因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准KRI 考夫曼离子源 KDC 75上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 75:紧凑栅极离子源,离子束直径 14 cm ,可安装在 8“CF法兰. 适用于中小型腔内, 考夫曼离子源 KDC 75 包含2个阴极灯丝, 其中一个作为备用,KDC 75 提供紧密聚焦的电子束特别适合溅射镀膜. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 250 mA. KRI 考夫曼离子源 KDC 75 技术参数型号KDC 75 / KDC 75L(低电流输出)供电DC magnetic confinement - 阴极灯丝2 - 阳极电压0-100V DC电子束OptiBeam&trade - 栅极专用, 自对准 -栅极直径7.5 cm中和器灯丝电源控制KSC 1212 或 KSC 1202配置- - 阴极中和器Filament, Sidewinder Filament 或LFN 2000 - 安装移动或快速法兰 - 高度7.9' - 直径5.5' - 离子束聚焦 平行 散设 -加工材料金属 电介质 半导体 -工艺气体惰性 活性 混合 -安装距离6-24” - 自动控制控制4种气体* 可选: 一个阴极灯丝 可调角度的支架KRI 考夫曼离子源 KDC 75 应用领域 溅镀和蒸发镀膜 PC辅助镀膜(光学镀膜)IBAD表面改性, 激活 SM离子溅射沉积和多层结构 IBSD离子蚀刻 IBE客户案例: 超高真空离子刻蚀机 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系统配置美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 75若您需要进一步的了解考夫曼离子源, 请查看官网或咨询叶女士上海伯东版权所有, 翻拷必究!
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