二硅化钽

仪器简介：硅光电探测器（Si）&mdash &mdash &mdash 室温型探测器，波长范围：200-1100nm技术参数：型号列表及主要技术指标：技术指标＼型号名称 DSi200 紫敏硅探测器 DSi300 硅探测器 进口紫外增强型 国产低暗电流型有效接收面积(mm2) 100(&Phi 11.28) 100(10× 10)波长范围(nm) 200-1100 300-1100峰值波长(nm) ------- 800± 20峰值波长响应度(A/W) 0.52 0.4254nm的响应度(A/W) 0.14(0.09) -------响应时间(&mu s) 5.9 -------工作温度范围(℃) -10～+60 -------储存温度范围(℃) -20～+70 -------分流电阻RSH(M&Omega ) 10(5) -------等效噪声功率NEP (W/&radic Hz) 4.5× 10-13 -------暗电流(25℃；-1V) ------- 1X10-8&mdash 5× 10-11 A结电容(pf) 4500 3000(-10V)信号输出模式 电流 电流输出信号极性 正（P） 正（P）主要特点：■ DSi200/DSi300硅光电探测器硅光电探测器（Si）&mdash &mdash &mdash 室温型探测器，波长范围：200-1100nm两种型号的探测器室的外观相同，其中：◆ DSi200型内装进口紫敏硅光电探测器◆ DSi300型内装国产低暗电流硅光电探测器◆ 推荐配合I-V放大器（型号：ZAMP）使用 硅光电探测器使用建议：◆ DSi200/DSi300均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85做为前级放大并转换为电压信号，标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；◆ DSi200/DSi300配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；◆ DSi200/DSi300配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器。

RS系列一体化导轨电动滑台（工业）说明：RS 系列产品是北京卓立汉光仪器有限公司为解决小尺寸（尤其是超薄尺寸）、高重复使用频率、高精度等情况专门设计的R 型一体化导轨电动滑台。该系列产品主体材料采用SUS440 不锈钢， 具有非常优秀的刚性和耐腐蚀能力。R 型一体化导轨不但可以做到超薄尺寸，而且强度高、负载能力强、耐用性好，使该系列产品具有较高的运动精度。驱动机构采用进口滚珠丝杠（1mm 导程），标配二相步进电机（日本品牌），可提供较高的分辨率和定位精度。该系列产品非常适合集成在对空间、尺寸、精度要求较高的自动化设备、精密仪器设备中，也比较适合使用在运动范围较小、往复频率高的工业生产线中。 RS系列一体化导轨电动滑台（工业）特点： l 主体材料为SUS440不锈钢，刚性好、耐腐蚀能力强l 采用进口小导程滚珠丝杠，标配（进口）二相步进电机l 采用R型一体化导轨，超薄尺寸、强度高、负载能力强、耐用性好l 外置三个光电开关（正负限位及零位），采用高柔线缆并实现线缆模组化，维护更方便 型号RS15-40 RS20-60 机械规格行程（mm） 15 20 台面尺寸（mm） 40×40 60×60 台面厚度（mm） 20 丝杠Φ6导程1mm，滚珠丝杠导轨R型一体化导轨主体材料及表面处理SUS440不锈钢，本色自重（kg） 0.5 0.7 联轴器（外径-孔径1-孔径2）（mm） 12-3-5 精度规格分辨率（整步/半步，μm） 5 / 2.5 最大速度（mm/s）* 10 单向定位精度（μm） ＜20 重复定位精度（μm） ＜±3 回程间隙（空转或反转定位精度）（μm） ＜5 静态平行度（μm） ＜40 运动直线度（μm） ＜10 电气规格电机及步距角（°） 二相28步进，1.8 工作电流（A） 1.3 电机保持转矩（mNm） 78.5 电机厂牌及型号信浓，STP-28D1003-0805 驱动器厂牌及型号（另配） 鸣志，SR2 滑台接头DB9（针） 滑台接头线缆类型高柔性线缆（德国和柔） 滑台接头线缆长度（m） 0.2 原点传感器（外置） 1个GP1S092HCPI（日本SHARP） 限位传感器（外置） 2个GP1S092HCPI（日本SHARP） 传感器电源电压DC5～24V ±10% 传感器控制输出NPN开路集电极输出；DC5～24V 8mA以下残留电压0.3V以下（负载电流2mA时） 输出逻辑检测（遮光）时：输出晶体管ON（导通） 负载水平负载（kg） 5 8 倒置负载（kg） 2 3 竖直负载（kg） 3 4 *注：最大速度是在空载情况下，按照步进电机600转/分钟的理论计算速度和实际测试值。

二硅化钼保护管主要成分为二硅化钼，规格主要是说壁厚与孔的大小，长度越长的二硅化钼保护管，在烧结过程中因为目前工艺限制，有些不可抗拒的问题，如管的直度，同轴度等。在制作中，一般都要考虑在内，二硅化钼制品越长的二硅化钼需要注意的更多。 一般使用规格为壁厚5毫米-6毫米左右，规格为8/18，,,12/25，16/25,10/20,20/32甚至更大规格，因二硅化钼密度比较大，越大的规格重量也相应较大，单纯的依靠胶粘在高温下无法满足固定需求，经过长期实践，在二硅化钼固定处采取打孔挂螺丝固定，可有效解决胶粘固定脱落问题，也可做出异型加工件。根据其应用特性，材料主要为二硅化钼及稀有金属添加剂，以达到耐高温，耐腐蚀，延长的特点。 二硅化钼保护管主要用于电厂，玻璃窑炉，钢厂热风管道测温的保护管，与刚玉相比，二硅化钼不容易炸裂，瞬间高温然后空气冷却，不会因为应力集中而拉断，在硅钼棒电热元件整形当中，几秒内升温支1600度，然后空气冷却。反复几百次对二硅化钼来说没有丝毫影响，主要用于高温领域，列如碳化硅保护管应用在1350度，重结晶的碳化硅使用在1400多度，但是寿命不是很理想，虽然便宜，但是更换频繁，间接的增加了用工成本及材料成本。二硅化钼适合温度为1300-1650度，这个范围是二硅化钼的软化范围，测温时被测温的产品不能有所搅动，以免对造成二硅化钼的形变，缩短二硅化钼保护管的使用寿命。

二硅化钼复合材料属于金属化合物,是一类介于金属与陶瓷间的新型材料，其典型代表是二硅化钼发热元件，二硅化钼粉涂层.作为一种重要的髙温发热材料和结构材料,二硅化钼在高温下稳定的物理性能引起国际材料界的兴趣，近十年来成为高温结构陶瓷的研究热点.二 硅化钼不但具有熔点高、密度低、高温抗氧化性及抗热 腐蚀性等性能，同时又有较好的高温韧性，因此被誉为 有前途的高温材料之一.目前，国内外在对二硅化钼的研究上，集中在髙温发热体、高温结构材料、功能,涂层材料等方向. 二硅化钼电热元件(硅钼棒)在氧化气氛中使用时，表面能形成一层致密、气密性好的玻璃态二氧化硅膜，二氧化硅膜减弱了氧向内部的扩散，有效阻止了硅钼棒的进一步氧化，这是硅钼棒氧化气氛中使用时能维持较长的高温寿命的原因.因此，高温下硅钼棒表面保护膜的质量和稳定性对二硅化钼的使用性能具有重要的意义，同时二硅化钼的高、低温力学性能、抗热震性、冷热端结合性能等也是影响二硅化钼使用性能的重要因素。

二硅化钼（MoSi2）是Mo-Si二元合金系中含硅量 偏高的一种中间相，晶体为四方结构，是成分固定的道尔顿金属间化合物，灰黑色，有金属光泽。具有良好的导电性和导热性，力学性能和高温抗养化性能，可用作发热元件，性能超过碳化硅。其早期的应用就是作为金属基体表面耐高温抗腐蚀的涂层保护材料，最开始应用于燃气轮机零部件、喷气发动机燃烧室及导弹燃烧室的涂层。如今，二硅化钼材料广泛应用在电热元件、高温抗氧化涂层、结构材料、集成电路薄膜等，在玻璃窑炉中做气体取样管，电熔玻璃电及、热偶保护管，鼓泡管等。 郑州毅信窑炉有限公司供应直销二硅化钼鼓泡管，1孔，2孔，3孔，4孔，5孔，6孔，7孔，8孔，9孔，长度，直径可根据需求进行加工定做，产品密度大，纯度高，耐急冷急热，欢迎来电。

二硅化钼保护管是郑州毅信窑炉有限公司的主营产品之一，底部加厚密封，壁厚均匀，耐急冷急热，部分现货，可定做带孔二硅化钼保护管，技术经验丰富，如有相关问题或需要订购，欢迎咨询。 二硅化钼保护管由于具有良好的物理化学稳定性能，常被用于氧化，还原，氧化-还原交替气氛，及熔融金属等中兴、某些化学腐蚀性气体介质中，能够很好地隔绝这些气氛，保护热电偶。已被广泛用于冶金、陶瓷、耐火材料等行业中。 二硅化钼保护管是陶瓷制品，在常温下硬而脆，因此安装运输中应避免碰撞，用力过猛。保护管常用的还有碳化硅保护管，刚玉保护管，选用时要选取适合自己用的。二硅化钼保护管较刚玉管耐冲击性好，机械性能好。碳化硅保护管使用温度在1400多度，但是使用寿命不理想，虽然便宜，但是更换频繁，间接增加了成本。

仪器简介：硅光电二极管探测器分为双波长发射二极管与接收管，硅光电二极管探测器，雪崩二极管 三种不同系列产品，其中硅光电二极管探测器包含光导/光伏型光电探测器，紫外增强探测器，单点软X射线探测器，位置探测器这四种探测器。技术参数：双波长发射二极管与接收管1.陶瓷或塑料封装；发射管有背对背（二引脚）和共阳极（三引脚）连接方式。 2.660nm LED峰值波长偏差小于+/-3nm, 半波宽小于25nm，保证了测量数据的精准度。 3.相应提供最佳匹配度的探测器，可使仪器的设计更简单可靠。 4.发射管主要型号：DLED-660/905-CSL-2 ；DLED-660/940-CSL-3 DLED-660/880-CSL-2 DLED-660/895-CSL-2 DLED-660/905-LLS-2(陶瓷封装)；DLED-660/940-LLS-3(陶瓷封装) 5.接收管型号：PIN-8.0-CSL；PIN-4.0-CSL；PIN-8.0-LLS(陶瓷封装)；PIN-4.0-CSL(陶瓷封装)硅光电二极管探测器1.波长范围：350-1100nm 2.高速响应：光导型加偏压10ns 3.低暗电流：0.01nA 4.高灵敏度：0.65A/W紫外增强探测器1.高灵敏度：0.14A/W@254nm2.反转通道型:*100%内量子效率 3.平面扩散型：红外截止，高稳定度单点软X射线探测器1.探测范围：6eV-17600eV 2.直接探测，不需要闪烁体 3.不需要偏压 4.高量子效率，低噪声 5.真空低温可适应位置探测器1.四象限和线性位置探测； 高精度，高分辨率，高速响应； 2.在长时间和温度变化下仍何以保持高稳定性；雪崩二极管1.响应峰值波长: 820nm 2.响应速度快： 0.4ns @850nm,G=100 (APD-300) 3.高灵敏度： 42A/W @850nm, G=100 4.低偏置电压高增益：G=100@200V5.标准TO封装方式： TO-18；TO-5 6.有平面窗和适合光纤应用的球透镜可选；主要特点：双波长发射二极管与接收管应用：血氧探头（SpO2）；血液分析；比例测量相关仪器硅光电二极管探测器 光导/光伏型光电探测器应用：光脉冲探测；光通信；条码读取；医疗设备；高速光度测量紫外增强探测器应用：污染监测；紫外荧光；紫外线测试；水质净化；紫外线验钞单点软X射线探测器应用：X光医疗设备；放射量测定；X光光谱仪；带电粒子探测位置探测器应用：光路准直；位置测量；测绘；导航系统；表面分析雪崩二极管应用：激光测距；高速光通讯；条码读取仪；光遥控；医疗仪器

二硅化钼保护管是郑州毅信窑炉有限公司的主营产品之一，底部加厚密封，壁厚均匀，耐急冷急热，部分现货，可定做带孔二硅化钼保护管，技术经验丰富，如咱有相关问题或需要订购，欢迎来电。 二硅化钼保护管属于金属陶瓷管类保护管，对热电偶或其它需要保护的电热元件起到与工作环境隔离的作用，能延长热电偶或电热元件的使用寿命。二硅化钼保护管是在硅钼棒元件的材料基础上开发的又一种介于金属和陶瓷之间的耐高温产品。它与其它同类产品相比具有更郝的抗热冲击性， 抗养化性，气密性和机械性能。具有耐高温腐蚀，热稳定性好等特点。适合在氧化，还原，氧化与还原交替，某些化学腐蚀气体，熔化金属等介质环境中使用。用在天然气，化肥，石油化工，煤化工等行业的测温元件保护方面，效果优于其它种类的保护管。 二硅化钼保护管是采用二硅化钼粉经成型，烧制，测试等工序制作而成。由于制作工艺难度较大，成品率低，成品用的久，一次采购几支的二硅化钼保护管单支价格都在800左右，其中模具费用比较高。常用规格直径为10-35mm，壁厚在5-10mm之间。壁厚在5mm以下的容易破裂，使用寿命较短，所以不建议做壁厚在5mm以下的二硅化钼保护管。

二硅化钼鼓泡管是郑州毅信窑炉有限公司的主营产品之一，产品密度大，同轴度好，垂直度高，耐急冷急热，如有相关问题或需要订购，欢迎咨询。 我司2012年成立，主营电热元件各种规格硅碳棒、各种规格硅钼棒，1700硅钼棒，1800硅钼棒，及配套夹具连接带，二硅化钼保护管，二硅化钼鼓泡管，氧化锆保护管等高温窑炉附件，10年来解决了很多客户的疑难问题，也得到了不少客户的长期支持，有相关问题或需要，欢迎来电。 二硅化钼鼓泡管主要应用于玻璃窑池中，通入干净的压缩空气，改善窑池上下温差，通过微量的气泡带走玻璃池中的小气泡及微量杂质，进而提高玻璃的纯度及质量。 鼓泡管主要材料为二硅化钼，分单孔、双孔或多孔，单孔的一头封口直径是保护管，多孔的两端不封口用在高温下通气是鼓泡管，鼓泡管1-9孔都有使用，直径一般在12-30mm,长度在100-1200mm。9孔二硅化钼鼓泡管，是直径16孔位较多的一种，大约1mm左右，可以清除更加细微的杂质，使玻璃纯度更高。郑州毅信窑炉有限公司经过不断地研发，经表面物理方式处理，提高了二硅化钼在玻璃再玻璃窑池中的纯度，减少二次污染，更有利于玻璃的生产加工。

二硅化钼鼓泡管常见直径14、16、20；孔径从1孔到九孔，4孔、9孔使用较多；长度在500-1200毫米之间。郑州毅信窑炉有限公司二硅化钼鼓泡管耐高温，纯度高。孔径细小均匀可以过滤玻璃中的小杂质，提高玻璃的生产质量。 二硅化钼鼓泡管主要成分是二硅化钼，化学式MOsi2,属四方晶体结构,是Mo-Si二元合金系中含硅量 高的一种中间相，是成分固定的道尔顿金属间化合物，灰色，有金属光泽。具有耐高温特性，优宜的抗养化性，导电性、导热性，还有一定的机械性能，是制作高温发热元件、热电偶保护管、鼓泡管的好材料。同硅钼棒类似，二硅化钼产品本身并不具有高温抗氧化性，而是在高温养化气氛下，二硅化钼鼓泡管表面生成一层致密的高熔点的二氧化硅保护膜，这层膜抑制了产品继续氧化。二硅化钼鼓泡管性质：密度：5.5-5.6kg/cm3 气孔率： 5% 吸水率：1.2% 维氏硬度 ：（HV）570kg/mm2。 二硅化钼鼓泡管也是金属陶瓷制品，安装使用过程中应避免发生碰撞，对其施加外力。鼓泡管也有其他材质的，如钨鼓泡管、玻璃鼓泡管，钼鼓泡管等，我司主要生产二硅化钼鼓泡管，欢迎咨询。

二硅化钼鼓泡管在玻璃行业中使用有着不可替代的作用，鼓泡管安装在玻璃窑池中，通过专业干净的压缩空气往玻璃窑池中通入干净的空气，可改善窑池上下温差，通过微量的气泡带走玻璃池中的小气泡及微量杂质，提高玻璃的纯度及质量。郑州毅信窑炉有限公司的二硅化钼产品经多年改进革新，经表面物理方式处理，可提高二硅化钼在玻璃窑池中的纯度，减少二次污染。 二硅化钼M是Mo－Si二元合金系中含硅量高的一种中间相，是成分固定的道尔顿型金属间化合物。具有金属与陶瓷的双重特性，是一种性能优宜的高温材料。好的高温抗养化性，抗养化温度高达1600℃以上，与SiC相当；有适中的密度(6.24g/cm3)；较低的热膨胀系数(8.1×10-6K-1)；良好的电热传导性；虽然二硅化钼具有在1000℃以上高温下有高的抗养化性和杨氏模量，但低温时易脆，另外超过1200℃高温会丧失蠕变能力而阻碍了其作为结构材料的应用，但结合其他材料作为复合材料来提供移动效果。二硅化钼及以其为基础的材料通常由烧结制得，二硅化钼保护管等。通过等离子喷涂可用以生产致密的整体式和复合形式制作的材料，为了快速冷却，通常还会包含少量β-改性的利用二硅化钼的耐高温性能的特点，将其制成鼓泡管，广泛应用于玻璃行业中进行玻璃液提纯。九孔二硅化钼鼓泡管是目前在16直径上孔位多的一种，大约1毫米直径左右的空隙在通过压缩机注入空气进入玻璃液，可以清除更加细微的杂质，使玻璃纯度更高。

二硅化钼保护管直径一般12-30mm，长度一般500-1200毫米，其中600、850、1000订做较多，壁厚一般不低于5毫米，常见8/16/，10/20，13/25,16/25,20/32等。二硅化钼保护管在烧结过程中因为目前工艺限制，有些不可抗拒的问题，如管的直度，同轴度等。在制作中，一般都要考虑在内，二硅化钼制品越长的二硅化钼需要注意的更多，成品率低，二硅化钼保护管价格相对偏高，根据长度、壁厚的差异，价格会有所区别，一般都在800元以上。 二硅化钼化钼保护管是我司的主营产品之一，产品质量稳定，底部加厚密封，耐急冷急热，导热性能好，如有相关问题或需要产品，欢迎来电。

我公司独特的半导体处理技术生产的硅光电二极管，涵盖了从近红外到紫外直至高能波长区域等宽广的波长范围。它们具有快速相应、高灵敏、低噪声的特性，广泛地应用于医疗和分析领域、科学计测、光通信以及一般性电子产品等。滨松提供硅光电二极管及阵列及模块、带放大器的Si光电二极管阵列、InGaAs 光电二极管及阵列、MSM光电探测器、平衡探测器、光学模块，以及光电传感器放大器、电荷放大器等附件产品。从金属、陶瓷、塑料封装到表面贴装，多种包装配备齐全，而且滨松还可以依据用户要求提供专门的设计产品。

U型直角硅钼棒主要用于窑炉设计空间狭小且炉温要求均匀的炉子中或产品需要层层烧结的时候，整个直角能有效均匀发热，常用于科研单位、企业、高校实验室电炉及部分工业窑炉。有1700型直角硅钼棒，1800冷弯直角硅钼棒，1800热弯直角硅钼棒之分。硅钼棒的性能与金属陶瓷材料相似，在室温下既硬又脆，抗冲击强度较低；抗弯、抗拉强度较好 在1350℃以上便会发生塑性变形。冷热急变性良好，冷却后恢复脆性。硅钼棒的电阻率较小，其电阻-温度特性与金属的相似，为正温度特性，从室温到高温，电阻率随温度增长较快，电阻不随使用时间的延长而增长。1800型硅钼棒用于高温型试验炉子，炉内温度可达1700-1750度，可选用热端直径6mm，冷端为12mm，当然有时候电炉很小的话可用直径3/6的。选用合适规格的硅钼棒对电炉来说是非常关键的，一看使用温度，二看使用功率，三是电压。一般情况下根据炉膛的长度，排布开来，基本上都是U型硅钼棒。有的厂家想升温快，可以使硅钼棒的热端直径适当的加粗一毫米，但是安装电炉硅钼棒数量就是要有功率以及电压的来决定，棒与棒之间的距离不小于棒的冷端圆心距。

适用范围:适合中等温度应用的炉子，温度位于VP和LH炉之间。碳硅棒是实现较高工作温度的低成本方案。维护量低、使用寿命长、比VP炉中使用的二硅化钼加热元件的抗热冲击属性更好。LHS炉的高密度碳硅棒排列可实现快速升温。只需40分钟温度就可以上升至1400 °C。与VP相比，LHS更轻，体积更小。标准配件包括:• HT205控制器（30组程序，每组15个步骤）• 位于炉侧边的碳硅棒• 矿物纤维保温板• 外壳强制冷却• B型热电偶• 无接触式固态继电器，运行安静• 炉门配备有安全开关，确保炉门可以安全开启• 炉门手动向上开启• 桌面式设计另付可选配件① 保护气氛输入口 ② 保护底板 ③ 带有排风扇的喷嘴和用来排烟的通风分流器（需配备HT40P控制器） ④ 控制器输入测量校对 ⑤ RS232或EIA485接口（包括数据线和软件） ⑥ HTMonit套件（软件和接口）型号最高温度长期使用最高温度容量外部尺寸(wxhxd)内部尺寸(wxhxd)输入重量保护*电压最大载重°C°Clmmmmkwkg16/3VkgLHS 03/14140013505440x565x600120x120x2104.55016/34002LHS 08/14140013508.4490x615x680170x170x2908.06016/34005LHS 15/141400135014.4550x670x710220x220x31010.510016/34008LHS 03/15150014505440x565x600120x120x2104.55016/34002LHS 08/15150014508.4490x615x680170x170x2908.06016/34005LHS 15/151500145014.4550x670x710220x220x31010.510016/34008

实验室：自动化 | 合规 | 质量Caliber公司是一家专门开发实验室管理软件系统的IT公司，通过可靠、高效、安全的软件系统，致力于帮助客户解决质量保证和管理，数据安全性和完整性，员工能力培训，生产批记录等方面的实际问题，实现客户实验室的优异运营。Caliber公司的产品超越了传统的信息及数据管理，能够为客户提供全方位集成化的质量管理解决方案。Caliber公司的解决方案包含多种可高度客户化的定制产品，同时适用于各类管制与非管制行业，可以满足医药生产、医疗器械、药物研发、化工、以及商业实验室等不同用户的特殊需求。l CaliberLIMS：实验室信息管理系统（LABORATORY INFORMATION MANAGEMENT SYSTEM）l CaliberQAMS：质量保证管理系统（QUALITY ASSURANCE MANAGEMENT SYSTEM）l CaliberDMS：文档管理系统（DOCUMENT MANAGEMENT SYSTEM）l CaliberEBRMS：电子批记录管理系统（ELECTRONIC BATCH RECORDS MANAGEMENT SYSTEM）l NICHELON5：业务能力管理系统（COMPETENCY MANAGEMENT SYSTEM）l CaliberAPQR：年度产品质量报告系统（ANNUAL PRODUCT QUALITY REPORT）l CaliberDASHBOARDS：数据仪表盘（DASHBOARDS）Caliber公司拥有近20年的行业经验，在全球已经有170多个系统在运行，为7万多用户，尤其是制药行业客户提供专业服务，打造符合最严格法规要求的、自动化流程的质量体系。

硅/硅微条探测器常用于带电粒子测量，当探测器在加有一定反向偏压并正常工作时，如果具有一定能量的带电粒子注入硅探测器，由于粒子对半导体材料的电离作用，会产生大量的电子空穴对。由于每产生一对电子空穴对需要的电离能是一定的（约为3 eV），因此产生的总的电子空穴对数目与粒子在探测器中损失的能量成正比。硅探测器对电离产生的电子空穴对进行收集，得到的电信号幅度就正比于粒子在探测器中的能量损失，可以准确的测量带电粒子能谱。同时，由于硅探测器对信号的时间响应较快，还可用于带电粒子的定时测量。硅微条探测器是在硅片表面通过蚀刻工艺，将硅片分割成多个独立的有效探测区域，通过不同的信号来源判断粒子位置和方向。硅/硅微条探测器广泛接受用户定制，根据用户需要提供合适的探测器。

应用：适合中等温度应用的炉子，温度位于VP和LH炉之间.碳硅棒是实现较高工作温度的低成本方案。维护量低、使用寿命长、比VP炉中使用的二硅化钼加热元件的抗热冲击属性更好。LHS炉的高密度碳硅棒排列可实现快速升温。只需40分钟温度就可以上升至1400 °C。与VP相比，LHS更轻，体积更小。标准配置：&bull HT205控制器（30组程序，每组15个步骤，带LAN接口）&bull 硅碳棒&bull 外壳强制冷却风扇&bull B型热电偶&bull 无接触式固态继电器&bull 炉门配备有安全开关&bull 炉门手动向上开启&bull 桌面式设计可选附件：&bull 保护气氛输入口&bull 保护底板&bull 带有排风扇的烟囱和用来排烟的通风分流器&bull 控制器输入测量校准&bull RS232或EIA485接口（包括数据线）&bull HTMonit套件（软件和接口）*所选配件不同，保护也会有所差异。

应用：适合中等温度应用的炉子，温度位于VP和LH炉之间.碳硅棒是实现较高工作温度的低成本方案。维护量低、使用寿命长、比VP炉中使用的二硅化钼加热元件的抗热冲击属性更好。LHS炉的高密度碳硅棒排列可实现快速升温。只需40分钟温度就可以上升至1400 °C。与VP相比，LHS更轻，体积更小。标准配置：• HT205控制器（30组程序，每组15个步骤，带LAN接口）• 硅碳棒• 外壳强制冷却风扇• B型热电偶• 无接触式固态继电器• 炉门配备有安全开关• 炉门手动向上开启• 桌面式设计可选附件：• 保护气氛输入口• 保护底板• 带有排风扇的烟囱和用来排烟的通风分流器• 控制器输入测量校准• RS232或EIA485接口（包括数据线）• HTMonit套件（软件和接口）*所选配件不同，保护也会有所差异。

应用：适合中等温度应用的炉子，温度位于VP和LH炉之间.碳硅棒是实现较高工作温度的低成本方案。维护量低、使用寿命长、比VP炉中使用的二硅化钼加热元件的抗热冲击属性更好。LHS炉的高密度碳硅棒排列可实现快速升温。只需40分钟温度就可以上升至1400 °C。与VP相比，LHS更轻，体积更小。标准配置：&bull HT205控制器（30组程序，每组15个步骤，带LAN接口）&bull 硅碳棒&bull 外壳强制冷却风扇&bull B型热电偶&bull 无接触式固态继电器&bull 炉门配备有安全开关&bull 炉门手动向上开启&bull 桌面式设计可选附件：&bull 保护气氛输入口&bull 保护底板&bull 带有排风扇的烟囱和用来排烟的通风分流器&bull 控制器输入测量校准&bull RS232或EIA485接口（包括数据线）&bull HTMonit套件（软件和接口）*所选配件不同，保护也会有所差异。

带干涉滤光片，适合单色光（254nm）探测的硅光电二极管S12742-254的窗口使用干涉滤光片，只对单色光灵敏。其光谱响应宽度极窄，只有10nm（FWHM），可以屏蔽杂散光，精确地进行光度计测。其典型峰值波长为254nm，也可以接受客户定制，改变其峰值波长，比如340nm、560nm、650nm等。产品特性-带干涉滤光片的硅光电二极管-单色光（254nm）探测详细参数感光面积3.6 × 3.6 mm像元个数1冷却方式Non-cooled封装Metal反向电压 (最大值)5 V光谱响应范围252 to 256 nm光敏度 (典型值)0.018 A/W暗电流 (最大值)25 pA峰值灵敏度波长(典型值)254 nm上升时间 (典型值.)1 μs结电容(典型值)500 pF测量条件Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted,Photosensitivity: λ=254 nm, Dark current: VR=10 mV, Terminal capacitance: VR=0 V, f=10 kHz光谱响应外形尺寸（单位：mm）

硅钼棒电热元件产品广泛应用于玻璃、陶瓷、耐火材料、冶金、炼钢、晶体、电子元器件、半导体材料的研究、生产制造等领域。是一种以二硅化钼为基础制成的耐高温、抗氧化的电阻发热元件。在高温氧化性气氛下使用时，同其它Si基耐高温材料一样，MoSi2表面会在高温和氧化气氛下生成一层光亮致密的石英（SiO2）玻璃膜保护层，能够保护硅钼棒内层不再被进一步氧化。硅钼棒具有较高的熔点和高温强度。电热元件在高温工作温度中，可以保持不熔化，不挥发，不发生明显的蠕变和塌陷。良好的高温抗氧化性，能长时间稳定工作。一般金属合金加热到一定温度后，表层氧化膜就会破坏，氧向内层扩散。氧化增加，形成氧化皮，通常称此温度为金属或合金的耐氧化界限温度。元件材料长期工作的温度需低于此温度。硅钼棒表面形成的保护层为致密的二氧化硅玻璃膜，熔点高，挥发后，继续使用可再形成，硅钼棒具有较高的耐氧化界限温度，具有良好的高温抗氧化性。较小的膨胀系数。在开炉、停炉或炉温波动时电热元件将发生热胀冷缩，过大的膨胀系数会造成反复过度伸长和收缩，产生较大的应力，使元件表面的氧化膜破坏，氧化加速，从而使电热元件过早失效，在安装电热元件时应注意留有充分的膨胀余地。较好的塑性，以便于加工成形和维修。良好的抗蚀性，电热元件在炉内使用的时候，会受到不同程度的腐蚀，其对各种气体介质的抗蚀能力，在腐蚀性气氛中工作时，应降低其使用温度。较大的电阻率和较小的电阻温度系数，在开炉、停炉或炉温波动时，电热元件长度较短，便于安装。郑州毅信窑炉有限公司，高温元件硅钼棒硅碳棒生产厂家，配套夹具齐全。硅钼棒产品品质原料，发热均匀，焊接牢固，半成品规格全，备货充足，下单快速发货，用心售后，经验丰富，提供相关技术服务。

无线功率计，带硅光电二极管探头用于400-1100 nm范围的探头测量光功率范围从10 nW到2 mW，使用滑动中性密度滤光片时可达200 mW超薄3.5 mm探头端(带中性密滤光片时厚度为6 mm)包含可拆除的SM05螺纹转接件 PM160无线功率计包含一个灵敏的硅光电二极管探测器，它与便携式功率计相连接，带有内置有机LED(OLED)显示器。Ø 9.5 mm(Ø 0.37英寸)的探头设计用于探测400到1100 nm波长范围内10 nW到2 mW的光功率。PM160还可以与可滑动中性密度滤光片配合使用，从而将最大可测量光功率从2 mW提高到200 mW。该产品可以自动探测中性密度滤光片的位置，从而正确显示校正后的功率测量结果。在使用中性滤光片的时候，只需将其向手柄方向滑动，直到将其固定在探测器上方。每个PM160功率计都经过校准能精确地将探测信号转化成显示功率读数，且都包含一份校准证书。要确保精确测量，我们建议每年校准一次。可在下方订购重新校准服务(型号CAL-PD2)。功率计上带有3个螺孔，可以兼容8-32和M4螺丝，从而让功率计可以在各种方向安装接杆。该产品包含一个SM05外螺纹(0.535"-40)转接板，可在整个滤光片外壳或探头臂末端滑动并卡住。当转接板安装到可滑动中性密度滤光片上，整个组合仍然可以在探头臂上下滑动。SM05外螺纹可安装其它组件，比如光纤接头转接件(见右下方表格)，可以直接连接在PM160上。我们建议在0到50°C(32到122°F)环境内使用PM160无线功率计。规格参数： Thorlabs 硅探头功率计 PM160光学类仪表

总览一, ZNTE（碲化锌）太赫兹晶体110晶向的ZnTe（碲化锌）晶体常通过光学整流来产生太赫兹振荡。光学整流效应是一种二阶非线性效应，也是一种特殊的差频效应。一定宽度的飞秒激光脉冲，拥有非常宽的频率分量，这些分量间的相互作用（主要是差频）将会产生从0到几个太赫兹的电磁波。太赫兹脉冲可通过另一个自由空间的110晶向ZnTe实现光电探测。太太赫兹光脉冲会使ZnTe晶体产生双折射，因此当太赫兹光脉冲和可见光脉冲同时在ZnTe晶体中直线传播时，可见光的偏振状态将会因此发生变化。使用λ/4波片，偏振分光体，以及平衡光电二极管，我们可以完成对可见光的偏振状态的监控，从而得知太赫兹光脉冲的振幅，延迟等各种参数。而这种监测太赫兹光脉冲的完整电磁场信息（振幅和相位延迟）的能力，是时域太赫兹光谱仪最具吸引力的特性之一。ZNTE（碲化锌）太赫兹晶体,ZNTE（碲化锌）太赫兹晶体产品特点● 太赫兹振荡能达到有非常宽的频域● 抗损伤阈值高● 非线性系数大● CO2激光的SHG● 多种尺寸可选● 客户导向的解决方案● 接受客户定制服务产品应用● 太赫兹时域系统● 太赫兹源晶体● 中远红外气体探测● CO2激光的SHG● THZ实验光源● 太赫兹成像应用领域红外光学 基板 用于真空沉积的晶体片 THz探测器 THz 发射器 光学限位器生产方法HPVB or HPVZMCAS #1315-11-3结构Cubic zincblende密度5.633 g/cm3Specific Heat0.16 J/gK例如（300 K）2.25 eVMax. 透射 (l =7-12 mm)60 %Max. specific resistivity109 Ohm´ cm折射率 (l =10.6 mm)2.7光电系数r41 (l =10.6 mm)4.0´ 10-12 m/VMax. IR-optic blank diameter/lengthÆ 38´ 20 mmMax. 单晶直径/长度:Æ 38´ 20 mm碲化锌晶体（ZnTe) 5*5*1mm Ø 25.4mm碲化锌（ZnTe)晶体，是一种具有优异电光性能的II-VI族化合物半导体，自然条件下是闪锌矿（ZB）结构,室温下带隙宽度为2.3eV，其二阶非线性系数与电光系数均较大，辐射和探测THz电磁波的效率比其他电光晶体高，因此ZnTe晶体被认为是比较好的THz辐射源和探测器材料。ZnTe晶体110方向在 800nm附近激光脉冲作用下相位匹配*****,为ZnTe晶体作为太赫兹辐射产生和探测的常规使用方向。此外，ZnTe晶体还可以广泛应用于各种光电子器件中,如绿光发光二极管、电光探测器、太阳能电池等碲化锌晶体（ZnTe) 5*5*1mm Ø 25.4mm,碲化锌晶体（ZnTe) 5*5*1mm Ø 25.4mm产品特点应用于THz产生、探测和光学限幅器晶体纯度高 99.995%-99.999%表面质量优通用参数晶格结构立方闪锌矿密度5.633g/cm3比热0.16j/gK带隙（300K）2.25eV透过率（λ=7-12um)60%电阻率109 Ohm*cm折射率（λ=10.6um)2.7电光系数r41（λ=10.6um)4.0×10-12m/V电阻率(1) Low:103Ohm*cm(2) High:109Ohm*cm封装尺寸5*5*1nmØ 25.4mm二, GaSe（硒化镓）太赫兹晶体GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。GaSe（硒化镓）太赫兹晶体,GaSe（硒化镓）太赫兹晶体产品特点● 太赫兹振荡能达到有非常宽的频域● 抗损伤阈值高● 非线性系数大● CO2激光的SHG● 多种尺寸可选● 客户导向的解决方案● 接受客户定制服务产品应用● 太赫兹时域系统● 太赫兹源晶体● 中远红外气体探测● CO2激光的SHG● THZ实验光源● 太赫兹成像三, CVD金刚石微波太赫兹窗片/透镜/分束镜微波等离子体CVD金刚石圆片：掺硼盘（蓝色）、光学级金刚石、机械级、未抛光盘。CVD金刚石最重要的性能是无与伦比的硬度，高的导热系数（1800 W/mK，是铜的五倍）宽带光学透明度，极度化学惰性，不受任何酸或其他化学物质的影响。仅在非常高的温度下（T700°C，含氧环境下）石墨化，在惰性环境中为1500℃）CVD金刚石微波太赫兹窗片/透镜/分束镜,CVD金刚石微波太赫兹窗片/透镜/分束镜产品特点● 宽光谱透射范围● 高透射率产品应用● 太赫兹波传输窗片● X射线检测● 红外光学● 外延基片技术参数PropertyValueVickers hardness*10,000 kg/mm2Young's modulus*1050 GPaPoisson's ratio0.1Density3.515 g/cm3Atom density*1.77×1023 1/cm3Thermal expansion coefficient1.0*10-6/K @300KSound velocity*17,500 m/sFriction coefficient0.1Specific heat @ 20°C0.502 J/gKDebye temperature*1860 10KBandgap5.45 eVResistivity1013 - 1016 ohmmPropertyValueTransmission225nm to far IR , 70% @ 10µ mRefractive index2.38 @ 10µ m, 2.41 @ 500nmAbsorption coefficient0.10 cm-1 @ 10µ mBandgap5.45 eVTensile strength (0.5mm thick)Nucleation surface in tensionGrowth surface in tension600 MPa400 MPaLoss tangent (tan @140 GHz) 2.0×10-5Dielectric constant5.7PropertyValueDimensionsThicknessDiameter10 - 2000 µ mup to 100 mmSurface finishShapeflat, spherical (convex & concave)Roughness 5 nm*Flatness1 fringe/cm*Wedge0 – 1°*Antireflection Coatings (visible and infrared)Spec. Transmission at 10.6 µ m 98.6 %Wavefront distortion 4 fringes at 633 nm over 30 mm*MountingDiamond windows mounted e.g. in UHV flanges (bakeable at 250°C, vacuum tight 10-10 mbar l/s)*四, 太赫兹透镜（TPX，Tsurupica，HRFZ-Si）Terahertzlabs提供TPX和HRFZ-Si等不同太赫兹材料的THz透镜。我们拥有不同的标准尺寸以及不同的焦距EFL可供客户选择。同时我们也接受定制服务，我们会根据客户提供的具体尺寸图以及所需要的THZ材料提供特殊定制服务。TPX是很硬的固体材料，可以用来加工成不同的光学元件，如透镜和窗口镜。而且通常TPX还可用在CO2激光泵浦分子激光的系统中作为输出窗口镜。因为它对整个THZ波段都是透明的，并且可以反射10微米的泵浦光。TPX窗口镜还可以在低温保持器中作为“冷”窗口。因为TPX在THZ波段的透明度和温度无关，折射率的温度系数3.0*10-4 K-1 (for the range 8-120 K)。太赫兹透镜（TPX，Tsurupica，HRFZ-Si）,太赫兹透镜（TPX，Tsurupica，HRFZ-Si）产品特点● TPX，Tsurupica，HRSi材料可供选择● 不同标准尺寸1inch，2inch● 多种焦距可供客户选择● 高透射率，高平坦度● 宽谱透射范围0.02-5 THz● 高抗张强度● 接受客户定制服务产品应用● 太赫兹时域系统● 太赫兹源窗片● 中远红外气体探测● 科学实验室研究● THZ量子级联激光器波片● 中远红外滤波片技术参数TPX主要参数：密度（g/cm3）0.83抗张强度4100psi~28.3MPa拉伸模量280000psi~1930.5MPa抗拉伸模量（%）10绕曲强度6100psi~42.1MPa绕曲模量210000psi~1447.8MPa热偏温度（℃）100融化温度（°F/℃）464/240吸收率（ASTM-D1228）（%）＜0.01透水汽性（thk25μm，40C，90%RH）（g/m2*24h）110透气性（thk100μm）（cm3/m2*d*MPa）120000TPX透镜参数：材料TPX形状平凸、双凸最大直径（mm）100mm直径公差（mm）±0.25mm有效焦距公差（mm）±1%通光口径（mm）≥90%表面直径（双面抛光）80/50 Scr/Dig表面精度（mm）±0.01mm（和理想球面和平面的差）五, THz太赫兹TPX窗片我们提供由晶体和聚合物材料制成的太赫兹窗片。同时我们也接受定制服务，我们会根据客户提供的具体尺寸图以及所需要的THZ材料提供特殊定制服务。TPX是很硬的固体材料，可以用来加工成不同的光学元件，如透镜和窗口镜。而且通常TPX还可用在CO2激光泵浦分子激光的系统中作为输出窗口镜。因为它对整个THZ波段都是透明的，并且可以反射10微米的泵浦光。TPX窗口镜还可以在低温保持器中作为“冷”窗口。因为TPX在THZ波段的透明度和温度无关，折射率的温度系数3.0*10-4 K-1 (for the range 8-120 K)。THz太赫兹TPX窗片,THz太赫兹TPX窗片通用参数产品特点：TPX，HRFZ Si，ZEONEX材料可供选择不同标准尺寸1inch，2inch接受客户定制服务产品应用：太赫兹时域系统太赫兹源窗片中远红外气体探测科学实验室研究THZ量子级联激光器波片中远红外滤波片技术参数： 1，晶体材料1.1 HRFZ Si窗片材料HRFZ-Si类型平面-平面可用尺寸, mmto 150直径或横切公差, mm+0.0 / -0.1厚度公差, mm+/-0.1通光孔径, %=90平行度, arc. min3表面质量 (双面抛光), scr/вig60/40表面精度, mm+/-0.01偏离理想平面涂层应要求提供AR涂层以下窗片可从库存中获得No.直径, mm (inches)厚度, mm125.4 (1.0)1.0238.1 (1.5)1.0350.8 (2.0)1.0476.2 (3.0)1.05101.6 (4.0)1.0可根据要求定制尺寸 1.2 THz级石英晶体和THz级蓝宝石窗片材料THz级石英晶体 (z-cut) and THz 级蓝宝石窗片类型平面-平面尺寸公差, mm+/-0.1通光孔径, %=90平行度, arc. min5表面质量 (双面抛光), scr/dig80/50表面精度, mm+/-0.01 偏离理想平面涂层 （对于石英晶体)应要求提供AR涂层太赫兹级石英晶体窗片尺寸如下：No.直径, mm (inches)厚度, mm125.4 (1.0)1.0, 2.0, and 3.0238.1 (1.5)1.0, 2.0, and 3.0350.8 (2.0)1.0, 2.0, and 3.0 其他尺寸和定制设计可根据要求制造。以下尺寸的太赫兹级石英晶体可用：对于沿Z轴生长的晶体Z-axis: X =100 mm, Y=150 mm and Z up to 35 mm对于沿X轴生长的晶体 X-axis: X up to 30 mm, Y=100 mm and Z=125 mm. 可根据要求提供太赫兹级蓝宝石窗片。不同尺寸的成品可现货供应或在一周内供应。 2. 聚合物2.1 TPX windows材料TPX类型平面-平面，楔形（楔形为6mrad）可用直径, mmto 300尺寸公差,1mm+ /-0.25通光孔径, %=90表面质量, scr/dig80/50 (双面抛光)表面粗糙度Rz 0.025 (TPX)表面精度, mm±0.01 偏离理想平面以下TPX窗片有现货供应：No.直径, mm (inches)厚度, mm125.4 (1.0)2.0238.1 (1.5)3.0350.8 (2.0)3.5定制尺寸（最大厚度30 mm）可根据要求定制 2.2 ZEONEX 窗片材料ZEONEX类型平面-平面，楔形可用直径, mmto 120尺寸公差,1mm+ /-0.25通光孔径, %=90表面质量, scr/dig80/50 (双面抛光)表面粗糙度Rz 0.05表面精度, mm±0.01 偏离理想平面 ZEONEX窗户可根据要求制造。库存材料的最大厚度为33 mm。五, BATOP 太赫兹 非球面TPX透镜(直径1英寸/2英寸,焦距10-200mm)德国BATOP公司供应TPX和硅两种材质的太赫兹透镜，尺寸一般为1英寸或2英寸，包括超半球形和椭圆形硅质太赫兹透镜，以及具有不同直径和焦距的非球面TPX太赫兹透镜。BATOP的TPX透镜可用于太赫兹波段中发射器和探测器之间的太赫兹光束引导，还有专用于PCA应用的TPX太赫兹透镜，能够实现太赫兹光束的准直和聚焦。 在代理Tydex太赫兹透镜和BATOP公司TPX透镜的基础上，筱晓上海光子也提供自主开发的太赫兹透镜和窗镜，包括太赫兹透镜和石英透镜，尺寸可以为1英寸至4英寸，为用户提供更大的定制自由度。BATOP 太赫兹 非球面TPX透镜(直径1英寸/2英寸,焦距10-200mm),BATOP 太赫兹 非球面TPX透镜(直径1英寸/2英寸,焦距10-200mm)通用参数PCA专用TPX透镜特点：使用高透过率TPX（聚甲基戊烯）透镜，可以对太赫兹光束进行整形。搭配一个TPX透镜可以准直来来自超半球形基板透镜的发散太赫兹光束。搭配两个TPX透镜，可以实现清晰的THz聚焦。1英寸直径的TPX透镜可被容易地安装到具有超半球形硅透镜的PCA光导天线上。 PCA专用TPX透镜规格参数PCA专用TPX透镜分为3个型号，其通用参数一致 CTL-D25mm - 已安装的准直非球面TPX透镜，直径25.4 mm以上.. CTLF-D25mm - 用于光纤耦合PCA的安装准直非球面TPX透镜，直径25.4 mm以上.. FTL-f32.5mm - 聚焦平凸TPX透镜 PCA专用TPX透镜 通用参数透镜直径25.4 mm透镜厚度8.0 mm焦距32.5 mm通光孔径 22.4 mm折射率1.45 at 1 THz吸收系数0.3 cm-1材质TPX（聚甲基戊烯）太赫兹透镜面形平凸（非球面）PCA兼容外壳 以下为BATOP聚焦平凸TPX透镜 标准品型号TPX透镜，直径1英寸和2英寸,其中TPX-D25.4-f10，专门用于空间高分辨率的应用1英寸直径TPX透镜，焦距F：10mm~32.5mm型号TPX-D25.4-f10 TPX-D25.4-f15TPX-D25.4-f25TPX-D25.4-f32.5透镜直径25.4 mm25.4 mm25.4 mm25.4 mm焦距10 mm15.0 mm25.0 mm32.5 mm通光孔径 20 mm 23.4 mm 22.4 mm 22.0 mm折射率1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz数值孔径NA0.640.590.380.3中心透镜厚度11.2 mm8.0 mm8.0 mm8.0 mm边缘厚度3.3 mm1.6 mm3.1 mm4.2 mm材质TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）形状平凸（非球面）平凸（非球面）平凸（非球面）平凸（非球面） 注意,价格区分为已装配价格及未已装配价格1英寸TPX透镜，焦距F：50mm~150mm型号 TPX-D25.4-f50 TPX-D25.4-f67 TPX-D25.4-f100 TPX-D25.4-f150透镜直径25.4 mm25.4 mm25.4 mm25.4 mm焦距50.0 mm67 mm100 mm150 mm通光孔径 22.4 mm 22.4 mm 22.4 mm 22.4 mm折射率1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz数值孔径NA0.210.160.1070.072中心透镜厚度7.0 mm6.94 mm7.0 mm6.0 mm边缘厚度4.4 mm5.0 mm5.7 mm5.1 mm材质TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）形状平凸（非球面）平凸（非球面）平凸（非球面）平凸（非球面） 注意,价格区分为已装配价格及未已装配价格2英寸TPX透镜，焦距F：35mm~200mm型号TPX-D50-f35 TPX-D50.8-f65 TPX-D50.8-f100TPX-D50.8-f200透镜直径50.0 mm50.8 mm50.8 mm50.8 mm焦距35.0 mm65.0 mm100 mm200 mm通光孔径 47.0 mm 47.8 mm 47.8 mm 47.8 mm折射率1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz数值孔径NA0.540.330.230.12中心透镜厚度18 mm13 mm10 mm8.3 mm边缘厚度3.0 mm4.1 mm4 mm5.0 mm材质TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）形状平凸（非球面）平凸（非球面）平凸（非球面）平凸（非球面） 注意,价格区分为已装配价格及未已装配价格 六, BATOP 太赫兹超半球 Si硅透镜对于发射器和探测器之间的太赫兹光束引导，我们提供不同直径和焦距的超半球和椭圆硅透镜以及非球面TPX透镜。BATOP 太赫兹超半球 Si硅透镜 , BATOP 太赫兹超半球 Si硅透镜通用参数标准型号1:HSL-12超半球形硅衬底透镜与GaAs PCA芯片相结合，确保THz辐射的大立体角Ω=1.25 sr。由于该透镜提供发散太赫兹光束，因此必须通过附加透镜进行准直。超半球硅透镜:&bull 直径：12 mm&bull 厚度：7.1 mm&bull 折射率：3.41&bull 材料：未掺杂HRFZ硅&bull 比电阻 ρ：10 kΩcm&bull 表面：抛光&bull PCA芯片厚度：0.6 mm太赫兹光束收集角α73°发散角ß 17°虚拟焦距L 26.5 mm标准型号2:CSL-20-12准直硅透镜椭圆准直硅透镜设计用于连接0.6 mm厚的天线芯片。&bull 直径：20 mm&bull 厚度：13.8 mm&bull 折射率：3.41&bull 材料：未掺杂HRFZ硅&bull 比电阻ρ：10 kΩcm&bull 平面和椭圆形表面：抛光&bull PCA芯片厚度：0.6 mm太赫兹光束直径为20mm的准直收集角α 54.6°标准型号3:FSL-D20-f50-聚焦硅透镜聚焦椭圆硅透镜，直径20 mm，焦距50 mm。&bull 直径：20 mm&bull 厚度：14 mm&bull 折射率：3.41&bull 材料：未掺杂HRFZ硅&bull 比电阻：10 kΩcm&bull 平面和椭圆形表面：抛光&bull PCA芯片厚度：0.6 mm太赫兹光束焦距f 50 mm收集角α 52.7°收敛角ß 10°艾里盘直径at 300 GHz 3.6 mmat 1 THz 1.1 mmat 3 THz 0.36 mm

适用于紫外到红外的35象元硅光电二极管阵列 S4111-35Q是一款DIP陶瓷封装线阵硅光电二极管，主要用于低光量探测，比如分光光度测量等。其具有从紫外到近红外的宽光谱范围。由于所有象元都可以用反向偏压进行存储电荷读出，该产品具有高灵敏度低光量探测的能力。像元之间的串扰减小，保持了信号的纯度。而且可以用特制的滤波片作为该产品的入射窗。产品特性-大感光面积 - 低串扰- 低暗电流- 红外灵敏度增强详细参数元素大小(每1列)4.4 × 0.9 mm像元个数35封装Ceramic封装类型40pin-DIP冷却方式Non-cooled反向电压(最大值)15 V光谱响应范围190 to 1100 nm峰值灵敏度波长(典型值)960 nm光敏度 (典型值)0.58 A/W暗电流 (最大值)10 pA上升时间 (典型值.)1.2 μs结电容(典型值)550 pF测量条件Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise notedper one element, Photosensitivity: λ=960 nm, Dark current: VR=10 mV, Rise time: VR=0 V, Terminal capacitance: VR=0 V光谱响应外形尺寸（单位：mm）

详细介绍:TS3型碳硅高速分析仪◆技术指标： 碳当量3.2～4.8±0.2%、碳含量2.8～4.2±0.08%、硅含量0.9～3.0±0.2% ◆主要特点：1、铸造元素分析仪适用于铸铁生产的炉前在线控制，能快速检测出铁水中C、Si两元素含量；2、操作简单，硅钼粉不需任何辅助设备及专业操作人员，炉工也可自行操作；3、对白口、灰口铸铁进行C％、Si％、CEL、SC、△T、△TM等定性或定量估测；4、仪器可便携移动，多台炉子同时使用及测量球铁球化后的铁水；4、测量最大时间：240秒。

二氧化碳综合利用热催化+光热催化反应装置（订制高低压系统）为一套用于完成催化剂活性评价及筛选的固定床反应装置，适用于气体、液体或气液同时进料；气固、液固、气液固反应，能够实现温度、气相流量、液相流量的自动控制，反应温度能够实现程序控制升温（线性升温），通过程序升温设定实验温度的升温时间和保温时间，配合GC等分析仪器对不同压力、温度下的实验产物进行阶段性在线检测分析。该装置配有减压系统，可与反应气钢瓶直接连接，管路配有比例卸荷阀、高精度压力表及压力传感器，所有温度控制点、压力监测点均配有超温、超压报警，自动联锁保护。能够实现数据处理自动化，自动化生成报表。该装置配有进料系统，通入不同的气体时，可在流量系数表选择对应的流量系数，实现气体种类的多样性和准确性。该装置配有恒温标气模块，模块内甲苯等液体，通入反应气或惰性气体进入模块，将ppm级的蒸汽带入反应器中，通过水浴循环控制模块温度进而控制蒸汽的浓度。从而大大降低实验成本，解决标气贵的难题。该装置配有恒压系统，配合低压、高压双压力系统使用，根据实验压力选择对应的压力系统，为催化剂提供稳定精确的、稳定的实验环境。系统控制全部采用软件自动化控制，实时监控反应过程，并提供全套实验方案。屏幕采用工控触屏电脑，可以根据需求随时更改使用方案。中教金源亦可以提供气相色谱仪、液相色谱仪、离子色谱仪、TPR、TPD、SPV、TPV、拉曼等全方位检测手段。此装置集进料系统、恒压系统、稳流系统、预热系统、反应系统、产物收集系统、控制系统于一体，桌面放置，体积小，操作方便。框架采用高强度铝合金型材，稳定牢固、简约大方。定制系统技术参数项目参数项目参数框架尺寸1130mm×550mm×1340mm材料316L不锈钢纯热反应器温度0~800℃光热反应器温度0~800℃高压反应压力＜10Mpa低压反应压力＜0.6Mpa汽化温度0~300℃管路伴热温度0~200℃液体流量0.1-5ml/min催化剂装填量＜5ml（注：其他规模或要求请与我公司联系）

QL-TS-6型炉前分析仪 南京麒麟炉前碳硅仪南京麒麟炉前碳硅仪产品简介：QL-TS-6型南京麒麟炉前碳硅仪是用户铸造行业中铁水在线的快速分析设备，替代常规分析仪器不能满足炉前快速分析的时间要求，对铸造生产的质量控制起相当大的作用。该产品的优点是快速分析，可移动性一机多用、使用简单、方便、快捷，可在炉前控制铸铁的质量，节约时间，节省人力。南京麒麟炉前碳硅仪产品特点：1、测量功能：铁水牌号、碳当量、碳含量、硅含量、过冷度球化率、抗拉强度等。2、测量范围：碳当量CE测量范围3.24.8 精度±0.08 碳含量C测量范围2.84.2 精度±0.04 硅含量Si测量范围0.93.0 精度±0.043、测量时间：90秒4、配料计算：根据预定的目标成分和铁水量自动进行配料计算；5、设定功能：可设定8条检量线、8种目标成分、检量线与目标材质联动；6、记录功能：按测量时间顺序，可记录3000次测量结果，可进行过程重现；7、浏览功能：可浏览主要测量参数的趋势分布图、凝固湿度曲线的微分图；8、输出功能：可选配测量记录向U盘输出的功能。南京麒麟炉前碳硅仪产品特点：QL-TS-6型智能铁水在线分析仪主要用于生铸铁，球铁材料中碳、硅元素化学分析；1、对白口、灰口铸铁进行C％、Si％、CE、SC、T、TM、RM等参数的测量；2、无风扇的工业级主板加上硬盘和工业级的17寸显示器构成了数字化平台的工业计算机，适应恶劣的铸造环境，确保原铁水分析数据的稳定性和准确度；3、针对铸造行业特点，自主研发的铁水分析软件，具有操作简单，一键启动和人性化人机界面以及根据预定的目标成分和铁水量自动进行配料计算等特点；4、软件功能多样性，常规碳和硅含量的测定和球化后球化率的测定，满足客户不同的需求；5、针对铸造复杂的电气环境，采用抗干扰支座设计，进口温度补偿导线和仪器整体的电气抗干扰设计，确保了分析数据的稳定性和准确度；6、碳、硅值补偿校正：根据化学分析的数据可以调整补偿碳硅值；7、冷却曲线和测量数据CE、C、Si、TL、TE同时显示，清楚直观。

QL-TS-3型炉前碳硅分析仪炉前铸造分析仪是用户铸造行业中铁水在线的快速分析设备，替代常规分析仪器不能满足炉前快速分析的时间要求，对铸造生产的质量控制作用。该产品的优点是快速分析，使用简单、方便、快捷，可在炉前控制铸铁的质量，节约时间，节省人力。炉前碳硅分析仪测量范围： 碳当量CE测量范围3.2%～4.8% 精度±0.1% 碳含量C测量范围2.8%～4.2% 精度±0.05% 硅含量Si测量范围0.9%～3.0% 精度±0.08%2、主要用于生产铸铁,球铁材料中碳、硅含量的检测；3、方便、快捷，所有操作均在炉前执行，测量时间240秒；4、测量精度高，测量结果数显直读；5、满足较恶劣的工作环境需求。◇ 应用功能：对白口、灰口铸铁进行C%、Si%、CEL、SC、△T等定性或定量估测。◇ 显示数字高度：50mm◇ 温度补偿范围：0-40℃◇ 配套样杯类型：S、R、B、K型◇ 测含量范围： 碳当量CE测量范围3.2%～4.8% 精度±0.1% 碳含量C测量范围2.8%～4.2% 精度±0.05% 硅含量Si测量范围0.9%～3.0% 精度±0.08%◇ 显示温度单位：华氏温度或摄氏温度可设置◇ 测量时间：240秒（4分钟）◇ EMC标准执行EN50081-2及EN50082-2抗干扰性标准◇ 测量状态显示：仪表上“准备”绿灯、“测量”黄灯、“完成”红灯循环显示◇ 铁水在线、快速、直接读取含量

总览Photop&trade 系列，将光电二极管和运算放大器集合在同一封装中。Photops&trade 通用检测器的光谱范围为350nm至1100nm或200nm至1100nm。它们采用集成封装，确保在各种工作条件下的低噪声输出。这些运算放大器是OSI光电工程师为兼容我们的光电二极管而专门选择的。其中许多具体参数包括低噪声、低漂移和拥有由外部反馈元件决定的增益和带宽能力。从直流电平到几兆赫的操作是可能的，既可以在低速、低漂移的应用中采用无偏置配置，也可以在更快的响应时间中采用偏置配置。 上述设备的任何改装都是可能的。改装可以是简单地增加一个带通光学滤波器，在同一封装内集成额外的芯片(混合)元件，利用不同的运算放大器，替换光电探测器，修改封装设计和/或安装在PCB上。包含多型号UDT-020D UDT-555D UDT-455 UV OSI -020 UV UDT-055 UV UDT-455UV OSI-020UV OSI-515 UDT-555UV/LN光电二极管放大器混合器 200-1100nm,光电二极管放大器混合器 200-1100nm型号参数应用 通用光检测激光功率监控医学分析激光通信条形码读取器工业控制传感器污染监测制导系统色度计特征检测器/放大器组合可调增益/带宽低噪声宽带宽DIP封装有效面积大.光电二极管参数TA = 23°C时的典型电光参数型号有效面积响应度(A/W)电容(pF)暗电流(nA)分流电阻(MΩ )噪音等效功率(W/√Hz)反向电压温度范围(°C)封装形式面积(mm2) 尺寸(mm) 254nm 970nm 0V -10V -10V-10mV0V254nm-10V970nmV工作储存最小值典型值最小值典型值典型值典型值典型值 最大值典型值典型值典型值 最大值350-1100nm光谱范围UDT-455 5.1 2.54 f --- 0.60 0.65 85 15 0.25 3 --- 1.4 e -14 30**0 ~+ 70-30 ~+ 100 30 / TO-5OSI-515#UDT-020D164.57 f330600.5101.9 e -1431 / TO-8UDT-555D10011.3 f15003002253.9 e -1432/ Special200-1100nm光谱范围UDT-455 UV5.12.54 f 0.10 0.14 ---300 ---1009.2 e -14 --- 5**30 / TO-5OSI -020 UV164.57 f1000501.3 e -1331 / TO-8UDT-055 UV507.98 f2500202.1 e -1332/ SpecialUDT-555 UV 100 11.3 f 4500 10 2.9 e -13 32/ SpecialUDT-555UV /LN** TA = 23°C时，运算放大器的电光参数型号电源电压静态电源电流(mA)输入补偿电压 温度系数输入补偿电压输入偏置电流增益带宽乘积转换速度开环增益，DC输入噪声电压输入噪声电流 100 Hz 1k Hz 1 k Hz ± 15 VmVµ V / °CpAMHzV / µ sV /mVnV/ √HzfA/√Hz 最小值 典型值 最大值 典型值 最大值 典型值 最大值 典型值 最大值 典型值 最大值 最小值 典型值 最小值 典型值 最小值 典型值 典型值 典型值 典型值UDT-455 --- ±15 ±18 2.8 5.0 0.5 3 4 30 ±80 ±400 3.0 5.4 5 9 50 200 20 15 10UDT-455UVUDT-020DOSI-020UV---±15±181.820.030.120.3510.520---5.1---20100020005.85.10.8OSI-515*---±15±186.57.21310---±15±40232612514036.3---1210UDT-555UV/LN---±15±182.53.50.10.5±2±5±0.8±2---21250117781580.5UDT-055UV --- ±15 ±22 2.7 4.0 0.4 1 3 10 ±40 ±200 3.5 5.7 7.5 11 75 220 20 15 10UDT-555DUDT-555UV 机械图纸请参考第61至73页。* * LN–系列设备应在0V偏压下使用。*非冷凝温度和储存范围，非冷凝环境。# OSI-515取代UDT-455HS UDT-455，UDT-555D, 555UV, 055UVOSI-515:引脚1和5不兼容(无需调偏)。UDT-020D，OSI-020UVUDT-555UV/LN输出电压与光强度成正比，由下列公式得出:频率响应(光电二极管/放大器组合)光电二极管/放大器组合的频率响应由光电探测器、前置放大器以及反馈电阻(RF)和反馈电容(CF)的特性决定。对于已知增益(RF)，检波器/前置放大器组合的3dB频率响应如下所示:然而，所需的频率响应受到运算放大器增益带宽乘积(GBP)的限制。为了获得稳定的输出，必须选择RF和CF值，使检波器/前置放大器组合的3dB频率响应小于运算放大器的最大频率，即f3dB≤fmax。最后，下面给出了一个计算频率响应的例子。对于增益为108，工作频率为100 Hz，增益带宽乘积(GBP)为5 MHz的运算放大器:对于CF = 15.9 pF，CJ = 15 pF和CA = 7 pF，fmax约为14.5 kHz。因此，由于f3dB≤fmax，电路稳定。 有关具体应用的进一步阅读，请参考目录中的APPLICATION NOTES INDEX。注:阴影框代表Photop&trade 组件及其连接件。 光电二极管维护和操作说明避免直射光线由于硅光电二极管的光谱响应包括可见光区域，因此必须避免光电二极管暴露于高环境光水平下，尤其是钨源或日光。在OSI光电公司的运输过程中，您的光电二极管包装在不透明的填充容器中，以避免环境光照射和因跌落或震动造成的损坏。 避免剧烈的物理冲击如果跌落或剧烈震动，光电二极管可能会损坏。焊线较为脆弱，当检测器掉落或受到剧烈的物理撞击时，可能会与光电二极管的焊盘分离。 用光学级布/纸巾清洁窗户OSI光电二极管上的大多数窗口材料是硅或石英。应使用异丙醇和软垫(光学级)清洁它们。 观察储存温度和湿度水平光电二极管暴露在高或极低的存储温度下会影响硅光电二极管的后续性能。存储温度指南在本目录的光电二极管性能规格中有相关介绍。请保持非冷凝环境，以保证光电二极管最佳性能和寿命。 遵守防静电措施光电二极管，尤其是集成电路器件(如Photops)被认为是静电敏感的。光电二极管采用防静电包装运输。在拆封和使用这些产品时，应遵守防静电注意事项。 不要将光电二极管暴露在刺激性的化学环境中如果暴露在氯乙烯、稀释剂、丙酮或三氯乙烯中，光电二极管封装和/或操作可能会受到影响。 小心安装本目录中的大多数光电二极管都配有电线或引脚，用于安装在电路板或插座上。遵守以下规定的焊接温度和条件:烙铁: 焊接30 W或更低 , 烙铁尖端的温度为300℃或更低。浸焊:镀浴温度:260±5℃ ,浸泡时间:5秒以内。 ,焊接时间:3秒以内。汽相焊接:请勿使用回流焊:请勿使用 请特别注意塑料包装中的光电二极管。透明塑料包装比黑色塑料包装对环境压力更敏感。在高湿度下存放器件可能会在焊接时出现问题。由于焊接过程中的快速加热会对焊线产生应力，并可能导致焊线与焊盘分离，因此建议将塑料封装中的器件在85℃下烘烤24小时。光电二极管上的引线不应形成。如果您的应用需要修改引线间距，请在形成产品引线之前联系OSI光电子应用程序部门。产品保修可能无效。1.参数定义:A =芯片顶部到玻璃顶部的距离。a =光电二极管正极。B =玻璃顶部到外壳底部的距离。c =光电二极管负极(注:负极通常用于金属包装产品，除非另有说明)。W =窗口直径。视场(见下文定义)。 2.尺寸单位为英寸(1英寸= 25.4mm)。3.除非另有规定，引脚直径为0.018±0.002"。4.公差(除非另有说明)常规: 0.XX ±0.01" 0.XXX ±0.005"芯片中心: ±0.010"尺寸“A”: ±0.015" 5.Windows操作系统所有“UV”增强产品都配有石英玻璃窗口，0.027±0.002"厚度。所有“XUV”产品都配有可移动窗户。所有“DLS”PSD产品都配有抗反射涂层玻璃窗。所有“FIL”光导和光伏产品都是环氧树脂填充的，而不是玻璃窗。 机械规格单位都是英寸。插脚引线是仰视图。