硅化铁

简介：二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料，巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外，还联合美国2D Semiconductors为全球客户提供高质量的二维晶体材料、粉体、溶液、薄膜等材料，并提供定制服务，以满足客户的不同需求。硒化铁FeSe

简介：二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料，巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外，还联合美国2D Semiconductors为全球客户提供高质量的二维晶体材料、粉体、溶液、薄膜等材料，并提供定制服务，以满足客户的不同需求。碲化铁Iron Telluride (FeTe)

简介：二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料，巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外，还联合美国2D Semiconductors为全球客户提供高质量的二维晶体材料、粉体、溶液、薄膜等材料，并提供定制服务，以满足客户的不同需求。硒化铁碲Iron Selenide Telluride (FeTeSe)

简介：二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料，巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外，还联合美国2D Semiconductors为全球客户提供高质量的二维晶体材料、粉体、溶液、薄膜等材料，并提供定制服务，以满足客户的不同需求。碲化铁铜单晶CuFeTe Crystals

氯化铁折射计 浓度计 折射仪PAL-47S&diams 化学制品 型号 Model 特殊标度种类 面板颜色 4423 PAL-23S 甘油 丙三醇(低浓度) E 4424 PAL-24S 甘油 丙三醇(高浓度) E 4430 PAL-30S 醋酸 A 4431 PAL-31S 蚁酸 E 4432 PAL-32S 磷酸 E 4444 PAL-44S 氯化锂 E 4445 PAL-45S 氯酸钡 E 4446 PAL-46S 氯酸钴 E 4447 PAL-47S 氯化铁 E 4448 PAL-48S 氯化锶 E 4449 PAL-49S 氯化钾 E 4450 PAL-50S 溴化钾 E 4451 PAL-51S 溴化钠 E 4452 PAL-52S 碘化钾 E 4453 PAL-53S 硫酸铜(浓度) E 4454 PAL-54S 硫酸铜(比重) E 4455 PAL-55S 硫酸镁 E 4456 PAL-56S 硫酸钾 E 4457 PAL-57S 硫酸镍 E 4458 PAL-58S 硫酸钠 E 4459 PAL-59S 硫酸锌 E 4460 PAL-60S 硝酸银 E 4461 PAL-61S 硝酸钠 E 4462 PAL-62S 碳酸鉀 E 4463 PAL-63S 碳酸钠 E 4464 PAL-64S 重碳酸钠 E 4467 PAL-67S 鉻酸钾 E 4468 PAL-68S 重铬酸钾 E 4469 PAL-69S 硫代硫酸钠 E 4470 PAL-70S 磷酸钾 E 4471 PAL-71S 钼酸钠 E 4472 PAL-72S 钨酸钠 E

This item is currently out of stock. Please expect 4-6 weeks lead time.Superconductivity in monolayers. Currently, 2D aspect of this material remains largely unexplored. Iron Selenide (FeSe) is a member of layered materials. FeSe is considered as the parent material of the simplest family of iron-based superconductors. The crystal structure of iron selenide consists of a continuous stacking of FeSe layers, where a square-lattice layer of iron atoms is sandwiched between two twice-sparser layers of bonding chalcogen atoms with in P4nmm space group. Overall, this crystal is similar to other popular layered materials such as graphite, graphene, MoS2, etc. with weak interlayer coupling. Recently, it has been reported that the FeSe monolayers become superconducting at 65K Interface-induced superconductivity and strain-dependent spin density waves in FeSe/SrTiO3 thin films (Nature Materials 2013 doi:10.1038/nmat3654) Phase diagram and electronic indication of high-temperature superconductivity at 65 K in single-layer FeSe films Nature Materials 2013 doi:10.1038/nmat3648) The crystal has been developed in 2012 in our state-of-art facilities. The crystals come fully characterized, and ready for exfoliation.

New dimensions in 2D superconductors research: CuFeTe is unique material with highest Tc temperature in layered materials. Cu atoms are perfectly incorporated into FeTe matrix. These alloys are not phase separated meaning Fe and Cu atoms randomly distributed throughout the crystals. Cu concentration is set to 50% (Cu1Fe1Te)

Currently, 2D aspect of this material remains largely unexplored. Iron Telluride (FeTe) is a member of layered materials. FeTe is considered as the parent material of the simplest family of iron-based superconductors. The crystal structure of iron telluride consists of a continuous stacking of FeTe layers, where a square-lattice layer of iron atoms is sandwiched between two twice-sparser layers of bonding chalcogen atoms. Overall, this crystal is similar to other popular layered materials such as graphite, graphene, MoS2, etc. with weak interlayer coupling. The crystal has been develop at our facilities in the last 5 months and display superior crystallinity. The crystals come fully characterized, and ready for exfoliation.

灰分含量：0.007% 流速最快的误会滤纸，推荐用于诸如氢氧化铝或氢氧化铁的分析过程中。 在大颗粒物或凝胶状沉淀物的过滤也有较好应用 在环境采样中则多用于总悬浮颗粒物（TSP）、氟化物等采样 也常用于碘131 铯137 铯134的核辐射采样科学研究 品牌：whatman 直径（mm）：47 包装：100片/盒

灰分含量：0.007% 流速最快的误会滤纸，推荐用于诸如氢氧化铝或氢氧化铁的分析过程中。 在大颗粒物或凝胶状沉淀物的过滤也有较好应用 在环境采样中则多用于总悬浮颗粒物（TSP）、氟化物等采样 也常用于碘131 铯137 铯134的核辐射采样科学研究 品牌：whatman 直径（mm）：50 包装：100片/盒

灰分含量：0.007% 流速最快的误会滤纸，推荐用于诸如氢氧化铝或氢氧化铁的分析过程中。 在大颗粒物或凝胶状沉淀物的过滤也有较好应用 在环境采样中则多用于总悬浮颗粒物（TSP）、氟化物等采样 也常用于碘131 铯137 铯134的核辐射采样科学研究 品牌：whatman 直径（mm）：90 包装：100片/盒

灰分含量：0.007% 流速最快的误会滤纸，推荐用于诸如氢氧化铝或氢氧化铁的分析过程中。 在大颗粒物或凝胶状沉淀物的过滤也有较好应用 在环境采样中则多用于总悬浮颗粒物（TSP）、氟化物等采样 也常用于碘131 铯137 铯134的核辐射采样科学研究 品牌：whatman 直径（mm）：125 包装：100片/盒

灰分含量：0.007% 流速最快的误会滤纸，推荐用于诸如氢氧化铝或氢氧化铁的分析过程中。 在大颗粒物或凝胶状沉淀物的过滤也有较好应用 在环境采样中则多用于总悬浮颗粒物（TSP）、氟化物等采样 也常用于碘131 铯137 铯134的核辐射采样科学研究 品牌：whatman 直径（mm）：110 包装：100片/盒

灰分含量：0.007% 流速最快的误会滤纸，推荐用于诸如氢氧化铝或氢氧化铁的分析过程中。 在大颗粒物或凝胶状沉淀物的过滤也有较好应用 在环境采样中则多用于总悬浮颗粒物（TSP）、氟化物等采样 也常用于碘131 铯137 铯134的核辐射采样科学研究 品牌：whatman 直径（mm）：150 包装：100片/盒

产品特点：PID灯抛光组件PID Lamp Polishing Kit产品名称：PID灯抛光组件（含有氧化铁清洁剂，棉签和说明书） （PID Lamp Polishing Kit (contains iron oxide cleaning compound, swabs, and instructions)）订货号：20674

灰分含量：0.007% 流速最快的误会滤纸，推荐用于诸如氢氧化铝或氢氧化铁的分析过程中。 在大颗粒物或凝胶状沉淀物的过滤也有较好应用 在环境采样中则多用于总悬浮颗粒物（TSP）、氟化物等采样 也常用于碘131 铯137 铯134的核辐射采样科学研究 品牌：whatman 直径（mm）：50 包装：100片/盒

灰分含量：0.007% 流速最快的误会滤纸，推荐用于诸如氢氧化铝或氢氧化铁的分析过程中。 在大颗粒物或凝胶状沉淀物的过滤也有较好应用 在环境采样中则多用于总悬浮颗粒物（TSP）、氟化物等采样 也常用于碘131 铯137 铯134的核辐射采样科学研究 品牌：whatman 直径（mm）：47 包装：100片/盒

灰分含量：0.007% 流速最快的误会滤纸，推荐用于诸如氢氧化铝或氢氧化铁的分析过程中。 在大颗粒物或凝胶状沉淀物的过滤也有较好应用 在环境采样中则多用于总悬浮颗粒物（TSP）、氟化物等采样 也常用于碘131 铯137 铯134的核辐射采样科学研究 品牌：whatman 直径（mm）：90 包装：100片/盒

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灰分含量：0.007% 流速最快的误会滤纸，推荐用于诸如氢氧化铝或氢氧化铁的分析过程中。 在大颗粒物或凝胶状沉淀物的过滤也有较好应用 在环境采样中则多用于总悬浮颗粒物（TSP）、氟化物等采样 也常用于碘131 铯137 铯134的核辐射采样科学研究 品牌：whatman 直径（mm）：150 包装：100片/盒

四川蜀玻高硼硅泡酒瓶高硼硅泡酒瓶高硼硅泡

产品特点：MDM Linear, 1mlSKU: MDM Categories: 硅烷化试剂 / Standards, Linears Tags: Cyclics & Linears, Linears中文名称:八甲基三硅氧烷八甲基三硅氧烷是一种化学物质，化学试剂、精细化学品、医药中间体、材料中间体，又称聚（二甲基硅氧烷），甲基聚硅氧烷，分子式是C8H24O2SI3，Me3SiOSi(Me)2OSiMe3。英文名称:OctaMethyltrisiloxaneCAS:107-51-7特点● 结构：Me3SiOSi(Me)2OSiMe3● 配备最小毛细管气相GC纯度要求为98.0%

forte BPX90 – 90%氰丙聚硅亚苯基-硅氧烷? 独有的强极性柱，是分离芳香物、石化产品、杀虫剂、PCB 和FAMEs 异构体的理想之选；? 热稳定、键合相柱，主要通过极性分离；? 操作温度：80°C - 280°C；? 无直接替代产品。BPX90 – 90%氰丙聚硅亚苯基-硅氧烷订货信息：内径(mm)膜厚(μm)15m30m60m0.250.250545700545800545900.320.5054573054583054593

forte BPX608 – 35%苯基聚硅苯-硅氧烷? 特别适用于分离EPA 608 有机金属杀虫剂；? 操作温度：10°C - 360/370°C；? 等同产品：DB-608、HP-608、RTX-35、SPB-608、007-608 和ZB-35；? 完整的毛细管柱典型应用，请参照附录A 第140 页。BPX608 – 35%苯基聚硅苯-硅氧烷订货信息：内径 (mm)膜厚(μm)25m0.320.4054823

硅钼棒可用于管式炉、箱式炉的加热。 产品型号硅钼棒技术参数1、材料：MoSi22、工作温度：空气中1700℃，氮气中1600℃，氢气中1220℃-1500℃3、密度：5g/cm3-5.6g/cm34、维氏密度：570kg/mm25、孔隙率：7.4%6、吸水率：2%7、热延展性：4%8、适用范围：规格适用范围6×120mm×180mm×30mmKSL-1700X-A1、GSL-1600X-II/III6×125mm×200mm×30mm（1800℃）GSL-1800X6×125mm×200mm×30mmGSL-1700X6×160mm×200mm×30mmKSL-1700X-A26×220mm×200mm×30mmKSL-1700X-A36×280mm×220mm×30mmKSL-1700X-A4UΦ6mm/Φ12mm/热110mm×160mm×30mmGSL-1700X –S、KSL-1700X-S6×110mm×160mm×30mm（进口1800℃）GSL-1800X –S、KSL-1800X-S6×120mm×180mm×30mm（进口1800℃）KSL-1800X-A16×110mm×160mm×30mm（进口1900℃）GSL-1800X –S、KSL-1800X-S6×220mm×280mm×30mm（进口1900℃）KSL-1800X-A46×120mm×180mm×30mm（进口1900℃）KSL-1800X-A1 注意事项1、安装时，在放入硅钼棒前需在中间放入氧化铝塞，且氧化铝塞的宽度和长度应该适合棒的尺寸，以避免对棒造成损坏。2、在安装时一定不要撞击或施压。硅钼棒是非常脆的，如果氧化铝塞过宽，或者给棒施加大的压力都可能导致棒的脆裂。3、硅钼棒的电阻率随着温度的增加而增加。4、一般在正确使用的情况下，硅钼棒的电阻率不会因为老化而受影响，所以旧的硅钼棒与新的硅钼棒是可以一同使用的。

硅钼棒可用于管式炉、箱式炉的加热。 产品型号硅钼棒技术参数1、材料：MoSi22、工作温度：空气中1700℃，氮气中1600℃，氢气中1220℃-1500℃3、密度：5g/cm3-5.6g/cm34、维氏密度：570kg/mm25、孔隙率：7.4%6、吸水率：2%7、热延展性：4%8、适用范围：规格适用范围6×120mm×180mm×30mmKSL-1700X-A1、GSL-1600X-II/III6×125mm×200mm×30mm（1800℃）GSL-1800X6×125mm×200mm×30mmGSL-1700X6×160mm×200mm×30mmKSL-1700X-A26×220mm×200mm×30mmKSL-1700X-A36×280mm×220mm×30mmKSL-1700X-A4U?6mm/?12mm/热110mm×160mm×30mmGSL-1700X –S、KSL-1700X-S6×110mm×160mm×30mm（进口1800℃）GSL-1800X –S、KSL-1800X-S6×120mm×180mm×30mm（进口1800℃）KSL-1800X-A16×110mm×160mm×30mm（进口1900℃）GSL-1800X –S、KSL-1800X-S6×220mm×280mm×30mm（进口1900℃）KSL-1800X-A46×120mm×180mm×30mm（进口1900℃）KSL-1800X-A1 注意事项1、安装时，在放入硅钼棒前需在中间放入氧化铝塞，且氧化铝塞的宽度和长度应该适合棒的尺寸，以避免对棒造成损坏。2、在安装时一定不要撞击或施压。硅钼棒是非常脆的，如果氧化铝塞过宽，或者给棒施加大的压力都可能导致棒的脆裂。3、硅钼棒的电阻率随着温度的增加而增加。4、一般在正确使用的情况下，硅钼棒的电阻率不会因为老化而受影响，所以旧的硅钼棒与新的硅钼棒是可以一同使用的。

硅窗口纯Pure Silicon Windows纯硅膜的厚度有5nm, 9nm, 15nm, 35nm，利用溅射沉积纯硅，允许对含氮和/或碳的样品进行元素分析。单晶纯硅具有1-0-0取向，制作35 nm的薄膜，用于衍射研究和其它需要从单晶薄膜中获得均匀的背景应用。无孔硅薄膜轻微起皱，大约100微米间距有5微米或更少的偏转，这对于高分辨率成像来说通常是没有问题的。纳米多孔硅Nanoporous采用P30膜使多孔窗口更加多孔，孔径一般在10-60纳米范围。 l 纳米级别的厚度-成像窗口的厚度为5到35 nm，降低背景的干扰，以更高的对比度成像。5nm厚的无孔纯硅窗口比市面上最薄的非晶碳膜更薄。l 可等离子清洗-可以强力等离子清洗，去除有机污染，不像传统的碳膜l 场到场的均匀性-非多孔纯硅窗口比碳膜更薄，减少了场到场的可变性.(注：多孔窗口确实具有固有的结晶特征，但具有无背景纳米尺度的孔隙)。l 降低色彩模糊-与市面上最薄的无定形碳膜相比，5nm无孔纯硅窗口的色彩模糊减少一半。这种巨大的差异是由于电子通过硅窗口的薄膜的非弹性散射减少了两倍。反过来，减少的色彩模糊提供了一个潜在的成像分辨率的两倍提高。l 纳米尺寸孔-纯硅窗口可作为孔径为5~50 nm的多孔薄膜。孔隙允许简单和稳定的悬浮纳米材料进行成像，而不干涉背景。l 硅成分优点- 纯硅窗口的元素硅组分在高束流和高退火温度下显著提高了稳定性。纯硅成分还引入了最小的背景信号，使含有氮和/或碳的样品的元素分析可以通过EDX和EELS进行。l 孤立的多晶体硅-多孔纯硅窗口的多晶特性为x射线衍射研究提供了内部校准标准。孤立的晶体特征也为高分辨率尺寸测量提供了一个方便可靠的尺度，硅的晶格特征也很好。 l 亲水性-无孔和多孔纯硅窗口的亲水性可通过等离子体和/或臭氧处理来调节，从而使样品的制备变得更加容易，特别是在水溶液中的样品。l 高稳定性能-在高束流和高退火温度下(无孔600°C，纳米孔1000°C) 货号产品描述窗口尺寸膜厚度规格76042-70Single Crystal Pure Si TEM Window(8) 100μm, (1) 100x350μm35nm10/pk76042-71Non-Porous Pure Si TEM Window25μm sq.5nm10/pk76042-72Non-Porous Pure Si TEM Window(8) 50μm sq., (1) 50x100μm5nm10/pk76042-73Non-Porous Pure Si TEM Window(2) 50x1500μm5nm10/pk76042-74Non-Porous Pure Si TEM Window(8) 100 sq., (1) 100x350μm9nm10/pk76042-75Non-Porous Pure Si TEM Window(2) 100x1500μm9nm10/pk76042-76Non-Porous Pure Si TEM Window(8) 100 sq., (1) 100x350μm15nm10/pk76042-77Non-Porous Pure Si TEM Window(2) 100x1500μm15nm10/pk76042-78Nanoporous Pure Si TEM Window500μm sq.-10/pk76042-79Nanoporous Pure Si TEM Window(8) 100 sq., (1) 100x350μm-10/pk

光电离 (PID)灯Model 108-10.0/10.6 提供10.0 和 10.6 eV 电压，具有0.781英寸底座直径，适用于Tracor/OI以及基础仪器。Model103 具有 1.375英寸底座，适用于HNU/ SRI 检测器。Model108-BTEX 灯，高输出，非常适用于检测BTEX化合物。说明 eV 率 底座 货号 PID 灯, Model 103 C 10.2 1.375英 单 20676 PID灯, Model 108 10.0/10.6 0.781英 单 20675 PID 灯, Model 108-BTEX 10.0/10.6 0.781英 单 23020 PID 灯 清洁套件(包含氧化铁粉，棉签及说明书) 套 20674

硅晶圆片随着半导体、微电子行业的发展，硅片的用途越来越广泛。比如半导体芯片领域、X射线晶体分析、磁控溅射样品生长、原子力、红外光谱测试分析、PVD/CVD镀膜衬底等。我们提供各种不同直径、厚度、电阻、级别和应用场景的硅片，请将您的参数要求发给我们，如有疑难，也请联系我们。哪里可以快速买到硅片作为基片，当然是这里！我们主要为国内的科研院所、高校提供高品质的硅片衬底，高纯抛光的硅基底也能够提供。选型指导：特性产品描述常规硅片直径1"、2"、3"、4"、5"、6"、8"、10"、12"厚度50um至10000um超薄硅片直径5mm、10mm、25mm、50mm、75mm、100mm超薄硅片厚度2um至50um，公差±0.5μm、±1.0μm、±1.5μm表面粗糙度Prime Grade wafer Ra5? .掺杂类型P型、N型、无掺杂晶向〈100〉± 0.5° 〈110〉±0.5° 〈111〉± 0.5°，〈100〉± 1°，〈110〉±1°表面处理抛光、刻蚀、ASCUT；单面/双面处理电阻率0~至 20000 (Ωcm)级别Mechanical Grade、Test Grade、Prime Grade、SEMI Prime Grade 产品举例：产品描述尺寸举例规格多孔硅晶圆，Porous silicon wafer76.2mm10片无掺杂硅晶圆，undoped silicon wafer100mm10片氮化硅膜硅晶圆，Silicon Nitride Wafer LPCVD PECVD100mm10片FZ区硅晶圆片，Float Zone Silicon Wafer25.4mm10片热氧化处理硅晶圆片Thermal Oxide Wafer76.2mm25片超平硅片Ultra-Flat or MEMS wafers6″5片太阳能硅晶片，Solar Silicon Cells6″，5″25片外延硅片，Epitaxial Silicon Wafer100mm10片N型硅晶圆片，N-Type Silicon Substrates100mm100片各种硅晶片 我们致力于为客户提供全面的硅片（Silicon Wafer）解决方案，从测试级硅片（Test Wafer）到产品级硅片（Prime Wafer），以及特殊硅片氧化硅片（Oxide）、氮化硅片(Si3N4)、镀铝硅片、镀铜硅片、SOI Wafer、MEMS Glass、定制超厚、超平硅片等，尺寸覆盖50mm-300mm。对于2D材料的研究，软光刻硅片，直接放射性核电实验，等离子体刻蚀硅片，以及微流控芯片平台的建立，我们均有成功的经验。 小常识：将某一特定晶向的硅种子(种子,通常为一小的晶棒)棒插入熔融液态硅,并慢慢向上拉起晶棒,一根和种子相同晶向的晶柱就被生产出来。将晶柱切割成多个一定厚度的圆片片,通常称呼的wafer就被制造出来了。初步切割出来的wafer表面，通常比较粗糙,无法用作晶圆生产，因而通常都在后续工艺中进行抛光，抛光片的名词就由此而来。针对不同晶圆制造要求，通常需要向粗制晶圆内掺杂一些杂质，如P、B等，以改变其电阻值,因而就有了低阻、高阻、重掺等名词。镀膜片可以理解为外延片Epi，是针对特定要求的半导体装置而制定的wafer,通常是在高端IC和特殊IC上使用，如绝缘体上Si(SOI)等。用Czochralski(CZ)晶体生长法或浮区（floatzone）（FZ）生长法生成单晶硅。超大规模集成电路应用更多采用Czochmlski硅，因为它比FZ材料有更多的耐热应力能力，而且它能提供一种内部吸杂的机械装置，该装置能从硅片表面上的器件结构中去除不需要的杂质。因为是在不与任何容器或坩埚接触的情况下制成，所以FZ硅比CZ硅有更高的纯度（从而有更高的电阻率）。器件和电路所需的高纯起始材料（如高压，高功率器件）一般都用FZ硅。我们的低应力PECVD氮化是一个单面膜，已优化为晶圆需要最小的热处理。因为低应力PECVD氮化物是在低温下沉积的，它提供了更大的灵活性，可以沉积在任何其他薄膜上。我们提供独立式超薄超平硅片，厚度从5μm到100μm不等，直径从5毫米到6英寸。薄硅片是真正的镜面光洁度DSP，良好的表面平整度，无雾，无空洞，表面RMS低(典型1-2 nm)，超低值TTV通常小于+/-1μm。我们的单晶太阳能硅片的效率高达19.5%。什么是太阳能效率，阳光光子击中太阳能晶片在一个特定的空间的百分比。更高的效率意味着发电所需的比表面积更小。因此，小型屋顶将希望使用更高的效率面板，以弥补较小的表面积。