溴化硅

Orion 8030cX 二氧化硅分析仪Thermo ScientificTM Orion 8030cX 在线二氧化硅分析仪根据杂多钼蓝比色法原理自动测量二氧化硅浓度，准确、可靠且重现性好。Orion 8030cX 二氧化硅分析仪采用最先进的专利工业设计，具有直观的触摸屏用户界面和抗干扰测量过程，可用于各种应用，以满足过程控制要求。该分析仪作为Thermo ScientificTM Orion 8000 系列分析仪平台的一部分同一界面适用于多个参数。Orion 8030cX 分析仪性能优越可靠，设置简单，只需少量维护。市场电力石油和天然气工业净水化学半导体纸浆和造纸应用脱矿质剂锅炉RO出水混床出水概述二氧化硅是用于检测、控制和尽量减少涡轮机、换热器和锅炉结垢的一种关键度量。在线实时测量活性二氧化硅可尽量降低因结垢而产生的维修/更换成本，实现安全高效的长期运行，这款在线二氧化硅分析仪可用于对二氧化硅超标的生产用水的去除或回收进行即时或自动的决策。连续实时二氧化硅监测可快速通知离子交换树脂的RO穿透或饱和情况，从而使系统效率最大化，尽量减少维修停机时间。Orion 8030cX 在线二氧化硅分析仪可配置为在二氧化硅峰值出现时发送警告/警报或测量数据来警告用户，触发纠正措施，防止下游出现问题。优点1. 8030cX二氧化硅分析仪具有一流的准确度、检测限和可靠性，可满足过程控制和监测要求。2. 自动量程切换功能（0-5000 μg/L）可在整个量程内确保数据有效性和准确度。3. 专利流路系统设计和优化化学试剂可确保较低的LOD，并减少磷酸盐干扰。4. 先进软件功能包括自动校准、自动验证、按设定时间间隔自动测量、自动清洁、警告、警报和系统诊断功能。这些自动功能可减少手动干预和维护需求。5. 由于试剂消耗量少，维护需求低，因此运行成本较低。只需每100天更换一次试剂。6. 直观图形触摸屏界面非常容易理解，与智能手机操作类似。7. 该分析仪紧凑、稳健，已在各种发电厂和工业超纯水厂中成功进行案例研究。8. 外壳防护等级达IP65，关键部件经全面测试且寿命较长，可确保长期稳定运行。订购信息

仪器简介：LSH-SiC200碳化硅红外光源室碳化硅红外光源包括光源室、直流稳压稳流电源和一个冷却用水箱三个组成。碳化硅红外光源室又分为成像室和碳化硅棒及其冷却室。成像室采用反射成像光路，反射镜镀金，以增加红外反射率。冷却室采用循环水冷却方式，有效避免了风冷造成的空气扰动，建议用户采用外循环水系统。系统标配有潜水泵和不锈钢水箱，并且配有水流保护，方便不具备外循环水系统的用户选择使用。技术参数：规格参数型号/参数 LSH-SiC200功率(W) 200光谱范围(&mu m) 1～16孔径比 f/4碳化硅发光面(mm) 5× 14碳化硅的额定电流(A) 18光源寿命(h) 400光路中心高(mm) 128～168(可调)光源工作温度(K) 900-1200主要特点：主要特点◆ 功率：200W◆ 光谱范围：1-16&mu m◆ 辐射系数大，效率光◆ 光源室反射镜全部镀金膜，单片镜片反射率98%◆ 输出相对孔径设计与&ldquo 谱王&rdquo 光谱仪匹配，提高光谱测量时的光收集效率

我们的优势：1. 反应器模块芯片采用整体键合，一体成型方式，耐高压，防漏液；2. 碳化硅材质，耐酸耐碱耐盐，耐腐蚀；3. 各种持液量规格的模块均可根据客户要求定制；4. 超纯碳化硅材料及碳化硅反应器模块生产厂家，源头工厂；5. 产品至少是“不差于”；6. 一对一服务，无论何种规格，客户至上。 产品参数：工作温度（℃）：-60-200工作压力（bar) ： ≦50芯片尺寸(mm）：300*300持液量（ml）：3、8、50、250、300通道尺寸（mm）：3.2-6.0 流量范围：通用款有8、50、250、300ml，可根据实际工况灵活调配，多组串联；机型：单组模块为5层碳化硅板式芯片结构，整体键合；多组模块之间采用全氟醚O型密封圈密封；模块外部由碳纤维保温隔热外壳包覆；外接配管：进出管为6-8mmPTFE管、1/4合金管等； 产品应用：硝化、氧化、还原、重氮化、缩合、酰胺化、溴化等反应。适用于医药，农药，染料，香料，表面活性剂等精细化工中间体和其它特种助剂，以及基本化学品的合成工艺研发和商业化生产。

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我们的优势：1. 反应器模块芯片采用整体键合，一体成型方式，耐高压，防漏液；2. 碳化硅材质，耐酸耐碱耐盐，耐腐蚀；3. 各种持液量规格的模块均可根据客户要求定制；4. 超纯碳化硅材料及碳化硅反应器模块生产厂家，源头工厂；5. 产品至少是“不差于”；6. 一对一服务，无论何种规格，客户至上。 产品参数：工作温度（℃）：-60-200工作压力（bar) ： ≦50芯片尺寸(mm）：300*300持液量（ml）：3、8、50、250、300通道尺寸（mm）：3.2-6.0 流量范围：通用款有8、50、250、300ml，可根据实际工况灵活调配，多组串联；机型：单组模块为5层碳化硅板式芯片结构，整体键合；多组模块之间采用全氟醚O型密封圈密封；模块外部由碳纤维保温隔热外壳包覆；外接配管：进出管为6-8mmPTFE管、1/4合金管等； 产品应用：硝化、氧化、还原、重氮化、缩合、酰胺化、溴化等反应。适用于医药，农药，染料，香料，表面活性剂等精细化工中间体和其它特种助剂，以及基本化学品的合成工艺研发和商业化生产。

1. 反应器芯片原材料为亚微米级高纯碳化硅,纯度99.5%以上,采用无压烧结工艺烧制；①　单组反应器芯片为多片式结构,采用专有技术高温键合成一个整体,消除了泄露风险。芯片自带温度探头,实时监控反应温度变化；②　反应器芯片采用“反应/换热一体式”设计,一面是反应通道,一面是换热通道,两种功能集成在一块碳化硅板上,极大的提高了换热效率；③　换热系统的冷热媒介可直接注入反应器芯片的换热通道内,通道采用流线型设计并安装扰流散器,既满足了媒介的快速流动,不会产生明显压降,又可使媒介与芯片本体充分接触,有利于控制反应温度；④　反应器模块单元带有保温隔热层,使用特殊保温材料将碳化硅反应器芯片充分包裹，碳化硅芯片与外部金属大部分无接触,保温隔热性能大大提高,节约能耗,同时增加了设备使用中的安全性；⑤　本反应器体积紧凑、结构清晰,可方便进行串联或并联操作,满足各种不同需求；⑥　反应路径无仼何金属接触,进岀液口使用锥形连接器,便于快速连接PTFE管线,另外也可根据具体需求定制进出口接头；⑦　反应器芯片可灵活定制。公司具备碳化硅制品生产加工线,可根据用户具体需求定制加工。产品优势：我们的优势：1. 反应器模块芯片采用整体键合，一体成型方式，耐高压，防漏液；2. 碳化硅材质，耐酸耐碱耐盐，耐腐蚀；3. 各种持液量规格的模块均可根据客户要求定制；4. 超纯碳化硅材料及碳化硅反应器模块生产厂家，源头工厂；5. 产品至少是“不差于”；6. 一对一服务，无论何种规格，客户至上。 产品参数：工作温度（℃）：-60-200工作压力（bar) ： ≦50芯片尺寸(mm）：300*300持液量（ml）：3、8、50、250、300通道尺寸（mm）：3.2-6.0 流量范围：通用款有8、50、250、300ml，可根据实际工况灵活调配，多组串联；机型：单组模块为5层碳化硅板式芯片结构，整体键合；多组模块之间采用全氟醚O型密封圈密封；模块外部由碳纤维保温隔热外壳包覆；外接配管：进出管为6-8mmPTFE管、1/4合金管等； 产品应用：硝化、氧化、还原、重氮化、缩合、酰胺化、溴化等反应。适用于医药，农药，染料，香料，表面活性剂等精细化工中间体和其它特种助剂，以及基本化学品的合成工艺研发和商业化生产。

我们的优势：反应器模块芯片采用整体键合，一体成型方式，耐高压，防漏液；碳化硅材质，耐酸耐碱耐盐，耐腐蚀；各种持液量规格的模块均可根据客户要求定制；超纯碳化硅材料及碳化硅反应器模块专业生产厂家，源头工厂；产品可能不是“最优于”，至少是“不差于”；一对一专业服务，无论何种规格，客户至上。 产品参数：工作温度（℃）：-60-200工作压力（bar) ： ≦50芯片尺寸(mm）：300*300持液量（ml）：3、8、50、250、300通道尺寸（mm）：3.2-6.0 流量范围：通用款有8、50、250、300ml，可根据实际工况灵活调配，多组串联；机型：单组模块为5层碳化硅板式芯片结构，整体键合；多组模块之间采用全氟醚O型密封圈密封；模块外部由碳纤维保温隔热外壳包覆；外接配管：进出管为6-8mmPTFE管、1/4合金管等； 产品应用：硝化、氧化、还原、重氮化、缩合、酰胺化、溴化等反应。适用于医药，农药，染料，香料，表面活性剂等精细化工中间体和其它特种助剂，以及基本化学品的合成工艺研发和商业化生产。应用案例：纳米材料制备 1. 白芦黎醇纳米分散体（来源：DOI: 10. 13543 /j. bhxbzr. 2017. 05. 005）： A相：白芦黎醇溶于乙醇或丙酮 B相：辅料PVP和SDS溶于水 进料流量比：A:B=1：20（3ml/min、60ml/min) 利用平流泵调节AB两相溶液的进料条作，在微通道反应器出口收集纳米分散体浆料，制得平均粒径130nm左右分散体。继续采用套管式微通道反应器优化放大，可得到平均粒径80nm左右。 2. 纳米布洛芬晶体制备（来源：单羽，微通道反应器沉淀法制备纳米晶体【D】，南京理工大学，2021，21-38. ） 选择心型微通道反应器，持液量3ml，进出料管为1/8 inch PTFE管，两进一出结构。 A相：不饱和的乙醇布洛芬溶剂 B相： 0.1mol/L的ZrCl4水溶液，pH3左右，抽滤后的滤液。进料流量比：A:B=1：15（1ml/min、15ml/min) 外加超声场，实验温度40°，通入A相，保留时间7s，出料后稳定30s，收取物料，布洛芬平均粒径100nm左右。

1. 产品概述MARS iCE115 碳化硅外延系统，薄膜和厚膜外延兼容，工艺稳定性高。2. 设备用途/原理MARS iCE115 碳化硅外延系统，薄膜和厚膜外延兼容，工艺稳定性高，具备多层外延能力，气流场和加热场设计，工艺性能优异，可靠的压力控制系统，成膜质量均一性好。3. 设备特点晶圆尺寸 4、6 英寸，适用材料 碳化硅 SiC，适用工艺 N&P 碳化硅外延，适用域 科研、化合物半导体。&zwnj 碳化硅外延系统的工作原理主要依赖于化学气相沉积（CVD）技术。&zwnj 这一技术通过载气将反应气体输送到反应室内，在一定的温度和压力条件下，反应气体分解并发生化学反应，形成中间化合物扩散到碳化硅衬底表面，从而生长出外延层。这种外延生长技术能够有效地控制掺杂浓度和薄膜厚度，以满足设计要求，同时减少衬底中的缺陷，提高器件良率。反应室内的气流场和温度场对碳化硅外延生长至关重要，因为它们直接影响外延层的质量和均匀性。

仪器简介：LSH-SiC200碳化硅红外光源室碳化硅红外光源包括光源室、直流稳压稳流电源和一个冷却用水箱三个组成。碳化硅红外光源室又分为成像室和碳化硅棒及其冷却室。成像室采用反射成像光路，反射镜镀金，以增加红外反射率。冷却室采用循环水冷却方式，有效避免了风冷造成的空气扰动，建议用户采用外循环水系统。系统标配有潜水泵和不锈钢水箱，并且配有水流保护，方便不具备外循环水系统的用户选择使用。技术参数：规格参数型号/参数 LSH-SiC200功率(W) 200光谱范围(&mu m) 1～16孔径比 f/4碳化硅发光面(mm) 5× 14碳化硅的额定电流(A) 18光源寿命(h) 400光路中心高(mm) 128～168(可调)光源工作温度(K) 900-1200主要特点：主要特点◆ 功率：200W◆ 光谱范围：1-16&mu m◆ 辐射系数大，效率光◆ 光源室反射镜全部镀金膜，单片镜片反射率98%◆ 输出相对孔径设计与&ldquo 谱王&rdquo 光谱仪匹配，提高光谱测量时的光收集效率

碳化硅衬底晶片生产商 4H-N碳化硅衬底片厂家苏州恒迈瑞材料科技有限公司生产供应碳化硅衬底晶片，产品主要有2英寸到6英寸，类型分为导电型4H-N 掺杂氮和半绝缘型4H-SI型掺杂钒以及非掺杂4H-SI型。产品等级分为超低微管密度级碳化硅衬底晶片，产品级碳化硅衬底片，研究级碳化硅衬底晶片，测试级碳化硅晶片，欢迎有需求的客户咨询。碳化硅（Silicon Carbide）是C元素和Si元素形成的化合物，目前已发现的碳化硅同质异型晶体结构有200多种，其中六方结构的4H型SiC（4H-SiC）具有高临界击穿电场、高电子迁移率的优势，是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料，也是目前综合性能好、商品化程度高、技术成熟的第三代半导体材料，与硅材料的物理性能对比，主要特性包括：（1）临界击穿电场强度是硅材料近10倍；（2）热导率高，超过硅材料的3倍；（3）饱和电子漂移速度高，是硅材料的2倍；（4）抗辐照和化学稳定性好；（5）与硅材料一样，可以直接采用热氧化工艺在表面生长二氧化硅绝缘层。

联系我们：X射线透射显微成像/能谱(同步辐射)用氮化硅薄膜窗口 产品概述： X-射线薄膜窗能够实现软X-射线(如真空紫外线)的最大透射率。主要用于同步辐射X射线透射显微成像时承载样品。 X-射线越软(能量越低)，穿透能力越差，所需氮化硅薄膜窗越薄。特别在“离轴”状态工作(即薄膜与光束成一定角度)时，也需要较薄的薄膜窗口，便于X射线更好地穿透。 氮化硅薄膜窗口是利用现代MEMS技术制备而成，由于此种氮化硅窗口选用低应力氮化硅(0-250MP)薄膜，因此比计量式和ST氮化硅薄膜更坚固耐用。提供的氮化硅薄膜窗口非常适合应用于透射成像和透射能谱等广泛的科学研究领域，例如，X-射线(上海光源透射成像/能谱线站)、TEM、SEM、IR、UV等。 现在提供X-射线显微成像/能谱(同步辐射)用氮化硅薄膜窗系列产品，规格如下： 外框尺寸 (4种标准规格): 5 mm x 5 mm (窗口尺寸：1.0 mm或和 1.5 mm 方形) 7.5 mm x 7.5 mm (窗口尺寸：2.0 mm或 2.5 mm) 10 mm x 10 mm (窗口尺寸：3.0 mm或 5 mm 方形) 边框厚度： 200µ m、381µ m、525µ m。 Si3N4薄膜厚度：50、100、150和200nm 我们也可以为用户定制产品(30-500nm)，但要100片起订。 本产品为一次性产品，不建议用户重复使用，本产品不能进行超声清洗，适合化学清洗、辉光放电和等离子体清洗。 技术指标： 透光度： 对于X射线用窗口，500nm厚的氮化硅薄膜有很好的X光穿透效果，对于软X射线(例如碳边吸收谱)，100-200nm厚的氮化硅薄膜窗口是用户首选。 真空适用性： 真空适用性数据如下：　 薄膜厚度 窗口面积 压力差 ≥50 nm ≤1.0 x 1.0 mm 1 atm ≥100 nm ≤1.5 x 1.5 mm 1 atm ≥200 nm ≤2.5 x 2.5 mm 1 atm 表面平整度： 氮化硅薄膜窗口产品的表面平整性很稳定(粗糙度小于1nm)，对于X射线应用没有任何影响。 温度特性： 氮化硅薄膜窗口产品是耐高温产品，能够承受1000度高温，非常适合在其表面利用CVD方法生长各种纳米材料。 化学特性： 氮化硅薄膜窗口是惰性衬底。 应用简介和优点： 1、同步辐射X射线(紫外或极紫外)透射成像或透射能谱应用中是不可或缺的样品承载体。 2、耐高温、惰性衬底，适应各种聚合物、纳米材料、半导体材料、光学晶体材料和功能薄膜材料的制备环境，利于制备理想的用于X射线表征用的自组装单层薄膜或薄膜(薄膜直接沉积在窗口上)。 3、生物和湿细胞样本的理想承载体。特别是在等离子体处理后，窗口具有很好的亲水性。 4、耐高温、惰性衬底，也可以用于化学反应和退火效应的原位表征。 5、适合做为胶体、气凝胶、有机材料和纳米颗粒等的表征实验承载体。 氮化硅薄膜窗口系列 SN-LDE-505-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：50nm SN-LDE-510-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm SN-LDE-515-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：150nm SN-LDE-520-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：200nm SN-LDE-705-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：50nm SN-LDE-710-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：100nm SN-LDE-715-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：150nm SN-LDE-720-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：200nm SN-LDE-105-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：50nm SN-LDE-110-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：100nm SN-LDE-115-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：150nm SN-LDE-120-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：200nm 氮化硅薄膜窗口阵列系列 SN-AR-522-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，2×2阵列，膜厚：50nm SN-AR-733-15 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3阵列；膜厚：50nm SN-AR-1044-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm 氧化硅薄膜窗口系列 SO-505-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：50nm SO-510-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm SO-520-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：150nm SO-705-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3阵列，膜厚：50nm SO-710-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3阵列，膜厚：100nm SO-720-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3阵列，膜厚：200nm 氮化硅薄膜窗口系列 SN-1010-2-AU10 氮化硅基底框架：10×10mm，窗口：2×2mm，膜厚：100nm，金膜厚度：10nm SN-1020-2-AU10 氮化硅基底框架：10×10mm，窗口：2×2mm，膜厚：200nm，金膜厚度：10nm SN-710-2-AU10 氮化硅基底框架：7.5×7.5mm，窗口：2×2mm，膜厚：100nm，金膜厚度：10nm SN-720-2-AU10 氮化硅基底框架：7.5×7.5mm，窗口：2×2mm，膜厚：200nm，金膜厚度：10nm 特殊定制产品 SN-5H5-15 氮化硅基底框架：5×5mm，硅片厚度：200um，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：500nm SN-5H10-15 氮化硅基底框架：5×5mm，硅片厚度：200um，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：1000nm SN-LDE-4-10 氮化硅片100nm-4英寸整张，10×10mm切片 衬底厚度：200um 温度范围：1000℃ 真空适应：1个大气压 厚度可以选择：200um，381um，525um，需要提前说明。联系我们：

焦磷酸法测定粉尘中游离二氧化硅含量尘肺是因为吸入粉尘引起肺组织反应,导致的间质性肺病。根据粉尘的成分不同分为常见的矽肺(二氧化硅粉尘)引起，有煤工尘肺、石棉肺、金属粉尘等。根据中华人民共和国国家职业卫生标准《工作场所空气中粉尘测定 第4部分：游离二氧化硅含量》GBZ/T192.4-2007，游离二氧化硅测定有三种方法分别为：焦磷酸法、X线衍射法、红外分光光度法。其中焦磷酸法是检测游离二氧化硅常用分析方法该方法检测稳定、预处理简便、准确度高、干扰少；对于质控样品考核及样品检测准确度。我公司和国内疾控中心经过多年研发验证推出全自动游离二氧化硅预处理仪。一、产品介绍：空气粉尘中游离二氧化硅含量仪器，用于工作场所空气中粉尘游离二氧化硅含量测定。仪器可大批量制备焦磷酸，缩短实验时间。整个过程可全程自动无人值守，保护人员健康，操作便捷，降低劳动强度；按照国标方法执行。二、仪器特点：制备焦磷酸功能仪器带制备焦磷酸功能，可实现自动制备焦磷酸。自动化模组无需人工干预，实现全自动处理。加热系统加热采用进口热辐射加热材质，样品升温至246℃-249℃，并保持恒温状态。清洗系统360度清洗，实避免实验交叉污染。过滤系统智能自动化快速过滤系统、提高实验效率。排风系统仪器自带排风系统，不占用通风橱空间。

1产品概述： 碳化硅沉积系统是一种专门用于生产碳化硅（SiC）材料的设备，它采用化学气相沉积（CVD）或其他相关技术，在特定条件下将碳和硅元素以气态形式引入反应室，并通过化学反应在基底上沉积形成碳化硅薄膜或晶体。该系统在半导体、光伏、新能源汽车等行业中具有广泛应用，是制备高性能碳化硅器件的关键设备之一。2设备用途： 半导体行业：用于制备碳化硅基功率器件，如MOSFET、肖特基二极管等，这些器件在电动汽车、光伏逆变器、轨道交通等领域具有重要应用。 光伏行业：在光伏逆变器中使用碳化硅功率器件可以提高太阳能转化效率，降低系统成本。 新能源汽车：碳化硅功率器件在电动汽车的电机控制器、电池管理系统等关键部件中发挥着重要作用，有助于提高车辆性能、降低能耗。3.设备特点化合物半导体沉积系统通常具备以下特点：高精度与均匀性： 碳化硅沉积系统能够实现高精度的沉积控制，确保薄膜或晶体的厚度、成分和结构的均匀性。 这对于提高器件的性能和可靠性至关重要。多功能性： 系统支持多种沉积方法和工艺参数调整，以满足不同材料和器件的制备需求。 可以制备出具有不同电阻率、热导率等特性的碳化硅材料。高温与稳定性： 碳化硅沉积过程通常需要在高温条件下进行，系统需要具备稳定的高温控制能力和良好的热传导性能。 高温环境有助于促进化学反应的进行和碳化硅晶体的生长。4 设备参数： 运行4个系统，用于150/200 mm SiC工艺开发 由德国弗劳恩霍夫研究所（Fraunhofer Institute）提供支持的全面材料表征能力 通过碳化硅工艺演示/开发和培训为客户提供支持 150 mm和200 mm– 支持双晶圆尺寸 – 为您的未来投资提供保障 市场上高的晶圆产量/ m2

四氟化硅传感器是由四方光电自主研发的高性能气体传感器，产品基于非分光红外技术(NDIR)，能够精确测量半导体等应用中产生的SiF4、WF6、CF4、SF6、NF3、CO2等气体，兼容机台内常见预留尺寸、法兰和通讯协议，适合半导体行业化学沉积设备、原子层沉积设备腔室的清洁终点监测。四氟化硅传感器产品特性使用NDIR技术，多气体监测支持(SiF4、WF6、CF4、SF6、NF3、CO2等气体)响应时间快，高灵敏度无耗材模拟/数字通信模块化设计，便于集成四氟化硅传感器技术参数检测原理NDIR检测气体SiF4、WF6、CF4、SF6、NF3、CO2量程1~264ppm(0~200mTorr)重复性±0.5%线性±1%F.S.检测限1ppm

1. 产品概述VERIC A6151A 碳化硅高温退火炉,适用于碳化硅高温激活 & 退火的设备。2. 设备用途/原理VERIC A6151A 碳化硅高温退火炉，适用于碳化硅高温激活 & 退火的设备，高温度 2000℃，升温速率可达 100℃/min。石墨电阻加热，工艺腔室洁净。自动装片，Cassette toCassette。SEMI S2/S6 认证。3. 设备特点晶圆尺寸 4/6 英寸兼容，适用材料 碳化硅、氮化铝，适用工艺 注入后激活、Ar 退火、Ar/H2 退火、沟槽平滑，适用域 科研、化合物半导体。

1. 产品概述MARS iCE120 多片碳化硅外延系统，产能大，6 英寸运营成本低。2. 设备用途/原理MARS iCE120 多片碳化硅外延系统，产能大，6 英寸运营成本低。薄膜和厚膜外延兼容，工艺稳定性高。具备多层外延能力。气流场和加热场设计，工艺性能优异。可靠的压力控制系统，成膜质量均一性好。兼容 8 英寸。3. 设备特点晶圆尺寸 6、8 英寸，适用材料 碳化硅 SiC，适用工艺 N&P 碳化硅外延，适用域 科研、化合物半导体。

1. 产品概述AGF系列 电阻式碳化硅长晶炉，适用于 6、8 英寸，导电 / 高纯半绝缘型 SiC 晶体生长。2. 设备用途/原理AGF系列 电阻式碳化硅长晶炉，适用于 6、8 英寸，导电 / 高纯半绝缘型 SiC 晶体生长，4 组加热器独立控制，灵活的温场调节机能力。坩埚系统具备升降、旋转功能，温场更均匀，下装载，上维护，操作便捷。 3. 设备特点晶体尺寸 6、8 英寸，加热方式 电阻加热，适用材料 碳化硅，适用工艺 物理气相输运法（PVT 法），适用域 科研、化合物半导体。

1. 产品概述APS系列 感应式碳化硅长晶炉，适用于 6 英寸、8 英寸，导电 / 高纯半绝缘型 SiC 晶体生长。2. 设备用途/原理APS系列 感应式碳化硅长晶炉，适用于 6 英寸、8 英寸，导电 / 高纯半绝缘型 SiC 晶体生长。创新的结构设计，提供高纯材料生长能力。智能的运行 / 监控系统，适于长时间 / 高温 / 低压工艺，拓宽高质量 / 大规模晶体生长窗口。包含多款辅助设备：大产能原料合成炉、晶锭退火炉、氮化铝长晶炉及 其他定制化设备。3. 设备特点晶体尺寸 6、8 英寸，加热方式 感应加热，适用材料 碳化硅、氮化铝，适用工艺 物理气相输运法（PVT 法），适用域 科研、化合物半导体。

我们来自国外技术陶瓷有限公司先进技术和引进进口设备相结合的手段,精选高品质原料专业设计、生产和销售陶瓷、耐火陶瓷、及新型无机非金属等先进材料，以氧化铝、氧化锆、氧化镁、氮化硅及碳化硅等主要原料，经过一系列人工合成及提炼处理制成超细末，通过1700℃以上超高温高压工艺烧结而成，主要提供:氧化铝陶瓷管棒、99刚玉管、电炉管。95/99瓷件、耐火制品。并可根据用户特殊要求进行加工。公司产品的优点：1.耐化学腐蚀2.耐高温，正常使用在1800℃3.耐骤冷骤热，不易炸裂4.可重复使用。5.结构性能稳定。6.高温稳定性。7.热传导性高

三凯医学焦磷酸法测定粉尘中游离二氧化硅含量尘肺是因为吸入粉尘引起肺组织反应,导致的间质性肺病。根据粉尘的成分不同分为常见的矽肺(二氧化硅粉尘)引起，有煤工尘肺、石棉肺、金属粉尘等。根据中华人民共和国国家职业卫生标准《工作场所空气中粉尘测定 第4部分：游离二氧化硅含量》GBZ/T192.4-2007，游离二氧化硅测定有三种方法分别为：焦磷酸法、X线衍射法、红外分光光度法。其中焦磷酸法是检测游离二氧化硅常用分析方法该方法检测稳定、预处理简便、准确度高、干扰少；对于质控样品考核及样品检测准确度。我公司和国内疾控中心经过多年研发验证推出全自动游离二氧化硅预处理仪。一、游离二氧化硅前处理仪产品介绍：空气粉尘中游离二氧化硅含量仪器，用于工作场所空气中粉尘游离二氧化硅含量测定。仪器可大批量制备焦磷酸，缩短实验时间。整个过程可全程自动无人值守，保护人员健康，操作便捷，降低劳动强度；按照国标方法执行。二、游离二氧化硅前处理仪仪器特点：制备焦磷酸功能仪器带制备焦磷酸功能，可实现自动制备焦磷酸。自动化模组无需人工干预，实现全自动处理。加热系统加热采用进口热辐射加热材质，样品升温至246℃-249℃，并保持恒温状态。清洗系统360度清洗，实避免实验交叉污染。过滤系统智能自动化快速过滤系统、提高实验效率。排风系统仪器自带排风系统，不占用通风橱空间。

氮化硅弹珠可提高胰腺消化效率，同时防止胰腺与腔室系统同步移动。 这些弹珠还能够增加胰腺组织在腔室系统内的分散程度。 弹珠尺寸：直径15.875mm 9个/包，无菌包装，供一次性使用。

1. 产品概述Pallas A220 碳化硅快速热退火系统，加热分区设计，具备良好的温度均匀性，高精度的控温模式，更优的升温速率。2. 设备用途/原理Pallas A220 碳化硅快速热退火系统，加热分区设计，具备良好的温度均匀性，高精度的控温模式，更优的升温速率。3. 设备特点晶圆尺寸 6/8 英寸兼容，适用工艺 快速热退火。适用域 科研、化合物半导体。

一、设备简介： HD-TSi型二氧化硅检测仪是山东霍尔德电子科技有限公司自主研发产品，依据《二氧化硅含量测定分光光度法》标准研发设计制造，适用于国内外众多检测标准。 本仪器主要检测水质二氧化硅浓度指标，兼具智能数据分析功能，图表、列表显示数据，分析一目了然；高清晰度彩色液晶触摸显示屏，Android智能操作系统，中文显示界面，中英文键盘，人性化操作，使用更简单。 二、应用广泛： 能够广泛的应用于各种行业（工业废水、城市污水、生活污水及江湖流域地表水）废水的检测，可适合不同用户的多种需求，可在化工、石油、焦化、造纸、冶金、酿造、医药等工业废水及各种生活污水监测应用。 三、功能特点： 1、采用全新安卓7.1.1智能操作系统，人性化中文操作界面，运转速度更快速，稳定性更强。 2、8英寸液晶触摸屏显示，人性化中文操作界面，读数直观、简单。 3、采用精密比色池设计，使用光源一致，可以解决由于光源误差带来的检测结果误差问题，检测结果更加准确。 4、光源采用进口超高亮发光二极管，光源亮度可以自动调节与校准。 5、支持10mm、30mm、50mm皿比色和φ16mm管比色等比色方式，多元选择，确保测量的准确性； 6、具有无线通讯功能，支持WIFI、RJ45、手机热点联网传输，检测数据亦可通过U盘导出； 7、多功能样品管理，可对样品进行中英文命名，方便样品记录和数据存储； 8、仪器可存储800万组数据，为方便大量数据查找，可通过时间检索，并随意选择分析； 9、支持HDMI输出，方便用户培训、讲解、及大屏展示。 10、仪器带有监管云平台，数据可通过局域网和互联网上传，亦可对接上传至环境监管部门平台。 11、内置热敏行式打印机，打印纸上的内容可自由选择（包括二维码打印）； 12、交流220V，可选配6ah大容量充电锂电池，方便户外流动测试； 13、内置教学演示视频，用户可一边看仪器内操作视频，一边进行实验操作，更易上手；14、后期产品固件可升级； 四、技术参数： 波长配置：420nm、470nm、520nm、560nm、620nm、700nm； 示值误差：≤±5%； 仪器稳定性：＜0.5%； 仪器重复性：＜0.5%； 光化学稳定性：20min内数值漂移≤0.002A（10万小时寿命）； 依据标准：二氧化硅含量测定分光光度法； 检测量程：0-25mg/L（分段）； 检测下限：0.01mg/L；五、物理参数 比色方式：30mm比色皿； 操作系统：Android7.1.1智能操作系统； 操作界面：中文或英文操作界面； 显示屏：8英寸（1024*768分辨率）高清晰度彩色液晶触摸屏； 曲线数量：3条标准曲线，亦可自定义标准曲线； 网络接口：USB2.0、HDMI、WiFi、蓝牙、热点、RJ45； 云平台：仪器带有监管平台，连接有线/无线网络，检测结果直接传输至环境安全监管平台；打印机：热敏行式打印机； 数据储存：800万组，可自由调用查看； 数据导出格式：Excel表格； 仪器尺寸：367x243x125mm； 仪器重量：5.3kg； 六：环境及工作参数 环境温度：（5-40）℃； 环境湿度：相对湿度＜85%（无冷凝）； 额定功率：10W 工作电源：AC220V±10%/50Hz； 可配置：大容量锂电池。

三凯医学焦磷酸法测定粉尘中游离二氧化硅含量尘肺是因为吸入粉尘引起肺组织反应,导致的间质性肺病。根据粉尘的成分不同分为常见的矽肺(二氧化硅粉尘)引起，有煤工尘肺、石棉肺、金属粉尘等。根据中华人民共和国国家职业卫生标准《工作场所空气中粉尘测定 第4部分：游离二氧化硅含量》GBZ/T192.4-2007，游离二氧化硅测定有三种方法分别为：焦磷酸法、X线衍射法、红外分光光度法。其中焦磷酸法是检测游离二氧化硅常用分析方法该方法检测稳定、预处理简便、准确度高、干扰少；对于质控样品考核及样品检测准确度。我公司和国内疾控中心经过多年研发验证推出全自动游离二氧化硅预处理仪。一、产品介绍：空气粉尘中游离二氧化硅含量仪器，用于工作场所空气中粉尘游离二氧化硅含量测定。仪器可大批量制备焦磷酸，缩短实验时间。整个过程可全程自动无人值守，保护人员健康，操作便捷，降低劳动强度；按照国标方法执行。二、仪器特点：制备焦磷酸功能仪器带制备焦磷酸功能，可实现自动制备焦磷酸。自动化模组无需人工干预，实现全自动处理。加热系统加热采用进口热辐射加热材质，样品升温至246℃-249℃，并保持恒温状态。清洗系统360度清洗，实避免实验交叉污染。过滤系统智能自动化快速过滤系统、提高实验效率。排风系统仪器自带排风系统，不占用通风橱空间。

SiC碳化硅功率器件动态特性测试系统 我们专业致力于功率元器件的测试仪器设备，主要致力于碳化硅器件的测试仪器设备。 我们的优势在于能够深入的进行理论运用到实践中。技术能力和实践能力的结合，才能在市场上推出使用方便，测试结果准确的高技术产品 我们的工程师具有超过20年的大功率半导体专业设计及测试评估的经验 如有任何需求，欢迎与我们联系各种电子测试的需求。 全面的测试方案：双脉冲测试 用于碳化硅二极管 和FETs检测 高压器件 1.2 kV - 1.7 kV - 3.3 kV - 4.5 kV 及更高 功率器件（包括模块） 电压可调至：50 A ( 500 A )清晰的开关波形 非常低且非常容易判断寄生现象精确 包含分析和补偿程序为模具，紧凑型包装，模块组件而设计 裸芯片, TO220, TO247, TO254, 任何碳化硅模块模块化和前瞻性 新包装和模块化的可调谐开关插头高温测试 DUT 集成化加热器- 可调谐到 250°C快速 快速部署，测试周期 短标准和具体应用 集成化或定制栅极驱动器；寄生现象可调谐高性能系统 工业等级设计及制造安全 IEC61010安全标准设计 技术规格动态特性主要针对于是碳化硅技术中的功率器件的特性，也同样应用于碳化硅技术的的各种仪器设备的特性。基于碳化硅技术的半导体功率器件动态性能测试是我们的核心技术。随着碳化硅测试设备的快速发展需要对带宽和寄生原件的测试需求。如：负载感应器和直流电等寄生元器件将会成为碳化硅功率器件的使用方案。功能：描述SiC离散变量的动力学行为配置：在相位腿配置的二极管mosfet(或IGBTs)设备等级：优化的额定电压600V到4500V 优化额定电流10A到50A包装：可与TO220,TO247,TO254包接口的装置系统接受其他包的fixture输入电压：230Vac, 50Hz，单相接地保护输入电流：8A保险丝额定值：10A，T，250V直流电压范围：100V to 4500V开关电流范围：10A to 50ADUT温度:热板温度可调至200℃

全自动游离二氧化硅处理平台——焦磷酸法 在日常工作场所空气环境中含有多种粉尘，且多为呼吸性粉尘，其中含有游离二氧化硅的粉尘被吸入人体后，容易引起多种尘肺病，严重危害人体健康。 粉尘中游离二氧化硅的含量越高对人体危害性越大，因此长期控制和监测空气粉尘中游离二氧化硅含量的工作尤为重要。在职业卫生盲样考核和对比实验中，游离二氧化硅含量的测定也是必测项目。根据中华人民共和国国家职业卫生标准GBZ/T 192.4-2007《工作场所空气中粉尘测定 第4部分：游离二氧化硅含量》山东瀚文仪器开发研制了全自动游离二氧化硅处理平台。在标准中游离二氧化硅的测定有三种推荐方法，分别为：焦磷酸法、X线衍射法、红外分光光度法。其中焦磷酸法作为第一方法，是游离二氧化硅最佳分析方法。二、仪器简介瀚文全自动游离二氧化硅处理平台，是用于测定公共场所空气粉尘中游离二氧化硅含量的前处理仪器。整个过程完全按照国标方法全自动化执行；仪器可实现大批量自动制备焦磷酸，操作便捷，降低劳动强度，全程无需人员值守，守护实验人员身心健康。三、功能特点制备焦磷酸功能Ø 仪器可代替人工，实现自动制备焦磷酸，降低劳动程度，守护身心健康自动化模组Ø 无需人工干预，实现全自动处理控制系统Ø 高清触摸电脑，内置实验方法 加热系统Ø 采用进口热辐射加热模块，实验过程中加热模块自动调温Ø 可在10分钟内达到实验要求温度并保持恒温状态冷却系统Ø 水浴降温，自动加水、自动补水、自动排水加液系统Ø 采用高精度全自动进样器清洗系统Ø 360度无死角清洗，实避免实验交叉污染排风系统Ø 仪器自带排风系统Ø 节约通风橱空间山东瀚文仪器仪表有限公司

游离二氧化硅前处理工作站根据中华人民共和国国家职业卫生标准《工作场所空气中粉尘测定 第4部分：游离二氧化硅含量》GBZ/T192.4-2007，游离二氧化硅测定有三种方法分别为：焦磷酸法、X线衍射法、红外分光光度法。其中焦磷酸法是检测游离二氧化硅常用分析方法该方法检测稳定、预处理简便、准确度高、干扰少；对于质控样品考核及样品检测准确度。我公司经过多年研发验证推出全自动游离二氧化硅预处理仪。本仪器适合疾控中心、职业卫生检测、矿山等行业生产环境中呼吸性粉尘的分析与测试。具有运行速度快、检测周期短、准确性高，操作简便等优点。能够满足批量检测要求。一、产品介绍：空气粉尘中游离二氧化硅含量仪器，用于工作场所空气中粉尘游离二氧化硅含量测定。仪器可大批量制备焦磷酸，缩短实验时间。整个过程可全程自动无人值守，保护人员健康，操作便捷，降低劳动强度；按照国标方法执行。二、仪器特点：制备焦磷酸功能仪器带制备焦磷酸功能，可实现自动制备焦磷酸。自动化模组无需人工干预，实现全自动处理。加热系统加热采用进口热辐射加热材质，样品升温至246℃-249℃，并保持恒温状态。清洗系统360度清洗，实避免实验交叉污染。过滤系统智能自动化快速过滤系统、提高实验效率。排风系统仪器自带排风系统，不占用通风橱空间。

三凯医学游离二氧化硅前处理工作站根据中华人民共和国国家职业卫生标准《工作场所空气中粉尘测定 第4部分：游离二氧化硅含量》GBZ/T192.4-2007，游离二氧化硅测定有三种方法分别为：焦磷酸法、X线衍射法、红外分光光度法。其中焦磷酸法是检测游离二氧化硅常用分析方法该方法检测稳定、预处理简便、准确度高、干扰少；对于质控样品考核及样品检测准确度。我公司经过多年研发验证推出全自动游离二氧化硅预处理仪。本仪器适合疾控中心、职业卫生检测、矿山等行业生产环境中呼吸性粉尘的分析与测试。具有运行速度快、检测周期短、准确性高，操作简便等优点。能够满足批量检测要求。一、产品介绍：空气粉尘中游离二氧化硅含量仪器，用于工作场所空气中粉尘游离二氧化硅含量测定。仪器可大批量制备焦磷酸，缩短实验时间。整个过程可全程自动无人值守，保护人员健康，操作便捷，降低劳动强度；按照国标方法执行。二、仪器特点：制备焦磷酸功能仪器带制备焦磷酸功能，可实现自动制备焦磷酸。自动化模组无需人工干预，实现全自动处理。加热系统加热采用进口热辐射加热材质，样品升温至246℃-249℃，并保持恒温状态。清洗系统360度清洗，实避免实验交叉污染。过滤系统智能自动化快速过滤系统、提高实验效率。排风系统仪器自带排风系统，不占用通风橱空间。

碳化硅晶片生产厂家碳化硅（SiC）是Ⅳ-Ⅳ族二元化合物, 也是元素周期表Ⅳ组元素中稳定固态化合物, 是一种重要的半导体材料。 它具有优良的热学、力学、化学和电学性质, 不仅是制作高温、高频、大功率电子器件的优质材料之一，也可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料。苏州恒迈瑞公司目前用于衬底的碳化硅晶片以4H为主，导电类型分为半绝缘型（非掺、掺杂）与N型。 产品类型：4H-SI碳化硅晶片掺杂：钒厚度：500um±25um尺寸：2英寸，3英寸，4英寸，6英寸晶向：on axis 0°0001±0.5° 产品类型：4H-SI碳化硅晶片掺杂：非掺杂厚度：500um±25um尺寸：2英寸，3英寸，4英寸，6英寸晶向：on axis 0°0001±0.5°