硅芴

UniSil® 硅球间隔物，具有非常窄的粒径分布，能够控制盒厚，不会对基板造成损坏，清晰度更高。纳微科技的硅球品种很多，应用广泛。 产品特点微球粒径非常均一，变异系数CV小于2.5%微球单分散性好，无重叠或团聚微球纯度高，无污染微球机械强度高，K4500微球具有较好的耐热性、耐寒性以及耐化学品性UniSil® 硅球间隔物粒径非常均一　　UniSil® 硅球的颗粒大小和分布是用公认的测试仪器（Beckman Coulter Counter Multisizer）和方法来确定的。为了确保结果的准确性，每次测量之前都用NIST可溯源标准颗粒来校正。UniSil硅球粒径分布图说明纳微生产的UniSil硅球无论大小都具有高度的均匀性。变异系数，Coefficient Value (CV)%=(standard deviation/average diameter)x100， 控制在2.5% 以下。UniSil® 硅球间隔物粒径分布图（微球的粒径是用NIST溯源的标准颗粒校正的Beckman Coulter Counter Multisizer 3精确测试）UniSil® 硅球纯度高，无污染　　UniSil® 硅球离子含量会直接影响到液晶的质量，因此我们在制备和清洗过程中都采用去离子水，产品定期抽样检查。SubstanceControl LimitTest MethodFe≤ 2 ppmICP SpectrometerCa ≤ 2 ppmK≤ 2 ppmNa≤ 2 ppmCl≤ 1 ppmIon ChromatographyUniSil® 硅球间隔物符合RoHS指令　　UniSil® 硅球间隔物在生产过程中不使用欧盟RoHS指令中所禁止的元素，不含RoHS 所禁止的有机物质及重金属，纳微每年更新一次RoHS检测报告。有需求的客户可以索要RoHS检测结果复印件。SubstanceTest Result(N.D. = Not Detectable)CdN.D.PbN.D. HgN.D.Cr6+N.D.PBBsN.D.PBDEs N.D.UniSil® 硅球间隔物产品目录　　纳微科技提供两个系列UniSil硅球产品：Si和SiS。库存产品的粒径尺寸从1.5 μm到25 μm， 3 μm到9 μm每隔0.1 μm一个标尺。其中Si系列主要用于边框合厚的控制，SiS主要用于特殊要求的合内的合厚控制。UniSil® 硅球物理特性检测项目测试结果测试方法平均粒径, μm± 0.05库尔特粒度分析计数仪Coulter Counter粒径分布CV值1.0% -2.5%库尔特粒度分析计数仪Coulter Counter10% K值10% Modulus of Elasticity, kgf/mm2 4500Shimadzu MCT210比重，g/cm32.1Multi-Volume Density test热分解温度Thermal Decomposition Temp, °C in air不分解-折射率 Refractive Index1.4620 oC, λ=589 nmeriesProductCVDiameterIncrementApplicationSiNM Si≤ 2.5%1.5 – 25.0 μm0.10 μmSide SpacerSiSNM SiS≤ 2.0%1.5 – 25.0 μm0.10 μmTN, STN客户可以根据需求选择合适的UniSil硅球产品。纳微科技拥有先进的技术，完善的生产和检测仪器设备，可以严格控制产品的质量。通用准则：NM Si XXX；NM SiS XXXNM - NanoMicro（纳微）缩写Si - 二氧化硅微球中适用于边框的产品；SiS - 二氧化硅微球中适用于盒内的产品XXX - 粒径标称 如：065 – 6.5 μm, 100 - 10.0 μm备 注：1. 粒径每间隔0.1 μm 为一个产品规格,也可以根据客户需求特殊定制；2. 可根据客户需求提供小于1.5 μm及25.0 μm以上大小的特殊品种；3. 测试方法: Beckman Coulter counter Multisizer 3；4. 变异系数计算方法：变异系数 (C.V.)%=(标准偏差/平均粒径)×100%。

TEM用无膜硅窗口 规格参数： 单窗口：0.25x0.25mm, 0.5x0.5mm, 0.75x0.75mm, 1x1mm, 0.5x1.5mm 双窗口：0.1x1.5mm；9窗口：0.1x0.1mm 窗口倾角：35.26° ； 框架：Si，Ø 3mm 表面：正面无膜，背面镀有50nm的氮化硅薄膜 详细请咨询：021-35359028/ admin@instsun.com

价格货期电议Gel-Pak 新产品 Vertec 新型无硅弹性体材料上海伯东美国 Gel-Pak 推出新型无硅弹性体材料 Vertec, 包含热塑性弹性体 Thermoplastics ( TPE ), 防静电热塑性弹性体 ESD Thermoplastics ( TPE ), 热塑性氨酯材料 Thermoplastic Urethanes ( TPU- Film Only ) 和聚氨酯 Polyurethanes ( PU ).美国 GelPak Vertec 新型无硅弹性体材料特别适合客户的产品会与普通硅胶中硅产生富集效应或者产生硅胶残留的场合. Vertec 系列可以用来制作 AD 和 VR 系列芯片盒, 同时 Gel Pak 可以针对客户的要求定制 E-Film 产品 TPE, TPU与常规的 Gel 胶膜相比, Vertec 无硅弹性体材料有如下的特性无硅弹性体耐温达到 75摄氏度可以非常方便的制造完全防静电的产品黏接的时间拉长 ( 如果放芯片或器件时, 可以施加一个压力会有助于更好的粘结力 )自动设备拾取的时间增加使用美国 Gel-Pak Vertec 无硅弹性体制作的芯片包装盒, 现已全面上市！VTX 盒子特性无硅不需要辅助真空来帮助拾取产品胶膜较 VR 系列更不易破损成本低适用于芯片尺寸大于 600微米的场合 Vertec 无硅弹性体材料粘度Gel-Pak 胶膜的粘度根据需要分成超低, 低, 中, 高四挡, 用户可以根据自己的产品情况选择合适的粘度等级.所有 Gel-Pak 产品都符合 Rohs 和 Reach 的相关要求* ER, EH, EH07 和 FE70 粘性水平是静态耗散美国 Gel-Pak 公司自 1980年成立以来一直致力于创新包装产品的生产, Gel-Pak 产品使用高交联合聚合材料 Gel, 材料通过本身表面的张力来固定器件, 固定力等级取决于 Gel 产品的自身特性. 美国 Gel-Pak 晶圆包装盒广泛应用于储存和运输半导体精密器件, 光电器件和其他精密器件等, 上海伯东是美国 Gel-Pak 芯片包装胶盒中国总代理.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请联络上海伯东罗先生 伯东版权所有, 翻拷必究!

产品信息：碳氢化合物可溶性硅化液可结合短链硅烷聚合物，以增加表面惰性或聚合生成一张惰性膜当涂抹到玻璃、石英或其他类似物质表面时，分子链中的不水解氯会与表面硅醇发生反应，从而在整个表面上形成一张紧密结合的中性疏水性薄膜。* 可溶于有机溶剂*是改造金属、玻璃、陶瓷和光纤的绝好材料* 可用于某些塑料的表面*非常适于处理 GC 进样口衬管 订货信息：碳氢化合物可溶性硅化液描述规格部件号数量硅化液 — 可溶于碳氢化合物120mL XTS-428001/包硅化液 — 可溶于碳氢化合物480mL XTS-428011/包订购表中的 X 代表购买此产品需交纳有害物质运输费用。

HP-35-二苯基-65%-二甲基硅氧烷共聚物 说明：HP-35柱是用苯基取代甲基的聚硅氧烷固定相柱。EPA（美国环保暑）方法8081和UPS（美国药典）G-42中已经指定用此固定相。HP-35的中极性使其成为分析杀虫剂、除草剂、药物和胺的良好选择。 相似的固定相：DB-35,Rtx-35,SPB-35,AT-35,Sup-herb 等温/程序升温温度范围：-40至300/320℃ 　40至280/300℃ 应用：芳氯物(Aroclors)、胺类、杀虫剂、药品 HP-35 15m, 0.25mm, 0.25um HP-35 30m, 0.32mm, 0.15um HP-35 30m, 0.25mm, 0.25um HP-35 30m, 0.32mm, 0.25um HP-35, 60 meter, 0.25mm, 0.25um HP-35 30m, 0.32mm, 0.5um 甲基硅氧烷共聚物

HP-5MS-二苯基-95%二甲基硅氧烷共聚物 说明：就色谱柱性能和选择性来说，此固定相与HP-5一致，但具有与HP-1MS相似的超低流失特性。例如1909IS-433在320℃时流失为4PA。这种超低流失柱使其适于在GC/MS系统或其他检测器作超微量分析之用。色谱柱的超低流失和极好的惰性，对各种化合物（酸、碱、极性和非极性）在一根色谱柱上可改进其检测限、峰型和分离度。 相似的固定相：CP-Sil 8CB,DB-5,SPB-5,SE-54,MDN-5,AT-5,007-2 等温/程序升温温度范围：-60至325/350℃ 　-60至300/320℃，0.53mm内径　　-60至260/280℃，2.0?m液膜 应用：生物碱，药物，FAMEs,卤代化合物。 HP-5MS 25 meter, 0.20mm, 0.33um HP-5MS 30m, 0.25mm, 0.25um HP-5MS 60 meter, 0.25mm, 0.25um HP-5MS 30 meter, 0.32mm, 0.25um

奥淇科化致力为科研单位打造一站式采购平台。 在库品规三十余万种，含盖玻璃、试剂、仪器、耗材配件等。 店铺未上架产品请联系客服。

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forte BPX90 – 90%氰丙聚硅亚苯基-硅氧烷? 独有的强极性柱，是分离芳香物、石化产品、杀虫剂、PCB 和FAMEs 异构体的理想之选；? 热稳定、键合相柱，主要通过极性分离；? 操作温度：80°C - 280°C；? 无直接替代产品。BPX90 – 90%氰丙聚硅亚苯基-硅氧烷订货信息：内径(mm)膜厚(μm)15m30m60m0.250.250545700545800545900.320.5054573054583054593

硅晶圆片随着半导体、微电子行业的发展，硅片的用途越来越广泛。比如半导体芯片领域、X射线晶体分析、磁控溅射样品生长、原子力、红外光谱测试分析、PVD/CVD镀膜衬底等。我们提供各种不同直径、厚度、电阻、级别和应用场景的硅片，请将您的参数要求发给我们，如有疑难，也请联系我们。哪里可以快速买到硅片作为基片，当然是这里！我们主要为国内的科研院所、高校提供高品质的硅片衬底，高纯抛光的硅基底也能够提供。选型指导：特性产品描述常规硅片直径1"、2"、3"、4"、5"、6"、8"、10"、12"厚度50um至10000um超薄硅片直径5mm、10mm、25mm、50mm、75mm、100mm超薄硅片厚度2um至50um，公差±0.5μm、±1.0μm、±1.5μm表面粗糙度Prime Grade wafer Ra5? .掺杂类型P型、N型、无掺杂晶向〈100〉± 0.5° 〈110〉±0.5° 〈111〉± 0.5°，〈100〉± 1°，〈110〉±1°表面处理抛光、刻蚀、ASCUT；单面/双面处理电阻率0~至 20000 (Ωcm)级别Mechanical Grade、Test Grade、Prime Grade、SEMI Prime Grade 产品举例：产品描述尺寸举例规格多孔硅晶圆，Porous silicon wafer76.2mm10片无掺杂硅晶圆，undoped silicon wafer100mm10片氮化硅膜硅晶圆，Silicon Nitride Wafer LPCVD PECVD100mm10片FZ区硅晶圆片，Float Zone Silicon Wafer25.4mm10片热氧化处理硅晶圆片Thermal Oxide Wafer76.2mm25片超平硅片Ultra-Flat or MEMS wafers6″5片太阳能硅晶片，Solar Silicon Cells6″，5″25片外延硅片，Epitaxial Silicon Wafer100mm10片N型硅晶圆片，N-Type Silicon Substrates100mm100片各种硅晶片 我们致力于为客户提供全面的硅片（Silicon Wafer）解决方案，从测试级硅片（Test Wafer）到产品级硅片（Prime Wafer），以及特殊硅片氧化硅片（Oxide）、氮化硅片(Si3N4)、镀铝硅片、镀铜硅片、SOI Wafer、MEMS Glass、定制超厚、超平硅片等，尺寸覆盖50mm-300mm。对于2D材料的研究，软光刻硅片，直接放射性核电实验，等离子体刻蚀硅片，以及微流控芯片平台的建立，我们均有成功的经验。 小常识：将某一特定晶向的硅种子(种子,通常为一小的晶棒)棒插入熔融液态硅,并慢慢向上拉起晶棒,一根和种子相同晶向的晶柱就被生产出来。将晶柱切割成多个一定厚度的圆片片,通常称呼的wafer就被制造出来了。初步切割出来的wafer表面，通常比较粗糙,无法用作晶圆生产，因而通常都在后续工艺中进行抛光，抛光片的名词就由此而来。针对不同晶圆制造要求，通常需要向粗制晶圆内掺杂一些杂质，如P、B等，以改变其电阻值,因而就有了低阻、高阻、重掺等名词。镀膜片可以理解为外延片Epi，是针对特定要求的半导体装置而制定的wafer,通常是在高端IC和特殊IC上使用，如绝缘体上Si(SOI)等。用Czochralski(CZ)晶体生长法或浮区（floatzone）（FZ）生长法生成单晶硅。超大规模集成电路应用更多采用Czochmlski硅，因为它比FZ材料有更多的耐热应力能力，而且它能提供一种内部吸杂的机械装置，该装置能从硅片表面上的器件结构中去除不需要的杂质。因为是在不与任何容器或坩埚接触的情况下制成，所以FZ硅比CZ硅有更高的纯度（从而有更高的电阻率）。器件和电路所需的高纯起始材料（如高压，高功率器件）一般都用FZ硅。我们的低应力PECVD氮化是一个单面膜，已优化为晶圆需要最小的热处理。因为低应力PECVD氮化物是在低温下沉积的，它提供了更大的灵活性，可以沉积在任何其他薄膜上。我们提供独立式超薄超平硅片，厚度从5μm到100μm不等，直径从5毫米到6英寸。薄硅片是真正的镜面光洁度DSP，良好的表面平整度，无雾，无空洞，表面RMS低(典型1-2 nm)，超低值TTV通常小于+/-1μm。我们的单晶太阳能硅片的效率高达19.5%。什么是太阳能效率，阳光光子击中太阳能晶片在一个特定的空间的百分比。更高的效率意味着发电所需的比表面积更小。因此，小型屋顶将希望使用更高的效率面板，以弥补较小的表面积。

硅窗口纯Pure Silicon Windows纯硅膜的厚度有5nm, 9nm, 15nm, 35nm，利用溅射沉积纯硅，允许对含氮和/或碳的样品进行元素分析。单晶纯硅具有1-0-0取向，制作35 nm的薄膜，用于衍射研究和其它需要从单晶薄膜中获得均匀的背景应用。无孔硅薄膜轻微起皱，大约100微米间距有5微米或更少的偏转，这对于高分辨率成像来说通常是没有问题的。纳米多孔硅Nanoporous采用P30膜使多孔窗口更加多孔，孔径一般在10-60纳米范围。 l 纳米级别的厚度-成像窗口的厚度为5到35 nm，降低背景的干扰，以更高的对比度成像。5nm厚的无孔纯硅窗口比市面上最薄的非晶碳膜更薄。l 可等离子清洗-可以强力等离子清洗，去除有机污染，不像传统的碳膜l 场到场的均匀性-非多孔纯硅窗口比碳膜更薄，减少了场到场的可变性.(注：多孔窗口确实具有固有的结晶特征，但具有无背景纳米尺度的孔隙)。l 降低色彩模糊-与市面上最薄的无定形碳膜相比，5nm无孔纯硅窗口的色彩模糊减少一半。这种巨大的差异是由于电子通过硅窗口的薄膜的非弹性散射减少了两倍。反过来，减少的色彩模糊提供了一个潜在的成像分辨率的两倍提高。l 纳米尺寸孔-纯硅窗口可作为孔径为5~50 nm的多孔薄膜。孔隙允许简单和稳定的悬浮纳米材料进行成像，而不干涉背景。l 硅成分优点- 纯硅窗口的元素硅组分在高束流和高退火温度下显著提高了稳定性。纯硅成分还引入了最小的背景信号，使含有氮和/或碳的样品的元素分析可以通过EDX和EELS进行。l 孤立的多晶体硅-多孔纯硅窗口的多晶特性为x射线衍射研究提供了内部校准标准。孤立的晶体特征也为高分辨率尺寸测量提供了一个方便可靠的尺度，硅的晶格特征也很好。 l 亲水性-无孔和多孔纯硅窗口的亲水性可通过等离子体和/或臭氧处理来调节，从而使样品的制备变得更加容易，特别是在水溶液中的样品。l 高稳定性能-在高束流和高退火温度下(无孔600°C，纳米孔1000°C) 货号产品描述窗口尺寸膜厚度规格76042-70Single Crystal Pure Si TEM Window(8) 100μm, (1) 100x350μm35nm10/pk76042-71Non-Porous Pure Si TEM Window25μm sq.5nm10/pk76042-72Non-Porous Pure Si TEM Window(8) 50μm sq., (1) 50x100μm5nm10/pk76042-73Non-Porous Pure Si TEM Window(2) 50x1500μm5nm10/pk76042-74Non-Porous Pure Si TEM Window(8) 100 sq., (1) 100x350μm9nm10/pk76042-75Non-Porous Pure Si TEM Window(2) 100x1500μm9nm10/pk76042-76Non-Porous Pure Si TEM Window(8) 100 sq., (1) 100x350μm15nm10/pk76042-77Non-Porous Pure Si TEM Window(2) 100x1500μm15nm10/pk76042-78Nanoporous Pure Si TEM Window500μm sq.-10/pk76042-79Nanoporous Pure Si TEM Window(8) 100 sq., (1) 100x350μm-10/pk

产品信息：水溶性硅化液可结合硅烷聚合物 — 十八烷基三烷氧基硅烷，以增加化合物表面的惰性或聚合生成一张惰性膜*易于使用的硅烷单体溶液，混合在含有双丙酮醇和叔丁醇的 20% 固溶体中* 与其他表面处理相比，更不易发生碱性水解*可在塑料表面上使用 订货信息：水溶性硅化液描述规格部件号数量硅化液 — 水溶性120mL XTS-427991/包订购表中的 X 代表购买此产品需交纳有害物质运输费用。

BPX90 &ndash 90%氰丙聚硅亚苯基-硅氧烷 · 唯一的强极性柱，是分离芳香物、石化产品、杀虫剂、PCB和FAMEs异构体的理想之选； · 热稳定、键合相柱，主要通过极性分离； · 操作温度：80° C - 280° C； · 无直接替代产品。 forte BPX90&ndash 90%氰丙聚硅苯基-硅基烷 　 内径(mm) 膜厚(µ m) 15m 30m 60m 0.25 0.25 054570 054580 054590 0.32 0.5 054573 054583 054593

这款硅漂移探测器(SDD,Silicon Drift Detector)专业为XRF光谱仪和SEM扫描电镜EDS能谱仪探测器应用而设计，提供窗口材料的选择，从铍（8μm）到薄型聚合物（用于轻型X射线透射），并提供10mm2至60mm2的传感器有源区域。 此外，所有或我们的SEM SDD版本都是无振动的。硅漂移探测器在与创新的基于以太网的数字脉冲处理器相结合时得到优化。 具体配置给每个客户，SDD硅漂移探测器在广泛的输入计数率下提供卓越和稳定的性能，以产生快速X射线图。硅漂移探测器规格 SDD探测器典型特征 传感器区域 窗口选项 分辨率eV（Mn K / C） 10mm2 光元件（AP3.3）或8μmBe ≤123-133 30mm2 光元件（AP3.3）或8μmBe ≤126-133 60mm2 光元件（AP3.3）或8μmBe ≤126-133 100mm2 光元件（AP3.3）或8μmBe ≤128-133

Si硅Sn锡Zn锌Tl铊W钨Se硒龙天韬略LTL-2/4原子吸收空心阴极灯 ，空心阴极灯，又称元素灯，简称HCL（Hollow Cathode Lamp）,是原子吸收光谱仪（AAS）中的关键部件之一。作为分析光源主要用来提供被测元素的锐线光谱，能发射待测元素的特征谱线，在较低工作电流条件下，能辐射强度较大的特征谱线，谱线宽度窄，自吸效应小，灯的辐射立体角小，在使用效果上近似于一个点光源，使灯辐射的特征谱线能量几乎全部从原子化器内通过，并进入单色器分光系统。本公司采用的阴极制作技术和真空处理工艺，产品具有特定元素的特征辐射谱线强度高而稳定,背景低,光谱纯净度高，噪音低，灵敏度高,稳定性好,牢固可靠，寿命长等特点，拥有一个独特的阴极杯系统使得灯管更快地达到平衡，同时更多地扩充了其内部气体容量，使其每一支空心阴极灯管都能达到zui低5000 mA.h （毫安小时）的使用寿命，即使是砷和汞的元素灯。本公司通过采用可视化和光电化检测工艺以确保每一个空心阴极灯的高质量，每个灯都经过了严格的噪音、漂移、波长精度和能量的质量检测。本公司LTL系列空心阴极灯包括LTL-2、LTL-4、LTL-PE4、LTL-PE9、LTL-MF2、LTL-MF4、LTL-HP2、LTL-HP4、LTL-AF、LTL-AF-C等型号，产品覆盖国内外各型号原子吸收光谱仪器、原子荧光仪器用分析光源，无论您在寻找单元素还是多元素灯、无编码还是带编码灯、38mm （1.5"）还是50mm （2"）灯，我们都能够提供您与仪器原厂商来源的灯具有相同性能或比其高性能的元素灯，型号、规格与原厂完全匹配。Si硅Sn锡Zn锌Tl铊W钨Se硒龙天韬略LTL-2/4原子吸收空心阴极灯

1305640Quartz injector (2.0mm ID) iCAP Q2毫米中心管1305650Quartz injector (1.5mm ID) iCAP Q1.5mm中心管1305920Flared PVC Peripump Tubing 0.51mm PK12蠕动泵管1305940Drain line w. gray/gray peripump tubing废液管1310900Sampling Cone Gasket石墨垫片1311870Skimmer iCAP Q NI for Insert截取锥1317080Cyclonic Quartz Spray Chamber iCAP Q旋流雾化室1317090PFA-ST nebulizer， testedPFA雾化器1318480Skimmer Cone Insert 3，5样品锥嵌片1319310Pumpoil PFPE Leybonol LVO 420泵油1320040Peristaltic pump tubing I??0，381 mm or/gn蠕动泵管1320050Peristaltic pump tubing I??0，508mm or/ye蠕动泵管1320070Silicone Tube-I?0，508mm-orange/yellow硅管1320080Silicone Tube-I?0，762mm-black/black硅管1320090Silicone Tube-I?1，295mm-gray/gray硅管1320100Silicone Tube-I?2，794mm-violet/white硅管1320250iCAP Q PFA Cyclonic Spray Chamber KITPFA雾化室1320260Cyclonic PFA Spray Chamber iCAP QPFA雾化室1320270PFA Adapter Spray Chamber-TorchPFA雾化室适配器1321200Injector Platinum compl. ?2铂金中心管

1305640Quartz injector (2.0mm ID) iCAP Q2毫米中心管1305650Quartz injector (1.5mm ID) iCAP Q1.5mm中心管1305920Flared PVC Peripump Tubing 0.51mm PK12蠕动泵管1305940Drain line w. gray/gray peripump tubing废液管1310900Sampling Cone Gasket石墨垫片1311870Skimmer iCAP Q NI for Insert截取锥1317080Cyclonic Quartz Spray Chamber iCAP Q旋流雾化室1317090PFA-ST nebulizer， testedPFA雾化器1318480Skimmer Cone Insert 3，5样品锥嵌片1319310Pumpoil PFPE Leybonol LVO 420泵油1320040Peristaltic pump tubing I??0，381 mm or/gn蠕动泵管1320050Peristaltic pump tubing I??0，508mm or/ye蠕动泵管1320070Silicone Tube-I?0，508mm-orange/yellow硅管1320080Silicone Tube-I?0，762mm-black/black硅管1320090Silicone Tube-I?1，295mm-gray/gray硅管1320100Silicone Tube-I?2，794mm-violet/white硅管1320250iCAP Q PFA Cyclonic Spray Chamber KITPFA雾化室1320260Cyclonic PFA Spray Chamber iCAP QPFA雾化室1320270PFA Adapter Spray Chamber-TorchPFA雾化室适配器1321200Injector Platinum compl. ?2铂金中心管

1305640Quartz injector (2.0mm ID) iCAP Q2毫米中心管1305650Quartz injector (1.5mm ID) iCAP Q1.5mm中心管1305920Flared PVC Peripump Tubing 0.51mm PK12蠕动泵管1305940Drain line w. gray/gray peripump tubing废液管1310900Sampling Cone Gasket石墨垫片1311870Skimmer iCAP Q NI for Insert截取锥1317080Cyclonic Quartz Spray Chamber iCAP Q旋流雾化室1317090PFA-ST nebulizer， testedPFA雾化器1318480Skimmer Cone Insert 3，5样品锥嵌片1319310Pumpoil PFPE Leybonol LVO 420泵油1320040Peristaltic pump tubing I??0，381 mm or/gn蠕动泵管1320050Peristaltic pump tubing I??0，508mm or/ye蠕动泵管1320070Silicone Tube-I?0，508mm-orange/yellow硅管1320080Silicone Tube-I?0，762mm-black/black硅管1320090Silicone Tube-I?1，295mm-gray/gray硅管1320100Silicone Tube-I?2，794mm-violet/white硅管1320250iCAP Q PFA Cyclonic Spray Chamber KITPFA雾化室1320260Cyclonic PFA Spray Chamber iCAP QPFA雾化室1320270PFA Adapter Spray Chamber-TorchPFA雾化室适配器1321200Injector Platinum compl. ?2铂金中心管

硅钼粉,锡粒,纯铁助熔剂仪器试剂锡粒,纯铁,硅钼粉的用途电弧燃烧炉是我国钢铁行业在高速分析中使用普遍和实用的一种燃烧炉，因其操作简单，节约能源耗材，稳定耐用，价格低，无需升温。随时来样随时检测，而受到广大理化工作者的欢迎。钢的熔点约为1515℃,铁的熔点约在1535℃。这么高的熔点电弧燃烧炉要在短时间内将其熔化并释放出CO2和SO2,是添加剂起了至关重要的作用。1.添加剂在氧气流中氧化燃烧，输出大量的热能．可以提高炉温．有显著的发热作用；2.添加剂由于液化密度小于铁的氧化物或受热后生成气体物质，在炉体内部向上飘浮的过程中，可加快碳、硫离子的扩散，有利于与氧气接触，使氧化反应加快起到良好的搅拌作用；硅钼粉,锡粒,纯铁助熔剂仪器试剂3.氧化燃烧生成的CO2，和SO2都属于酸性氧化物，碱性介质不利于CO2和SO2的释放，而选取适量的偏酸性添加剂加入燃烧体系可使介质变成中性或弱酸性．有利于CO2和SO2的逸出；4.燃烧后生成的Fe2O3、SnO2，等粉尘对SO2有吸 附作用，导致测试结果偏低。加入有关的添加剂可阻止吸附消除千扰；硅钼粉 锡粒 锌粒 锡箔 化学试剂 玻璃器皿各种化学分析用添加剂，电弧燃烧炉用优良硅钼粉，锡粒，锌粒，锡箔等材料。各种化学分析用一般和特殊的化学试剂，显色剂，特殊元素分析需要的显色剂的使用方法和操作请，我们将竭力帮助用户解决各种技术问题。水准瓶，储气瓶，量气筒，碳杯，硫杯，滴定管，各种规格加液器，比色皿，比色杯，各种一般和特殊的玻璃器皿电弧燃烧炉中常用的添加剂有纯锡粒和硅钼粉。硅主要起发热作用．燃烧产生热量，另外硅氧化后的产物是SiO2属酸性氧化物，它的密度比铁及其氧化物都小，在液体中有漂浮作用，有利于CO2和SO2的释放。MoO3是酸性氧化物，它的加入有利于SO2的释放。它在1155℃生成气体， 从液相中逸出时．起到良好的搅拌作用，有利于硫离子的扩散和SO2的生成。它能破坏Fe2O3的催化作用，防止管道吸附。锡的熔点是231℃，可以降低整个燃烧体系的熔点，主要作用是助熔并兼有发热稳燃的作用。由于锡氧化生成SnO2属碱性氧化物，加入过多，会引起硫测定值降低，因此，锡应适量加入。5.分析检测铁或铁合金时，要加入适量纯铁助溶剂，其主要作用是帮助燃烧，有利于在瞬间提高炉体内的温度，保证试样中碳硫的释放。由于添加剂所起的重要作用，因此对添加剂的要求也很高，要求杂质成份含量少，碳、硫含量更要低，它的几何形状，粒度、空隙度也有一定的要求。目前市场上销售的一些添加剂中碳硫含量偏高、粒度大，有些硅钼粉中的SiO2、直接采用石英砂。或者为了降低材料成本，随意改变MoO3和SiO2的配比。使用这些添加剂会对测量的结果产生很大的误差而影响产品质量，建议用户选择正规企业所生产的、有质量保证的添加剂。 硅钼粉,锡粒,纯铁助熔剂仪器试剂

forte BPX50 – 50%苯基聚硅苯-硅氧烷? 低流失、中等极性，特别是用于EPA 方法和药物分析；? 操作温度： 0.1 – 1.0μm 膜厚 40°C - 360/370°C；? 相似固定相： DB-17、DB-17ms、DB-17HT、HP-17、AT-50、AT-50ms、RSL-300、RTX-50、PE-17、CC-17、007-17(MPS-50)、SP-2250、HP-50+、SPB-50、SPB-17 和ZB-50；? 完整的毛细管柱典型应用，请参照附录A 第140 页。BPX50 – 50%苯基聚硅苯-硅氧烷订货信息：内径(mm)膜厚(μm)10m15m30m60m0.10.1054740√——0.150.15√√054741—0.250.25√0547500547510547520.320.25√0547600547610547620.530.5√054770054771—1.0√√054772—√=这些规格我们同样提供，需要更详细信息请与我们联系。

BPX50 SGE 毛细管柱 气相色谱柱 50%苯基聚硅苯-硅氧烷气质联用柱低流失、中等极性，特别是用于EPA方法和药物分析；BPX50?SGE 毛细管柱 气相色谱柱 订货号长度(m)内径(mm)膜厚?(μm)使用温度054740100.10.180?to?330/350054741300.150.1580?to?330/350054742200.180.1880?to?330/350054750150.250.2580?to?330/350054751300.250.2580?to?330/350054752600.250.2580?to?330/350054761300.320.2580?to?330/350054772300.53180?to?330/350

惰硅污染源气体采样罐功能：采集污染源气样，用于较高浓度挥发性有机化合物的分析。原理：采样前罐清洗干净并抽真空采样罐，采样时打开阀门，气体样品因罐内真空流入受大气压力进入采样罐，关上阀门，待测。材质：316 不锈钢，内表面惰硅处理。特点：1）专用于污染源空气中高浓度VOCs 采集，高纯氮气清洗要求可低于环境空气采样罐，循环利用；2）阀门及罐体内表面惰硅（InertSi® ） 钝化，有效降低分析物的吸附；3）1L 采样体积，轻便实用，适于外业采样环境，又满足分析测试要求；并配有便携式采样罐袋，每次可方面携带6 个或9 个采样罐；4）罐体内外表面稳定，温度耐受范围大，在低温、高温环境均正常工作。污染源采样罐信息型号容积（mL）规格（cm）附件净重(kg)优点（相对于污染源采样袋）YWR1000-B0-V21000 ±20圆柱形，柱体直径9.0, 柱高15.7采样针阀0.564有效降低分析物吸附性；阀门密闭性好，操作便捷，防止漏气，避免分析物氧化，延长样品存储时间。订货信息：污染源气体采样罐产品名称货号惰硅 1-L 不锈钢污染源气体采样罐 不带表YWR1000-B0-V2惰硅 3-L 不锈钢污染源气体采样罐带表YWR3000-B1-V2惰硅 6-L 不锈钢污染源气体采样罐带表YWR6000-B1-V2惰硅 15-L 不锈钢污染源气体采样罐带表YWR15000-B1-V2采样罐标配德国AB 真空压力复合表(除1-L 外) 和美国捷锐的针阀。

BPX50 &ndash 50%苯基聚硅苯-硅氧烷 气质联用柱 低流失、中等极性，特别是用于EPA方法和药物分析； 操作温度： 0.1 &ndash 1.0µ m膜厚 40° C - 360/370° C； 相似固定相： DB-17、DB-17ms、DB-17HT、HP-17、AT-50、AT-50ms、RSL-300、RTX-50、PE-17、CC-17、007-17(MPS-50)、SP-2250、HP-50+、SPB-50、SPB-17和ZB-50。 订货信息： BPX50 &ndash 50%苯基聚硅苯-硅氧烷 气质联用柱 内径(mm) 膜厚(&mu m) 10m 15m 30m 60m 0.1 0.1 054740 &radic &minus &minus 0.15 0.15 &radic &radic 054741 &minus 0.25 0.25 &radic 054750 054751 054752 0.32 0.25 &radic 054760 054761 054762 0.53 0.5 &radic 054770 054771 &minus 1 &radic &radic 054772 &minus &radic =这些规格我们同样提供，需要更详细信息请与我们联系。

产品特点：MM Linear, 1mlSKU: MM Categories: Silylation Reagents / Standards, Linears ，硅烷化试剂Tags: Cyclics & Linears, Linears六甲基二硅氧烷是一种有机硅化合物，化学式O[Si(CH3)3]2。这种不稳定的液体可用作溶剂和有机合成试剂。它由三甲基氯硅烷水解制得。这种分子是甲硅烷基醚（silyl ether）的原型，并与聚二甲基硅氧烷的单体类似。特点● 结构： [(CH3)3Si]2O● 配备最小毛细管气相GC纯度要求为98.0%六甲基二硅氧烷 用途化学性质 无色透明液体。 不溶于水，溶于多种有机溶剂。用途 作为封头剂、清洗剂、脱膜剂，主要用于有机化工及医药生产中用途 用作憎水剂、绝缘材料及防潮剂用途 用于仪器仪表循环冷却液和制造各类有机硅产品，也作憎水剂，用于纤维织物表面处理，无线电零件的绝缘防潮。还用于气相色谱固定液。用途 本品作为封头剂、清洗剂、脱膜剂，主要用于有机化工及医药化工生产中。用途 作为封头剂、清洗剂、脱膜剂，主要用于有机化工及医药化工生产中 。用作硅油生产中的封头剂，也可用作硅氮烷原料。用于硅橡胶、药品、气相色谱固定液、分析试剂、憎水剂等。

气相色谱填充柱〖20%(25%苯基75%甲基硅氧烷)〗部件号描述规格LDPC20030-01820%(25%苯基75%甲基硅氧烷) 填充柱1/8"*1.8m 1. 柱管无特殊说明均为进口不锈钢管，有PEEK管、镍管、惰化管等柱管材料可选2. 采用进口优质填料,填装均匀3. 柱长度可依据客户要求订做4. 色谱柱两端的螺母压环等连接件均可选购，请及时沟通，以免无法连接

Agilent J&W HP-35 气相色谱柱采用（35%-苯基）-甲基聚硅氧烷固定相，EPA 方法 8081 和 USP G42 对此固定相做出了规定。在分析农药、除草剂、药物和胺类方面，该色谱柱的中等极性使其成为一种不错的选择。 （35%-苯基）-甲基聚硅氧烷 中等极性 — 比 DB-35 的极性略弱对活性化合物具有惰性用于确证分析的理想色谱柱经过键合交联，可使用溶剂冲洗相当于 USP 固定相 G42在柱流失、灵敏度和柱效方面都经过最严格的行业 QC 指标测试每根色谱柱随附性能汇总报告相似固定相：Rtx-35、Rtx-35ms、Rxi-35Sil MS、SPB-35、AT-35、Sup-Herb、MDN-35、BPX-34、ZB-35 和 ZB-35 ht

Agilent J&W DB-200 是一款（35%-三氟丙基）-甲基聚硅氧烷色谱柱。该中等极性柱是分析难以分离的位置异构体的理想选择。它与含有硝基、卤素和羰基等基团的化合物有独特的相互作用。 （35%-三氟丙基）-甲基聚硅氧烷其恒温操作温度上限和程序升温温度上限分别为 300 °C 和 320 °C中等极性 — 比 DB-1701 或 DB-17 的极性强分析难以分离的位置异构体的理想选择与含有硝基、卤素和羰基等基团的化合物有独特的相互作用低 ECD 流失独特的选择性 几乎等同于 USP 固定相 G6在柱流失、灵敏度和柱效方面都经过最严格的行业 QC 指标测试每根色谱柱随附性能汇总报告

四川蜀玻高硼硅泡酒瓶高硼硅泡酒瓶高硼硅泡

超快非晶硅激光刻膜机配件是特别为太阳能产业光伏工业而设计的整套晶圆激光加工系统。可用于光伏电池激光加工,去除氮化硅膜氮化硅膜蚀刻,晶圆边缘隔离，有可以当作激光刻膜机,激光划片机使用。 提供如下四合一服务：SiNx/SiO2去除,去除二氧化硅,去除氮化硅 边缘隔离晶圆 背接触激光烧结和激光刻槽 激光打标 其中紫外飞秒激光用于SiNx/SiO2的选择性烧蚀或切除(氮化硅膜蚀刻),配备的紫外飞秒激光可以非常精密地剥蚀SiNx(去除氮化硅膜),同时在Si层的直接或热效应降低到最低，从而增加载流子寿命（少子寿命）,避免微裂纹。而配备的1064nm的纳秒激光工作非常稳定而快速，将用于晶片的快速激光边缘隔离，激光打标和激光烧结。 非晶硅激光刻膜机配备自动处理和扫描系统，支持5’’和6’’直径的硅晶片加工。同时配备机械视觉系统以随时调节激光束扫描,保持高度重复性和可靠性。配1级激光安装防护装置和灰尘消除系统，营造无尘加工环境，以保证飞秒激光的精密烧蚀和热效应影响的最小化。 非晶硅激光刻膜机配件特色 配备的激光器处理能力高达800个晶片/小时或350000px/s 加工量为425个晶片/小时,优化后可用于2.5MW/a产品的生产线 适用5' ’和6' ' 硅晶片 紫外飞秒激光和红外纳秒激光光源 机械视图系统可调节激光扫描场 精密激光光束定位 激光划线激光剥蚀激光熔化 为用户提供了无银敷金属技术生产太阳能电池 成功地装配到生产能力高达2.5MWp/a的生产线上。 使用飞秒激光对晶圆wafer的发射端进行介电层（SiNx)的选择性移除。SiNx厚度为50-90nm,覆盖发射端，必须精确移除而不伤害发射层。一种应用是消蚀SiNx层的同时，也产生bus bars和fingers开口，下一步,这些开口将被镍覆盖，这样就形成了高质量的前接触。它使用振镜扫描器控制激光束切割发射端，独具的机械视图功能能够探测晶圆位置。

TEM用无膜硅框架 规格参数： 1. 单面镀膜硅片：Si基底，厚度：200µ m，框架Ø 3mm，双面均有50nm氮化硅薄膜； 2. 亲水性硅片：Si基底，厚度：200µ m，框架Ø 3mm，双面均有50nm氮化硅薄膜；氮化硅薄膜上还镀有5nm的亲水性氧化铝薄膜； 3. 疏水性硅片：Si基底，厚度：200µ m，框架Ø 3mm，双面均有50nm氮化硅薄膜；氮化硅薄膜上还镀有5nm的疏水性薄膜； 4. 普通硅片：Si基底，厚度：200µ m，框架Ø 3mm； 详细请咨询：021-35359028/ admin@instsun.com