卡他司坦

10240藤黄微球菌4698藤黄微球菌49732藤黄微球菌7468藤黄微球菌NCIMB 8166藤黄微球菌700405微球菌属36299犬小孢子菌24102石膏样小孢子菌23246卡他莫拉（布兰汉）菌25238卡他莫拉（布兰汉）菌25240卡他莫拉（布兰汉）菌49143卡他莫拉（布兰汉）菌8176卡他莫拉（布兰汉）菌NCTC 4103卡他莫拉（布兰汉）菌10973奥斯陆莫拉菌17953非液化莫拉菌25829摩氏摩根菌摩根亚种25830摩氏摩根菌摩根亚种15769鸟分支杆菌鸟亚种25291鸟分支杆菌鸟亚种QQ：

1：四探针测试仪 四探针检测仪 四探针测定仪/四探针电阻率测定仪 型号：HARTS-8HARTS-8型数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。该仪器按照单晶硅物理测试方法家标准并参考美 A.S.T.M 标准而的，于测试半导体材料电阻率及方块电阻（薄层电阻）的仪器。仪器由主机、测试台、四探针探头、计算机等分组成，测量数据既可由主机直接显示，亦可由计算机控制测试采集测试数据到计算机中加以分析，然后以表格，图形方式统计分析显示测试结果。仪器采用了电子行、装配。具有能选择直观、测量取数快、度、测量范围宽、稳定性好、结构紧凑、易操作等特点。本仪器适用于半导体材料厂、半导体器件厂、科研单位、等院校对半导体材料的电阻性能测试。　术　　标 ： 测量范围 电阻率：10-5～105 &Omega .cm(可扩展)； 方块电阻：10-4～106 &Omega /□(可扩展)； 电导率：10-5～105 s/cm； 电阻：10-5～105 &Omega ； 可测晶片直径 140mmX150mm(配S-2A型测试台)； 200mmX200mm(配S-2B型测试台)； 400mmX500mm(配S-2C型测试台)；恒流源 电流量程分为1&mu A、10&mu A、100&mu A、1mA、10mA、100mA六档，各档电流连续可调数字电压表 量程及表示形式：000.00～199.99mV；　　　　 分辨力：10&mu V； 输入阻抗：1000M&Omega ； 度：± 0.1% ； 显示：四位半红色发光管数字显示；性、量程自动显示；四探针探头基本标 间距：1± 0.01mm； 针间缘电阻：&ge 1000M&Omega ； 机械游移率：&le 0.3%； 探针：碳化钨或速钢Ф0.5mm； 探针压力：5～16 牛顿(总力)；四探针探头应用参数 (见探头附带的合格证)模拟电阻测量相对误差( 按JJG508-87行) 0.01&Omega 、0.1&Omega 、1&Omega 、10&Omega 、100&Omega 、1000&Omega 、10000&Omega &le 0.3%± 1字整机测量相对误差(用硅标样片：0.01-180&Omega .cm测试)&le ± 5%整机测量标准不确定度 &le 5%计算机通讯接口 并口，速并行采集数据，连接电脑使用时采集数据到电脑的时间只需要1.5 秒（在 0.1mA、1mA、10mA、100mA量程档时）。连接电脑使用时带自动测量 能，自动选择适合样品测试电流量程；标准使用环境 温度：23± 2℃； 相对湿度：&le 65%； 无频干扰； 无强光直射；配置 四探针测试仪主机、探针台、四探针探头、 2：多种气体采样器/多种气体取样器/多种气体出样器（100ml） 型号：HAD/CZY-100产品介绍：主要用于检查空气中各种气体的含量。配合气体检测管使用。配套使用检测管的方法及优势：1、用砂片稍用力将检测管两端各划圈割印。2、用硅胶管套套住检测管上的箭头所端，沿切割印掰断，用同样方法掰断另端。3、用硅胶管套套住检测管上的箭头所端（防止漏气），插入所要检测标注的气体通道口上（稍用力插紧）。注意方向性，箭头方向代表气体流过方向。4、将所需检测的若干项的检测管，按以上方法均插好之后，接通电源，即可正常使用。5、调节所需检测气体对应的时间控制器，使其符合标（见附表）。6、检测结束，拔出检测管。7、手持检测管箭头朝下，并垂直于地面放在与目光基本不平的位置，观察管上颜色变化所刻度，既为被检测气体的浓度。 （1）双重优点：测量气体的检测管实际是将化学分析方法仪器化，是种定量、定性、定值的检测方式,具有化学分析和仪器分析的双重优点。（2）适应性好：检测管现有Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三种，从零点到几个PPM（10-6）到百分之几十，适用范围很大，为分析作提供了很大方便。（3）操作简便：为专业检验人员提供了很大的方便，操作人员按照使用说明书操作方法行测试即可。（4）使用安：使用时手动操作，无需要电源、热源，在有易燃易气体存在的场所能安使用。（5）分析速度快：由于操作方便，使得每次分析所需时间大为缩短，般仅需十几分钟即可得知结果，其分析速度是何化学分析和仪器方法不能比拟的。（6）测量度：在检测管含量标度的确定上模拟了现场分析条件，采用不同标准气标定，克服了化学分析中易带入的方法误差。同时减少了人为误差。 温馨提示：以上产品资料与图片顺序相对应。

四探针 四点探针 四探针测试仪 四探针太阳能硅片电阻率测试仪光伏测试专用美国ResMap四点探针CDE ResMap的特点如简述如下: * 高速稳定及专利自动决定范围量测与传送,THROUGHPUT高 * 数字方式及每点高达4000笔数据搜集,表现良好重复性及再现性 * Windows 操作接口及软件操作简单 * 新制程表现佳(铜制程低电阻率1.67m&Omega -cm及Implant高电阻2K&Omega /□以上,皆可达成高精确度及重复性) * 体积小,占无尘室面积少 * 校正简单,且校正周期长 * 可配合客户需求,增强功能与适用性 * 300mm 机种可以装2~4个量测头,并且可以Recipe设定更换CDE　ResMap&ndash CDE　公司生产之电阻值测试系统是以四探针的工艺，以配合各半导体成光伏生产厂家进出之生产品质监控，超卓可靠又简易操作的设备是半导体及光伏生产厂家不可缺少的。 主要特点： 测量范围广,精度高,稳定性好,功能齐全强大,软件好用,维修成本低,服务好,配件齐全...美国进口四探针电阻率测试仪(4PP)/方块电阻测试仪/太阳能光伏扩散薄层电阻测试仪（Four point probe(4PP)）设备名称: 四点探针电阻仪 (CDE ResMap)主机厂牌、型号与附件: CDE ResMap规格:1. Pin material: Tungsten Carbide.2. Pin compression force Typically 100 gm to 200 gm.3. 样品尺寸: 2吋至6吋晶圆 (表面须为平整的导电薄膜，半导体材料)设备用途: 导电薄膜的电阻值分布测量，半导体，光伏特点：1）针尖压力一致2）适用于各种基底材料3）友好的用户界面4）快速测量5）数据可存储 应用：1）方块电阻2）薄片电阻3）掺杂浓度4）金属层厚度5）P/N类型6）I/V测试

Ossila 四点探针系统是一种易于使用的工具，用于快速测量材料的薄层电阻，电阻率和电导率。Ossila四点探头以高规格的Ossila源测量单元 为核心，可实现广泛的测量范围。探头使用弹簧加载的触点而不是锋利的针头，防止损坏易碎的样品，例如厚度为纳米量级的聚合物薄膜。包括一个四点探头、内置源测量单元、易于使用的 PC 软件和 ITO 镀膜玻璃基板。一．含义四点探针台是测量材料薄层电阻最常用的设备。薄层电阻是材料的电阻率除以其厚度，通过导电/半导体材料的薄方块表示横向电阻。该测量使用排列成一条线的四个探头，每个探头之间的间距相等。电流在外部两个探头之间传递，导致内部两个探头之间的电压降低。通过测量电压的变化，可以计算出薄层电阻。二．主要特点1.宽电流范围：四点探头能够提供 1 μA 至 200 mA 的电流，并且可以测量低至 100 μV 至 10 V 的电压。该系统可以测量 100 mΩ/平方米 至 10 MΩ/平方米 范围内的薄层电阻，从而能够表征各种材料。2.易于使用：只需插入系统，安装软件即可使用。直观的界面和简洁的设计使四点探头易于使用，简化了薄层电阻的测量。可以使用各种形状和尺寸的基板。3.高精度：可以使用PC软件进行正极性和负极性测量。这使您能够计算正电流和负电流之间的平均薄层电阻 - 消除可能发生的任何电压偏移，从而提高测量精度。4.无损检测：四点式探头在设计时考虑了精密样品的测量，采用镀金、温和的弹簧加载触点和圆形尖端。这导致60克的恒定接触力，防止探头刺穿脆弱的薄膜，同时仍然提供良好的电接触。5.节省空间的设计：通过仔细的设计考虑，我们已经能够将四点探头的占地面积保持在最小（总工作台面积为14.5 cm x 24 cm），即使在货架空间有限的繁忙实验室中也可以使用。6.快速材料表征：PC软件（随系统提供）可执行薄层电阻、电阻率和电导率的所有必要测量和计算，使材料表征变得毫不费力。它还会自动执行校正因子计算。配备软接触式探头Ossila 四点探头系统通过三个功能减少了损坏脆弱薄膜的可能性。用于接触的探头具有圆形尖端（与其他探头不同，探针像锋利的针头）。这些圆形尖端的半径为0.24 mm，使探针的接触表面积比针头大，因此分散了施加在样品上的向下力。这些探头镀金并安装在弹簧上，以鼓励电接触而不会用力过大，因为它使它们在与样品接触时能够缩回探头头中，以确保施加 60 克的均匀力。探头的示意图如下图所示。探头可以在这里 单独购买。请注意，此系统不适用于硅或其他自然形成绝缘氧化层的材料。为了测量此类材料，需要通过探头穿透氧化层，而该系统使用的弹簧加载的圆形尖端探头可能无法做到这一点。三．应用薄层电阻是材料的重要特性，通常用于材料表征和薄膜器件的开发，如钙钛矿太阳能电池或有机LED。1.材料表征：电阻率是材料的固有特性，也是重要的电性能。它可以通过测量已知厚度薄膜的薄层电阻来确定，这使得四点探头测量成为材料电气表征的关键技术。2.薄膜太阳能电池和LED：薄膜器件需要横向传输电荷的薄导电电极才能提取，因此需要具有低薄层电阻的材料来减少潜在损耗。当试图扩大这些设备的规模时，这一点变得更加重要，因为电荷必须沿着电极进一步传播才能被提取。四．规格

DL-C-BⅡ超短波电疗机技术参数、特点及配置件本电疗机适用于对人体进行止痛、解痉、消炎的辅助治疗。落地式移动方便，治疗电子定时、声光提示、光柱显示输出强度使用明了直观，输出先回零保护装置。特点：输出分10档调节，调节过程输出幅度变化小，有利于各种不同剂量的治疗。主要技术指标：1.输出功率：200W，允许偏差±20%。2.工作频率：27.12MHz，允许偏差±0.6%。3.治疗时间：分10、15、20、25、30min五档，允许偏差±10%。4.使用电源：～220V，50Hz。额定输入功率：900VA。5..工作制：连续工作4h。6.使用环境：环境温度5℃～40℃，相对湿度≤80%。7.外形尺寸：510mm×440mm×930mm，重量：50kg。配置清单：8.保险丝管：T4A 2只（用于电源保险）。9.大、中、小号硅橡胶电极板各1对。10.测试用日光灯管1支。11.硅胶输出线2条。12.电源线1条。13.电极布套1套。如软组织、关节、骨骼、五官、胸腹腔脏器、神经系统、生殖器等的炎症，对急性亚急性炎症效果更好。特别对化脓性炎症疗效显著，早期应用可使炎症加速消退不致化脓，当已有组织坏死时应用则可使炎症局限化，加速脓肿成熟、破溃；在破溃或切开引流畅通情况下应用，可促使坏死组织脱落肉芽组织生长，加速伤口愈合。超短波对急性软组织感染治疗，不但可缩短疗程，提高治愈率，同时可减少手术的机会。如果用超短波结合抗菌素治疗急性化浓性炎症时，其疗效明显比单纯应用一种为高，有的报导二者合并治疗较单用抗菌素治疗，可将药量减半。常用于疖、痈、脓肿、瘭痈、蜂窝组织炎、急性化脓性乳腺炎、淋巴腺炎、淋巴管炎、化脓性副鼻窦炎、中耳炎、扁桃腺炎、喉炎、急性肺炎、枝气管炎、胸膜炎、肺脓疡、骨髓炎、阑尾炎、阑尾脓肿、附睾炎等，苏联学者提出头面部疖、痈，如不采用超短波治疗是治疗上的错误，由此可见超短波在治疗急性化脓性炎症中的重要地位。其次对小儿慢性肺炎，超短波也是综合疗法中重要措施之一，有良好的效果但疗程较长。我们发现对炎症引起的小儿肺不张，综合应用超短波能加速肺部炎症消退和肺不张消失。此外对一些非化脓性炎症超短波也有较好疗效，如脊髓灰白质炎和急性横贯性脊髓炎早期、间质性肺炎、卡他性中耳炎、视网膜脉络膜炎、流行性腮腺炎、传染性肝炎、滑囊炎、肌炎、神经炎、神经根炎、大脑炎等结合药物或一般疗法均能提高疗效。针对症状如症状性高血压（Ⅰ－Ⅱ期）、闭塞性脉管炎、雷诺氏病、支气管哮喘、胃肠功能低下、痔疮、结肠、膀胱、直肠痉挛、胃贲门痉挛、食管痉挛大多有良好的疗效。此外对急性亚急性肾炎、急性肾功衰竭引起的少尿症或无尿症疗效显著。治疗作用：镇痛作用中频电疗作用的局部，皮肤痛阈明显增高，临床上有良好的镇痛作用。尤其是低频调制的中频电作用最明显。其镇痛作用即时止痛及后续止痛作用。1.即时止痛（直接止痛）作用，即时止痛的机制有以下几种假说。（1）掩盖效应　中频电流引起明显震颤感，其冲动闯入痛冲动传入道路的任一环节，可以阻断或掩盖痛刺激的传导，而达到止痛或减弱疼痛的目的。（2）闸门控制假说。SG－脊髓后角胶质细胞， T－脊髓后索向中枢投射的细胞，－抑制，+兴奋。a.认为周围感觉神经中的粗纤维传入非痛性冲动，细纤维传入痛性冲动，两种纤维进入脊髓后角后，一方面通过突过触向中枢投射，另方面二者对后角中的胶质细胞（SG）又有不同的控制作用。b.粗纤维兴奋的结果　兴奋SG，抑制了传入道路，结果，细纤维传导的痛冲动传入受阻。c.细纤维兴奋的结果　抑制SG，开放了传入道路，结果细纤维的传入增加，出现痛冲动。d.由于中频电流引起明显振颤感和肌肉颤动感，是对粗纤维的一种兴奋刺激，粗纤维兴奋引起“闸门”的关闭，阻止了细纤维的传入，从而发生镇痛作用。（3）皮层干扰假说　电刺激冲动与痛冲动同时传入皮层感觉区，在中枢发生干扰，从而减弱或掩盖了疼痛感觉。（4）即时止痛作用的体液机制，目前多用内源性吗啡多肽理论解释，内源性吗啡样多肽（简称OLS）是从脑、垂体、肠中分离出来的一种多肽，具有吗啡样活性，是体内起镇痛作用的一种自然神经递质，与镇痛有关的主要有脑啡肽（即时止痛达3-4分钟）和内啡肽（镇痛持续3-4小时）。中频电流刺激可激活脑内的内源性吗啡样多肽能神经原，引起OLS释放，达到镇痛效果。这些物质镇痛效果较吗啡强3-4倍，又无吗啡之副作用。2.后续止痛（间接止痛）作用，目前认为中频电流治疗后的止痛作用主要与这种电流作用后，改变了局部的血液循环，使组织间、神经纤维间水肿减轻，组织内张力下降，使因缺血所致的肌肉痉挛缓解，缺氧状态改善，促进钾离子、激肽、胺类等病理致痛化学物质清除，以达到间接止痛效果。促进血液循环.

DL-C-M（脉冲）超短波电疗机技术参数、特点及配置件本电疗机适用于对人体进行止痛、解痉、消炎的辅助治疗。本机为落地式，移动方便。治疗电子定时、声光提示、光柱显示输出强度使用明了直观，输出先回零保护装置。特点：输出分10档调节，调节过程输出幅度变化小，有利于不同剂量的治疗。脉冲超短波的理疗作用具有很强的非热效应，这是连续波不能达到的.因而能加大剂量对深层患部进行治疗。主要性能指标：1.输出功率：200W，允许偏差±20%。2.工作频率：27.12MHz，允许偏差±0.6%。3.治疗时间：分10、15、20、25、30min五档，允许偏差±10%。4.脉冲调制频率分： 疏70Hz、密350Hz二档，允许偏差±15%。5.使用电源：～220V，50Hz。额定输入功率：900VA。6.工作制：连续工作4h。7.使用环境：环境温度5℃～40℃，相对湿度≤80%。8.外形尺寸：510mm×440mm×930mm，重量：50kg。配置清单：9.保险丝管：T4A 2只（用于电源保险）。10.大、中、小号硅橡胶电极板各1对。11.测试用日光灯管1支。12.硅胶输出线2条。13电源线1条。14.电极布套1套。超短波电疗机 汕头达佳超短波治疗仪_超短波理疗仪_汕头医用如软组织、关节、骨骼、五官、胸腹腔脏器、神经系统、生殖器等的炎症，对急性亚急性炎症效果更好。特别对化脓性炎症疗效显著，早期应用可使炎症加速消退不致化脓，当已有组织坏死时应用则可使炎症局限化，加速脓肿成熟、破溃；在破溃或切开引流畅通情况下应用，可促使坏死组织脱落肉芽组织生长，加速伤口愈合。超短波对急性软组织感染治疗，不但可缩短疗程，提高治愈率，同时可减少手术的机会。如果用超短波结合抗菌素治疗急性化浓性炎症时，其疗效明显比单纯应用一种为高，有的报导二者合并治疗较单用抗菌素治疗，可将药量减半。常用于疖、痈、脓肿、瘭痈、蜂窝组织炎、急性化脓性乳腺炎、淋巴腺炎、淋巴管炎、化脓性副鼻窦炎、中耳炎、扁桃腺炎、喉炎、急性肺炎、枝气管炎、胸膜炎、肺脓疡、骨髓炎、阑尾炎、阑尾脓肿、附睾炎等，苏联学者提出头面部疖、痈，如不采用超短波治疗是治疗上的错误，由此可见超短波在治疗急性化脓性炎症中的重要地位。其次对小儿慢性肺炎，超短波也是综合疗法中重要措施之一，有良好的效果但疗程较长。我们发现对炎症引起的小儿肺不张，综合应用超短波能加速肺部炎症消退和肺不张消失。此外对一些非化脓性炎症超短波也有较好疗效，如脊髓灰白质炎和急性横贯性脊髓炎早期、间质性肺炎、卡他性中耳炎、视网膜脉络膜炎、流行性腮腺炎、传染性肝炎、滑囊炎、肌炎、神经炎、神经根炎、大脑炎等结合药物或一般疗法均能提高疗效。针对症状如症状性高血压（Ⅰ－Ⅱ期）、闭塞性脉管炎、雷诺氏病、支气管哮喘、胃肠功能低下、痔疮、结肠、膀胱、直肠痉挛、胃贲门痉挛、食管痉挛大多有良好的疗效。此外对急性亚急性肾炎、急性肾功衰竭引起的少尿症或无尿症疗效显著。治疗作用：镇痛作用中频电疗作用的局部，皮肤痛阈明显增高，临床上有良好的镇痛作用。尤其是低频调制的中频电作用最明显。其镇痛作用即时止痛及后续止痛作用。1.即时止痛（直接止痛）作用，即时止痛的机制有以下几种假说。（1）掩盖效应　中频电流引起明显震颤感，其冲动闯入痛冲动传入道路的任一环节，可以阻断或掩盖痛刺激的传导，而达到止痛或减弱疼痛的目的。（2）闸门控制假说。SG－脊髓后角胶质细胞， T－脊髓后索向中枢投射的细胞，－抑制，+兴奋。a.认为周围感觉神经中的粗纤维传入非痛性冲动，细纤维传入痛性冲动，两种纤维进入脊髓后角后，一方面通过突过触向中枢投射，另方面二者对后角中的胶质细胞（SG）又有不同的控制作用。b.粗纤维兴奋的结果　兴奋SG，抑制了传入道路，结果，细纤维传导的痛冲动传入受阻。c.细纤维兴奋的结果　抑制SG，开放了传入道路，结果细纤维的传入增加，出现痛冲动。d.由于中频电流引起明显振颤感和肌肉颤动感，是对粗纤维的一种兴奋刺激，粗纤维兴奋引起“闸门”的关闭，阻止了细纤维的传入，从而发生镇痛作用。（3）皮层干扰假说　电刺激冲动与痛冲动同时传入皮层感觉区，在中枢发生干扰，从而减弱或掩盖了疼痛感觉。（4）即时止痛作用的体液机制，目前多用内源性吗啡多肽理论解释，内源性吗啡样多肽（简称OLS）是从脑、垂体、肠中分离出来的一种多肽，具有吗啡样活性，是体内起镇痛作用的一种自然神经递质，与镇痛有关的主要有脑啡肽（即时止痛达3-4分钟）和内啡肽（镇痛持续3-4小时）。中频电流刺激可激活脑内的内源性吗啡样多肽能神经原，引起OLS释放，达到镇痛效果。这些物质镇痛效果较吗啡强3-4倍，又无吗啡之副作用。2.后续止痛（间接止痛）作用，目前认为中频电流治疗后的止痛作用主要与这种电流作用后，改变了局部的血液循环，使组织间、神经纤维间水肿减轻，组织内张力下降，使因缺血所致的肌肉痉挛缓解，缺氧状态改善，促进钾离子、激肽、胺类等病理致痛化学物质清除，以达到间接止痛效果。促进血液循环

多功能四探针测试仪,数字式四探针测试仪FT-341双电测电四探针方阻电阻率测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。参数资料1.方块电阻范围：10-5～2×105Ω/□2.电阻率范围：10-5～2×106Ω-cm3.测试电流范围：0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.1%读数5.电阻精度：≤0.3%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件；选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针ROOKO/瑞柯品牌，来自瑞柯仪器公司，一个专注于改变人们生活方式和品质的企业. 专业与精致并重；优秀与智慧之原 FT-342双电测电四探针方阻电阻率测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。参数资料1.方块电阻范围：10-4～2×103Ω/□2.电阻率范围：10-5～2×104Ω-cm3.测试电流范围：10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.2%读数5.电阻精度：≤0.3%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件；选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针ROOKO/瑞柯品牌，来自瑞柯仪器公司，一个专注于改变人们生活方式和品质的企业. 专业与精致并重；优秀与智慧之原

Moxtek公司生产的Si-PIN探测器基于公司超低噪声的JFET电路及优异的铍窗技术研制而成，主要应用于手持式或台式X射线荧光光谱仪中，作为能量分辨的探测器。 XPIN-XT探测器主要技术指标有效探测面积：6 mm2 、 13 mm2硅片厚度：450um、625um铍窗厚度：8um、25um准直器材料：W/Co/Ti/Al能量分辨率：6 mm2 170eV FWHM 13 mm2: 230eV FWHM峰背比：6mm2: 3600/1 @ 1keV (typical) 13mm2: 3000/1 @1keV (typical)型号的选择

Moxtek公司成立于1986年，分为X射线部门和光学器件部门，是全球知名的高科技企业，为客户提供创新的产品应用方案。Moxtek生产的Si-PIN探测器基于公司超低噪声的JFET电路及优异的铍窗技术研制而成，主要应用于手持式或台式X射线荧光光谱仪中，作为能量分辨的探测器。XPIN-BT探测器主要技术指标有效探测面积：6 mm2 、 13 mm2硅片厚度：450um、625um铍窗厚度：8um、25um准直器材料：W/Co/Ti/Al能量分辨率：6 mm2 170eV FWHM 13 mm2: 230eV FWHM峰背比：6mm2: 3600/1 @ 1keV (typical) 13mm2: 3000/1 @1keV (typical)型号的选择

最高温度 1650°c测量范围 0.1mΩ-100MΩ温度精度 ±0.25°c最快测量 6.4ms更多功能 高温四探针、退火高温I-V特性测试高温真空测量高温气氛测量高温烧结/退火高温四探针测量 消除电网谐波对采集精度的影响高温四探针测试仪采用直排四探针法设计原理测量。主要用于评估半导体薄膜和薄片的导电性能，参考美国 A.S.T.M 标准设计。重复性与稳定性更好，采用双屏蔽高频测试线缆，提高测试参数的精确度，同时抗干扰能力更强。本设备也可应用于产品检测以及新材料电学性能研究等用途。 搭配Labview系统开发的Huacepro软件，具备弹性的自定义功能，可进行介电温谱、频谱、升温速度、测量参数等设置，符合功能材料测试多样化的需求。电压、过电流、超温等异常情况以保证测试过程的安全；资料保存机制，当遇到电脑异常瞬时断电可将资料保存于控制器中，不丢失试验数据，设备重新启动后可恢复原有试验数据。 源测量仪器的精密耦合特点相对分立仪器具有许多优点。例如，它具有更短的测试时间，通过减少GPIB的流量并简化了远程编程接口。它还保护被测设备在偶尔过载、热失控等情况下不被损坏。电流源和电压源都可设置回读使器件测量完整性最大化。如果回读达到可编程容限的极限，那么该源就被钳位在此极限，从而提供错误保护。 华测系列阻抗分析仪是华测仪器电子事业部采用当前先进的自动平衡电桥原理研制成功的新一代阻抗测试仪器，为国产阻抗测试仪器的最新高度。也彻底超越了国外同类仪器，在测量10Hz-50MHz的频率瓶颈；解决了国外同类仪器只能分析、无法单独测试的缺陷；采用单测和分析两种界面，让测试更简单。得益于先进的自动平衡电桥技术，在10Hz-50MHz的频率范围可以保证0.05%的基本精度。 快达5ms的测试速度及高达50M的阻抗测试范围可以满足元件与材料的测量要求，特别有利于低损耗(D)电容器和高品质因数(Q)电感器的测量。四端对的端口配置方式可有效消除测试线电磁耦合的影响，将低阻抗测试能力的下限比常规端配置的仪器向下扩展了十倍。 消除不规则输入的自动平均值功能 更强数据处理及内部屏蔽华测近红外高温炉配合吉时利数字源表进行四探针电阻测量，让测试更加稳定可靠，吉时利数字源表系列专用于要求紧密结合源和测量 的测试应用。全部数字源表型号都提供精密电压源和电 流源以及测量功能。每款数字源表既是高度稳定的直流 电源也是真仪器级的6位半万用表。此电源的特性包括 低噪声、精密和回读。此万用表的功能包括可重复性高和低噪声。最终形成了紧凑、单通道、直流参数测试仪。 在工作时，这些仪器能用作电压源、电流源、电压表、电流表和欧姆表。源和阱（4象限）工作，0.012%基础测量精度（6位半分辨率）。 2线、4线电压源和测量感测1700读数/秒（4位半分辨率），通过GPIB通过/失效比较器用于快速提供高速感测线接触检查功能，在半导体、功能材料行业吉时利数字源表是适于特性析和生产测试等广泛应用的重要源表。目前国内高温加热大都为管式炉或马弗炉，主要原理为加热丝或硅碳棒对炉体加热，加热与降温过程速度慢，效率低下。也无法实现温度的高精度测量，加热区域也存在不均匀的现象，华测仪器通过多年研究开发了一种可实现高精度，高反射率的抛物面与高质量的加热源相配置，在高速加热及高速冷却时，具有良好的温度分布。 可实现宽域均热区，高速加热、高速冷却 ，用石英管保护加热试样，无气氛污染。可在高真空，高纯度气体中加热 。设备可组成均热高速加热炉，温度斜率炉，阶段加热炉。 它提高了加热试验能力。 同电阻炉和其他炉相比，红外线反射炉节省了升温时间和保持时间及自然冷却到室温所需时间，再试验中也可改写设定温度值。从各方面讲，都节省试验时间并提高实验速度。 同高频炉相比，不需特殊的安装条件及对加热试样的要求。同电阻炉一样安装简单，有冷却系统安全可靠。以提高试验人员的工作效率，实现全新的温度控制操作！高能量的红外灯和镀金反射方式允许高速加热到高温。同时炉体可配置水冷系统，增设气体冷却装置，可实现快速冷却。 1、高速加热与冷却方式高能量的红外灯和镀金反射方式允许高速加热到高温。同时炉体可配置水冷系统，增设气体冷却装置，可实现快速冷却。2、温度高精度控制近红外镀金聚焦炉和温度控制器的组合使用，可以精确控制样品的温度(远比普通加温方式)。此外，冷却速度和保持在任何温度下可提供高精度。3、不同环境下的加热与冷却加热/冷却可用真空、气氛环境、低温（高纯度惰性气体 静态或流动），操作简单，使用石英玻璃制成。红外线可传送到加热/冷却室。 更强的扩展能力，实现一机多用█ 多功能真空加热 炉，可实现高温、真空、气氛环境下电学测试 █ 采用铂金材料作为测量导线、以减少信号衰减、提高测试精度 █ 设备配置水冷装置，降温速度更快、效率更高█ 可实现高温下四探针电阻谱等测量功能█ 进口温度传感器、PID自动温度控制，使测量温度更精准█ 近红外加热，样品受热更均匀，不存在感应电流，达到精准测量█ 10寸进口触摸屏设计，一体化设计机械结构，更加稳定、可靠 █ 采用进口高频测试线，抗干扰能力更强，采集精度更高█ 99氧化铝陶瓷绝缘，配和铂金电极夹具█ huace pro 强大的控制分析软件与功能测试平台系统相互兼容温度范围： RT-800 (最高1650)°C 控温精度：±0.25°C 升温斜率：10°C/min（可设定） 测试范围 : 0.1mΩ-100MΩ 加热方式：近红外加热 冷却方式：水冷 输入电压：110~220V 样品尺寸：φ＜25mm，d＜4mm 电极材料：碳化钨针 夹具辅助材料：99氧化铝陶瓷 测量方式：直接四探针 测试功能：I-V、R-T等 数据传输：4个USB接口 设备尺寸：600x500x350mm动态测量范围：电流：10pA to 10A 电压：1µ V to 200V四象限工作 0.012%的精确度，5&half 的分辨率 可程控电流驱动和电压测量钳位的 6位线电阻测量 在4&half 数位时通过GPIB达1700读数/秒 可选式接触检查功能

四探针测试仪FT-330系列普通四探针方阻电阻率测试仪按照硅片电阻率测量的国际标准（ASTM F84）及国家标准设计制造该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准，本机配置232电脑接口及USB两种接口，本机采用范德堡测量原理能改善样品因几何尺寸、边界效应、探针不等距和机械游移等外部因素对测量结果的影响及误差，比市场上其他普通的四探针测试方法更加完善和进步,特别是方块电阻值较小的产品测量，更加准确.本仪器本仪器采用四探针单电测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购. 规格型号FT-331FT-332FT-333FT-334FT-335FT-3361.方块电阻范围10-5～2×105Ω/□10-4～2×103Ω/□10-3～2×105Ω/□10-3～2×103Ω/□10-2～2×105Ω/□10-2～2×103Ω/□2.电阻率范围10-6×106Ω-cm10-5×104Ω-cm10-4～2×106Ω-cm10-4～2×104-cm10-3～2×106Ω-cm10-3～2×104-cm3.测试电流范围0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA0.1μA，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度±0.1%读数±0.2%读数±0.2%读数±0.3%读数±0.3%读数±0.3%读数5.电阻精度≤0.3%≤0.3%≤0.3%≤0.5%≤0.5%≤0.5%6.显示读数液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式普通单电测量8.工作电源输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W 9.整机不确定性误差≤4%（标准样片结果）10.选购功能选购1.pc软件； 选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针ROOKO/瑞柯品牌，来自瑞柯仪器公司，一个专注于改变人们生活方式和品质的企业. 专业与精致并重；与智慧之原 四探针测试仪四探针测试仪

这款四点探针系统是一款易于使用的工具，用于快速测量材料的薄层电阻，电阻率和电导率。 通过使用我们自己的源测量单元，我们能够创建一个低成本的系统，使测量范围更广泛。 探头采用弹簧加载接触，而不是尖锐的针头，防止损坏精密样品，如厚度在纳米左右的聚合物薄膜。 四点探针系统为您的研究提供以下益处：? 广泛的薄膜电阻测量范围，从10mΩ/□到10MΩ/□? 弹簧加载的探针保护易损的样品免受损坏? 体积小巧，可用于空间有限的繁忙实验室? 易操作的PC软件，用于薄膜电阻，电阻率和电导率的测量? 使用自动校正因子计算加快材料表征? 使用保存设置可轻松重复测量 特征：广泛的测量范围 - 四点探头能够提供10 nA-100 mA的电流，并且可以测量低至100μV-10 V的电压。广泛的薄层电阻测量范围，从10mΩ/□到10MΩ/□，可表征多种材料。 非破坏性测试 - 设计时考虑到了精密样品的测量，四点探头采用镀金弹簧接触圆头， 60克的恒定接触力，防止探针刺破脆弱的薄膜，同时仍能提供良好的电接触。 节省空间的设计 - 通过垂直堆叠组件，我们能够将四点探头的占地面积降至最低（总台面面积12 cm x 30 cm），甚至可以在缺乏货架空间的实验室中使用。 易于使用 - 只需插入系统，安装软件，即可开始使用！ 直观的界面和清洁的设计，简化了薄膜电阻的测量。 快速材料表征 - PC软件可执行薄膜电阻，电阻率和电导率所有必要的测量和计算，从而使材料表征变得毫不费力。 不要忘记保存您的实验数据 - 用于测量的设置会与数据一起保存，从而轻松查看实验的详细信息。 此外，这些设置文件可以通过相同的软件加载，加快重复测量和材料表征。 用更少的时间重复测量，您的研究成果可以显着增加应用示例：材料特性 - 电阻率是材料的固有特性，也是重要的电学特性。 它可以通过测量已知厚度的薄膜薄层的电阻来确定，这使得四点探针测量成为材料电特性的关键技术。 薄膜太阳能电池和发光二极管 - 薄膜器件（如钙钛矿太阳能电池或有机发光二极管）需要薄的导电电极，横向输送电荷以进行提取。 因此，需要低表面电阻材料来减少这个阶段的潜在损失。 当试图放大这些设备时，这变得更加重要，因为电荷在它们可被提取之前，不得不沿着电极方向行进。测量规格电压范围100μV至10 V当前范围10 nA到100 mA薄层电阻范围10mΩ/□至10MΩ/□测量精度 ±4%测量精度±0.5%

Signatone四点探针与电阻率测试设备 Signatone 公司生产制造的QuadPro 制程发展电阻率测量系统包含了手动和自动的测量系统。手动系统包含一个滚珠轴承的四点探针机台，为因应使用的需要，手动机台往后可以升级增加自动机台的功能．自动机台系统是由计算机控制马达带动的，在测量100毫米、125 毫米、150 毫米、200 毫米、300 毫米的待测样品时，可设定自动测量9、25、49、或121 个测试点．系统使用四点探针，双架构测试方式，并整合了目前最佳的测量仪表可达到在1mΩ/□至2MΩ/□间小于1% 的误差．系统的准确度(Accuracy)与校准(Calibration)可追朔至美国国家标准局(NIST)。其它特点：平均电阻率(Resitivity)、电阻率标准差(Standard Deviation)、平均片电阻(Sheet Resistance)、片电阻标准差电阻温度系数(TCR, Temperature Coefficient of Resistance)使用自动温度控制器与温控待测样品载台(选用)及仪表测量电阻温度系数测量结果可以用二维(2D)或三维(3D)方式图形表示采用双架构测试方式(Dual Configuration)以达到最佳的系统准确性(Accuracy)与重复性(Repeatability)待测样品大小可由10 毫米到300 毫米在每个待测样品可上可自动测量高达49个可追朔至美国国家标准局的测试点QuadPro Automatic System (自动系统)自动的QuadPro 系统包括计算器、歩进马达控制单元、机台本体、200 毫米或者300 毫米隔离的待测样品载台(Isolated Chuck)。系统软件的设计让使用者可针对测量需求选择在每个待测样品上测量1、5、9、25 或者49 个自动测试点，并可自动绘图显示测量结果。使用者并可设定测试点在待测样品上的分布为方型或圆性。为提升测量数据的准确性与统计的有效性，软件可定义待测样品边缘的测量数据是否被采用。在测量开始时，系统软件自动搜集阻值范围，并据以作最佳的仪表设定。系统采用的双架构测试方式可消除因四点探针头结构误差所产生的测量误差，以提升系统测量的重复性和准确度。系统软件会控制并纪录每个测量点的位置与测量值，测量的结果如片电阻、电阻率和V /I(电压/电流)可在同一个测量结果的表格中表示。在完成全部测试点测量时，系统会用等高线图展示测量结果，此等高线图可在二维图与三维图间轻易的切换观看．电阻率与片电阻的平均值及标准差都会显示在等高线图上 QuadPro TCR Option (电阻温度系数测量选用项)电阻温度系数量测选用项整合了待测样品温度控制、仪表控制与温度系数运算的能力以完成电阻温度系数量测的功能。Signatone 提供了多种温度范围的温控待测样品载台系统供使用者选用。使用者可依测量需要设定开始温度、截止温度与在每个温度点停留多少时间后在开始量测。温度与量测得到的电阻值会存在同一个表格或图表内，以方便后续的分析使用。一般最常被采用的温控待测样品载台系统为室温至350°C。但是除了350°C 温控待测样品载台系统之外，Signatone 也提供低至-55°C 与高至600°C 的温控待测样品载台系统。一般QuadPro 的系统架构包括一台吉时利(Keithley)的2400 仪表(Source Measurement Meter)。吉时利2400 可测量的电阻范围为1mΩ至2MΩ。若使用者要测量更高电阻的材料，QuadPro 的系统架构将包括安捷伦(Agilent)的4156 参数分析仪，并采用隔离式的三轴系统架构，如此架构的QuodPro 系统的电阻测量范围为100mΩ 至10GΩ。为达到最佳的量测准确度，QuadPro 采用了美国ASTM 标准F84-99 测试方法的双架构测试方式以补偿因为四点探针头间距可能不精确或量测接近导电层边缘而造成的量测误差．Signatone 同时也提供准确度可追朔至美国国家标准局(NIST)的校准片，适当的使用校准片和QuadPro 提供的校准程序，可确保系统的准确性优于1%．Four Point Probe Head (四点探针头)Signatone 提供了两大系列的四点探针头供使用者选用；SP4 系列和HT4系列．SP4 系列四点探针头是被大多数应用所采用的四点探针头，它是由直线排列的塑钢探针所组成．SP4 系列四点探针头提供了下列选项以适应各种应用：探针间距：0.040、0.050、0.0625 英寸探针针压：45、85、180 克探针材质：碳化钨(Tungsten Carbide)、锇(Osmium)探针半径：0.0016、0.005、0.010 英寸HT4 系列四点探针头表面看起来与SP4 系列四点探针头类似，但是HT4系列四点探针头适用陶瓷做的，故适用于高温与高电阻的测量，HT4 系列四点探针头可工作至650oC，而且HT4 系列四点探针头的耐高温同轴接线设计使其可测量的电阻值高达10GΩ．探针间距：0.050、0.0625 英寸探针针压：180 克探针材质：碳化钨(Tungsten Carbide)、锇(Osmium)探针半径：0.0016、0.005、0.010 英寸QuadPro Test & Calibration (测试与校准)Pro4-440N configuration (系统架构)电压与电流(V/I)的量测结果会记录在软件内．系统采用了美国ASTM 标准F84-99 测试方法的双架构测试方式以补偿因为四点探针头间距可能不精确或量测接近导电层边缘而造成的量测误差．Signatone 同时也提供准确度可追朔至美国国家标准局(NIST)的校准片，适当的使用校准片和QuadPro 提供的校准程序，可确保系统的准确性优于1%．Pro4-440N 系统的标准范围是1mΩ/□至800KΩ/□．Pro4 Manual Four-Point Probe with Computerized Measurement System(Pro4 手动四点探针台与测量软件)Signatone 自1968 年就已经开始提供业界四点探针电阻率量测系统，其中的Pro4 系列手动四点探针台提供了简易且方便量测片电阻率(Sheet Resistivity)与体电阻率(Bulk Resistivity)的有效方法。使用者只要手动下针并操作软件上的量测按键，软件会自动控制吉时利仪表做最佳的电流设定并得到准确的量测。Pro4-440N configuration (系统架构)电压与电流(V/I)的量测结果会记录在软件内．系统采用了美国ASTM 标准F84-99 测试方法的双架构测试方式以补偿因为四点探针头间距可能不精确或量测接近导电层边缘而造成的量测误差．Signatone 同时也提供准确度可追朔至美国国家标准局(NIST)的校准片，适当的使用校准片和QuadPro 提供的校准程序，可确保系统的准确性优于1%．Pro4-440N 系统的标准范围是1mΩ/□至800KΩ/□．Pro4 Software (软件)使用者只需输入待测样品的大小、形状、待测样品边缘不包括部分的大小与测量点数，Pro4 软件会控制系统的测量、测量资料的撷取、显示、打印与资料的输出(Export)，使用者可设定要显示的参数(如电阻、片电阻或电压/电流)，也可以定义良品/不良品(Pass/Fail)的条件．测量点会在软件上以图样标示出来，同时提醒使用者将探针移至待测点．测量结束，测量数据的平均值、标准差、最大值与最小值会被标示出来，同时可打印测量数据含良品/不良品的报表．Pro4-4400 configuration (系统架构) Pro4-4400 系统与Pro4-440N 相同，但是不含计算器．使用者需自备计算器，计算器需含窗口软件与一个RS-232 接口．Pro4 用于测量芯片或其它材料的电阻率或片电阻． Pro4 使用双架构测试方式和自动设定仪表以保证测量的准确性．系统包括手动四点探针台、二个四点探针头、吉时利仪表(Keithley 2400)与软件． Pro4-4000 configuration (系统架构) Pro4-4000 不包括计算器与仪表，但是包含软件．使用者需自备计算器与吉时利仪表(Keithley 2400)系统包括手动四点探针台、二个四点探针头与软件．Manual Four-Point Probes (手动四点探针台)Signatone 生产各式电阻率测量设备，包括简易型四点探针台与四点探针头． S-302-4右图是四吋的四点探针台，可测量大至四吋的芯片，含四吋铁氟龙(Teflon)待测样品载台。四点探针台也有6"、8”与12”的． Four Point Probe Heads (四点探针头)除了四点探针台之外，Signatone 也生产四点探针头。SP4 系列四点探针头是设计给在室温使用的。HT4 系列四点探针头是设计给在高温使用的。一般四点探针头是由四支直线排列的探针组成，但是Signatone 也提供不同排列方式的订制探针头，例如四支针成矩形排列．

思坦60臂井径成像测井仪采用机械探测臂，探测套管内部的直径（半径），通过测量到的直径（半径）判断套管的扭曲、错位、孔洞、裂缝、内壁腐蚀等套管损伤。产品特点:每个测量臂独立对应一个传感器，圆周方向分辨率高；测量臂与传感器之间具有类似于关节结构的柔性连接，可以保证测量臂与传感器的随动性，重复性好；特殊型号具有防硫化氢功能，可以用在含硫量较高的井况下；具有相对方位、井斜的测量功能，能够辅助解释多臂测井资料；可以与多种仪器连接，如电磁探伤、电磁测厚、伽马井温、 陀螺测斜仪等， 一次下井可获得多种仪器的测井资料。西安思坦仪器依托强大的仪器生产制造能力、多品类的仪器库及遍及国内各大油田的销售和技术支持网络，搭建了仪器共享租赁平台。您可以选择“中短期租赁”，也可以选择“先租后买”，方式灵活，您可以租赁您需要的石油仪器，也可以把您闲置的石油仪器在这里展示出租，帮您节约成本，提高资源利用效率。共享租赁的优势：1、减少企业开支2、快速获取所需仪器3、无需承担维修费用4、避免复杂的行政审批5、提高仪器利用率，获取额外收益6、合理节税为什么选择思坦仪器租赁平台：1、测井、试井等油、气田仪器生产商，30余年的仪器研发、制造及销售经验。2、各类仪器已广泛应用于国内外各大油气田，获得油气田客户的深度认可，性能优异。3、公司可提供仪器免费送货服务。4、公司可供优惠的租赁价格。5、国内各大油田均有售后团队，能快速提供现场指导及支持。6、国内各大油田均有销售网络，能快速直达用户。如果您有60臂井径成像测井仪租赁需求，可以私信小编。来源:[西安思坦仪器股份有限公司]() 原文地址：，转载请注明出处。

采油开关可在油管内任意位置进行铆钉，执行开—关—开操作，可有效减少井筒的储集效应。连接压力计，根据测试的压力数据准确快速的分析地层特性。产品特点:钢丝作业下入、回收，操作简易、安全；可编程——根据油藏特点或甲方要求进行开关井；可在油管内任意位置锚定及密封；密封压差大；可配接任何一种存储式压力计。技术参数：井下油管内开关井工具仪器外径可达Φ89mm仪器长度≤1.5m工作压力可达60MPa供电方式电池组开关循环次数≥40次工作温度范围-40～+150℃电机工作电流≤200mA休眠电流≤100uA通讯方式地面到井下单向传输开关控制方式时序或压力脉冲西安思坦仪器依托强大的仪器生产制造能力、多品类的仪器库及遍及国内各大油田的销售和技术支持网络，搭建了仪器共享租赁平台。您可以选择“中短期租赁”，也可以选择“先租后买”，方式灵活，您可以租赁您需要的石油仪器，也可以把您闲置的石油仪器在这里展示出租，帮您节约成本，提高资源利用效率。共享租赁的优势：1、减少企业开支2、快速获取所需仪器3、无需承担维修费用4、避免复杂的行政审批5、提高仪器利用率，获取额外收益6、合理节税为什么选择思坦仪器租赁平台：1、测井、试井等油、气田仪器生产商，30余年的仪器研发、制造及销售经验。2、各类仪器已广泛应用于国内外各大油气田，获得油气田客户的深度认可，性能优异。3、公司可提供仪器免费送货服务。4、公司可供优惠的租赁价格。5、国内各大油田均有售后团队，能快速提供现场指导及支持。6、国内各大油田均有销售网络，能快速直达用户。如果您有采油开关租赁需求，可以私信小编。来源:[西安思坦仪器股份有限公司]() 原文地址：，转载请注明出处。

四探针测试仪产品名称：四探针测试仪产品型号：HCTZ-2S品牌：北京华测 一、产品介绍HCTZ-2S四探针测试仪器是运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。用于测试半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)的专用仪器。仪器由主机、测试台、四探针探头、计算机等部分组成，测量数据既可由主机直接显示，亦可由计算机控制测试采集测试数据到计算机中加以分析，然后以表格，图形方式统计分析显示测试结果。HCTZ-2S双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器利用电流探针、电压探针的变换，采用两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，也可应用于产品检测以及新材料电学性能研究等用途。四探针软件测试系统是一个运行在计算机上拥有友好测试界面的用户程序，通过此测试程序辅助使用户简便地进行各项测试及获得测试数据并对测试数据进行统计分析。测试程序控制四探针测试仪进行测量并采集测试数据，把采集到的数据在计算机中加以分析，然后把测试数据以表格，图形直观地记录、显示出来。用户可对采集到的数据在电脑中保存或者打印以备日后参考和查看，还可以把采集到的数据输出到Excel中，让用户对数据进行各种数据分析。二、四探针测试探头1、使用几何尺寸十分精确的红宝石轴承，量具精度的硬质合金探针，在宝石导孔内运动，持久耐磨，测量精度高、重复性好。A.探头间距1.00㎜B.探针机械游率：±0.3%C.探针直径0.5㎜ D.探针材料：碳化钨，常温不生锈E探针间及探针与其他部分之间的绝缘电阻大于109欧姆。 2、手动测试架手动测试架探头上下由手动操作，可以用作断面单晶棒和硅片测试，探针头可上下移动距离：120mm，测试台面200x200(mm)。 三、产品应用HCTZ-2S四探针测试仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料在高温、真空及气氛条件下测量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，配备10英寸触摸屏，软件可保存和打印数据，自动生成报表；本仪器可显示电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度、电导率，配备不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购。四、产品特点 1.TVS瞬间抑制防护技术：光耦与隔离无非是提高仪器的采集的抗干扰处理,对于闪络放电过程中的浪涌对控制系统的防护起不到作用。华测的TVS瞬间抑制防护技术，将起到对控制系统的jue对防护。 2.本仪器的特点是主机配置三个数字表，在测量电阻率的同时，一块数字表适时监测全程的电流变化，及时掌控测量电流，一块显示2、3探针间的测量电压，另一块是显示当前1、4探针测量使用的电压，可以适当调整测量电压避免材料耐压不够而电压击穿被测材料。 3.主机还提供精度为0.05%的恒流源，使测量电流高度稳定。本机配有恒流源开关，在测量某些薄层材料时，可免除探针尖与被测材料之间接触火花的发生，更好地保护薄膜。采用低通滤波电流检测技术以保证采集电流的有效值，以及电流抗干扰的屏蔽。 4.探针采用碳化钨硬质合金，硬度高、常温不生锈，探针游移率在0.1～0.2%。保证了仪器测量电阻率的重复性和准确度。本机如加配测量软件，测量硅片时可自动进行厚度、直径、探针间距的修正，并计算、打印出硅片电阻率、径向电阻率的zui大百分变化、平均百分变化、径向电阻率不均匀度，给测量带来很大方便。软件平台5.HCTZ-800系统搭配Labview系统开发的hcpro软件，具备弹性的自定义功能，可进行电压、电流。6.仪器通过USB转RS232连接线与电脑连接，软件可对四探针电阻率测量数据进行处理并修正测量数据，特定数据存储格式，显示变化曲线，兼容性：适用于通用电脑7.测试系统的软件平台hcpro，采用labview系统开发，符合导体、半导体材料的各项测试需求，具备强大的稳定性和安全性，并具备断电资料的保存功能，图像资料可保存恢复。兼容XP、win7、win10系统。五、软件功能具有试验电压设置功能；可选择试验标准可选择是否自定义或自动试验截止条件：时间/电压/电流 语音提示:可选择是否语音提示功能。统计报告：可自定报表格式可生出PDF、CSV、XLS文件格式分析功能：可对测试的数据进行统计。zui大/最小值、平均值等。 六、技术参数测量范围电 阻：1×10-4~2×105Ω， 分辨率：1×10-5~1×102Ω电阻率：1×10-4~2×105Ω-cm， 分辨率：1×10-5~2×102Ω-cm方 阻：5×10-4~2×105Ω/□， 分辨率：5×10-5~1×102Ω/□数字电压表量程：20.00mV~2000mV误差：±0.1%读数±2字数控恒流源量程：0.1μA，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100mA,1A误差：±0.1%读数±2字四探针探头碳化钨探针：Ф0.5mm，直流探针间距1.0mm，探针压力：0~2kg可调薄膜方阻探针：Ф0.7mm，直流或方形探针间距2.0mm，探针压力：0~0.6kg可调 七、注意事项1、仪器操作前请您仔细阅读使用说明书，规范操作2、轻拿轻放，避免仪器震动，水平放置，垂直测量3、仪器不使用时请切断电源，连接线无需经常拔下，避免灰尘进入航空插引起短接等现象4、探针笔测试结束，套好护套，避免人为断针

本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，压强 配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。标准要求：该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。1.双电测四探针法测试薄层样品方阻计算和测试原理如下：直线四探针测试布局如图8，相邻针距分别为S1、S2、S3,根据物理基础和电学原理：当电流通过1、4探针，2、3探针测试电压时计算如下：四探针测试结构当电流通过1、2探针，4、3探针测试电压时计算如下：从以上计算公式可以看出：方阻RS只取决于R1和R2，与探针间距无关．针距相等与否对RS的结果无任何影响，本公司所生产之探针头全部采用等距，偏差微小，对测试结果更加精准。

硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.导体材料电阻率测试仪GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯ 0.8N两种。以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。但凡注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括订正的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件，其新版本适用于本标准。GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的规定。样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士5"，测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。

导体材料电阻率测试仪GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯ 0.8N两种。以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。但凡注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括订正的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件，其新版本适用于本标准。GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的规定。样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士5"，测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.

四探针方阻测试仪,四探针电导率测试仪,双电测四探针测试仪FT-334普通四探针电阻率方阻测试仪按照硅片电阻率测量的国际标准（ASTM F84）及国家标准设计制造该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准，本机配置232电脑接口及USB两种接口，本机结合采用范德堡测量原理能改善样品因几何尺寸、边界效应、探针不等距和机械游移等外部因素对测量结果的影响及误差，比市场上其他普通的四探针测试方法更加完善和进步,特别是方块电阻值较小的产品测量，更加准确.本仪器本仪器采用四探针单电测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.参数资料1.方块电阻范围：10-3～2×103Ω/□2.电阻率范围：10-4～2×104Ω-cm3.测试电流范围：10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.3%读数5.电阻精度：≤0.5%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 普通单电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件； 选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针

仪器简介：Si PIN探测器按封装形式分为XPIN-XT和XPIN-BT两个系列。XPIN-XT系列包括探测器和前置放大器，成本低廉，封装形式多样；XPIN-BT系列则集成了温度控制和供电部分，既可配合Moxtek的MXDPP-200数字脉冲处理器使用，也可与用户自己的DPP配套。技术参数：产品指标 XPIN-XT系列XPIN-BT系列Si PIN探测器面积 6 mm2 或 13 mm2 6 mm2 或 13 mm2硅片厚度 625&mu m625&mu m铍窗厚度8&mu m 或 25&mu m8&mu m 或 25&mu m准直器材料W/Co/Ti/AlW/Co/Ti/Al能量分辨率 6 mm2 170eV FWHM 13 mm2: 230eV FWHM6 mm2 170eV FWHM 13 mm2: 230eV FWHM峰背比6mm2: 3600/1 @ 1keV (typical) 13mm2: 3000/1 @1keV (typical)6mm2: 3600/1 @ 1keV (typical) 13mm2: 3000/1 @1keV (typical)主要特点：1.能量分辨率高2.Be窗厚度薄3.探测器硅片更厚，计数率高4.尺寸小，梯形外形设计，结构紧凑5.封装形式多样

SiPM单光子探测器硅光电倍增管（Silicon photomultiplier，简称SiPM)，是一种新型的光电探测器件，由工作在盖革模式的雪崩二极管阵列组成，SiPM单光子探测器具有增益高、灵敏度高、偏置电压低、对磁场不敏感、结构紧凑等特点。SiPM单光子探测器发明于二十世纪九十年代末，广泛应用于高能物理及核医学（PET）等领域，代表着未来极微弱光探测器的发展方向。SiPM单光子探测器主要参数：有效面积3mmX3mm像元尺寸15um微孔数量38800探测效率31% @ 430nm, ctrl=0.7V暗计数率125kHz/mm3串扰几率18%残留脉冲几率5%恢复时间15ns跨阻增益150V/A输出带宽12.5MHz偏置电压0-1V输入电压5VDC功耗350mW （typ.）外观尺寸40mm×50mm×19.8mm工作温度0-60oCSiPM单光子探测器应用图例：其他规格要求，可咨询上海昊量光电设备有限公司。更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。

1:便携式四探针电阻率测试仪 四探针电阻率测试仪 四探针电阻率检测仪 四探针电阻率测定仪 型号：KDK-KDY-1A概述便携式电阻测度仪是用来测量硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻的小型仪器。本仪器按照半导体材料电阻率的际及家标准测试方法有关规定。它主要由电器测量份（主机）及四探头组成，需要时可加配测试架。为减小体积，本仪器用同块数字表测量电流及阻率。样品测试电流由宽的恒流源提供，随时可行校准，以确保电阻率测量的准确度。因此本仪器不仅可以用来分材料也可以用来作产品检测。对1～100&Omega &bull cm标准样片的测量瓿差不过± 3%，在此范围内达到家标准机的水平。测量范围：可测量 电阻率：0.01～199.9&Omega &bull cm。可测方块电阻：0.1～1999&Omega /口当被测材料电阻率&ge 200&Omega &bull cm数字表显示0.00。（2）恒流源：输出电流：DC 0.1mA～10mA分两档10mA量程：0.1～1mA 连续可调10mA量程：1mA ～10mA连续可调恒流度：各档均优于± 0.1%适合测量各种厚度的硅片（3） 直流数字电压表测量范围：0～199.9mv灵敏度：100&mu v准确度：0.2%（± 2个字）（4） 供电电源：AC：220V ± 10% 50/60HZ 率8W（5） 使用环境：相对湿度&le 80%（6） 重量、体积重量：2.2 公斤体积：宽210× 100× 深240（mm）（7）KD探针头压痕直径：30/50&mu m间距：1.00mm探针合力：8± 1N针材：TC2:· 数字式硅晶体少子寿命测试仪 型号：KDK-LT-100C为解决太阳能单晶、多晶少子寿命测量，特按照标GB/T1553及SEMI MF-1535用频光电导法研制出了数字式少子寿命测试仪。 该设备是按照家标准GB/T1553&ldquo 硅单晶少数载流子寿命测定的频光电导衰减法&rdquo 。频光电导衰减法在我半导体集成电路、晶体管、整流器件、核探测器行业已运用了三十多年，积累了丰富的使用经验，经过数次十多个单位巡回测试的考验，证明是种成熟可靠的测试方法，特别适合于硅块、硅棒研磨面的少子体寿命测量；也可对硅片行测量，给出相对寿命值。方法本身对样品表面的要求为研磨面，制样简便。 KDK-LT-100C数字式硅晶体少子寿命测试仪有以下特点：1、 可测量太阳能多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面无需抛光，直接对切割面或研磨面行测量。同时可测量多晶硅检验棒及集成电路、整流器、晶体管硅单晶的少子寿命。2、 可测量太阳能单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命，表面无需抛光、钝化。3、配备软件的数字示波器，液晶屏上直接显示少子寿命值，同时显示动态光电导衰退波形，并可联用打印机及计算机。4、配置两种波长的红外光源：a、红外光源，光穿透硅晶体深度较深&ge 500&mu m，有利于准确测量晶体少数载流子体寿命。b、短波长红外脉冲激光器，光穿透硅晶体深度较浅&asymp 30&mu m，但光强较强，有利于测量低阻太阳能硅晶体。5、测量范围宽广测试仪可直接测量：a、研磨或切割面：电阻率&ge 0.3&Omega &bull ㎝的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命，切割片的少子相对寿命。b、抛光面：电阻率在0.3～0.01&Omega &bull ㎝范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。寿命可测范围 0.25&mu S&mdash 10ms 温馨提示：以上产品资料与图片相对应。

四象限探测器(QP) 新势力光电供应四象限探测器(QP)，由小间隙隔开的四个有效探测区域组成。四象限探测器应用广泛，包括：激光光束的位置测量、其它需要精确调整的光学系统。Quadrant photodiodes (low dark current)Type No.Active areaDark currentRise time ChipPackageSizeArea10V850nm 10V 50Ωmmmm2nAnsQP1-6TO52Ø 1.1310.110QP5-6TO5Ø 2.5250.210QP5.8-6TO52.4x2.45.80.420QP10-6TO5Ø 3.57100.415QP20-6TO8SØ 5.0520120QP50-6TO8SØ 7.850240QP100-6LCC10SØ 11.2100450Quadrant photodiodes (fully depletable)Type No.Active areaDark currentRise time ChipPackageSizeArea10V905nm 10V 50Ωmmmm2nAnsQP100-7LCC1010x104x250.550Quadrant photodiodes (for 1064nm)Type No.Active areaDark currentRise time ChipPackageSizeArea150V1064nm 150V 50Ωmmmm2nAnsQP22-QTO8SØ 5.34x5.71.55QP45-QTO8S6.7x6.74x10.9635QP154-QTO1032iØ 14.04x38.5106相关商品 光电二极管(PIN) 雪崩二极管(APD) 铟镓砷探测器(InGaAs) 位敏探测器(PSD)

高温四探针测试仪 HGTZ-800型号高温四探针测试仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料在高温、真空及气氛条件下测量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，配备10英寸触摸屏，软件可保存和打印数据，自动生成报表；本仪器可显示电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电 流、电压、探针形状、探针间距、厚度、电导 率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购。双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度,也可应用于产品检测以及新材料电学性能研究等用途。 HGTZ-800型号系列采用电子护系统，设备的安全性；选用热电偶保定温度的采集有效值、采用SPWM 电子升压技术，电压输出稳定性好。配备高精度电压、电流传感器以保证试验数据的有效性。 HGTZ-800型号系統搭配Labview系统开发的hcpro软件，具备弹性的自定义功能，可进行电压、电 流、温度、时间等设置，符合导体、半导体材料与其它新材料测试多样化的需求。高精度的输出与测量规格，保障检测结果的品质，适用于新材料数据的检测。例如：多晶硅材料、石墨烯材料、导电功能薄膜材料、半导体材料，也可做为科研院所新材料的耐电弧性材料的性能测试。针探针测试仪做了多项安全设计，测试过程中有过电压、过电流、超温等异常情况以保证测试过程的安全；资料保存机制：当遇到电脑异常瞬时断电可将资料保存于控制器中，不丢失试验数所新开启动后可恢复原有试验数据。 应用领域： █ 多晶硅材料█ 石墨烯材料 █ 石墨功能材料 █ 半导体材料 █ 导电功能薄膜材料 █ 锗类功能材料 █ 导电玻璃（ito）材料 █ 柔性透明导电薄膜 █ 其它导电材料等 系统功能： █ 电压、电流、温度实时显示 █ 自动升压功能 █ 循环自动测试 █ 升温速度可控 █ 自动试验报表 █ 过压、过流、超温报警 █ 软件自动升级 █ 试验电压、电流可调 █ 电极方便更换 █ 在线设备诊断 系统特点： 多功能真空加热炉，一体炉膛设计、可实现、高温、真空、气氛环境下进行测试 █ 采用铂材料作为导线、以减少信号衰减、提高测试精度， █ 可以测量半导体薄膜材、薄片材料的方块电阻、电阻率； █ 可实现常温、变温、恒温条件的I-V、R-T、R-t等测量功能 █ 温度传感器、PID自动温度控制，使测量温度更准确； █ 仪器可自动计算试样的电阻率pv █ 10寸触摸屏设计，一体化设计机械结构，稳定、可靠； █ 程控电子升压技术，纹波低、TVS防护系统，保证仪器安 █ 99氧化铝陶瓷绝缘、碳化钨探针； █ huace pro 强大的控制分析软件。

FT-331普通四探针方阻电阻率测试仪按照硅片电阻率测量的国际标准（ASTM F84）及国家标准设计制造该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准，本机配置232电脑接口及USB两种接口，本机结合采用范德堡测量原理能改善样品因几何尺寸、边界效应、探针不等距和机械游移等外部因素对测量结果的影响及误差，比市场上其他普通的四探针测试方法更加完善和进步,特别是方块电阻值较小的产品测量，更加准确.本仪器本仪器采用四探针单电测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.FT-331普通四探针方阻电阻率测试仪参数资料1.方块电阻范围：10-5～2×105Ω/□2.电阻率范围：10-6～2×106Ω-cm 3.测试电流范围：0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.1%读数5.电阻精度：≤0.3%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 普通单电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件；选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针

ST-66活性炭四氯化碳脱附率仪适用于木质活性炭和煤质活性炭的四氯化碳脱附率的测定，是按照GB/T7702.19《煤质颗粒活性炭试验方法四氯化碳脱附率的测定》标准设计制作的。仪器由高精度控温单元、不锈钢水浴箱系统等组成，具有控温精度高，保温时间长等特点。活性炭四氯化碳脱附率仪采用 4.3 寸智能触摸屏，全自动控制水浴箱恒温温度，使水浴温度始终保持在设定温度。全新智能计时功能，可任意设置工作时 间，避免了人工计时的不确定性。采用高精度铂探头，非固定方式的探头设计，可随时检测水浴每个工作点的实时温度。水浴单元采用双层设计，内部填充环保保温材料，恒温效果极佳，从而更加节能。 此款仪器装置需配合ST-65四氯化碳吸附率测定仪使用.主要技术参数： ●显示方式：液晶屏显示●控温方式：全自动加热●碳层高度：（10±0.2）cm.●测定管截面积：（3.15±0.26）c㎡。●计时功能：可任意设置蒸汽时间，计时结束自动停气●净化装置：（50mm×320mm）×2●流量计：10L ●控温精度：80℃±0.1℃ ●加热功率：3KW●样 品 数：6个 ●外形尺寸：长×宽×高 温控系统：255 mm×550 mm×450mm 恒温水浴：570mm×525 mm×510 mm●电压：AC220V 50Hz

主要用途：CSI-3000型炉前快速碳硅分析仪又称炉前铁水成份分析仪，广泛用于现场测量灰铁、玛铁、球铁、蠕铁等原铁水中：碳当量、碳含量、硅含量、浇样温度TM、液相线温度TL、固相线温度TS。 主要技术参数：测量参数测定C、Si、CEL、△T、△TM，计算抗拉强度Rm、硬度HB、品质系数R/H、共结团数MEG、石墨化因子K测量范围按照ICEC584，型号K（Nicr-Ni）200℃-1370℃ C 2.1-4.2 Si 0-20 CEL 2.5-5.0 精度＜± ℃ CET± 0.047% C± 0.039% Si± 0.1%显示 4位LED显示 数字500mm 分辨率：1℃操作方式 9按键选择所需参数其中&ldquo Auto&rdquo 键循环显示C、Si、CEL通过旋转电位器调整Si含量 通过内部电位器调整C含量输出方式电流环TTY4-20MA外型尺寸长：200mm 高:200mm 厚:120mm工作电源AC：220V± 10% 50HZ 功率：10VA-35VA 环境温度：0℃-50℃ 主要特点：◆测量结果数显直读，测量时间为2-3分钟，便于铸造工程师现场配料。◆仪器的操作简单，免维护，一般的炉工即可现场使用。◆仪器是便携式的，可在炉台上自由移动，多台炉子可同时使用一台仪器。◆仪器可测量孕育前或孕育后的铁水，这是国内仪器无法做到的。这项技术填补了国内空白。◆仪器能自动控制重要冶金参数。它对灰白凝固铸铁自动进行测量，免去了人工操作。可以连接信号及测量数据的外部输出设备(大型远程显示器、信号灯、计算机、打印机)。

四探针三维样品台，主要用于搭载测试样品，可以三维移动、电性能测试、光电性能测试、光化学测试等。在进行太阳能光电转换实验时， 为了测试实验样品的转化效率，需要在照射的同时测定样品的各项参数，因为常规的万用表测量自身测量原理的局限性，在对半导体材料测量时不能够得到准确的数据。而采用四探针法测量时，配合相应的光电测试系统，得出的、稳定、准确的测试数据。探针平台技术参数平台型号AULTT-FTVMAULTT-FTVAAULTT-FTLMAULTT-FTLM样品放置面垂直垂直水平水平操作模式手动电动，PC控制手动电动，PC控制位移距离50mm50mm50mm50mm平台规格220*190*328mm210*210*278mm166*166*108mm210*210*120mm应用样品垂直放置光束水平照射样品垂直放置光束水平照射样品水平放置，光束由上向下照射样品水平放置，光束由上向下照射 1.AULTT-FTVM手动平台此款探针平台分为手动平台和自动平台，手动平台采用微分头进行手动调整操作。A.三维平台为三个位移平台及直角固定块组合而成，用于接收水平光源照射。B.每个位移台面可移动±25mm的距离，移动精度为0.02mm，可精确对准光源发射点。C.位移台采用丝杆传动，并用2根优质钢导轨作为稳定装置，移动稳定无颤动。D.探针组件固定后可调节位置，可适应边长25mm-45mm的被测样本。E.探针固定到绝缘针套内，保证“被测样本-探针-数据收集”整个测量环节内没有外部干扰，测量信号纯净。F.探针与针套不采用粘合剂固定，如需更换探针简单方便。G.采用正规厂商生产的尖头弹簧探针，表面镀铜工艺，确保接触信号良使用长久。 2.AULTT-FTVA自动平台适用于水平光束照射的自动平台采用步进电机作为驱动，除拥有手动平台的特点外还有以下特点。A.采用步进电机驱动，步进角为1.8°，保证了位移的精确度。B.拥有单独的控制器与位移平台连接，控制平台的运动，并可根据使用需要变更运动速度，最大速度可达到10mm/s。C.采用半闭环控制系统，可根据电机运动状态计算位移状态，可实现较精确的位移操作，重复定位精度可达到±5μ。D.拥有上位机软件，可在PC端对平台进行远距离控制。 3.AULTT-FTLM手动平台适用于光束垂直照射的探针平台同样分为手动平台和自动平台，手动平台的X、Y轴平移采用微分头进行精细调整，升降台采用螺杆调整。A.三维平台为两个位移平台及一个垂直升降台组成，用于接收垂直光源照射。B.每个位移台面可移动60mm的距离，移动精度为0.02mm，可精确对准光源发射点。C.垂直升降台行程为60mm-120mm，采用剪形支撑结构，可承载较大载荷，使用安全可靠。D.位移台采用丝杆传动，并用2根优质钢导轨作为稳定装置，移动稳定无颤动。E.探针组件固定后可调节位置，可适应边长25mm-45mm的被测样本。F.探针固定到绝缘针套内，保证“被测样本-探针-数据收集”整个测量环节内没有外部干扰，测量信号纯净。G.探针与针套不采用粘合剂固定，如需更换探针简单方便。H.采用正规厂商生产的尖头弹簧探针，表面镀铜工艺，确保接触信号良使用长久。 4.AULTT-FTLM自动平台适用于垂直光源的自动平台采用步进电机进行驱动，除拥有手动平台的特点外还有以下特点。A.位移平台采用步进电机驱动，步进角为1.8°，保证了位移的精确度，可达到±10μ。B.垂直升降台由原来的手动升降方式也更改为电机驱动的升降方式，可精确的调整升降高度，精度为5μ，重复定位精度可达到±10μ。C.拥有单独的控制器与位移平台连接，控制平台的运动，并可根据使用需要变更运动速度，最大速度可达到10mm/s。D.采用半闭环控制系统，可根据电机运动状态计算位移状态，可实现较精确的位移操作，重复定位精度可达到±5μ。E.拥有上位机软件，可在PC端对平台进行远距离控制。

煤炭和焦炭测定仪TY-SiO2-3智能盘式灰分测试仪是我公司根据市场需求而开发的高科技产品，采用高性能，长寿命、高亮度进口光源，测量精度高，稳定性好的特点。解决了各种杂光干扰LCD显示器，人性化显示界面，操作简单，具有储存/防水功能，主要部件均是国外进口，广泛适用于煤炭和焦炭的测定。产品特点1、利用进口高性能、长寿命（10万小时）、高亮度光源，配以窄带滤光系统，光学稳定性极强，不易受到各种光的干扰，因而仪器精度高，稳定性好。2、大屏幕LCD中文显示，中文菜单操作，简便，直观。3、测量数据可永久保存，工作曲线除出厂标定曲线外，还留有用户自定标定曲线。4、主要机壳采用模后ABS材料，防腐蚀性好。5、采用高性能、低功耗16位单片机系统，性能极佳。6、数据断电功能保护。7、符合国标GBT 3286.2-2012 石灰石及白云石化学分析方法技术参数波长范围 340 nm～1000 nm光谱带宽 4nm杂散光 ≤0.5%T （220nm 360nm）波长准确度 ±2nm波长重复性 1nm光度范围 －0.301 A～3A透射比准确度 ±1%T透射比重复性 ±0.5%T透射比范围 0.0-125%T稳定性 ≤±0.004A/h