激光发射器

ZLX-ES系列发射光谱/光源测量系统发射光谱/光源测量系统介绍 发光体，如白炽灯、荧光灯、LED等辐射光谱及发光特性的测试，对研究其特性有很大帮助。系统不仅可测量光源或其他发射光谱分布，而且可在此基础上得到积分辐射通量、光通量、色坐标等。 针对不同辐射光源的特性，可灵活选择测试系统，如：宽带光源和LED通常分辨率要求不高，可使用Omni-&lambda 150系列单色仪系统；激光器、放电灯、等离子体、原子发射光谱等要求分辨率高，可使用Omni-&lambda 300、Omni-&lambda 500、Omni-&lambda 750系列单色仪系统；宽波长范围（UV～IR），建议采用双出口单色仪接两个探测器；测试宽光谱范围的发光体，建议采用SD滤光片轮消多级光谱。系统组成：分光系统＋检测系统＋数据采集及处理系统＋软件系统＋计算机系统

E5000发射光谱仪具有全谱多元素同时分析、分析速度快、分析精准、稳定性好等优点，分析性能达到了国际领先水平。作为全球首创粉末样品元素分析的台式全谱直读发射光谱仪，E5000发射光谱仪拥有创新的高功率数控电弧光源、全自动激光对准的光源装置、稳定可靠的帕型-龙格全谱分光系统以及阵列CCD全谱测量技术，同时，E5000发射光谱仪结合时序分析、光谱自动校正等先进技术，采用固体样品直接进样的方法，全面解决了传统技术分析繁琐、效率低下、准确性差等问题，是光谱元素分析领域的重大突破。E5000发射光谱仪产品结构设计　　电弧发射光谱技术与全谱直读光谱技术结合，新一代固体粉末分析技术；　　Paschen-Runge（帕型-龙格）全谱光学系统，能测定需要分析的所有常规元素；　　紧凑的小型台式设计，确保稳定可靠、易用便捷；　　防溢出CCD高速数采系统，信噪比高、动态范围大；　　高功率数控可编程光源，电流、电压、频率可控，提供更优的分析方法；　　多重连锁和监控，确保操作安全可靠；　　全自动电极激光对准系统；　　粉末样品直接进样，方便迅速；　　一键激发，立刻获得分析结果；　　内置工作曲线，客户无需手动建线，切实提高工作效率；　　软件开放所有高级功能，为客户提供完美的方法开发平台。E5000发射光谱仪全谱测量技术　　全谱平台拥有丰富的谱线信息，更易于元素扩展与方法开发；　　基于全谱测量的数据，能够正确区分背景和谱线，有效提高测量精度；　　- 方便查看谱线及干扰情况　　- 支持斜背景、左右背景等不同的扣除方式　　强大的自动谱线去干扰算法；　　- 通过算法扣除干扰谱线获得干净的待分析谱线　　- 基于全谱测量数据的多峰拟合技术可将谱线完全分开，有效消除谱线的干扰　　根据元素的含量范围选择不同的分析谱线，大含量范围的测量更准确；　　- 多谱线结合，扩展分析范围的同时，有效保证分析精度；　　- 避免灵敏线饱和，不需要消释样品，取得更大的分析范围；CCD高速数采系统　　防溢出线阵CCD；　　采用动态积分，有效扩展CCD的动态范围；Paschen-Runge（帕型-龙格）全谱光学系统　　恒温型全固定光学系统；　　全反射式光路；　　光室结构紧凑；　　一体式固定；　　光学器件少，性能稳定；　　基于CCD的全谱采集和分析；全新一代电弧数控光源　　数控光源体积小、效率高；　　基于数控可编程技术，光源的电流、电压、频率可调节；　　分析不同含量的元素，选择最佳的激发参数，降低元素分析的检出线，改善元素分析的准确度；　　可设置及读取不同检测阶段的数据；一键激发及全自动对准电极　　样品装载激发一气呵成，方便快捷；　　多元素同时分析，直接得到最终结果；　　设计精良的电极挟持旋钮；　　红外激光对准、先进的电极激光自动对准技术；　　水冷电极夹提高检测稳定性；多重连锁和安全保护　　可靠的水冷系统，分别对电弧光源和激发电极散热；　　实时监控仪器的运行状态，所有的连锁状态如冷却水、排风、炬室门等都通过界面和指示灯等多种形式直接提醒；　　界面上有关键温度的显示，第一时间查看仪器的运行情况；　　排风监控，消除废气影响；　　特殊的风道设计提高稳定性；水冷系统 强大的分析软件　　便捷易用的分析软件；　　- 操作直观、便捷、层次化的软件界面，非专业人员也能方便操作　　- 简单的方法开发过程，各种检测条件都可调节　　强大的多元素分析平台；　　- 便捷的全谱查看　　- 多元素分析及多谱线选择　　- 一键激发，直接在软件上得到分析结果　　- 丰富的方法库有利于方法的传承、学习和维护可分析元素及多谱线选择　　全面智能的软件算法；　　- 内置工作曲线，完善的时序分析，能够实现定性、定量分析　　- 丰富的处理技术，支持内标法、基底扣除、干扰元素校正等分析方法　　- 功能强大的高级处理功能，为客户带来更全面、更精确的分析体验　　独创的智能漂移校正技术。

超宽谱太赫兹发射器自旋电子太赫兹（THz）发射器基于一个优化的金属薄膜堆栈包括自旋电子材料。在飞秒泵浦脉冲的照射下，太赫兹脉冲产生。太赫兹带宽覆盖0.1到30太赫兹的频率，没有任何谱段间隙。发射器是完全被动的，包括集成的磁铁设计，允许简单且完全控制线性太赫兹极化。 超宽谱太赫兹发射器主要特点： ■ 无光谱间隙的超宽带太赫兹辐射 ■ 高太赫兹产生效率，被动式器件 ■ 集成磁铁，可完全轻松360°控制线性太赫兹极化 ■ 稳定性好，可长期使用 ■ 与许多光学装置兼容 ■ 太赫兹光束参数继承泵浦光束 ■ 泵浦光适用波段宽，从中红外到X射线 ■ 泵浦光和太赫兹光束的共线性使太赫兹光谱仪易于实现和直接校准超宽谱太赫兹发射器应用领域： ■ 超宽带线性太赫兹光谱■ 非线性太赫兹光谱■ 太赫兹近场显微镜■ 太赫兹扫描隧道显微镜■ X射线束层析成像■ 超快光电探测器（由泵浦脉冲包络确定的太赫兹脉冲）超宽谱太赫兹发射器指标参数：更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是国内知名光电产品专业代理商，代理品牌均处于相关领域的发展前沿；产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等，涉及应用领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防及更细分的前沿市场如量子光学、生物显微、物联传感、精密加工、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等优质服务。您可以通过我们昊量光电的官方网站了解更多的产品信息，或直接来电咨询。

TeraBlast无偏压大面积THz发射器(TeraBlast-Bias-free Large-area Emitters)品牌： Protemics型号： TeraBlast Eachwave推出的新型无偏压THz发射器是fs光学泵浦的THz源，可以用各种激光器来泵浦（如波长在700-1600nm的低功率振荡器、或者放大器）。它们是理想的近场成像THz源，我们同时有THz微探针可选。当然我们的THz发射器也可以应用与远场光谱的研究以及其他THz应用。我们的THz发射器是基于一个专利技术（德国专利号：DE102012010926 A1），利用双金属光栅结构实现无偏压的光学泵浦THz辐射。THz发射器具有一个很大的可激发面积，激发光的功率可以从5mW高至1W，并不会引起转换效率饱和的现象。主要特点：高的转换效率（得益于其先进的纳米级双金属结构设计）高的辐射功率（得益于其大的可激发面积）非常适用于TeraSpike微探针的THz源无与伦比的简单易用可以被当做点光源来使用，亦或者阵列辐射器辐射出光具有线偏性非常的耐用因为没有偏压没有暗电流技术规格： Type TeraBlast TD-1550-L-165 Excitation wavelength range700 .. 1600 nm Typ. average excitation power range5 mW .. 1000 mW Average THz emission power 2.5 μW (a) Active area diameterca. 11 mm (b) Adapter dimension (Outer diameter)1/2 inch 辐射特性和工作原理:太赫兹脉冲发射的太赫兹发射器通过飞秒近红外或红外脉冲产生。脉冲持续时间为150飞秒,所发射的太赫兹辐射是直线偏振光。下面的图显示的是发射的太赫兹场线扫过的terablast发射器使用teraspike探针在时域测量中心示范（型号：td-800-x-hrs）。明亮的快速振荡太赫兹频率分量被很好地局限于几个毫米大小的光圈区域，而在更宽的范围内发射的千兆赫辐射。发射谱可以很容易地调整，通过调整光激发光束的聚焦。THz pulse emission is generated by optical excitation of the THz emitter through femtosecond near-infrared or infrared pulses. Pulse durations 150 fs are recommended. The emitted Terahertz radiation is linearly polarized. The following plot is showing an exemplary measurment of the emitted THz field which is line scanned across the center of the TeraBlast emitter in time-domain using a TeraSpike microprobe (Model: TD-800-X-HRS). The bright fast oscillating THz frequency components are well confined to an aperture area of few millimeter size, whereas GHz radiation is emitted over a much wider range. The emission profile can be easily adapted by adjusting the focussing of the optical excitation beam.尺寸：激励方案：THz发射过程是基于肖特基场诱导侧光电流（JPH）在多种非对称金属/半导体结。

703型Waterloo地下水修复发射器1.8英寸, 3.8英寸和5.8英寸Waterloo地下水修复发射器 Waterloo地下水修复发射器是一种简单低成本的设备, 它设计用来受控并且统一的释放氧气或者其他生物提高调整剂, 从而促进和维持原位污染地下水生物降解所需的微生物的生长。 使用专利的技术*使得可以通过加压的硅有机树脂或者LDPE（低密度聚乙烯）管来稳定而又直接的将氧气扩散到一个地下蓄水层中. 氧气持续而稳定的释放到管中, 这就创建了一个非常理想的浓度梯度, 驱动着这个被动系统, 不会因为形成气泡而溢出过剩氧量。 发射器非常适合于需氧的BTEX和MTBE生物降解. 扩散过程为增强需氧生物降解提供了即时的分子氧生物利用率, 因此不会发生损失调整气体的情况. Waterloo地下水修复发射器还能促进需要的无机反应（pH调整, 水解等）。 简单的多功能系统 Solinst 地下水修复发射器 703 可以适配2英寸, 4英寸和6英寸（50毫米, 100毫米和150毫米）的井. 它们可以安装在开放井中, 或者使用沙袋永久性的安装在钻井或者沟渠中. 51英寸（130厘米）长的Waterloo地下水修复发射器可以单独的或者以叠加到另一个发射器顶端的方式来安装, 以便确保完全覆盖污染羽状物. 它们还可以在水平应用中使用. 因为无需最小液压压头, 发射器在水下任何深度都有效. 当连接在封隔器和/或循环泵时, 作用半径也会增加. Solinst 地下水修复发射器 703 独特的扩散技术允许使用任何化学物当作调整剂来治理受到污染的地下水. PVC框架容纳了监测或者采样设备以便在补救过程中观察地下水状况. 工作原理 Solinst 地下水修复发射器 703 由盘绕在一个PVC骨架上的硅有机树脂或者聚乙烯管组成. 当液体被引入管中时, 一个浓度梯度便在管和地下水之间建立. 发射器工作原理是菲克扩散定律, 扩散会一直发生, 直至管内外的化学物浓度有了平衡. 使用发射器技术, 氧气（或其他调整剂）被持续地补充, 因为地下水持续地流经发射器, 所以平衡永远不会发生. 这便导致从发射器到地下水有持续的扩散. 当气体被应用于发射器时, 施加压力的增量和扩散到地下水的气体增量之间有一个正相关, 然而扩散是调整剂被添加到地下水的唯一的机制. 安装如果一种增强气体被用于补救, 可以使用小型或中型尺寸的高压气筒. 根据需要的增强气体的量来选择发射器管并设置气压. 单个高压气筒可以为多个串联的发射器提供气源.发射器管内的气体补充可以通过定期的清洗来实现（1-2周一次） 或者在系统的末端使用针形放泄阀来缓慢而恒定的补给. 1、确定目标 用驱动点剖面器来为使用发射器绘制/描绘的污染羽状物的加强生物降解, 确定最有效的区域, 2、确定数量 - 使用多级系统来精确的描绘污染物的面积和运动 - 使用离散监测系统更精确的聚焦补救策略 - 监测修复效果3、解决问题 使用Waterloo地下水修复发射器为受污染的地下水受控的释放氧气（或其他调整剂） – 不起泡。示意图显示了使用Waterloo地下水修复发射器的分段羽状物补救, 使用放在斜坡下面的CMT地下水连续监测系统或Waterloo多水位地下水监测系统的横切来监测. 应用： 为BTEX和MTBE的需氧生物降解释放氧气 为溶剂的厌氧还原去氯释放氢气 为当作示踪物而引入溶解的SF6, 氩等 为调整pH值而释放二氧化碳 释放轻质烷烃以促进MTBE的新陈代谢生物降解 羽状物迁移屏障, 首要补救设备或者抛光优点： 低成本 为恒定的微生物活性稳定的释放补救剂 易于安装和卸载 最少的维护和操作 没有因为起泡而造成调整剂损耗 没有引入或造成有害物质 无泥浆混入, 处理或注入 无需电子设备

光纤通讯用光IC发射器、接收器、LED 用于塑料光纤通信的光IC发射接收器。欢迎您登陆滨松中国全新中文网站 查看该产品更多详细信息！部分产品：产品图像产品型号产品名称类型1配件序号带宽 L11354-01光通信用光IC发射器适用MOST汽车网络S11355-01150 Mbps P11379-03AT光通信用光IC适用MOST汽车网络150 Mbps S11355-01光通信用光IC发射器适用MOST汽车网络L11354-01150 Mbps L8045光通信用红光LED适用POF数据链路S8046DC到50 Mbps L10063-01光通信用光IC发射器适用MOST汽车网络S10064-01BDC到50 Mbps L10663-01光通信用光IC发射器适用MOST汽车网络S10664-01DC到50 Mbps L10881光通信用红光LED适用于POF数据链路S7727DC到156 Mbps S7140-10光通信用光IC接收器适用于POF数据链路L8045DC到50 Mbps S7727光通信用光IC接收器适用于POF数据链路L108814 to 156 Mbps S8046光通信用光IC接收器适用于POF数据链路L80454 to 50 Mbps S10064-01B光通信用光IC接收器适用MOST汽车网络L10063-014 to 50 Mbps S10664-01光通信用光IC接收器适用MOST汽车网络L10663-014 to 50 Mbps

MEJ 除静电离子棒通常使用在生产机器上，可以短距离电离，且没有移动机器部件干扰电离。Simco-Ion 防静电离子棒的性能与 MEB 型相同，除了 MEJ小的圆形尺寸，使其很容易适应狭小的空间，可以通过机器框架中的孔安装此防静电离子棒。MEJ是一种高效、通用的静电消除器，在许多行业有着广泛的应用。MEJ静电离子棒需要配合一个操作电源使用。 特点工作距离30 mm触摸发射器无电击感当一些发射器引起短路时（例如由于严重的污垢）静电离子棒可继续正常工作圆棒，可通过机架中的孔轻松安装 深圳市荣盛源科技有限公司 ( VSY-Technology Co.,Ltd )，成立于2009年。我们一直专注于电子/工业领域的静电控制，静电接地与在线监测与防护系统、静电驻极设备、除尘洁净设备及IML模内静电贴标的应用设计、研制和销售一体的供应商。二十年来紧跟现代工业生产的步伐并不断学习钻研和累积，非常了解现代各工业领域生产环节上所碰到的相关问题。在IML模内贴标、包装、电子组装、静电驻极等方面的非标设计和解决方案！我们将秉承务实、负责的经营理念为大家提供适合的服务和解决方案！电子应用：静电控制设备、无尘室洁净设备、除静电表面清洁机、净化环境工程解决方案；工业应用：静电控制设备、薄膜/片材表面洁净、印染涂布、纸品印刷除尘洁净系统、覆膜贴合、无纺布静电应用配套设计；包装应用： IML模内静电自动贴标、食品包装非标静电发射器的设计与解决方案；接地检测：人员与设备的静电在线检测和监控；防静电耗材：导电材料、导电毛刷、防静电袋、屏蔽袋。

无线测温接收器，无线发射器1）稳定性好本温度变送器在传统的基础上，通过采用优异元器件、高精度可靠信号调理电路、防干扰电路、软硬补偿等多方面技术，并通过大量实验和检测使得仪表具有测量数据精确、抗干扰能力强、易于操作等优点。2）、无线传输以往的各种温度变送器一般具有4～20mA输出信号，有的还是就地显示方式，需要通过导线将信号送到值班室采集或值班人员到现场抄录数据，由于工业现场环境较为恶劣，供电系统不稳定、维护设备造成导线损坏及难于管理等原因，造成数据取得的不可靠、不真实。本温度变送器采用比较好的的微功率无线通讯技术，测控仪表、监测装置均工作在2.4GHz无线开放频段；现场的数据、报警、保护等参量，均能无线、可靠传输到值班室，克服了以往需要人员现场抄表和用导线长距离输送的不便，从而达到以人为本、节约的目的。3）、节能环保传统的温度变送器，需要有市电交流或直流供电；而本仪表采用新低功耗技术，用高功率锂电池供电，3.6V单节高温电池可以可靠使用一年半以上，仪表无需考虑后端的负载问题，无后续的A/D转换，直接将高精度的测量数据值无线发送到值班室的接收终端机上，再通过终端机上传后台进行统一的数据管理。

太赫兹发射器 (碰撞雪崩渡越时间二极管)TeraSense公司简介： TeraSense是一家俄罗斯的太赫兹设备生产商，主要产品包括：低成本、便携式亚太赫兹成像相机、太赫兹发射源和超快探测器等。TeraSense拥有一支强大的技术团队，包括20多位富有经验的科学家和工程师。他们中的大多数都拥有微波和太赫兹研究领域的博士学位，代表了俄罗斯物理学家的年轻一代。科学组已经取得了多项研究成果，并且在国际同行业评审期刊上发表了超过300篇论文。太赫兹发射器产品描述： TeraSense系列太赫兹源（IMPATT diode，碰撞雪崩渡越时间二极管），是一种硅双漂移二极管，过渡区域0.6um，安装在铜散热器上。双偏移二极管的分层：重掺杂(p +)层，适度掺杂（p-）层，适度掺杂（n-）层和重掺杂(n +)层。(p +)和(n+)层允许欧姆电触点接触到外部电路。设备依靠负电阻产生和维持振荡。 Terasense现在提供雪崩渡越二极管的升级版本。升级后的雪崩渡越二极管配备防护隔离器，大大提高了输出功率的稳定性。你可以根据需要，选择带有严格固定的喇叭天线的雪崩渡越二极管，或带有WR -法兰的雪崩渡越二极管。优化频率为100 GHz时，雪崩渡越二极管的典型输出功率可以达到100mW。太赫兹发射器产品特点： 可用频率: 100 GHz ，140 GHz 大功率输出 (80 mW，30mW) 稳定性高 线宽缩小至1 MHz 工作电流: 150 – 180 mA 价格低廉 结构紧凑，体积小，易于集成 太赫兹发射器规格参数：型号IMPATT diode @ 100 GHz IMPATT diode @ 140 GHz 频率最佳频率：100 GHz最佳频率：140 GHz隔离器带有防护隔离器带有防护隔离器调制方式TTL 调制 (1us rise/fall time)TTL 调制 (1us rise/fall time)输出功率高功率 (80 mW 输出功率)高功率 (30 mW 输出功率)输出方式圆锥喇叭天线 (固定)或 法兰类型 (WR-8 或 WR-10)圆锥喇叭天线 (固定) 或 法兰类型 (WR-6)功耗输入功率 2W 电源外部电源 (24 V) 确保输入电流稳定线宽典型的线宽可以缩小至1 MHz太赫兹发射器使用图例： TeraSense 太赫兹发射器（IMPATT diode）

Max ION防静电离子棒的每个单独发射器都可以电容耦合到高压上。因此，当意外触摸发射器时，您不会有电击。无电感坚固耐用的Max ION防静电离子棒具有强化的外形，可很大限度地减少意外弯曲造成的损害。Max ION背面的滑动插槽使用户能够根据需要定位安装螺栓，从而提高安装灵活性。使用刷子可轻易清洁发射器污垢，您可以轻松地将污染物从两端扫出。 特点工作距离可达400 毫米由于玻璃纤维增强塑料外形，防静电离子棒变形的风险越小触摸发射器无电击感紧凑型尺寸铝合金材质深圳市荣盛源科技有限公司 ( VSY-Technology Co.,Ltd )，成立于2009年。我们一直专注于电子/工业领域的静电控制，静电接地与在线监测与防护系统、静电驻极设备、除尘洁净设备及IML模内静电贴标的应用设计、研制和销售一体的供应商。二十年来紧跟现代工业生产的步伐并不断学习钻研和累积，非常了解现代各工业领域生产环节上所碰到的相关问题。在IML模内贴标、包装、电子组装、静电驻极等方面的非标设计和解决方案！我们将秉承务实、负责的经营理念为大家提供适合的服务和解决方案！电子应用：静电控制设备、无尘室洁净设备、除静电表面清洁机、净化环境工程解决方案；工业应用：静电控制设备、薄膜/片材表面洁净、印染涂布、纸品印刷除尘洁净系统、覆膜贴合、无纺布静电应用配套设计；包装应用： IML模内静电自动贴标、食品包装非标静电发射器的设计与解决方案；接地检测：人员与设备的静电在线检测和监控；防静电耗材：导电材料、导电毛刷、防静电袋、屏蔽袋。

Micro Hybrid红外发射器JSIR 350-4产品型号：JSIR 350-4产品介绍红外发射器，TO8 接头上有 4 个芯片，用于测量浓度低的气体或吸收特性低的气体。标准 TO8 外壳中带有无窗反射器的版本也适用于从 30 厘米起的长测量距离。这种基于 MEMS 的灯丝发射器对应物具有显着更长的寿命和更少的漂移。与灯丝红外源不同，JSIR 350 Quad 发射器是可调制/可脉冲的，不需要额外的斩波器。高性能纳米无定形碳膜片可实现高达 850 °C 的膜片温度，以实现长期稳定的辐射输出。 JSIR 350 Quad IR 发射器非常适合工业航空航天和其他要求苛刻的应用中的各种气体分析应用。IR 照明器可与 MTS 热电堆探测器或 MPS pyro 探测器一起使用。与 Micro-Hybrid IR 检测器的组合可确保在分析气体浓度时获得更好的性能并确保准确的测量结果。性能特点 宽发射率 2 - 15 µ m 膜温度高达 850 °C 高辐射输出 调制频率高 长寿命（膜的高稳定性带来的可靠性） 提供 HermeSEAL 技术 天津瑞利光电科技有限公司于2016年成立，坐落于渤海之滨天津，地理位置得天独厚，交通运输便利，进出口贸易发达。凭借着欧洲的采购中心，我们始终为客户提供欧美工业技术、高新科技等发达国的光电设备、光学仪器、机电设备及配件、电气成套设备、工业自动化控制设备产品，同时拥有多个品牌的授权经销和代理权。

产品名称： Sheaumann Laser发射器CMC-A64-3000-XXX产品型号： CMC-A64-3000-XXX产品介绍： Sheaumann 的高质量、高功率激光芯片子安装件（COS）产品安装在氮化铝载体上的铜瓦或铜子安装件上，采用 In 或 AuSn 键合。Sheaumann 的激光芯片设计具有高质量和长使用寿命。波长发射范围为 780-1710 nm。任何激光二极管发出的激光都是不可见的，可能对人眼有害。设备运行时，请避免直视激光光圈。与本产品一起使用光学仪器会增加对眼睛的危害。二极管故障的主要原因是意外静电放电。为防止设备故障，用户在处理二极管激光器时应始终佩戴防静电腕带，将所有适用的工作表面接地，并遵循防静电技术。 性能特点： 金锡 (AuSn) 键合，铜子安装可选微型透镜超低和高 AR 涂层选项可选功能与配件： 可选微型透镜超低和高 AR 涂层选项技术参数： 产地：美国波长：1064 nm工作功率：3 W工作电流：3.8 A 可达4.2A工作电压：1.7 V 可达2.2 V阈值电流：340 mA 可达550 mA斜率效率：0.8 W/A垂直远场@FWHM：30 °水平远场@FWHM：8 °工作温度：-20 至 50 ℃降解速度：随着温度升高，器件降解速度加快产品应用： 工业、航天、国防、环境领域

OPTO DIODE LED 发射器OD-250Opto Diode Corporation 总部位于加利福尼亚州卡马里奥，在提供传感器、光电二极管、探测器和 LED 方面拥有悠久的历史。光电二极管产品提供标准和定制设计，30 多年来一直为光子行业提供支持，并以高性能、质量和可靠性赢得了声誉。随着 2011 年收购 International Radiation Detectors (IRD) 和 2014 年合并 Cal Sensors (CSI)，Opto Diode 现在提供从极紫外到中红外 (mid-IR) 区域的业界性能探测器。电磁频谱。我们的产品提供高能粒子、电子、X 射线和紫外线检测，以及区分痕量气体或检测中红外光谱中的热量、火花或火焰的灵敏度。特性&bull 四线键在模具角&bull 非常均匀的光束&bull 标准3引线TO-39密封封装&bull 芯片尺寸:0.026“x 0.026”总输出功率，Po IF = 500 mA 160 250 mW峰值发射波长，λP IF = 50 mA 850 nm光谱带宽在50%，Δλ IF = 50 mA 40 nm半强度光束角，θ IF = 50毫安110度正向电压，VF IF = 500 mA 1.7 2伏反向击穿电压，VR IR = 10µ A 5 30伏上升时间IFP = 50 mA 20 nsec下降时间IFP = 50 mA 20 nsec功耗1 1000mw连续正向电流500毫安峰值正向电流(10µ s, 200 Hz)2 1.5 A反向电压5v铅焊温度(1/16"从外壳10秒)260°C存储和工作温度范围-40°C至100°C热阻，RTHJA1 145°C/W典型热阻，RTHJA2 75°C/W典型天津瑞利光电科技有限公司于2016年成立，坐落于渤海之滨天津，地理位置得天独厚，交通运输便利，进出口贸易发达。凭借着欧洲的采购中心，我们始终为客户提供欧美工业技术、高新科技等发达国的光电设备、光学仪器、机电设备及配件、电气成套设备、工业自动化控制设备产品，同时拥有多个品牌的授权经销和代理权。

SHAW SDT-Ex是一种紧凑的、3线、4-20mA的露点发射器，设计用来满足严格工业应用的要求。SDT-Ex 本质安全认证，符合 ATEX II I GD Ex ia IICT4 Ex ia D20 T135 °C (-20 °C ≤Ta+60 °C) 使用信号隔离器用于危险区域。结合了先进的电子设备，SDT-Ex供电为7-28V直流非隔离电源，配置输出一个线性、 隔离的,4 - 20 mA 信号，最大传输距离达1000米。利用超高电容SHAW露点传感器，不同露点范围覆盖从 -100 °C to +20°C ，4-20mA输出，可配置以 °C , °F , ppm(v), g/m3 and lbs/MMscf 为单位。这个样品单元包含坚固的外壳，提供 IP66/NEMA 4X级的防风雨保护。SDT-Ex随机提供了校准证书，可追溯到国家和国际湿度标准，说明手册，2米线缆。特点：3 线, 24 V, 4 - 20 mA 露点发射器本质安全： ATEX II I GD Ex ia IIC T4多测量范围: 覆盖 -100 °C to +20 °C 露点输出配置单位 ：°C 露点, °F 露点,ppm(v), g/m3和 lbs/MMscf精度： ±2 °C 露点 (±3.6 °F)防风雨等级： IP66/NEMA 4X开路/短路检测4 - 20 mA 线性信号输出自带包装, 坚固 、可靠提供校准证书可追溯至国家和国际湿度标准

美国SONOTRONICS公司——PT系列微型信号发射器美国Sonotronics公司推出PicoTag系列发射器，它们是Sonotronics产品线中最小的声学发射器，水中重量从0.6克开始。这些微型发射器将使研究人员获得以前不可能获得的关于小型物种的有价值的信息。PicoTag是标准的水滴状封装，如图所示。这种封装更常用于内部植入物或粘接发射器的情况下。可定制略微延长的封装，可包含用于外部安装的小钻孔。包装变化会导致重量和尺寸规格的变化。型号及参数：型号长度直径重量（水中）重量（空气中）范围寿命PT-116 mm7.1 mm0.6 g1.25 g300m+7天PT-219 mm7.1 mm1.0 g1.7 g500m+12天PT-319 mm7.8 mm1.0 g2.0 g750m+21天PT-425 mm9.0 mm2.3 g4.1 g750m+90天 更多关键词：微型信号发射器

EP-SH-N离子棒的每个发射极分别电容耦合至高压。如果触摸发射器，这将防止电击。另一个优点是，即使多个发射极短路（例如由于严重污染），离子棒仍可继续工作。 特点短工作距离：150毫米（MAX）触摸安全发射器即使许多点短路（例如由于严重污染），活塞杆仍可继续工作 规格参数工作压力：7 kV交流工作距离：150mm（Max）外壳材料：阳极氧化铝内棒材料：聚氯乙烯发射点：特殊合金电缆：金属屏蔽重量：0.5公斤/米环境温度：0-55°C使用条件：工业选配：弯角电缆出口匹配电源：A2A7S / MPM认证：UL认证 深圳市荣盛源科技有限公司 ( VSY-Technology Co.,Ltd )，成立于2009年。我们一直专注于电子/工业领域的静电控制，静电接地与在线监测与防护系统、静电驻极设备、除尘洁净设备及IML模内静电贴标的应用设计、研制和销售一体的供应商。二十年来紧跟现代工业生产的步伐并不断学习钻研和累积，非常了解现代各工业领域生产环节上所碰到的相关问题。在IML模内贴标、包装、电子组装、静电驻极等方面的非标设计和解决方案！我们将秉承务实、负责的经营理念为大家提供适合的服务和解决方案！电子应用：静电控制设备、无尘室洁净设备、除静电表面清洁机、净化环境工程解决方案；工业应用：静电控制设备、薄膜/片材表面洁净、印染涂布、纸品印刷除尘洁净系统、覆膜贴合、无纺布静电应用配套设计；包装应用： IML模内静电自动贴标、食品包装非标静电发射器的设计与解决方案；接地检测：人员与设备的静电在线检测和监控；防静电耗材：导电材料、导电毛刷、防静电袋、屏蔽袋。

MCM30 高压发生器是一个强大的开关模式静电发生器，提供暂时性粘合材料的加静电和各种静电发射器所需高压输出应用。MCM30小巧而功能强大，为各种生产工艺提供简单经济的解决方案。主体采用ABS(UL94V-0)材质，轻巧而耐用，12个端口多用途连接口，面板采用LED 灯显示模式，包含：工作模式(电压/电流)、输出强弱显示(0%)、工作电源、超载警示、正常、损坏以及输出水平强弱，旋转调节键(非数显)人性化设计。 规格参数输入电压：24VDC,3A (75W)工作电压：3-30KV / DC输出电流：0.1-1mA (max)（30W）工作温度：0-40℃外壳：ABS塑料（UL94V-0），黑色输出端口： 1规格尺寸： 197 x 76 x 67 mm本体重量： 0.77kg安装模式： 4孔固定深圳市荣盛源科技有限公司 ( VSY-Technology Co.,Ltd )，成立于2009年。我们一直专注于电子/工业领域的静电控制，静电接地与在线监测与防护系统、静电驻极设备、除尘洁净设备及IML模内静电贴标的应用设计、研制和销售一体的供应商。二十年来紧跟现代工业生产的步伐并不断学习钻研和累积，非常了解现代各工业领域生产环节上所碰到的相关问题。在IML模内贴标、包装、电子组装、静电驻极等方面的非标设计和解决方案！我们将秉承务实、负责的经营理念为大家提供适合的服务和解决方案！电子应用：静电控制设备、无尘室洁净设备、除静电表面清洁机、净化环境工程解决方案；工业应用：静电控制设备、薄膜/片材表面洁净、印染涂布、纸品印刷除尘洁净系统、覆膜贴合、无纺布静电应用配套设计；包装应用： IML模内静电自动贴标、食品包装非标静电发射器的设计与解决方案；接地检测：人员与设备的静电在线检测和监控；防静电耗材：导电材料、导电毛刷、防静电袋、屏蔽袋。

总览垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。结构由镜面，有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型，N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成，在P型DBR外表面制作金属接触层，形成欧姆接触，并在P型DBR上制作一个圆形出口，输出激光。Die 2222 795 S 1M S5, S6, S7 0.13mW 0.16X0.20 795 nm , VCSEL单模垂直腔面发射激光器GaAs,795 nm , VCSEL单模垂直腔面发射激光器GaAs中心波长795nm输出功率0.13mW技术参数应用原子钟磁力计特点:包装: 裸片芯片工艺: GaAs 垂直腔面发射激光器激光波长: 795 nm辐射剖面: 单模ESD: 250 V acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)最大额定值Ta = 80°C 参数符号值操作/焊接温度DC = 100%TS最小值最大值-20°C110°C储存温度Tstg最小值最大值-40°C125°C正向电流（保持单模）直流操作 DC = 100% TS = 75°CIf最大值1.5 mA正向电流直流操作 DC = 100% TS = 75°CIf最大值3mA反向电压不适合反向操作ESD耐电压acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)VESD最大值250 V 注意:超出绝对最大额定值范围的应力可能会对设备造成永jiu性损坏。 特点Ta = 80°C, IF = 1.4 mA DC = 100% - Group 3 参数符号值正向电流VF典型值1.8 V输出功率Φ典型值 0.13 mW阈值电流Ith典型值0.75 mA斜率效能SE典型值 0.21 W / A单模抑制比SMSR最小值 20 dB偏振消光比5)PER最小值15 dB峰值波长λpeak-v最小值典型值最大值794.5 nm795 nm795.5 nm光谱线宽度Λlinewidth最大值100 MHz调频调制带宽Fm最小值3.4 GHz波长温度系数TCλ典型值0.055 nm / K半峰全宽处视场(50% of Φmax)φxφY典型值典型值12°12°1/e2处 视场φxφY典型值 典型值20°20° 注意:波长,输出功率根据操作温度和电压的变化而变化。相对光谱发射 1)辐射特征 1)正向电流 1) 2)光输出功率 1) 2)尺寸图 3)产品标签包装注意事项 根据操作模式的不同，这些设备发射出高度集中的可见光和非可见光，这可能对人眼有害。包含这些设备的产品必须遵循IEC 60825-1中给出的安全预防措施。 除其他物质外，该装置的子组件还含有金属填充材料，包括银。金属填充材料可能会受到含有侵略性物质的环境影响。因此，我们建议客户在存储、生产和使用过程中尽量减少设备接触腐蚀性物质。当使用上述试验进行试验时，显示出可见变色的装置在规定的试验持续时间内未显示出故障限值范围内的性能偏差。 IEC60810中描述了相应的故障限值。 术语 1) 典型值：由于半导体器件制造工艺的特殊条件，技术参数的典型数据或计算关联只能反映统计数字。这些不一定对应于每个产品的实际参数，这些参数可能不同于典型值和计算相关或典型特征线。由于技术改进，这些典型值数据将被更改，恕不另行通知。2) 测试温度: TA = 85°C ± 2°C3) 尺寸公差:除非图纸中另有说明，公差以±0.1规定，尺寸以mm规定。4) 波长:连续波长测量，分辨率±0.1 nm。5) 偏振: 在安装或封装引起的模具应力条件下，偏振消光比会降低。订购信息 描述工作模式订购代码Group 1 - Die 2222 795 S 1M S5,S6,S7 0.13mW 0.16X0.20Ta = 60±10°C IF = 1.4 mA DC = 100%, 795nmV00145 Group: 1Group 2 - Die 2222 795 S 1M S5,S6,S7 0.13mW 0.16X0.20Ta = 70±10°C IF = 1.4 mA DC = 100%, 795nmV00145 Group: 2Group 3 - Die 2222 795 S 1M S5,S6,S7 0.13mW 0.16X0.20Ta = 80±10°C IF = 1.4 mA DC = 100%, 795nmV00145 Group: 3Group 4 - Die 2222 795 S 1M S5,S6,S7 0.13mW 0.16X0.20Ta = 90±10°C IF = 1.4 mA DC = 100%, 795nmV00145 Group: 4Group 5 - Die 2222 795 S 1M S5,S6,S7 0.13mW 0.16X0.20Ta = 100±10°C IF = 1.4 mA DC = 100%, 795nmV00145 Group: 5 795 nm , VCSEL单模垂直腔面发射激光器GaAs,795 nm , VCSEL单模垂直腔面发射激光器GaAs

阴极发射体 Kimball Physics设计和制造各种高性能电子发射器，以满足客户的各种需求。这些发射器专为高亮度、长寿命或坚固的可靠性而设计，用于Kimball Physics电子枪以及我们客户的高性能仪器和工具。阴极/发射器既有标准产品，也有定制设计，应用包括电子显微镜、光刻、X射线生成、自由电子激光器、电子加速器等。阴极发射体阴极类型： 阴极发射体基座类型：● 六硼化镧（LaB6）高亮度单晶 ● 带有Kovar或钼引脚的高公差陶瓷 LaB6高亮度单晶——标准和保护环 ● 标准陶瓷AEI底座 LaB6用于电子显微镜-适用于大多数系统 ● Compact Kimball Physics CB-104基座● 圆盘阴极 ● 各种显微镜底座 钽（Ta）标准耐火圆盘 ● 阴极也可以安装在客户提供的底座上 用于低温操作的氧化钡（BaO）涂层圆盘 钇（Y2O3）涂层铱盘，可承受较差的真空度阴极发射体选型参考表* electron microscope Bases Available: Zeiss, VG-AEI replacement, VG, Philips, Perkin Elmer/ ETEC, Leica-AEI, JEOL-K, JEOL-GC (JSM, JEOL-E, ISI 2-pin, Hitachi S, ETEC, Electroscan-AEI, Camscan-AEI, Cameca-AEI, BioRad-AEI, Amray, AEI* Configurations Available: Code (Cone angle – microflat size(microns): 60-06, 90-15, 90-20Note- not all combinations are available (Cone angle, microflat dimension, with/without GR and base style, or Disc dimension and base). However, custom options are often available.** Richardson constant (A/m2K2 ) LaB6 = 29, Other materials for reference CeB6 = 3.6★★★ 更多电镜方面产品信息，比如，磁透镜、真空腔等，可咨询上海昊量光电设备有限公司。关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。

一,852±10nm单模VCSEL激光器 1mw PhilipsPhilips单模VCSEL激光器具有出光功率高，线宽窄以及良好的一致性目前深受国内科研客户青睐。目前我们现有库存波长760nm 用于TDLAS氧气检测，以及795nm用于Rb原子钟实验，还有852nm用于CS原子冷却。852±10nm单模VCSEL激光器 1mw Philips,852±10nm单模VCSEL激光器 1mw Philips产品特点● 垂直腔面发射激光器● 窄线宽 ● 内部TEC和热敏电阻 ● 2 nm TEC的可调性● 为铷共振激发而设计TO46&TEC● 特定工作条件：激光电流IOP = 2 mA 目标波长 λt = 794.7 nm @ TOP (由TEC调节)产品应用● CPT原子钟● 光学相干实验通用参数产品尺寸带TEC管脚配置不带TEC管脚定义技术参数参数符号最小值典型值最大值单位备注入射波长λR851852853nmT = 20°C, ITEC = 0, POP= 0.5 mW阈值电流ITH0.50mAT = 20°C输出功率Popt0.50mWT = 0 … 50°C阈值电压UTH1.80V激光电流IOP2.0mAPopt = 0.5 mW激光电压UOP2.0VPopt = 0.5 mW电光转换率ηWP12%Popt = 0.5 mW斜率效能ηS0.3W/AT = 20°C微分串联电阻RS250ΩPopt = 0.5 mW3dB调制带宽ν3dB0.10GHzPopt = 0.5 mW(由于ESD防护二极管)相对噪声强度RIN-130-120dB/HzPopt = 0.3 mW @ 1 GHz波长调谐电流0.6nm/mA波长调谐温度0.06nm/K热电阻Rthermal35K/mW边模式抑制30dB光束发散度θ1025°Popt = 0.5 mW满1/e2带宽光谱带宽Δν100MHzPopt = 0.5 mWTEC电流ITEC500mA需适当散热器NTC热敏电阻9.510.010.5kΩT= 25°C,NTC温度依赖性10/exp[3892(1/298K-1/TOP)]kΩ波长调谐TEC电流0.008nm/mATEC电流 200 mA绝对最大值● 储存温度 -40～125°C ● 工作温度 -20～80°C● 电功率损耗 5 mW● 正向激光电流 2 mA● 反向电流 10 mA ● 焊接温度* 270C°● *TEC 温度必须低于 150°C光谱图二, VCSEL 垂直腔面发射半导体激光器 1567/1550nm 1mW垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。结构由镜面，有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型，N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成，在P型DBR外表面制作金属接触层，形成欧姆接触，并在P型DBR上制作一个圆形出口，输出激光。它具有较小的远场发散角，发散角光束窄且圆；并且阈值电流低，调制频率高，能达到300KHz。通过改变激光电流跟温度可以实现波长调谐。内置TEC和PD的包装，它专为高速光纤通信而设计。VCSEL 垂直腔面发射半导体激光器 1567/1550nm 1mW ,VCSEL 垂直腔面发射半导体激光器 1567/1550nm 1mW产品特点● 7 Pin 小尺寸● 非球面透镜帽● 集成TEC控制温度稳定● 输出功率1.6mW● 单模，可以通过C-L波段● 具有宽谱调谐范围：8nm● 快速波长调谐（~100KHz）产品应用● TDLAS 测量气体系统● 人脸识别● 激光雷达● 数据中心，云计算通用参数条件：P=20°C，IO P=2.0mA，除非另有说明(P=芯片背面温度，由TEC控制)参数符号值单位Min典型Max光输出峰值功率@25 CP1.01.6mW工作偏置电流Iop01825mA工作温度范围Top-402585°C阈值电流Ith812mA斜率效率(CW，Tc=25°C)Se0.140.18mW/mA激光驱动电压VCC01.52.5V阻力RS50Ω中心波长请在订购单中注明所需的中心波长。Δλ15251575nm保证调谐范围施加正电压会降低峰值波长。λ810nm最大频率调谐响应fmax100200-KHz侧模抑制比SMSR3040dB线宽(-3dB半高宽)，连续偏压=IOPσ300MHz相对强度噪声RIN-128dB/Hz调谐电压Vture0Test SheetTest SheetV调谐电流Itune0-100μATec电压VTEC0.351.5VTec电流ITEC0.050.6A实验数据我们对于VCSEL激光器进行了相关实验，测量了VCSEL激光器的电压，电流与波长的关系，以及频率的关系。 VCSEL光谱图 VCSEL激光器测量底座1、电压与波长的关系我们给激光器加载4-18V的电压，每2V电压增加一个点，测量如上图数据，我们会发现，随着电压的增加，波长随着减小，减小了8nm左右，呈现负向接近线性曲线。2、电流与波长的关系我们保持电压恒定，电流调节，从13到25mA,每3mA测试一次，发现电流调节，波长大小变化比较大，且呈现一个正向线性曲线。3、加载不同频率的变化加载5V电压，20KHz频率波形 加载5V电压，40KHz频率波形加载5V电压，60KHz频率波形 加载5V电压，80KHz频率波形加载5V电压，100KHz频率波形加载5V电压，120KHz频率波形加载5V电压，140KHz频率波形固定给5V电压，调整频率值，得到以上图形，我们的调制频率很高，可以携带更多的信息，响应速度更快。VCSEL激光的产生主要由三部分组成，即激光工作物质、泵浦源和光学谐振腔。利用泵浦源对工作物质进行激励，形成粒子数反转，发出激光。在通过底部和顶部反射镜组成的谐振腔，在激光腔内放大振荡，并从顶部反射镜输出，输出的光线只集中在中间不带有氧化层的部分输出，形成了垂直腔面的激光发射，从而得到稳定，持续，有一定功率的高质量激光。

产品说明 垂直腔面发射激光器阵列芯片（SLD）是边发射半导体光源。垂直腔面发射激光器阵列芯片（SLD）的独特特性是与输出激光二极管（LD）类似的高输出功率和低光束发散度，但具有更宽的光谱和低相干性，类似于发光二极管（LED）。超辐射发光二极管（SLD）在几何形状上与激光器类似，但是没有内置的LD反射机制用于受激发射以实现激光。与LD相比，超辐射发光二极管（SLD）操作的主要区别是：有源区内的增益更高，电流密度更高，光子的不均匀性和载流子密度分布更强。超辐射发光二极管（SLD）具有与LED相似的结构特征，通过降低刻面的反射率来抑制激光作用。超辐射发光二极管（SLD）本质上是高度优化的LED。虽然超发光二极管（SLD）像低电流水平的LED一样工作，但是它们的输出功率在高电流下也是超线性地增加。产品特点： 中心波长：750-1640nm 典型3dB带宽：10-110nm 典型输出功率：0.2-45mW 典型波纹：0.1-1dB产品参数： 中心波长(nm)光谱宽度(nm)输出功率(W)孔距(um)数组大小(um)型号9051035122 x 1222440 x 2430IPVSC09019401035122 x 1222440 x 2430IPVSC0902

外腔型垂直表面发射激光器 外腔型垂直表面发射激光器结合了半导体和薄片激光器的重要优点。半导体增益结构的波长多功能性，以及薄片概念的散热能力和外腔架构共同构成了通用的激光技术平台。这种组合提供了宽波长覆盖、高功率和可调谐窄线宽操作的高质量光束。利用分子束外延技术的专业知识制造高质量的半导体增益结构，在 630 nm 至 3 μm 的波长范围内具有定制特性。一、外腔型垂直表面发射激光器产品特点从近红外到可见光谱的高效腔内倍频宽波长范围单频、可调谐卓越的光束质量二、外腔型垂直表面发射激光器型号及参数（1）VALO SHG SF - 单频 VIS VECSEL 系统VALO SHG SF 是一种独特的可调谐单频 VECSEL 系统，具有高效的腔内二次谐波生成功能。这种新开发的激光器目前在 350-750 nm 之间提供瓦级输出功率，并匹配近红外 VALO SF 产品线相同的交钥匙 VECSEL 平台。产品参数：中心波长350 – 750 nm连续波长功率0.5 - 2 W 集成泵浦光调节中心波长±1nm锁线宽100 kHz (10 ms)尺寸大小320 mm x 190 mm x 100 mm (L x W x H)（2）VALO SF - 单频 NIR VECSEL 系统VALO SF 是一种单频 VECSEL 系统，可在 700–2100 nm 之间使用。VALO 在一个紧凑的封装中结合了一组独特的激光特性；即高功率连续波操作（1-4 W CW）、窄线宽（100 kHz）、宽调谐（~10 THz）和出色的光束质量（M 2 1.1）。该系统包括一个带有集成泵浦激光器的 VECSEL 头、一个控制单元和一个低振动冷却器。使用外部泵浦激光器可以达到 10 W 的输出功率。产品参数：中心波长700 – 2100 nm连续波长功率1–4 W集成泵浦光/12W外部泵浦激光调节中心波长~10 THz锁线宽100 kHz (10 ms)尺寸大小320 mm x 190 mm x 100 mm (L x W x H)更多详情欢迎直接联系昊量光电!关于昊量光电：昊量光电 您的光电超市！上海昊量光电设备有限公司致力于引进国外创新性的光电技术与可靠产品！与来自美国、欧洲、日本等众多知名光电产品制造商建立了紧密的合作关系。代理品牌均处于相关领域的发展前沿，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等，所涉足的领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防及前沿的细分市场比如为量子光学、生物显微、物联传感、精密加工、激光制造等。我们的技术支持团队可以为国内前沿科研与工业领域提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等优质服务，助力中国智造与中国创造! 为客户提供适合的产品和提供完善的服务是我们始终秉承的理念！您可以通过我们昊量光电的官方网站了解更多的产品信息，或直接来电咨询，我们将竭诚为您服务。

总览大面积激光二极管（也称为宽发光截面半导体激光器,宽条形或者宽发射器激光二极管，单发射器激光二极管和高亮度二极管激光器）是一种边发射激光二极管，其中位于前表面的发射区域的形状为宽条形。由于发射器是非对称的，光束的性质在两个方向上也是不同的大面积激光二极管是多模光源，可提供高达数十瓦的高输出功率。我们提供从 1030nm 到 1330nm 光谱范围的广泛广域激光二极管产品组合。标准产品具有不同的孔径尺寸（90/130/250um）和最大5mm的腔体长度。可以安装在submount, C-mount, TO-can 和光纤耦合封装中。更高亮度的光纤耦合源采用多芯片设计。我们的激光二极管用于广泛的应用：医疗设备（例如激光治疗） -工业材料加工（如焊接、焊接、钎焊） -泵浦固态和光纤激光器（例如Nd：YAG激光器） -传感器（例如意识传感器、气体传感器） -科研 -无线能量传输等。我们随时帮助您找到适合您工作的光源。如果您在我们的标准产品列表中没有找到合适的设备，我们可以提供适合您需求的定制解决方案。innolume Broad-area宽发射大面积激光二极管 1000-1330nm,innolume Broad-area宽发射大面积激光二极管 1000-1330nm通用参数C-mount与Submount封装型号参考部件号散热片 封装平均波长(Mean wavelength)输出功率工作电流阈值电流斜率效率Slope efficiency频谱带宽FWHM波长温度可调性慢轴光束发散快速轴光束发散台面宽度Mesa width mnWAAW/Amnnm/°CdegdegumBA-1020-XX-6WC-mount接口Submount接口1020670.60.8440.461690BA-1064-XX-6WC-mount接口Submount接口1064670.40.8640.463590BA-1064-XX-8WC-mount接口Submount接口10648100.50.8640.4735130BA-1064-XX-12WC-mount接口Submount接口106412140.70.9340.4835250BA-1064-XX-15WC-mount接口Submount接口106415180.70.9140.41034250BA-1120-XX-6WC-mount接口Submount接口1120680.70.8140.563490BA-1120-XX-8WC-mount接口Submount接口112081110.7940.4736130BA-1150-XX-4WC-mount接口Submount接口1150480.40.52100.584090BA-1160-XX-7WC-mount接口Submount接口116071410.53100.51035250BA-1180-XX-3WC-mount接口Submount接口1180360.50.39100.573890BA-1190-XX-6WC-mount接口Submount接口11906141.10.49100.5840250BA-1210-XX-4WC-mount接口Submount接口121047.50.50.56100.583490BA-1210-XX-5WC-mount接口Submount接口121059.50.60.57110.5833130BA-1210-XX-9WC-mount接口Submount接口12109171.00.5780.5927250BA-1240-XX-9WC-mount接口Submount接口12409171.50.59100.5929250BA-1280-XX-4WC-mount接口Submount接口128047.50.50.5890.573090BA-1280-XX-5WC-mount接口Submount接口12805100.70.55110.5730130BA-1290-XX-9WC-mount接口Submount接口12909201.80.5290.51131250BA-1310-XX-5WC-mount接口Submount接口13105111.00.50110.5830130BA-1320-XX-2WC-mount接口Submount接口1320230.60.5960.542830BA-1320-XX-3WC-mount接口Submount接口1320370.30.47100.584090光纤耦合封装功率参考 Broad-area大面积激光二极管(2-pin封装)波长，nm 单发射器2-pin 封装105um光纤400um光纤678785*80810306W11W10606W11W11006W11W11206W11W11503.2W11803.2W12003.2W12103.2W12703.2W13103.2W

垂直腔表面发射激光器（VCSEL） 短波长VCSEL 模式：单模，多模 多种波长可选：759nm，763nm，780nm，795nm，808nm，810nm，840nm，850nm，852nm，860nm，945nm，948nm，980nm 输出功率：5mw，6mw，12mw，24mw，100mw 封装：E2000连接器，SMA连接器，SMD，TO46can，TO56can，TO5can，无封装 近红外波段 VCSEL 概述：单模VCSEL激光二极管以几种标准或常用波长覆盖了从1400nm到2050nm整个近红外范围。垂直腔结构保证了低域值、低工作电流和极好的调谐性能。它的工作温度范围为0℃到50℃ (非冷却)。 应用：可调谐激光管吸收光谱(TDLAS)，气体的检测和监控，工业过程控制，空气质量监控，尾气测试。 应用于气体传感的标准波长： 特点： ² 低功率消耗，低域值电流 ² 内置TEC+热敏电阻控制温度，确保极高的波长精确度 ² 高压环境下的快速、宽调谐性能现场测试 ² 双温度下，提供单个激光器数据表完整描述 ² 多种小脚包装选择带TEC的TO-5封装，热敏电阻和保护环： T0 = 25℃时的电/光参数： 1: 最大绝对电流刚好由激光二极管数据表给出。 2: 当T0=25° C,在这些限度内，扫描电流时能保证达到目标波长&lambda 0± ∆ ë 0。 3: 稍稍改变温度可将波长调整到目标波长。 4: T0由 TEC控制，由热敏电阻测量。 To-5封装管帽图（单位：英寸）：

昕虹光电推出了为高功率、大电流QCL芯片（中心波长大于9.5μm）而全新设计的QC-Qube Plus量子级联激光发射头，尺寸为70×90×70mm3的激光铝合金屏蔽散热模组中，集成了高质量进口QCL激光芯片、大功率TEC、低噪声风扇和输出光束准直透镜组。更好的适应中远红外激光在较大的电流下的应用和更精确的控温。配合昕虹QC-2000驱动器，可以快速搭建一套基于QCL的激光发射光源，开箱即用，上手方便。大电流量子级联激光发射头QC-Qube Plus海尔欣产品特点 &bull 专为高功率、大电流QCL芯片设计&bull 单模输出光功率可达150mW，多模可达数百mW*&bull 极低光干涉条纹的准直光束&bull 集成大功率半导体 TEC ，强劲制冷能力*注：最终激光功率取决于激光芯片指标，昕虹光电对最终功率保留解释大电流量子级联激光发射头QC-Qube Plus海尔欣结构尺寸(单位: mm)

天津瑞利光电科技有限公司优势经销德国MENLOSYSTEMS太赫兹光电导发射天线TERA15-TX-FC产品型号：TERA15-TX-FC关键字：MENLOSYSTEMS太赫兹光电导发射天线TERA15-FC关键字描述：产品介绍：针对100MHz重复频率下1560 nm附近和脉冲宽度100 fs的激光器进行了优化具有单极性调制的较高偏置电压发射器/接收器应用的特定天线设计柔性光纤耦合模块两个垂直安装可能性（M4螺纹）MENLOSYSTEMS的用于1560 nm激光波长的光纤耦合TERA15-FC天线模块是灵活，强大的全光纤THz-TDS系统的独特解决方案。 高功率天线技术基于具有发射 高电压偏置的InGaAs / InAlAs多层台面结构。为了获得高THz带宽，为发射器和检测器提供了优化的结构。保偏（PM）耦合光纤即使在恶劣的环境条件下也可确保可靠且稳定的操作。参数：发射器天线材料：InGaAs / InAlAs感光度：高达1.57μm天线结构带状线，间隙：100 µ m光纤连接：PM-PANDA，l = 100厘米FC / APC连接器，根据要求提供SMF 28光纤天线电气连接：1 m连接器电缆，LEMO 0S外壳直径：24.95 mm平均光功率：30 mW脉冲持续时间：100 fs重复频率：100 MHz（80 ... 250 MHz）偏置电压：100 V调制，100 V（单极）调制频率：高达75 kHz（单极）THz脉冲形状：峰对峰值时间差800 fsFourier频谱：max. 0.3 THz20 dB等级： 1.5 THz本底噪声： 4.5 THz天津瑞利光电创立以来一直秉承'以诚兴业，共存共荣'的经营理念，视客户与伙伴为挚友，视员工为公司的宝贵财富，团结一致，开拓创新，勇于打破行业发展瓶颈，逐步构建并扩大公司在自动化领域的全球一体化供销网络与服务中心。'整合行业 资源，力争行业好口碑，勇做行业发展引擎'将是瑞利人永远的追求，我们愿与更多的用户和国内外 品牌供应商携手并进，一起为国内工业发展贡献力量，共同发展，共同繁荣。

总览这是一款适用于拉曼光谱和高分辨率应用场合的633nm高波长稳定性紧凑型激光系统。该系统提供异常稳定的单模激光发射，具有高达100m的相干长度，边模抑制比典型值为40dB，波长稳定性优于0.015nm，提供最大输出功率为40mw和70mw的两种型号成品。另外，用户也可根据波长或输出功率进行定制。产品特点● 特殊波长稳定性0.015nm● 相干长度可达100m● 输出功率高达70mw● 卓越的光束质量和稳定性● 温度稳定● 低成本，高效益产品应用● 分析仪器● 生物仪器● 共聚焦显微镜● 全息照相● LIDAR● 拉曼光谱学订购信息型号：Lambda beam WL 633-70名称：633nm高稳定紧凑型波长锁定激光系统波长：633nm相干长度：100m输出功率：70mW技术参数光学参数光束质量及尺寸信息参数参数指标光束直径1.1 × 2.2 to 1.2 × 2.8 mm发散角 1.2 mrad空间光束模式TEM00（多模激光器除外）偏振线偏振 100:1典型光束校准 5 mrad und 0.1 mm指向稳定性 5 μrad/K噪声 2 % RMS功率稳定性 1 % (10 h)控温精度 10 mK加温时间准备使用后5s，校准操作后3分钟驱动模式有效电流控制调制模式*可调恒定功率，模拟和数字外部调制高达1.5MHz控制模式通过USB控制，可选遥控器CDRH分类3b, 4（用于激光输出500mW）尺寸信息63.5 × 31.0 × 32.5 mm重量94g（激光头）工作温度0°C至45°C（不凝结）存储温度-25°C至70°C备注： *调制可能降低光束质量和稳定性 ；实际发射波长可能偏离指定波长最多±1nm。电源控制这款激光器需要激光控制器来提供功率和控制所有操作参数。 对于科学应用，我们建议使用我们的电源控制器。 对于工业集成，我们还提供高度紧凑的电源盒，直接连接到激光头或通过定制电缆连接。电源控制器及技术参数电源控制器调制输入模拟和数字0-5VDC调制频率up to 0.5 MHz数字接口USB*1(RS-232可选)控制输入联锁，按键开关，调制方式开关电缆长度80cm(默认）功耗12VDC，up to 2A(取决于激光输出功率）交流耦合100-240VAC，50-60Hz尺寸85.0×85.0×32.5mm重量416g紧凑型电源盒紧凑型电源盒调制输入模拟和数字0-5VDC调制频率up to 1.5MHz数字接口USB*1(RS-232可选)控制输入联锁电缆长度80cm(默认）功耗12-36VDC，up to 2A(取决于激光输出功率）尺寸39.0×31.0×32.5mm重量69g选项和附件选项和附件光束直径校准水冷基板偏振 ＞10000:1远程控制RC-1用于电源控制器光学机械快门RS-232接口可选择激光波长光纤耦合器控制软件功率稳定性测试功率稳定性测试系统典型功率稳定性曲线光束质量分析光束质量分析系统光束质量分析二维图光束质量分析三维图光谱分析

总览VALO SF是一种单频VECSEL系统，可在700–2100 nm之间使用。VALO在紧凑的封装中结合了一组特别的激光特性：高功率连续波操作（1–4 W CW），窄线宽（100 kHz），宽调谐（~10THz），高的光束质量（M21.1）。该系统包括带有集成泵浦激光器的VECSEL头、控制单元和低振动冷却器。外部泵浦激光器的输出功率大于10 W。VALO-SF-单频近红外NIR VECSEL系统（垂直外腔面发射激光器）,VALO-SF-单频近红外NIR VECSEL系统（垂直外腔面发射激光器）通用参数产品特点：科研用交钥匙VECSEL系统（垂直外腔面发射激光器）近红外波段覆盖波长范围宽单频可调谐高的光束质量技术参数：参数指标中心波长700 – 2100 nm功率（CW)1-4W集成泵浦激光器高达12 W外部泵浦激光器调谐范围（典型）粗调谐：中心波长~10 THz细调谐：2 GHz无跳模锁定线宽100 kHz (10 ms)光束质量M2 1.1锁频空腔压电元件VECSEL激光头尺寸320 mm x 190 mm x 100 mm (L x W x H)系统组成VECSEL激光头（集成泵浦激光器）VALO控制单元，用于连续波操作，19英寸-机架安装低振动冷却器（水-空气换热器），19英寸-机架安装尺寸信息：

总览VALO SHG SF是一种特的可调谐单频VECSEL系统，具有高效的腔内二次谐波产生功能。这种新开发的激光器目前可在350-750 nm之间使用，具有瓦级输出功率，并使用与我们的近红外VALO SF产品线相同的交钥匙VECSEL平台。VALO SHG SF 单频可见光VIS VECSEL系统350-750nm（垂直外腔面发射激光器）,VALO SHG SF 单频可见光VIS VECSEL系统350-750nm（垂直外腔面发射激光器）通用参数产品特点：科研用交钥匙VECSEL系统（垂直外腔面发射激光器）从近红外NIR到可见光VIS光谱的高效腔内倍频覆盖波长范围宽单频可调谐优秀的光束质量技术参数：参数指标中心波长350-750 nm输出功率（CW)0.5-2 W，采用集成泵浦激光器调谐范围（典型）粗调谐：中心波长±1nm细调谐：2 GHz无跳模锁定线宽100 kHz (10 ms)光束质量M2 1.2锁频空腔压电元件VECSEL激光头尺寸320 mm x 190 mm x 100 mm (L x W x H)系统组成VECSEL激光头（集成泵浦激光器）VALO控制单元，用于连续波操作，19英寸-机架安装低振动冷却器（水对空气或水对水），19英寸机架安装黄色583 nm系统的示例数据用于铒（Er）的激光冷却衍射输出功率超过2W用于频率锁定的二级近红外光束1.583 nm输出功率VS泵浦电流曲线双折射滤波器旋转调谐曲线外观尺寸图

总览 1550nm VCSEL是一种垂直发射MOVPE生长的GaAsP/AlGaAs单模二极管激光器。波长调谐可以通过激光电流和温度调谐来实现。内置TEC和PD。 1550 nm可调谐VCSEL垂直腔面发射激光器（带TEC，带准直透镜）,1550 nm可调谐VCSEL垂直腔面发射激光器（带TEC，带准直透镜） 通用参数 产品特点：TO-56 7针小型封装外形非球面准直透镜集成TEC（温度稳定）CW光输出功率：典型1.6mW（@20°C TEC温度）单模VCSEL中心波长可以在通过C和L波段的几个波段。宽调谐范围：8nm高调制带宽（10 Gbps）快速波长调谐（约100 kHz）产品应用：光通信扫描光源光学气体传感激光雷达技术参数：条件：TO P = 20°C, IO P = 2.0 mA除非另有说明（P=芯片背面温度，由TEC控制） 参数符号指标单位最小典型最大光输出峰值功率@25º CP1.01.6mW工作电流Iop01825mA工作温度Top-402585°C阈值电流Ith812mA斜率效率 (CW, Tc=25°C)SE0.140.18mW/mA激光驱动电压Vcc01.52.5V电阻Rs50Ω中心波长（请指Ding中心波长）Δλ15251575nm保证调谐范围 （施加正电压会降低峰值波长）λ810nm最大调谐响应速率fmax100200-kHz边模抑制比（SMSR）SMSR3040dB线宽 (-3 dB FWHM), CW Ibias=Iopσ300MHz相对强度噪声RIN-128dB/Hz调谐电压Vtune0Test SheetTest SheetV调谐电流Itune0-100μATEC 电压VTEC0.351.5VTEC 电流ITEC0.050.6A 绝对最大值参数符号指标单位存储温度Tstg-20 to +85°C工作温度Tc-5 to +70°C正向电流ILD25mA反向电压VLD3V焊接温度Tsld350 (10 sec.)°C(*TEC温度必须低于 150°C） 测试光谱图波长调谐曲线功率曲线图：引脚定义：示例型号PL-VCSEL-□□□□-☆-A8▽-XX□□□□: Wavelength1540: 1540nm1550: 1550nm*****1570: 1570nm☆ : TEC0：Without TEC1：With TEC▽：Wavelength Tolerance1：±0.5nm2：±1.5nmXX: PackageTO56 1550 nm可调谐VCSEL垂直腔面发射激光器（带TEC，带准直透镜）,1550 nm可调谐VCSEL垂直腔面发射激光器（带TEC，带准直透镜）