锑化镓

产品简介 GaSe硒化镓晶体是一种暗棕色闪光的片状晶体。相对密度5.03，熔点(960±10)℃。GaSe和GaS一样是层状结构半导体，随着温度的降低，GaSe光电效应最大值向短波方向移动。硒化镓作为一种非线性晶体和光电导体，通常被应用于这些方面：于CO2激光器的二次谐波的产生，CO2激光器频率上转换至近红外或可见光，中红外波段的光学混频，以及5.5um-18.0um中红外波段的的不同频率的产生。同时GaSe晶体也可以被用来产生太赫兹辐射。 GaSe（硒化镓晶体）的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe硒化钾晶体是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe硒化钾晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe硒化钾晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。注：GaSe硒化钾晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。GaSe 硒化钾晶体参数Structure62m a = 3.74 c = 15.89Density5.03 g/cm3Mohs hardness2Eg, eV2.02Refractive indices at 5.3 μmno = 2.8340 ne = 2.4599Refractive indices at 10.6 μmno = 2.8136 ne = 2.4389Refractive index at 0.633 μmno= 2.9365 GaSe 硒化钾晶体透射谱GaSe硒化钾晶体产品Diameter/Width5-30 mm (can be elliptical)Thickness/Length0.1-40 mmOrientationX, Y, ZSurface qualityCleaved更多晶体相关产品 碲化锌晶体 ZnTe晶体 铌酸锂晶体 LiNbO3晶体 硒化锌晶体 ZnSe晶体 硒化镓晶体 GaSe晶体 硫化锌晶体 ZnS晶体 磷化镓晶体 GaP晶体 有机晶体 DAST晶体 有机晶体 DSTMS晶体 有机晶体 OH1晶体

简介：二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料，巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外，还联合美国2D Semiconductors为全球客户提供高质量的二维晶体材料、粉体、溶液、薄膜等材料，并提供定制服务，以满足客户的不同需求。硒化镓GaSe

简介：二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料，巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外，还联合美国2D Semiconductors为全球客户提供高质量的二维晶体材料、粉体、溶液、薄膜等材料，并提供定制服务，以满足客户的不同需求。硫化镓Gallium Sulfide (GaS)

简介：二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料，巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外，还联合美国2D Semiconductors为全球客户提供高质量的二维晶体材料、粉体、溶液、薄膜等材料，并提供定制服务，以满足客户的不同需求。碲化镓Gallium Telluride (GaTe)

硫化镓晶体 GaS(Gallium Sulfide)晶体尺寸：~10毫米电学性能：半导体晶体结构：六边形晶胞参数：a = 0.360, b = 0.640 nm, c = 1.544 nm, α = β = 90°, γ = 120°晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995% X-ray diffraction on a GaS single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 2, 4, 6, 8, 10, 12, 14Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal GaS. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. Stoichiometric analysis of a single crystal alpha phase GaS by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).Raman spectrum of a single crystal GaS. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

1、企业介绍泰州巨纳新能源有限公司：巨纳集团(Sunano Group)是能源行业的知名品牌。泰州巨纳新能源有限公司(Sunano Energy)是国内最早的从事石墨烯制备、性能检测及应用产品开发的公司之一，注册资本11000万元，有办公用房300多平方米，厂房和洁净室3000多平方米。核心研发团队主要由国内外知名高校博士组成，部分成员来自于2010年诺贝尔物理学奖小组，项目技术处于国际领先地位，在石墨烯领域拥有专利30余项。企业管理团队有丰富的成功创业经验，创新意识强，公司客户遍布全球。2、高质量二维晶体材料简介：二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料。巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外，还联合荷兰HQ Graphene为全球客户提供高质量的类石墨烯二维晶体材料，并提供定制服务，以满足客户的不同需求。 名称：硒化镓（GaSe） 纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm 属性：半导体

砷化镓（GaAs）窗片GaAs的生产采用Czochralski或水平Bridgeman晶体生长技术。 由于它是含砷的，应注意处理和工作中的预防措施。砷化镓在远红外光学和透镜系统中具有专门的应用。产品参数：传输范围： 1?16μm（1）折射率： 3.2727 @10.33μm（1）反射损失： 44％@10.33μm 吸收系数： 0.01cm -1吸收峰： n / adn / dT： 147 x 10-6/°C @ 10 μm (4) for derivationdn /dμ= 0： 6.3μm密度： 5.315g / cc熔点： 1511℃热导率： 48 W m-1 K-1 @ 273K (2)热膨胀： 5.7 x 10-6 /°C at 300K (3)硬度： Knoop 750比热容： 360 J Kg-1 K-1介电常数： 在低频下为12.91杨氏模量（E）： 84.8GPa剪切模量（G）： n / a体积模量（K）： 75.5GPa弹性系数： n / a表观弹性极限： 71.9 MPa泊松比： 0.31溶解性： 不溶于水分子量： 144.64类/结构： 立方ZnS，F43m，（100）裂解 折射率：No = Ordinary Rayμm Noμm Noμm No1.033 3.4921.550 3.37372.066 3.3382.480 3.3243.100 3.31254.133 3.30274.959 3.29786.199 3.29217.293 3.28748.266 3.28319.537 3.276910.33 3.272711.27 3.267112.40 3.259713.78 3.249315.50 3.233617.71 3.208119.07 3.1866产品规格：订购型号规格(D×L)(mm)光谱范围GAASP10-0.310.0×0.3mmIRGAASP25.4-225.4×2.0mmIR

1、企业介绍泰州巨纳新能源有限公司：巨纳集团(Sunano Group)是能源行业的知名品牌。泰州巨纳新能源有限公司(Sunano Energy)是国内最早的从事石墨烯制备、性能检测及应用产品开发的公司之一，注册资本11000万元，有办公用房300多平方米，厂房和洁净室3000多平方米。核心研发团队主要由国内外知名高校博士组成，部分成员来自于2010年诺贝尔物理学奖小组，项目技术处于国际领先地位，在石墨烯领域拥有专利30余项。企业管理团队有丰富的成功创业经验，创新意识强，公司客户遍布全球。2、高质量二维晶体材料简介：二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料。巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外，还联合荷兰HQ Graphene为全球客户提供高质量的类石墨烯二维晶体材料，并提供定制服务，以满足客户的不同需求。 名称：硫化镓（GaS） 纯度：＞99.995% 尺寸：可定制 属性：半导体

GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。 技术参数主要特性复合物GaSe透光率, μm0.62 – 20非线性系数, pm/Vd22 = 54 @10.6 μm 对称度六方晶系, 6m2 point group晶胞参数, ?a=3.74, c=15.89典型反射系数 10.6 μm 5.3 μmno=2.6975, ne=2.3745 no=2.7233, ne=2.3966光学损伤阈值, MW/cm21064 nm (t=10 ns)30离散角, °5.3 μm4.1应用10.6 μm激光辐射二次谐波的产生中红外区域高达17μm的光学参量振荡器、光学参量放大器、DFG等 对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。

硒化镓晶体 2H-GaSe(Gallium Selenide)晶体尺寸：10毫米电学性能：半导体晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.374 nm, c = 1.592 nm, α = β = 90°, γ =120°晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%X-ray diffraction on a GaSe single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (001) with h = 4, 6, 8, 10, 12 Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal GaSe. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. Stoichiometric analysis of a single crystal GaSe by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX). Raman spectrum of a single crystal GaSe. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

雾化器气体管夹 Nebulizer gas tubing clamp

ICP-OES安捷伦在全球拥有数以千计的用户，被公认为是世界上ICP-OES 领域内的领导者和创新者。安捷伦700 系列电感耦合等离子体原子发射光谱（ICP-OES）系统拥有独一无二的CCD 检测器、创新的ICPExpert II 软件以及轴向或径向配置选择。我们的电感耦合等离子体能够处理常规和最具挑战性的应用。样品引入选件的多种选择，宽范围的性能和效率提升附件使安捷伦系统成为当今最快速和灵活性最强的ICP-OES 系统。安捷伦ICP-OES 系列可以与一系列能够扩展仪器性能的附件和备件兼容。样品室雾化室和支架? 单通道玻璃旋流雾化室具有优异的清洗能力确保了信噪比? 双通道玻璃旋流雾化室为有机样品和高TDS 样品有更高的等离子体稳定性? Sturman-Masters 雾化室是惰性的，将干扰因素降至最低并提高了对TDS 样品的稳定性样品室雾化室和支架说明应用部件号单通道玻璃旋流雾化室用于轴向式 ICP-OES需要安装支架在常规水溶液样品中要求最佳信噪比性能2010081700双通道玻璃旋流雾化室适用于所有型号的 ICP-OES需要安装支架有机溶剂和高基体或高 TDS样品7910043700冷却式双通道玻璃旋流雾化室配有冷却通道 包括用于 Liberty 系列 I/II ，Vista 和 700 系列 ICP-OES 的安装支架，要求用于低于室温操作的水冷却器，但不包括在内是高挥发性有机溶剂的理想选择9910070400Sturman-Masters 雾化室，白色需要安装托架样品溶解在氢氟酸中或当用 V-型槽式雾化器测定熔融物或悬浮液时110593190支架，用于安装玻璃旋流雾化室715/725/735径向，Vista-Pro径向和早期轴向，Vista-MPX径向和 Liberty 系列 II 型径向以及早期轴向模式110611700710/720/730轴向，Vista-PRO轴向，Vista-MPX向以及Liberty Series II 轴向模式110665200支架，用于安装 Sturman-Masters雾化室715/725/735径向，Vista-Pro径向和早期轴向，Vista-MPX径向和 Liberty 系列 II型径向以及早期轴向模式410298400710/720/730轴向，Vista-PRO轴向，Vista-MPX轴向以及Liberty Series II 轴向模式410328600

砷化镓(GaAs)的生产采用Czochralski或水平Bridgeman晶体生长技术。 由于它是含砷的，应注意处理和工作中的预防措施。砷化镓(GaAs)晶体的化学稳定性好，硬度高，抗恶劣环境能力极强，它在2-16μm光谱范围有很好的透过率，广泛应用于热红外成像系统，大功率CO2激光光学系统和FLIR系统。在现场环境很差，光学镜头或窗口需要反复擦拭的条件下，砷化镓(GaAs)常被用来替代硒化锌(ZnSe)作为红外镜头或窗口的材料。 晶体类型窗片晶体规格5 x 5 x 5mm 技术参数传输范围：1-16μm折射率：3.2727 @10.33μm反射损失：44％@10.33μm吸收系数：0.01cm-1吸收峰：n / adn / dT：147×10-6/℃ @ 10μm for derivationdn /dμ= 0：6.3μm密度：5.315g/cm3熔点：1511℃热导率：48 W m-1K-1@273K热膨胀：5.7×10-6/℃@300K硬度：Knoop 750 比热容：360 JKg-1K-1介电常数：在低频下为12.91杨氏模量（E）：84.8GPa剪切模量（G）：n / a体积模量（K）：75.5GPa弹性系数：n / a表观弹性极限：71.9 MPa泊松比：0.31溶解性：不溶于水分子量：144.64类/结构：立方ZnS，F43m，（100）裂解折射率（O光）μmNoμmNoμmNo10.333.2727

机械臂配有用于滴定头的支架和 Polytron（均化器）支架，右向回转Robotic arm with holder for titration head and Polytron holder, right-swinging订货号：6.9914.140机械臂配有滴定头和 Polytron（均化器）的支架，可用于 786 Swing Head。

石墨化炭黑固体担体石墨化碳黑对于醇类分析具有独特的选择性和极少的吸附性。我公司可提供两种石墨担体，碳黑B和碳黑C。高比表面的碳黑 B担体可承载多达10%的非硅化固定液。碳黑C担体可承载多达1%的非硅化固定液。我公司可提供许多涂覆聚乙二醇Carbowax20M（PEG 20M）固定液的碳黑填料。碳黑填料用KOH或苦味酸处理后可用于碱性或酸性化合物的分析，也能用于酒精饮料分析。碳黑担体提供的分辨率和保留值近似于 Carbopack和Carbograph担体。 不锈钢柱管 SilcoSmooth 柱管** 长度 外径 内径 长度 外径 内径碳黑B担体 目数 (英尺) (英寸) (毫米) 货号* (米) (英尺) (毫米) 货号*5% Carbowax 20M 80/120 — — — — 2 1/8 2.0 80105-5% Carbowax 20M 60/80 6 1/8 2.1 88012- 1.8 1/8 2.0 80106-6.6% Carbowax 80/120 6 1/8 2.1 80451- 2 1/8 2.0 80107-4% Carbowax 20M/0.8% KOH 60/80 — — — — 2 1/8 2.0 80116-1% Rt-1000 60/80 8 1/8 2.1 88013- 2.4 1/8 2.0 80206-1% Rt-1000 60/80 6 1/8 2.1 80452- 2 1/8 2.0 80207-3% Rt-1500 80/120 10 1/8 2.1 80453- 3.05 1/8 2.0 80211-1% Rt-1510 60/80 10 1/8 2.1 80454- 3.05 1/8 2.0 80216-1.5% XE-60/1% 60/80 6 1/8 2.1 80455- 1.8 1/8 2.0 80305-*订货时请在仪器构型货号后面添加后缀号。见此页图表。**经Siltek-处理的不锈钢。 镍200 柱管 长度 外径 内径碳黑B担体 目数 (米) (英寸) (毫米) 货号* 5% Krytox (镍200柱管) 60/80 3.05 1/8 2.1 80127-*订货时请在仪器构型货号后面添加后缀号。见此页图表。不锈钢柱管SilcoSmooth柱管**长度外径内径 长度外径内径碳黑C 担体 目数 (英尺) (英寸) (毫米) 货号* (米) (英寸) (毫米) 货号* 0.2% Carbowax 60/80 6 1/8 2.1 80456- 2 1/8 2.0 80121-0.2% Carbowax 80/100 6 1/8 2.1 80457- 2 1/8 2.0 80122-0.1% Rt-1000 80/100 6 1/8 2.1 80458- 1.8 1/8 2.0 80205-0.19% 苦味酸 80/100 6 1/8 2.1 80459- 2 1/8 2.0 80311-*订货时请在仪器构型货号后面添加后缀号。见此页图表。注意: 柱子的起始 2英寸管将是空的，用于容纳进样针。订购完全填充的色谱柱(不包括柱头)加后缀 -901。*-810 后缀亦包括位于检测器一侧的1 段1/2"空管。

Unlike other sources, our GaSe crystals are best suited towards electronic and optical applications in 2D materials field. Our GaSe (gallium selenide) crystals have been synthesized through three different growth techniques, namely Bridgman growth, chemical vapor transport (CVT), and flux zone growth, to optimize grain sizes and reduce defect concentrations. Large grain sizes and controlled defects enable you to yield monolayers through simple exfoliation process with high yields, get high electronic mobility, and ideal exciton recombination times. By default, 2Dsemiconductors USA provides Bridgman growth GaSe crystals cut in 0001 direction ready for exfoliation. However, if your research needs CVT or flux zone grown GaSe please drop a note during check out. Properties of vdW GaSe crystals - 2Dsemiconductors USA Growth method matters Flux zone or CVT growth method? Contamination of halides and point defects in layered crystals are well known cause for their reduced electronic mobility, reduced anisotropic response, poor e-h recombination, low-PL emission, and lower optical absorption. Flux zone technique is a halide free technique used for synthesizing truly semiconductor grade vdW crystals. This method distinguishes itself from chemical vapor transport (CVT) technique in the following regard: CVT is a quick (~2 weeks) growth method but exhibits poor crystalline quality and the defect concentration reaches to 1E11 to 1E12 cm-2 range. In contrast, flux method takes long (~3 months) growth time, but ensures slow crystallization for perfect atomic structuring, and impurity free crystal growth with defect concentration as low as 1E9 - 1E10 cm-2. During check out just state which type of growth process is preferred. Unless otherwise stated, 2Dsemiconductors ships Flux zone crystals as a default choice. 1. Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics Vol. 7, 1a€“3, 20122. ACS Nano, 2012, 6 (7), pp 5988a€“5994

巴罗克Biologix滑槽式抽屉型冻存架产品特点● 耐腐蚀性不锈钢超厚钢板制成● 适配2 英寸和1 英寸冻存盒，适配国际标准化冰箱● 滑槽设计可有效避免结冰，有凸出抽拉把手设计， 翻边设计避免划伤，抽屉上附有样本标识的彩色标签订购信息产品型号产品类型容量尺寸（深x宽x高）mm储盒尺寸(mm)99-1216滑槽式抽屉型4x4564x141x229133x133x5299-1220滑槽式抽屉型4x5564x141x285133x133x5299-1224滑槽式抽屉型4x6564x141x341133x133x5299-1124滑槽式抽屉型4x6564x141x245133x133x3699-1128滑槽式抽屉型4x7564x141x285133x133x3699-1132滑槽式抽屉型4x8564x141x325133x133x3699-7216滑槽式抽屉型4x4564x141x229133x133x5299-7220滑槽式抽屉型4x5564x141x285133x133x5299-7224滑槽式抽屉型4x6564x141x341133x133x5299-7124滑槽式抽屉型4x6564x141x245133x133x3699-7128滑槽式抽屉型4x7564x141x285133x133x3699-7132滑槽式抽屉型4x8564x141x325133x133x36

样品室雾化室和支架单通道玻璃旋流雾化室具有优异的清洗能力确保了信噪比。双通道玻璃旋流雾化室为有机样品和高TDS 样品有更高的等离子体稳定性。Sturman-Masters 雾化室是惰性的，将干扰因素降至最低并提高了对TDS 样品的稳定性。订货信息：样品室雾化室和支架说明应用部件号单通道玻璃旋流雾化室用于轴向式ICP-OES需要安装支架在常规水溶液样品中要求最佳信噪比性能2010081700双通道玻璃旋流雾化室适用于所有型号的ICP-OES需要安装支架有机溶剂和高基体或高TDS样品7910043700冷却式双通道玻璃旋流雾化室配有冷却通道 包括用于Liberty系列 I/II ，Vista和700系列ICP-OES 的安装支架，要求用于低于室温操作的水冷却器，但不包括在内是高挥发性有机溶剂的理想选择9910070400Sturman-Masters雾化室，白色需要安装托架样品溶解在氢氟酸中或当用V-型槽式雾化器测定熔融物或悬浮液时110593190支架，用于安装玻璃旋流雾化室715/725/735径向，Vista-Pro径向和早期轴向，Vista-MPX径向和Liberty系列II型径向以及早期轴向模式110611700710/720/730轴向，Vista-PRO轴向，Vista-MPX轴向以及Liberty Series II 轴向模式110665200支架，用于安装Sturman-Masters雾化室715/725/735径向，Vista-Pro径向和早期轴向，Vista-MPX径向和Liberty系列II型径向以及早期轴向模式410298400710/720/730轴向，Vista-PRO轴向，Vista-MPX轴向以及Liberty Series II 轴向模式410328600

The only commercially available TlGaSe2 vdW crystals have been synthesized at our facilities through float zone technique. TlGaSe2 semiconductors belong to the thallium chalcogenides family with the chemical formula TlBX2 (where B=In or Ga, X=S, Se or Te). Members of this family have both layered (TlGaSe2, TlGaS2, TlInS2) and chain (TlInSe2, TlInTe2, TlGaTe2) structures. Stacking of the atoms in TlGaSe2, TlGaS2 and TlInS2 layered crystals is arranged in the form of two twisted anionic layers with the weak bonded Tl(+1) cations located in the trigonal cavities between them. As a result, these crystals exhibit layered structure with weak vdW coupling between the adjacent layers. In particular, TlGaSe2 is a direct gap semiconductor with optical band gap of 1.87 eV, it exhibits unique structural phase transition from normal (N) to a commensurate (C) state via an intermediate incommensurate (I) phase at 100K and 120K. They exhibit para-to-ferroelectric phase transitions, and also shows ferroelectric and ferroelastic behavior. Crystals come with guaranteed structural phase transitions.Properties of TlGaSe2 layered crystals

铌酸钾晶体 光折变晶体KNbO3晶体 光折变晶体铌酸钾 铌酸钾KNbO3为优异的非线性光学晶体，属钙钛矿结构，其晶胞这样构成：K+离子占据立方体角顶位置，Nb5+占据体心位置，O2-占据面心位置。铌酸钾(KNbO3，简称KN)晶体除有优异的激光倍频性能外，还具有优异的电光、光折变、压电等性能。它的非线性光学品质因数、电光品质因数、光折变品质因数以及压电性能在非线性晶体及压电晶体中都名列前茅，KN不潮解，耐一般酸碱，化学性质十分稳定。 铌酸钾晶体标准特性? - 可用于电光和非线性光学的高质量非掺杂铌酸钾晶体- 可用于可见红外波段光折变高质量掺杂Rh（铑）, Fe（铁）, Mn（锰）, 和 Ni（镍）的铌酸钾晶体- 非常低的散射损耗 可选特性- 高光敏性铌酸钾晶体，长波可至1000nm - 毫秒级的响应时间 应用- 电光晶体和非线性光学- 光折变应用 （和激光二极管）- 可见红外波段的动态全息和光学相位结合 光折变光栅记录时间（photorefractive grating recording times）Selected KNbO3 crystal at different wavelengths for I=1W/cm2 铌酸钾晶体波长记录时间KNbO3: Fe488nm1sKNbO3: Mn515nm860nm1s3sKNbO3: Fe reduced488nm515nm0.01s0.01sKNbO3: Rh reduced860nm1064nm0.5s50s 铌酸钾晶体吸收光谱 更多晶体相关产品 碲化锌晶体 ZnTe晶体 铌酸锂晶体 LiNbO3晶体 硒化锌晶体 ZnSe晶体 硒化镓晶体 GaSe晶体 硫化锌晶体 ZnS晶体 磷化镓晶体 GaP晶体 有机晶体 DAST晶体 有机晶体 DSTMS晶体 有机晶体 OH1晶体

The only commercially available TlGaTe2 vdW crystals have been synthesized at our facilities through float zone technique. TlGaTe2 semiconductors belong to the thallium chalcogenides family with the chemical formula TlBX2 (where B=In or Ga, X=S, Se or Te). Members of this family have both layered (TlGaSe2, TlGaS2, TlInS2) and chain (TlInSe2, TlInTe2, TlGaTe2) structures. Stacking of the atoms in TlGaSe2, TlGaS2 and TlInS2 layered crystals is arranged in the form of two twisted anionic layers with the weak bonded Tl(+1) cations located in the trigonal cavities between them. Recently, low-temperature rhombohedral orderedphase of Tl-based III–V–VI2 ternary chalcogenides has been predicted to be topologically nontrivial and a terminated surface with a single Dirac cone has been identified through first-principles calculations (Phys. Rev. Lett. 105, 036404). TlGaTe2 crystals exhibit anisotropic structural, electronic, and optical properties with the band gap of 1.2 eV.Properties of TlGaTe2 layered crystals by 2Dsemiconductors USA

The only commercially available TlGaS2 vdW crystals have been synthesized at our facilities through float zone technique. TlGaS2 semiconductors belong to the thallium chalcogenides family with the chemical formula TlBX2 (where B=In or Ga, X=S, Se or Te). Members of this family have both layered (TlGaSe2, TlGaS2, TlInS2) and chain (TlInSe2, TlInTe2, TlGaTe2) structures. Stacking of the atoms in TlGaSe2, TlGaS2 and TlInS2 layered crystals is arranged in the form of two twisted anionic layers with the weak bonded Tl(+1) cations located in the trigonal cavities between them. In particular, TlGaS2 is a 2.45 eV direct gap semiconductor with strong optical and electronic anisotropy.

固体样品架附件备件订货信息：固体样品架附件备件说明部件号边缘样品适配支架 与固体样品支架附件配合使用，可测量光学元件包括光学滤光片和其它不能使用标准固体样品支架组件安装的样品。包括一个可调节的样品夹盘、2 个附加的样品支架、1 个滑动支架、球形螺丝刀和定位螺丝（4 个）9910102900粉末池和单晶支架 与固体样品支架附件配合使用，可测量粉末和各种小晶体、宝石和岩石。包括一个安装支架、定位螺丝（4 个）、圆柱形粉末池支架和粉末池支架盖、样品杯（2 个）、硅片和一个晶体支架9910103000比色池样品支架 用于固体样品支架附件，可以测量位于传统比色池中的液体样品。包括用于标准10 毫米光程比色池的池支架和确保将池支架固定到固体样品支架安装盘的安装螺钉（2 个）。对于高散射或吸收样品可以在不同角度下灵活地在比色池前面进行测量9910103100

净化组件的替换部件订货信息：用于Optima 5x00/7100/7200/7300 DV/8300产品描述部件编号O形圈（用于双重径向观测净化管）09200064O形圈（用于双重轴向观测净化窗）09902143O形圈（用于垂直炬管模块上的炬管夹）09902155DV轴向窗的盖子N0773084DV轴向窗的托架N0773090用于Optima 2100/7000/8000 DV产品描述部件编号O形圈（用于双重径向观测净化管）09921036O形圈（用于双重轴向观测净化窗）09921062净化出口的O形圈09921057

二甲硅油均质乳化机如何选型,转相法高剪切乳化机，上海徐工推荐医药西甲硅油乳化机，在线式工业化乳化机，14000转超高速乳化机，硅油乳化机设备上海生产厂家，油水均质乳化机价格...更多详情请咨询上海依肯 销售 徐工 1-8-2-0-1-8-9-1-1-8-3 甲基含氢硅油乳液与甲基羟基硅油乳液共用，能防水又可保持织物的透气性并能提高织物的撕裂强度、磨擦强度和防污性，改善织物的手感和缝合性能。另外，用作纸张的防粘隔离剂和交联剂。油相水相混合采用转相法还是连续法这是硅油乳化效果的决定因素：对于制备，牵涉到主要设备分散乳化机的转速问题，分散乳化机有两大作用，一是搅拌功能，二是高剪切功能。这就需要我们在工业生产中如何去实现他们的不同功能。而德国IKN工业设备在从实验室产品到工业设备就利用它du特的设计和计算线速度的方法，很好的解决了这一问题。同时还有初乳制备过程中的产生气泡问题，传热问题乳化不均，浮油问题等等。 我司工程师建议采用的方案为：在罐体内先进行固体物料的简单混合,将需要的配比浓度的物料投入罐体内,开动低速搅拌机进行简单混合,使得物料形成较为均一的物料；然后再罐体底部的物料出口开动阀门使得物料由管路进入我司的管线式分散机进行剪切分散处理,经过剪切分散后在由设备的出口管路输送进入罐体内,实现物料的一次循环处理！经过多次罐外循环处理能达到很好的分散悬浮效果,物料颗粒细度均一。当对于某些物料经过20000转设备一遍高剪切乳化即可达到要求的，可采用连续式工艺方式。 连续式转相法高速乳化机,乳化转相法高速乳化机是高效、快速、均匀地将一个相或多个相(液体、固体)进入到另一互不相溶的连续相(通常液体)的过程的设备的设备。当其中一种或者多种材料的细度达到微米数量时，甚至纳米时，体系可被认为均质。当外部能量输入时，两种物料重组成为均一相。高剪切均质机由于转子高速旋转所产生的高切线速度和高频机械效应带来的强劲动能，使物料在定、转子狭窄的间隙中受到强烈的机械及液力剪切、离心挤压、液层摩擦、撞击撕裂和湍流等综合作用，形成悬浮液（固/液），乳液（液体/液体）和泡沫（气体/液体）。高剪切均质机从而使不相溶的固相、液相、气相在相应熟工艺和适量添加剂的共同作用下，瞬间均匀精细的分散乳化，经过高频管线式高剪切分散均质乳化机的循环往复，终得到稳定的高品质产品。 影响分散乳化结果的因素有以下几点：1 乳化头的形式（批次式和连续式）（连续式比批次好）2 乳化头的剪切速率 （越大，效果越好）3 乳化头的齿形结构（分为初齿，中齿，细齿，超细齿，约细齿效果越好）4 物料在分散墙体的停留时间，乳化分散时间（可以看作同等的电机，流量越小，效果越好）5 循环次数（越多，效果越好，到设备的期限，就不能再好）线速度的计算剪切速率的定义是两表面之间液体层的相对速率。– 剪切速率 (s-1) = v 速率 (m/s) g 定-转子 间距 (m)由上可知，剪切速率取决于以下因素：– 转子的线速率– 在这种请况下两表面间的距离为转子-定子 间距。 IKN 定-转子的间距范围为 0.2 ~ 0.4 mm 速率V= 3.14 X D（转子直径）X 转速 RPM / 60 连续式转相法高速乳化机,乳化转相法高速乳化机的高的转速和剪切率对于获得超细微悬浮液是重要的。根据一些行业特殊要求，依肯公司在ERS2000系列的基础上又开发出ERX2000超高速剪切乳化机机。其剪切速率可以超过200.00 rpm，转子的速度可以达到66m/s。在该速度范围内，由剪切力所造成的湍流结合门研制的电机可以使粒径范围小到纳米。剪切力更强，乳液的粒经分布更窄。由于能量密度高,无需其他辅助分散设备,可以达到普通的高压均质机的400BAR压力下的颗粒大小. 标准流量（H2O）输出转速标准线速度马达功率进出口尺寸型号l/hrpmm/skWERX2000/430020000665.5DN25/DN15ERX2000/51,50015,7506615DN40 /DN 32ERX2000/105,00010,9506630DN50 / DN50ERX2000/2010,0007,3006655DN80 /DN 65ERX2000/3030,0004,0006690DN150 /DN 125ERX2000/5050,0003,00066160DN200 /DN 1501 表中上限处理量是指介质为“水”的测定数据。2 处理量取决于物料的粘度，稠度和终产品的要求。3 参数内的各种型号的流量主要取决于所配置的乳化头的精密程度而定。4 本表的数据因技术改动，定制而不同，正确的参数以提供的实物为准

406215代尔塔防化服 轻型防护服 无纺布连体服由上海书培实验设备有限公司提供，产品规格齐全，量多从优，欢迎客户来电咨询选购产品介绍：代尔塔 406215 防化服 连体服 轻型防护服 无纺布连体服 代尔塔防护服，三片式，帽子增加与头部的密合度，提高耐用性。双层拉链设计，提高密合性，增强防护性能。插袖设计以增加活动性、舒适性以及耐用性。符合欧标关于化学防护服标准产品特点：第一：符合欧标关于化学防护服标准第二：双层拉链设计，提高密合性，增强防护性能。第三：插袖设计以增加活动性、舒适性以及耐用性。第四：三片式，帽子增加与头部的密合度，提高耐用性。产品技术参数介绍：名称：限次型无纺布透气型连体服类型：连体材料：无纺布颜色：白色尺码：L/XL基本功能：防粉尘颗粒、防轻度化学液体喷溅

订货信息：净化组件的替换部件用于 5x00/7100/7200/7300 DV/8300产品描述部件编号O型圈(用于双重径向观测净化管)09200064O型圈(用于双重轴向观测净化窗)09902143O型圈(用于垂直炬管模块上的炬管夹)09902155DV轴向窗的盖子N0773084DV轴向窗的托架N0773090用于Optima 2100/7000/8000产品描述部件编号O型圈(用于双重径向观测净化管)09921036O型圈(用于双重轴向观测净化窗)09921062净化出口的O型圈09921057

Large size hexagonal phase GaTe (Gallium telluride) crystals have been developed at our facilities using three different growth techniques, namely Bridgman growth, chemical vapor transport (CVT), and flux zone growth, to optimize grain sizes and reduce defect concentrations. In contrast to commonly used chemical vapor transport (CVT) technique, flux grown crystals are well known for their structural perfection and electronic/optical performance. Bridgman and flux zone methods both offer similar grade qualities. Each crystal very large in size to last for years, is highly crystalline, oriented in 0001 direction, and easy to exfoliate. Our R&D staff takes characterization dataset in each sample piece to ensure structural, optical, and electronic consistency. Properties of monoclinic GaS vdW crystals

Our single crystal monoclinic GaTe (Gallium telluride) crystals come with guaranteed anisotropy, electronic, and optical grade crystal quality. They are developed at our facilities using three different growth techniques, namely Bridgman growth, chemical vapor transport (CVT), and flux zone growth, to optimize grain sizes and reduce defect concentrations. In contrast to commonly used chemical vapor transport (CVT) technique, flux grown crystals are well known for their structural perfection and electronic/optical performance. Bridgman and flux zone methods both offer similar grade qualities. Each crystal very large in size to last for years, is highly crystalline, oriented in 0001 direction, and easy to exfoliate. Our R&D staff takes characterization dataset in each sample piece to ensure structural, optical, and electronic consistency.Properties of monoclinic GaTe vdW crystalsGrowth method matters Flux zone or CVT growth method? Contamination of halides and point defects in layered crystals are well known cause for their reduced electronic mobility, reduced anisotropic response, poor e-h recombination, low-PL emission, and lower optical absorption. Flux zone technique is a halide free technique used for synthesizing truly semiconductor grade vdW crystals. This method distinguishes itself from chemical vapor transport (CVT) technique in the following regard: CVT is a quick (~2 weeks) growth method but exhibits poor crystalline quality and the defect concentration reaches to 1E11 to 1E12 cm-2 range. In contrast, flux method takes long (~3 months) growth time, but ensures slow crystallization for perfect atomic structuring, and impurity free crystal growth with defect concentration as low as 1E9 - 1E10 cm-2. During check out just state which type of growth process is preferred. Unless otherwise stated, 2Dsemiconductors ships Flux zone crystals as a default choice.

样品室雾化室和支架单通道玻璃旋流雾化室具有优异的清洗能力确保了信噪比。双通道玻璃旋流雾化室为有机样品和高TDS 样品有更高的等离子体稳定性。Sturman-Masters 雾化室是惰性的，将干扰因素降至最低并提高了对TDS 样品的稳定性。订货信息：Sturman Masters 雾化室备件说明部件号雾化器支架（适合外径为6毫米的同心雾化器）810128100雾化室内部阻板1610114600用于雾化室的废液管接头组件110593000样品气溶胶出口到炬管1610114800用于排废和气溶胶出口的O形圈6910006000雾化室体的O形圈6910017400雾化器接头O形圈6910019800