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订货信息：Solvent Trap, Purge Gas,Thermal, and Lower Plate Covers for Peltier Plate529613.901Hard Anodized Split Solvent Trap Cover and Location Ring531038.901Advanced Peltier Plate Purge Gas Cover531070.901Hard Anodized Aluminum Solvent Trap for Advanced Peltier Plate529612.901Peltier Plate Purge Gas Cover and Location Ring517105.901Insulated Solvent Trap Cover and Location Ring (for standard Peltier Plate - NOT for use with Stepped Peltier)531035.901Insulated Solvent Trap for Advanced Peltier Plate (includes Solvent Trap Cover and Location Ring)529750.90125 mm Plate Insulating Thermal Cover for Peltier Plate545941.901AR-G2 Peltier Plate Draft Shield533240.901DHR Peltier Plate Draft Shield570059.901 Hard Anodized Aluminum Cover Plate (with Ring Adapter), Cross Hatched, 40 mm570011.901Hard Anodized Aluminum Cover Plate (with Ring Adapter), Cross Hatched, 60 mm517040.901Stainless Steel Cover Plate, Cross Hatched, 40 mm517060.901Stainless Steel Cover Plate, Cross Hatched, 60 mm545430.901Stainless Steel Peltier Plate Cover545431.901Stainless Steel Peltier Plate Cover, Raised Center, 20 mm545433.901Stainless Steel Peltier Plate Cover, Raised Center, 60 mm545435.901Titanium Peltier Plate Cover, Raised Center, 40 mm

Magnetic semiconductor FePS3 has a monoclinic structure with the factor group C2h. The crystal has been synthesized through chemical vapor transport (CVT) or flux transport technique (similar to CVT except chemical transport agent is not utilized to attain high crystallinity and purity) with confirmed 99.999% purity and high crystallinity. Each crystal measures ~1cm in size, perfect 0001 direction oriented. To date, FePS3 has been reported to have 1-1.5 eV optical band gap, its material properties in the monolayer limit remain large unexplored.Physical size: ~1 cmBand gap ranges 1.0 - 1.5 eVMaterial characteristicsMagnetic ordering 2D anisotropic semiconductorHigh mobility semiconductor

订货信息：Stainless Steel Peltier Plate Geometries with Solvent TrapNote: Upper Plates for use with Lower Peltier Plate.511200.901Stainless Steel, 20 mm Plate511400.901Stainless Steel, 40 mm Plate511500.901Stainless Steel, 50 mm Plate511600.901Stainless Steel, 60 mm Plate517200.901Stainless Steel, Cross Hatched, 20 mm Plate517400.901Stainless Steel, Cross Hatched, 40 mm Plate519400.901Stainless Steel, Sandblasted, 40 mm Plate519600.901Stainless Steel, Sandblasted, 60 mm PlateNote: Following Smart Swap geometries for use with DHR & AR-G2 only.511200.905DHR & AR-G2, Stainless Steel, 20 mm Plate511400.905DHR & AR-G2, Stainless Steel, 40 mm Plate511500.905DHR & AR-G2, Stainless Steel, 50 mm Plate511600.905DHR & AR-G2, Stainless Steel, 60 mm Plate517200.905DHR & AR-G2, Stainless Steel, Cross Hatched, 20 mm Plate517400.905DHR & AR-G2, Stainless Steel, Cross Hatched, 40 mm Plate517600.905DHR & AR-G2, Stainless Steel, Cross Hatched, 60 mm Plate519200.905DHR & AR-G2, Stainless Steel, Sandblasted, 20 mm Plate519400.905DHR & AR-G2, Stainless Steel, Sandblasted, 40 mm Plate519600.905DHR & AR-G2, Stainless Steel, Sandblasted, 60 mm Plate

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显微镜载物台温控器配件是专业控制显微镜位移台载物台温度的产品，它可以让用户精密控制温度加热或制冷任何样品，是控制样品在显微镜台温度的理想控温仪器。用户可以得到可靠的温度控制器和12伏的高电流电源，这些是根据我们公司的孵化器生成的，可以连接到固态珀尔帖效应热电热泵。每个热泵都安装了迷你散热器和风扇，可以处理设备热量，或收集环境中热量注入设备，根据您的需求进行操作。 热泵可以直接连接到显微镜台，金属板，或一个小容器，控制溶液温度。例如，也可以定制板用于控制特定大小的培养皿或细胞培养瓶的温度。如果您需要直接安装我们公司的加热套件到您现有的显微镜，我们可以提供这项服务。

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订货信息：Stainless Steel Peltier Plate Geometries with No Solvent Trap (NST)Note: Upper Plates for use with Lower Peltier Plate.511080.902Stainless Steel, 8 mm Plate, NST511200.902Stainless Steel, 20 mm Plate, NST511250.902Stainless Steel, 25 mm Plate, NST517080.902Stainless Steel, Cross Hatched, 8 mm Plate, NST517200.902Stainless Steel, Cross Hatched, 20 mm Plate, NSTNote: Following Smart Swap geometries for use with DHR & AR-G2 only.511080.906DHR & AR-G2, Stainless Steel, 8 mm Plate, NST511120.906DHR & AR-G2, Stainless Steel, 12 mm Plate, NST511200.906DHR & AR-G2, Stainless Steel, 20 mm Plate, NST511250.906DHR & AR-G2, Stainless Steel, 25 mm Plate, NST517080.906DHR & AR-G2, Stainless Steel, Cross Hatched, 8 mm Plate, NST517200.906DHR & AR-G2, Stainless Steel, Cross Hatched, 20 mm Plate, NST519080.906DHR & AR-G2, Stainless Steel, Sandblasted, 8 mm Plate, NST519250.906DHR & AR-G2, Stainless Steel, Sandblasted, 25 mm Plate, NST519200.906DHR & AR-G2, Stainless Steel, Sandblasted, 20 mm Plate, NST

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铁坩埚Lron crucible用途：铁坩埚适合于科研单位的化验室矿冶分解，钢铁及其它有色金属化验等用。1、铁的熔点1300度。2、铁坩埚在使用前应先进行钝化处理。即先用稀HC洗，后用细砂纸将坩埚擦净，再用热水洗净，然后放人5%硫酸和1%硝酸的混合液中，浸泡数分钟，再用水洗净，烘干后在300一400度的马弗炉中灼烧10分钟。3、铁坩埚的使用规则与镍坩埚相同。由于铁坩埚价廉，当铁存在不影响分析工作时，采用铁坩埚较合适。4、清洗铁坩埚用冷的稀HCl即可。

Fe铁Hg汞K钾Li锂Mg镁北京龙天韬略原子吸收空心阴极灯性价比高 长寿耐用，简称HCL（Hollow Cathode Lamp）,是原子吸收光谱仪（AAS）中的关键部件之一。作为分析光源主要用来提供被测元素的锐线光谱，能发射待测元素的特征谱线，在较低工作电流条件下，能辐射强度较大的特征谱线，谱线宽度窄，自吸效应小，灯的辐射立体角小，在使用效果上近似于一个点光源，使灯辐射的特征谱线能量几乎全部从原子化器内通过，并进入单色器分光系统。本公司采用的阴极制作技术和真空处理工艺.Fe铁Hg汞K钾Li锂Mg镁北京龙天韬略原子吸收空心阴极灯性价比高 长寿耐用 产品具有特定元素的特征辐射谱线强度高而稳定,背景低,光谱纯净度高，噪音低，灵敏度高,稳定性好,牢固可靠，寿命长等特点，拥有一个独特的阴极杯系统使得灯管更快地达到平衡，同时更多地扩充了其内部气体容量，使其每一支空心阴极灯管都能达到zui低5000 mA.h （毫安小时）的使用寿命，即使是砷和汞的元素灯。本公司通过采用可视化和光电化检测工艺以确保每一个空心阴极灯的高质量，每个灯都经过了严格的噪音、漂移、波长精度和能量的质量检测。本公司LTL系列空心阴极灯包括LTL-2、LTL-4、LTL-PE4、LTL-PE9、LTL-MF2、LTL-MF4、LTL-HP2、LTL-HP4、LTL-AF、LTL-AF-C等型号，产品覆盖国内外各型号原子吸收光谱仪器、原子荧光仪器用分析光源，无论您在寻找单元素还是多元素灯、无编码还是带编码灯、38mm （1.5"）还是50mm （2"）灯，我们都能够提供您与仪器原厂商来源的灯具有相同性能或比其高性能的元素灯，型号、规格与原厂完全匹配。Si硅Sn锡Zn锌Tl铊W钨Se硒龙天韬略LTL-2/4原子吸收空心阴极灯

简介：二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料，巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外，还联合美国2D Semiconductors为全球客户提供高质量的二维晶体材料、粉体、溶液、薄膜等材料，并提供定制服务，以满足客户的不同需求。钾/镁/铁云母K/Mg/Fe Mica

磷化镓晶体GaP晶体太赫兹晶体产品简介 磷化镓是一种人工合成的化合物半导体材料。外观：橙红色透明晶体。磷化镓是一种由n从族元素镓(Ga)与vA族元素磷(P)人工合成的m- V族化合物半导体材料。磷化镓的晶体结构为闪锌矿型，晶格常数5.447±0.06埃，化学键是以共价键为主的混合键，其离子键成分约为20%，300K时能隙为2.26eV，属间接跃迁型半导体。磷化镓与其他大带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如GaAS、 InP)相同，可通过引入深中心使费米能级接近带隙中部，如掺入铬、铁、氧等杂质元素可成为半绝缘材料。目前尚未得到非掺杂半绝缘材料。 （110）晶向的GaP晶体常常被用在太赫兹时域光谱仪中作为探测晶体，其横光学支声子线在11THz。通常可探测的频谱宽度在0.1-6.5THz。 中文名：磷化镓外文名：Gallium phosphide分子式：GaP分子量：100.6968实验结果图为40fs钛蓝宝石激光泵浦宽谱光电导天线，400um厚GaP晶体探测的结果GaP磷化镓晶体产品GaP 磷化镓晶体基本规格(a) Description 1 GaP (110), 10x10x4 mm, 2 sides polished. 2 GaP (110), 10x10x2 mm, 2 sides polished.. 3GaP (110), 10x10x0.5 mm, 2 sides polished.. 4GaP (110), 10x10x0.4 mm, 2 sides polished.. 5 GaP (110), 10x10x0.2 mm, 2 sides polished.. 6GaP (110), 10x10x0.1 mm, 2 sides polished..(a)其他规格要求可以定制

单元素编码灯. 高性能——由纯度最高的阴极材料制成. 使用更简便——元素编码自动识别灯位置的功能可防止错误发生. 操作稳定——延长加工周期确保最短预热时间和光源良好的稳定性元素部件号元素部件号铝-Al 5610100100 钕-Nd 5610103600锑-Sb 5610100200 镍-Ni 5610103700砷-AS 5610100300 铌-Nb 5610103800钡-Ba 5610100400 锇-Os 5610103900铍-Be 5610100500 钯-Pd 5610104000铋-Bi 5610100600 磷-P 5610107700硼-B 5610100700 铂-Pt 5610104100镉-Cd 5610100800 钾-K 5610104200钙-Ca 5610101000 镨-Pr 5610104300铈-Ce 5610101100 铼-Re 5610104400铯-Cs 5610100900 铑-Rh 5610104500铬-Cr 5610101200 铷-Rb 5610104600钴-Co 5610101300 钌-Ru 5610104700铜-Cu 5610101400 钐-Sm 5610104800镝-Dy 5610101500 钪-Sc 5610104900铒-Er 5610101600 硒-Se 5610105000铕-Eu 5610101700 硅-Si 5610105100钆-Gd 5610101800 银-Ag 5610105200镓-Ga 5610101900 钠-Na 5610105300锗-Ge 5610102000 锶-Sr 5610105400金-Au 5610102100 钽-Ta 5610105500铪-Hf 5610102200 碲-Te 5610105600钬-Ho 5610102300 铽-Tb 5610105700铟-In 5610102500 铊-Tl 5610105800铱-Ir 5610102600 铥-Tm 5610106000铁-Fe 5610102700 锡-Sn 5610106100镧-La 5610102800 钛-Ti 5610106200铅-Pb 5610102900 钨-W 5610106300锂-Li 5610103000 钒-V 5610106500镥-Lu 5610103100 镱-Yb 5610106600镁-Mg 5610103200 钇-Y 5610106700锰-Mn 5610103300 锌-Zn 5610106800汞-Hg 5610103400 锆-Zr 5610106900钼-Mo 5610103500

产品概述：三星贴片电容，标准与高容量系列三星贴片电容尺寸范围：0402, 0201, 0603, 0805, 1206, 1210, 1608, 1812, 2220三星贴片电容材料种类：X5R, X7R, X6S, COG三星贴片电容工作电压：6.3V至100V三星贴片电容容量区间：0.2pF到220uF三星贴片电容温度耐受：-55°C至+125°C三星贴片电容详细说明：规格尺寸包括：0402（1005）、0603（1608）、0805（2012）、1206（3216）、1210（3225）、1812（4532）、2220（5750）电压等级：4V、6.3V、10V、16V、25V、35V、50V介质特性：C0G、X5R、X7R、Y5V、X6S、X7S、X7T精度公差：B=±0.1pF, C=±0.25pF, D=±0.5pF, F=±1pF或±1%, G=±2%, J=±5%, K=±10%, M=±20%, Z=+80%-20%产品特性：多样化尺寸，0402至2220高容差稳定性和PCB上的高效自动装配提供广泛的电容量选项温度补偿与电压适用性广，从C0G到Y5V，电压范围6.3V至50V性能可靠耐用采用高强度端接金属，适应表面贴装技术（SMT）应用场景：高端手持设备、数码相机、摄像机、液晶电视、存储模块、个人数字助理(PDA)、游戏控制台调谐器（适用于产品代码C）。对于军事、医疗、航空航天及汽车领域的特殊应用，请遵循特定规范。购买提示：由于电子产品种类繁多，型号无法一一展示。若未找到所需型号，请联系我们的业务员。产品图片仅供参考，具体以实际收到的物品为准。深圳谷京科技有限公司随时准备为您提供优质的电子元器件解决方案。您可以通过Q：25008630 或TEL：136-130-77949 与我们取得联系。我们期待您的垂询！

重金属污染物铁 (III) 离子印迹固相萃取柱本产品适用于食品等样品中铁 (III) 离子的检测。如制糖过程中铁 (III) 离子的检测，不需要消解， 直接稀释后经印迹柱吸附分离，简化了前处理过程，避免了消解带来的铁离子损失。