锑化铋

简介：二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料，巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外，还联合美国2D Semiconductors为全球客户提供高质量的二维晶体材料、粉体、溶液、薄膜等材料，并提供定制服务，以满足客户的不同需求。硫化铋Bi?S?

简介：二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料，巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外，还联合美国2D Semiconductors为全球客户提供高质量的二维晶体材料、粉体、溶液、薄膜等材料，并提供定制服务，以满足客户的不同需求。p型硒化铋p-type Bi?Se?

简介：二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料，巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外，还联合美国2D Semiconductors为全球客户提供高质量的二维晶体材料、粉体、溶液、薄膜等材料，并提供定制服务，以满足客户的不同需求。n型硒化铋n-type Bi?Se?

简介：二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料，巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外，还联合美国2D Semiconductors为全球客户提供高质量的二维晶体材料、粉体、溶液、薄膜等材料，并提供定制服务，以满足客户的不同需求。碲化铋Bismuth Telluride (Bi?Te?)

简介：二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料，巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外，还联合美国2D Semiconductors为全球客户提供高质量的二维晶体材料、粉体、溶液、薄膜等材料，并提供定制服务，以满足客户的不同需求。碲化铋硫化物Bismuth Telluride Sulfide (Bi?Te?.?S?.?)

简介：二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料，巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外，还联合美国2D Semiconductors为全球客户提供高质量的二维晶体材料、粉体、溶液、薄膜等材料，并提供定制服务，以满足客户的不同需求。硒化铋碲Bismuth Selenide Telluride (Bi?Se?.?Te?.?)

简介：二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料，巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外，还联合美国2D Semiconductors为全球客户提供高质量的二维晶体材料、粉体、溶液、薄膜等材料，并提供定制服务，以满足客户的不同需求。未掺杂的硒化铋Undoped Bismuth Selenide (Bi?Se?)

1、企业介绍泰州巨纳新能源有限公司：巨纳集团(Sunano Group)是能源行业的知名品牌。泰州巨纳新能源有限公司(Sunano Energy)是国内最早的从事石墨烯制备、性能检测及应用产品开发的公司之一，注册资本11000万元，有办公用房300多平方米，厂房和洁净室3000多平方米。核心研发团队主要由国内外知名高校博士组成，部分成员来自于2010年诺贝尔物理学奖小组，项目技术处于国际领先地位，在石墨烯领域拥有专利30余项。企业管理团队有丰富的成功创业经验，创新意识强，公司客户遍布全球。2、高质量二维晶体材料简介：二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料。巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外，还联合荷兰HQ Graphene为全球客户提供高质量的类石墨烯二维晶体材料，并提供定制服务，以满足客户的不同需求。 名称：碲化铋（Bi2Te3） 纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm 属性：拓扑绝缘体

1、企业介绍泰州巨纳新能源有限公司：巨纳集团(Sunano Group)是能源行业的知名品牌。泰州巨纳新能源有限公司(Sunano Energy)是国内最早的从事石墨烯制备、性能检测及应用产品开发的公司之一，注册资本11000万元，有办公用房300多平方米，厂房和洁净室3000多平方米。核心研发团队主要由国内外知名高校博士组成，部分成员来自于2010年诺贝尔物理学奖小组，项目技术处于国际领先地位，在石墨烯领域拥有专利30余项。企业管理团队有丰富的成功创业经验，创新意识强，公司客户遍布全球。2、高质量二维晶体材料简介：二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料。巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外，还联合荷兰HQ Graphene为全球客户提供高质量的类石墨烯二维晶体材料，并提供定制服务，以满足客户的不同需求。 名称：硒化铋（Bi2Se3） 纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm 属性：拓扑绝缘体

碲化铋晶体 Bi2Te3(Bismuth Telluride) 晶体结构：六边形晶体尺寸：~10毫米电气性能：拓扑绝缘体的晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.438 nm, c = 3.050 nm, α = β = 90°, γ = 120°晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995% XRD of a single crystal Bi2Te3. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.EDX of a single crystal Bi2Te3.

硒化铋晶体 Bi2Se3(Bismuth Selenide)晶体尺寸：10毫米电学性能：拓扑绝缘体晶体结构：菱面体晶胞参数：a = b = 0.413, c = 2.856 nm, α = β = 90°, γ = 120°晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995% X-ray diffraction on a Bi2Se3 single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 6 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 6, 9, 12, 15, 18, 21, 24 XRD of a single crystal Bi2Se3. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. EDX of a single crystal Bi2Se3. Raman of a single crystal Bi2Se3. Measurement with a 785nm Raman at room temperature.

半导体致冷器(TE)也叫热电致冷器,是一种热泵，它的优点是没有滑动部件,应用在一些空间受到限制,可靠性要求高,无致冷剂污染的场合。半导体致冷器的工作运转是用直流电流，它既可致冷又可加热，通过改变直流电流的极性来决定在同一致冷器上实现致冷或加热,这个效果的产生就是通过热电的原理。 半导体致冷器是利用半导体材料的珀尔帖效应制成的。所谓珀尔帖效应，是指当直流电流通过两种半导体材料组成的电偶时，其一端吸热，一端放热的现象。重掺杂的Ｎ型和Ｐ型的碲化铋主要用作ＴＥＣ的半导体材料，碲化铋元件采用电串联，并且是并行发热。ＴＥＣ包括一些Ｐ型和Ｎ型对（组），它们通过电极连在一起，并且夹在两个陶瓷电极之间；ＴＥＣ组件每一侧的陶瓷电极的作用是防止由ＴＥＣ电路引起的激光器管芯的短路；ＴＥＣ的控制温度可达３０℃－４０℃，当有电流从ＴＥＣ流过时，电流产生的热量会从ＴＥＣ的一侧传到另一侧，在ＴＥＣ上产生&Prime 热&Prime 侧和&Prime 冷&Prime 侧，这就是ＴＥＣ的加热与致冷原理。是致冷还是加热，以及致冷、加热的速率，由通过它的电流方向和大小来决定。在实际应用中，ＴＥＣ通常安装在热沉和组件外壳之间。其冷侧与激光器芯接触，起到致冷作用，它的热侧与散热片接触，把热量散到外部去，这也只是一种最普遍的情况。在对激光器工作温度的稳定性要求较高的场所，一般都采用双向温控，即在常温和高温时对激光器制冷，在低温环境中则制热；半导体致冷器在电流方向逆转时，原来的冷端和热端的位置就互换；则贴近激光器芯的一则就变成了热端，对激光器芯加热。

晶体尺寸：10毫米电学性能：半导体晶体结构：斜方晶系晶胞参数：a = 0.4025nm，B = 1.117nm，C = 1.135nm，α=β=γ= 9晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%表征方法：XRD，拉曼，EDX，霍尔测量EDX of a single crystal Bi2S3.XRD of a single crystal Bi2S3. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.Raman of a single crystal Bi2S3. Measurement with a 785nm Raman at room temperature.

Bismuth telluride is one of our latest addition to 2D metals family. BiTe has been theoretically predicted and recently experimentally demonstrated to be 2D thermoelectric material [1,2]. This material also exhibit rather unusual material properties including topological response, low temperature superconductivity, as well as CDWs. BiTe crystals come at perfect 001 orientation ready for mechanical exfoliation. Crystals are rated at 99.9999% (6N electronic grade purity) which is ideal for research purposes.BiTe single crystal characteristics References[1] The structures and thermoelectric properties of the infinitely adaptive series (Bi2)m(Bi2Te3)n [Article PDF][2] Control of crystal growth and thermoelectric properties of sputter-deposited BiTe thin films embedded with alumina nanoparticles CrystEngComm, 2016, 18, 9281–9285

Bismuth sulfide (Bi?S?) Developed at our facilities in the last five (5) years to optimize the perfect stoichiometry. Bi2S3 has layered (lamellar) structure much similar to other 2D crystals such as graphite, MoS2, and Sb2Te3. They can be exfoliated down to monolayers through standard mechanical exfoliation technique. Bi2S3 is stabilized in orthorhombic phase and has semiconducting behavior (~1.35 eV gap). Bi2S3 crystals come with perfect 0001 basal plane cleavage meaning it is ready for exfoliation without any further processing. The crystals were characterized and confirmed by x-ray diffraction (XRD), x-ray photoelectron spectroscopy, Raman, photoluminescence, SIMS, and Auger electron spectroscopy techniques.Properties of vdW Bi2S3 crystals

Bismuth Selenide (Bi?Se?) Developed at our facilities since early 2011 to optimize the perfect stoichiometry and stabilize the topological insulator state.Topological insulator is a new class of material, in which its bulk is insulating while its surface states are conducting. The surface states of topological insulator are robust against any external perturbation because such states are protected by time-reversal symmetry. Similar to transition metal dichalgonides and graphite, Bi?Se? is also layered material with weak interlayer coupling. Our crystals are develop in our laboratories in last two years and are highly crystalline. Raman spectrum displays very sharp and clear modes with FWHM less than 4cm-1. If your research needs doping in Bi2Se3, we can also incorporate Ca, Nb, Ni, and Au dopants in Bi2Se3 crystals. Please also see our doped p-type and n-type Bi2Se3 crystals.Characteristics of Bi2Se3 crystals

高质量二维晶体材料二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料。巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外，还联合荷兰HQ Graphene为全球客户提供高质量的二维晶体材料，并提供定制服务（如二维材料机械剥离技术培训，层数判定等性能检测培训等），以满足客户的不同需求。1、名称：硫化镓（GaS） 纯度：＞99.995% 尺寸：可定制 属性：半导体 2、名称：硒化铋（Bi2Se3） 纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm 属性：拓扑绝缘体 3、名称：碲化铋（Bi2Te3） 纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm 属性：拓扑绝缘体 4、名称：二硒化钼（MoSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~6 mm-10 mm 属性：半导体 5、名称：硫化锗（GeS）纯度：＞99.995% 尺寸：可定制 属性：半导体 6、名称：二碲化钼（MoTe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~6 mm-10 mm 属性：半导体 7、名称：二硫化钼单晶（MoS2）-合成纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm-20 mm 属性：半导体 8、名称：二硫化钼单晶（MoS2）纯度：＞99% 尺寸：~10 mm-20 mm 属性：半导体 9、名称：二硫化钨（WS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm 属性：半导体 10、名称：二硒化钨（WSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm 属性：半导体 11、名称：二硒化钒（VSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~7-10 mm 属性：半导体 12、名称：二碲化钨（WTe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：联系我们 属性：半金属 13、名称：硒化镓（GaSe） 纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm 属性：半导体 14、名称：大尺寸六边形氮化硼晶体（HBN） 纯度：＞99.99% 尺寸：1.0-1.5 mm鳞片 属性：绝缘体 15、名称：高定向热解石墨（HOPG） 纯度：＞99.995% 尺寸：可达12 x 12 x 2 mm 属性：金属 16、名称：天然石墨（NG） 纯度：＞99.995% 尺寸：~2 mm 属性：金属 17、名称：石墨烯（graphene） 纯度：＞99.995% 尺寸：＜60 μm 属性：金属 18、名称：二硒化铪（HfSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~8 mm 属性：半导体 19、名称：二硫化铪（HfS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：可定制 属性：半导体 20、名称：硒化铟（In2Se3） 纯度：＞99.995% 尺寸：~7 mm 属性：半导体 21、定制二维异质结 22、转移二维晶体材料的高纯聚合物 23、名称：定制二维晶体材料样品盒 可定制 超过30多种 24、名称：1T-二硒化钛（1T-TiSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：可定制 属性：半导体 25、名称：二硫化钛（TiS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm 属性：半金属 26、名称：2H-二硫化钽（2H-TaS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：可定制 属性：半导体，具有电荷密度波 27、 名称：1T-二硫化钽（1T-TaS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：可定制 属性：半导体，具有电荷密度波 28、名称：二硒化钽（TaSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~8 mm 属性：半导体 29、名称：二硒化锡（SnSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~8 mm 属性：半导体 30、名称：二硫化锡（SnS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm 属性：半导体 31、名称：二硒化铼（ReSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~6 mm 属性：半导体 32、名称：二硫化铼（ReS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~6 mm-8 mm 属性：半导体 33、名称：二硒化铂（PtSe2） 纯度：＞99.99% 尺寸：~2 mm 属性：半金属 34、名称：Pb3Sn4FeSb2S14 纯度：＞99.995% 尺寸：~8 mm 属性：半导体 35、名称：硫锡铅矿（PbSnS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~8 mm 属性：半导体 36、名称：二硒化铌（2H-NbSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~8 mm 属性：超导体，具有电荷密度波 37、名称：二硫化铌（NbS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~4 mm 属性：超导体 38、名称：金云母（KMg3AlSi3O10(OH)2） 纯度：高 尺寸：25 x 25 x 0.15 mm 属性：绝缘体 39、名称：白云母（K2O-Al2O3-SiO2） 纯度：高 尺寸：25 x 25 x 0.15 mm 属性：绝缘体 40、名称：CaSO4-2H2O 纯度：高 尺寸：1-2 cm 属性：绝缘体 41、名称：黑磷（BP） 纯度：＞99.995% 尺寸：可达cm级别 属性：半导体（带隙~0.3eV）

The only commercially available topological insulator thalium alloyed BiTlTe (bismuth thallium telluride) crystals. Tl has been alloyed into Bi2Te3 matrix to create Bi(2-x)TlxTe3 crystals at x=0.7 and x=1.3 ranges. BiTlTe (thalium doped Bi2Te3 crystals) are largely unexplored layered material with promising topological behavior, thermoelectric, and piezeelectric performance.Properties of Thalium alloyed Bi2Te3 (Bi2-xTlxTe3) crystals

P-type electronically doped Bismuth Selenide (Bi?Se?) Developed at our facilities since early 2011 to optimize the perfect stoichiometry and stabilize the topological insulator state. Bismuth Selenide (Bi?Se?) Developed at our facilities since early 2011 to optimize the perfect stoichiometry and stabilize the topological insulator state. Bi2Se3 crystals are topological insulator material in which its bulk is insulating while its surface states are conducting. The surface states of topological insulator are robust against any external perturbation because such states are protected by time-reversal symmetry. Similar to transition metal dichalgonides and graphite, Bi?Se? is also layered material with weak interlayer coupling. Our crystals are develop in our laboratories in last two years and are highly crystalline. Raman spectrum displays very sharp and clear modes with FWHM less than 4cm-1. If your research needs doping in Bi2Se3, we can also incorporate Ca, Nb, Ni, and Au dopants in Bi2Se3 crystals.Characteristics of Bi2Se3 crystals

晶体尺寸：10毫米电学性能：半导体晶体结构：斜方晶系晶胞参数：a = 0.4025nm，B = 1.117nm，C = 1.135nm，α=β=γ= 9晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%表征方法：XRD，拉曼，EDX，霍尔测量 XRD of a single crystal Bi2S3. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. EDX of a single crystal Bi2S3. Raman of a single crystal Bi2S3. Measurement with a 785nm Raman at room temperature.

Bismuth Selenide (Bi?Se?) Developed at our facilities since early 2011 to optimize the perfect stoichiometry and stabilize the topological insulator state. Bi2Se3 crystals are topological insulator material in which its bulk is insulating while its surface states are conducting. The surface states of topological insulator are robust against any external perturbation because such states are protected by time-reversal symmetry. Similar to transition metal dichalgonides and graphite, Bi?Se? is also layered material with weak interlayer coupling. Our crystals are develop in our laboratories in last two years and are highly crystalline. Raman spectrum displays very sharp and clear modes with FWHM less than 4cm-1. If your research needs doping in Bi2Se3, we can also incorporate Ca, Nb, Ni, and Au dopants in Bi2Se3 crystals.Characteristics of Bi2Se3 crystals

可变角垂直ATR附件用于腔内使用，具有非常可靠的质量。变角ATR附件具有精密的角度准直功能，使得角度调节非常简单而具有可重复性，适合30-60度的入射角调整。变角ATR附件VATR适合测量分析固体、薄膜等样品，垂直ATR附件系统配备可拆卸的不锈钢夹具（50x10x3mm和25x10x3mm），可以非常方便地引入或去除样品。变角垂直ATR附件可配备的附件有：标准型50x10x3mm大小的45度KRS-5平行四边形配件，25x10x3mm ATR晶体。 包括镜ATR附件、镜面反射和漫反射所有组件, 用于FTIR光谱仪的反射配件。 变角垂直ATR附件组成如下: 货号1075水平ATR系统配备45度ZnSe顶板,顶板夹,挥发物盖子和粉末压片. 货号6000高性能漫反射系统带有大小品杯、KBr粉末、样品漏洞、玛瑙砂浆/碓、骆驼毛画笔等. 货号7200 30度镜面反射系统. 组合型HATR Part No #9110 变角ATR附件,垂直ATR附件 组合化学已经成为制药,生物科技,高分子科学和有机合成的必备技术. 傅立叶变换红外光谱仪FTIR由于可以给出固态反应衬底的结构性信息而成为分析过程的重要工具. 我们推出的MIRacle 变角ATR附件,垂直ATR附件可以让用户免于样品准备的繁琐而在一秒钟之内获得结果. 单反射附件提供了一个1.6mm的样品接口，配备了专门设计的组合秘诀珠，冠和别针专门装备的组合珠冠和别针.

极端环境衰减全反射附件是全球唯一的为极端环境使用而设计制造的ATR附件，它可以耐受250摄氏度的高温和800帕斯卡高压的测量环境并兼具方便更换清洗ATR晶体的功能。极端环境衰减全反射附件的特点让广大用户随意更换ATR晶体而不必购买安装支架。极端环境衰减全反射附件特点采用独一无二的45度ZnSe单内反射元件，与另外两个光学镜片底座组合而用，用于光束进入样品和返回仪器探测器，ATR附件这种设计最大程度地减少光束能量损失，平均透过率可达百分之八十五以上。ATR附件采用了Kalrez垫片密封，从根本上消除了环氧树脂密封带来的问题。垫片不会与样品发生任何反应，从而避免了光谱曲线出现假峰或能量消退等问题。采用双控制器配置，方便抽样的自主管理和监测。可选方案：1.不带加热和加压功能的液体流动盒（使用平面顶板或液体流经）；2.加热范围为0-200摄氏度的液体盒；3.非加热液体流动盒；4.Ge或ZnS晶体用于衰减全反射,ATR附件,衰减全反射附件。极端环境衰减全反射附件可选FTIR光谱仪反射组件（PartNo. #9000 ）ATR附件 该反射组件包括镜ATR附件、镜面反射和漫反射所有附件, 用于FTIR光谱仪的反射配件.组成如下:货号1075水平ATR附件配备45度ZnSe顶板,顶板夹,挥发物盖子和粉末压片.货号6000高性能漫反射系统带有大小品杯、KBr粉末、样品漏洞、玛瑙砂浆/碓、骆驼毛画笔等.货号7200 30度镜面反射系统. 组合型HATR Part No #9110 衰减全反射附件组合化学已经成为制药,生物科技,高分子科学和有机合成的必备技术. 傅立叶变换红外光谱仪FTIR由于可以给出固态反应衬底的结构性信息而成为分析过程的重要工具.我们推出的MIRacle 组合型水平ATR附件可以让用户免于样品准备的繁琐而在一秒钟之内获得结果. 衰减全反射附件提供了一个1.6mm的样品接口，配备了专门设计的组合秘诀珠，冠和别针专门装备的组合珠冠和别针.

变角水平ATR组件大大扩大了入射角的范围，20-70度 的入射角都可以通过该变角ATR附件实现测量。同时，配备平顶板或槽顶板，各种入射角的光学准直校正工作都可以完成。变角水平ATR组件特点具有精密的角度调节功能，入射角可以根据固体或液体样品的灵敏度要求增加或减小。由于入射角改变反射量，样品渗透深度以及吸收强度，因此，入射角常常被选择用于优化灵敏度。测量的吸收直接与渗透深度有关，而渗透深度受入射角决定，因此入射角在FTIR红外光谱仪测量中非常重要。包括组合式平/槽顶板（每个都配有56x10x4mm 45度梯形ATR元件）、平板夹具、挥发物盖子、 清除剂组件。顶板组件还有多种选项，变角ATR附件材料就有ZnS,Ge,Si,KRS-5,AMTIR和CdTe等选择，入射角有30，45和60度等选择。该变角水平ATR附件的一个突出特色是它包括一个自动控制系统，可以让用户非常方便地选择入射角，配备软件可以控制各种操作并采集数据。可以配备具有微米调节规格的超级夹具,这个特色对于有特殊要求和重复性操作的实验非常有用. 可选:FTIR光谱仪反射附件 （PartNo. #9000 ）变角水平ATR附件该反射组件包括镜ATR附件、镜面反射和漫反射所有组件, 用于FTIR光谱仪的反射配件.组成如下:货号1075水平ATR系统配备45度ZnSe顶板,顶板夹,挥发物盖子和粉末压片.货号6000高性能漫反射系统带有大小品杯、KBr粉末、样品漏洞、玛瑙砂浆/碓、骆驼毛画笔等.货号7200 30度镜面反射系统. 组合型HATR Part No #9110 变角ATR附件组合化学已经成为制药,生物科技,高分子科学和有机合成的必备技术. 傅立叶变换红外光谱仪FTIR由于可以给出固态反应衬底的结构性信息而成为分析过程的重要工具.我们推出的MIRacle 组合型变角水平ATR附件可以让用户免于样品准备的繁琐而在一秒钟之内获得结果. 变角ATR附件单反射附件提供了一个1.6mm的样品接口，配备了专门设计的组合秘诀珠，冠和别针专门装备的组合珠冠和别针.

多重衰减全反射附件是 一种高效率的红外傅立叶变换光谱仪多重ATR附件，不需要频繁准直校正，特别适合日常使用。多重衰减全反射附件包括组合式平/槽顶板（每个都配有80x10x4mm 45度ZnSe 梯形ATR元件）、平板夹具、挥发物盖子、 清除剂组件。多重衰减全反射附件特点顶板非常容易取掉，因而非常方便快速清洗 以及与其他部件交换使用。多重ATR附件顶板采用针式固定方法，不仅保证重复操作精度，而且确保使用的方便性和分析精度。还有多种选项，ATR衰减全反射材料就有ZnS,Ge,Si,KRS-5,AMTIR和CdTe等选择，入射角有30，45和60度等选择。配备了100ml和500ml流经顶板和较高温度环境使用的配件包。可选: FTIR光谱仪反射组件（PartNo. #9000 ）多重衰减全反射附件该反射组件包括镜ATR附件、镜面反射和漫反射所有组件, 用于FTIR光谱仪的反射配件.组成如下:货号1075水平ATR系统配备45度ZnSe顶板,顶板夹,挥发物盖子和粉末压片.货号6000高性能漫反射系统带有大小品杯、KBr粉末、样品漏洞、玛瑙砂浆/碓、骆驼毛画笔等.货号7200 30度镜面反射系统. 组合型HATR Part No #9110 多重ATR附件组合化学已经成为制药,生物科技,高分子科学和有机合成的必备技术. 傅立叶变换红外光谱仪FTIR由于可以给出固态反应衬底的结构性信息而成为分析过程的重要工具.我们推出的MIRacle 多重衰减全反射附件可以让用户免于样品准备的繁琐而在一秒钟之内获得结果. 多重ATR附件提供了一个1.6mm的样品接口，配备了专门设计的组合秘诀珠，冠和别针专门装备的组合珠冠和别针.

单次反射ATR附件是一个高价值低价格预准直矫正的单次衰减全反射附件，与较为高价的单次反射附件相比，该单次反射ATR附件的灵敏度足够定量和定性分析。单次衰减全反射附件特点采用独特的45度ZnSe内部反射元件结合两个镜片用于光束导入到样品中并返回到仪器探测器中。这种设计最大可能地减少能量损失，透过的光能量可达百分之八十五。单次反射ATR附件还具有其它很多特色，它非常方便地从安装机构上装卸、清洗和更换ATR晶体尽管这些安装架都有顶板。这种方便性就可以使得其与其他ATR晶体互换而不需要购买完整的顶盖板.单次反射ATR附件可选FTIR光谱仪反射组件 （PartNo. #9000 ）单次衰减全反射附件该反射组件包括镜ATR附件、镜面反射和漫反射所有组件, 用于FTIR光谱仪的反射配件.组成如下:货号1075水平ATR系统配备45度ZnSe顶板,顶板夹,挥发物盖子和粉末压片.货号6000高性能漫反射系统带有大小品杯、KBr粉末、样品漏洞、玛瑙砂浆/碓、骆驼毛画笔等.货号7200 30度镜面反射系统.组合型HATR Part No #9110 单次衰减全反射附件组合化学已经成为制药,生物科技,高分子科学和有机合成的必备技术. 傅立叶变换红外光谱仪FTIR由于可以给出固态反应衬底的结构性信息而成为分析过程的重要工具. 我们推出的MIRacle 组合型水平单次反射ATR附件可以让用户免于样品准备的繁琐而在一秒钟之内获得结果. 单次衰减全反射附件提供了一个1.6mm的样品接口，配备了专门设计的组合秘诀珠，冠和别针专门装备的组合珠冠和别针.

水平ATR组件专业为极端环境下的反射分析而设计，备有标准的水平ATR附件平面和凹槽顶板配件，水平ATR组件非常适合温度达200摄氏度压力大500帕斯卡的极端环境测量。水平ATR组件特点配备的流动盒为65ml可用于水溶液和非水溶液样品的分析。配备的防漏密封圈保证在最大压力情况下也能使用。全部顶板都采用聚四氟乙烯涂层镀膜以增强电阻率。针式安装方式保证顶板可以互相使用。配备的低容量、高度清洁的光学腔保证样品的真实性和纯正性。水平衰减全反射附件采用了底板安装设计，非常适合光学准直的需要。配备了双控制器，可以独立监测样品和顶板的温度。水平ATR附件该反射组件包括镜ATR附件、镜面反射和漫反射所有组件, 用于FTIR光谱仪的反射配件.组成如下:货号1075水平ATR系统配备45度ZnSe顶板,顶板夹,挥发物盖子和粉末压片.货号6000高性能漫反射系统带有大小品杯、KBr粉末、样品漏洞、玛瑙砂浆/碓、骆驼毛画笔等.货号7200 30度镜面反射系统. 组合型HATR Part No #9110 水平衰减全反射附件组合化学已经成为制药,生物科技,高分子科学和有机合成的必备技术. 傅立叶变换红外光谱仪FTIR由于可以给出固态反应衬底的结构性信息而成为分析过程的重要工具.我们推出的MIRacle 组合型水平ATR附件可以让用户免于样品准备的繁琐而在一秒钟之内获得结果. 单反射附件提供了一个1.6mm的样品接口，配备了专门设计的组合秘诀珠，冠和别针专门装备的组合珠冠和别针.

变角镜面反射附件是一款适合各种镜面反射分析的变角镜面反射附件，变角镜面反射附件是分析透明薄膜的一种主要技术, 使用常见的透射光谱技术测量透明薄膜，透明薄膜常常发出微弱的光谱。变角镜面反射附件功能特点主要应用是反射衬底上的表面镀膜，薄膜厚度测量，反射系数测量。实际应用决定入射角的选择，30度的入射角用于测量比较常见的样品，而且这些样品的薄膜厚度在微米量级。对于纳米厚度量级的薄膜，80度的入射角比较合理。如果待测薄膜的厚度未知，那么比较适合选用变角镜面反射附件VEEMAXII，它的可变角度范围为30-85度，适合全部镜面反射的分析。配有自动化附件，这些自动化的附件可以协助用户同时或单独编程控制地高精度选择入射角，并配有控制软件采集数据。具有30-85度的可变角度范围, 30度和80度固定角度的附件可以一起订购。变角镜面反射附件可选项变角镜面反射附件反射组件 （PartNo. #9000 ）该反射组件包括镜ATR附件、镜面反射和漫反射所有组件, 用于FTIR光谱仪的反射配件.组成如下:货号1075水平ATR系统配备45度ZnSe顶板,顶板夹,挥发物盖子和粉末压片.货号6000高性能漫反射系统带有大小品杯、KBr粉末、样品漏洞、玛瑙砂浆/碓、骆驼毛画笔等.货号7200 30度镜面反射系统.变角镜面反射附件组合型HATR Part No #9110 组合化学已经成为制药,生物科技,高分子科学和有机合成的必备技术. 傅立叶变换红外光谱仪FTIR由于可以给出固态反应衬底的结构性信息而成为分析过程的重要工具.我们推出的MIRacle 组合型水平ATR可以让用户免于样品准备的繁琐而在一秒钟之内获得结果. 单反射附件提供了一个1.6mm的样品接口，配备了专门设计的组合秘诀珠，冠和别针专门装备的组合珠冠和别针.

自动漫反射附件专业为漫反射研究而研发设计。配备专业的自动化软件，融合了多操作头旋转样品盘，自动漫反射附件可以提交多达60个样品而实现单样品或多样品中断和背景更新。自动漫反射附件特点非常灵活而且具有直观的用户界面。多操作头能够分别把不同样品载入到系统中，自动漫反射附件还拥有旋转样品盘大大方便多个使用者使用。用户可以方便地选择样品位置而且可以独立地、随机地、同时地编程控制。配备的软件是系统的一部分用于控制硬件的操作并采集数据。该软件在微软Windows操作系统下工作非常顺利而且非常容易地与FTIR软件包连接使用。This accessory was developed in response to demanding diffuse reflectance applications. The automated software accompanying the accessory, incorporates multi-operator sample submission for up to 60 samples with single or multiple sample interrupt and background update. The system is extremely flexible and user interface intuitive. Multiple operators may independently log samples onto the system. The multi-subscriber operation is facilitated through the use of a segmented sample tray. The operator conveniently selects the sample positions which can be programmed independently, simultaneously or randomly. The software is integrated with the accessory and the instrument to control motion and data acquisition. The software smoothly operates in the Microsoft Windows environment and can be easily linked to FTIR instrument software packages. An impressive means to increase lab productivity. The package includes the programmable control unit and software, a 60 position sample mounting tray, 60 sample cups and sample preparation components. 漫反射样品盘,漫反射附件,样品盘,旋转样品盘,自动漫反射,样品盘价格,漫反射样品盘价格可选:自动漫反射附件组成货号1075水平ATR系统配备45度ZnSe顶板,顶板夹,挥发物盖子和粉末压片.货号6000漫反射附件带有大小品杯、KBr粉末、样品漏洞、玛瑙砂浆/碓、骆驼毛画笔等.货号7200 30度镜面反射系统组合型HATR Part No #9110组合化学已经成为制药,生物科技,高分子科学和有机合成的必备技术. 傅立叶变换红外光谱仪FTIR由于可以给出固态反应衬底的结构性信息而成为分析过程的重要工具.我们推出的MIRacle 组合型水平ATR可以让用户免于样品准备的繁琐而在一秒钟之内获得结果. 漫反射附件和旋转样品盘提供了一个1.6mm的样品接口，配备了专门设计的组合秘诀珠，冠和别针专门装备的组合珠冠和别针.

镜面反射组件（7201#）为FTIR红外光谱仪提供80度的镜面反射角,是理想的红外镜面反射附件.镜面反射组件功能特点镜面反射是分析透明薄膜的一种主要技术, 使用常见的透射光谱技术测量透明薄膜,透明薄膜常常发出微弱的光谱。主要应用是反射衬底上的表面镀膜,薄膜厚度测量,反射系数测量。实际应用决定入射角的选择. 30度的入射角用于测量比较常见的样品, 而且这些样品的薄膜厚度在微米量级。对于纳米厚度量级的薄膜,80度的入射角比较合理。如果待测薄膜的厚度未知, 那么比较适合选用, 它的可变角度范围为30-85度, 适合全部镜面反射的分析。这些附件都配有参考镜片,帮助用户获取背景光谱。,这些附件的设计都注意消除杂散光保证最小的能力损失。如果使用线网型偏振片,灵敏度还能进一步提高.本镜面反射组件和红外镜面反射附件仅仅提供80度的镜面反射角,. 30度和可变角度的附件可以另外购买.Specular Reflectance is a technique for analyzing transparent films which usually yield weak spectra by ordinary transmission techniques. Applications include surface coatings on reflecting substrates film thickness measurements by interference fringes and reflectivity coefficient determinations of metals. The application is the determining factor when deciding which angle of incidence should be selected. A 30 degree angle of incidence is normally chosen for more routine samples which have coating thicknesses in the micrometer range.镜面反射组件可选附件: 镜面反射附件反射组件 （PartNo. #9000 ）该红外镜面反射附件包括镜ATR附件、镜面反射和漫反射所有组件, 用于FTIR光谱仪的反射配件.组成如下:货号1075水平ATR系统配备45度ZnSe顶板,顶板夹,挥发物盖子和粉末压片. 镜面反射附件,镜面反射组件,镜面反射光谱仪,红外光谱镜面反射,货号6000高性能漫反射系统带有大小品杯、KBr粉末、样品漏洞、玛瑙砂浆/碓、骆驼毛画笔等.货号7200 30度镜面反射系统镜面反射组件组合型HATR Part No #9110 组合化学已经成为制药,生物科技,高分子科学和有机合成的必备技术. 红外镜面反射附件由于可以给出固态反应衬底的结构性信息而成为分析过程的重要工具.我们推出的MIRacle 组合型水平ATR可以让用户免于样品准备的繁琐而在一秒钟之内获得结果. 红外镜面反射附件提供了一个1.6mm的样品接口，配备了专门设计的组合秘诀珠，冠和别针专门装备的组合珠冠和别针.