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二硫化钼

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二硫化钼相关的耗材

  • 二硫化钼
    二硫化钼MoS2Small 15x10mm
  • 二硫化钼
    二硫化钼MoS2Small 10x10mm
  • 二硫化钼
    裕隆时代向客户提供质量精良的进口二硫化钼,充分满足客户实验需求。规格:20*10mm; 15*9mm;8*8mm
  • 单层二硫化钼-单层二硫化钼
    参数:制备方法:锂基插层法组成:单层二硫化钼外观:黑色粉末或分散体直径:0.2~5um,主要集中在1um-3um厚度:1纳米单分子层比例:95%Parameter:Preparation Method:Lithium-based Intercalation MethodComposition:Monolayer Molybdenum disulfideAppearance: Black Powder or dispersionDiameter: 0.2-5 μm, mainly concentrate in 1μm-3μmThickness: ~1 nmMonolayer ratio: =95%
  • 合成二硫化钼
    简介:二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料,巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外,还联合美国2D Semiconductors为全球客户提供高质量的二维晶体材料、粉体、溶液、薄膜等材料,并提供定制服务,以满足客户的不同需求。合成二硫化钼Synthetic Molybdenum Disulfide (MoS?)
  • n型二硫化钼
    分类:半导体中文名称:n型二硫化钼英文名称:n-type MoS?
  • p型二硫化钼
    简介:二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料,巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外,还联合美国2D Semiconductors为全球客户提供高质量的二维晶体材料、粉体、溶液、薄膜等材料,并提供定制服务,以满足客户的不同需求。p型二硫化钼p-type MoS?
  • 单层二硫化钼
    简介:二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料,巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外,还联合美国2D Semiconductors为全球客户提供高质量的二维晶体材料、粉体、溶液、薄膜等材料,并提供定制服务,以满足客户的不同需求。单层二硫化钼Monolayer MoS?
  • n型二硫化钼
    简介:二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料,巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外,还联合美国2D Semiconductors为全球客户提供高质量的二维晶体材料、粉体、溶液、薄膜等材料,并提供定制服务,以满足客户的不同需求。n型二硫化钼n-type MoS?
  • CVD单层二硫化钼
    CVD单层二硫化钼(CVD monolayer MoS2)
  • 单层二硫化钼溶液
    简介:二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料,巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外,还联合美国2D Semiconductors为全球客户提供高质量的二维晶体材料、粉体、溶液、薄膜等材料,并提供定制服务,以满足客户的不同需求。单层二硫化钼溶液Monolayer MoS? Solution
  • 单层二硫化钼粉末
    单层二硫化钼粉末Monolayer MoS2 Powder二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料,巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外,还联合美国2D Semiconductors为全球客户提供高质量的二维晶体材料、粉体、溶液、薄膜等材料,并提供定制服务,以满足客户的不同需求。
  • 二硫化钼?- 小10x10毫米
    简介:二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料,巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外,还联合美国2D Semiconductors为全球客户提供高质量的二维晶体材料、粉体、溶液、薄膜等材料,并提供定制服务,以满足客户的不同需求。二硫化钼?- 小10x10毫米MoS?- Small 10x10mm
  • 二硫化钼-小 10x10mm
    分类:半导体中文名称:二硫化钼-小 10x10mm英文名称:MoS - Small 2 10x10mm纯度:≥99.9999%
  • 二硫化钼-中15x10mm
    分类:半导体中文名称:二硫化钼-中15x10mm英文名称:MoS - Medium 2 15x10mm
  • 二硫化钼单晶(MoS2)
    1、企业介绍泰州巨纳新能源有限公司:巨纳集团(Sunano Group)是能源行业的知名品牌。泰州巨纳新能源有限公司(Sunano Energy)是国内最早的从事石墨烯制备、性能检测及应用产品开发的公司之一,注册资本11000万元,有办公用房300多平方米,厂房和洁净室3000多平方米。核心研发团队主要由国内外知名高校博士组成,部分成员来自于2010年诺贝尔物理学奖小组,项目技术处于国际领先地位,在石墨烯领域拥有专利30余项。企业管理团队有丰富的成功创业经验,创新意识强,公司客户遍布全球。2、高质量二维晶体材料简介:二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料。巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外,还联合荷兰HQ Graphene为全球客户提供高质量的类石墨烯二维晶体材料,并提供定制服务,以满足客户的不同需求。 名称:二硫化钼单晶(MoS2)纯度:>99% 尺寸:~10mm-20 mm 属性:半导体
  • 二硫化钼晶体 MoS2
    二硫化钼晶体(天然) MoS2(Molybdenum Disulfide)晶体结构:六边形类型:天然晶体尺寸:~10mm-20mm纯度:99% 属性:半导体
  • 二硫化钼-中15x10mm
    简介:二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料,巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外,还联合美国2D Semiconductors为全球客户提供高质量的二维晶体材料、粉体、溶液、薄膜等材料,并提供定制服务,以满足客户的不同需求。二硫化钼-中15x10mmMoS? - Medium 15x10mm
  • 二硫化钼-大15x20mm
    简介:二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料,巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外,还联合美国2D Semiconductors为全球客户提供高质量的二维晶体材料、粉体、溶液、薄膜等材料,并提供定制服务,以满足客户的不同需求。二硫化钼-大15x20mmMoS?- Large 15x20mm
  • 二硫化钼单晶(MoS2)-合成
    1、企业介绍泰州巨纳新能源有限公司:巨纳集团(Sunano Group)是能源行业的知名品牌。泰州巨纳新能源有限公司(Sunano Energy)是国内最早的从事石墨烯制备、性能检测及应用产品开发的公司之一,注册资本11000万元,有办公用房300多平方米,厂房和洁净室3000多平方米。核心研发团队主要由国内外知名高校博士组成,部分成员来自于2010年诺贝尔物理学奖小组,项目技术处于国际领先地位,在石墨烯领域拥有专利30余项。企业管理团队有丰富的成功创业经验,创新意识强,公司客户遍布全球。2、高质量二维晶体材料简介:二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料。巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外,还联合荷兰HQ Graphene为全球客户提供高质量的类石墨烯二维晶体材料,并提供定制服务,以满足客户的不同需求。 名称:二硫化钼单晶(MoS2)-合成纯度:>99.995% 尺寸:~10 mm-20 mm 属性:半导体
  • 二硫化钼-大15x20mm
    分类:半导体中文名称:二硫化钼-大15x20mm英文名称:MoS - Large 2 15x20mm 纯度:≥99.995%
  • 二硫化钼晶体(天然/99%)MoS2(Molybdenum Disulfide)
    二硫化钼晶体(天然) MoS2(Molybdenum Disulfide)晶体结构:六边形类型:天然晶体尺寸:~10mm-20mm纯度:99%属性:半导体
  • 二硫化钼晶体(2H-合成/99.995%/p 型) MoS2-syn
    二硫化钼晶体(2H-合成/99.995%/p 型) MoS2(Molybdenum Disulfide)-syn晶体尺寸:~10毫米电学性能:P型半导体晶体结构:六边形晶胞参数:a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90°, γ = 120°晶体类型:合成晶体纯度:>99.995% X-ray diffraction on a 2H-MoS2 single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 2, 4, 6, 8, 10Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal MoS2. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. Stoichiometric analysis of a single crystal MoS2 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).Raman spectrum of a single crystal MoS2. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.
  • 定制单层二硫化钼-带电极
    1.将单层硫化钼转移至衬底(衬底可根据客户需求选定)2.边长15um (三角形)片内层数均匀3.衬底上转移3个(数量可定制)带电极的单层硫化钼样品4.电极间距:~5um光学图片SEM表征图SEM表征图(全貌)拉曼测试图PL测试图
  • 单层二硫化钼-纳米尺寸单层二硫化钼
    参数:制备方法:锂基插层法组成:单分子层,具有小尺寸的二硫化物外观:黑色粉末或分散体直径:20-500 nm,主要集中在100-200 nm厚度:1纳米单分子层比例:95%Parameter:Preparation Method:Lithium-based Intercalation MethodComposition: Monolayer Tungsten disulfide with small sizeAppearance: Black powder or dispersionDiameter: 20-500 nm, mainly concentrate in 100-200 nmThickness: ~1 nmMonolayer ratio: =95%
  • 二硫化钼晶体(2H-合成/99.995%/n型) MoS2-syn-N ty
    二硫化钼晶体(2H-合成/99.995%/n 型) MoS2(Molybdenum Disulfide)-syn晶体尺寸:~10毫米电学性能:N型半导体晶体结构:六边形晶胞参数:a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90°, γ = 120°晶体类型:合成晶体纯度:>99.995% X-ray diffraction on a 2H-MoS2 single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 2, 4, 6, 8, 10Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal MoS2. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. Stoichiometric analysis of a single crystal MoS2 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).Raman spectrum of a single crystal MoS2. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.
  • 大尺寸二硫化钼晶体(天然/99.9%) MoS2(Molybdenum Disulfide)
    大尺寸二硫化钼晶体(天然/99.9%) MoS2(Molybdenum Disulfide)晶体尺寸:~10毫米- 15毫米电学性能:半导体晶体结构:六边形晶胞参数:a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90°, γ = 120°晶体类型:合成晶体纯度:>99.9% X-ray diffraction on a natural MoS2 single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 2, 4, 6, 8, 10Powder X-ray diffraction (XRD) of a natural MoS2. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. Stoichiometric analysis of a natural crystal MoS2 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).Raman spectrum of a natural MoS2. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.
  • 单层二硫化钨-单层二硫化钨
    参数:制备方法:锂基插层法组成:单层二硫化钨外观:黑色粉末或分散体直径:0.1-4um厚度:1纳米单分子层比例:95%Parameter:Preparation Method:Lithium-based Intercalation MethodComposition: Monolayer Tungsten disulfideAppearance: Black Powder or dispersionDiameter: 0.1-4 μmThickness: ~1 nmMonolayer ratio: =95%
  • 二硫化铪
    简介:二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料,巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外,还联合美国2D Semiconductors为全球客户提供高质量的二维晶体材料、粉体、溶液、薄膜等材料,并提供定制服务,以满足客户的不同需求。二硫化铪HfS?
  • 基于二氧化硅衬底的全区域覆盖的单层二硫化钼
    This product contains full area coverage MoS2 monolayers on SiO2/Si substrates. Sample size measures 1cm in size and the entire sample surface contains monolayer thick MoS2 sheet. Synthesized full area coverage monolayer MoS2 is highly luminescent and Raman spectroscopy studies also confirm the monolayer thickness. In comparison to full area coverage MoS2 on sapphire, full area coverage MoS2 on SiO2/Si display higher PL intensity.Sample Properties. Sample size1cm x 1cm square shapedSubstrate typeThermal oxide (SiO2/Si) substrates CoverageFull Coverage MonolayerElectrical properties1.85 eV Direct Bandgap SemiconductorCrystal structure Hexagonal PhaseUnit cell parametersa = b = 0.313 nm, c = 1.230 nm,α = β = 90°, γ = 120°Production method Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition (APCVD)Characterization methodsRaman, photoluminescence, TEM, EDSSpecifications1) Identification. Full coverage 100% monolayer MoS2 uniformly covered across SiO2/Si substrates.2) Physical dimensions. One centimeter in size. Larger sizes up to 2-inch wafer-scale available upon requests.3) Smoothness. Atomically smooth surface with roughness 0.2 nm.4) Uniformity. Highly uniform surface morphology. MoS2 monolayers uniformly cover across the SiO2/Si substrates. 5) Purity. 99.9995% purity as determined by nano-SIMS measurements6) Reliability. Repeatable Raman and photoluminescence response7) Crystallinity. High crystalline quality, Raman response, and photoluminescence emission comparable to single crystalline monolayer flakes.8) Substrate. SiO2/Si substrates. But our research and development team can transfer MoS2 monolayers onto variety of substrates including PET and quartz without significantcompromisation of material quality.9) Defect profile. MoS2 monolayers do not contain intentional dopants or defects. However, our technical staff can produce defected MoS2 using α-bombardment technique.Supporting datasets [for 100% Full area coverage on SiO2/Si]Transmission electron images (TEM) acquired from CVD grown full area coverage MoS2 monolayers on SiO2/Si confirming highly crystalline nature of monolayers Energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX) characterization on CVD grown full area coverage MoS2 on SiO2/Si confirming Mo:S 1:2 ratios Room temperature photoluminescence spectroscopy (PL) and Raman spectroscopy (Raman) measurements performed on CVD grown full area coverage MoS2 monolayers on SiO2/Si. Raman spectroscopy measurement confirm monolayer nature of the CVD grown samples and PL spectrum display sharp and bright PL peak located at 1.85 eV in agreement with the literature.
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