硅基

梅特勒托利多 Thornton 2800Si 硅分析仪是一种可靠的在线仪器，专门用于纯水处理与电厂循环化学。该分析仪为水的纯度提供保障，从而优化纯水生产的离子交换，最大限度减少硅在涡轮机内的沉积。在尽量减少操作人员巡检工作量的同时，及早地发现痕量级污染。应用在 ppb 级硅的超纯水监测。可在 ppb 级非常低时检测到抛光阴离子树脂的漏硅，受污染的水可在到达重点区域前引走转移。监测纯水处理中的阴离子交换过程，可以第一时间发现硅离子的泄漏，从而在污染物到达下级处理单元之前启动再生操作过程。电力蒸汽质量监测避免硅沉积在涡轮机中和引发的不平衡，以及功能和效率的损失。补给水被大量污染前，电厂凝结水精处理监测就能够在低 ppb 级检测到再生操作需求。产品特性 &mdash 优势自动化、无人值守自动校准 - 提供出色的重复性并节省操作人员时间每次测量时自动零点校正 - 确保测量稳定性便捷的样离线去样测量功能 &mdash 可以对工厂的其它区域进行额外的样品和质量控制检查同步显示硅含量和测量时间 - 提供一目了然的方便分析状态，节省操作时间提供反应室温度测量，确保可靠操作全部封闭 - 安全保护试剂容器和工厂环境中的组件，无需面板开大试剂容器可实现长时间服务间隔 &mdash 减少维护时间规格 - 2800Si硅分析仪（又名硅离子分析仪、在线硅表、全自动硅表）Range0-5000ppbDetection limit0.8ppbТочность读数的 ± 5%，± 1 ppbMeasurement parameter周期时间可调，通常为 20 分钟Pressure range (bar/psi) 7 bar (100 psig)如需了解更多信息，请访问或拨打梅特勒托利多官方客服热线

1. 产品概述：英思特硅芯清洗机是专门用于硅芯清洗的设备，通过一系列特定的清洗工艺和技术，有效去除硅芯表面的杂质、污垢、氧化物等，以达到硅芯在半导体制造等领域应用所需的高洁净度要求。它通常由清洗槽、漂洗槽、干燥系统、传输系统、电气控制系统等部分组成，各部分协同工作，实现对硅芯的自动化清洗流程。2. 设备应用： 半导体产业：在半导体芯片制造中，硅芯是重要的基础材料。硅芯清洗机用于清洗硅芯，为后续的外延生长、掺杂等工艺提供洁净的硅芯表面，确保芯片的质量和性能。例如，在制造高纯度的半导体器件时，硅芯表面的洁净度直接影响到器件的电学性能和可靠性。 光伏产业：用于光伏电池生产中硅芯的清洗，提高硅芯的表面质量，从而提升光伏电池的转换效率和稳定性。 3. 设备特点：1.产品用途:适用于2"~8"硅芯清洗2.设备介绍:本设备为柜体式腐蚀机,整台设备均采用进口件.基本材质:箱体材质:德国兹白色聚丙烯(PP)门板材质:德国透明聚氯乙烯(PVC)腐蚀槽材质:德国自然色聚偏二佛乙烯(PVDF)清洗槽材质:德国自然色聚丙烯板(NPP)腐蚀槽配有美国聚四佛乙烯加热器,虹吸上排,传感器清洗槽配有溢流装置和N2鼓泡装置整机外形美观,实用3.设备外形尺寸:2000X1000X1800(mm)4.设备重量:8000Kg(约)5,设备控制方式: PLC结合操作触摸屏控制6.设备动力条件:电源:380VAC+-10%频率 50HZ+-10%,三相五线制整机额定电功率(参考):20KW电气性能:E级,并有良好的接地水工:压力2-3KG/CM3,流量2m3/hr 口径DN25DIW:压力2-3KG/CM3 流量2m3/hr(max),电阻率15MDN25气源压缩空气:0.3~0.5MPa,口径3/8"(配有水分离器)排废:DN50排废酸:DN40排风:DN200环境要求:空气温度5-40°C 相对湿度:80

在pH为1.1～1.3条件下，水中的可溶硅与钼酸铵生成黄色硅钼络合物，用1-氨基-2萘酚-4-磺酸（简称1-2-4酸）还原剂把硅钼络合物还原成硅钼蓝，用硅酸根分析仪测定其硅含量。仪器利用光电比色原理进行测量。根据朗伯－比耳定律：当一束单色平行光通过有色的溶液时，一部分光能被溶液吸收，若液层厚度不变，光能被吸收的程度（吸光度A）与溶液中有色物质的浓度成正比。 用于发电厂除盐水、蒸汽冷凝水、炉水及化工、制药、化纤、半导体行业水中可溶性二氧化硅和硅酸盐含量的分析、检测。 l 5.0寸触摸彩色液晶，中文显示，操作方便。l 先进贴片工艺及一体化设计，高集成度电路设计稳定耐用。l 先进单片机技术,高性能,低功耗。l 光源采用进口单色冷光源 ，性能优良，信号稳定，功耗低，寿命长。l 本底补偿功能,减少微量硅测量误差 。 l 自动计时提醒功能，方便操作者使用，提高工作效率 。l 空白校准，消除零点漂移和电气漂移，提高测量精确度。l 数据循环存储功能(最大256条)，自动清除溢出数据，操作简单，查询方便。l 采用国家颁布的硅钼蓝标准比色测定分析方法。 环境湿度： ≤90%RH（无冷凝）电 源： AC(85 ～ 265)V 频率(45 ～65)Hz功 率： ≤ 30W外形尺寸： 260mm×200mm×180mm重 量： 3.2kg显 示： 5.0寸触摸彩色液晶，中文显示测量范围： （0～200） μg/L （0～2000）μg/L（可选）示值误差： ±2%F.S分 辨 率： 0.1μg/L重 复 性： ≤1%稳 定 性： ±1%F.S/4h环境温度： （5～45）℃ l 配件指南l 硅酸根标液l 排污管l 电源线l 进样杯 注意事项1.配制溶液的Ⅱ级试剂水必须是纯度很高的高 纯水，最好是高性能混床离子交换装置产生 的去离子水。2.所有试剂应保存在专门标识的聚乙烯塑料瓶 中。所有试剂的质量等级都必须是分析纯或分 析纯以上，且未过保质期。3.每天应对仪器做一次空白校准，每隔两周应对仪器进行一次曲线校准，以消除电气漂移、光学漂移和温度漂移对仪器的影响。

激光光束分析仪硅基CCD相机主要特点： 相应灵敏度高； 不同感光面尺寸可供选择； USB/Firewire/ Gigbit Ethernet三种接口方式； C-Mount 接口，可选择衰减片、分光片等多种附件。主要应用领域： 半导体激光器 HeNe激光器 紫外激光加工设备等

激光光束分析仪硅基镀磷CCD相机主要应用领域：光通讯，OPO激光等。 一般来讲，红外相机在进行近红外光信号向可见光信号转换过程中，输出信号是非线性的，这表现在：反斯托克斯荧光粉涂层输出可见光光子信号的速率是输入近红外光子信号速率的接近2 次方倍；相机总的信号输出速率比输入速率快很多，相机信号饱和值降低至一般相机的将近2 倍。这就造成较低的近红外光边缘区域就会因为信号太弱而无法探测，从而造成光斑大小测量值比实际值小。Spiricon公司通过仔细的研究近红外相机非线性信号输出规律，成功地在BeamGage 软件中植入特殊的算法对相机非线性输出信号进行线性修正校准，从而保证测量结果真实可靠。主要特点：反斯托克斯磷层吸收1440-1605nm 近红外光，进而产生的可见光在硅基芯片上进行成像。线性和非线性信号输出对比线性和非线性光斑大小测量对比线性校准前线性校准后

金属硅特性：成分主要是硅，因此和硅具有相类似的性质。硅有无定形硅和晶形硅两种同素异形体。无定形硅是灰黑色粉末，实际上也是一种微晶体。晶形硅具有金刚石的晶体结构和半导体性质 ， 熔点 1410℃ ， 沸点 2355℃ ，密度2.32～2.34克/厘米3，莫氏硬度 7金属硅粉用途：1、工业硅粉广泛的应用于耐火材料、粉末冶金行业中，以提高产品的耐高温，耐磨损和抗氧化性。其产品被广泛的应用于炼钢炉、窑炉、窑具中。2、在有机硅化工行业，工业硅粉是有机硅高分子合成的基础原料，如用于生产硅单体、硅油、硅橡胶防腐剂，从而提高产品的耐高温性、电绝缘性、耐腐蚀性、防腐蚀性、防水等特性。3、工业硅粉经拉制成单晶硅，加工而成的硅片被广泛应用于高科技领域，是集成电路，电子元件必不可少的原材料。4、冶金铸造行业中，工业硅粉作为非铁基合金添加剂、硅钢合金剂，从而提高钢淬透性。工业硅粉也可应用于某些金属的还原剂，用于新型陶瓷合金等。设备选型：根据金属硅的物料特性，推荐选用气流粉碎机进行粉碎应用机型：ZJ-QLM系列工作原理：ZJ系列流化床超细超微粉碎机是利用多个相对布置的喷嘴形成高速气流，再利用高速气流将物料加速至超音速使其在喷嘴的交汇处互相碰撞，达到超细粉碎的目的。被粉碎物料随上升气流进入分级机分级室，由于分级转子高速旋转，粒子既受到分级转子产生的离心力，又受到气流粘性作用产生的向心力，当粒子受到的离心力大于向心力，即分级粒径以上的粗粒子返回粉碎室继续冲击粉碎，细粒子随气流进旋风分离器、捕集器收集，气体由引风机排出。ZJ系列流化床气流粉碎机是传统流化床式气流粉碎机、对喷式气流粉碎机、水平式气流粉碎机及其它类型气流粉碎机的更新换代产品，设备主要由粉碎主机、高精涡流分级机、旋风收集器、布袋除尘器、空气压缩机等组成；喷流能的充分利用是该机的最大特点。设备特点：1、绿色环保：低温无介质粉碎，保证了产品的高纯度和物理特性。设备在负压状态下运行无粉尘污染2、高效率：喷流能的充分利用，比传统气流磨粉碎机提高30%的粉碎效率，分级精度更高。3、设备磨损小：“流化床+立式分级机”的结构可以高纯、超窄地加工超微粉体，避免了“流化床+卧式分级机”分级部分的磨损，在相同材质下设备易损件使用寿命是国际同类产品的20倍。 磨损极小，尤其适合高纯度高硬度物料的超微粉碎。4、产量高：生产粒度分布窄的产品时，成品率比传统对喷式、流化床式气流粉碎机提高1倍以上。5、多用途：一机多用，可作为粉碎机也可作为分级机使用。粉碎粒度范围广，产品粒径可在1-74um范围内任意调节。6、智能化：设备可以实现全部自动控制，操作简单，运行稳定，生产环境优良。7、设计合理：设备结构紧凑，粉碎主机内无存料、无死角、易于拆洗、消毒、更换粉碎物料品种方便。8、整个系统采用自动化控制，可实现一键式启停，操作简单方便与中控联接可实现远程控制

1. 产品概述：HSE M200主要用于4/6/8英寸深硅干法刻蚀工艺。可以配置手动及自动传输系统。产品配置高密度双立体等离子体源，中心边缘进气，快速气体切换，低频脉冲下电极系统，可以实现高速、高深宽比、高均匀性及极小的侧壁粗糙度。HSE P300主要用于12英寸硅刻蚀。采用Cluster结构布局，能够减小占地，提升产能。系统主要由传输模块、工艺模块、灰区部件、电源柜等组成。可实现自动化地上下料及自动工艺。2. 设备应用： HSE M200晶圆尺寸:8英寸及以下适用材料:硅、SOI、SOG适用工艺:深硅刻蚀适用领域:微机电系统、科研领域 HSE P300晶圆尺寸:8/12英寸兼容适用材料:硅、氧化硅、氮化硅适用工艺:深槽刻蚀、深孔刻蚀、扇出型封装硅载体刻蚀、露铜刻蚀等适用领域:先进封装 3.设备特点HSE M200双等离子源和双区进气，保证高刻蚀均匀性和高刻蚀速率兼容性强，工艺种类多样，应用领域广泛，系统可靠性强灵活的系统配置，适合研发、中试线、大规模生产线的不同应用低拥有成本和运营成本HSE P300使用立体高密度等离子源，大幅提升刻蚀速率双等离子源和双区进气，确保较高的均匀性全自动化软件控制，高产能低拥有成本和运营成本

仪器简介：?用于捕集8吋和6吋硅晶片表面的挥发性成分（有机污染物）。(SW-8400)?用于捕集12吋硅晶片表面的挥发性成分（有机污染物）。(SW-12400)?捕集单面硅晶片挥发性气体，操作简便。?加热炉采用倒悬方式（参照下图），仅对晶片正面产生的气体进行捕集采样。?加热炉最高可加热到500℃。?加热炉封口采用O形环（聚亚胺材质）密封，无泄露。?一般采用PAT（内容积10ml，填充2.5g Tenax GR）捕集气体。也可选用其他厂家的相应捕集采样管进行采样。?配备冷却水循环装置。?配备防过热装置、联锁安全装置、急停按钮、漏水传感器（选配）等安全防范装置。技术参数：方式 ： 倒悬方式捕集硅晶片尺寸： 8"或6"，5"以下需添加扩充环（12400型，12"）O形环：封口部直径220mm（聚亚胺）石英加热炉： 透明石英材质加热炉加热方式： 顶板?底板独立加热方式加热炉使用温度： 常用400℃（最高可达500℃）加热炉冷却： 冷却水循环装置保温管： 内表面惰性化镀层处理吹扫气： 通常用氮气，最大使用流量500ml/min防过热装置： 电流15A，感应电流30mA急停按钮： 红色，蘑菇型安全装置： 联锁结构加压方式： 电机驱动设备尺寸： 1140(W)×1106(H)×750(D)mm电源： 单相AC200V、15A?AC100V、20A重量： 280　Kg标准附件：PAT（一级吸附管）： 2支（与其它公司捕集管不配套）PAT架： 1个（与其它公司捕集管不配套）PAT适配器： 1个（与其它公司捕集管配套使用）O形环： 2个冷却水循环装置： 1台（附标准配管）保温管： 1支气体配管： 1套（1/16"-1/8"）缆线： 1套工具： 1套操作说明书： 1册＊SW-12400型的技术规格请垂询。主要特点：?用于捕集8吋和6吋硅晶片表面的挥发性成分（有机污染物）。(SW-8400)?用于捕集12吋硅晶片表面的挥发性成分（有机污染物）。(SW-12400)?捕集单面硅晶片挥发性气体，操作简便。?加热炉采用倒悬方式（参照下图），仅对晶片正面产生的气体进行捕集采样。?加热炉最高可加热到500℃。?加热炉封口采用O形环（聚亚胺材质）密封，无泄露。?一般采用PAT（内容积10ml，填充2.5g Tenax GR）捕集气体。也可选用其他厂家的相应捕集采样管进行采样。?配备冷却水循环装置。?配备防过热装置、联锁安全装置、急停按钮、漏水传感器（选配）等安全防范装置。

1. 产品概述：英思特全自动硅料清洗机是一种高度自动化的设备，专门用于硅料的清洗处理。它通过一系列精确设计的工艺流程和先进的技术，能够高效、彻底地去除硅料表面的杂质、污垢和污染物，以满足半导体制造等对硅料高纯度的要求。该清洗机通常由多个功能模块组成，包括上料系统、清洗槽、漂洗槽、干燥系统等，各部分协同工作，实现硅料从进料到出料的全自动化清洗过程。 2. 设备应用： 半导体产业：在半导体芯片制造的前端工序中，对硅晶圆等硅料进行清洗，为后续的光刻、刻蚀、镀膜等工艺提供洁净的硅料表面，确保芯片的性能和质量。例如，在制造集成电路的过程中，硅料表面的任何微小杂质都可能导致芯片缺陷，因此需要高精度的清洗。 光伏产业：用于光伏电池生产中硅片的清洗，去除硅片表面的杂质和污染物，提高硅片的光电转换效率。比如，高效太阳能电池的生产对硅片的洁净度要求极高，全自动硅料清洗机能够满足这一需求。 3. 设备特点： 高度自动化：从上料到清洗、漂洗、干燥再到下料，整个过程实现全自动化控制，无需人工干预，大大提高了生产效率，降低了人工成本，同时也减少了人为因素对清洗质量的影响。 定制化设计：可根据客户的具体需求和生产工艺进行定制化设计，满足不同规格、不同类型硅料的清洗要求，以及与不同生产设备和生产线的无缝对接。 高效清洗能力：采用先进的清洗技术和优化的清洗工艺，能够快速、有效地去除硅料表面的各种杂质，确保清洗后的硅料表面洁净度达到极高标准，为后续的生产工艺提供优质的基础。 精确的工艺控制：配备高精度的传感器和先进的控制系统，能够对清洗过程中的各项参数（如温度、时间、溶液浓度等）进行精确控制和实时监测，保证清洗工艺的稳定性和一致性。 可靠的质量和稳定性：选用优质的材料和零部件，经过严格的质量检测和验证，确保设备具有良好的耐用性和稳定性，能够在长时间的连续工作中保持稳定的性能和可靠的运行。 节能环保：在设计和制造过程中注重节能环保，采用高效的能源利用方式和环保的清洗溶液处理方法，降低设备运行对环境的影响。4. 产品参数（以部分为例）：以下参数仅供参考，实际参数可能因定制化需求和设备型号而有所不同。 清洗槽数量：通常有多个清洗槽，如 3 - 5 个，分别用于不同的清洗步骤（如预清洗、主清洗、精清洗等）。 清洗方式：可包括浸泡式清洗、喷淋式清洗、超声波清洗等多种方式相结合。 处理能力：每小时能够处理一定量的硅料，例如 50 - 200 千克 / 小时。 温度控制范围：清洗槽的温度可在一定范围内精确控制，如 30 - 80℃。 溶液循环系统：具备高效的溶液循环和过滤系统，确保清洗溶液的清洁度和有效性。 设备尺寸：根据生产场地和需求，设备的外形尺寸可能有所不同，一般长度在 2 - 5 米，宽度在 1 - 2 米，高度在 1.5 - 2.5 米。 电源要求：通常需要三相交流电，电压如 380V，频率 50Hz，功率根据设备型号和配置而定，一般在 10 - 30kW 之间。

1.产品概述：PSE V300主要用于12英寸深硅刻蚀，同时兼具Bosch/Non-Bosch工艺，实现多工艺领域覆盖。该机台针对Bosch循环工艺方式采用专业先进的快速响应硬件配置及软件流程控制，结合先进的工艺技术，可实现超高深宽比下良好的工艺性能，配置多腔平台，满足大产能量产使用需求。2.设备应用：晶圆尺寸8/12 英寸兼容适用材料硅、氧化硅、氮化硅适用工艺2.5D&3D TSV刻蚀、深槽隔离/电容刻蚀、MEMS刻蚀适用领域集成电路、先进封装、功率半导体、图像传感器、微机电系统 3.特色优点：刻蚀方式：采用快速气体和射频切换控制系统结合的方式，能够在高深宽比深硅刻蚀中精准控制侧壁形貌，实现侧壁无损伤和线宽无损伤，且刻蚀均匀性、选择比更佳 135。结构设计：每腔单片设计，具有更好的气流场均匀性和真圆度工艺表现，可确保半导体器件制造工艺的质量和稳定性更优。并且机台可同时配置 6 个腔室，产能和性能表现优异 15。晶圆边缘保护：通过优化机台晶圆边缘保护装置，有效提高了产品良率，其效果优于当前行业产品指标 。工艺应用：全面应用于国内各大 12 英寸主流 fab 厂，不仅是 TSV 量产生产线主力机台，还扩展至功率器件、CIS 等领域。例如，在 TSV 工艺中表现出色；在 2.5D 工艺中，可提供能满足 BVR（背面通孔暴露）和 BFR（背面平整暴露）不同工艺需求的刻蚀工艺解决方案。 4.设备特点兼容Bosch/Non-Bosch工艺，实现多工艺领域覆盖优化的进气系统和ESC系统，提高均匀性快速进气系统，确保刻蚀速率高，Scallop小实现高深宽比的形貌控制

二硅化钼鼓泡管常见直径14、16、20；孔径从1孔到九孔，4孔、9孔使用较多；长度在500-1200毫米之间。郑州毅信窑炉有限公司二硅化钼鼓泡管耐高温，纯度高。孔径细小均匀可以过滤玻璃中的小杂质，提高玻璃的生产质量。 二硅化钼鼓泡管主要成分是二硅化钼，化学式MOsi2,属四方晶体结构,是Mo-Si二元合金系中含硅量 高的一种中间相，是成分固定的道尔顿金属间化合物，灰色，有金属光泽。具有耐高温特性，优宜的抗养化性，导电性、导热性，还有一定的机械性能，是制作高温发热元件、热电偶保护管、鼓泡管的好材料。同硅钼棒类似，二硅化钼产品本身并不具有高温抗氧化性，而是在高温养化气氛下，二硅化钼鼓泡管表面生成一层致密的高熔点的二氧化硅保护膜，这层膜抑制了产品继续氧化。二硅化钼鼓泡管性质：密度：5.5-5.6kg/cm3 气孔率： 5% 吸水率：1.2% 维氏硬度 ：（HV）570kg/mm2。 二硅化钼鼓泡管也是金属陶瓷制品，安装使用过程中应避免发生碰撞，对其施加外力。鼓泡管也有其他材质的，如钨鼓泡管、玻璃鼓泡管，钼鼓泡管等，我司主要生产二硅化钼鼓泡管，欢迎咨询。

我公司独特的半导体处理技术生产的硅光电二极管，涵盖了从近红外到紫外直至高能波长区域等宽广的波长范围。它们具有快速相应、高灵敏、低噪声的特性，广泛地应用于医疗和分析领域、科学计测、光通信以及一般性电子产品等。滨松提供硅光电二极管及阵列及模块、带放大器的Si光电二极管阵列、InGaAs 光电二极管及阵列、MSM光电探测器、平衡探测器、光学模块，以及光电传感器放大器、电荷放大器等附件产品。从金属、陶瓷、塑料封装到表面贴装，多种包装配备齐全，而且滨松还可以依据用户要求提供专门的设计产品。

汉中煤改电专用阻垢剂硅磷晶北京硅磷晶价格 进口硅磷晶 河北旭荣环保 销售热线： QQ：一、煤改电专用阻垢剂硅磷晶介绍 硅磷晶防锈阻垢剂是符合饮用水卫生标准的高效水处理剂,主要成分为食品级复合磷酸盐/硅酸盐。产品获得美国饮用水处理剂的权威检测机构NSF的注册认证。获中华人民共和国卫生部涉水进口产品饮用水卫生安全许可批件。是现在市面上非常流行的一种水处理高科技产品。 硅磷晶是玻璃状的小球,是聚磷酸盐/硅酸盐组成的微溶性聚合体。在水中聚磷酸盐能防止CaCO3的晶体生长和凝聚,并对铁离子起封闭作用,对氢氧化铁起分散作用。硅酸盐和聚磷酸盐更能使管道内表面形成保护膜,隔绝溶解氧,防止金属腐蚀。长期使用还可以清除系统中原有的氧化铁垢,而黏附在它表面的碳酸盐类也可脱落。归丽晶使用非常方便,不需维护、不耗动力,水头压力损失极小。用户要做的,仅是每隔3～6个月补充一次药剂即可。归丽晶在每吨水中只需1～3克,就可满足预期的效果。 硅磷晶防锈阻垢剂适用多种水处理场合,除作为饮用水处理剂外,还广泛用于中央空调冷却水,热水换热器,制冰机,咖啡机,加湿器,洗碗机,水洗机,太阳能热水器,家用纯水机,大型纯净水处理设备反渗透膜等的阻垢缓蚀。 二、煤改电专用阻垢剂硅磷晶概 述: 在民用及工业供水系统中,由于水中溶解氧和钙、镁等盐份的存在给整个系统中的设备及人类的健康造成危害。在工业供水系统中会造成管道、设备堵塞,严重影响了生产设备的正常运行,给用户造成了重大的经济损失,并造成水资源的大量浪费。 三、煤改电专用阻垢剂硅磷晶工作原理： 硅磷晶采用控制释放技术,主要成分由聚磷酸盐和聚硅酸盐组成。本产品在阻垢、防腐提高水质方面有它的独到之处,特别在防腐性能上尤其突出,是“红水”、“黑水”、“黄水”、“水垢”的克星。 四、煤改电专用阻垢剂硅磷晶主要功效: 在水中硅磷酸盐系饮用水处理剂浓度约3-5ppm时,形成可溶性络合物和难溶性纳米级膜来起阻垢和防腐作用,有效防止二次污染。水中含有的钙(Ga)、镁(Mg)、铁(Fe)等金属离子,容易在供水管道内壁形成碳酸钙、碳酸镁等不溶性物质,饮用水处理剂中的聚磷酸盐可以与上述金属离子反应形成可溶性络合物,抑制碳酸钙与碳酸镁生成,并分散到水中,与铁离子反应后,在管道内壁形成动态保护膜,以达到防腐蚀、防水垢的目的。 五、煤改电专用阻垢剂硅磷晶适用范围: 广泛应用于住宅楼、饭店宾馆、高层建筑物、医院、学校、洗浴桑拿中心、工厂等的供水管道防腐、阻垢中。【本信息由旭荣水处理公司小陈发布】

二硅化钼保护管直径一般12-30mm，长度一般500-1200毫米，其中600、850、1000订做较多，壁厚一般不低于5毫米，常见8/16/，10/20，13/25,16/25,20/32等。二硅化钼保护管在烧结过程中因为目前工艺限制，有些不可抗拒的问题，如管的直度，同轴度等。在制作中，一般都要考虑在内，二硅化钼制品越长的二硅化钼需要注意的更多，成品率低，二硅化钼保护管价格相对偏高，根据长度、壁厚的差异，价格会有所区别，一般都在800元以上。 二硅化钼化钼保护管是我司的主营产品之一，产品质量稳定，底部加厚密封，耐急冷急热，导热性能好，如有相关问题或需要产品，欢迎来电。

SH26527有机硅消泡剂抑泡测定仪 是按照GB/T 26527-2011有机硅消泡剂标准规定的要求设计的，适用于按照GB/T26527标准的测定方法测定乳状消泡剂和有机硅消泡剂的抑泡性能测试。该仪器由玻璃缸水浴，电控箱、电加热器、智能数字控温仪、单片机计时报讯器、2个500ml耐热玻璃量筒、2个气体流量计及2组气体扩散头等组成。技术参数● 工作电源： AC220V，50Hz； ● 加热功率： 2000W；● 空气流量： 精密流量计控制● 流量范围： 90-100ml/min● 控温范围： 室温～99.9℃● 计时方式： 自动计时，可自行设置● 环境温度： -10～+40℃；● 相对湿度： ≤85%；● 仪器尺寸：350*280*360mm 重量 25kg ● 包装尺寸：600*480*580mm 重量：31kg 装箱单序号名称规格单位数量备注1主机台12保险丝管10A支23量筒500mL只24橡胶塞，导气管及曝气头套25泡沫特性用温度计50-100℃根16电源线220V根17说明书本18合格证份1

仪器简介：硅光电二极管探测器分为双波长发射二极管与接收管，硅光电二极管探测器，雪崩二极管 三种不同系列产品，其中硅光电二极管探测器包含光导/光伏型光电探测器，紫外增强探测器，单点软X射线探测器，位置探测器这四种探测器。技术参数：双波长发射二极管与接收管1.陶瓷或塑料封装；发射管有背对背（二引脚）和共阳极（三引脚）连接方式。 2.660nm LED峰值波长偏差小于+/-3nm, 半波宽小于25nm，保证了测量数据的精准度。 3.相应提供最佳匹配度的探测器，可使仪器的设计更简单可靠。 4.发射管主要型号：DLED-660/905-CSL-2 ；DLED-660/940-CSL-3 DLED-660/880-CSL-2 DLED-660/895-CSL-2 DLED-660/905-LLS-2(陶瓷封装)；DLED-660/940-LLS-3(陶瓷封装) 5.接收管型号：PIN-8.0-CSL；PIN-4.0-CSL；PIN-8.0-LLS(陶瓷封装)；PIN-4.0-CSL(陶瓷封装)硅光电二极管探测器1.波长范围：350-1100nm 2.高速响应：光导型加偏压10ns 3.低暗电流：0.01nA 4.高灵敏度：0.65A/W紫外增强探测器1.高灵敏度：0.14A/W@254nm2.反转通道型:*100%内量子效率 3.平面扩散型：红外截止，高稳定度单点软X射线探测器1.探测范围：6eV-17600eV 2.直接探测，不需要闪烁体 3.不需要偏压 4.高量子效率，低噪声 5.真空低温可适应位置探测器1.四象限和线性位置探测； 高精度，高分辨率，高速响应； 2.在长时间和温度变化下仍何以保持高稳定性；雪崩二极管1.响应峰值波长: 820nm 2.响应速度快： 0.4ns @850nm,G=100 (APD-300) 3.高灵敏度： 42A/W @850nm, G=100 4.低偏置电压高增益：G=100@200V5.标准TO封装方式： TO-18；TO-5 6.有平面窗和适合光纤应用的球透镜可选；主要特点：双波长发射二极管与接收管应用：血氧探头（SpO2）；血液分析；比例测量相关仪器硅光电二极管探测器 光导/光伏型光电探测器应用：光脉冲探测；光通信；条码读取；医疗设备；高速光度测量紫外增强探测器应用：污染监测；紫外荧光；紫外线测试；水质净化；紫外线验钞单点软X射线探测器应用：X光医疗设备；放射量测定；X光光谱仪；带电粒子探测位置探测器应用：光路准直；位置测量；测绘；导航系统；表面分析雪崩二极管应用：激光测距；高速光通讯；条码读取仪；光遥控；医疗仪器

在pH为1.1～1.3条件下，水中的可溶硅与钼酸铵生成黄色硅钼络合物，用1-氨基-2萘酚-4-磺酸（简称1-2-4酸）还原剂把硅钼络合物还原成硅钼蓝，用硅酸根分析仪测定其硅含量。根据朗伯－比耳定律：当一束单色平行光通过有色的溶液时，一部分光能被溶液吸收，若液层厚度不变，光能被吸收的程度（吸光度A）与溶液中有色物质的浓度成正比。广泛应用于火电、化工、化肥、冶金、环保、制药、生化、食品和自来水等行业的溶液中硅酸根的连续监测。 l 1～6通道可选择，节省费用。l 采用进口高精度电磁阀，动作可靠，使用寿命长， 进样及加药准确，测量精度高。l 彩色液晶显示，不同颜色同屏显示各通道实时曲线或历史曲线。 l 多路高精度可编程电流信号输出，便于后续连接自动加药或DCS系统结构精巧，开孔式安装，使用维护方便。l 保存一个月历史数据，便于事件追查。l 单色冷光源，使用寿命长，稳定性好。 环境温度：（5～45） ℃环境湿度：≤ 90% RH（无凝结）试剂消耗：约3升/月/种 (共4种试剂) 输出信号：隔离的直流电流信号，0～20mA、 4～20 mA、0～10 mA三种模式 可任意设置报警信号：各通道独立报警，断流报警、 上下限报警电 源：AC（85～265）V 频率( 45-65)Hz功 耗：≤ 100 W外形尺寸：460mm×280mm×720mm开孔尺寸：670mm×410mm重 量：22kg 测量原理：硅钼蓝光电比色法显 示：7.0寸彩色液晶触摸屏，中文显 示测量范围：（0.0～200.0）μg/L、 （0.0～2000）μg/L 可选 测量精度：±2% F.S重 现 性：≤±1% F.S稳 定 性：漂移±1% F.S/24h响应时间： 10分钟测量周期：约10分钟/通道水样流量：10 ～40 L/h水样温度：（5 ～50） ℃杂 质：固态物小于5微米，且无胶状 物出现 配件指南l 硅酸根标液 60mL/瓶（10μg/mL）l 过滤器l 二次仪表安装方式l 开孔式l 架装式 注意事项l 1.在仪器出现明显故障时，用户不要自行打l 开修理，请及时与厂家联系。l 2.若开机无显示，请检查电源线是否接好。l 3.如使用说明书与实际操作有差异时以仪器为准。

硅基叉指电极结构高低温探针台KT-Z4019MRL4T 叉指电极传感器主要包括四个结构参数，分别为:叉指电极对的对数、叉指宽度、相邻叉指之间的间隙距离以及叉指电极的厚度。这四个参数对基于叉指电极的生化传感器关键性能指标都有很大影响。通过分析叉指电极阻值的计算公式可发现，叉指的长宽比越大，叉指的密度越大，叉指电极的初始电阻越小，从而传感器的灵敏度和响应速度就会越高。当叉指电极结构尺寸减小到微米量级以下，叉指电极结构间的微弱的电阻变化可以被灵敏地检测到，叉指电极传感器的灵敏度得以显著提高。叉指电极结构周围的电场分布可以通过理论分析以及数值模拟计算得到，计算结果表明叉指电极传感器的电场强度与电极厚度成近似反比关系，电极越厚，电场强度越小。因此，通过优化叉指电极传感器的相关结构参数可以提高生物化学传感器的性能，当应用于不同的传感检测领域时，可能需要使用不同结构参数的叉指电极结构。硅基叉指电极结构高低温探针台KT-Z4019MRL4T 参数真空腔体类型高温型室温到350℃高低温型 室温到350℃ 室温到-196℃腔体材质304不锈钢 6061铝合金 可选腔体内尺寸127mmX57mmX20mm腔体外尺寸150mmX80mmX32mm腔体重量不锈钢材质 约1.5KG 铝合金材质 约0.5KG腔体上视窗尺寸Φ42mm（可选配凹视窗用于减少窗口和样品之间距离）腔体抽气口KF16法兰（其余接口规格可转接）腔体真空测量口KF16法兰（其余接口规格可转接）腔体进气口6mm快拧 或 6mm快插腔体冷却方式腔体水冷+上盖气冷腔体水冷接口腔体正压≤0.05MPa腔体真空度机械泵≤5Pa （5分钟） 分子泵≤5E-3Pa（30分钟）样品台样品台材质不锈钢 银铜合金 纯银块银铜合金 纯银块样品台尺寸26x26mm样品台加热方式电阻加热电阻加热 液氮制冷样品台-视窗 距离11mm（可选配凹视窗用于减少窗口和样品之间距离到6mm）样品台测温传感器PT100型热电阻样品台温度室温到400℃室温到400℃ 室温到-196℃样品台测温误差±0.5℃样品台升温速率高温100℃/min 低温7℃/min温控仪温度显示 7寸人机界面温控类型标准PID温控 +自整定温度分辨率0.1℃温控精度±0.5℃温度信号输入类型PT100 （可选K S B型热电偶）温控输出直流线性电源加热直流线性电源加热+液氮流速控制器辅助功能温度数据采集并导出 实时温度曲线+历史温度曲线 可扩展真空读数接口温控器尺寸32cmX170cmX380cm温控器重量约5.6KG探针电信号接头配线转接 BNC接头 BNC三同轴接头 SMA 接头 香蕉插头 线长1.2米电学性能绝缘电阻 ≥4000MΩ 介质耐压 ≤200V 电流噪声 ≤10pA探针数量4探针（可扩展5探针）探针材质镀金钨针 （其他材质可选）探针尖10μm手动探针移动平台X轴移动行程20mm ±10mm（需手动推动滑台）X轴控制精度≥500μmR轴移动行程120° ±60°（需手动旋转探针杆）R轴控制精度≥500μmZ轴移动行程2mm ±1mmZ轴控制精度≤50μm（需手动螺纹调节探针杆）

货号适用仪器型号说明参数分析方法包装量程2459300-CNDR6000 紫外-可见光分光光度计硅试剂套装，低量程，10mL二氧化硅二氧化硅8186 0.010-1.600mg/L；二氧化硅8186 低量程 0-1.60mg/L；二氧化硅，低量程，8186 0.01-1.60mg/L-0.010-1.600mg/L，SiO22459300-CNDR3900 可见光分光光度计硅试剂套装，低量程，10mL二氧化硅二氧化硅8186 0.010-1.600mg/L；二氧化硅8186 低量程 0-1.60mg/L；二氧化硅，低量程，8186 0.01-1.60mg/L-0.010-1.600mg/L，SiO2

带干涉滤光片，适合单色光（254nm）探测的硅光电二极管S12742-254的窗口使用干涉滤光片，只对单色光灵敏。其光谱响应宽度极窄，只有10nm（FWHM），可以屏蔽杂散光，精确地进行光度计测。其典型峰值波长为254nm，也可以接受客户定制，改变其峰值波长，比如340nm、560nm、650nm等。产品特性-带干涉滤光片的硅光电二极管-单色光（254nm）探测详细参数感光面积3.6 × 3.6 mm像元个数1冷却方式Non-cooled封装Metal反向电压 (最大值)5 V光谱响应范围252 to 256 nm光敏度 (典型值)0.018 A/W暗电流 (最大值)25 pA峰值灵敏度波长(典型值)254 nm上升时间 (典型值.)1 μs结电容(典型值)500 pF测量条件Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted,Photosensitivity: λ=254 nm, Dark current: VR=10 mV, Terminal capacitance: VR=0 V, f=10 kHz光谱响应外形尺寸（单位：mm）

DT-670系列硅二极管温度传感器在更宽的温度范围内可提更高的精度。DT-670系列传感器符合标准电压-温度响应曲线，因此该系列可互换，且对于许多应用不需要单独标定。SD封装中的DT-670传感器有四个误差等级，其中三个适用于1.4 K至500 K温度范围内的通用低温应用，另一个可为30 K至室温的应用提供卓越的精度。DT-670传感器也有第七个公差带，B和E，只能作为裸芯片使用。对于需要更高精度的应用，DT-670-SD二极管可在整个1.4 K至500 K温度范围内进行标定。DT-670-SD√ 1.4 K-500 K温度范围内具有超高精度√ 30 K-500 K温度范围内极小误差√ 坚固可靠的SD封装设计，可承受重复热循环并尽可能地减少传感器自发热√ 符合标准曲线DT-670温度响应曲线√ 多种封装选项DT-670E-BR√ 温度范围1.4 K-500 K√ 裸装传感器是尺寸极小、热响应时间超快的二极管传感器√ 无磁传感器DT-621-HR√ 温度范围：1.4K-325K*√ 无磁封装√ 用于表面安装的裸露平面基板* 标定的低到1.4K，未标定的(曲线DT-670)低到20KDT-670E-BR极小尺寸+超快热响应DT-670E-BR裸片传感器提供了硅二极管产品中更小的物理尺寸和更快的热响应时间。这对尺寸和热响应时间至关重要的应用来说是一个重要的优势，包括用于蜂窝通信的焦平面阵列和高温超导滤波器。 DT-621-HR微型硅二极管DT-621传感器组件在其有效范围内显示出精确、单调的温度响应。传感器芯片与环氧圆顶直接接触，导致20 K温度下测试电压升，并阻止全量程曲线DT-670一致性。所以对于低于20 K的使用，需要标定。二极管测温二极管测温是基于在恒定电流（通常为10 µ A）下偏置的p-n结中正向电压降的温度依赖性。由于电压信号相对较大，在0.1V和6V之间，因此二极管易于使用，仪器操作也很简单。 Lake Shore SD封装：业界极坚固、多功能的封装SD封装直接将传感器与蓝宝石底座安装、气密密封和焊接Kovar导线，是业内极其坚固耐用、用途广泛的低温温度传感器，具有极佳的样品与芯片连接性能。该设计使导线上的热量可以绕过芯片，因此可以在 500 K 温度下工作数千小时（取决于型号），并且与大多数超高真空应用兼容。它可以铟焊到样品上，而不会改变传感器的标定。如果需要，也可提供不带Kovar引线的 SD 封装。DT-670温度传感器温度特性 典型的DT-670电压特性 典型的DT-670灵敏度特性DT-670误差带曲线

加拿大PPS25硅蓝宝石井下电子压力计

产品简介ZTSI-1硅基辐射表是一款工业级应用产品，具有良好的余弦响应和极小的温度影响（0.15%/℃），响应波段（400～1100nm）和响应时间和光伏组件相同。该产品的设计适用于光伏电站、气象、农业及环境应用领域。其紧凑小巧的结构可以非常方便的集成到各种应用中。产品特点温度适应性强，稳定性高；极快的响应速度（1ms）；功耗低，体积小，重量轻，便于安装与集成。应用领域气象观测；大气环境监测，光伏产业，太阳能评估及监测，农林业，建筑材料老化。产品主要技术参数型号/ModelZTSI-1响应时间/Response time 95%（ms）1非稳定性/Non-stability （Change/year）±2%/1year非线性误差/Non-linearity (at 10000W/m² )0.2%方向响应/Directional response（at 1000W/m² )10W/m² 温度响应/Temp.response（for-10℃－40℃band）0.15%/℃倾斜响应/Tilt response（at 10000W/m² ）0%灵敏度/Sensitivity（µ V/W/m² ；）-50操作温度/Operating temperature（℃）-40-+85光谱范围/Wavelength range in nm(50% transmittance)400-1100测量范围/Irradiance range (W/m² ；)0-2000输出/Output-100mV（模拟）尺寸/Dimension&varphi 22╳28.5mm（表头），&varphi 60╳43.5mm（表盘）重量（不含线）/Weight（Not including cable）30g（表头），75g（含盘）防护等级/Ingress protectionIP67

硅基叉指电极微型探针台KT-Z4019MRL4T 电化学传感器通过与被测目标分析物发生反应，并产生与目标分析物浓度成比例的电信号来工作。典型的电化学传感器由传感电极和反电极组成，并有一个薄电解层隔开。在环境监测中，可以在电化学传感器的电极之间生长可与目标分析物发生反应并发生阻值变化的捕获物，通过检测捕获物的电阻值变化，实现检测环境中大部分有毒有害生物化学物质的目的。电化学传感器通常具有操作简单、仪器成本低等特点。除此之外，电化学传感器可以与各种的微机电系统制造技术联用，从而实现大规模的批量生产，并且可以实现小型化从而降低成本。折叠编辑本段结构叉指电极结构微间距的叉指电极是一种为常用的微间距电极结构，它被广泛的应用于非破坏性测试、电子通讯、化学测试等多个领域。 一般来说，不同的应用领域对于叉指电极的形状、几何学尺寸、加工工艺、材料的选择、建模分析、系统集成以及数据的分析都有不同的要求，因此对于不同的领域我们应该区分对待。如图所示，列出了几种常见的叉指电极结构，基本的结构有圆形、矩形等，而每条叉指的形状除简单的矩形外，也可有圆形或矩形突起。在这里，我们要根据环境监测的具体要求，针对叉指电极的结构形状进行分析说明和终的结构选择，确定具体的设计参数根据微弱信号检测的相关原理，在低频信号测量时，电阻值越高，其相应的电阻热噪声和闪烁噪声也就越高，不利于信号的提取和检测[1]。所以，可以通过减少敏感膜电阻值的方法，实现对气体敏感传感器的信号噪声比的提高，从而减小噪声对测量信号的干扰。根据电阻的计算公式，影响阻值变化的因素主要有电阻率、电阻长度及横截面积等。一般情况下，气体敏感材料薄膜的电阻率较高，因此减小敏感膜电阻值的方法是增加敏感膜的厚度或者是增大敏感膜的宽长比。但是，敏感膜的厚度太大会降低气体敏感传感器的响应时间。因此，综合考虑到响应时间和信噪比，需要设计优化气体敏感传感器中微电极的厚度和长宽比。硅基叉指电极微型探针台KT-Z4019MRL4T 参数 真空腔体类型高温型室温到350℃高低温型 室温到350℃ 室温到-196℃腔体材质304不锈钢 6061铝合金 可选腔体内尺寸127mmX57mmX20mm腔体外尺寸150mmX80mmX32mm腔体重量不锈钢材质 约1.5KG 铝合金材质 约0.5KG腔体上视窗尺寸Φ42mm（可选配凹视窗用于减少窗口和样品之间距离）腔体抽气口KF16法兰（其余接口规格可转接）腔体真空测量口KF16法兰（其余接口规格可转接）腔体进气口6mm快拧 或 6mm快插腔体冷却方式腔体水冷+上盖气冷腔体水冷接口腔体正压≤0.05MPa腔体真空度机械泵≤5Pa （5分钟） 分子泵≤5E-3Pa（30分钟）样品台样品台材质不锈钢 银铜合金 纯银块银铜合金 纯银块样品台尺寸26x26mm样品台加热方式电阻加热电阻加热 液氮制冷样品台-视窗 距离11mm（可选配凹视窗用于减少窗口和样品之间距离到6mm）样品台测温传感器PT100型热电阻样品台温度室温到400℃室温到400℃ 室温到-196℃样品台测温误差±0.5℃样品台升温速率高温100℃/min 低温7℃/min温控仪温度显示 7寸人机界面温控类型标准PID温控 +自整定温度分辨率0.1℃温控精度±0.5℃温度信号输入类型PT100 （可选K S B型热电偶）温控输出直流线性电源加热直流线性电源加热+液氮流速控制器辅助功能温度数据采集并导出 实时温度曲线+历史温度曲线 可扩展真空读数接口温控器尺寸32cmX170cmX380cm温控器重量约5.6KG探针电信号接头配线转接 BNC接头 BNC三同轴接头 SMA 接头 香蕉插头 线长1.2米电学性能绝缘电阻 ≥4000MΩ 介质耐压 ≤200V 电流噪声 ≤10pA探针数量4探针（可扩展5探针）探针材质镀金钨针 （其他材质可选）探针尖10μm手动探针移动平台X轴移动行程20mm ±10mm（需手动推动滑台）X轴控制精度≥500μmR轴移动行程120° ±60°（需手动旋转探针杆）R轴控制精度≥500μmZ轴移动行程2mm ±1mmZ轴控制精度≤50μm（需手动螺纹调节探针杆）

二硅化钼鼓泡管是郑州毅信窑炉有限公司的主营产品之一，产品密度大，同轴度好，垂直度高，耐急冷急热，如有相关问题或需要订购，欢迎咨询。 我司2012年成立，主营电热元件各种规格硅碳棒、各种规格硅钼棒，1700硅钼棒，1800硅钼棒，及配套夹具连接带，二硅化钼保护管，二硅化钼鼓泡管，氧化锆保护管等高温窑炉附件，10年来解决了很多客户的疑难问题，也得到了不少客户的长期支持，有相关问题或需要，欢迎来电。 二硅化钼鼓泡管主要应用于玻璃窑池中，通入干净的压缩空气，改善窑池上下温差，通过微量的气泡带走玻璃池中的小气泡及微量杂质，进而提高玻璃的纯度及质量。 鼓泡管主要材料为二硅化钼，分单孔、双孔或多孔，单孔的一头封口直径是保护管，多孔的两端不封口用在高温下通气是鼓泡管，鼓泡管1-9孔都有使用，直径一般在12-30mm,长度在100-1200mm。9孔二硅化钼鼓泡管，是直径16孔位较多的一种，大约1mm左右，可以清除更加细微的杂质，使玻璃纯度更高。郑州毅信窑炉有限公司经过不断地研发，经表面物理方式处理，提高了二硅化钼在玻璃再玻璃窑池中的纯度，减少二次污染，更有利于玻璃的生产加工。

硅基6位可调光延迟线〖特性Features〗n 高速切换n 高延时精度n 超小尺寸n 超宽带工作n 全固态波导芯片可靠性强〖应用Applications〗n 光控相控阵雷达系统n 电子对抗系统 性能指标Parameters单Unit典型值Typ.备注Notes波长Wavelengthnm1550延时位数Delay bits/6可定制Can be customized最小延时步进Min. step-delayps59.2可定制Can be customized可调节最大延时Adjustable max.delayps3729.6延时偏差Delay deviationps≤±0.5≤±1@max延时切换时间Delay switching timeµ s≤1插入损耗Insertion lossdB17.5各延时态损耗Delay state loss differencedB±0.5回波损耗Return lossdB45承受光功率Power-resistant abilitymW300工作温度Operating temperature℃-20~70储藏温度Storage temperature℃-40~85〖订货信息ordering information〗波长wavelength延时位数Delay bits光纤类型Fiber type光纤长度Fiber Length连接头类型Connector type1550nm6位S9=SMF 900umM5=MMF 50/125/900umM6=MMF 62.5/125/900um PM= PM Panda XX=others1=1.0m2=2.0mX=othersNE=None FA=FC/APC FC=FC/PC SA=SC/APC SC=SC/PC ST=ST/PC LA=LC/APC LC=LC/PC XX=others

燕尾槽微型导轨LBAxx系列产品特点：材质：6061-T6 铝合金紧凑型剖面激光刻度精确构造 产品介绍：OMTOOLS燕尾槽微型导轨LBAxx系列适用于我们的卡入式燕尾导轨滑块。导轨用激光刻有分度为1.0 mm的刻度，每10 mm带刻度数字标识，用于光机械硬件精确定位。带多个M6沉头孔，长度大于150mm的导轨带多个M6腰型安装槽，也可使用LDA26导轨固定压块固定导轨，可灵活安装在面包板或光学平台上。导轨经过精密加工而成，长度方向上受过挤压塑形，导轨两端有用于定位的? 6圆柱销，实现了多个导轨首末相连拓展长度。 选型表：型号材质截面尺寸长度表面处理LBA756061-T6 铝合金9.6x19.0 mm75 mm黑色阳极氧化LBA1506061-T6 铝合金9.6x19.0 mm150mm黑色阳极氧化LBA3006061-T6 铝合金9.6x19.0 mm300mm黑色阳极氧化LBA4506061-T6 铝合金9.6x19.0 mm450mm黑色阳极氧化

应用TP306 硅酸根分析仪用于发电厂除盐水、蒸汽冷凝水、炉水及化工、制药、化纤、半导体行业水中可溶性二氧化硅和硅酸盐含量的分析、检测。原理在pH为1.1～1.3条件下，水中的可溶硅与钼酸铵生成黄色硅钼络合物，用1-氨基-2萘酚-4-磺酸（简称1-2-4酸）还原剂把硅钼络合物还原成硅钼蓝，用硅酸根分析仪测定其硅含量。仪器利用光电比色原理进行测量。根据朗伯－比耳定律：当一束单色平行光通过有色的溶液时，一部分光能被溶液吸收，若液层厚度不变，光能被吸收的程度（吸光度A）与溶液中有色物质的浓度成正比。功能特点* 先进贴片工艺及一体化设计，高集成度电路设计稳定耐用。* 先进单片机技术,高性能,低功耗。* 光源采用进口单色冷光源，性能优良，信号稳定，功耗低，寿命长。* 本底补偿功能,减少微量硅测量误差。* 自动计时提醒功能，方便操作者使用，提高工作效率 。* 空白校准，消除零点漂移和电气漂移，提高测量精确度。* 数据循环存储功能(最大256条)，自动清除溢出数据，操作简单，查询方便。技术指标显 示: 5.0寸触摸彩色液晶，中文显示测量范围: (0.0～200.0)μg/L或(0.0～2000)μg/L精 确 度: ±2%F.S分 辨 率: 0.1μg/L重 复 性: ≤1%稳 定 性: ±1% F.S/4h环境温度: (5～45)℃环境湿度: ≤90%RH(无冷凝)外形尺寸: 260mm×200mm×180mm供电电源: AC (85～265)V 频率 (45～65)Hz功 率: ≤30W重 量：3.2kg订购指南* 硅酸根标液* 排污管* 电源线* 进样杯注意事项1.配制溶液的Ⅱ级试剂水必须是纯度很高的高纯水，最好是高性能混床离子交换装置产生的去离子水。2.所有试剂应保存在专门标识的聚乙烯塑料瓶中。所有试剂的质量等级都必须是分析纯或分析纯以上，且未过保质期。3.每天应对仪器做一次空白校准，每隔两周应对仪器进行一次曲线校准，以消除电气漂移、光学漂移和温度漂移对仪器的影响。

HYGJ-1便携式轨道检查仪　轨道静态几何参数测量仪HYGJ-1便携式轨道检查仪主要用于对轨道静态几何参数即轨距、水平（或超高）、左右轨向及正矢、左右高低及三角坑的检测；主要由检测机械装置、数据采集分析系统及智能型数据分析处理软件三部分组成。主要功能自带计算机（数据采集仪）用于记录并分析数据，同时将测量的真实结果实时显示出来；现场超限报警功能可立即让检测者标记处大病害的处所。可手动记录线路的特征点、道口、站台、固定螺栓脱落、断轨等标记或病害。主要指标采样间隔：0.125m数据存储：存储5000公里线路检测数据电池容量：能连续工作8小时推行速度：0-8km/h电源电压：DC12V控制系统：一键式多接口专用专用软件系统：自带hydcrack4.5GJS软件系统，多模块兼容接口，自定义生成不同类型EXCEL检测报告特点：完全一体式设计，无需拆装，减少机械误差；含IRS微调系统，双置3XLimW及自调节测量装置：一体式H-Le和Gys多功能集成探头，一键自动识别操作环境：-20℃-+50℃，湿度≤90％RH重量：＜20kg机架尺寸：≈1500x450x1260mm检测项目及指标检测项目测量范围 示值误差　　备注高低 ±100mm　　±1mm　 10m弦轨向 ±100mm　　±1mm　 10m弦正矢 ±400mm　　±1mm　 20m弦（对应曲线半径半径450m＜R＜800m)轨距 1410-1470mm　±0.5mm水平及超高±200mm　　±0.5mm（超高掉头误差0.5mm) 三角坑 ±30mm　　 ±1mm　　2.4m/6.25m基长（可选）里程0-9999km　±1‰ 轨距变化率　1‰、2‰（可选）

SR110硅芯炉的工作方式与区熔系统类似。该系统使用一个在高频感应线圈下直径为100毫米的多晶硅棒（源棒）。根据硅棒的长度，在多个拉动工艺中可以产生特定数量的硅芯；然后这些硅芯被用作西门子下游工艺中的原棒。通过隔离阀将接收炉体与工艺炉体分开，可以将完成的硅芯取出，并立即开始下一个工艺。通过引入扩散到熔体中的工艺气体可以对细杆进行掺杂处理。改良后的硅芯炉设计采用两个直径约为50毫米的源杆，并可以从每个源杆上拉出硅芯。产品数据概览:材料：硅细杆长度： 最长3200毫米直径： 大约8毫米 源杆长度： 最长 1,000 mm直径： 100 mm (4")极限真空度： 5 x 10-2 mbar最大过压： 0.35 bar(g)发电机输出电压： 30 kW频率： 2.8 MHz 上拉式进料拉动速度： 最高60毫米/分钟下拉式进料拉动速度： 最高 10 mm/min转速： 高达 20 rpm尺寸规格高度： 7,300 mm宽度： 1,820 mm深度: 1,250 mm占地面积（总计）： 2,500 mm x 2,800 mm重量（总计）： 约6,000 kg区熔（FZ）技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性，该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入，这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此，几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量（无坩埚工艺），FZ晶体同样也适用于光伏行业。区熔（FZ）技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比，FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化，无需使用石英坩埚（每炉次耗用一个），可实现高拉速，因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外，无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体，可以通过多次处理，显著地提高纯度。