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二氯硅基

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二氯硅基相关的论坛

  • 使用何种溶剂来洗脱硅镁吸附剂上的有机氯成分?

    本人小硕,做的是沉积物中POPs分析检测,头回接触实验,疑问颇多。现在提取试剂为 正己烷:二氯甲烷=1:1,超声提取,提取物质为有机氯成分;然后净化用弗罗里硅土和活性炭层析柱,现不明白选用什么溶剂将我的目标物洗脱下来? 还有问题就是,提取过程发现提取液污染严重,是否需要将提取液先离心处理后再过净化柱?自己查找资料都比较粗犷,希望朋友们提供经验之谈,或者是相关资料信息。感激不尽!

  • 三氯氢硅组分

    三氯氢硅组分

    我们厂是做三氯氢硅和四氯化硅的,三氯氢硅中除了低沸,二氯二氢硅,四氯化硅,氯硅烷和一些金属杂质以外,我们做FID的时候,在10min-15min之间,出了很多杂峰,用GC-MS定性是十二甲基环六硅氧烷,不知道结果可不可靠,怎么验证?谢谢大家。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2014/07/201407042106_505463_2909301_3.jpg

  • 硅光二极管是硅光电池吗?

    看到网上及论坛内不少说这两种是一样的,也有说是不一样的http://bbs.instrument.com.cn/shtml/20071107/1050063/硅光电池(硅光二极管)是一个大面积的光电二极管,它被设计用于把射到它表面的光转化为电能,因此,可用在光电探测器和光通信等领域。特点:当它照射光时会流过大致与光量成正比的光电流. 用途:1.作传感器用时,可广泛用于光量测定和视觉信息,位置信息的测定等. 2.作通信用时,广泛用于红外线遥控之类的光空间通信,光纤通信等. 3.紫蓝硅光电池是用于各种光学仪器,如分光光度计、比色度计、白度计、亮度计、色度计、光功率计、火焰检测器、色彩放大机等的半导体光接收器;紫蓝硅光电池具有光电倍增管,光电管无法比拟的宽光谱响应,它特别适用于工作在300nm-1000nm光谱范围的各种光学仪器对紫蓝光有较高的灵敏度、器件体积小、性能稳定可靠,电路设计简单灵活,是光电管的更新换代产品。目前也有可以使用到190-1100nm的产品,但紫外能量弱一些,光谱带宽不能太小,已经有很多厂家在紫外可见分光光度计上用了。 网上硅光电池是发电的硅光电二极管只要是用光来控制电流 本身几乎不发电另外光电二管管与硅光电二极管有什么区别?

  • 三氯氢硅组分

    三氯氢硅组分

    [color=#444444]我们用FID[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相色谱[/url]分析三氯氢硅组分时,除了知道1、空气峰 2、氯化氢峰 3、二氯二氢硅峰 4、三氯氢硅峰(3min) 5、四氯化硅峰(4min),很难判断在三氯氢硅主峰后面大概10-15min出现的一些峰是什么物质,附上色谱图,请朋友们帮忙解释一下。[/color][color=#444444][img=,690,123]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2019/09/201909051442164892_4308_1752329_3.jpg!w690x123.jpg[/img][img=,690,123]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2019/09/201909051442179629_1595_1752329_3.jpg!w690x123.jpg[/img][/color]

  • 三氯氢硅组分定性判断

    [color=#444444]我们用FID[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相色谱[/url]分析三氯氢硅组分时,除了知道1、空气峰 2、氯化氢峰 3、二氯二氢硅峰 4、三氯氢硅峰(3min) 5、四氯化硅峰(4min),很难判断在三氯氢硅主峰后面大概12-13min出现的一些峰是什么物质,请朋友们帮忙解释一下。[/color]

  • 【分享】光电二极管和硅光二极管的应用

    各位大虾: 我看见有些紫外可见分光光度计用的检测器是光电二极管或硅光二极管,它们之间各自的特点是什么,各有什么优点?谁更好一些?现在用得比较多的是哪一个检测器? 谢谢您的回答.请参照:http://www.instrument.com.cn/bbs/shtml/20071107/1050063/

  • 液体三氯氢硅

    请问液体三氯氢硅的百分含量单位是摩尔比还是质量比还是什么呢?谢谢!

  • 多晶硅生产中氯硅烷中总碳(甲基硅烷)质谱分析?

    背景:多晶硅含碳偏高,主要是三氯氢硅精馏提纯不够。企业一般是热氢化的回收氢和还原炉的回收氢混着用,氢化炉在1300度以上时,它的石墨罩会和氢气生成CH4,含量高的时候能达到几百个PPM,在还原炉中分解沉积在硅棒中。还有就是吸附塔再生时也能产生一定量的CH4。大家都知道甲烷热裂生成炭黑和氢气的反应,就是隔绝空气加强热到1000至1500度左右.在1100度以下时不可能出现石墨与氢气化合生成甲烷的反应,或者大家也可以用热力学计算一下,先假使二者可以反应,通过平衡常数计算出的含量能有几个ppm就很不容易了。 CH4(g)=C(石墨)+2H2(g) 反应自发温度823K多晶硅生产中氯硅烷中总碳(甲基硅烷)质谱分析?

  • 【原创大赛】XRF结合偏最小二乘法定量分析铝土矿中铝、硅、铁含量

    XRF结合偏最小二乘法定量分析铝土矿中铝、硅、铁含量Analysis of Aluminium,Silicon and Ironin Bauxite with Partial Least Square Regression(PLS ) Method and XRF Analyzer摘 要 在实验室条件下,利用EDX3600B型X射线荧光光谱仪获取铝土矿样品的X射线荧光光谱数据,并采用偏最小二乘法(PLS)分别建立铝土矿中铝、硅、铁含量的预测模型。模型所用的光谱范围分别为与铝土矿中铝、硅、铁元素密切相关的波段。al、si、fe最佳主成分数分别为3、2、2。模型经交互验证,其预测结果与实测值之间的相关系数R,铝、硅、铁分别为0.9407、0.9685、0.9990。另外利用一元线性回归分析结果同PLS模型做比较,结果均不及PLS模型的预测结果。 研究表明,通过PLS回归分析方法能明显提高模型预测的准确度。Abstract In the presentstudy,bauxite samples were scanned by EDX3600B X-ray fluorescence analyzer,andthe relationship between the X-ray fluorescence spectra and the concentrationof aluminium,silicon and iron in bauxite was studied.Forpredicating the aluminium,silicon and iron concentration in bauxite,3PLS model were established respectively with 3,2,2 optimal factors and closelyrelevant electron volt ranges.After cross-calibration,the correlationcoefficient of value predicted by PLS model against that measured by ICP were0.9407,0.9685,0.9990 separately.Meanwhile,the univariate linear regressionmodel was also built.Obviously,the PLS method was better than the linearregression for predication.It showed that the accuracy of prediction wasimproved evidently by PLS model.

  • 高纯三氯氢硅中痕量砷的测定方法

    多晶硅工业生产中间体高纯三氯氢硅中痕量砷的测定方法新年新气象,今天我把我们测定三氯氢硅(TCS)的方法拿出来分享给大家。希望能够起到抛砖引玉,互通有无的作用。欢迎同事们批评指正。摘要: 多晶硅生产中,控制原料中砷元素具有十分重要的意义。特别是用于电子及太阳能电池组件制造原料,往往需要测定ng/L级别的砷含量。 本方法采用Agilent 7700s 为平台,在0.1% HCl溶液中测定三氯氢硅中的As元素。具有较好的回收率,本方法可用于工业化生产中大批量样品的检测工作。一、仪器及环境1) 本方法需要采用1000级洁净工作间作为工作区域,100级层流罩作为样品制备操作区域,人员应着高纯服,行为受限。进入工作区域需经风淋。2) 样品所涉及器皿应使用HNO3蒸汽回流8小时。样品所涉及非直接接触器皿应清洗达到100级净化水平。实验用水为实验室一级用水。试剂采用AA-10纯度。3) 本方法采用Agilent 7700s 标准配置机型,PFA进样组件,该机应具备ORS碰撞反应池或类似技术,采用He气作为碰撞反应气。Agilent 7700s 仪器参数如下:Plasma: Normal RF: 1600W Sample uptake rate : ~160uL/min free aspirationSampling depth: 8mm Carrier gas flow rate: 0.7L/min Makeup gas: 0.5L/minHe cell gas: 5ml/min KED: 5V二、样品制备TCS的杂质含量极低且活性,因此我们首先考虑的是去除基质的方法来进行样品制备。为了待测元素损失,我们通常采用室温(32摄氏度)来进行分解。2SiHCl3+3H2O → (HSiO) 2O+6HCl在氮气保护下使水蒸气与样品充分混合水解。水解物经氢氟酸溶解后蒸干,除去硅基。样品中的硅基以四氟化硅的形式除去后,残渣采用0.1%HCl溶液溶解。 1) 视样品情况,对估计检出含量为10-2ppb级样品可取样8-12ml;对较大含量可缩小至2-5ml(例如粗馏产品);2) 在干净的聚四氟乙烯坩埚中,加入量好的样品,在高纯氮气保护下水解;3) 在坩埚中滴加氢氟酸溶液溶解固体,置于电热板上以120摄氏度蒸干;4) 蒸干后,加入2.00ml 0.1% HCl溶液溶解。定容至2-10g后待测。三、校正方式该样品基体除去较完全,因此采用标准曲线法进行校正测定。一般采用0、1、2和5ppb的0.1% HCl 溶液作为校准点,无需内插标准物校正。在特别情况下可采用标准加入法进行测定。四、结果检出限:尽管As会被ArCl在75质量下有较严重的干扰,但本方法采用了He碰撞技术来避免可能出现的干扰因素。从大量检测结果来看,砷元素的检出限可以低至0.01ppb,在高Fe、Ni或Cr含量样品中,并未见显著干扰。[font=Cambri

  • 求第二次印刷的规JJG376-2007《电导率仪》规程

    各位版友:早晨好!JJG376-2007《电导率仪》第7.3.5款 [b]温度系数示值误差[/b]检定中的式(9),第二次印刷时,被认为有一处印刷错误,而被错误地更正。本想指出一下为什么是错误的更正,可手头没有第二次印刷的规JJG376-2007《电导率仪》规程,[b]第一次印刷的是计量出版社出版,黄色封面、封底(最后面给出了是二次印刷等信息的不知是称封底吗);而第二次印刷是质检出版社出版,白色封面、封底[/b]。所以恳请版友给我第二次印刷的规JJG376-2007《电导率仪》规程,其第7、11和封底。

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