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溴化硅
仪器信息网溴化硅专题为您提供2024年最新溴化硅价格报价、厂家品牌的相关信息, 包括溴化硅参数、型号等,不管是国产,还是进口品牌的溴化硅您都可以在这里找到。 除此之外,仪器信息网还免费为您整合溴化硅相关的耗材配件、试剂标物,还有溴化硅相关的最新资讯、资料,以及溴化硅相关的解决方案。
溴化硅相关的方案
Thermo Scientific Orion 8030cX 二氧化硅分析仪
二氧化硅是用于检测、控制和尽量减少涡轮机、换热器和锅炉结垢的一种关键度量。在线实时测量活性二氧化硅可尽量降低因结垢而产生的维修/更换成本,实现安全高效的长期运行,这款在线二氧化硅分析仪可用于对二氧化硅超标的生产用水的去除或回收进行即时或自动的决策。连续实时二氧化硅监测可快速通知离子交换树脂的RO穿透或饱和情况,从而使系统效率最大化,尽量减少维修停机时间。Orion 8030cX 在线二氧化硅分析仪可配置为在二氧化硅峰值出现时发送警告/警报或测量数据来警告用户,触发纠正措施,防止下游出现问题。
碳化硅陶瓷材料的XRD表征
碳化硅陶瓷是一种重要的功能陶瓷材料,具有优异的高温力学强度、高硬度、高弹性模量、高耐磨性、高导热性、耐腐蚀性等性能。本文使用岛津XRD-7000衍射仪测试了两种市售的SiC陶瓷粉末,对得到的衍射谱图进行了物相解析,两个样品的主物相均为α -SiC-6H,其中样品SiC-1#还含有游离Si和α -SiC-15R相。通过Rietveld精修获得了晶粒尺寸。物相组成和晶粒尺寸严重影响烧结后碳化硅陶瓷材料的机械性能,这些信息对于优化碳化硅陶瓷材料的生产工艺和产品质量监控有着重要意义。
氮化硅---微波消解法
氮化硅是一种特殊的耐高温材料,以高纯氮化硅粉末材料制备的氮化硅精细陶瓷材料具备系列优异的性能,其作为先进结构材料在发动机、机械加工、微电子学等尖端领域具有良好的应用前景。
Zeta电位法监控氮化硅表面二氧化硅氧化层的去除
在空气中保存并且接触水溶液后,PH值滴定实验测得氮化硅片的等电点(IEP)为PH4。与氧化硅片相比,IEP移向了更高的PH值。然而,如果用5%的HF酸处理几秒钟,IEP变为5.3,这说明HF有效出去了氮化硅表面的自生氧化层。如果在HF处理之前先用Piranha 溶液处理一下,氧化物层将会被处理的更彻底。
SMX-6000观察碳化硅MOSFET内部结构
"本文介绍了一个运用SMX-6000微焦点X射线检查装置的X射线透视及CT对碳化硅MOSFET的实例观察。针对碳化硅MOSFET进行透视,观察发现内部碳化硅晶片和铜基体的焊料部分有白色气泡。侧立时发现是使用铝线和碳化硅晶片进行连接。针对透视图中碳化硅晶片焊接部分使用CT扫描,能够清晰观察出内部气泡,并进行测量。"
Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 用于氮化硅刻蚀工艺研究
重庆某研究所在在氮化硅刻蚀工艺研究中采用 hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE.针对氮化硅刻蚀工艺中硅衬底刻蚀损失的问题, 为了提高氮化硅对二氧化硅的刻蚀选择比, 采用 CF4, CH3F和O2这3种混合气体刻蚀氮化硅, 通过调整气体流量比, 腔内压强及功率, 研究其对氮化硅刻蚀速率、二氧化硅刻蚀速率及氮化硅对二氧化硅选择比等主要刻蚀参数的影响.
微波消解氮化硅
氮化硅是一种重要的结构陶瓷材料。它是一种超硬物质,本身具有润滑性,并且耐磨损,高温时抗氧化以及抵抗冷热冲击,由于氮化硅陶瓷具有如此优异的特性,人们常常利用它来制造轴承、气轮机叶片、机械密封环、永久性模具等机械构件。如果用耐高温而且不易传热的氮化硅陶瓷来制造发动机部件的受热面,不仅可以提高柴油机质量,节省燃料,而且能够提高热效率。通过微波消解方法对氮化硅进行前处理,有利于后续对样品中痕量元素含量的快速准确测定。
微波消解氮化硅
氮化硅是一种重要的结构陶瓷材料。它是一种超硬物质,本身具有润滑性,并且耐磨损,高温时抗氧化以及抵抗冷热冲击,由于氮化硅陶瓷具有如此优异的特性,人们常常利用它来制造轴承、气轮机叶片、机械密封环、永久性模具等机械构件。如果用耐高温而且不易传热的氮化硅陶瓷来制造发动机部件的受热面,不仅可以提高柴油机质量,节省燃料,而且能够提高热效率。通过微波消解方法对氮化硅进行前处理,有利于后续对样品中痕量元素含量的快速准确测定。
离子色谱法检测氮化硅粉体中氟离子,氯离子
氮化硅陶瓷广泛应用于风电行业、光伏行业、电动汽车电池用研磨块、卫星电池、医疗卫生行业、火箭推进器尾喷管、电子行业等领域。既然氮化硅陶瓷的性能如此优异,那么在进行制备时对于其中杂质含量的控制也十分重要。其中氟和氯是氮化硅的主要杂质,含量过多会对相关接触部件造成严重腐蚀,从而影响构件的机械强度和密封环的密封效果。本次以氮化硅为例,参考《氮化硅粉体中氟离子和氯离子含量的测定 离子色谱法(征求意见稿)》中的检测方法,制定了相关的检测方案。
氮化硅陶瓷材料中阴离子的检测
氮化硅是一种重要的新型结构陶瓷材料,强度高,尤其是热压氮化硅,是世界上最坚硬的物质之一。氮化硅极耐高温,可以在1200℃高温下保持强度不下降,直到1900℃才会分解,且具有惊人的耐化学腐蚀性能,能耐几乎所有的无机酸和30%以下的烧碱溶液,同时又是一种高性能电绝缘材料。
氧化硅材料的粒度测量
氧化硅是一种常用的矿物材料,从研磨剂到填料以至作为提高物性用的添加 剂,它有一个广泛的使用范围。 高纯度要求的打磨剂如 CMP 需要次微米级颗粒,通常使用沉淀法或发烟法加 工。最常用的或大颗粒的氧化硅,是把天然原料如砂石或石英进行分类,研磨后再加工的。
微波消解氮化硅
氮化硅是一种无机物,是一种重要的结构陶瓷材料,硬度大,本身具有润滑性,并且耐磨损,为原子晶体;高温时抗氧化。而且它还能抵抗冷热冲击,在空气中加热到1000℃以上,急剧冷却再急剧加热,也不会碎裂。正是由于氮化硅陶瓷具有如此优异的特性,人们常常利用它来制造轴承、气轮机叶片、机械密封环、永久性模具等机械构件。选择一种氮化硅样品,通过实验寻找一种可将其完全溶解的微波消解前处理方法,有利于后续AAS、ICP、ICP-MS等检测设备对样品中多种无机元素含量进行快速准确测定。
微波消解氮化硅
氮化硅是一种无机物,是一种重要的结构陶瓷材料,硬度大,本身具有润滑性,并且耐磨损,为原子晶体;高温时抗氧化。而且它还能抵抗冷热冲击,在空气中加热到1000℃以上,急剧冷却再急剧加热,也不会碎裂。正是由于氮化硅陶瓷具有如此优异的特性,人们常常利用它来制造轴承、气轮机叶片、机械密封环、永久性模具等机械构件。选择一种氮化硅样品,通过实验寻找一种可将其完全溶解的微波消解前处理方法,有利于后续AAS、ICP、ICP-MS等检测设备对样品中多种无机元素含量进行快速准确测定。
使用DCAT测量粉末的表面自由能--二氧化硅粉末研究
使用DCAT 动态接触角测量仪采用washburm方法测量二氧化硅与水、二氧化硅与二碘甲烷的接触角,通过OWRK的方法计算出二氧化硅的表面自由能及其分布。
碳化硅SiC纤维束丝拉伸测试
本文参考了《GB/T 34520.3-2017连续碳化硅纤维测试方法 第3部分:线密度和密度》中关于《GB/T 1446-2005 纤维增强塑料性能试验方法总则》的要求,使用岛津电子万能试验机AGS-X对碳化硅纤维(SiC)束丝进行拉伸测试,获取拉伸强度,弹性模量与断裂点行程应变。试验证明了岛津AGS-X电子万能试验机配合气动双推夹具,可以满足碳化硅束丝拉伸测试的需求。
焦磷酸法测定粉尘中游离二氧化硅含量的步骤
粉尘中游离二氧化硅对人体的伤害极大,是引发矽肺病的主要因素之一,同时游离二氧化硅含量也是评价粉尘危害性质的主要指标。空气粉尘中游离二氧化硅的检测方法主要有焦磷酸法、红外分光光度法、X 射线衍射法,本文主要介绍焦磷酸法测定粉尘中游离二氧化硅含量的操作步骤。
使用激光粒度仪测试碳化硅粉体的粒度
使用岛津激光粒度仪SALD-2300湿法测试碳化硅粉体的粒径大小和分布,为了解碳化硅粉体的粒度信息提供参考。本法使用纯水为分散介质,在搅拌和超声条件下进行测试,样品消耗量少,分析速度快,数据稳定且重复性好,满足碳化硅样品的粒度测试要求。
ICP-OES法测定碳化硅陶瓷中的氧化物含量
参考GB/T 6901-2017《硅质耐火材料化学分析方法》及GB/T 37254-2018《高纯碳化硅 微量元素的测定》,使用岛津ICPE-9820型电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)分析了碳化硅中多种元素氧化物的含量。分析结果显示,该方法各元素检出限为0.005~27.125 mg/kg;相对标准偏差(RSD)0.13%~2.61%,重复性良好,样品加标回收率为90.6%~106%,该方法适用于碳化硅中的氧化物含量测定。
解决方案|原子吸收法测定氮化硅材料中的铝、铁、钙含量
现有的氮化硅中微量元素分析主要采用原子吸收光谱法和等离子体发射光谱法。对于氮化硅陶瓷粉末中铝、钙和镁测定,国家标准JY/T016-1996中使用的是波长色散型X射线荧光光谱法。样品前处理主要为高温碱熔或微波消解法。本文查阅文献建立微波消解原子吸收光谱法测定氮化硅粉中铝、铁、钙含量的方法,可供相关人员参考。
使用氧氮氢分析仪分析碳化硅中的氧氮氢元素
在材料科学的浩瀚星空中,碳化硅(SiC)无疑是一颗璀璨的明星。作为无机半导体材料的杰出代表,碳化硅不仅以其独特的物理和化学性质在磨料、耐火材料等领域大放异彩,更在光电、电子等高技术领域展现出无限潜力。然而,要想充分发挥碳化硅的这些优异性能,对其内部元素的精确分析与控制显得尤为重要,特别是氧、氮、氢这三大元素。
焦磷酸法测定粉尘中游离二氧化硅的含量
根据中华人民共和国国家职业卫生标准《工作场所空气中粉尘测定 第4部分:游离二氧化硅含量》GBZ/T192.4-2007,游离二氧化硅测定有三种方法分别为:焦磷酸法、X线衍射法、红外分光光度法。其中焦磷酸法是检测游离二氧化硅最佳分析方法该方法检测稳定、预处理简便、准确度高、干扰少;对于质控样品考核及样品检测准确度高。我公司和国内知名疾控中心经过多年研发验证推出全自动游离二氧化硅预处理仪。
高导热3C、4H和6H碳化硅晶圆热导率测试方法选择
做为新一代半导体材料的3C、4H和6H碳化硅,其显著特点之一是具有比银和铜更高的热导率。热导率是评价这些高导热碳化硅晶圆的重要技术指标,而准确测试碳化硅晶圆热导率则需要对测试方法进行合理的选择。本文将针对高导热碳化硅晶圆,介绍目前常用的几种热导率测试方法,并做出分析,对热导率测试方法的选择给出参考意见。
DS-360-42H石墨消解仪在游离二氧化硅测定中的应用
目前国内各级疾控单位都在逐步开展职业病危害的项目检测,游离二氧化硅的实验也逐步进入大众视线。也诞生了全自动游离二氧化硅的仪器,但是可替代的步骤较少,价格也比较昂贵,对于经费不多的客户还是要选择跟标准贴合的手工方法。本文介绍石墨消解仪如何对粉尘进行消解处理。
碳化硅在氧气气氛下的稳定性
以639 mg的样品重量,载气为氧气的状态下,以SETSYS EVO TGA测试碳化硅在氧气气氛下的稳定性。
MA-3000直接燃烧法在地矿行业测定二氧化硅中总汞的应用
MA-3000直接燃烧法在地矿行业测定二氧化硅中总汞的应用二氧化硅,也称为二氧化硅,是一种化合物,是硅 (SiO2) 的氧化物。自古以来,二氧化硅就以石英的形式在自然界以及各种生物体中最为常见。在世界许多地方,二氧化硅是沙子的主要成分。除了无定形形式之外,SiO2 还具有许多不同的结晶形式(多晶型物)。尽管它溶解性差,但二氧化硅广泛存在于许多植物中。二氧化硅是食品生产中的常见添加剂,主要用作粉状食品中的流动剂,或在吸湿应用中吸附水分。胶体二氧化硅还用作葡萄酒、啤酒和果汁澄清剂。在医药产品中,二氧化硅在形成片剂时有助于粉末流动。二氧化硅的开采和生产可能会受到非生物环境中天然存在形式的汞的污染,包括:金属汞、硫化汞以及氯化汞和氯化亚汞的盐类。众所周知,汞会在人体中进行生物积累,因此多种食物或药物来源的生物积累会导致汞中毒。汞对自然生态系统和人类都是危险的,因为它具有剧毒,特别是因为它能够破坏中枢神经系统。汞对子宫内和儿童早期的人类发展构成特别威胁。因此,为了防止汞中毒,有必要准确量化二氧化硅中的总汞含量。 NIC公司 MA-3000是一款专用的直接汞分析仪,通过热分解、金汞齐化和冷原子吸收光谱有选择地测量几乎任何样品基质(固体、液体和气体)的总汞。MA-3000提供快速测试的结果,没有任何繁琐、耗时和复杂的样品制备过程。这是一个理想的解决方案,以满足当今实验室对简单,快速和准确的汞测量的需求。
水泥中二氧化硅的含量
水泥是我们国民经济建设的重要原料,二氧化硅是水泥熟料的主要成分,含量过低,影响水泥的安定性;含量过高,水泥凝结速度和早期强度增长变慢。
电位滴定法测水泥中二氧化硅的含量分析方法
水泥是我们国民经济建设的重要原料,二氧化硅是水泥熟料的主要成分,含量过低,影响水泥的安定性;含量过高,水泥凝结速度和早期强度增长变慢。我们采用电位滴定法测水泥中的二氧化硅的含量,更准确,更快捷。
解决方案|ICP法测定碳化硅材料中的铁、镁、钛、铝、钙、钠含量
碳化硅中微量元素分析主要采用原子吸收光谱法、电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-OES)法和电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)法。本文根据国家标准GB/T3045-2017中电感耦合等离子体质谱法测定的方法,经过检测条件的优化,建立了电感耦合等离子体光谱(ICP-OES)法测定碳化硅粉末中铁、镁、钛、铝、钙、钠含量的方法,可供相关人员参考。
全反射X射线荧光(TXRF)对碳化硅等难溶样品检测的优点
常见难溶样品如:碳化硼、碳化硅、氮化硼在磨料、特种刀具、核工业等领域有广泛的应用。
扫描探针显微镜(SPM)表征二氧化硅薄膜材料的表面形貌以及粗糙度
二氧化硅薄膜具有良好的硬度、光学、介电性质及耐磨、抗侵蚀等特性,在光学、微电子等领域有着广泛的应用前景,是目前国际上广泛关注的功能材料。本文采用岛津扫描探针显微镜(SPM)技术对二氧化硅薄膜样品的表面形貌以及粗糙度进行了表征,对二氧化硅薄膜的制备方法和制备工艺优化提供了一定的指导。
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