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原射描分析

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原射描分析相关的论坛

  • 【资料】中科院研究生教学丛书--X射线荧光光谱分析（扫描清晰版）

    [size=4]中科院研究生教学丛书--X射线荧光光谱分析（扫描清晰版）都是一页一页扫描下来的[color=#DC143C]本书为《中国科学院研究生教学丛书》之一。 本书系统地介绍了X射线荧光光谱分析的理论、测试技术和实际应用，以及近年来的重要进展。书中重点论述了波长色散和能量色散X射线荧光光谱所涉及的基本理论和实验技术、理论强度计算公式、基体校正、样品制备、定量分析和光谱仪结构性能等内容。此外，本书还对近年来提出的半定量分析、薄膜和镀层分析、不确定度评定、化学计量学研究在X射线荧光光谱分析中的应用及普通波长色散X射线荧光光谱仪在化学态分析中的应用等领域作了专门论述。 本书概念清晰、图文并茂、结合实际，既可作为综合性大学及理工科院校化学及化学工程专业学生和教师的教学用书，也可供从事X射线荧光光谱分析的工作者和科学研究人员参考[/color][/size][img]http://www.instrument.com.cn/bbs/images/affix.gif[/img][url=http://www.instrument.com.cn/bbs/download.asp?ID=141485]中科院研究生教学丛书--X射线荧光光谱分析[/url][img]http://www.instrument.com.cn/bbs/images/affix.gif[/img][url=http://www.instrument.com.cn/bbs/download.asp?ID=141487]中科院研究生教学丛书--X射线荧光光谱分析[/url][img]http://www.instrument.com.cn/bbs/images/affix.gif[/img][url=http://www.instrument.com.cn/bbs/download.asp?ID=141488]中科院研究生教学丛书--X射线荧光光谱分析2[/url]

  • 【求助】请教衍射分析中ω扫描和φ扫描原理

    我们最近做的薄膜样品光用X射线θ-2θ扫描不能精确的描述样品的织构，看有些文献可以用ω扫描和ψ扫描来测定，可是我查阅许多测试分析的文章和书籍都没有详细介绍这两种测试的原理的。请教楼上各位，有没有谁有这方面文献资料的。

  • 扫描电镜及X-act成分分析有无辐射

    请问大家可以帮我解答一下吗????????????，扫描电镜及X-act成分分析有无辐射，对正在准备备孕的女性有无影响？目前已经使用电镜设备及成分分析已经三年了，对于备孕及怀孕能使用电镜设备吗？或者怀孕时使用有辐射影响吗？[img]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2024/07/202407161542400600_1814_6578170_3.jpg[/img]

  • 【原创大赛】【欧波同材料分析研究中心】扫描电镜新技术——同轴透射菊池衍射(TKD)技术的应用

    【原创大赛】【欧波同材料分析研究中心】扫描电镜新技术——同轴透射菊池衍射(TKD)技术的应用

    [align=center][b]扫描电镜新技术——同轴透射菊池衍射(TKD)技术的应用[/b][/align][b][b]引言[/b][/b]扫描电镜中的被散射电子衍射技术(EBSD)在确定材料结构、晶粒尺寸、物相组成以及晶体取向甚至是应力状态标定都有一定的涉及。通过电子衍射技术的进一步发展，Keller与Geiss基于EBSD技术相同的硬件与软件，通过改变样品台的倾角，使得荧光闪烁体信号接收器在样品下方接收透射电子衍射信号，从而代替原先的背散射信号。这种新技术称为Transmission Kikuchi diffraction（TKD）也由于它的信号接收方式特点也被称为t-EBSD。由于接收信号的方式由被散射电子信号转为透射电子信号，其分辨率得到了明显的提升，由原来的EBSD技术的几十纳米(20-30nm平行于电子束的方向，80-90nm垂直于电子束的方向)提高到了TKD技术的10纳米。由于电子束与材料交互作用体积的减少，分辨率提高，使得分析超细晶材料以及其中的纳米颗粒的到了实现。为了改善电子衍射信号接收能力，一种新型的电子束－样品－接收器(on-axis TKD)共轴TKD式的几何设计在法国洛林大学([i]Université de Lorraine[/i])与布鲁克公司联合组装使用，这个新装置不仅可以接收菊池花样还可以接收衍射点的信息。虽然此时TKD的说法已经不能十分贴切的描述实际情况，应该改为扫描电镜中的透射衍射(Transmission Diffraction )更为合理。由于传统上TKD缩写已经被普遍接受，所以我们在本文中以共轴透射菊池衍射(on-axis TKD)来表述此种新方法。这种新型的接受方法比传统的非共轴TKD(off-axis TKD)方法得到更高的信号强度。同时，共轴TKD方法由于其接收信号的对称性，可以使得原先非共轴TKD方法得到的扭曲的信号得以矫正。本文的主要目的是揭示透射衍射花样随着不同试验条件、样品参数(电子束入射强度、样品与探测器的距离、样品的厚度、样品的原子序数)的变化规律。帮助试验人员选择衍射花样中的合适的衍射数据(点、线、带)，以及相应的设置电镜与样品的参数。最后在实际的纳米材料中采用TKD技术对样品进行纳米尺度的分析研究。[b][b]试验方法[/b][/b]所有的试验都是基于ZEISS Supra 40型号与ZEISS Gemini SEM进行的，配备的设备是Bruker e-Flash[sup]1000[/sup]摄像机，对应的探测器型号是Bruker OPTIMUS。如图1所示，传统的TKD系统与on-asix TKD系统的探头接收方向并不相同。图2表示了FIB制样方法获得的楔形单晶Si薄片式样，样品厚度在25nm到1[color=#262626]μm之间，[/color]用于后续的试验检测。[align=center][img=,663,178]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/08/201808161059079581_831_2516543_3.png!w663x178.jpg[/img][/align][align=center]图1 (a)同轴式透射菊池衍射(on-axis TKD) (b)传统非同轴透射菊池衍射(off-axis TKD)；(c)电子背散射衍射(EBSD)[/align][align=center][img=,527,199]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/08/201808161059266550_6119_2516543_3.png!w527x199.jpg[/img][/align][align=center]图2 实验用的FIB砌削的楔形Si单晶样品的SEM图像[/align][b]电子束入射能量、样品厚度以及原子序数对TKD衬度的影响[/b]1衍射衬度的种类在同轴TKD技术中，收集到的衍射花样衬度不仅仅受到显微镜参数的影响，对于不同的观察样品其衍射花样衬度也会有所不同。目前，样品的厚度与入射电子的加速电压是日常应用过程中最基本的影响因素，样品的密度与原子序数也是重要的影响参数，但是目前无法对其进行系统的分析。同时，信号接受探测器的摆放角度、与样品的测试距离也是在实际操作中影响信号接受质量的因素之一。我们可以把衍射花样分为两类：衍射斑点与菊池花样。菊池花样有三种不同的衬度：线衬度、亮带衬度、暗带衬度。2 菊池线与菊池带菊池线的形成原因在于，如果样品足够厚，那么将会产生大量以各种不同方向运动的散射电子；也就是说，电子与样品发生非相干散射。这些电子与晶体平面作用发生布拉格衍射。菊池线的形成有两个阶段，一是由于声子散射形成的点状的非连续的发射源，如图3(A)所示。第二是由于这些散射后的电子将相对于面hkl以[url=#3_8][color=#333333]θ[/color][/url][sub]B[/sub]运动(如图3B所示)，从而与这些特定晶面发生布拉格衍射。因为散射电子沿各个方向运动，衍射书将位于两个圆锥中的一个内(如图3C)。换言之，因为入射k矢量有一定的范围，而不是单一确定的k矢量，所以观察到的衍射电子的圆锥而不是确定的衍射束。考虑与hkl晶面成[url=#3_8][color=#333333]θ[/color][/url][sub]B[/sub]角度方向的所有矢量所构成的圆锥，称之为Kossel圆锥，并且圆锥角(90-[url=#3_8][color=#333333]θ[/color][/url][sub]B[/sub])非常小。由于荧光屏/探测器是平面并且几乎垂直于入射束，Kossel圆锥将以抛物线形式出现。如果考虑近光轴区域，这些抛物线看上去就像两条平行线。有时把这两条菊池线和他们之间的区域称为“菊池带”。[align=center][img=,690,483]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/08/201808161059578322_3496_2516543_3.png!w690x483.jpg[/img][img=,690,671]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/08/201808161100087772_157_2516543_3.png!w690x671.jpg[/img][/align][align=center][img=,690,833]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/08/201808161100463231_6823_2516543_3.png!w690x833.jpg[/img][/align]图3(A)样品在某一点处所有电子散射的示意图(B)部分散射电子以布拉格角[url=#3_8][color=#333333]θ[/color][/url][sub]B[/sub] 入射特定hkl晶面而发生衍射(C)这些圆锥与Ewald球相交，由于[url=#3_8][color=#333333]θ[/color][/url][sub]B[/sub]很小，在衍射花样上产生了近似直线的抛物线[color=#262626]3 布拉格衍射斑点[/color][color=#262626]与TEM中的衍射斑点形成原理相似，TKD中衍射斑点是由于低角弹性散射形成的，低角弹性散射是连续的，然而在高角范围内，随着与原子核的相互作用，散射分布并非连续，这也就解释了为何衍射斑点只能在低散射角度的区域才能够观察到。[/color]图4显示了单晶Si样品中，随着厚度变化引起的衍射信息变化，在样品较薄的区域我们可以看出衍射斑点的信息，随着样品厚度的增加，衍射斑点信息消失。菊池花样在样品时很薄的区域，衬度模糊，而在样品厚度很大时，衬度表现的较弱，其它阶段花样都比较清晰[color=#262626]。图5中可以看出，随着入射电子能量的降低，衍射斑点也逐渐消失。由此，可以认为衍射斑点的强度在样品厚度一定的前提下，可以认为是入射电子能量的函数。[/color][align=center][color=#262626][img=,664,620]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/08/201808161101409704_3414_2516543_3.png!w664x620.jpg[/img][/color][/align][align=center]图4 单晶Si在不同厚度下共轴透射菊池衍射(on-axis TKD)产生的透射衍射花样 [/align][align=center](a)43nm (b)45nm (c)48nm (d)52nm (e)65nm (f)100nm (g)200nm (h)300nm (i)1000nm 加速电压E＝15keV，探测器样品距离DD＝29.5mm，光阑尺寸60[color=#262626]μm，束流强度2nA，图像捕获时间(a-h)200ms×30images (i)990ms×30images[/color][/align]随着加速入射电子的加速电压的变化，透射菊池衍射花样的变化，可以看出，与图4中的变化规律相似。可以看出入射电子能量与样品厚度在对花样的衬度影响方面扮演着同样的角色。但是其原理并不完全一样，随着入射电子加速电压的降低，菊池带的宽度逐渐变窄。[color=#262626]图6所示，[/color]基于等离子体与声子的自由程的模型计算了出现衍射斑点的情况下，样品厚度与电子入射能量的关系，[color=#262626]可以看出入射电子的能量是产生电子衍射斑点的样品厚度的函数。[/color][align=center][color=#262626][img=,662,417]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/08/201808161102043308_9090_2516543_3.png!w662x417.jpg[/img][/color][/align][align=center]图5 单晶Si在不同加速电压下共轴透射菊池衍射(on-axis TKD)产生的透射衍射花样 加速电压(a)30keV (b) 25keV (c)20keV (d)15keV (e)10keV (f)7keV；样品厚度d＝150nm，探测器样品距离DD＝29.5mm，光阑尺寸60[color=#262626]μm，束流强度2nA，图像捕获时间(a-h)200ms×30images (i)990ms×30images[/color][/align][align=center][/align][align=center][img=,332,288]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/08/201808161102207634_9209_2516543_3.png!w332x288.jpg[/img][/align][align=center]图6 Si、Ti两种材料随着电子入射能量以及样品厚度变化为变量的布拉格衍射斑点显示示意图[/align][align=center][color=#262626] [/color][/align][b][b]实际样品测试[/b][/b]纳米材料由于其优异的力学、光学以及催化性能，在材料研究领域中已经成为新的研究热点。其中纳米金属材料由于其优异的力学性能已经得到了广泛的研究，特别是纳米孪晶铜材料，是最早研究的纳米金属材料之一，但是由于其晶粒尺寸小于100nm，其孪晶片层只有十几个甚至几纳米(图7)，使得以往的结构研究手段多采用透射电镜(TEM)的方法。但是由于TEM难以对大量晶粒的取向进行统计分析，这就需要用到扫描电镜的EBSD技术，介于传统的EBSD技术的分辨率的局限，一直少有纳米级别的分析。那么有了TKD的新型技术，就可以对纳米级别的材料进行细致的分析。[align=center][img=,690,1049]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/08/201808161102381001_6739_2516543_3.png!w690x1049.jpg[/img][/align][align=center]图7 纳米孪晶铜的TEM观察[/align]由于纳米孪晶的制备方法多采用电沉积的方法，得到薄膜形式的材料。所以在生长厚度方向上由于厚度较薄(约20nm)，本次实验是用金（Au）薄膜样品进行观察，采用的是场发射扫描电镜Zeiss Merlin Compact 以及Bruker OPTIMUS 同轴TKD探测器进行观察。结果如图8所示，可以看出片层结构的分布，经过进一步的分析，可以看出片层结构之间的界面角度为60度，可以确定为纳米孪晶，并且通过测量可以确定片层宽度仅有2nm。基于共轴TKD技术，让以往在SEM中难以完成的纳米结构的织构组织分析成为可能。并且对纳米尺度材料的性能提升提供了进一步的实验支持。[align=center][img=,575,328]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/08/201808211340333533_4548_3237657_3.png!w575x328.jpg[/img][/align][align=center][img=,690,337]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/08/201808211341036428_8760_3237657_3.png!w690x337.jpg[/img][/align][align=center]图8 (a)纳米金颗粒的孪晶结构PQ图与IPFZ叠加显示；(b)(a)图中线段处角度分布图[/align][b][b]小结[/b][/b]1. 共轴式透射菊池衍射技术可以在衍射花样中获得更加广泛的衍射信息：布拉格衍射斑点、菊池线以及菊池带2. 随着样品厚度的增加，衍射斑点、菊池线、菊池带依次产生。在样品较薄的状态下，菊池带呈现明亮的带状，随着样品后的增加，深色衬度在在带中出现并缓缓变暗，直至带状衬度明锐显现。3. 样品厚度与入射电子能量可以作为相关联的变量，影响着衍射信息的衬度；减小样品厚度相当于增加入射电子能量。也就是说要得到特定的衍射衬度，可以调整样品的厚度与调整入射电子束的能量这两种方法是等价的。4. 基于等离子体与声子的自由程的模型计算了出现衍射斑点的情况下，样品厚度与电子入射能量的关系。可以看出这二者呈线性关系，且根据元素的不同样品厚度与入射电子能量的比值的常数也有所差别。5. 采用共轴TKD技术测试了纳米孪晶铜的纳米片层结构，并且分辨出了2nm尺度的孪晶片层结构。

  • 半导体器件/材料焊接层\填充层空洞分析手段-超声波扫描显微镜

    半导体器件芯片内部失效分析 超声波扫描显微镜（扫描频率最高可以达到２Ｇ）． 其主要是针对半导体器件 ,芯片，材料内部的失效分析．其可以检查到:１.材料内部的晶格结构，杂质颗粒．夹杂物．沉淀物．2. 内部裂纹. 3.分层缺陷.4.空洞,气泡,空隙http://simg.instrument.com.cn/bbs/images/brow/emyc1002.gif请点激链接:半导体器件芯片失效分析 芯片内部分层，孔洞气泡失效分析C-SAM的叫法很多有，扫描声波显微镜或声扫描显微镜或扫描声学显微镜或超声波扫描显微镜(Scanning acoustic microscope）总概c-sam(sat)测试。ＸRAY 与C-SAM区别ＸRAY：X射线可以穿过塑封料并对包封内部的金属部件成像，因此，它特别适用于评价由流动诱导应力引起的引线变形　在电路测试中，引线断裂的结果是开路，而引线交叉或引线压在芯片焊盘的边缘上或芯片的金属布线上，则表现为短路。X射线分析也评估气泡的产生和位置，塑封料中那些直径大于1毫米的大空洞，很容易探测到. 而小于1毫米的小气泡空洞,分层.就非常难检测到.用X射线检测芯片焊盘的位移较为困难，因为焊盘位移相对于原来的位置来说更多的是倾斜而不是平移，所以，在用X射线分析时必须从侧面穿过较厚的塑封料来检测。检测芯片焊盘位移更好的方法是用剖面法，这已是破坏性分析了。C－SAM：由于超声波具有不用拆除组件外部封装之非破坏性检测能力，根据其对空气的灵敏度非常强的特性.故C-SAM可以有效的检出IC构装中因水气或热能所造成的破坏如﹕脱层、气孔及裂缝…等。 超声波在行经介质时，若遇到不同密度或弹性系数之物质时，即会产生反射回波。而此种反射回波强度会因材料密度不同而有所差异.C-SAM即最利用此特性来检出材料内部的缺陷并依所接收之讯号变化将之成像。因此，只要被检测的IC上表面或内部芯片构装材料的接口有脱层、气孔、裂缝…等缺陷时，即可由C-SAM影像得知缺陷之相对位置C-SAM服务超声波扫描显微镜(C-SAM)主要使用于封装内部结构的分析，因为它能提供IC封装因水气或热能所造成破坏分析，例如裂缝、空洞和脱层。C-SAM内部造影原理为电能经由聚焦转换镜产生超声波触击在待测物品上，将声波在不同接口上反射或穿透讯号接收后影像处理，再以影像及讯号加以分析。C-SAM可以在不需破坏封装的情况下探测到脱层、空洞和裂缝，且拥有类似X-Ray的穿透功能，并可以找出问题发生的位置和提供接口数据。主要应用范围：· 晶元面处脱层· 锡球、晶元、或填胶中之裂缝· 晶元倾斜· 各种可能之孔洞（晶元接合面、锡球、填胶…等）· 覆晶构装之分析C-SAM的主要特性： 非破坏性、无损伤检测内部结构 可分层扫描、多层扫描 实施、直观的图像及分析 缺陷的测量及百分比的计算 可显示材料内部的三维图像 对人体是没有伤害的 可检测各种缺陷（裂纹、分层、夹杂物、附着物、空洞、孔洞、晶界边界等）C-SAM的主要应用领域： 半导体电子行业：半导体晶圆片、封装器件、红外器件、光电传感器件、SMT贴片器件、MEMS等; 材料行业：复合材料、镀膜、电镀、注塑、合金、超导材料、陶瓷、金属焊接、摩擦界面等； 生物医学：活体细胞动态研究、骨骼、血管的研究等；

  • 【资料】熊猫收集－－X射线荧光分析技术应用的误区

    X射线荧光分析作为工业分析技术经历了几十年的发展历程，在水泥制造业已得到广泛应用。我国水泥工业中X射线荧光分析技术的应用和发展，基本上是在近25年中实现的。上个世纪七十年代末八十年代初，一方面随着大量新型干法水泥生产线的成套引进，大型X荧光光谱仪开始出现在我国水泥工业，另一方面，随着钙铁分析仪的研制成功，钙铁分析仪在水泥生产过程控制中迅速普及，形成了高端产品和低端产品两翼齐飞的局面；八十年代后期，采用管激发、Si(Li)半导体探测器的X射线荧光能谱仪曾一度受到关注，但到了九十年代初期，国产的源激发正比计数管多元素分析仪，以其简单实用的结构和价格低廉的优势迅速进入市场，成为以水泥工业为主要对象的中档产品；世纪之交前后，针对工业分析应用开发的小型多道X荧光光谱仪，随着我国水泥工业结构调整的步伐得以大量应用。可以说，目前在水泥制造业，X射线荧光分析仪的应用是处于百花齐放的时代。这种局面给用户带来了多种选择，同时也形成一些误区。本文试图跳出X荧光分析技术领域学术研究和商业行为的圈子，从水泥制造业应用X荧光分析技术的角度，提出一些避免误区的观点。 1．X射线荧光分析基本原理 荧光，顾名思义就是在光的照射下发出的光。X射线荧光就是被分析样品在X射线照射下发出的X射线，它包含了被分析样品化学组成的信息，通过对上述X射线荧光的分析确定被测样品中各组份含量的仪器就是X射线荧光分析仪。 从原子物理学的知识我们知道，对每一种化学元素的原子来说，都有其特定的能级结构，其核外电子都以各自特有的能量在各自的固定轨道上运行，内层电子在足够能量的X射线照射下脱离原子的束缚，成为自由电子，我们说原子被激发了，处于激发态，这时，其他的外层电子便会填补这一空位，也就是所谓跃迁，同时以发出X射线的形式放出能量。由于每一种元素的原子能级结构都是特定的，它被激发后跃迁时放出的X射线的能量也是特定的，称之为特征X射线。通过测定特征X射线的能量，便可以确定相应元素的存在，而特征X射线的强弱（或者说X射线光子的多少）则代表该元素的含量。 量子力学知识告诉我们，X 射线具有波粒二象性，既可以看作粒子，也可以看作电磁波。看作粒子时的能量和看作电磁波时的波长有着一一对应关系。这就是著名的普朗克公式：E=hc/λ。显然，无论是测定能量，还是波长，都可以实现对相应元素的分析，其效果是完全一样的。 2．X射线荧光分析仪的分类 2.1. 根据分光方式的不同，X射线荧光分析可分为能量色散和波长色散两类，也就是通常所说的能谱仪和波谱仪，缩写为EDXRF和WDXRF。 通过测定荧光X射线的能量实现对被测样品的分析的方式称之为能量色散X射线荧光分析，相应的仪器称之为能谱仪，通过测定荧光X射线的波长实现对被测样品分析的方式称之为波长色散X射线荧光分析，相应的仪器称之为X射线荧光光谱仪。 2.2. 根据激发方式的不同，X射线荧光分析仪可分为源激发和管激发两种：用放射性同位素源发出的X射线作为原级X射线的X荧光分析仪称为源激发仪器；用X射线发生器（又称X光管）产生原级X射线的X荧光分析仪称为管激发仪器。 2.3. 就能量色散型仪器而言，根据选用探测器的不同，X射线荧光分析仪可分为半导体探测器和正比计数管两种主要类型。 2.4. 根据分析能力的大小还可分为多元素分析仪器和个别元素分析仪器。这种称呼多用于能量色散型仪器。 2.5. 在波长色散型仪器中，根据可同时分析元素的多少可分为，单道扫描X荧光光谱仪、小型多道X荧光光谱仪和大型X荧光光谱仪。[color=#DC143C]发错版面，已经有人发过－－－熊猫[/color]

  • X射线荧光分析技术应用误区分析

    一、选型误区　　随着技术发展，X射线荧光分析仪的种类越来越多，商品名称也比较混乱，再加上用户对相关知识的了解有限，使得用户合理选择仪器的难度大大增加。　　误区1：强调“荧光”，许多用户误认为只有用X光管作为激发源的管激发仪器才是X荧光仪，一味地强调所谓“荧光”。事实上，如前所述，无论是采用X光管还是采用放射性同位素源作为激发源，只要是由X射线激发、通过测定被测样品发出的荧光X射线得出其化学成分及含量的仪器，都是X荧光分析仪。　　源激发和管激发各有优缺点。源激发类型的仪器结构简单、紧凑，特别是放射性同位素源发出X射线是自然现象，其强度是非常稳定的。虽然有着自然衰减，但这种衰减是遵循可描述的物理规律的，也就是说是我们可以准确计算出来的，而且作为商品化仪器选用的同位素源半衰期都比较长，在短周期内这种衰减几乎反映不出来。放射源的最大弱点在于，它发出的X射线强度小，能量分布不可调。因此可分析元素种类是受限制的，光路的几何布置必须非常紧凑，分析时间相对要长一些，谱线处理和定量分析计算难度较大。　　管激发型仪器的激发源是X射线管。与放射性同位素源相比，最大的优点在于其可调节性。通过调节管流和高压，可以在一定范围内改变输出X射线的强度和分布，进而有选择性地提高或减小对某些特定元素的激发效率，提高分析能力。再者，X射线管的输出强度远远高于放射性同位素源，光路的几何布置受限制小，可使用准直器、滤光片、狭缝等进一步提高性能。采用X光管的最大问题在于稳定性，给X光管提供高压的高压电源稳定性必须在万分之三以下，X光管本身还需要冷却，而且环境温度、电网波动等因素都会影响X光管输出X射线的稳定性，从而影响仪器的稳定性。因此，一般来讲，管激发仪器对使用环境及外围条件的要求要比源激发仪器高得多。　　误区2：重硬件轻软件和技术。任何一种分析仪器在某一领域的成功应用都是硬件、软件和分析技术有机结合的结果，三者缺一不可。毫无疑问，硬件是基础，但硬件并不能决定一切。从应用的角度来讲，硬件只有通过软件才能充分发挥作用，而分析技术涉及到仪器应用的每一个环节。一台好仪器，一定是建立在分析技术研究基础之上的，否则，它就很难适应众多用户的各种需求，这样的仪器等于没有灵魂。对于软件的考察，绝不能停留在画面的漂亮与否、花样是否齐全等表面文章上，关键要看采用的算法是否先进有效，建立在怎样的分析技术基础上，是否适应于主要被分析样品的特性，还要考虑是否适合操作人员的素质和能力。　　误区3：重价格轻服务。价格当然是选购商品的重要因素，但不应当是决定性因素。分析仪器各部件质量及其价格悬殊极大，并且直接决定了仪器的售价，单纯追求价格便宜，很难保证质量。对于X荧光分析仪这样的设备来说，服务往往更为重要。这里所说的服务不仅指安装调试、备品备件供应、维修服务等，更重要的是应用技术服务。对于大多数用户来讲，是不具备自行研究分析技术并用于指导应用的，这种情况下，技术服务显得尤为重要。　　误区4：听别人多，看自己少。用户在设备选型时经常会开展一些调研考察，一方面了解一些各种仪器及厂家的基本情况，作一些相互比较；另一方面会去一些与自己情况类似的用户那里考察。这当然是必要的。但最重要的还是要根据自己的实际情况和具体需求来选择。比如：以全厂质量控制为主要目的，样品种类多，需要做全分析，准确度要求高，应用环境比较好，可以考虑X荧光光谱仪；以生产过程控制为主要目的，应用环境较差则可考虑多元素分析仪、钙铁仪等源激发类仪器；原料不太好、波动大，没有预均化措施或很简陋，分析仪器要配置高一些，最好考虑在线分析仪器，在线钙铁仪加多元素分析仪或小型多道X荧光光谱仪便是很好的组合，当然，有条件的可以上中子活化在线分析仪，而原料稳定、预均化很有效，分析仪器的配置则可以低一些，多元素分析仪甚至离线钙铁仪便可以解决问题；操作人员素质较高，仪器可以选择小型多道X荧光光谱仪等功能多样、灵活性较大的，反之则应考虑选择功能单一、操作简单的源激发类仪器。二、技术指标误区　　评价一台仪器好坏的技术指标是多重、综合的。用户关心和看重的主要有分析元素范围，即我们通常所说的可分析元素有哪些，分析时间长短，精确度如何等。技术指标的重要性最终还是取决于应用目的。　　误区1：片面追求高指标。对于工业分析而言，被分析样品的种类是确定的，甚至是单一的，对结果的要求也是确定的。对于远远高出这些要求的指标的追求实际上是一种资源的浪费。比如：大多数水泥厂的控制分析只做钙、铁，用于率值控制需要测钙、铁、硅、铝，全分析则要求增加Na、Mg、S、K等元素，几万元的钙铁仪便可满足控制要求，如追求能测硅铝则需要约十万元的多元素分析仪，多元素分析仪完全可以满足率值控制四种主要元素分析的要求，如一定要提出更高精度和速度的要求就需要约百万元的小型多道X荧光光谱仪了。由于被分析样品的确定性，经验系数法是最有效的分析方法，如果一定要追求无标样法，便达不到经验系数法的效果。本来被测元素是确定的，而且数量有限，固定道就可以解决问题，一味追求可变道，既多花了钱，还牺牲了稳定性和分析时间;就能量色散型仪器而言，ADC道数也并非越多越好。　　误区2：片面追求准确度：每当谈到仪器性能，往往会自然而然地把结果是否准确作为第一判断标准，而且在日常应用中也会把大量的精力用于判断仪器“准不准”，最常见的就是与化学分析“对结果”。准确性固然重要，但作为工业分析而言，精密度决不可忽视，首先要关注的是精密度问题，也就是说，同一样品多次测量，其结果应有良好的一致性，每一测量结果与均值的差要足够小，至于测量值与真值的差，往往属于系统偏差，是可以进行数学校正的。　　误区3：不重视稳定性和重现性。所谓稳定性是指同一样品连续测量多次（通常为21次）的标准偏差，而重现性则是同一样品间隔较长时间后再次测量的结果之间的一致性。这两项指标是作为工业分析仪器的关键指标，工业分析的结果主要是用于生产过程的控制和参数调整，分析结果的相对变化直接关系着过程控制和调节。而相对变化的准确测量是建立在稳定性和重复性之上的。　　误区4：分析时间越短越好。X射线测量是随机事件的统计测量，是由统计规律决定的，计数的绝对量取决于测量时间，并直接决定着测量误差的大小，足够长的测量时间是测量精度的前提条件，为了保证测量精度，必须有足够的测量时间。三、分析技术误区　　分析技术是获得正确结果的保证。分析技术贯穿于仪器应用的全过程。分析方法的选择必须满足仪器应用的需要。　　误区1：标样制备太麻烦，最好用无标样法。X射线荧光分析事实上是一种对比分析，特别是经验系数法，测得的X射线强度与相应元素浓度的对应关系完全是建立在标准样品的基础之上的，必须制备足够数量的标准样品，标样的质量直接决定了分析结果的可靠性。基本参数法等无标样分析法一般是用于完全未知样品的初步分析的，所谓无标样也只是不需要系列标准样而已。　　误区2：标准样品可以购买别人的。由于每个用户的原料情况、配比是各不相同的，而对于X荧光分析而言，标样与被测未知样越相似，测定结果越好，因此，为了取得好的分析结果，各用户应自己配制标样。标样的配置应注意几个问题：　　（1）必须主要用生产用原料配制，个别少量组份可用化学试剂；　　（2）标样数目应大于被分析元素个数（至少多两个）；　　（3）标样中被测元素的含量范围应完全覆盖未知样品相应元素的浓度变化范围；　　（4）标样中各被测元素的浓度之间不应存在相关性。　　误区3：工作曲线的评价。通常对工作曲线的定量评价标准主要是相关系数和标准偏差，从数学上来讲，相关系数越接近1越好，标准偏差越小越好。但必须首先检查是否符合物理意义，斜率大小是否合适。　　误区4：基体校正中元素间影响因子的设定越多越好。如不考虑物理意义就数学结果而选择影响因子，就无法保证未知样分析的正确可靠。影响因子的设定应遵循相邻元素、主元素、浓度变化范围大的元素、重元素的原则，在此基础上根据经验试设。几点建议　　（一）仪器选型一定要适应本企业的实际情况，根据预想的主要用途和本企业原料、工艺乃至人员素质情况选购仪器；　　（二）再好的仪器也要靠人用，应当充分重视分析技术在仪器应用中的重要作用；　　（三）关于在线分析：近年来，中子活化在线分析取得的成功，使在线分析成为水泥工业分析的一个亮

  • 火花源/电弧原子发射光谱分析技术考核与培训大纲

    火花源/电弧原子发射光谱分析技术考核与培训大纲1 总则1.1 目标 熟悉火花源/ 电弧原子发射光谱（SPARK/ARC-AES ）分析技术基本概念及基础理论知识；了解 SPARK/ARC-AES 光谱仪组成结构及工作原理；具备SPARK/ARC-AES 光谱仪的实际操作能力；掌握SPARK/ARC-AES 分析技术在相关领域的应用。1.2 适用范围 本大纲适用于对金属固体样品进行直接分析的火花源/ 电弧原子发射光谱分析技术的考核与培训。适用仪器包括检测器为光电倍增管或CCD 的各类固定式、移动式火花源/电弧原子发射光谱仪。1.3 应具备的基础知识和技能1.3.1 通用基础 具备分析化学的基础知识。1.3.2 分析测试基本操作 具备分析化学实验的基本操作能力，具备实验室一般仪器和设备的操作能力。1.3.3 数据处理基础知识 具备数据统计处理和误差理论的基础知识。

  • [分享]扫描电镜在失效分析中应用(金属材料）

    资源共享[em01] 扫描电子显微镜在失效分析中的应用 自从1965年12月商品扫描电子显微镜问世以来，扫描电子显微镜得到了极为迅速的发展，是目前应用最成熟、最广泛、最实用的显微分析仪器，它在冶金、生物、地理、化工、农业等各方面均有极为广泛的用途。本文只简要地介绍一下扫描电子显微镜在失效分析中的应用。扫描电子显微镜最大特点是：焦深大，分辨率高，放大倍数变化范围广，对试验样品要求底，可直接观察，特别适合对粗糙表面的观察研究。扫描电镜的焦深要比光学显微镜的焦深大数百倍，可以观察粗糙的样品表面清晰细致的三维图象。分辨率是光学显微镜的40倍，配置X射线能谱仪，可直接探测样品表面的微区成分。已经被普遍应用于断口、磨损及腐蚀表面分析，特别适合做产品失效分析工作，因为人们可以首先在低倍下找好所感兴趣的区域，然后再调到高倍进行仔细观察分析，非常实用方便。

  • 【讨论】金属原位分析仪与火花源原子发射光谱仪的比较

    不知目前国内有多少人使用过金属原位分析仪，大家谈谈它与火花源原子发射光谱仪的异同吧。。。国内的金属原位分析仪能否走向世界，能否被国外所接受，它的发展前景如何，大家谈谈自已的看法吧。。。[img]http://simg.instrument.com.cn/bbs/images/brow/em09511.gif[/img]

  • 扫描电镜SEM和透射电镜TEM的区别

    一、分析信号1、扫描电镜扫描电子显微镜的制造是依据电子与物质的相互作用。当一束高能的入射电子轰击物质表面时，被激发的区域将产生二次电子、俄歇电子、特征x射线和连续谱X射线、背散射电子、透射电子，以及在可见、紫外、红外光区域产生的电磁辐射。同时，也可产生电子-空穴对、晶格振动（声子）、电子振荡（等离子体）。原则上讲，利用电子和物质的相互作用，可以获取被测样品本身的各种物理、化学性质的信息，如形貌、组成、晶体结构、电子结构和内部电场或磁场等等。扫描电子显微镜正是根据上述不同信息产生的机理，采用不同的信息检测器，使选择检测得以实现。如对二次电子、背散射电子的采集，可得到有关物质微观形貌的信息；对X射线的采集，可得到物质化学成分的信息。2、透射电镜根据德布罗意（De Broglie,20世纪法国科学家）提出的运动的微观粒子具有波粒二象性的观点，电子束流也具有波动性，而且电子波的波长比可见光要短得多（例如200千伏加速电压下电子波波长为0.00251纳米），显然，如果用电子束作光源制成的显微镜将具有比光学显微镜高得多的分辨能力。更重要的是，由于电子在电场中会受到电场力运动，以及运动的电子在磁场中会受到洛伦兹力的作用而发生偏转，这使得使用科学手段使电子束聚焦和成像成为可能。二、功能 1、扫描电镜1）扫描电镜追求固体物质高分辨的形貌，形态图像（二次电子探测器SEI)-形貌分析(表面几何形态，形状，尺寸） 2）显示化学成分的空间变化，基于化学成分的相鉴定——化学成分像分布，微区化学成分分析1)用x射线能谱仪或波谱（EDS or WDS）采集特征X射线信号，生成与样品形貌相对应的，元素面分布图或者进行定点化学成分定性定量分析，相鉴定。 2)利用背散射电子(BSE）基于平均原子序数(一般和相对密度相关）反差，生成化学成分相的分布图像；3)利用阴极荧光，基于某些痕量元素（如过渡金属元素，稀土元素等）受电子束激发的光强反差，生成的痕量元素分布图像。4)利用样品电流，基于平均原子序数反差，生成的化学成分相的分布图像，该图像与背散射电子图像亮暗相反。5)利用俄歇电子，对样品物质表面1nm表层进行化学元素分布的定性定理分析。3）在半导体器件（IC)研究中的特殊应用：1）利用电子束感生电流EBIC进行成像，可以用来进行集成电路中pn结的定位和损伤研究2）利用样品电流成像，结果可显示电路中金属层的开、短路，因此电阻衬度像经常用来检查金属布线层、多晶连线层、金属到硅的测试图形和薄膜电阻的导电形式。3）利用二次电子电位反差像，反映了样品表面的电位，从它上面可以看出样品表面各处电位的高低及分布情况，特别是对于器件的隐开路或隐短路部位的确定尤为方便。4）利用背散射电子衍射信号对样品物质进行晶体结构（原子在晶体中的排列方式），晶体取向分布分析，基于晶体结构的相鉴定。2、透射电镜 早期的透射电子显微镜功能主要是观察样品形貌，后来发展到可以通过电子衍射原位分析样品的晶体结构。具有能将形貌和晶体结构原位观察的两个功能是其它结构分析仪器（如光镜和X射线衍射仪）所不具备的。透射电子显微镜增加附件后，其功能可以从原来的样品内部组织形貌观察（TEM）、原位的电子衍射分析（Diff），发展到还可以进行原位的成分分析（能谱仪EDS、特征能量损失谱EELS）、表面形貌观察（二次电子像SED、背散射电子像BED）和透射扫描像（STEM）。结合样品台设计成高温台、低温台和拉伸台，透射电子显微镜还可以在加热状态、低温冷却状态和拉伸状态下观察样品动态的组织结构、成分的变化，使得透射电子显微镜的功能进一步的拓宽。透射电子显微镜功能的拓宽意味着一台仪器在不更换样品的情况下可以进行多种分析，尤其是可以针对同一微区位置进行形貌、晶体结构、成分（价态）的全面分析。三、 衬度原理1、扫描电镜1）质厚衬度质厚衬度是非晶体样品衬度的主要来源。样品不同微区存在原子序数和厚度的差异形成的。来源于电子的非相干散射，Z越高，产生散射的比例越大；d增加，将发生更多的散射。不同微区Z和d的差异，使进入物镜光阑并聚焦于像平面的散射电子I有差别，形成像的衬度。Z较高、样品较厚区域在屏上显示为较暗区域。图像上的衬度变化反映了样品相应区域的原子序数和厚度的变化。质厚衬度受物镜光阑孔径和加速V的影响。选择大孔径（较多散射电子参与成像），图像亮度增加，散射与非散射区域间的衬度降低。选择低电压（较多电子散射到光阑孔径外），衬度提高，亮度降低。支持膜法和萃取复型，质厚衬度图像比较直观。 2）衍射衬度衍射衬度是来源于晶体试样各部分满足布拉格反射条件不同和结构振幅的差异。例如电压一定时，入射束强度是一定的，假为L，衍射束强度为ID。在忽略吸收的情况下，透射束为L-ID。这样如果只让透射束通过物镜光阑成像，那么就会由于样品中各晶面或强衍射或弱衍射或不衍射，导致透射束相应强度的变化，从而在荧光屏上形成衬度。形成衬度的过程中，起决定作用的是晶体对电子束的衍射。2、透射电镜晶体结构可以通过高分辨率透射电子显微镜来研究，这种技术也被称为相衬显微技术。当使用场发射电子源的时候，观测图像通过由电子与样品相互作用导致的电子波相位的差别重构得出。然而由于图像还依赖于射在屏幕上的电子的数量，对相衬图像的识别更加复杂。非晶样品透射电子显微图象衬度是由于样品不同微区间存在的原子序数或厚度的差异而形成的，即质量厚度衬度（质量厚度定义为试样下表面单位面积以上柱体中的质量），也叫质厚衬度。质厚衬度适用于对复型膜试样电子图象作出解释。质量厚度数值较大的，对电子的吸收散射作用强，使电子散射到光栏以外的要多，对应较安的衬度。质量厚度数值小的，对应较亮的衬度。四、对样品要求1、扫描电镜SEM制样对样品的厚度没有特殊要求，可以采用切、磨、抛光或解理等方法将特定剖面呈现出来，从而转化为可以观察的表面。这样的表面如果直接观察，看到的只有表面加工损伤，一般要利用不同的化学溶液进行择优腐蚀，才能产生有利于观察的衬度。不过腐蚀会使样品失去原结构的部分真实情况，同时引入部分人为的干扰，对样品中厚度极小的薄层来说，造成的误差更大

  • 【求助】谁能帮我分析一下这个循环伏安扫描图像的意思？？

    小弟目前在做免疫传感器工作。大体思路是利用圆盘金电极作为工作电极，结合三电极系统（上海辰华800b），在金电极上依次组装L-cys，纳米金胶，抗体，抗原。最终达到检测抗原的目的。现在扫描的图像让我不好分析，到底金胶是否已经结合在电极上了？？？愿与各位大侠讨论！！期待！[~155127~]

  • [好书]X射线衍射与电子显微分析

    本书是介绍X射线衍射与电子显微分析这两种重要的材料物理测试方法的基础教材,全书依上述内容分为两篇。第一篇包括X射线衍射的基本理论、方法及应用；第二篇包括透射电子显微镜、扫描电镜和电子探针的工作原理、构造和分析方法。全书共12章，附录中列出了常用的数据表，供计算分析时查阅。本书对基本原理的阐述力求深入浅出，方法介绍亦较为详尽，对从事该工作的科技人员很有参考价值！为此上传[color=blue]PDF格式的电子档供大家下载学习，也可丰富本版块的资源！[/color]全书已经上传完毕，有需要的科技人员可到资料中心下载！[url=http://www.instrument.com.cn/show/search.asp?sel=admin_name&keywords=lfsming]进入资料下载页面[/url]你的支持就是我的动力!

  • JIS G 1253-2018 铁、钢火花源原子发射光谱分析方法

    [font=等线]JIS G 1253-2018 [/font][font=等线]铁、钢火花源原子发射光谱分析方法(中文)[url=https://www.docin.com/p-2045578618.html]JIS G 1253-2018 铁、钢火花源原子发射光谱分析方法(中文).pdf - 豆丁网 (docin.com)[/url][/font]

  • 【求助】XRD掠入射衍射分析薄膜表面的结构

    XRD掠入射衍射是分析薄膜表面结构的极为有效的放发，可以对薄膜进行深度分层分析，其参与散射的晶面接近垂直于薄膜表面。采用位敏探测器，可以在固定的入射角度同时记录散射强度随出射角的变化，等同于晶体截断杆扫描，扫描时晶体绕平行于表面法向的轴转动，因而可以记录在不同Qz处QxQy面内的散射强度分布。那么可不可以采用掠入射衍射方法表征垂直于薄膜便面的结构呢？比如说一个1-3型的薄膜样品，一相以柱状结构embedded in另外一相的matrix中。可不可以这样：扫描不同Qz层的强度分布，如果每层的分布强度一样或者接近，则可认为存在这样1-3型的柱状结构？

  • x射线衍射仪扫描范围有什么用？

    [font=&][size=16px][color=#333333]X射线衍射仪（XRD）扫[/color][/size][/font][b][/b][font=&][size=16px][color=#333333]描范围是指样品中晶体结构的扫描范围，也就是[/color][/size][/font][b][/b][font=&][size=16px][color=#333333]XRD仪器能够测量的角度范围[/color][/size][/font][b][/b][font=&][size=16px][color=#333333]。这个范围通常是根据仪器[/color][/size][/font][font=&][size=16px][color=#333333]的几何和探测器的尺寸来决定的。[/color][/size][/font][font=&][size=16px][color=#333333]XRD仪器通过照射样品并测量样品散射的X射线来分析材料的晶体结构和组成。在XRD扫描过程中，样品通过旋转台[/color][/size][/font][font=&][size=16px][color=#333333]旋转，X射线通过样品，同时探[/color][/size][/font][font=&][size=16px][color=#333333]测器测量经过样品的散射X射线的强度和角度。这些数据[/color][/size][/font][font=&][color=#cc0000][/color][/font][font=&][size=16px][color=#333333]可以用于确定材料中晶体的结构和组成。[/color][/size][/font][font=&][size=16px][color=#333333]因此，XR[/color][/size][/font][font=&][size=16px][color=#333333][/color][/size][/font][font=&][size=16px][color=#333333]D仪器的扫描范围非常重要。如果扫描范围太小，可能会错过样品中一些重要的结构信息，从而影响分析结果的准确性。相反，如果扫描范围[/color][/size][/font][font=&][size=16px][color=#333333]太大，可能会导致数据过多[/color][/size][/font][font=&][size=16px][color=#333333]，分析和处理数据的时间和难度都会增加。因此，选择适当的扫描范围对[/color][/size][/font][font=&][size=16px][color=#333333][/color][/size][/font][font=&][size=16px][color=#333333]于正确分析样品中的晶体结构和[/color][/size][/font][font=&][size=16px][color=#333333]组成非常重要。[/color][/size][/font][font=&][size=16px][color=#333333]除了对于样品中晶体结构的分析，XRD仪器的扫描范围还可以用于确定材料的晶体结构的类型，例如是立方晶体、六方晶体、[/color][/size][/font][font=&][size=16px][color=#333333]四方晶体等等。此外，不同的样品[/color][/size][/font][font=&][size=16px][color=#333333]可能需要不同的扫描范围。例如，粉末样品需要较[/color][/size][/font][font=&][size=16px][color=#333333]大的扫描范围以便涵盖更多的晶[/color][/size][/font][font=&][size=16px][color=#333333]体结构信息，而单晶样品则需[/color][/size][/font][b][/b][font=&][size=16px][color=#333333]要较小的扫描范围以[/color][/size][/font][b][/b][font=&][size=16px][color=#333333]避免可能的背景杂散信号的影响。[/color][/size][/font][font=&][size=16px][color=#333333]在使用XRD[/color][/size][/font][font=&][color=#333333][/color][/font][font=&][size=16px][color=#333333]仪器进行分析时，选择合适的扫描范围是非常重要的。通常，使[/color][/size][/font][font=&][color=#cc0000][/color][/font][font=&][size=16px][color=#333333]用XRD仪器进行分析需要对样品和所需分析结果有足够的了解和计划，才能选择合适的扫描范围，从而获得准确的结果。[/color][/size][/font]

  • 【转帖】X射线小角散射分析

    【作　者】: 孟昭富著【丛书名】: 【页　数】: 385页【尺　寸】: 20cm【DU　号】: 000000527707【出版社】： 吉林科学技术出版社【主题词】： X射线小角散射分析【ISBN号】: 7-5384-1672-2【出版日期】： 1996【原书定价】： ￥18【中图法分类号】： O657.39【参考文献格式】： 孟昭富著 小角X射线散射理论及应用 吉林科学技术出版社, 1996. [img]http://www.instrument.com.cn/bbs/images/affix.gif[/img][url=http://www.instrument.com.cn/bbs/download.asp?ID=96994]X射线小角散射分析[/url]

  • 《场发射扫描电镜的理论与实践》新书发布

    [font=宋体]到人类对自然的探索永无止境，为了了解和研究自然，人类最初通过肉眼来观察自然中的各种现象。但是人眼的观察能力有限，在正常情况下，人眼可分辨的最小尺寸约为[/font]0.2 mm[font=宋体]。为了把人眼的观察范围拓展到微观领域，就必须借助显微镜，将微观形貌放大，来满足人眼观察的需要。[/font][font=宋体]不管哪种类型的显微镜，其工作原理都相似，一束极细的照明光束[/font]([font=宋体]电子束[/font])[font=宋体]以一定的方式照射到样品上，照明光束[/font]([font=宋体]电子束[/font])[font=宋体]和样品间的相互作用产生带有样品信息的信号，将这些信号收集、放大和成像，形成样品的放大图像，最后被记录介质记录。[/font][font=宋体]扫描电镜以聚焦电子束为照明源，聚焦电子束以周期性方式逐点逐行扫描样品，产生带有样品信息的各种信号，包括背散射电子、二次电子和特征[/font]X[font=宋体]射线。信号接收装置收集、放大和处理这些信号，从而获得微区放大图像和微区元素组分信息。[/font][align=left][font=宋体]如何使用扫描电镜？如何处理电镜获得的微观图像？[/font][/align][align=center][font=宋体][img=,225,304]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2024/04/202404231030103572_8293_1603833_3.png!w225x304.jpg[/img]《场发射扫描电镜的理论与实践》[/font][/align][align=center][font=宋体]作者：李永良，徐驰，李文雄，张月明 著[/font][/align][align=center][font=宋体]出版社：人民邮电出版社[/font][/align][align=center][font=宋体]出版时间：2024-4[/font][/align][align=center][font=宋体]书号：9787115631954[/font][/align][align=left][font=宋体]内容简介[/font][/align][align=left][font=宋体] [/font][/align][align=left][font=宋体]场发射扫描电镜的出现，标志若扫描电镜进入一个崭新的时代，扫描电镜技术取得了巨大进步。新型电子枪、浸没式物镜、穿镜二次电子探测器、模拟背散射、E×B和电子束减速等新技术的应用，极大地提高了扫描电镜的性能，场发射扫描电镜已经成为各类分析测试实验室必备的仪器。[/font][/align][align=left][font=宋体]本书系统地论述了扫描电镜基础理论、扫描电镜的结构和成像原理，通过实操案例详细地介绍了扫描电镜的调试和参数选择，重点介绍了样品制备及场发射扫描电镜在生物、环境和材料领域中的应用。 本书适合材料、化学、生物、微电子、半导体和环境等领域的科研院所和高校相关专业师生阅读，可为相关行业研究人员和从业者提供有益参考。 [/font][/align][align=left][/align][align=left][/align][font=宋体][/font][align=left]本书特点[/align][align=left][/align][align=left]1. [font=宋体]理论研究[/font]+[font=宋体]实践操作的强大作者团队[/font][/align][align=left][/align][font=宋体][/font][align=left][font=宋体]本书作者[/font][font=宋体]李永良在北京师范大学分析测试中心电镜室从事电子显微镜的教学和测试工作30余年，具有丰富的扫描电镜操作和分析经验，能够深入了解初学者、进阶者在不同使用阶段面临的具体问题，同时有多位具有丰富扫描电镜使用和管理经验的从业者共同编著，提供专业的指导和帮助。[/font][/align][align=left][/align][font=宋体][/font][align=left] [/align][align=left][/align][align=left]2. [font=宋体]从电镜结构到成像原理，帮助读者全面了解场发射扫描电镜[/font][/align][align=left][/align][font=宋体][/font][align=left][font=宋体]本书系统论述了场发射扫描电镜的理论与实践。在前两个章节分别介绍了扫描电镜基础理论、结构和成像原理。[/font]=[font=宋体]，能够帮助刚接触到扫描电镜的实验室新手、行业新入门者建立牢固的基础，应对更多更复杂的实验室使用场景。[/font][/align][align=left][/align][align=left]3. [font=宋体]从参数选择到样品制备再到问题图像处理，从实践角度指导操作[/font][/align][align=left][/align][font=宋体][/font][align=left]仪器的调试和工作参数对扫描电镜的最终图像影响很大，本书通过实操案例介绍了扫描电镜的调试过程及不同工作参数对图像的影响，总结了包括粉末样品、截面样品等一些常见样品的制备方法，结合具体图像分析了图像散焦、辐照损伤等问题图像处理的办法。[/align][align=left][/align][align=left]4. [font=宋体]具体案例出发，展示扫描电镜在多个领域的具体应用[/font][/align][align=left][/align][font=宋体][/font][align=left][font=宋体]本书分别选择扫描电镜在植物花粉、纳米材料、[/font]PM?s[font=宋体]颗粒物、建筑材料、沉积膜、磁性粉末和纳米催化剂等方面的应用，列举了大量的实例和图片，希望为帮助多个学科领域的读者正确理解扫描电镜。[/font][/align][align=left][/align][font=宋体][/font][align=left]推荐读者[/align][align=left][/align][font=宋体][/font][align=left] [/align][align=left][/align][font=宋体][/font][align=left]本书的读者包括开设相关课程的部分职业学校的学生、生化环材物理等学科的大学生、研究生以及电镜操作人员。 [/align][align=left]扫描电镜已经普及，在国内部分高职院校开设了培训课程，很多大学也开设了扫描电镜的选修课或者培训课程，本书可以作为参考书，也适合于企业、研究所的电镜培训班使用。[/align][align=left][/align][font=宋体][/font][align=left]作者简介[/align][align=left][/align][align=left][font=宋体]李永良 北京师范大学分析测试中心副研究员，1988年入职北京师范大学分析测试中心电镜室，从事电子显微镜的教学和测试工作30余年，在国内外期刊上合作发表论文超150篇，其中第一作者论文38篇。 徐驰 北京师范大学核科学与技术学院讲师、硕士生导师，兼任北京师范大学分析测试中心透射电子显微镜主管工程师。中国核学会射线束技术分会理事，主要研究方向为金属材料辐照损伤、极端环境材料腐蚀机理，以及[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/5p][color=#3333ff]液相[/color]等离子体氧化技术应用。 李文雄 2005年进入电子显微镜行业，从业以来，努力将碎片化的销售和管理经验进行系统化梳理。中国人民大学商学院硕士，中国人民大学北京校友会副秘书长，中国人民大学西南校友会副会长。 张月明 2017年毕业于钢铁研究总院，师从李卫院士，研究领域为稀土永磁材料。数年来一直致力于电子显微镜的推广工作，对电子显微镜在金属及磁性材料领域的应用有独到见解，现就职于日立科学仪器（北京）有限公司。 [/font][/align][align=left][font=宋体][/font][/align][align=left][font=宋体][img=,690,1190]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2024/04/202404231038403967_1874_1603833_3.jpg!w690x1190.jpg[/img][/font][/align][align=left][/align][align=left][/align][font=宋体][/font][align=left] [/align]

  • 喷射电极技术能改善分析结果吗？

    目前好像只有牛津的直读光谱仪使用了喷射电极技术（JET STREAM），在其宣传资料上看到如下的描述“在激发状态下，电极周围会形成氩气喷射气流，这种技术会带来以下独一无二的优势：激发点周围的氩气流保证了激发过程不受外界干扰；节省了氩气的使用，降低了客户的使用成本；样品台无须密封，线材等小样品也可以非常方便的借助适配器进行分析。”在其他的资料上看到，喷射电极技术（jet electrode）可以更有效地将氩气引入激发斑点区域，消除样品中释放的氧对激发的影响，同时能够减小激发斑点的直径，进而缩短预燃所需的时间，但是并不能期望使用这种技术改善分析结果。不考虑牛津仪器与其他主流仪器的性能，单单就喷射电极这一技术而言，其是否能改善分析结果呢？欢迎各位版友讨论

  • x射线衍射仪和荧光分析仪卫生防护标准

    x射线衍射仪和荧光分析仪卫生防护标准Radiological standards for X-ray diffraction and fluorescence analysis equipmentGBZ115-20021 范围 本标准规定了X射线衍射仪和X射线荧光分析仪的放射防护标准和放射防护安全操作要求。 本标准适用于X射线衍射仪和X射线荧光分析仪的生产和使用。2 规范性引用文件 下列标准中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版本均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB4075 密封放射源分级 GB4076 密封放射源一般规定 GB8703 辐射防护规定 ZBY226 X射线衍射仪技术条件3 术语和定义 下列术语和定义适用于本标准。3.1 X射线衍射仪和X射线荧光分析仪 X-ray diffraction equipment and X-ray fluorescence analysis equipment X射线衍射仪 利用X射线轰击样品，测量所产生的衍射X射线强度的空间分布，以确定样品的微观结构的仪器。 X射线荧光分析仪 利用射线轰击样品，测量所产生的特征X射线，以确定样品中元素的种类与含量的仪器。 以下把X射线衍射仪和X射线荧光分析仪统称为分析仪。3.2 闭束型分析仪和敞束型分析仪 enclosed-beam analytic analytical equipment and open-beam analytical equipment 闭束型分析仪 以结构上能防止人体的任何部分进入有用线束区域为特征的分析仪。 敞束型分析仪 结构上不完全符合闭束型分析仪特征的分析仪，操作人员的某部分身体有可能意外地进大有用线束区域。3.3 射线源 radiation source 本标准中，射线源特指X射线管或能便样品受激后发出特征X射线的密封型放射性核素源(以下简称密封型源)。3.4 联锁装置 interlocking device 分析仪的一种安全控制装置，当其中相关的组件动作时可以发出警告信号，或能够阻止分析仪进入使用状态，或使正在工作的分析仪立即关停。3.5 有用线束 primary radiation 来自射线源并通过窗、光栏或准直器射出的待用射线束。3.6 受照射部件 exposed components 分析仪中受到有用线束照射的部件，如:源套、遮光器、准直器、连接器、样品架、测角仪、探测器等。3.7 源套 radiation source housing 套在射线源外部的具有一定防护效能的壳体，分为密封源套和X射线管套。3.8 防护罩 protective enclosure 敞束型分析仪中，用来屏蔽源套和所有受照射部件的一种防护设备。在防护罩的侧面，通常装有可以平移的防护窗，调试、校准等操作结束后，关闭防护窗，能够有效地防止人员受到有用线束和较强散射线的照射。3.9 遮光器 shutter 安装在有用线束出口处的可以屏蔽有用线束的器件。

  • 【讨论】电镜拍衍射时出现的多余圆环，请各位帮助分析

    【讨论】电镜拍衍射时出现的多余圆环，请各位帮助分析

    我们的电镜偶尔拍衍射时会在透射斑周围出现多余的圆环，见附图。圆环与透射斑和物相的衍射环不同心，换不同样品时都会出现，可以肯定不是样品本生的环，因此怀疑是电镜原因造成的。不知道大家是否遇到过这种情况，请各位帮忙分析一下，都有什么原因可能造成这种现象。[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2009/09/200909132339_170937_1744209_3.jpg[/img][img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2009/09/200909132340_170938_1744209_3.jpg[/img]

  • 【原创】关于冷场发射是否适合能谱分析的争论可以休矣！！！

    【原创】关于冷场发射是否适合能谱分析的争论可以休矣！！！

    各位板油，关于冷场发射电镜是否适合能谱分析，是否适合面扫描？这样的争论由来已久。最近我们在中科院某所安装了一台HITACHI S4800冷场发射电镜配布鲁克10平方毫米的SDD能谱仪器，话不多说，直接上图：请各位看图：1.安装照片：[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2008/05/200805152109_89564_1632693_3.jpg[/img]2.采集谱图纯钛样品，计数可达132kcps死时间14%，这样的计数，随便做什么都足够了。[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2008/05/200805152114_89565_1632693_3.jpg[/img]

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