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癸酰

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癸酰相关的耗材

  • 纳谱分析NanoChrom鬼峰去除柱/鬼峰捕集柱
    在液相色谱分析中,几乎不可避免鬼峰的干扰,尤其在使用了缓冲盐或者酸性添加剂并进行梯度分析时,更易出现鬼峰从而干扰微量或者痕量物质的分离或者定量。方法开发中一旦出现鬼峰,消除鬼峰则需要花费分析人员较多的时间和精力,也是一项非常棘手的工作。纳谱分析特别研发出鬼峰小柱,可以有效去除流动相中的杂质,彻底清除鬼峰,从而大大缩短了方法验证和微量、痕量物质分析的时间。尤其对于药物分析研发人员而言,NanoChrom Ghost-Remover鬼峰去除柱是您必备的鬼峰消除神器。货号信息:名称规格货号鬼峰去除柱NanoChrom Ghost-Remover, 4.6×50mmGR4605S鬼峰去除柱NanoChrom Ghost-Remover,4.0×50mmGR4005S鬼峰去除柱NanoChrom Ghost-Remover, 3.0×50mmGR3005S鬼峰去除柱NanoChrom Ghost-Remover, 2.1×50mmGR2105S鬼峰去除柱NanoChrom Ghost-Remover (UHPLC), 2.1×50mmGR2105S-U鬼峰去除柱NanoChrom Ghost-Remover, 2.1×30mmGR2103S安装方法:鬼峰去除柱保存在纯甲醇中,使用前采用纯甲醇1.0ml/min流速冲洗20min,(注意:不要连接色谱柱和检测器进行冲洗)冲洗好后卸下小柱,按照上示意下图安装位置,连接到混合器与进样器之间。 Ghost-Remover鬼峰去除柱的主要特点是能去除溶剂包括有机溶剂中的杂质。反相色谱梯度分析时,将小柱安装在梯度混合器和自动进样器之间,不仅能够去除流动相中的杂质,还可以有效管路和混合器中的杂质。使用寿命:考察未加去除柱与加去除柱的结果相比,使用去除柱可以有效去除鬼峰。经过600次分析之后,仍然没有鬼峰出现。实验结果表明, 捕集柱可以稳定吸附杂质,并对多次分析有足够的负载容量。说明:◇ 该产品实际寿命依据分析条件例如使用的流动相不同而有所差别,并不是所有的杂质都可以被清除。◇ 将该产品连接在梯度混合器或泵的汇合处之后,梯度分析将存在和小柱容积等同的延迟体积,几乎所有品牌液相仪器都可使用本产品。当将质谱作为检测器时,该产品可能会有少许溶出引起基线噪声。◇ 在分析中如果使用离子对试剂时,该产品可能会吸附离子对试剂影响组分的保留时间或者峰型。 ◇ 在连接分析柱之前,务必用流动相彻底冲洗连接该产品的管路(接近梯度分析中的最终浓度)。
  • 上海上博玻璃仪真空规(转动式真空规)真空
    搭配信息起:VACUOMETER Meieod一概况及用途:麦氏真空规是目前唯一能同时测量低真空和高真空的绝对真空表,可分为转动式,手提式,座式三种,近年来在实际使用过程中,由于手提式操作不甚方便,目前已被淘汰,转动式适合于低真空范围内的测量,座式适合于高真空范围的测暈,它们是用硼硅玻璃在灯工吹制、配木座及刻度板而成。它适用于电子工业,科研单f立在真实验燥作中作测量真空度的量具用。二造型及原理转动式真空规:它适用于2一1 × 10一3 m m Hg的低真空测量,是由二支内径相同,经过读数显微镜测量过的均匀毛细管,和一块读数刻度板按装在一只能够转动的架子上。座式真空规:它适用于4 × 10 1 × 10。m m Hg的高真空测量,它是由磨口的贮汞瓶和经过读数显微镜测量校验的二支毛细管, 以及刻度板、 三通活塞等组成。 它的刻度板是采取直线定标法, 刻有五种不同真空范围的刻度表, 即闭管的最上端距离封顶的附近标线体积为 1 / 1000ml , 是与刻度表 1 × 10一 5 mmHg 的范围配合, 再顺下延约在闭管的中段也刻有一条标线, 它表示是 1 / 100ml , 是与刻度表 1 × 10一 mmHg的范围配合, 继续下延约在毛细管的 1 / 3处有一条标线, 它表示是 1 / 20m1 , 是与刻刻度表1*10-3mmHg的范围配合,在毛细管的下面有一段较粗的玻管,有一条刻1字的短线,是表示标线至顶端的体积为1ml,是与刻度表1 x 10-2 mmHg相配合,继续向下延,还有一条刻有2字的短线,它是表示至顶端的体积为2ml,是与刻度表上最右边0.1。m H g的范围使用。三通活塞是与机械泵相通,作为排气和抽气用,贮汞瓶内注入500ml纯净水银,仪器上端玻管直接焊接在真空系统上、并用铁架固定。其原理:根据玻义耳一一马略特定律,将一定质量的气体,在温度不变的情况下,压缩到封闭的毛细管内,并与开管相比较。计算出其真空度。三使用方法转动式真空规在使用前要清洗干净,烘干,灌入纯净水银约10毫升左右至贮汞管内,然后用厚壁胶管与真空系统接好,经过排气一段时间,待需测量看表时,把真空活动系统活塞打开少待即将表徐徐旋转至直立状,在旋转时不能过快、待开管水银面达到闭管封顶相平置时,然后观察闭管水银面所指示的真空度,不看时应将表徐徐恢复横卧状,并关闭通真空系统的活塞。座式真空规:把仪器清洗干净,烘干。在贮汞瓶内注入500mI纯净水银,把仪器上端的玻管与真空系统焊接,经过一段时间排气后,可微微打开瓶子的三通活塞,让少量气体流入,瓶内的水银即渐渐升入球内,特别水银面快到达球的中部时,放气速度更要缓慢,否则会造成水银冲碎仪器。当水银面到达“闭管"中某一标线时,,从“开管"的毛细管内液面读出此时系统内真空压力是多少?测定完毕转动活塞,仪器上的水银柱在转动泵抽气下使水银又回至瓶中。搭配信息止
  • 100mm高硼硅玻璃毛细管
    X射线衍射仪用薄壁毛细管,Glass Capillary Tubes,德国X射线衍射仪用硼硅玻璃薄壁毛细管,,X射线衍射仪用石英薄壁毛细管,SAXS(小角x射线散射)和WAXS(广角x射线散射)用。100mm长的优质硼硅玻璃毛细管主要用在光电学领域以及科研实验室分析中。产品来自德国,一般提供的是长度100mm两端开口的毛细管(two ends cut)。订购信息:货号产品描述规格HG1408411高硼硅玻璃毛细管,OD1.50mm,ID1.05mm,壁厚0.225mm100根/包HG1423037高硼硅玻璃毛细管,OD2.00mm,ID1.60mm,壁厚0.2mm100根/包
  • 单晶硅标样 615-B 单晶硅标样,含样品座B
    单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为3%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-F 单晶硅标样,含样品座F
    单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为7%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-D 单晶硅标样,含样品座D
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为5%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-K 单晶硅标样,含样品座K
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为9%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-G 单晶硅标样,含样品座G
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为8%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-C 单晶硅标样,含样品座C
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为4%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-D 单晶硅标样,含样品座D
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为5%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-K 单晶硅标样,含样品座K
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为9%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-E 单晶硅标样,含样品座E
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为6%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-B 单晶硅标样,含样品座B
    单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为3%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-A 单晶硅标样,含样品座A
    单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为2%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-F 单晶硅标样,含样品座F
    单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为7%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-E 单晶硅标样,含样品座E
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为6%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-G 单晶硅标样,含样品座G
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为8%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-C 单晶硅标样,含样品座C
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为4%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-A 单晶硅标样,含样品座A
    单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为2%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-P 单晶硅标样,含样品座P
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为13%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-M 单晶硅标样,含样品座M
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为11%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-L 单晶硅标样,含样品座L
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为10%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-M 单晶硅标样,含样品座M
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为11%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-L 单晶硅标样,含样品座L
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为10%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-O 单晶硅标样,含样品座O
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为12%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-O 单晶硅标样,含样品座O
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为12%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-P 单晶硅标样,含样品座P
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为13%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为1%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 10/18硅钼棒铝带 钒氮合金热处理高温炉6/12硅钼棒安装接电线 铝编织带
    编织带采用纯铝丝经编织压制工艺制成,散热好,易弯,耐弯,负荷大。3/6 4/9 5/10的硅钼棒多用编织带,夹头是不锈钢圆头的,一般150毫米长,20毫米宽。。6/12 9/18硅钼棒有编织带和铝箔带两种,分单头和双头。夹头有不锈钢材质的和镀锌的,可定制加长、加厚连接带,订做孔径,两端孔心距一般180mm。硅钼棒夹具还有C型夹,陶瓷固定夹块。常用规格现货供应,一般当天或隔天发货.定做工期欢迎咨询客服。硅钼棒铝箔带,编织带外面的夹子只起夹紧作用,不用来导电。导线的末端与母线联结。为了避免应力传到元件上,导线长度应略大于元件和母线间的直线距离。安装元件时夹头上的螺丝不要一次拧的太紧,待元件升到高温时再次拧紧,因为这时元件有一定塑性不易折断。接线后要认真检查连接带与棒接触是否牢固,若接触不良通电后会造成打弧现象,使整支棒报废。固定夹块,元件的位置也由它决定,整个元件的重量由它承担,须仔细安装,使元件垂直悬挂。硅钼棒电炉加热元件是一种纯阻性电热材料,根据欧姆定律得出硅钼棒电阻值很小可以忽略不记,硅钼棒使用时使用变压器,硅钼棒是大电压低电流。根据电炉使用功率大小,使用220V电压或380V电压。使用220V电压功率的电炉小,功率大的电炉使用380V电压。
  • 恒谱生鬼峰捕集柱 柱芯
    在市场上有多款仪器上都有在线过滤装置,主要是针对固体颗粒物的拦截,但是对引起鬼峰的有机污染物却不能起到拦截效果。在经过精心研发,研制出一款对弱极性和非极性的有机杂质有强烈吸附,而不改变流动相成分(不含有离子对试剂)的填料,对仪器和流动相进行二次净化,有效的消除这类污染物,减少鬼峰出现的几率,延长色谱柱和仪器的寿命。恒谱生鬼峰捕集小柱可以有效吸附去除系统中的极性较弱的杂质,从而防止系统中的杂质峰对目标峰的干扰。其安装在梯度混合器和进样器之间,不仅能够去除流动相中的杂质,还可以有效的去除管路和混合器中的杂质。产品特点:(1)持续捕集,去除鬼峰;(2)耐受水和有机溶剂;(3)延长色谱柱和仪器寿命;(4)减少数据分析工作量
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