当前位置: 仪器信息网 > 行业主题 > >

氮化铬

仪器信息网氮化铬专题为您提供2024年最新氮化铬价格报价、厂家品牌的相关信息, 包括氮化铬参数、型号等,不管是国产,还是进口品牌的氮化铬您都可以在这里找到。 除此之外,仪器信息网还免费为您整合氮化铬相关的耗材配件、试剂标物,还有氮化铬相关的最新资讯、资料,以及氮化铬相关的解决方案。

氮化铬相关的仪器

  • 氮化学发光检测器Agilent 8255 氮化学发光检测器 (NCD) 是氮选择性检测器,对氮化合物呈等摩尔线性响应。检测原理是:采用不锈钢燃烧器使含氮化合物在高温下燃烧生成氮氧化物 (NO)。光电倍增管检测到由 NO 和臭氧发生连续化学发光反应而产生的光。因为反应的专属性,分析复杂样品基质也几乎没有干扰。● 用于气相色谱 (GC) 的氮特异性检测器● 皮克级检出限● 没有烃的淬灭● 对有机氮化物呈等摩尔线性响应● 对氨、肼、氰化氢和 NOX 有响应● 重新设计的燃烧头和检测器,NCD 也具有亚硝胺特定配置选项● 安捷伦还提供 8355 硫化学发光检测器 (SCD)
    留言咨询
  • 氮化硅薄膜窗口 400-860-5168转1679
    联系我们:X射线透射显微成像/能谱(同步辐射)用氮化硅薄膜窗口 产品概述: X-射线薄膜窗能够实现软X-射线(如真空紫外线)的最大透射率。主要用于同步辐射X射线透射显微成像时承载样品。 X-射线越软(能量越低),穿透能力越差,所需氮化硅薄膜窗越薄。特别在“离轴”状态工作(即薄膜与光束成一定角度)时,也需要较薄的薄膜窗口,便于X射线更好地穿透。 氮化硅薄膜窗口是利用现代MEMS技术制备而成,由于此种氮化硅窗口选用低应力氮化硅(0-250MP)薄膜,因此比计量式和ST氮化硅薄膜更坚固耐用。提供的氮化硅薄膜窗口非常适合应用于透射成像和透射能谱等广泛的科学研究领域,例如,X-射线(上海光源透射成像/能谱线站)、TEM、SEM、IR、UV等。 现在提供X-射线显微成像/能谱(同步辐射)用氮化硅薄膜窗系列产品,规格如下: 外框尺寸 (4种标准规格): 5 mm x 5 mm (窗口尺寸:1.0 mm或和 1.5 mm 方形) 7.5 mm x 7.5 mm (窗口尺寸:2.0 mm或 2.5 mm) 10 mm x 10 mm (窗口尺寸:3.0 mm或 5 mm 方形) 边框厚度: 200µ m、381µ m、525µ m。 Si3N4薄膜厚度:50、100、150和200nm 我们也可以为用户定制产品(30-500nm),但要100片起订。 本产品为一次性产品,不建议用户重复使用,本产品不能进行超声清洗,适合化学清洗、辉光放电和等离子体清洗。 技术指标: 透光度: 对于X射线用窗口,500nm厚的氮化硅薄膜有很好的X光穿透效果,对于软X射线(例如碳边吸收谱),100-200nm厚的氮化硅薄膜窗口是用户首选。 真空适用性: 真空适用性数据如下:  薄膜厚度 窗口面积 压力差 ≥50 nm ≤1.0 x 1.0 mm 1 atm ≥100 nm ≤1.5 x 1.5 mm 1 atm ≥200 nm ≤2.5 x 2.5 mm 1 atm 表面平整度: 氮化硅薄膜窗口产品的表面平整性很稳定(粗糙度小于1nm),对于X射线应用没有任何影响。 温度特性: 氮化硅薄膜窗口产品是耐高温产品,能够承受1000度高温,非常适合在其表面利用CVD方法生长各种纳米材料。 化学特性: 氮化硅薄膜窗口是惰性衬底。 应用简介和优点: 1、同步辐射X射线(紫外或极紫外)透射成像或透射能谱应用中是不可或缺的样品承载体。 2、耐高温、惰性衬底,适应各种聚合物、纳米材料、半导体材料、光学晶体材料和功能薄膜材料的制备环境,利于制备理想的用于X射线表征用的自组装单层薄膜或薄膜(薄膜直接沉积在窗口上)。 3、生物和湿细胞样本的理想承载体。特别是在等离子体处理后,窗口具有很好的亲水性。 4、耐高温、惰性衬底,也可以用于化学反应和退火效应的原位表征。 5、适合做为胶体、气凝胶、有机材料和纳米颗粒等的表征实验承载体。 氮化硅薄膜窗口系列 SN-LDE-505-15 氮化硅薄膜窗口,框架:5×5mm,窗口:1.5×1.5mm,膜厚:50nm SN-LDE-510-15 氮化硅薄膜窗口,框架:5×5mm,窗口:1.5×1.5mm,膜厚:100nm SN-LDE-515-15 氮化硅薄膜窗口,框架:5×5mm,窗口:1.5×1.5mm,膜厚:150nm SN-LDE-520-15 氮化硅薄膜窗口,框架:5×5mm,窗口:1.5×1.5mm,膜厚:200nm SN-LDE-705-25 氮化硅薄膜窗口,框架:7.5×7.5mm,窗口:2.5×2.5mm,膜厚:50nm SN-LDE-710-25 氮化硅薄膜窗口,框架:7.5×7.5mm,窗口:2.5×2.5mm,膜厚:100nm SN-LDE-715-25 氮化硅薄膜窗口,框架:7.5×7.5mm,窗口:2.5×2.5mm,膜厚:150nm SN-LDE-720-25 氮化硅薄膜窗口,框架:7.5×7.5mm,窗口:2.5×2.5mm,膜厚:200nm SN-LDE-105-30 氮化硅薄膜窗口,框架:10×10mm,窗口:3×3mm,膜厚:50nm SN-LDE-110-30 氮化硅薄膜窗口,框架:10×10mm,窗口:3×3mm,膜厚:100nm SN-LDE-115-30 氮化硅薄膜窗口,框架:10×10mm,窗口:3×3mm,膜厚:150nm SN-LDE-120-30 氮化硅薄膜窗口,框架:10×10mm,窗口:3×3mm,膜厚:200nm 氮化硅薄膜窗口阵列系列 SN-AR-522-15 氮化硅薄膜窗口,框架:5×5mm,窗口:1.5×1.5mm,2×2阵列,膜厚:50nm SN-AR-733-15 氮化硅薄膜窗口,框架:7.5×7.5mm,窗口:1.5×1.5mm,3×3阵列;膜厚:50nm SN-AR-1044-15 氮化硅薄膜窗口,框架:5×5mm,窗口:1.5×1.5mm,膜厚:100nm 氧化硅薄膜窗口系列 SO-505-15 氧化硅薄膜窗口,框架:5×5mm,窗口:1.5×1.5mm,膜厚:50nm SO-510-15 氧化硅薄膜窗口,框架:5×5mm,窗口:1.5×1.5mm,膜厚:100nm SO-520-15 氧化硅薄膜窗口,框架:5×5mm,窗口:1.5×1.5mm,膜厚:150nm SO-705-25 氧化硅薄膜窗口,框架:7.5×7.5mm,窗口:1.5×1.5mm,3×3阵列,膜厚:50nm SO-710-25 氧化硅薄膜窗口,框架:7.5×7.5mm,窗口:1.5×1.5mm,3×3阵列,膜厚:100nm SO-720-25 氧化硅薄膜窗口,框架:7.5×7.5mm,窗口:1.5×1.5mm,3×3阵列,膜厚:200nm 氮化硅薄膜窗口系列 SN-1010-2-AU10 氮化硅基底框架:10×10mm,窗口:2×2mm,膜厚:100nm,金膜厚度:10nm SN-1020-2-AU10 氮化硅基底框架:10×10mm,窗口:2×2mm,膜厚:200nm,金膜厚度:10nm SN-710-2-AU10 氮化硅基底框架:7.5×7.5mm,窗口:2×2mm,膜厚:100nm,金膜厚度:10nm SN-720-2-AU10 氮化硅基底框架:7.5×7.5mm,窗口:2×2mm,膜厚:200nm,金膜厚度:10nm 特殊定制产品 SN-5H5-15 氮化硅基底框架:5×5mm,硅片厚度:200um,窗口:1.5×1.5mm,膜厚:500nm SN-5H10-15 氮化硅基底框架:5×5mm,硅片厚度:200um,窗口:1.5×1.5mm,膜厚:1000nm SN-LDE-4-10 氮化硅片100nm-4英寸整张,10×10mm切片 衬底厚度:200um 温度范围:1000℃ 真空适应:1个大气压 厚度可以选择:200um,381um,525um,需要提前说明。联系我们:
    留言咨询
  • 氮化镓(GaN)晶体基片 400-860-5168转2205
    产品名称:氮化镓(GaN)晶体基片产品简介:GaN易与AlN、InN等构成混晶,能制成各种异质结构,已经得到了低温下迁移率达到105cm2/Vs的2-DEG(因为2-DEG面密度较高,有效地屏蔽了光学声子散射、电离杂质散射和压电散射等因素).科晶公司将为您提供高品质低价位的氮化镓晶体和基片。技术参数:制作方法:HVPE(氢化物气象外延法)传导类型:N型;半绝缘型电阻率:R0.5 Ω.cm;R106Ω.cm表面粗糙度:0.5nm位错密度:5x106Ω.cm可用表面积:90%TTV:≤15umBow:≤20um 产品规格:晶体方向: 0001 常规尺寸:dia50.8mm±1mm x 0.35mm ±25um;注:可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装:1000级超净室100级超净袋或单片盒装相关产品: Thin Films A-ZCrystal wafer A-Z等离子清洗机基片包装盒系列切割机薄膜制备设备
    留言咨询
  • 氮化镓(GaN)薄膜 400-860-5168转2205
    产品名称:氮化镓(GaN)薄膜产品简介:氮化镓Epitxial范本saphhire是提出了氢化物气相外延(HVPE)的方法。在HVPE过程中,盐酸反应生成GaCl,而这又与氨反应生成氮化镓熔镓。外延GaN的模板是成本效益的方法,以取代氮化镓单晶基板。 技术参数: 常规尺寸dia50.8±1mm x 4um,10-25um.dia100±1mm x 4um,10-25um. 0001±1° N型注:可按客户需求定制特殊堵塞方向和尺寸。产品定位C轴0001±1°传导类型N型;半绝缘型;P型电阻率R0.05 Ohm-cm;半绝缘型R106 Ohm-cm位错密度1x108 Cm-2表面处理(镓面)AS Grown有效值1nm可用表面积90%标准包装:1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装
    留言咨询
  • 氮化硅弹珠 400-827-1665
    氮化硅弹珠可提高胰腺消化效率,同时防止胰腺与腔室系统同步移动。 这些弹珠还能够增加胰腺组织在腔室系统内的分散程度。 弹珠尺寸:直径15.875mm 9个/包,无菌包装,供一次性使用。
    留言咨询
  • 氮化镓晶片生产厂家苏州恒迈瑞材料科技有限公司生产销售2英寸及4英寸蓝宝石氮化镓衬底片,衬底结构GaN-On-Sapphire。GaN氮化镓外延厚度有4.5um和20um两种。2英寸蓝宝石衬底厚度为430um,4英寸蓝宝石衬底厚度为650um。掺杂类型分为N型非掺杂,N型硅掺杂及镁掺杂。蓝宝石氮化镓晶片包装方式为单个晶圆盒或Cassette盒。蓝宝石氮化镓衬底晶片尺寸:2 inch 50.8mm±1mm蓝宝石衬底厚度:430um衬底结构:GaN-On-Sapphire掺杂类型:N型非掺杂/N型硅掺杂/P型镁掺杂氮化镓外延厚度:4.5um±0.5um/ 20um±2um晶向:C-plane(0001)A Axis 0.2±0.1°位错密度:≤5x108cm-2包装方式:晶圆盒或Cassette盒抛光要求:单抛/双抛氮化镓,分子式GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,属于极稳定的化合物,自1990年起常用在发光二极管中。它的坚硬性好,还是高熔点材料,熔点约为1700℃,GaN具有高的电离度,在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是高的(0.5或0.43)。在大气压力下,GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。
    留言咨询
  • SG系列原位芯片生产的TEM氮化硅膜窗格SG系列由先进的微电子工艺打造,可用于微纳米样品高分辨电镜观测。此款窗格为3mm外径的八边形,适用于所有TEM样品杆,为适用于多种实验条件,原位芯片为科研人员提供了单窗格,多窗格及微孔窗格三种标准产品。氮化硅膜采用低应力技术(250MPa),化硅膜薄透且不易破损,非常适合于前沿的生物、材料、物理、化学等方面的研究。 产品应用• 搭载TEM、SEM、AFM、拉曼和XRD等设备的样品。超薄的氮化硅膜可以为您提供稳定的样品观测平台;• 可适用于需要加热处理的样品观测,本产品可耐受约1000℃高温;• 可适用于需要化学处理的样品观测,可以耐受盐酸、硫酸和强碱的腐蚀;• 可用于生物样品观测,氮化硅薄膜具有良好的生物亲和性;• 可适用于需要避C/Cu等元素的样品观测,载网表面无碳元素薄膜;• 可用于TEM、SEM、AFM、拉曼、XRD和同步辐射等设备的单一以及联合交叉检测。 技术参数SG同步辐射氮化硅薄膜窗口外框项目参数外框参数材料N/P 型硅片 电阻率1~10Q*cm氮化硅项目 参数 氮化硅项目 参数材料 LPCVD 氮化硅 应力250MPa介电常数6-7介电强度10 (106V/cm)电阻率1016Ω*cm粗糙度(Ra)0.28±5% nm杨氏模量270Gpa 粗糙度(Rms)0.40±5% nm 产品型号产品编号膜厚窗口尺寸SG010Z10nm0.10×0.10mmSG015Z10nm0.15×0.15mmSG025Z10nm0.25×0.25mmSG050Z10nm0.50×0.50mmSG025A15nm0.25x0.25mmSG050A15nm0.5x0.5mmSG100A15nm1x1mmSG025B30nm0.25x0.25mmSG050B30nm0.5x0.5mmSG100B30nm1x1mmSG025C50nm0.25x0.25mmSG050C50nm0.5x0.5mmSG100C50nm1x1mmSG050D100nm0.5x0.5mmSG025E200nm0.25x0.25mmSG050E200nm0.5x0.5mm每盒包含10枚芯片
    留言咨询
  • 高温离子氮化炉 400-860-5168转4967
    脉冲等离子PulsPlasma系统包括真空炉室,辅助加热系统,保温系统,温度测量系统,钟罩提升系统,工艺气体循环系统,冷却系统,工艺控制系统以及离子发生器系统。这其中的离子发生器系统是普发拓普公司的设计,可以完全避免打弧现象的发生而且节能效果明显。炉体可以是钟罩式设计,也可以是井式炉或卧式设计。根据设备的大小,加热控制区至少配有三组独立控制升温和降温的加热器,通过这些独立控制的加热器获得较好的均温性。工艺特点:通过热壁技术实现良好的均温性工艺气体消耗少,没有污染气体灵活的渗氮温度,温度范围 300 ℃ - 800 ℃白亮层可控可处理不锈钢可处理烧结钢可以在同一炉工艺集成脉冲离子氮化-氧化工艺 设备特点:不产生打弧,工件表面无破坏加热和控制系统,至少3区独立的加热和冷却区域控制区温度均匀分布PulsPlasma电源,电压和电流近乎方波,几微妙内获得设定的全部脉冲电流,主动抑制打弧监测(开关时间 0.1 μs)电源可升级至5年质保可在低温下对工件表面进行等离子清洗设备布局紧凑,节省空间,所有部件集成在一个基础框架内模块化设计,提供单室型、交替型和双室型设备特殊航天保温材料,热容量低,功率损耗低,节省重量
    留言咨询
  • 氮化铝(AlN)薄膜 400-860-5168转2205
    产品名称:氮化铝(AlN)薄膜产品简介:AllN Epitxial范本saphhire提出了氢化物气相外延(HVPE)的方法。氮化铝薄膜又是成本效益的方法,用来取代氮化铝单晶衬底。科晶真诚欢迎您的垂询!技术参数:尺寸 dia50.8mm±1mm蓝宝石衬底取向 c轴(0001)±1.0deg衬底: Al2O3 SiC GaN薄膜厚度:10-5000nm导电类型: 半绝缘型位错密度:XRD FWHM of 0002500arcsec XRD FWHM of 10-121500arcsec 有效面积:80%抛光:单抛光 产品规格: 氮化铝(蓝宝石衬底):dia2"*1500nm±10% 注:可根据客户需求定制特殊的方向和尺寸。标准包装:1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装 相关产品: SapphireGaNOther AlN templateZnO金刚石刀真空吸笔系列基片包装盒系列旋转涂层机
    留言咨询
  • TE系列:原位芯片X-Ray氮化硅薄膜窗口TE系列,为满足科研人员对样品的观测需求,苏州原位芯片采用先进的微电子工艺,设计并制造了专门用于同步辐射线站及扫描电子显微镜(SEM)的标准氮化硅膜窗格。苏州原位芯片氮化硅膜窗格具有高洁净度,高X-射线透射性,低应力,高强度且膜厚均匀一致的特性,适用于高温(~1000℃)实验以及不同压力环境的测试。目前我们的产品已被全球范围内的科研人员广泛认可且用于其生物、材料、物理、化学等方面的研究。 产品应用纳米材料,半导体材料,光学晶体材料,功能薄膜材料胶体,气凝胶,有机材料和纳米颗粒的表征实验含碳样品分析(光阻剂,聚合物,食品,油品,燃料等)用于化学反应及退火效应的原位表征作为生物、细胞载体技术参数TE同步辐射氮化硅薄膜窗口外框项目参数外框参数材料N/P 型硅片 电阻率1~10Q*cm氮化硅项目 参数 氮化硅项目 参数材料 LPCVD 氮化硅 应力250MPa介电常数6-7介电强度10 (106V/cm)电阻率1016Ω*cm粗糙度(Ra)0.28±5% nm折射率@630nm2.15-2.17 粗糙度(Rms)0.40±5% nm 产品型号产品编号膜厚窗口尺寸框架大小TE025Z10nm0.25x0.25mm5x5mmTE050Z10nm0.5x0.5mm5x5mmTE025Y20nm0.25x0.25mm5x5mmTE050Y20nm0.5x0.5mm5x5mmTE025A30nm0.25x0.25mm5x5mmTE050A30nm0.5x0.5mm5x5mmTE100A30nm1x1mm5x5mmTE025B50nm0.25x0.25mm5x5mmTE050B50nm0.5x0.5mm5x5mmTE100B50nm1x1mm5x5mmTE150B50nm1.5x1.5mm5x5mmTE200B50nm2x2mm5x5mmTE025C100nm0.25x0.25mm5x5mmTE050C100nm0.5x0.5mm5x5mmTE100C100nm1x1mm5x5mmTE150C100nm1.5x1.5mm5x5mmTE200C100nm2x2mm5x5mmTE75050C100nm0.5x0.5mm7.5x7.5mmTE75200C100nm2x2mm7.5x7.5mmTE100300C(5pcs)100nm3x3mm10x10mmTE100500C(5pcs)100nm5x5mm10x10mmTE010D200nm0.1x0.1mm5x5mmTE025D200nm0.25x0.25mm5x5mmTE050D200nm0.5x0.5mm5x5mmTE100D200nm1x1mm5x5mmTE150D200nm1.5x1.5mm5x5mmTE200D200nm2x2mm5x5mmTE250D200nm2.5x2.5mm5x5mm每盒包含10枚芯片
    留言咨询
  • SHNTI的X-射线薄膜窗能够实现软X-射线(如真空紫外线)的最大透射率。主要用于同步辐射X射线透射显微成像时承载样品。 X-射线越软(能量越低),穿透能力越差,所需氮化硅薄膜窗越薄。特别在“离轴”状态工作(即薄膜与光束成一定角度)时,也需要较薄的薄膜窗口,便于X射线更好地穿透。SHNTI提供的氮化硅薄膜窗口是利用现代MEMS技术制备而成,由于此种氮化硅窗口选用低应力氮化硅(0-250MP)薄膜,因此比计量式和ST氮化硅薄膜更坚固耐用。SHNTI提供的氮化硅薄膜窗口非常适合应用于透射成像和透射能谱等广泛的科学研究领域,例如,X-射线(上海光源透射成像/能谱线站)、TEM、SEM、IR、UV等。现在SHNTI可以提供X-射线显微成像/能谱(同步辐射)用氮化硅薄膜窗系列产品,规格如下:外框尺寸 (4种标准规格):5 mm x 5 mm (窗口尺寸:1.0 mm 或和 1.5 mm 方形)7.5 mm x 7.5 mm (窗口尺寸:2.0 mm 或 2.5 mm)10 mm x 10 mm (窗口尺寸:3.0 mm 或 5 mm 方形)边框厚度: 200μm、381μm、525μm。Si3N4薄膜厚度:50、100、150和200nmSHNTI也可以为用户定制产品(30-500nm),但要100片起订。本产品为一次性产品,SHNTI不建议用户重复使用,本产品不能进行超声清洗,适合化学清洗、辉光放电和等离子体清洗。与X射线用氮化硅窗口类似,透射电镜(TEM)用氮化硅薄膜窗口也使用低应力氮化硅薄膜基底。但整体尺度更小,适合TEM装样的要求。窗口有单窗口和多窗口阵列等不同规格。同时SHNTI也定制多孔氮化硅薄膜窗口。现在SHNTI可以提供透射电镜(TEM)用氮化硅薄膜窗系列产品,规格如下:外框尺寸:3 mm x 3 mm (窗口尺寸:0.5 mm,薄膜厚度:50 nm) 3 mm x 3 mm (窗口尺寸:1.0 mm,薄膜厚度:50 nm) 3 mm x 3 mm (窗口尺寸:1.0 mm,薄膜厚度:100 nm) 边框厚度: 200μm、381μm。Si3N4薄膜厚度: 50nm、100nmSHNTI也可以为用户定制产品(30-200nm),但要100片起订。本产品为一次性产品,SHNTI不建议用户重复使用,本产品不能进行超声清洗,适合化学清洗、辉光放电和等离子体清洗。 技术指标:表面平整度:我们认为薄膜与其下的硅片同样平整, TEM用氮化硅薄膜窗口的表面粗糙度为:0.6-2nm。完全适用于TEM表征。亲水性该窗格呈疏水性,如果样品取自水悬浮液,悬浮微粒则不能均匀地分布在薄膜上。用等离子蚀刻机对薄膜进行亲水处理,可暂时获得亲水效果。虽然没有对其使用寿命进行过测试,但预期可以获得与同样处理的镀碳TEM网格相当的寿命。我们可以生产此种蚀刻窗格,但无法保证其使用寿命。如果实验室有蚀刻工具也可对其进行相应的处理提高其亲水性能。温度特性:氮化硅薄膜窗口产品是耐高温产品,能够承受1000度高温,非常适合在其表面利用CVD方法生长各种纳米材料。化学特性:氮化硅薄膜窗口是惰性衬底。应用简介和优点:1、 适合TEM、SEM、AFM、XPS、EDX等的对同一区域的交叉配对表征。2、 大窗口尺寸,适合TEM大角度转动观察。3、 无碳、无杂质的清洁TEM观测平台。4、 背景氮化硅无定形、无特征。5、 耐高温、惰性衬底,适应各种聚合物、纳米材料、半导体材料、光学晶体材料和功能薄膜材料的制备环境,(薄膜直接沉积在窗口上)。6、 生物和湿细胞样本的理想承载体。特别是在等离子体处理后,窗口具有很好的亲水性。。7、 耐高温、惰性衬底,也可以用于化学反应和退火效应的原位表征。8、 适合做为胶体、气凝胶、有机材料和纳米颗粒等的表征实验承载体。氮化硅薄膜应用范围非常广,甚至有时使不可能变为可能,但所有应用都有无氮要求(因样本中有氮存在):惰性基片可用于高温环境下,通过TEM、SEM或AFM(某些情况下)对反应进行动态观察。作为耐用基片,首先在TEM下,然后在SEM下对同一区域进行“匹配”。作为耐用匹配基片,对AFM和TEM图像进行比较。聚焦离子束(FIB)样本的装载,我们推荐使用多孔薄膜,而非不间断薄膜。许多研究纳米微粒,特别是含氮纳米微粒的人员发现此种薄膜窗格在他们实验中不可缺少。气凝胶和干凝胶的基本组成微粒尺寸极小,此项研究人员也同样会发现氧化硅薄膜窗格的价值。优点:&bull SEM应用中,薄膜背景不呈现任何结构和特点。&bull x-射线显微镜中,装载多个分析样的唯一方法。&bull 无氮高温应用,氮化硅薄膜在1000°C高温下仍能保持稳定的性能。使用前清洁:氮化硅薄膜窗格在使用前不需进行额外清洁。有时薄膜表面边角处会散落个别氧化物或氮化物碎片。由于单片网格需要从整个硅片中分离,并对外框进行打磨,因此这些微小碎片不可避免。尽管如此,我们相信这些碎片微粒不会对您的实验产生任何影响。如果用户确实需要对这些碎片进行清理,我们建议用H2SO4 : H2O2 (1:1)溶液清洁有机物,用H2O:HCl: H2O2 (5:3:3)溶液清洁金属。通常不能用超声波清洗器清洁薄膜,因超声波可能使其粉碎性破裂。详细情况,您可以与我们取得联系。我们为您一一解答。
    留言咨询
  • 产品名称:天然六方氮化硼单晶BN技术参数:纯度:99.5%常规尺寸:0.6-1mm订购数量:≥20片/盒
    留言咨询
  • 原位芯片是目前全球为数不多的有能力制造原位液体芯片的制造商。原位芯片目前可以提供用于透射电子显微镜的原位液体芯片TL-400,同步辐射及扫描电子显微镜的原位液体芯片:TBL500,此外,原位芯片也可根据实际实验条件及要求进行定制。 TEM原位液体芯片TL-400液体芯片可以实现高分辨原位TEM液体观测,分辨率可以达到1nm以上。液体芯片中间有40 x 40 x 0.1um的氮化硅薄膜观察窗口,芯片左右两侧各有一个液体滴加口和一个负压吸液口。 原位实验时首先在液体滴加口滴入待测液体,利用配套的负压装置,通过负压将待测液体吸入液体腔室中,再使用环氧树脂密封两个液体滴加窗口,待胶固化后即可进行原位液体观测。TL-400可应用于以下研究分析: • TEM、SEM和拉曼等设备的液体环境样品观测和分析;• 原位化学反应观测、晶体生长和腐蚀原位研究;• 观测研究液态环境中的活细菌和细胞等生物样品。 同步辐射/SEM原位液体芯片TBL-500液体芯片可以实现高分辨原位同步辐射和SEM液体(兼容扫描透射模式)观测。液体芯片中间有400 x 800 x 1um的大型耐真空氮化硅薄膜观察窗口,芯片左右两侧各有一个液体滴加口和一个负压吸液口。 原位实验时首先在液体滴加口滴入待测液体,利用配套的负压装置,通过负压将待测液体吸入液体腔室中,再使用环氧树脂密封两个液体滴加窗口,待胶固化后即可进行原位液体观测。TBL-500可用于: • 同步辐射、SEM和拉曼等设备的液体环境样品观测和分析;• 原位化学反应观测、晶体生长和腐蚀原位研究;• 观测研究液态环境中的活细菌和细胞等生物样品。
    留言咨询
  • BCT 960SN 硫氮化合物进样系统,用于工业芳烃、轻质烯烃中总硫、总氮等有机卤素工业高压样品的稀释进样。进样器采用定量环填充进样方式,标准定量环是25ml,定量环可以进行选配。能够实现工业气体样品高浓度稀释功能,稀释倍数2-2000倍,不需要存储装置(罐子),降低存储过程中的吸附,更适合易吸附的物质(硫化物,甲醛,甲酸)低浓度稀释。采用限流器结合高精度压力控制装置进行流量控制,不使用质量流量计,避免交叉污染,避免气体基质改变而造成偏差, 稀释精度高,结果更准确。样品流路全部惰性化处理,惰性涂覆技术经过严格的惰性测试,无吸附、无残留、无交叉污染,供货时提供惰性涂覆的测试报告。传输线加热温度可到200℃。适用于工业气体、采样袋、采样罐、真空采样瓶进样。
    留言咨询
  • 在以前,实验室使用电子显微镜观测样品做实验使用的耗材,这些氮化硅薄膜观测窗口基本都是从国外进口。耗材成本先不说,就购买的时间成本是非常长的。如果实验数据不是很理想,还要花时间和费用去购买耗材,非常不便捷。 为了打破这种垄断,在电镜氮化硅薄膜观测窗口的国产化上,国内科研人员也是花费了时间和精力去开发和生产。目前,原位芯片提供的显微镜氮化硅薄膜观测窗口已经可以取代进口,广泛用于高校、科研机构,也远销国外,成为实验室“好帮手”。原位芯片可以提供多种电镜氮化硅薄膜观测窗口,其中微孔氮化硅薄膜窗口主要是ME/NE系列。 ME/NE系列原位芯片生产的微孔/纳米孔氮化硅薄膜窗口均在百级洁净环境中制备,在窗口薄膜上利用MEMS工艺制备不同孔径大小的阵列,方便研究人员用于特殊样品观测。目前苏州原位芯片已推出以下标准微孔/纳米孔氮化硅薄膜窗口,如客户有其他微孔/纳米孔薄膜窗口需求,原位芯片可提供开发定制。 定制服务原位芯片拥有一支超过10年MEMS工艺经验的团队,拥有完整的设计,制造和测试能力。如您的实验需要更多定制化,高质量,高可靠性的氮化硅薄膜窗口,欢迎随时联系我们。为什么要选择原位芯片定制服务
    留言咨询
  • Nitrogenator氮化装置 400-860-5168转3578
    原理深探公司氮化器是一种模块化装置,它既可以使用一个或者多个特别设计的涡流注射器,或者也可以使用可替换的高效薄膜接触器,从而让饮品中氮气溶量准确满足需求值。这些涡流喷嘴将细小的气泡注射入液体流中。这些喷嘴确保在非常短的时间内将氮气完美而均匀地溶解到饮料之中。每个接触器包含有数以千计的微孔中空结构的抗水纤维薄膜.它们的内表面使液体和气体保持最充分的接触。当氮气在这些中空的纤维内部时,相应的饮料流在外部逆向流动。伴随着液体和氮气之间产生较高的分压差,氮气由薄膜渗透到液体内外。亨利定律描述了上述主要科学原理。高可靠性的传感器持续检测系统出口端液体中的氮气含量。基于这种精确的嵌入式检测方法,氮气流得到即时调整并完全自动化控制。加工单元采用模块化设计,容易功能扩展,例如,混合或者碳酸化处理。特点高能效应用特别设计的用于N2注射的文丘里喷嘴膜接触器可控制N2的增加或者减少根据要求可定制混合或者碳酸化装置模块化PLC设计易安装易启动卫生级执行标准和满CIP能力出色的性价比技术参数能力10-1.500hl/hN2含量0-100ppm工作压力1-10bar(文丘里喷射器)0-6bar(中空纤维膜)工作温度2-20°CCIP清洗温度可达
    留言咨询
  • 宜兴精刚陶瓷科技有限公司 是一家专业制造特种陶瓷的厂家。主体业务分为两大块,(电热耐火材料产品及工业特种陶瓷产品) 氮化硅结合的碳化硅是一种新型的耐火材料。用途广泛,使用温度1400℃,有较好的热稳定性,热震性能好于普通耐火材料和重结晶SiC,耐酸碱,耐磨,并具有较高的抗折强度。在铝(Al)、铅(Pb)、锌(Zn)、铜(Cu)等熔融金属中耐侵蚀、耐冲刷、不污染、导热快等特点。 1、热电偶保护管:直径Ф12-80mm,长度1600 mm,用于高温窑炉及各种气氛中使用,也可直接用于熔融液体中。 2、升液管、加热套、保护管:用于铝液及玻璃液中,它有较好的导热系数,耐腐 蚀,耐压力,寿命长等特点。 3、滚道管:用于地面砖窑炉上,直径Ф30-80mm,长度1600 mm以内,耐高温,不变形,强度高。 4、窑具:氮化硅结合的碳化硅制作的梁材,用于隧道窑、梭式窑、倒焰窑,具有良好的承载能力,为增加窑炉产量充分利用窑炉空间,是比较理想的窑具,同时可选用立柱作支撑架,使用温度可达1400℃。 5、匣钵:匣钵用来烧制耐火材料,稀有金属,粉末冶金,电子元件及各种松散料。制造的匣钵可做成筒状,长方形等。 6、各种耐火件:具有耐冲恻、耐高温、耐磨、耐急变性能好等特点,适合换热器、冷风管、烧嘴、坩锅等。
    留言咨询
  • 英国Ellutia 800系列氮化学发光检测器(NCD)自进入市场以来,由于其极高的灵敏度和对含氮化合物的高选择性,已成为亚硝胺类化合物检测的行业标准,主要应用于烟草和食品行业特定物质检测。热能分析仪设计小巧,操作便捷,维护简单,是专一性极强的气相色谱检测器。运行原理由带有先进电子流量控制系统的高性能毛细管气相色谱仪和高温裂解装置串联使用,催化裂解释放出亚硝酰基(NO),经特异性亚硝基专属检测器进行检测。产品特点高灵敏度N响应级别可达pg级:2pg线性好:104信噪比高:3∶1 强选择性实现含氮化合物的特异性响应:N/C107,用于复杂化合物分析或痕量物质检测 多操作模式可选硝基/亚硝基模式或含氮化合物模式 典型应用烟草烟雾中特有亚硝胺化合物测定食品、酒类在生产和仓储中的质量控制食品接触类橡胶制品中亚硝胺类检测空气、水体等环境分析弹药痕迹、爆炸物碎片等刑侦检测医学研究,分析血液中的痕量物质
    留言咨询
  • 氮化硅浆料是一种由氮化硅粉末和有机胶粘剂混合而成的浆料。氮化硅是一种耐高温、耐腐蚀和高机械强度的陶瓷材料,具有优异的绝缘性能和导热性能,在电子、光电、航空航天等领域有广泛应用。氮化硅浆料常用于制备氮化硅陶瓷部件,如氮化硅保护管、氮化硅密封件、氮化硅电子封装等。浆料的特点是可塑性好,可通过注浆、喷涂等工艺形成复杂形状的氮化硅零件,并在高温下烧结成致密的氮化硅陶瓷材料。氮化硅浆料亲和性分析仪产品简介:氮化硅浆料亲和性分析仪,配有专业的测试软件,方便快捷,人性化的软件操作确保高效的测试效率。 氮化硅浆料亲和性分析仪在外观设计、硬件配置、软件操作方面融合了先进的技术并不断升级,确保了卓越的产品性能与友好的客户体验的完美结合。 氮化硅浆料亲和性分析仪产品功能:1. 悬浮液体系颗粒湿式比表面积2. 粒子分散性、稳定性评估3. 颗粒与介质之间亲和性评价4. 粉体质量控制、分散工艺、研磨工艺研究5. 表面活性剂含量分析6. 顺磁铁磁性杂质识别7. 颗粒改性增强效果评价氮化硅浆料亲和性分析仪应用领域:1)制陶术:湿式制程、加工工艺改善, 分散性的质控和研发2)纳米科技:纳米粒子表面的化学状态, 如: 吸附和脱附作用, 比表面积的变化 等3)电子材料:浓稠状浆料和研磨液 (CMP) 的开发及品管4)墨水:碳黑、颜料分散, 最适研磨条件, 表面亲和性及化学和物理状态5)能源:电池, 太阳能板等的碳黑, 纳米碳管和浆料的分散, 粒子表面的化学和物理状态6)制药:API湿润性、亲和性及吸水性的差异7)其他: 全部的浓稠分散悬浊液体, 纳米纤维, 纳米碳等氮化硅浆料亲和性分析仪性能优势:1. 制样简单,无有毒溶剂 2. 快速 3. 非光学方法,可测不透光样品 4. 具有统计意义的结果 5. 样品可重复测量 6. 由未经培训的人员进行测量 7. 可现场测试 氮化硅浆料亲和性分析仪应用案例:斜率越大亲和性越强
    留言咨询
  • 我司具有软件、自动化和机械等整套研发人员,可依据客户需求,完成定制化设备的研发生产。客户在我司定制的第三代半导体材料氮化镓、碳化硅可用的新型快速退火炉,已在上海为客户装机调试完毕,如有需求,欢迎广大客户来电咨询定制氮化镓氮化硅快速退火炉的报价、型号、参数等。设备规格:6英寸快速退火炉;适应于2英寸-6英寸晶圆或者支持150mmx150mm样品;退火温度范围300℃-1400℃;升温速率≦150℃/sec(裸片);温度均匀性≦±1%;常压腔体(可选配真空腔体);冷却方式包括水冷和氮气吹扫;MFC控制,1-4路制程气体。应用领域:快速热处理(RTP),快速退火(RTA),快速热氧化(RTO),快速热氮化(RTN);离子注入/接触退火;金属合金;热氧化处理;化合物合金(砷化镓、氮化物等);多晶硅退火;太阳能电池片退火;高温退火;高温扩散。
    留言咨询
  • 用于制备多晶硅太阳电池的氮化硅涂层沉积设备 MVSSilicon Nitride Coating Systems for Multi-crystalline Silicon Solar CellsThroughput: 475 wafers/hrSiNx uniformity: ?5%产率:475硅片/小时。氮化硅膜不均匀性: 5%。
    留言咨询
  • 用于制备多晶硅太阳电池的氮化硅涂层沉积设备 MVSSilicon Nitride Coating Systems for Multi-crystalline Silicon Solar CellsThroughput: 475 wafers/hrSiNx uniformity: ?5%产率:475硅片/小时。氮化硅膜不均匀性: 5%。
    留言咨询
  • 立方氮化硼磨料抗压强度测试仪、单颗粒晶体抗压强度测定仪、烟种包衣抗压强度测试仪单粒抗压强度测试仪也叫颗粒抗压强度测试仪、单颗粒晶体抗压强度测定仪,适用于金刚石、超硬材料、磨料单颗粒、立方氮化硼磨料、钻石、塑料颗粒、橡胶、种子、猫砂,球团等颗粒的抗压强度测试。也可用于烟种包衣抗压强度测试,各种颗粒抗压强度测试、抗破碎力测试。一、单粒抗压强度测试仪技术特点:1、触摸屏显示器实时显示力值,位移变形,自动保存当次试验最大值;显示界面可实时显示试验曲线;试验实时速度、变形等参数。2、采用高精度、全数字调速系统及精密减速机,驱动精密丝杠副进行试验,实现试验速度的大范围调节,运行平稳。3、 采用高精度传感器,专业测控软件,测试精度高,可测试范围广,操作简单。 4、试验速度、返程速度、均可单独设置;试验结束,自动回位初始位置。5、标配微型打印机,可随时打印结果,可以统计多次试验结果,最大值,最小值,平均值。6、试验过程分段速度控制:压头接触试样前、接触试样后速度独立控制,保证实验结果精确,试验效率高。二、单粒抗压强度测试仪技术参数:1.量程范围:500N (单臂100 N 200N 1000N 2000N 5000牛)2.分辨率:0.01N3.准确度±0.1N 4.测试方式:破裂测试5. 速度:1-500mm/min 可任意设定6. 误差:±0.1 mm/S7. 主 机 尺 寸: 540*280*1250mm8. 电源:AC 220V±22V, 50Hz 9、重 量: 约55Kg立方氮化硼磨料抗压强度测试仪、单颗粒晶体抗压强度测定仪、烟种包衣抗压强度测试仪
    留言咨询
  • 氮化物陶瓷涂层垂直电阻率测试仪、膜燃料电池炭纸电池炭纸、双极板垂直电阻率测试仪垂直方向电阻率测试仪主要用于膜燃料电池炭纸电池炭纸、双极板或其他材料的垂直电阻测量,以碳纤维作为原料生产的多孔性碳纸,,简称碳纸,具有透气性与导电性。炭纸垂直方向电阻率测试仪依据标准:GB/T20042.7质子交换膜燃料电池第7部分:炭纸特性测试方法GB/T20042.6质子交换膜燃料电池第6部分:双极板特性测试方法炭纸垂直方向电阻率测试仪试验原理:样品放置在两块电极之间,在电极两侧施加一定的压强,测试过程中仪器通过自动记录不同压强下的电阻值。垂直方向电阻率测试仪技术特点:1、触摸屏显示器实时显示试验值,自动完成测试。2、采用数字调速及精密减速机,驱动精密丝杠副进,实现速度的大范围调节,运行平稳。3、 采用高精度传感器,专业测控软件,测试精度高,可测试范围广,操作简单。4、标配微型打印机,可随时打印结果,可以统计多次试验结果,最大值,最小值,平均值。垂直方向电阻率测试仪技术参数:测量范围 :(30~2000)N (0.05~5.0MPa) ;1μΩ-20kΩ分辨力 :0.1N准确度 :±0.5%电阻分辨率:1μΩ 、0.001mΩ试验速度: (1-300) mm/min样品面积:4cm 2上、下压板平行度: 0.025mm上、下压板直径 :80 mm外形尺寸 :430×350×710mm质量: 45kg电源 :220V, 50Hz氮化物陶瓷涂层垂直电阻率测试仪、膜燃料电池炭纸电池炭纸、双极板垂直电阻率测试仪
    留言咨询
  • 智能蒸馏仪采用目前全新的远红外加热方法,具有热效率高、寿命长、起温和降温速度快、加热时间和加热功率可调等优点。仪器可外接循环水冷却装置。整个系统简洁、安装维护方便、使用方便,节能环保。广泛适用于环境监测、环保、疾控、水产、供排水、高校、科研院所、厂矿企业等各类化学实验室需要蒸馏处理的场所,如样品中的挥发酚、氰化、氨氮、凯氏氮等项目的蒸馏实验。 适用标准GB/T 5750.5-2006 生活饮用水标准检验方法 无机非金属指标 氰化物/挥发酚 GB 8538-2016食品安全国家标准 饮用天然矿泉水检验方法 HJ 1191-2021 水质 叠氮化物的测定分光光度法 HJ 537-2009 水质 氨氮的测定 蒸馏-中和滴定法 HJ 535-2009 水质氨氮的测定 纳氏试剂分光光度法HJ 536-2009 水质氨氮的测定 水杨酸分光光度法HJ 484-2009 水质 氰化物的测定 容量法和分光光度法 HJ 503-2009 水质 挥发酚的测定 4-氨基安替比林分光光度法 HJ 745-2015 土壤 氰化物和总氰化物的测定 分光光度法 HJ 833-2017 土壤和沉积物 硫化物的测定 亚甲基蓝分光光度法 HJ 717-2014 土壤质量 全氮的测定 凯氏法主要特征1、仪器机身采用框架一体式设计,稳固牢靠,主体采用1毫米厚度的品牌冷轧板配合静电粉末涂装,更加耐磨、耐腐蚀;2、从空开到触点,继电保护器到按钮开关等,选用正泰/德力西或同级别品牌电气,保证仪器品质和的使用寿命;3、控制模块采用PLC控制,性能强劲稳定;5寸液晶触摸屏反应灵敏,设置方便;4、加热单元采用远红外陶瓷加热碗加热,贴合度高,效率更高,更节能,同时具备防水防干烧功能;5、一次可同时对1-6个样品进行蒸馏,大大提高了工作效率,每个加热单元都可独立控制加热功率0-500w可调,可以预设加热时间;6、系统内部自带微沸模式,设定时间到点自动切换微沸模式;7、自带两路样品测温,能高精度实时监控烧瓶内样品的实时温度(可升级六路)8、特殊定制异形蒸馏冷凝管,冷凝效果好,标配专属冷水机;可以一键自动回流,冷凝水自动排空,防止长期不使用滋生细菌;9、自带冷凝管路清洗功能,实验结束后,可以针对馏出液管路进行一键反向冲洗;10、系统内自带说明书和服务中心二维码,手机扫码自动查看电子说明书和一键连接服务中心; ☆11、可升级6路氮气吹扫,能用于发泡样品蒸馏,也可实现针对食品中二氧化硫残留的蒸馏实验;☆12、可升级6路夹管阀实现每一路的防止过量蒸馏保护。
    留言咨询
  • 图一:小型船用海水淡化设备图二:中小型海水淡化设备图三:大型海水淡化设备主机工艺:采用反渗透法脱盐率:大于98%出水水质:达到中国生活饮用水GB5749-2010标准
    留言咨询
  • 上海那艾实验仪器设备[那艾仪器厂家]网站 全国送货厂家一手货! 品质保证!实验仪器非电子产品,使用效率和售后服务很重要。我们同品质比价格,同价格比效率,同效率比售后。设备仪器属于精密设备 客户订单录档案 免费1年质量保质,任何问题提供配件保养维护上海那艾仪器专注以实验仪器设计、研发,生产,销售为核心的仪器企业,目前销售生产有一体化蒸馏仪,中药二氧化硫蒸馏仪,COD消解仪,高氯COD消解仪,硫化物酸化吹气仪,全自动液液萃取仪,挥发油测定仪等等。智能一体化蒸馏仪(立面款)(NAI-ZLY-6L)是根据实验室蒸馏预处理操作规程,集恒温加热、蒸馏终点自动控制、冷却水循环于一体的新型智能蒸馏处理装置。该仪器实验了精密控温、自动防倒吸、加热均匀、防暴沸、智能终点控制等功能。使用方便,节能环保。广泛适用于环境监测、环保、疾控、水产、供排水、高校、科研院所、厂矿企业等各类化学实验室需要蒸馏处理的场所。 适用标准GB/T 5750.5-2006 生活饮用水标准检验方法 无机非金属指标 氰化物/挥发酚GB 8538-2016 食品安全国家标准 饮用天然矿泉水检验方法HJ 1191-2021 水质 叠氮化物的测定分光光度法HJ 537-2009 水质 氨氮的测定 蒸馏-中和滴定法HJ 484-2009 水质 氰化物的测定 容量法和分光光度法HJ 503-2009 水质 挥发酚的测定 4-氨基安替比林分光光度法HJ 745-2015 土壤 氰化物和总氰化物的测定 分光光度法HJ 833-2017 土壤和沉积物 硫化物的测定 亚甲基蓝分光光度法HJ 717-2014 土壤质量 全氮的测定 凯氏法主要特征1、仪器机身采用框架一体式设计,稳固牢靠,主体采用1毫米厚度的品牌冷轧板配合静电粉末涂装,更加耐磨、耐腐蚀;2、从空开到触点,继电保护器到按钮开关等,选用正泰/德力西或同级别品牌电气,保证仪器品质和的使用寿命;3、PLC控制系统,性能强劲稳定;7寸液晶触摸屏反应灵敏,设置方便;4、采用碗状远红外陶瓷加热,红外线辐射加热(无明火、防水,耐干烧),导热效果佳;5、采用压力称重传感器控制蒸馏终点,可任意设置蒸馏体积重量(误差±1克),到量自动停止加热;6、带有防过量截止阀,实现自动精确定量,定量范围:1-500g(ml),整个实验过程无需人员看守,自动化程度高;7、冷却系统:外接专用冷水机,采用封闭式内循环回流系统,适合大批量样品连续工作,节能降耗;☆8、设有防真空电磁阀,自动识别瓶内压力,通过和夹管阀的配置,具有蒸出液防倒吸功能。9、接收装置不受限制,默认配置为容量瓶接收可根据实验要求更换其他器皿接收,托盘可灵活配置。☆10、自带冷凝管路清洗功能,实验结束后,可以针对馏出液管路进行冲洗;11、实验结束后可选择冷凝水自动排空功能,防止长期不使用滋生细菌;12、系统内自带说明书和服务中心二维码,手机扫码自动查看电子说明书和一键连接服务中心;13、可选配水蒸气发生器,针对蒸馏过程中需要导入水蒸气的蒸馏实验,即可升级成智能水蒸气蒸馏仪(NAI-ZLY-6F)使用。产品参数产品型号NAI-ZLY-6L 控制方式PLC;7寸触控屏加热方式远红外陶瓷加热,6路独立可控,有微沸设置加热功率0~500W功率可调升温时间5~8min(沸腾时间)蒸馏速度12ml/min蒸馏终点控制自动侦测蒸馏终点功能,自动停止加热蒸馏体积控制±2ml之内,自动化程度高冷却方式外接专用冷水机,环保节能防倒吸有夹管阀和泄压配合,具有防倒吸功能时间控制0~200min可调蒸馏瓶规格500mlx6个清洗方式有在线清洗功能冷凝水排空有冷凝水排空功能处理样品数1-6个功率3800W额定电压220V/50HZ尺寸大小930×490×442mm(不含支架)样品架配套6位500ml蒸馏瓶样品架
    留言咨询
  • 硅锗(Si-Ge)晶体基片 400-860-5168转2205
    产品名称:硅锗(Si-Ge)晶体基片产品简介:Al2O3(Sapphire,又称白宝石,蓝宝石)有着很好的热特性,极好的电气特性和介电特性,并且防化学腐蚀,它耐高温,导热好,硬度高,透红外,化学稳定性好。广泛用于耐高温红外窗口材料和III-V族氮化物及多种外延薄膜基片材料,为满足日益增长的蓝、紫、白光发光二极管(LED)和蓝光激光器(LD)的需要,科晶公司专业生产高质量的蓝宝石晶体和外延抛光基片,将为您提供大量高质量低价格的单晶和基片。技术参数:单晶: Si-Ge ( wt 2%)导电类型: P type电阻: 7-8 ohm-cm抛光情况:单面抛光 产品规格:常规晶向:100;常规尺寸:dia4″x0.5mm;注:可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装:1000级超净室100级超净袋相关产品:A-Z系列晶体列表等离子清洗机基片包装盒系列切割机旋转涂层机
    留言咨询
  • 氮化物校准器 400-860-5168转2627
    型号408一氧化氮校准源是一个便携式的,使人们得以实现任何一氧化氮检测仪的校准。该仪器收集从周围空气中一氧化氮并产生具有一氧化氮的混合比的取值范围为10-1,000ppb的零空气或空气。从易于使用的菜单旋转开关选择所需的一氧化氮浓度。总输出流量为3.0升/分钟的体积,和一氧化氮的混合比被控制成独立的环境温度、压力和湿度。您可以将一氧化氮校准源直接输出到任何一氧化氮监测仪的入口,通过一个一氧化氮收集器将排出多余的流量给校准源内部。除了便携性,该校准源的一个重要优点是它提供了含有相同水平的湿度的空气样本被测定已知浓度的环境空气中的一氧化氮。一氧化氮校准源工厂校准针对NIST-可追溯的标准。然而,校准参数可能会改变的情况下,用户在菜单中对维护一个单独的标准,即要重新校准无需校准源,无需校准源可作为传递标准。一氧化氮的校准源,可以使用,例如用于保持大量的一氧化氮监测仪的字段相对于一个高度稳定的实验室标准的校准。在这种情况下,一氧化氮的校准源一个巨大的优点是它的便携性。产品规格:一氧化氮产生方法:185nm光解的二氧化氮输出浓度:0或10-1000 PPB一氧化氮输出的精度和准确度:大于3 ppbv或读数的3%工作温度范围:0至40° C总输出流量:3升/分钟升华时间:30秒选定的浓度达到95%工作温度范围:大于3 ppb或读数的3%诊断数据输出:RS232电源要求12 V DC或120/240 V AC,21W大小: 9.4 X21.6 X24.1厘米重量: 2.4KG
    留言咨询
  • 1. 产品概述Polaris系列 12英寸通用物理气相沉积系统,磁控溅射源和腔室结构的设计有效提高靶材利用率。2. 设备用途/原理Polaris系列 12英寸通用物理气相沉积系统,磁控溅射源和腔室结构的设计有效提高靶材利用率,灵活的腔室配置,针对先进封装域优化、稳定的传输系统,兼容玻璃片、翘曲片、键合片等多种类型基片传输,稳定并且低的Rc表现,良好的颗粒和应力控制能力,优化的工艺流程带来大产能表现,低运营成本。3. 设备特点晶圆尺寸 12英寸,适用材料 铜、钛、氮化钛、钽、氮化钽、钨化钛、金、铝等,适用工艺 电、先进封装中的UBM/RDL,适用域 新兴应用、先进封装。
    留言咨询
Instrument.com.cn Copyright©1999- 2023 ,All Rights Reserved版权所有,未经书面授权,页面内容不得以任何形式进行复制