-state relay) 固体继电器 SSR(switching select repeater) 中断器开关选择器 SSS(silicon symmetrical switch) 硅对称开关，双向可控硅 SSW(synchro-switch) 同步开关 ST(start) 启动 ST(starter) 启动器 STB(strobe) 闸门，选通脉冲 T(transistor) 晶体管，晶闸管 TACH(tachometer) 转速计，转速表 TP(temperature probe) 温度传感器 TRIAC(triodes AC switch) 三极管交流开关 TTL(transistor-transistor logic) 晶体管一晶体管逻辑 TV(television) 电视 UART(universal asynchronous receiver transmitter) 通用异步收发器 VCO(voltage controlled oscillator) 压控振荡器 VD(video decoders) 视频译码器 VDR(voltage dependent resistor) 压敏电阻 VF(video frequency) 视频 V／F(voltage-to-frequency) 电压／频率转换 V／I(voltage to current convertor) 电压-电流变换器 VM(voltmeter) 电压表 VS(vacuum switch) 电子开关 VT(visual telephone) 电视电话 VT(video terminal) 视频终端

一、 中国半导体器件型号命名方法 　　半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：　　第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管　　第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。　　第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F3MHz Pc1W)、A-高频大功率管（f3MHz Pc1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。　　第四部分：用数字表示序号　　第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管　　二、日本半导体分立器件型号命名方法　　日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：　　第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。　　第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。　　第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。　　第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。第五部分： 用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。　　三、美国半导体分立器件型号命名方法　　美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：　　第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。　　第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。　　第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。　　第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。　　第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。　　四、 国际电子联合会半导体器件型号命名方法　　德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：　　第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料　　第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。　　第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。　　第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：　　1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。　　2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。　　3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。　　五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法　　欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。　　第一部分：O-表示半导体器件　　第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。　　第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。　　第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。

消解罐爆炸的原因是什么？平行样微波消解后的效果差异很大，为什么？

月初新安装了一台设备，需要用到液氮，设备自配了2个液氮罐，液氮是用于测试的。不知道怎么回事，测试完后，将液氮罐里的液氮倒掉的时候，里面的内衬爆炸了（就像开水瓶里的保温材料差不多），只剩下一个金属外壳了；很奇怪，没有磕碰，咋就爆炸了呢，吓得我们测试人员都快犯心脏病了。

液氮中菌种取用时，小管经常炸，该如何取用？微生物小白望老师不吝赐教

据说这种罐是可以承受250个大气压的，不知道怎么就炸了呢？

蔡司场发射扫描电镜消影控制电路故障维修，电子束闸无法正常开、关。电子束控制部分蔡司是采购其它家的，当出现问题的时候，蔡司要求用户与提供方联系，工程师一般去现场都是需要更换整套电子束控制器，维修成本高，客户也难易接受！[img]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/04/202204120720083049_6009_3430718_3.png[/img][img]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/04/202204120720086576_1950_3430718_3.png[/img][img]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/04/202204120720086723_9915_3430718_3.png[/img][img]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/04/202204120720087260_5339_3430718_3.png[/img][img]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/04/202204120720083118_6483_3430718_3.png[/img]

[*]时间:2010年7月28日上午 [*]地点:南京栖霞区南京塑料四厂 [*]情况:发生爆炸全城有震感 [*]伤亡:300多人受伤已发现3人遇难　中国江苏网消息：7月28日上午9时56分，南京栖霞区万寿村15号，途经南京塑料四厂拆迁工地丙烯管道被施工人员挖断，泄漏后发生爆炸。南京市消防支队接警后立即调集迈皋桥、特二、新港、特一4个中队、15辆消防车、85名官兵赶赴现场。同时调集金陵石化消防支队2个中队消防员前往处置。10时06分，迈皋桥中队首先到达现场，迅速沿管道向两端寻找阀门进行关阀断料处置。10时10分，现场发生猛烈爆炸，周边多处建筑倒塌，并有人员被埋压。支队又第一时间调集夫子庙、方家营、石门坎3个中队、11辆消防车、61名官兵携带8条搜救犬和10台生命探测仪前往增援。消防官兵到场后，在现场指挥部的指挥下迅速对周边被引燃的车辆和建筑残火进行扑救，并用喷雾水枪控制泄漏点火势，形成稳定燃烧。同时，支队组织官兵分成12个小组使用搜救犬和生命探测。目前，已经关阀断气，大火正在熄灭。消防队员正在继续搜救埋压人员。

某化学试剂厂生产车间进行反应釜装甲苯作业。作业过程中发生强烈爆炸，继而猛烈燃烧近2h。现场作业的7人中5人当场死亡，2人严重烧伤。　　生产车间南北长约30 m，东西宽约8m，西面开门，具有抗爆型结构。　　该厂装甲苯的操作方法是先将甲苯灌装在金属桶内，再将金属桶运到反应釜近旁，经塑料软管将甲苯从金属桶注入反应釜内。如附图所示，端部固定在金属桶小盖上的软管1是长约8 m的塑料管，自反应釜上方开孔引入反应釜；端部固定在金属桶小盖上的软管2是橡胶管，连接车间外30m远处的气泵。启动气泵，甲苯即顺软管1注入反应釜。　　现场情况：未逃出的5人已烧焦、收缩，反应釜倒在地上，金属桶下盖脱落，墙上和天花板上出现裂纹，窗玻璃全部破碎。　　经分析，确认是静电火花引起的爆炸。经计算，塑料软管内甲苯的流速超过静电安全流速的3倍。甲苯带着高密度静电注入反应釜，如釜内残留有螺母、垫圈、焊条头等孤立导体，很容易产生足以引燃甲苯蒸气的静电火花

自增压液氮罐是否会出现爆炸的可能，从使用和压力上来看，自增压液氮罐工作压力小于0.1mpa自增压液氮罐的结构和工作原理自增压液氮罐工作方式通过底部气化达到产生输出压力，从而实现自动补液的方式。综合考虑：[url=http://www.yedanguan365.com/]自增压液氮罐[/url]存在爆炸的可能性较低，但并非完全没有风险。从实际上来看，还没有出现过罐体爆炸的事故。[img=自增压液氮罐,300,300]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2024/05/202405131657181476_8259_3312634_3.png!w300x300.jpg[/img]

1 同步调相机 　　同步发电机 低压同步发电机 既是有功功率源，又是最基本的无功功率源。当系统的无功功率比较紧张时，必须充分利用发电机供给无功功率。例如冬季枯水季节时，水库水源不多，水力发电厂不可能按装机容量发出额定设计的有功功率，此时应考虑将水轮发电机降低功率因数运行，使其多发无功功率，将发电机以调相机方式运行。同步调相机相当于空载运行的同步发电机，在过励磁运行时，它可作为无功电源向系统供给感性无功功率，以提高系统电压水平。在欠励磁运行时，它可作为无功功率负荷从系统吸收感性无功功率以适当降低系统电压水平，同步调相机欠励磁运行最大容量一般只有过励磁运行时的容量的5~60%。同步调相机一度发挥着重要的作用，被称为传统的无功动态补偿装置。同步调相机容量愈大，其单位容量设备费用就愈低。因此适用于补偿容量较大的集中补偿方式。然而，由于它是旋转电机，运行维护复杂，响应速度慢，难以满足动态补偿要求，现只在短路容抗很小的系统使用。 2 并联电容器 　　并联电容器是电力系统无功功率补偿的重要设备，主要用于正常情况下电网和用户的无功补偿和控制。由于它投资少，功率消耗少，便于分散安装，维护量小，技术效果也较好，但并联电容器只能减少无功电流损耗且不能减少电压变化下限。一般来说，每个变电站约安装1~4组电容器，对于负荷较大的110 kV变电站和220 kV变电站，则要装更多组数的电容器。我国有些电网高峰时电压过低，其主要原因是系统安装的并联电容器容量不足。有些电网低谷时电压过高，其原因之一是高峰时系统投入的并联电容器在低谷时没有去除或去除不够，造成系统在低谷时无功过剩、使电压过高。因此并联电容器不能平滑调节无功。电容器自动投切装置以主变无功的大小作为电容器开关投切的主要条件。 3 并联电抗器 限流电抗器XD1/2 　　并联电抗器的工作原理和并联电容器的工作原理正好相反，它属于负补偿，常用于补偿线路电容的作用。并联电抗器是高电压长线路的重要补偿方式，新建变电站的电容器装置中串联电抗器的选择要慎重，不能任意组合，一定要考虑电容器接入、撤出的谐波因素。电容器组容量变化很大时，可选用与电容器同步调整分接头的电抗器或选择串联电抗器混合装设，以便防止电容器组投切时产生的过电压。 4 变压器 　　有载调压变压器不能作为无功电源，相反消耗电网中的无功功率，属于无功负荷之一。有载调压变压器分接头的调整不但改变了变压器各侧的电压状况，同时也对变压器各侧的无功功率的分布产生影响。分接头上调时，变压器二次侧电压上升，同时流过变压器的无功功率增加；分接头下调后，变压器二侧次电压下降，流过变压器的无功功率减少。 5 无功电压综合控制 　　无功电压综合控制（VQC）装置是基于变电站自动化系统的。随着无人值守变电站的增多，在变电站中一般均有用于当地和远方监控的自动化系统或具有“四遥”功能的RTU装置，它们有完善的输入、输出功能，包括对测量量及信号量的采集。该装置也具有控制变压器分接头、无功控制设备开关动作的功能。因此在此装置的基础上把相应的电压无功控制模块添加到边远电站自动化系统软件上，即可实现VQC控制目的。根据设备运行需要或各单位运行方式不同，VQC可以有几种调节方式：分接头不调节，电容器按无功定值投切；分接头按电压定值调节，电容器定时投切；分接头按电压定值调节，无功不调节；电容器、分接头都不调节。 6 静止无功补偿器 　　静止无功补偿器（SVC）被用于输电系统波阻抗补偿及长距离输电的分段补偿，也用于无功补偿。有以下几种类型：晶闸管控制电抗器（TRC）、晶闸管投切电容器（TSC）、TCR/TSC混合装置、TCR与固定电容器（FC）或机械投切电容器（MSC）混合使用。SVC装置是通过改变电抗器来调节其输出的无功功率，它输出的无功电流与系统电压成正比，因此在电力系统电压降低时，SVC装置输出的无功功率会以与系统电压下降的平方的比例下降。要防止SVC装置接入后因改变系统阻抗特性而导致出现谐振。 7 静止无功发生器 　　随着电力电子技术的进一步发展，静止无功发生器（SVG）诞生了，它采用自换相变流电路，通过改变输出电压调节其输出的无功功率，会以与系统电压下降的比例而下降。他可等效为可控电流源，接入后不会改变阻尼特性。SVG采用门极可关断晶闸管或其他可关断器件，因此价格比较贵，目前还没有广泛应用。 8 静止同步补偿器 　　静止同步补偿器（STATCOM）是灵活交流输电系统（FACTS）的核心装置和核心技术之一，在电力系统中维持连接点的电压为给定值，提高系统电压的稳定性，改善系统的稳态性能和动态性能。STATCOM是基于瞬时无功功率的概念和补偿原理，采用全控型开关器件组成自换相逆变器 自动逆变电源QLN ，辅之以小容量储能元件构成无功补偿装置，与SVC相比，具有调节速度更快、运行范围更广、吸收无功连续、谐波电流小、损耗小、所用电抗器和电容器容量大为降低等优点。更多技术论文请详见：买电器网（MIDIQI.COM） 知识库[URL=http://]http://www.midiqi.com/Knowledge/Index.asp[/URL][URL=http://]http://www.midiqi.com[/URL]

机械榨乳 完全自动化的榨乳 将奶牛迁到机械榨乳设备前 将奶牛的乳头插到机械榨乳的管子上 打开电闸 牛奶就被挤了出来 新鲜的牛奶被挤入一个带有量程的容器 根据量程来记录奶数 新鲜的奶由管路进入奶罐中 然后拉倒奶粉厂进行取样 检验 卸车 在这一过程中 要注意到的卫生点是很多的 例如 机械榨乳中管路是否清洗干净 里面如果前一天的奶不用热水和酸碱清洗干净 里面会有很大的味道 影响牛奶的滋气味 不洗干净里面的残渣奶会酸掉影响后面进去的新鲜的奶的酸度 还有会滋生很多微生物的 奶罐也是一样的 奶卸车完成后也是要彻底的清洗干净 机械榨乳的奶站卫生一定要搞好的 不然是最不安全的

大闸蟹防伪标识网上售每个2毛 防伪标志难防伪 导读：阳澄湖大闸蟹新防伪标志在网上出售，最便宜的一个才2毛钱，防伪标志成了皇帝新衣，令阳澄湖大闸蟹真假难辨。 据经济之声《天天315》报道，把酒品蟹菊花天，又到了品尝大闸蟹的季节了，被奉蟹中极品的阳澄湖大闸蟹成为了消费者追求的佳品，但是市场上的阳澄湖大闸蟹鱼龙混杂，不懂行的人还真的是分辨不出来。为了把仿造的机率降到最低，商家特地为阳澄湖大闸蟹做上了独有的防伪标志、防伪戒指，但是今天的阳澄湖大闸蟹新防伪标志在网上也是有出售的，最便宜的一个才2毛钱。于是有消费者质疑这些阳澄湖大闸蟹会不会穿上了假的防伪标志？就成了冒牌货了呢？如果真的是这样，那这些防伪标志的防伪作用又从何体现呢？今天邀请到了中国电子商务协会政策法规委员会专家委员赵占岭以及北京朝阳律师事务所律师胡刚和大家来交流一下这方面的话题，两位好。 主持人：阳澄湖大闸蟹上周才正式的开始试捕，那么按照往年的流程上周开始阳澄湖大闸蟹协会委员已经到协会是领取了防伪戒指了，刚刚出水的大闸蟹验货通过之后才能够戴上戒指，运往全国各地，然而记者发现今年的阳澄湖大闸蟹新的防伪标志在网上也有出售，最便宜的一个才两毛钱。 我们的记者以阳澄湖大闸蟹防伪标志为关键在网上搜到了不少出售阳澄湖大闸蟹防伪标志的店铺，有的写着可以进行密码查询8毛钱一个，500个起卖。名为"天下第一蟹庄"的店铺表示出售真的阳澄湖大闸蟹的防伪标志也有，假的2毛钱一个。名为市"阳澄湖蟹王"的店铺则表示他们的防伪标志是一个四块钱，直接从行业协会领出来的，所以才卖的这么贵，网上卖的便宜的防伪标志很可能都是高仿的。当我们记者询问如何从协会得到这些防伪标志的时候，这个店铺表示虽然说协会只给一个大闸蟹配发一个防伪标志，不多发，但是我有路子。大家发现没有这个路子好像很重要，有路子什么都能搞得到，那么我想请你们两位判断一下，认为网上出售的这些防伪标志到底是真的还是假的？刚才已经说了有的店铺的人已经说到了，我的如果便宜有可能会是高仿的。 专家：理论上经过认可的闸蟹才佩戴防伪标志 实际上难做到 赵占岭：我觉得大部分是假的，但不排除有些是真的，大部分尤其这种低价的一般都是假的。 胡刚：确实，整个的苏州地区包括阳澄湖地区为了保护阳澄湖大闸蟹这种品质的良好和整个市场秩序的稳定，确实也推出了一系列的防伪措施。比如说推出了防伪专用标识，这个专用标识我们了解实际上只有两部分组成，一部分是上面刊载有地理标志专用产品的地理标志，另外一个因为它这个锁扣本身是有一个专利的结构键所组成的。这两个既受我们的地理标志的相关的知识产权保护，也受锁扣，也受相关专利法的保护，所以整个来说是同时有关阳澄湖这几个字或者说大闸蟹之类，阳澄湖这几个字也被苏州相关地区申请为类似于集体商标或者说证明商标这种情况，从商标法进行保护。 从这个角度来说防伪标志本身对于稳定市场区别优劣，突出它专有的地域产品特有的出处来源是有很好的作用的，所以从他们的管理来说相关的协会介绍也是说只有他们的会员，而且根据只能是配在于他们的特定生产的，按照特定流程在特定区域生产的大闸蟹上才能配戴，一个环环相扣的过程。很遗憾的是在过往的情况也存在一些即使真的锁扣也存在被仿冒的情况，真的锁扣有可能会被比如说有的蟹农或者是生产厂家他自己养殖户只生产了比如说1000公斤的大闸蟹，但实际上他可能申请的锁扣有2000公斤，不排除这种情况。 蟹农如果说自己领到的这种防伪标志之后，自己的大闸蟹如果不戴在这个上面，如果只是为了出售，应该说这个所获得的利益与他销售大闸蟹所获得的利益相比还是很小的，一个天上一个地下，我想一般情况下不会是这样做的，如果这样做的话肯定这些是多余的，除了他所收购的这些大闸蟹的数量之外，他可能另外又申请到了一些防伪标志，具体途径可能不清楚，有可能是通过内部途径，高仿的不是我们讨论的范围。 另外我们也看到相关的苏州大闸蟹行业管理协会也是说他这个锁扣也是开捕前几天才刚刚公布它的样式。每年锁扣的样子可能在调整，标志本身包括所谓查询的号码都可能被人模仿或者说仿造，所以他也有一个前期的保护保密的过程。当然我们看到他公布以后，是起到了一些作用，但是我们不能忽视从理论上来说一个经过他认可了阳澄湖大闸蟹，只配戴一个经过他认可的这种专用的防伪标识，这是理论上的概念。但是我们很难想象在同时开捕，在数千亩的水面上同时开捕的情况下谁能保证单独一只一只的认可去配戴呢？恐怕实际中无法做到。但是我觉得拿到多出来的锁扣拿到网上去卖的可能性很小，如果是真的锁扣我把旁边所谓的"洗澡蟹"拿过来带上。 律师：贩卖防伪标志涉及商标侵权 数额大是犯罪行为 主持人：我要替当地的不管是行业协会也好，还是政府也好鸣下冤，人家不是没有进行相应的管理，防伪标志都已经具体到了一只蟹一个防伪标志的程度。我觉得我们做生意的人历来都是很精明的，他们想的可能很多，反倒给他们自己又多了一条生财之道，怎么样把它不管是真的也好、还是防伪的也好，是高仿还是低仿，卖这个标志又成了一个新的生意。 胡刚：我们这里面要顺便说一下，如果是你在你贩卖一个标志，这个标志是专门用于所谓阳澄湖大闸蟹，而且有明确阳澄湖大闸蟹字样的，恐怕是一个侵犯商标权的问题。如果锁扣的形状和它已经登记注册的享有专利权的锁扣相同或者相似的话，恐怕又是一个侵犯专利权的问题，所以说在网上公开叫卖这种有阳澄湖字样的锁扣，本身很可能用侵犯知识产权的一个违法行为。如果数额达到50万以上，有可能是一个犯罪行为，所以在这里面也提示一下相关的商家。 主持人：可能还要数罪并罚。我们在周一到周五的节目也专门做过一期关于阳澄湖大闸蟹的防伪标志的问题，我们的记者也专门到北京的水产市场上去调查了这个防伪标志和大闸蟹是否能够配对的问题，那一天是9月15日去的，我记得今年开捕的日期是9月17日凌晨，我们记者已经看到了戴着防伪标志的蟹在市面上出售，告诉他说这个其实不是阳澄湖的大闸蟹，但是既然已经戴上了这个标你就可以把它当做是当成阳澄湖的大闸蟹，反正你也不是自己吃，你拿这个去送人肯定是没有问题的。这好像又给我们的送礼市场开辟了一个新的途径。 阳澄湖大闸蟹真假难辨 专家支招：在意鲜活程度 赵占岭：他们的渠道一个是专卖店，一个是超市，还有酒店，因为如果说有房、有标志你又按照一般的途径能查证的话很有可能，排除之前说的情况就是他是普通的塘蟹，戴上真正的防伪标志，除了这种情况之外有可能是真的。 凭我们非常业余普通的人来说很难品位出说阳澄湖的大闸蟹和阳澄湖旁边的湖蟹和塘蟹的区别，也难区别阳澄湖的大闸蟹和太湖大闸蟹的区别，几乎是很难区分的。我昨天还专门问了一个昆山的朋友，我说这个你们这个是怎样区分，他说当地人如果说你不是特别有经验的、不是专门销售大闸蟹的话，一般很难判出来，除非两只蟹它的质量差别很大，一般的是很难判断的。 有人说阳澄湖大闸蟹市场有比较怪的现状，一个是仿冒的、假冒的，非正宗的数量的销售要远远超过正宗的阳澄湖大闸蟹，这是第一个比较怪的现象，第二个现象说在这种情况下正宗的阳澄湖大闸蟹，这些蟹农这些企业还没有倒闭，反而生活的更好，生存的更好。因为像茅台酒一样，很多人喝很多的假茅台酒之后，总想有一天我能喝到真正的茅台酒，万一能喝到。所以这也是一个比较奇怪的现象，在这个市场没有出现这种劣币驱逐良币的现象，这是比较有意思的一个事。 主持人：消费者要想购买真正的阳澄湖大闸蟹就不能光是以戒来认蟹，就那个防伪戒指，有些蟹过度装饰表明防伪，反而是假的阳澄湖的大闸蟹，要想挑中真正的阳澄湖大闸蟹最好还是从蟹本身去分辨，我觉得好难。 胡刚：这里面有一个小建议，既然我们都很难分辨它的某种特定的蟹种或者说它的产地的话，我倒不如去在意它的鲜活的程度或者威猛的程度，螃蟹是有一个非常特殊的地方就是河蟹，一旦死了你再吃或者说本身的体力不是很强的话，可能对你身体不是很好，所以说买了甭管是哪的蟹，一看最好挑那个比较鲜活的、张牙舞爪的，你一掰蟹爪会迅速跟你反作用的，这种蟹恐怕是相对来说至少是安全一点，新鲜一点。 主持人：其实对于蟹来说新鲜比什么都重要，反正我被蟹咬过，挺疼的。

[align=left]小小的电子元器件看似微小，实则是很重要的组成部分之一。因为电子设备出现故障现象，很大一部分情况是由于电子元器件失效或损坏所导致。如此一来，检测电子元器件成为很重要的事，那么对于电子元器件检测经验和技巧有哪些?[/align][align=left][b]1．单向晶闸管检测[/b][/align][align=left]可用万用表的R×1k或R×100挡测量任意两极之问的正、反向电阻，如果找到一对极的电阻为低阻值(100Ω～lkΩ)，则此时黑表笔所接的为控制极，红表笔所接为阴极，另一个极为阳极。晶闸管共有3个PN结，我们可以通过测量PN结正、反向电阻的大小来判别它的好坏。测量控制极(G)与阴极[C)之间的电阻时，如果正、反向电阻均为零或无穷大，表明控制极短路或断路；测量控制极(G)与阳极(A)之间的电阻时，正、反向电阻读数均应很大；测量阳极(A)与阴极(C)之间的电阻时，正、反向电阻都应很大。[/align][align=left][b]2．检查发光数码管的好坏[/b][/align][align=left]先将万用表置R×10k或R×l00k挡，然后将红表笔与数码管(以共阴数码管为例)的“地”引出端相连，黑表笔依次接数码管其他引出端，七段均应分别发光，否则说明数码管损坏。[/align][align=left][b]3．测整流电桥各脚的极性[/b][/align][align=left]万用表置R×1k挡，黑表笔接桥堆的任意引脚，红表笔先后测其余三只脚，如果读数均为无穷大，则黑表笔所接为桥堆的输出正极，如果读数为4～10kΩ，则黑表笔所接引脚为桥堆的输出负极，其余的两引脚为桥堆的交流输入端。[/align][align=left][b]4．双向晶闸管的极性识别[/b][/align][align=left]双向晶闸管有主电极1、主电极2和控制极，如果用万用表R×1k挡测量两个主电极之间的电阻，读数应近似无穷大，而控制极与任一个主电极之间的正、反向电阻读数只有几十欧。根据这一特性，我们很容易通过测量电极之间电阻大小，识别出双向晶闸管的控制极。而当黑表笔接主电极1。红表笔接控制极时所测得的正向电阻总是要比反向电阻小一些，据此我们也很容易通过测量电阻大小来识别主电极1和主电极2。[/align][align=left][b]5．判断晶振的好坏[/b][/align][align=left]先用万用表(R×10k挡)测晶振两端的电阻值，若为无穷大，说明晶振无短路或漏电；再将试电笔插入市电插孔内，用手指捏住晶振的任一引脚，将另一引脚碰触试电笔顶端的金属部分，若试电笔氖泡发红，说明晶振是好的；若氖泡不亮，则说明晶振损坏。[/align][align=left][b]6．判别结型场效应管的电极[/b][/align][align=left]将万用表置于R×1k挡，用黑表笔接触假定为栅极G的管脚，然后用红表笔分别接触另外两个管脚，若阻值均比较小(5～10 Ω)，再将红、黑表笔交换测量一次。如阻值均大(∞)，说明都是反向电阻(PN结反向)，属N沟道管，且黑表笔接触的管脚为栅极G，并说明原先假定是正确的。若再次测量的阻值均很小，说明是正向电阻，属于P沟道场效应管，黑表笔所接的也是栅极G。[/align][align=left]若不出现上述情况，可以调换红、黑表笔，按上述方法进行测试，直至判断出栅极为止。一般结型场效应管的源极与漏极在制造时是对称的，所以，当栅极G确定以后，对于源极S、漏极D不一定要判别，因为这两个极可以互换使用。源极与漏极之间的电阻为几千欧。[/align][align=left][b]7．三极管电极的判别[/b][/align][align=left]对于一只型号标示不清或无标志的三极管，要想分辨出它们的三个电极，也可用万用表测试。先将万用表量程开关拨在R×100或R×1k电阻挡上。红表笔任意接触三极管的一个电极，黑表笔依次接触另外两个电极，分别测量它们之间的电阻值，若测出均为几百欧低电阻时，则红表笔接触的电极为基极b，此管为PNP管。若测出均为几十至上百千欧的高电阻时，则红表笔接触的电极也为基极b，此管为NPN管。[/align][align=left]在判别出管型和基极b的基础上，利用三极管正向电流放大系数比反向电流放大系数大的原理确定集电极。任意假定一个电极为c极，另一个电极为e极。将万用表量程开关拨在R×1k电阻挡上。对于：PNP管，令红表笔接c极，黑表笔接e极，再用手同时捏一下管子的b、c极，但不能使b、c两极直接相碰，测出某一阻值。然后两表笔对调进行第二次测量，将两次测的电阻相比较，对于：PNP型管，阻值小的一次，红表笔所接的电极为集电极。对于NPN型管阻值小的一次，黑表笔所接的电极为集电极。[/align][align=left][b]8．电位器的好坏判别[/b][/align][align=left]先测电位器的标称阻值。用万用表的欧姆挡测“1”、“3”两端(设“2”端为活动触点)，其读数应为电位器的标称值，如万用表的指针不动、阻值不动或阻值相差很多，则表明该电位器已损坏。再检查电位器的活动臂与电阻片的接触是否良好。用万用表的欧姆挡测“1”、“2”或“2”、“3”两端，将电位器的转轴按逆时针方向旋至接近“关”的位置，此时电阻应越小越好，再徐徐顺时钟旋转轴柄，电阻应逐渐增大，旋至极端位置时，阻值应接近电位器的标称值。如在电位器的轴柄转动过程中万用表指针有跳动瑚象，描踢活动触』点接触不良。[/align][align=left][b]9．激光二极管损坏判别[/b][/align][align=left]拆下激光二极管，测量其阻值，正常情况下反向阻值应为无穷大，正向阻值在20kΩ～40kΩ。如果所测的正向阻值已超过50kΩ，说明激光二极管性能已下降；如果其正向阻值已超过90kΩ，说明该管已损坏，不能再使用了[/align][align=left][b]10．判别红外接收头引脚[/b][/align][align=left]万用表置R×1k挡，先假设接收头的某脚为接地端，将其与黑表笔相接，用红表笔分别测量另两脚电阻，对比两次所测阻值(一般在4～7k Q范围)，电阻较小的一次其红表笔所接为+5V电源引脚，另一阻值较大的则为信号引脚。反之，若用红表笔接已知地脚，黑表笔分别测已知电源脚及信号脚，则阻值都在15kΩ以上，阻值小的引脚为+5V端，阻值偏大的引脚为信号端。如果测量结果符合上述阻值则可判断该接收头完好。[/align][align=left][b]11．判断无符号电解电容极性[/b][/align][align=left]先将电容短路放电，再将两引线做好A、B标记，万用表置R×100或R×1k挡，黑表笔接A引线，红表笔接B引线，待指针静止不动后读数，测完后短路放电；再将黑表笔接B引线，红表笔接A引线，比较两次读数，阻值较大的一次黑表笔所接为正极，红表笔所接为负极。[/align][align=left][b]12．测发光二极管[/b][/align][align=left]取一个容量大于100“F的电解电容器(容量越大，现象越明显)，先用万用表R×100挡对其充电，黑表笔接电容正极，红表笔接负极，充电完毕后，黑表笔改接电容负极，将被测发光二极管接于红表笔和电容正极之间。如果发光二极管亮后逐渐熄灭，表明它是好的。此时红表笔接的是发光二极管的负极，电容正极接的是发光二极管的正极。如果发光二极管不亮，将其两端对调重新接上测试，还不亮，表明发光二极管已损坏。[/align][align=left][b]13. 光电耦合器检测[/b][/align][align=left]万用表选用电阻R×100挡，不得选R×10k挡，以防电池电压过高击穿发光二极管。红、黑表笔接输入端，测正、反向电阻，正常时正向电阻为数十欧姆，反向电阻几千欧至几十千欧。若正、反向电阻相近，表明发光二极管已损坏。万用表选电阻R×1挡。红、黑表笔接输出端，测正、反向电阻，正常时均接近于∞，否则受光管损坏。万用表选电阻R×10挡，红、黑表笔分别接输入、输出端测发光管与受光管之间的绝缘电阻(有条件应用兆欧表测其绝缘电阻，此时兆欧表输出额定电压应略低于被测光电耦合器所允许的耐压值)，发光管与受光管问绝缘电阻正常应为∞。[/align][align=left][b]14．光敏电阻的检测[/b][/align][align=left]检测时将万用表拨到R×1kΩ挡，把光敏电阻的受光面与入射光线保持垂直，于是在万用表上直接测得的电阻就是亮阻。再把光敏电阻置于完全黑暗的场所，这时万用表所测出的电阻就是暗阻。如果亮阻为几千欧至几十干欧，暗阻为几至几十兆欧，说明光敏电阻是好的。[/align][align=left][b]15．测量大容量电容的漏电电阻[/b][/align][align=left]用500型万用表置于R×10或R×100挡，待指针指向最大值时，再立即改用R×1k挡测量，指针会在较短时间内稳定，从而读出漏电电阻阻值。[/align]

现在总结一下电力电子行业中应用装置类的一些专业名词供大家分享学习：首页说一下大家都熟知的风能、太阳能、海洋能等，这些统称为新能源。是在新技术基础上再开发利用的能再生的能源。有人会问了，那现在被广泛使用的煤炭、石油、天然气是不是新能源呢？答案是否定的，这些已经在使用了的只能称为常规能源。也是因为这些常规能源是有限的，所以以环保和可再生的新能源成为了新宠。再来说一下智能电网。说白了就是电网的智能化。现在大家可以在百度上搜下以前的老照片，那会城市里的上空全是电线，毫无规律可言，现在，再抬头看我们的天空，是不是一片蔚蓝呢，这就是智能电网的优化特点，降低投资成本，减少资产运用，降低电网损耗，提高能源利用效率，智能电网还有好多好处，所以发展智能电网已经在世界范围内达成共识了。轨道交通。说的就是我们的地铁，轻轨，磁悬浮列车等，让我们受益颇多，大到春运，人山人海，是轨道交通的大运量、速度快、安全让我们的选择无后顾之忧，小到上下班的乘客，坐上地铁就不用再忍受等待跟堵车的煎熬。电源。对于经常上网的我们，UPS电源（不间断电源）绝对是个实实在在的好东西，从字面意思大家就可以理解，如果遇到突然断电，那UPS电源会给你充足的时间保存你未保存的资料，发送未来得及发出的邮件。还有稳定电源，开关电源等，这都是普通的电源，我们熟知的，还有一些特种电源，如医疗电源，高压电源等，这些只做简单了解即可。整流器。直白的说就是把交流电转换成直流电的装置，相反，把直流电转换成交流电的装置则叫逆变器。它起到的是一个充电器的作用。有二极管整流器，晶闸管整流器等。电能质量。即电力系统中电能的质量。普遍来讲就是优质供电，包括电压质量、电流质量、供电质量和用电质量。现在电能质量最主要的问题就是电压的暂时降低跟短暂的中断。电焊机。将电能转换为焊接能量的机器。有交流电源的，有直流电源的，它其实就是一个大功率的变压器。利用正负两极瞬间短路产生的高温熔化被焊的材料。变频器与传动。文章来源：中国电力电子产业网

南京一座化工厂爆炸1人死亡6人受伤 2007-2-5 9:06:22 　 新华网南京2月4日电(记者 朱旭东 姚玉洁)南京一化工厂4日下午发生爆炸，造成1人死亡、6人不同程度受伤。伤亡者均为工厂工人，受伤者已被紧急送往医院救治，目前没有生命危险。 　　4日13时50分，南京鼎山精细化工厂一储有14吨小储量异丁烯的储罐爆炸起火，导致邻近工区的7名工人死伤。　　据了解，因为异丁烯燃烧不会产生有害气体，附近环境不会因此受到污染，但相关部门仍将加强对这一地区环境的监测。　　目前大火已被扑灭，事故原因仍在调查中。