霍尔感应器

耐高压高灵敏度单极霍尔开关1. 规格说明商品名称耐高压高灵敏度单极霍尔开关（单极感应N极）感应方式磁铁感应电源电压5-24VDC检测距离有效检测距离0-10mm负载电流不超过40MA输出形式NPN三线常闭型输出状态无磁场时输出高电平，有磁场时输出低电平检测物体金属材料外接引线30cm外形规格M6×0.75，全螺纹，长度10mm接线方式红线正极，黑线负极，黄线信号，请勿接反典型应用无刷电机换向、流量传感器、位置传感器、速度传感器2. 详细参数（Ta=25℃，Vsup=5V）参数符号最小值典型值最大值单位电源电压VSUP3.8540V工作电流ISUP69mA输出电流Isink30mA输出上升时间Tr1us输出下降时间Tf1.5us工作点Bop306080Gauss释放点Brp104060Gauss回差Bhys102040Gauss工作温度Ta-40125℃3. 磁电转换特性该传感器设计用于北极响应。当磁通密度（B）大于工作点Bop时，输出以低电平，输出保持不变，直到磁通量（B）小于释放点Brp时，输出以高电平。该产品20元/只，100只起订。

华中区销售工程师 周钟平电话：邮箱： 霍尔效应测试系统依据范德堡法测量材料的电运输性能参数：载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或薄层材料均可测量，可应用于所有半导体材料，包括Si、ZnO、SiGe、SiC，GaAs，InGaAs，InP，GaN（N型&P型均可测量）,广泛应用于国内高校、研究所、半导体、金属、高热导有机新材料等行业。霍尔效应测试系统产品特点自主知识产权产品。采用高精密度恒流源和电压表，确保仪器测试的良好准确度和高稳定性，性能优越。自动控制磁场方向的改变，更加方便准确。样品装夹方式快速方便，且使用能够解决欧姆接触的样品芯片。产品工业外观采用一体化、精密化设计，融入人性化的设计理念，不仅赏心悦目而且操作方便。智能化的用户界面操作简单，功能齐全的软件平台带给客户友好的操作体验，使测试过程更加方便快捷。霍尔效应测试系统测试实例山东大学钛酸锶陶瓷样品测试结果太原理工硅化镁样品测试结果霍尔效应测试系统技术参数型号HET-RTHET-HT磁场强度6800Gs5000Gs磁场稳定性±2％/每年温度范围RT100K~600K（可连续变温）温控精度\±0.5K输出电流100pA-100mA迁移率1-107cm2/Volt-sec阻抗10-6 -107?CM载流子浓度107 -1021cm-3样品测量板样品边长5-20mm，厚度10nm-3mm样品边长5-15mm，厚度10nm-1mm主机尺寸570x545x380，单位mm\重量50kg80kg霍尔效应测试系统技术原理　　采用范德堡法测量材料的霍尔系数和电阻率。范德堡法可测量任意形状、厚度（d）均匀的薄片样品的霍尔系数和电阻率，样品和四个电极联接，相邻的电极通入电流，在另一对电极之间测量电位差，利用电极1、2和2、3通入电流分别做两次测量，测得电阻RA和RB，然后根据范德堡公式推导出样品的电阻率ρ和R构成如下关系：　　在垂直样品的磁场（感应强度B）作用下，电流通过样品的一对不相邻电极，如由电极1到电极3，测得电极2、4之间的电位差V2,4 （VH），可计算出霍尔系数。

霍尔效应传感器可为科学研究、医疗健康、航空航天和工业应用提供高性能的模拟磁场测量。 Figure 1. sensor on test assembly 产品特点:• 超高分辨率• 超低噪音性能• 可在极低温条件下使用• 大动态范围• 高线性• 超低功耗运行 简述:利用石墨烯固有的低噪声特性，无需信号调节即可提供出色的场分辨率。石墨烯的二维性质 很大程度地降低了平面霍尔效应，并且石墨烯的稳定性和电子 迁移率提供了 超强的温度和磁场工作范围。 应用包括：• 精密磁场测量• 场梯度和边缘场的精确映射• 高精度位置，旋转和速度感应• 低温下的超低功率场测量 产品优点:可满足各种应用需求。可以利用的优点包括：• 可以在 1.8 K - 353 K的极端温度下运行• 在大磁场范围( 9 T)内ppb磁场变化的分辨率• 低至 10 nA的工作电流，节省了功率，仅产生5 pW的散热• 平面霍尔效应可忽略不计，有助于精确地确定仪器的摆放位置场方向 需要特定要求，请联系我们info 性能特点:ParameterSymbolValue (typical)UnitNotesMaximum operating temperature rangeT1.8 to 353KPerformance guaranteed within this range. Operation 1.8 K is possibleMeasurable field rangeB+/- 9TSee Fig.2. At 1.8K, 0-9 T is possible with reduced linearityOpen Circuit SensitivityS1100V/AT@ room temperature. see Fig 3 for change with temperatureOpen Circuit Hall VoltageVH110mVI=IN and B=1 T, increases with reducing temperature Spectral Noise Density SDT7 μ???√????10 Hz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.71 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.310 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.07100 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN) Resolution, based on SDT on a 1 T field RSND7 ppm10 Hz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.71 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.310 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.07100 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)RMS noise??T2?40?T0.1 – 10 Hz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)2810 – 100 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)Linearity of Hall Voltage% of full scaleFL0.5%-1 to 1 T. See Fig 2 for full 0-9 T rangeCorrected Linearity0.01%-1 to 1 T, after 3rd order correctionPlanar Hall EffectHPL10μTAt I=IN , 1 TNominal Supply CurrentIN0.1mACan be operated down to I=10 nAMaximum Supply CurrentImax1mASupply Side Internal ResistanceRIN22k?B=0 THall Side Internal ResistanceROUT22k?B=0 T Offset Voltage VR08mVTypical offset voltage at I=IN and B=0 T0.6mVMin offset voltage at I=IN and B=0 T34mVMax offset voltage at I=IN and B=0 TTemperature Coefficient of SensitivityTCS-4.7V/AT/K@ room temperature, IN 高场和低温性能 Figure 2. Hall Voltage output at 295 K, from 0 to 9 T Figure 3. Sensitivity as a function of temperature from 1.8 K to 300 K. Measured at 1T. 封装信息有效面积：1.3 x 1.3 mm 位于封装的中心封装类型: 20-pin LCC, 陶瓷,无镍, 表面贴焊。PinNotesVIN+1 or 11Input voltage can be supplied with eitherpolarityVIN-11 or 1VH+6 or 16Hall voltage polarity willdepend on VIN polarity and field polarityVH-16 or 6