当前位置: 仪器信息网 > 行业主题 > >

二氯硅基

仪器信息网二氯硅基专题为您提供2024年最新二氯硅基价格报价、厂家品牌的相关信息, 包括二氯硅基参数、型号等,不管是国产,还是进口品牌的二氯硅基您都可以在这里找到。 除此之外,仪器信息网还免费为您整合二氯硅基相关的耗材配件、试剂标物,还有二氯硅基相关的最新资讯、资料,以及二氯硅基相关的解决方案。

二氯硅基相关的仪器

  • 二硅化钼鼓泡管常见直径14、16、20;孔径从1孔到九孔,4孔、9孔使用较多;长度在500-1200毫米之间。郑州毅信窑炉有限公司二硅化钼鼓泡管耐高温,纯度高。孔径细小均匀可以过滤玻璃中的小杂质,提高玻璃的生产质量。 二硅化钼鼓泡管主要成分是二硅化钼,化学式MOsi2,属四方晶体结构,是Mo-Si二元合金系中含硅量 高的一种中间相,是成分固定的道尔顿金属间化合物,灰色,有金属光泽。具有耐高温特性,优宜的抗养化性,导电性、导热性,还有一定的机械性能,是制作高温发热元件、热电偶保护管、鼓泡管的好材料。同硅钼棒类似,二硅化钼产品本身并不具有高温抗氧化性,而是在高温养化气氛下,二硅化钼鼓泡管表面生成一层致密的高熔点的二氧化硅保护膜,这层膜抑制了产品继续氧化。二硅化钼鼓泡管性质:密度:5.5-5.6kg/cm3 气孔率: 5% 吸水率:1.2% 维氏硬度 :(HV)570kg/mm2。 二硅化钼鼓泡管也是金属陶瓷制品,安装使用过程中应避免发生碰撞,对其施加外力。鼓泡管也有其他材质的,如钨鼓泡管、玻璃鼓泡管,钼鼓泡管等,我司主要生产二硅化钼鼓泡管,欢迎咨询。
    留言咨询
  • 我公司独特的半导体处理技术生产的硅光电二极管,涵盖了从近红外到紫外直至高能波长区域等宽广的波长范围。它们具有快速相应、高灵敏、低噪声的特性,广泛地应用于医疗和分析领域、科学计测、光通信以及一般性电子产品等。滨松提供硅光电二极管及阵列及模块、带放大器的Si光电二极管阵列、InGaAs 光电二极管及阵列、MSM光电探测器、平衡探测器、光学模块,以及光电传感器放大器、电荷放大器等附件产品。从金属、陶瓷、塑料封装到表面贴装,多种包装配备齐全,而且滨松还可以依据用户要求提供专门的设计产品。
    留言咨询
  • 二硅化钼保护管直径一般12-30mm,长度一般500-1200毫米,其中600、850、1000订做较多,壁厚一般不低于5毫米,常见8/16/,10/20,13/25,16/25,20/32等。二硅化钼保护管在烧结过程中因为目前工艺限制,有些不可抗拒的问题,如管的直度,同轴度等。在制作中,一般都要考虑在内,二硅化钼制品越长的二硅化钼需要注意的更多,成品率低,二硅化钼保护管价格相对偏高,根据长度、壁厚的差异,价格会有所区别,一般都在800元以上。 二硅化钼化钼保护管是我司的主营产品之一,产品质量稳定,底部加厚密封,耐急冷急热,导热性能好,如有相关问题或需要产品,欢迎来电。
    留言咨询
  • 硅光电二极管探测器 400-860-5168转1980
    仪器简介:硅光电二极管探测器分为双波长发射二极管与接收管,硅光电二极管探测器,雪崩二极管 三种不同系列产品,其中硅光电二极管探测器包含光导/光伏型光电探测器,紫外增强探测器,单点软X射线探测器,位置探测器这四种探测器。技术参数:双波长发射二极管与接收管1.陶瓷或塑料封装;发射管有背对背(二引脚)和共阳极(三引脚)连接方式。 2.660nm LED峰值波长偏差小于+/-3nm, 半波宽小于25nm,保证了测量数据的精准度。 3.相应提供最佳匹配度的探测器,可使仪器的设计更简单可靠。 4.发射管主要型号:DLED-660/905-CSL-2 ;DLED-660/940-CSL-3 DLED-660/880-CSL-2 DLED-660/895-CSL-2 DLED-660/905-LLS-2(陶瓷封装);DLED-660/940-LLS-3(陶瓷封装) 5.接收管型号:PIN-8.0-CSL;PIN-4.0-CSL;PIN-8.0-LLS(陶瓷封装);PIN-4.0-CSL(陶瓷封装)硅光电二极管探测器1.波长范围:350-1100nm 2.高速响应:光导型加偏压10ns 3.低暗电流:0.01nA 4.高灵敏度:0.65A/W紫外增强探测器1.高灵敏度:0.14A/W@254nm2.反转通道型:*100%内量子效率 3.平面扩散型:红外截止,高稳定度单点软X射线探测器1.探测范围:6eV-17600eV 2.直接探测,不需要闪烁体 3.不需要偏压 4.高量子效率,低噪声 5.真空低温可适应位置探测器1.四象限和线性位置探测; 高精度,高分辨率,高速响应; 2.在长时间和温度变化下仍何以保持高稳定性;雪崩二极管1.响应峰值波长: 820nm 2.响应速度快: 0.4ns @850nm,G=100 (APD-300) 3.高灵敏度: 42A/W @850nm, G=100 4.低偏置电压高增益:G=100@200V5.标准TO封装方式: TO-18;TO-5 6.有平面窗和适合光纤应用的球透镜可选;主要特点:双波长发射二极管与接收管应用:血氧探头(SpO2);血液分析;比例测量相关仪器硅光电二极管探测器 光导/光伏型光电探测器应用:光脉冲探测;光通信;条码读取;医疗设备;高速光度测量紫外增强探测器应用:污染监测;紫外荧光;紫外线测试;水质净化;紫外线验钞单点软X射线探测器应用:X光医疗设备;放射量测定;X光光谱仪;带电粒子探测位置探测器应用:光路准直;位置测量;测绘;导航系统;表面分析雪崩二极管应用:激光测距;高速光通讯;条码读取仪;光遥控;医疗仪器
    留言咨询
  • 带干涉滤光片,适合单色光(254nm)探测的硅光电二极管S12742-254的窗口使用干涉滤光片,只对单色光灵敏。其光谱响应宽度极窄,只有10nm(FWHM),可以屏蔽杂散光,精确地进行光度计测。其典型峰值波长为254nm,也可以接受客户定制,改变其峰值波长,比如340nm、560nm、650nm等。产品特性-带干涉滤光片的硅光电二极管-单色光(254nm)探测详细参数感光面积3.6 × 3.6 mm像元个数1冷却方式Non-cooled封装Metal反向电压 (最大值)5 V光谱响应范围252 to 256 nm光敏度 (典型值)0.018 A/W暗电流 (最大值)25 pA峰值灵敏度波长(典型值)254 nm上升时间 (典型值.)1 μs结电容(典型值)500 pF测量条件Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted,Photosensitivity: λ=254 nm, Dark current: VR=10 mV, Terminal capacitance: VR=0 V, f=10 kHz光谱响应外形尺寸(单位:mm)
    留言咨询
  • DT-670系列硅二极管温度传感器在更宽的温度范围内可提更高的精度。DT-670系列传感器符合标准电压-温度响应曲线,因此该系列可互换,且对于许多应用不需要单独标定。SD封装中的DT-670传感器有四个误差等级,其中三个适用于1.4 K至500 K温度范围内的通用低温应用,另一个可为30 K至室温的应用提供卓越的精度。DT-670传感器也有第七个公差带,B和E,只能作为裸芯片使用。对于需要更高精度的应用,DT-670-SD二极管可在整个1.4 K至500 K温度范围内进行标定。DT-670-SD√ 1.4 K-500 K温度范围内具有超高精度√ 30 K-500 K温度范围内极小误差√ 坚固可靠的SD封装设计,可承受重复热循环并尽可能地减少传感器自发热√ 符合标准曲线DT-670温度响应曲线√ 多种封装选项DT-670E-BR√ 温度范围1.4 K-500 K√ 裸装传感器是尺寸极小、热响应时间超快的二极管传感器√ 无磁传感器DT-621-HR√ 温度范围:1.4K-325K*√ 无磁封装√ 用于表面安装的裸露平面基板* 标定的低到1.4K,未标定的(曲线DT-670)低到20KDT-670E-BR极小尺寸+超快热响应DT-670E-BR裸片传感器提供了硅二极管产品中更小的物理尺寸和更快的热响应时间。这对尺寸和热响应时间至关重要的应用来说是一个重要的优势,包括用于蜂窝通信的焦平面阵列和高温超导滤波器。 DT-621-HR微型硅二极管DT-621传感器组件在其有效范围内显示出精确、单调的温度响应。传感器芯片与环氧圆顶直接接触,导致20 K温度下测试电压升,并阻止全量程曲线DT-670一致性。所以对于低于20 K的使用,需要标定。二极管测温二极管测温是基于在恒定电流(通常为10 µ A)下偏置的p-n结中正向电压降的温度依赖性。由于电压信号相对较大,在0.1V和6V之间,因此二极管易于使用,仪器操作也很简单。 Lake Shore SD封装:业界极坚固、多功能的封装SD封装直接将传感器与蓝宝石底座安装、气密密封和焊接Kovar导线,是业内极其坚固耐用、用途广泛的低温温度传感器,具有极佳的样品与芯片连接性能。该设计使导线上的热量可以绕过芯片,因此可以在 500 K 温度下工作数千小时(取决于型号),并且与大多数超高真空应用兼容。它可以铟焊到样品上,而不会改变传感器的标定。如果需要,也可提供不带Kovar引线的 SD 封装。DT-670温度传感器温度特性 典型的DT-670电压特性 典型的DT-670灵敏度特性DT-670误差带曲线
    留言咨询
  • 二硅化钼保护管是郑州毅信窑炉有限公司的主营产品之一,底部加厚密封,壁厚均匀,耐急冷急热,部分现货,可定做带孔二硅化钼保护管,技术经验丰富,如咱有相关问题或需要订购,欢迎来电。 二硅化钼保护管属于金属陶瓷管类保护管,对热电偶或其它需要保护的电热元件起到与工作环境隔离的作用,能延长热电偶或电热元件的使用寿命。二硅化钼保护管是在硅钼棒元件的材料基础上开发的又一种介于金属和陶瓷之间的耐高温产品。它与其它同类产品相比具有更郝的抗热冲击性, 抗养化性,气密性和机械性能。具有耐高温腐蚀,热稳定性好等特点。适合在氧化,还原,氧化与还原交替,某些化学腐蚀气体,熔化金属等介质环境中使用。用在天然气,化肥,石油化工,煤化工等行业的测温元件保护方面,效果优于其它种类的保护管。 二硅化钼保护管是采用二硅化钼粉经成型,烧制,测试等工序制作而成。由于制作工艺难度较大,成品率低,成品用的久,一次采购几支的二硅化钼保护管单支价格都在800左右,其中模具费用比较高。常用规格直径为10-35mm,壁厚在5-10mm之间。壁厚在5mm以下的容易破裂,使用寿命较短,所以不建议做壁厚在5mm以下的二硅化钼保护管。
    留言咨询
  • 适用于紫外到红外的35象元硅光电二极管阵列 S4111-35Q是一款DIP陶瓷封装线阵硅光电二极管,主要用于低光量探测,比如分光光度测量等。其具有从紫外到近红外的宽光谱范围。由于所有象元都可以用反向偏压进行存储电荷读出,该产品具有高灵敏度低光量探测的能力。像元之间的串扰减小,保持了信号的纯度。而且可以用特制的滤波片作为该产品的入射窗。产品特性-大感光面积 - 低串扰- 低暗电流- 红外灵敏度增强详细参数元素大小(每1列)4.4 × 0.9 mm像元个数35封装Ceramic封装类型40pin-DIP冷却方式Non-cooled反向电压(最大值)15 V光谱响应范围190 to 1100 nm峰值灵敏度波长(典型值)960 nm光敏度 (典型值)0.58 A/W暗电流 (最大值)10 pA上升时间 (典型值.)1.2 μs结电容(典型值)550 pF测量条件Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise notedper one element, Photosensitivity: λ=960 nm, Dark current: VR=10 mV, Rise time: VR=0 V, Terminal capacitance: VR=0 V光谱响应外形尺寸(单位:mm)
    留言咨询
  • 二硅化钼鼓泡管是郑州毅信窑炉有限公司的主营产品之一,产品密度大,同轴度好,垂直度高,耐急冷急热,如有相关问题或需要订购,欢迎咨询。 我司2012年成立,主营电热元件各种规格硅碳棒、各种规格硅钼棒,1700硅钼棒,1800硅钼棒,及配套夹具连接带,二硅化钼保护管,二硅化钼鼓泡管,氧化锆保护管等高温窑炉附件,10年来解决了很多客户的疑难问题,也得到了不少客户的长期支持,有相关问题或需要,欢迎来电。 二硅化钼鼓泡管主要应用于玻璃窑池中,通入干净的压缩空气,改善窑池上下温差,通过微量的气泡带走玻璃池中的小气泡及微量杂质,进而提高玻璃的纯度及质量。 鼓泡管主要材料为二硅化钼,分单孔、双孔或多孔,单孔的一头封口直径是保护管,多孔的两端不封口用在高温下通气是鼓泡管,鼓泡管1-9孔都有使用,直径一般在12-30mm,长度在100-1200mm。9孔二硅化钼鼓泡管,是直径16孔位较多的一种,大约1mm左右,可以清除更加细微的杂质,使玻璃纯度更高。郑州毅信窑炉有限公司经过不断地研发,经表面物理方式处理,提高了二硅化钼在玻璃再玻璃窑池中的纯度,减少二次污染,更有利于玻璃的生产加工。
    留言咨询
  • 二硅化钼复合材料属于金属化合物,是一类介于金属与陶瓷间的新型材料,其典型代表是二硅化钼发热元件,二硅化钼粉涂层.作为一种重要的髙温发热材料和结构材料,二硅化钼在高温下稳定的物理性能引起国际材料界的兴趣,近十年来成为高温结构陶瓷的研究热点.二 硅化钼不但具有熔点高、密度低、高温抗氧化性及抗热 腐蚀性等性能,同时又有较好的高温韧性,因此被誉为 有前途的高温材料之一.目前,国内外在对二硅化钼的研究上,集中在髙温发热体、高温结构材料、功能,涂层材料等方向. 二硅化钼电热元件(硅钼棒)在氧化气氛中使用时,表面能形成一层致密、气密性好的玻璃态二氧化硅膜,二氧化硅膜减弱了氧向内部的扩散,有效阻止了硅钼棒的进一步氧化,这是硅钼棒氧化气氛中使用时能维持较长的高温寿命的原因.因此,高温下硅钼棒表面保护膜的质量和稳定性对二硅化钼的使用性能具有重要的意义,同时二硅化钼的高、低温力学性能、抗热震性、冷热端结合性能等也是影响二硅化钼使用性能的重要因素。
    留言咨询
  • COB型,适用于无铅焊料回流 S12158-01CT 硅PIN光电二极管适用于可见光近红外波段,兼容无铅焊料回流过程。 小而薄的无铅封装可以减小其在PCB板上的贴装面积。特性COB型, 小而薄的无铅封装适用于无铅焊料回流感光面积: 2.77 × 2.77 mm高灵敏度: 0.7 A/W (λ=960 nm)详细参数 感光面积 2.77 × 2.77 mm 象元数 1 封装 环氧树指玻璃 封装类型 表面贴装 反偏电压(最大) 20 V 光谱响应范围 320 to 1100 nm 峰值波长 960 nm 灵敏度 0.7 A/W 暗电流 10 pA 截止频率 25 MHz 结电容 15 pF 测试条件 Ta=25 ℃,除非特别说明为典型值。灵敏度: λ=λp,暗电流:VR==12 V,截止频率: VR=12 V,结电容:VR=12 V光谱响应外形图(单位:mm)
    留言咨询
  • 二硅化钼保护管主要成分为二硅化钼,规格主要是说壁厚与孔的大小,长度越长的二硅化钼保护管,在烧结过程中因为目前工艺限制,有些不可抗拒的问题,如管的直度,同轴度等。在制作中,一般都要考虑在内,二硅化钼制品越长的二硅化钼需要注意的更多。 一般使用规格为壁厚5毫米-6毫米左右,规格为8/18,,,12/25,16/25,10/20,20/32甚至更大规格,因二硅化钼密度比较大,越大的规格重量也相应较大,单纯的依靠胶粘在高温下无法满足固定需求,经过长期实践,在二硅化钼固定处采取打孔挂螺丝固定,可有效解决胶粘固定脱落问题,也可做出异型加工件。根据其应用特性,材料主要为二硅化钼及稀有金属添加剂,以达到耐高温,耐腐蚀,延长的特点。 二硅化钼保护管主要用于电厂,玻璃窑炉,钢厂热风管道测温的保护管,与刚玉相比,二硅化钼不容易炸裂,瞬间高温然后空气冷却,不会因为应力集中而拉断,在硅钼棒电热元件整形当中,几秒内升温支1600度,然后空气冷却。反复几百次对二硅化钼来说没有丝毫影响,主要用于高温领域,列如碳化硅保护管应用在1350度,重结晶的碳化硅使用在1400多度,但是寿命不是很理想,虽然便宜,但是更换频繁,间接的增加了用工成本及材料成本。二硅化钼适合温度为1300-1650度,这个范围是二硅化钼的软化范围,测温时被测温的产品不能有所搅动,以免对造成二硅化钼的形变,缩短二硅化钼保护管的使用寿命。
    留言咨询
  • E-liteHPXRF高精度X射线荧光元素分析仪High Performance X-ray Fluorescence spectrometery适用于汽油、柴油等油品中硫元素快速分析。总硫含量的分析,覆 盖从超低硫燃料到原油的广泛应用。适用于炼油厂实验室、管道终端、船上、添加剂厂、检测车和检验实验室等。E-lite分析仪可在广泛的测量范围进行高精度硫含量分析。E-lite 除了能够进 行硫分析之外,还可以快速检测从镁到钙元素,尤其适用于ppm级别的钙、 钾、氯和磷等主要元素。高精度硫氯硅多元素分析仪E-lite采用高精度X射线荧光分析技术(HPXRF)。与传统的X射线荧光技术相比,该技术使用了先进的双曲面弯晶晶体,降低背景噪声, 大幅提高信噪比,提高产品分析精度。图1显示HPXRF的基本配置,及单波长激发聚焦原理。图2传统XRF技术和单波长X射线荧光技术检测信号对比谱图。显示单波长X射线荧光技术带来的高精度及出色的检测下限。图 1: HPXRF 技术 图 2:出色的信噪比高精度E-lite 符合 ASTM D4294 , ISO 8754 , ASTM D7220等 标准方法,可对原油、柴油、汽油、船用燃油和润滑油等碳氢化合物进行硫分析。 E-lite的检出限低至0.5ppm,可提供精确的硫分析。 表 1 中的数据表示E-lite 在分析的10 个单独的原油试样。重复测量5ppm10ppm100ppm0.1%15.489.7399.830.101425.429.4899.860.101835.3410.4899.770.101644.8710.5199.690.101854.8210.45100.520.101565.109.70100.940.101575.069.55100.640.101585.409.80100.810.101495.2910.04100.370.1012105.479.83100.200.1012平均值5.229.96100.360.1015标准偏差0.250.390.630.0002高可靠性和稳定性石油实验室依赖于可靠稳定的分析解决方案,以适应不同的使用场景需求。E-lite 专为满足这些需求而设计。它具有创新样品引入系统, 可以将意外溢漏的样品引入积油盘,避免溢漏的油品接触贵重部件。带积油盘的 E-lite 样品腔 传统产品的样品腔样品将被注入独特的accucell样品杯中,将样品杯从侧方置入仪器 内部后,该创新设计可确保将意外泄漏的任何样品引入积油盘,以 便清理和处理。传统产品的样品腔设计均提供覆盖单元视窗的薄膜,以防止检测器和 X 射线管发生意外样品泄漏。如果这层薄膜发生破损,样品就会渗入 检测器和 X 射线管,带来非常高昂的维修成本。先进的软件和数据管理E-lite 具有先进的软件功能和数据管理系统,可以进行简单而直观的 操作。&bull 借助全新软件 ,E-lite 可以存储3 0 个校准数据集 ,并可提供线性和 二次曲线。&bull 借助数据管理,存储成大量测量值、通过 USB 传输数据和实现 LIMS 集成将变得非常容易。可通过USB等方式传输数据,实现 LIMS集成。全新数据管理软件现在打印输出中 提供校准曲线图。技术规格E-lite 12-20动态范围硫 1 ppm - 10 wt%检测下限镁铝硅磷400302.00.6硫氯钾钙0.50.40.20.1应用分析原油、柴油、船用燃油和润滑油等碳氢化合物中的硫氯硅等元素E-lite 规格方法合规性ASTM D4294 , ISO 8754 &IP336, ASTM D7220等标准方法测量时间30-900 秒校准- 30 种校准曲线- 线性(自动校准)取样量杯容积2 mL数据输出打印输出、USB 和以太网 PC 连接,WIFI,蓝牙I/O 端口以太网 10/100、USB电源110-240 VAC ± 10%,50-60 Hz(赫兹)工作温度-5°C ~ 50° C工作湿度30 - 85 %重量7.5 kg电池可内置锂电池,可连续工作5小时分析原理单波长X射线荧光光谱法定位系统支持GPS、北斗等定位系统、对数据采集点进行溯源定位尺寸30.0 cm 宽 x 30.0 cm 长 x 22.0 cm 高
    留言咨询
  • HI97770哈纳HANNA二氧化硅/硅光度计HI96770升级版测量范围:0 to 200 mg/ L(ppm)SiO2温馨提示:通过菜单选择【Chemical Form】按【▼▲】键转换,将二氧化硅【SiO2】读数转换成硅【Si】读数,满足您对不同测量单位结果需求符合IP67防水标准,采用的光学系统设计,具有良好的精度,可重复性和进行测量所需的时间,Hanna精心设计的CAL Check&trade 功能允许使用NIST可追溯标准对仪表进行性能验证和校准,多种测量方法,用户可以选择使用粉剂试剂或水剂,内置反应计时器,确保样本测量与用户之间的结果一致,自动记录50次测量读数,良好实验室规范(GLP)显示*一次用户校准的日期和时间,电池状态指示灯和自动关机设置HI97770微电脑二氧化硅/硅防水光度测定仪【新款】HI96770微电脑二氧化硅光度测定仪测量范围:0 to 200 ppm(mg/L) SiO2测量范围:0 to 200 ppm(mg/L) SiO2单位转换:通过菜单选择【Chemical Form】按【▼▲】键转换,二氧化硅【SiO2】读数转换成硅【Si】读数 单位换算:无自动转换功能光学系统:硅光电池,LED @ 466 nm,滤波器带宽:8 nm ±1.0 nm光学系统:窄带干涉滤光片,硅光电池,钨灯@ 466 nmGLP功能:自动记录、查询和清除*一次校准值和日期时间GLP功能:手动记录、查询和清除*一次校准值和日期时间数据存储:自动存储、查询提取*50次测量读数数据存储:无此功能显示模式:128 x 64像素黑白液晶显示屏,带背景灯显示模式:无HI97770哈纳HANNA二氧化硅/硅光度计HI96770升级版技术参数:技术指标HI97770二氧化硅/硅测量模式测量范围0 to 200 ppm(mg/L) SiO2解析度1 mg/L(mg/L)精度@25oC/77oF读数±5% ± 1 mg/L(mg/L)标准方法参照USEPA METHOD 370.1(适用于饮用水,海水,市政和工业废水)和Standard Method 4500-SiO2 C标准方法光学系统光源模式硅光电池,LED @ 466 nm滤波器带宽8 nm ±1.0 nm其他指标数据管理50个读数存储电源模式3×1.5AAA高性能电池,在测量模式下,15分钟不用后自动关机使用环境0 to 50°C(32 to 122°F),RH max *,符合IP67防水标准尺寸重量主机尺寸:142.5 x 102.5 x 50.5 mm (5.6 x 4.0 x 2.0"),主机重量:380 g (13.4 oz.)专属附件玻璃比色皿HI731397玻璃比色皿(HI731331+HI731336),规格:外径24.6mm(内径22mm),4套/组测量试剂HI96770-01二氧化硅HR试剂,预测次数:100次;HI96770-03二氧化硅HR试剂,预测次数:300次标准曲线核定组HI97770-11二氧化硅NIST测量曲线标定组,标准值@25oC:0 and 150 ± 2.5 mg/ L(ppm)SiO2
    留言咨询
  • X荧光硅铝分析仪,X荧光硅铝分析仪厂家【鹤壁创新仪器】供应的X荧光硅铝分析仪可广泛用于冶金、采矿、建材等工业中。用于水泥厂中,主要测量生料、熟料中的SiO2、Al2O3的百分含量。由于它的分析速度快(1分钟),因此可实时监控生产过程中SiO2、Al2O3变化情况,便于及时调整原料的配比,为生产高合格率熟料打下坚实的基础。X荧光硅铝分析仪 性能特点:1 、微机化集成为一体,结构紧凑,外形美观。2、大屏幕液晶显示,全中文菜单提示操作,使用极为方便。3、分析时间短,1分钟能测出SiO2%、Al2O3%。4、仪器检测时不破坏样品,样品可重复使用。5、不用任何化学试剂、无三废排放,不含放射源、低耗电,符合环保节能要求。   6、数据存储量大,含量结果、仪器自检数据都可查询,避免了打印耗材。7、仪器执行GB/T19140《水泥X射线荧光分析通则》。8、可与配料系统联网,实现自动控制。 X荧光硅铝分析仪 技术指标:1、分析范围: SiO2、Al2O3 0.01%~100 % 2、分析精度:标准偏差SSiO2≤0.10%、SAl2O3≤0.08%3、分析宽度: SiO2(Al2O3) max—SiO2(Al2O3)min≤5%,例如生料中SiO2:10%~15%,通过标定工作曲线选定。4、分析时间: n*60秒(n为1~5自然数)。5、使用条件: 供电AC200V~240V;环境温度0~40℃;相对湿度85%(30℃)。6、整机功耗: 30W 7、整机尺寸:468mm*368mm*136mm 8、整机重量:13.8kg尊敬的用户: 感谢您选用鹤壁市创新仪器有限公司的产品,我公司将为您提供完善、优质的技术支持与售后服务,为此,我们特做出以下承诺: 1、安装调试及现场培训: 根据用户要求的时间和地点为用户免费安装调试仪器。公司及公司授权技术人员在为用户安装调试仪器及日常维护时,对用户操作人员提供免费现场培训服务,使用户能熟练掌握仪器性能、操作使用及一般维护保养。 2、保修规定:按国家标准供货,整机保修一年(易损件除外)产品终身维护。 3、维修规定: 在正常使用情况下,仪器若出现故障,维修站保证在接到通知后24小时内响应,如需进行现场维修的,我们承诺尽快派人到达现场并在短时间内排除故障。更换配件费及维修工时费按公司规定的统一价格收取。 4、其它承诺: 我们承诺保证各型号仪器的配件供应充足,并提供产品优惠价格。鹤壁创新为您提供优质的X荧光硅铝分析仪,X荧光硅铝分析仪厂家,如果您有兴趣,请与我联系【联系人是常华,我的手机】获得更多的【仪器、仪表分析仪器】相关信息。砖厂砖坯钙含量分析仪煤矸石砖坯含钙量分析仪煤矸石土坯钙铁分析仪电厂石灰石钙铁分析仪电厂石灰石硫钙铁分析仪荧光钙铁分析仪荧光硫钙铁分析仪钙铁煤分析仪钙硫分析仪钙铁硫分析仪水泥生料硫钙铁分析仪水泥生料钙铁硫分析仪水泥硫钙铁分析仪水泥钙铁硫分析仪水泥熟料钙硫分析仪水泥熟料硫钙铁分析仪水泥氧化钙分析仪石灰石膏硫钙铁分析仪砖厂粉煤灰钙铁分析仪砖厂煤矸石钙铁分析仪
    留言咨询
  • 二硅化钼(MoSi2)是Mo-Si二元合金系中含硅量 偏高的一种中间相,晶体为四方结构,是成分固定的道尔顿金属间化合物,灰黑色,有金属光泽。具有良好的导电性和导热性,力学性能和高温抗养化性能,可用作发热元件,性能超过碳化硅。其早期的应用就是作为金属基体表面耐高温抗腐蚀的涂层保护材料,最开始应用于燃气轮机零部件、喷气发动机燃烧室及导弹燃烧室的涂层。如今,二硅化钼材料广泛应用在电热元件、高温抗氧化涂层、结构材料、集成电路薄膜等,在玻璃窑炉中做气体取样管,电熔玻璃电及、热偶保护管,鼓泡管等。 郑州毅信窑炉有限公司供应直销二硅化钼鼓泡管,1孔,2孔,3孔,4孔,5孔,6孔,7孔,8孔,9孔,长度,直径可根据需求进行加工定做,产品密度大,纯度高,耐急冷急热,欢迎来电。
    留言咨询
  • X荧光铝硅分析仪 400-860-5168转0738
    DM1230X荧光铝硅分析仪与钙铁分析仪同时使用、实现生料配料的率值控制以不到一半的投资实现X荧光多元素分析仪的功能采用能量色散X射线荧光(EDXRF)分析技术本公司专有的分谱技术、次级滤光片、超薄铍窗正比计数管、特殊的光路系统符合标准GB/T176JB/T11145JC/T1085概述DM1230 X荧光铝硅分析仪是本公司集数十年X荧光分析仪的研究经验,在公司原有的DM系列钙铁分析仪、X荧光多元素分析仪等的基础上研制推出的分析仪器。它采用能量色散X射线荧光(EDXRF)分析技术,薄铍窗充气正比计数管、次级滤光片、特殊的光路系统、硬质样品比例法和本公司专有的分谱技术,从而使小型仪器也能准确测量相邻的轻元素(如水泥生料中的Al、Si),其测量准确度达到进口同类仪器的水平。其符合国家标准GB/T 176—2017《水泥化学分析方法》的相关要求,符合行业标准JC/T1085—2008《水泥用X射线荧光分析仪》,符合行业标准JB/T11145—2011《X射线荧光光谱仪》。只要压个片就能在5分钟内测出生料、熟料或水泥中Al2O3、SiO2的浓度。图0 EDXRF分析技术原理图目前国内大多数水泥企业已使用X荧光钙铁分析仪来测量生料等物料中CaO、Fe2O3的含量,但Al2O3、SiO2含量的测量却很少是用X荧光分析仪的,而Al2O3、SiO2含量的即时准确得到与CaO、Fe2O3对水泥生产的质量控制同样重要,只有同时即时准确得到这四个氧化物的含量才能真正实现生料的率值控制。当本仪器与本公司的钙铁分析仪一起使用时可用同一个样品,且由于按本仪器要求制备出的样品比按钙铁分析仪要求的好,所以还能提高CaO、Fe2O3的含量测量准确度,与DM2100型X荧光多元素分析仪相比,虽然使用麻烦了一点,但价格不到一半,且由于结构简单可靠性更高了。DM1230 X荧光铝硅分析仪的2021款除保持了原有DM1230的优点外,还进行了以下重大改进:(1) 大屏幕彩色触摸式液晶屏代替原黑白液晶屏和键盘,改善了用户的操控体验。(2) 新的大规模集成电路CPU代替原老的如80C31等CPU,没有数据总线与外部设备或外部芯片直接连接,极大地提高了系统的可靠性,基本消灭了死机现象。(3) 用贴片电路代替原立式电路,减少了电路板的面积,并能大规模机械化生产,极大地提高了硬件的可靠性,使仪器的返修率降到最底。(4) 用热敏打印机代替了原来的针打印机。(5) 用最新设计的采用CPLD,FPGA,DSP等技术的多道脉冲幅度分析器及可变增益放大器代替原单道脉冲幅度分析器及固定增益放大器,极大地提高了仪器的长期稳定性。DM1230 X荧光铝硅分析仪的2021款的推出是本公司实现自我超越的成果,必将使本公司在X荧光分析仪领域保持长久的国内领先地位。适用范围主要用于水泥生料、熟料、水泥和原料等物料中Al2O3、SiO2的浓度测量。可单机使用,也可联机使用为生料配料自动控制系统提供检测讯号,形成“分析仪---微机---皮带秤”自动控制系统。除水泥工业外,也可用于发电厂、砖瓦厂、冶金、石油、地质矿山等部门的固体、液体和粉末样品中Al2O3、SiO2的浓度测量。特点快速同时––所需测量元素同时快速分析,一般几分钟给出浓度结果。高准确度––采用EDXRF技术,低本底薄铍窗正比计数管,次级滤光片。极大地提高了仪器的灵敏度和峰背比,具出色的重复性和再现性,极高的准确度。向下照射––采用X射线向下照射系统,杜绝了样品粉末污染损坏探测系统的可能,特别适合水泥生熟料等粉末样品。长期稳定––采用可变增益数字多道,有增益调整、比率校正、偏差修正等功能,具极好的长期稳定性。环保节能––射线防护达豁免要求。分析时不接触不破坏样品,无污染,无需化学试剂,也不需要燃烧。使用方便––触摸屏操作。样品粉碎压片放入仪器后只需按[启动]键即可,真正实现一键操作。高可靠性––一体化设计,集成化程度高,环境适应能力强,抗干扰能力强,可靠性高。数据传存––可存储海量数据,支持掉电后保持数据,并可随时查看。并可将存储数据传输到PC机。高性价比––无需气体、真空、稀释,运行维护成本极低。价格为国外同类产品的一半,适应我国国情。校准X荧光分析方法是一种参考方法,校准是为得到定量的结果所必须的。XRF光谱仪通过比较已知标样与未知样的光谱强度来得到定量分析的结果。其某元素的浓度计算式(即校准曲线)为:C=D+EIC+FIC 2 (1)式中,IC =f(I0),I0为原始强度,IC为处理后强度,D、E、F是由校准确定的系数。校准的方法是:用光谱仪测量一系列校准标准样品或有证标准样品的每种元素强度,利用回归分析,例如最小二乘法,确定(1)式的系数。用已知浓度的11个水泥生料标准样品对光谱仪进行校准,得到的数据如表1。表1.水泥生料标准样品校准结果数据成分Al2O3SiO2系数D-2.89-3.46系数E57.1432.41系数F00相关系数γ0.99120.9980这些校准曲线的相关系数γ均大于0.99,表示DM1230 X荧光铝硅分析仪的线性误差极小。重复性对同一水泥生料样品,进行11次测量,得到各元素的重复性数据如表2。表2.生料标准样品重复性测量数据分析(%)成分Al2O3SiO2标准值1.4610.75平均示值1.1.3510.64最大示值1.4710.72最小示值1.2410.56极差0.230.16示值标准偏差0.06500.04613倍示值标准偏差0.1950.138GB/T176的重复性限0.200.20DM1240与国标的符合性优优按国家标准GB/T 176—2017《水泥化学分析方法》的重复性要求,光谱仪的重复性必须满足:其示值标准偏差的3倍不大于GB/T176的重复性限。从表2可以看出DM1230 X荧光铝硅分析仪可以实现优异的重复性。主要技术指标X射线管电压:≤10keV,电流:≤0.5mA,功率:≤5W探测器超薄铍窗正比计数管测量范围Al2O3、SiO2分析范围均可调节,通过校准选定测量范围宽度Al2O3max—Al2O3min≤5%,SiO2 max—SiO2 min≤7%测量精度S Al2O3≤0.07%,SSiO2≤0.07%符合标准GB/T 176—2017,JC/T1085—2008,JB/T11145—2011等系统测量时间100s、200s、300s,可选,推荐值:300s使用条件环境温度:5~40℃,相对湿度:≤85%(30℃),供电电源:220V±20V,50Hz,≤50W尺寸及重量470mm(W)× 365mm(D)× 130mm(H),15kg
    留言咨询
  • U型直角硅钼棒主要用于窑炉设计空间狭小且炉温要求均匀的炉子中或产品需要层层烧结的时候,整个直角能有效均匀发热,常用于科研单位、企业、高校实验室电炉及部分工业窑炉。有1700型直角硅钼棒,1800冷弯直角硅钼棒,1800热弯直角硅钼棒之分。硅钼棒的性能与金属陶瓷材料相似,在室温下既硬又脆,抗冲击强度较低;抗弯、抗拉强度较好 在1350℃以上便会发生塑性变形。冷热急变性良好,冷却后恢复脆性。硅钼棒的电阻率较小,其电阻-温度特性与金属的相似,为正温度特性,从室温到高温,电阻率随温度增长较快,电阻不随使用时间的延长而增长。1800型硅钼棒用于高温型试验炉子,炉内温度可达1700-1750度,可选用热端直径6mm,冷端为12mm,当然有时候电炉很小的话可用直径3/6的。选用合适规格的硅钼棒对电炉来说是非常关键的,一看使用温度,二看使用功率,三是电压。一般情况下根据炉膛的长度,排布开来,基本上都是U型硅钼棒。有的厂家想升温快,可以使硅钼棒的热端直径适当的加粗一毫米,但是安装电炉硅钼棒数量就是要有功率以及电压的来决定,棒与棒之间的距离不小于棒的冷端圆心距。
    留言咨询
  • 二硅化钼保护管是郑州毅信窑炉有限公司的主营产品之一,底部加厚密封,壁厚均匀,耐急冷急热,部分现货,可定做带孔二硅化钼保护管,技术经验丰富,如有相关问题或需要订购,欢迎咨询。 二硅化钼保护管由于具有良好的物理化学稳定性能,常被用于氧化,还原,氧化-还原交替气氛,及熔融金属等中兴、某些化学腐蚀性气体介质中,能够很好地隔绝这些气氛,保护热电偶。已被广泛用于冶金、陶瓷、耐火材料等行业中。 二硅化钼保护管是陶瓷制品,在常温下硬而脆,因此安装运输中应避免碰撞,用力过猛。保护管常用的还有碳化硅保护管,刚玉保护管,选用时要选取适合自己用的。二硅化钼保护管较刚玉管耐冲击性好,机械性能好。碳化硅保护管使用温度在1400多度,但是使用寿命不理想,虽然便宜,但是更换频繁,间接增加了成本。
    留言咨询
  • 二硅化钼鼓泡管在玻璃行业中使用有着不可替代的作用,鼓泡管安装在玻璃窑池中,通过专业干净的压缩空气往玻璃窑池中通入干净的空气,可改善窑池上下温差,通过微量的气泡带走玻璃池中的小气泡及微量杂质,提高玻璃的纯度及质量。郑州毅信窑炉有限公司的二硅化钼产品经多年改进革新,经表面物理方式处理,可提高二硅化钼在玻璃窑池中的纯度,减少二次污染。 二硅化钼M是Mo-Si二元合金系中含硅量高的一种中间相,是成分固定的道尔顿型金属间化合物。具有金属与陶瓷的双重特性,是一种性能优宜的高温材料。好的高温抗养化性,抗养化温度高达1600℃以上,与SiC相当;有适中的密度(6.24g/cm3);较低的热膨胀系数(8.1×10-6K-1);良好的电热传导性;虽然二硅化钼具有在1000℃以上高温下有高的抗养化性和杨氏模量,但低温时易脆,另外超过1200℃高温会丧失蠕变能力而阻碍了其作为结构材料的应用,但结合其他材料作为复合材料来提供移动效果。二硅化钼及以其为基础的材料通常由烧结制得,二硅化钼保护管等。通过等离子喷涂可用以生产致密的整体式和复合形式制作的材料,为了快速冷却,通常还会包含少量β-改性的利用二硅化钼的耐高温性能的特点,将其制成鼓泡管,广泛应用于玻璃行业中进行玻璃液提纯。九孔二硅化钼鼓泡管是目前在16直径上孔位多的一种,大约1毫米直径左右的空隙在通过压缩机注入空气进入玻璃液,可以清除更加细微的杂质,使玻璃纯度更高。
    留言咨询
  • 一,硅 Si 雪崩光电二极管 400-1100nm硅 Si 雪崩光电二极管 400-1100nm,硅 Si 雪崩光电二极管 400-1100nm通用参数产品特点:正照平面型芯片结构高速响应高增益低结电容低噪声产品应用:激光测距激光雷达激光警告技术参数:光电性能(@Ta=22±3℃) 器件型号光谱响应范围(nm)峰值响应波长(nm)响应度λ =905nmφ e =1μWM=100(A/W)暗电流M=100(nA)响应时间λ =905nmR L =50Ω(ns)工作电压温度系数T a =-40℃~85℃(V/℃)总电容M=100f=1MHz(pF)击穿电压I R =10μA(V)典型最大最小最大APD-SI-905-2-TO46400~1100905550.210.60.91.0130220APD-SI-905-5-TO460.411.2APD-SI-905-8-TO460.822.0APD-SI-905-2-LCC30.211.0APD-SI-905-5-LCC30.411.2 结构/最大绝对额定值器件型号封装形式光敏面直径(mm)工作电压(V)工作温度(℃)储存温度(℃)焊接温度(℃)正向电流(mA)耗散功率(mW)APD-SI-905-2-TO46TO-460.230.9×V BR-40~85-45~1002600.25100APD-SI-905-5-TO46TO-460.50APD-SI-905-8-TO46TO-460.80APD-SI-905-2-LCC3LCC30.23APD-SI-905-5-LCC3LCC30.50 产品型号 名称型号描述价格货期硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-2-TO46光谱响应范围:400-1100nm峰值响应波长:905nm光敏面直径:0.23mm封装:TO46硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-5-TO46光谱响应范围:400-1100nm峰值响应波长:905nm光敏面直径:0.50mm封装:TO46硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-8-TO46光谱响应范围:400-1100nm峰值响应波长:905nm光敏面直径:0.80mm封装:TO46硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-2-LCC3光谱响应范围:400-1100nm峰值响应波长:905nm光敏面直径:0.23mm封装:LCC3硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-5-LCC3光谱响应范围:400-1100nm峰值响应波长:905nm光敏面直径:0.50mm封装:LCC3 典型特性曲线封装外形、尺寸及引脚定义APD-SI-2-2/5/8-TO46(三脚和两脚封装)APD-SI-2-2/5-LCC3等效电路及应用电路注:C 1 -滤波电容,滤除偏置工作电压 V R 的噪声。C 2 -旁路电容,为交流信号提供对地回路。R 1 -限流电阻,防止偏置工作电压 V R 过高时,损坏探测器。R i -取样电阻,将光电流转化为电压信号。定购信息:型号规则【APD-SI-响应波长-光敏面直径-封装形式】二,硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18C30902EH高性能硅雪崩光电二极管(APD)的感光面直径为0.5 mm,适合于生物医学和分析应用。 这种Si APD设计为双扩散“穿透式”结构,可在400和1000 nm之间提供高响应度,以及在所有波长处都极快的上升和下降时间。器件的响应度与最高约800 MHz的调制频率无关。探测器芯片采用经过修改的TO-18封装,密封在平玻璃窗后面。多型号C30902EH/C30902EH-2 C30902SH C30902SH-TC硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18,硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18技术参数C30902和C30921系列用于微光应用的高速固态探测器C30902EH系列雪崩光电二极管非常适合广泛的应用,包括激光雷达、测距、小信号荧光、光子计数和条形码扫描。Excelitas Technologies的C30902EH系列雪崩光电二极管采用双扩散“穿透”结构制造。这种结构在400到1000纳米之间提供了高响应度,并且在所有波长上都提供了极快的上升和下降时间。该器件的响应度与高达800 MHz的调制频率无关。探测器芯片密封在一个改进的TO-18封装的平板玻璃窗后面。感光表面的有效直径为0.5 mm。C30921EH封装在TO-18光管中,该光管允许从聚焦点或直径高达0.25 mm的光纤将光有效耦合到探测器。密封的TO-18封装允许光纤与光管端部匹配,以最大限度地减少信号损失,而无需担心危及探测器稳定性。C30902EH-2或C30902SH-2(带内置905nm通带滤波器的密封TO-18封装)和C30902BH(带密封球透镜)构成了C30902系列。C30902SH和C30921SH均选用具有急低噪声和体暗电流的C30902EH和C30921EH光电二极管。它们适用于超微光级应用(光功率小于1 pW),可在增益高达250或更高的正常线性模式(VrVbr)下的光子计数器使用,其中单个光电子可触发约108个载波的雪崩脉冲。在这种模式下,不需要放大器,单光子检测概率可能高达约50%。光子计数在门控和符合技术用于信号检索的情况下也是有利的。主要特征 高量子效率:在830 nm时为77% C30902SH和C30921SH可在盖革模式下运行 C30902EH/SH-2型,带内置905 nm过滤器 C30902BH型,带球形透镜 密封包装 室温下的低噪音 高响应度–内部雪崩增益超过150 光谱响应范围- (10%Q.E.点)400至1000纳米 时间响应–通常为0.5纳秒 宽工作温度范围-40°C至+70°C 符合RoHS标准应用&bull 激光雷达&bull 测距&bull 小信号荧光&bull 光子计数&bull 条形码扫描表1。电光特性测试条件:外壳温度=22&ring C,除非另有规定,请参见下页的注释。。C30902EH/C30902EH-2C30902SHC30902SH-TCDetector TypeC30902BHC30921EHC30902SH-2C30921SHC30902SH-DTCParameterMinTypMaxMinTypMaxMinTypMaxUnits感光区有效直径0.50.50.5mmactive area0.20.20.2mm² 光管特性(C30921)光管数值孔径0.550.55[no units]岩芯折射率(n)1.611.61[no units]芯径0.250.25mmField of view α (see Figure 15)视野α(见图15) 带标准/球形透镜窗口(-2)内置905 nm滤光片 90559055122N/ADegrees带灯管(在空气中) 3333N/AField of view α’ (see Figure 15)带标准窗口/球透镜114114129Degrees(-2)内置905 nm滤光片7878N/A击穿电压, Vbr225225225V反向偏置温度系数,Vr,恒定增益电压0.50.70.90.50.70.90.50.70.9V/&ring C探测器温度(见注2)-TC0&ring C-DTC-20&ring CGain (see note 1)150250250响应度830 nm时(不适用于-2)7077117128128A/Wat 900 nm556592108108A/W量子效率at 830 nm (not applicable for -2)777777%at 900 nm606060%Dark current, id153015301530nA-TC (at 0 °C)2nA-DTC (at -20 °C)1nANoise current, in (see note 3)-TC (at 0 °C)0.230.50.110.2 0.04pA/Ö HzpA/Ö Hz-DTC (at -20 °C)0.02pA/Ö Hz电容1.621.621.62pFRise/Fall time, RL=50 Ω 10% to 90% points 0.5 0.75 0.5 0.75 0.5 0.75 ns90% to 10% points0.50.750.50.750.50.75ns最大驱动电流-TC1.8A-DTC1.4A最大偏置电压-TC0.8V-DTC2.0V5%光子检测时的暗计数率 probability (830 nm)(see Figure 9 and note 4) 5000 150001100 (-TC)250 (-DTC) 15000 cps电压高于Vbr,光子探测概率为5%(830nm)(见图7和注4) 2 2 V5%光子检测时的脉冲比后概率(830nm)(注5)2152%1.在特定直流反向工作电压下,Vop或Vr,随每个装置提供,光斑直径为0.25 mm(C30902EH,SH)或0.10 mm(C30921EH,SH)。在180至250V的电压下运行,设备将满足上述电气特性限制。2.热敏电阻的温度(开尔文)可为使用以下方程式计算:[𝐾 ] = 𝛽 ,项次(𝑅 /𝑟 ∞)式中,R是测量的热敏电阻电阻,单位为Ω ,𝛽 = 3200,R0=5100Ω,T0=298.15 K和r∞ =&minus 𝛽 R e &cong 0.1113表2–最大额定值1.雪崩光电二极管中散粒噪声电流的理论表达式为in=(2q(Ids+(IdbM² +PORM)F)BW)&half ,其中q是电子电荷,Ids是暗表面电流,Idb是暗体电流,F是过量噪声系数,M是增益,PO是器件上的光功率,BW是噪声带宽。对于这些装置,F=0.98(2-1/M)+0.02 M(参考文献:PP Webb,RJ McIntyre,JJ Conradi,“RCA审查”,第35卷第234页,(1974年))。2.C30902SH和C309021SH可在更高的检测概率下运行。(参见盖革模式操作部分)。3.主脉冲后1µ s至60秒发生脉冲后。ParameterSymbolMinMaxUnits储存温度TS-60100°C工作温度Top-4070°CSoldering for 5 seconds (leads only)焊接5秒钟(仅限引线)260°C室温反向电流平均值,连续运行200µ A峰值(1s持续时间,非重复)1mA室温正向电流平均值,连续运行IF550mAmA峰值(1s持续时间,非重复)60mW
    留言咨询
  • 在pH为1.1~1.3条件下,水中的可溶硅与钼酸铵生成黄色硅钼络合物,用1-氨基-2萘酚-4-磺酸(简称1-2-4酸)还原剂把硅钼络合物还原成硅钼蓝,用硅酸根分析仪测定其硅含量。仪器利用光电比色原理进行测量。根据朗伯-比耳定律:当一束单色平行光通过有色的溶液时,一部分光能被溶液吸收,若液层厚度不变,光能被吸收的程度(吸光度A)与溶液中有色物质的浓度成正比。 用于发电厂除盐水、蒸汽冷凝水、炉水及化工、制药、化纤、半导体行业水中可溶性二氧化硅和硅酸盐含量的分析、检测。 l 5.0寸触摸彩色液晶,中文显示,操作方便。l 先进贴片工艺及一体化设计,高集成度电路设计稳定耐用。l 先进单片机技术,高性能,低功耗。l 光源采用进口单色冷光源 ,性能优良,信号稳定,功耗低,寿命长。l 本底补偿功能,减少微量硅测量误差 。 l 自动计时提醒功能,方便操作者使用,提高工作效率 。l 空白校准,消除零点漂移和电气漂移,提高测量精确度。l 数据循环存储功能(最大256条),自动清除溢出数据,操作简单,查询方便。l 采用国家颁布的硅钼蓝标准比色测定分析方法。 环境湿度: ≤90%RH(无冷凝)电 源: AC(85 ~ 265)V 频率(45 ~65)Hz功 率: ≤ 30W外形尺寸: 260mm×200mm×180mm重 量: 3.2kg显 示: 5.0寸触摸彩色液晶,中文显示测量范围: (0~200) μg/L (0~2000)μg/L(可选)示值误差: ±2%F.S分 辨 率: 0.1μg/L重 复 性: ≤1%稳 定 性: ±1%F.S/4h环境温度: (5~45)℃ l 配件指南l 硅酸根标液l 排污管l 电源线l 进样杯 注意事项1.配制溶液的Ⅱ级试剂水必须是纯度很高的高 纯水,最好是高性能混床离子交换装置产生 的去离子水。2.所有试剂应保存在专门标识的聚乙烯塑料瓶 中。所有试剂的质量等级都必须是分析纯或分 析纯以上,且未过保质期。3.每天应对仪器做一次空白校准,每隔两周应对仪器进行一次曲线校准,以消除电气漂移、光学漂移和温度漂移对仪器的影响。
    留言咨询
  • 产品简介环境监测中用于采集气体时段平均样的一种流量调节装置, 俗称限流阀,或恒流阀。天净 SFV-100型限流阀的主要特点:(1)无动力(无泵) 被动式样,整个采样过程流量稳定(2)气路部件全部硅烷化处理,有效降低对 VOCs的催化和吸附,使分析精确(3)流量可调,0.5~416 ccm(mL/min),可用于采样时长 0.5 h至 168h (一周)(4)适用于各种品牌和不同大小的采样罐(容积 1升至 30升)(5)大膜片设计,流量波动性和最终维持真空度等指标均优于市场上同类产品阀体部件主阀体为硅烷化 316不锈钢材质,内含喷嘴和大直径膜片,可确保在整个采样过程中(罐内气体压力从约 30inHg的高真空到约 4inHg的弱真空) 采样流量的恒定。其余主要部件如下:(1)德国产 AB不锈钢真空压力复合表,指示采样过程中的罐内压力(2)惰硅 InertSi® 进样弯管,开口朝下,可防雨水雾水进入。弯管外径1/4英寸,长度 10cm或 30cm。进样口配有铜保护盖帽(3)颗粒物过滤器,内含 2 μm孔径的硅烷化不锈钢烧结滤片(可更换耗材)(4)红宝石限流孔,5个型号(不同的流量范围,用户可自行替换)(5)下端接口,英制 1/4” Swagelok内螺纹,兼容市场上所有苏玛罐 流量设定采样罐容积 采样时长0.5 h1 h3h8h24 h24 h * 71.0 L27.813.94.61.70.6-3.0 L83.341.613.95.21.7-6.0 L16783.327.810.43.50.515.0 L41620869.426.08.71.24产品型号采样限流阀: SFV-100 (硅烷化主阀体)采样进样弯管:SFV-P10(高 10 cm)、SFV-P30(高 30 cm) 颗粒物过滤器:PFH-SS-1CM (使用直径 1 cm 的过滤片)颗粒物过滤片:PFD-SS-1CM-2U (2 μm 滤孔)红宝石限流孔:SFV-003、SFV-005、SFV-007、SFV-011、SFV-021
    留言咨询
  • 移动碎石机的个性化程度比较高,组成设备包括喂料设备、破碎机、制砂机、筛分设备、输送设备等,不同的配置需要的价钱不一样。但总体价格还是偏高的,因此不少人打起了二手移动碎石机的注意,那么二手的可以买吗?移动碎石机为什么那么贵1、科技含量高为了承受车架上设备的重量以及设备运行时的冲击力,移动破碎机的车架都是全钢架结构,不仅坚固耐用,还要可以扩展伸缩,以保证设备可以经久耐用。2、设备特殊性移动碎石机相对于固定式破碎机来说,明显的特点就是可以移动,并且移动碎石机一般都配置了PLC智能系统,只要一块触摸屏就可以完成设备的操控,非常方便。3、市场逐利性俗话说,物以稀为贵,移动碎石机是一种较为新型的设备,制造的技术先进,掌握这种技术的厂家还在少数,所以价格比较昂贵。二手移动碎石机值得买吗二手的移动碎石机值不值得买,要看你的工作量。如果你的物料来源稳定,能长期生产,肯定是选择买一套全新的移动破更值得。但如果你只是短期工作一段时间,只是有个几万方的石料需要加工,那还是买一套二手的移动碎石机比较好。二手移动碎石机的市场很大,很多人都对它感兴趣,但是如果成色太差,价格虽然低但质量太差,三天一小修,五天一大修,难以保证后续的生产,所以大家更喜欢9成新的设备,价格既没有新设备那么贵,又可以保证生产顺利进行。移动碎石机:二手移动破碎机报价:建筑垃圾粉碎机:
    留言咨询
  • 总览Photop&trade 系列,将光电二极管和运算放大器集合在同一封装中。Photops&trade 通用检测器的光谱范围为350nm至1100nm或200nm至1100nm。它们采用集成封装,确保在各种工作条件下的低噪声输出。这些运算放大器是OSI光电工程师为兼容我们的光电二极管而专门选择的。其中许多具体参数包括低噪声、低漂移和拥有由外部反馈元件决定的增益和带宽能力。从直流电平到几兆赫的操作是可能的,既可以在低速、低漂移的应用中采用无偏置配置,也可以在更快的响应时间中采用偏置配置。 上述设备的任何改装都是可能的。改装可以是简单地增加一个带通光学滤波器,在同一封装内集成额外的芯片(混合)元件,利用不同的运算放大器,替换光电探测器,修改封装设计和/或安装在PCB上。包含多型号UDT-020D UDT-555D UDT-455 UV OSI -020 UV UDT-055 UV UDT-455UV OSI-020UV OSI-515 UDT-555UV/LN光电二极管放大器混合器 200-1100nm,光电二极管放大器混合器 200-1100nm型号参数应用 通用光检测激光功率监控医学分析激光通信条形码读取器工业控制传感器污染监测制导系统色度计特征检测器/放大器组合可调增益/带宽低噪声宽带宽DIP封装有效面积大.光电二极管参数TA = 23°C时的典型电光参数型号有效面积响应度(A/W)电容(pF)暗电流(nA)分流电阻(MΩ )噪音等效功率(W/√Hz)反向电压温度范围(°C)封装形式面积(mm2) 尺寸(mm) 254nm 970nm 0V -10V -10V-10mV0V254nm-10V970nmV工作储存最小值典型值最小值典型值典型值典型值典型值 最大值典型值典型值典型值 最大值350-1100nm光谱范围UDT-455 5.1 2.54 f --- 0.60 0.65 85 15 0.25 3 --- 1.4 e -14 30**0 ~+ 70-30 ~+ 100 30 / TO-5OSI-515#UDT-020D164.57 f330600.5101.9 e -1431 / TO-8UDT-555D10011.3 f15003002253.9 e -1432/ Special200-1100nm光谱范围UDT-455 UV5.12.54 f 0.10 0.14 ---300 ---1009.2 e -14 --- 5**30 / TO-5OSI -020 UV164.57 f1000501.3 e -1331 / TO-8UDT-055 UV507.98 f2500202.1 e -1332/ SpecialUDT-555 UV 100 11.3 f 4500 10 2.9 e -13 32/ SpecialUDT-555UV /LN** TA = 23°C时,运算放大器的电光参数型号电源电压静态电源电流(mA)输入补偿电压 温度系数输入补偿电压输入偏置电流增益带宽乘积转换速度开环增益,DC输入噪声电压输入噪声电流 100 Hz 1k Hz 1 k Hz ± 15 VmVµ V / °CpAMHzV / µ sV /mVnV/ √HzfA/√Hz 最小值 典型值 最大值 典型值 最大值 典型值 最大值 典型值 最大值 典型值 最大值 最小值 典型值 最小值 典型值 最小值 典型值 典型值 典型值 典型值UDT-455 --- ±15 ±18 2.8 5.0 0.5 3 4 30 ±80 ±400 3.0 5.4 5 9 50 200 20 15 10UDT-455UVUDT-020DOSI-020UV---±15±181.820.030.120.3510.520---5.1---20100020005.85.10.8OSI-515*---±15±186.57.21310---±15±40232612514036.3---1210UDT-555UV/LN---±15±182.53.50.10.5±2±5±0.8±2---21250117781580.5UDT-055UV --- ±15 ±22 2.7 4.0 0.4 1 3 10 ±40 ±200 3.5 5.7 7.5 11 75 220 20 15 10UDT-555DUDT-555UV 机械图纸请参考第61至73页。* * LN–系列设备应在0V偏压下使用。*非冷凝温度和储存范围,非冷凝环境。# OSI-515取代UDT-455HS UDT-455,UDT-555D, 555UV, 055UVOSI-515:引脚1和5不兼容(无需调偏)。UDT-020D,OSI-020UVUDT-555UV/LN输出电压与光强度成正比,由下列公式得出:频率响应(光电二极管/放大器组合)光电二极管/放大器组合的频率响应由光电探测器、前置放大器以及反馈电阻(RF)和反馈电容(CF)的特性决定。对于已知增益(RF),检波器/前置放大器组合的3dB频率响应如下所示:然而,所需的频率响应受到运算放大器增益带宽乘积(GBP)的限制。为了获得稳定的输出,必须选择RF和CF值,使检波器/前置放大器组合的3dB频率响应小于运算放大器的最大频率,即f3dB≤fmax。最后,下面给出了一个计算频率响应的例子。对于增益为108,工作频率为100 Hz,增益带宽乘积(GBP)为5 MHz的运算放大器:对于CF = 15.9 pF,CJ = 15 pF和CA = 7 pF,fmax约为14.5 kHz。因此,由于f3dB≤fmax,电路稳定。 有关具体应用的进一步阅读,请参考目录中的APPLICATION NOTES INDEX。注:阴影框代表Photop&trade 组件及其连接件。 光电二极管维护和操作说明避免直射光线由于硅光电二极管的光谱响应包括可见光区域,因此必须避免光电二极管暴露于高环境光水平下,尤其是钨源或日光。在OSI光电公司的运输过程中,您的光电二极管包装在不透明的填充容器中,以避免环境光照射和因跌落或震动造成的损坏。 避免剧烈的物理冲击如果跌落或剧烈震动,光电二极管可能会损坏。焊线较为脆弱,当检测器掉落或受到剧烈的物理撞击时,可能会与光电二极管的焊盘分离。 用光学级布/纸巾清洁窗户OSI光电二极管上的大多数窗口材料是硅或石英。应使用异丙醇和软垫(光学级)清洁它们。 观察储存温度和湿度水平光电二极管暴露在高或极低的存储温度下会影响硅光电二极管的后续性能。存储温度指南在本目录的光电二极管性能规格中有相关介绍。请保持非冷凝环境,以保证光电二极管最佳性能和寿命。 遵守防静电措施光电二极管,尤其是集成电路器件(如Photops)被认为是静电敏感的。光电二极管采用防静电包装运输。在拆封和使用这些产品时,应遵守防静电注意事项。 不要将光电二极管暴露在刺激性的化学环境中如果暴露在氯乙烯、稀释剂、丙酮或三氯乙烯中,光电二极管封装和/或操作可能会受到影响。 小心安装本目录中的大多数光电二极管都配有电线或引脚,用于安装在电路板或插座上。遵守以下规定的焊接温度和条件:烙铁: 焊接30 W或更低 , 烙铁尖端的温度为300℃或更低。浸焊:镀浴温度:260±5℃ ,浸泡时间:5秒以内。 ,焊接时间:3秒以内。汽相焊接:请勿使用回流焊:请勿使用 请特别注意塑料包装中的光电二极管。透明塑料包装比黑色塑料包装对环境压力更敏感。在高湿度下存放器件可能会在焊接时出现问题。由于焊接过程中的快速加热会对焊线产生应力,并可能导致焊线与焊盘分离,因此建议将塑料封装中的器件在85℃下烘烤24小时。光电二极管上的引线不应形成。如果您的应用需要修改引线间距,请在形成产品引线之前联系OSI光电子应用程序部门。产品保修可能无效。1.参数定义:A =芯片顶部到玻璃顶部的距离。a =光电二极管正极。B =玻璃顶部到外壳底部的距离。c =光电二极管负极(注:负极通常用于金属包装产品,除非另有说明)。W =窗口直径。视场(见下文定义)。 2.尺寸单位为英寸(1英寸= 25.4mm)。3.除非另有规定,引脚直径为0.018±0.002"。4.公差(除非另有说明)常规: 0.XX ±0.01" 0.XXX ±0.005"芯片中心: ±0.010"尺寸“A”: ±0.015" 5.Windows操作系统所有“UV”增强产品都配有石英玻璃窗口,0.027±0.002"厚度。所有“XUV”产品都配有可移动窗户。所有“DLS”PSD产品都配有抗反射涂层玻璃窗。所有“FIL”光导和光伏产品都是环氧树脂填充的,而不是玻璃窗。 机械规格单位都是英寸。插脚引线是仰视图。
    留言咨询
  • 精密100mm燕尾型光学导轨OMDJ系列产品特点:材质:6061-T6 铝合金 产品介绍:OMTOOLS精密100mm燕尾型光学导轨适用于我们的卡入式大型导轨滑块。导轨侧面用激光刻有分度为1.0 mm的刻度,每10 mm带刻度数字标识,用于光机械硬件精确定位。带多个M6沉头孔及M6腰型安装槽,可灵活安装在面包板或光学平台上。导轨经过精密加工而成,长度方向上受过挤压塑形,导轨两端有用于定位的φ8圆柱销,实现了多个导轨首末相连拓展长度。 选型表:型号材质截面尺寸长度表面处理OMDJ2006061-T6 铝合金21x100mm200m黑色阳极氧化OMDJ3006061-T6 铝合金21x100mm300mm黑色阳极氧化OMDJ5006061-T6 铝合金21x100mm500 mm黑色阳极氧化OMDJ10006061-T6 铝合金21x100mm1000 mm黑色阳极氧化
    留言咨询
  • 硅芯清洗机 400-860-5168转5919
    1. 产品概述:英思特硅芯清洗机是专门用于硅芯清洗的设备,通过一系列特定的清洗工艺和技术,有效去除硅芯表面的杂质、污垢、氧化物等,以达到硅芯在半导体制造等领域应用所需的高洁净度要求。它通常由清洗槽、漂洗槽、干燥系统、传输系统、电气控制系统等部分组成,各部分协同工作,实现对硅芯的自动化清洗流程。2. 设备应用: 半导体产业:在半导体芯片制造中,硅芯是重要的基础材料。硅芯清洗机用于清洗硅芯,为后续的外延生长、掺杂等工艺提供洁净的硅芯表面,确保芯片的质量和性能。例如,在制造高纯度的半导体器件时,硅芯表面的洁净度直接影响到器件的电学性能和可靠性。 光伏产业:用于光伏电池生产中硅芯的清洗,提高硅芯的表面质量,从而提升光伏电池的转换效率和稳定性。 3. 设备特点:1.产品用途:适用于2"~8"硅芯清洗2.设备介绍:本设备为柜体式腐蚀机,整台设备均采用进口件.基本材质:箱体材质:德国兹白色聚丙烯(PP)门板材质:德国透明聚氯乙烯(PVC)腐蚀槽材质:德国自然色聚偏二佛乙烯(PVDF)清洗槽材质:德国自然色聚丙烯板(NPP)腐蚀槽配有美国聚四佛乙烯加热器,虹吸上排,传感器清洗槽配有溢流装置和N2鼓泡装置整机外形美观,实用3.设备外形尺寸:2000X1000X1800(mm)4.设备重量:8000Kg(约)5,设备控制方式: PLC结合操作触摸屏控制6.设备动力条件:电源:380VAC+-10%频率 50HZ+-10%,三相五线制整机额定电功率(参考):20KW电气性能:E级,并有良好的接地水工:压力2-3KG/CM3,流量2m3/hr 口径DN25DIW:压力2-3KG/CM3 流量2m3/hr(max),电阻率15MDN25气源压缩空气:0.3~0.5MPa,口径3/8"(配有水分离器)排废:DN50排废酸:DN40排风:DN200环境要求:空气温度5-40°C 相对湿度:80
    留言咨询
  • Thermo ScientificTM Q ExactiveTM 高性能台式四极杆—轨道阱LC-MS/MS系统,是首台将四极杆的母离子选择性和高分辨率精确质量(HR/AM)OrbitrapTM 质量分析相结合的商业化仪器,旨在提供高度可靠的定量和定性(quan/qual)工作流程。 Q ExactiveTM 质谱仪具有创新的HR/AM QuanfirmationTM 功能,能够在单次分析中鉴定、定量和确认复杂混合物中更多痕量级的代谢物、污染物、肽类和蛋白质。与其它技术不同的是,该系统能够在不影响MS/MS灵敏度、质量分辨率或定量重现性的情况下,获得极其可靠的分析结果。 Q Exactive高性能台式四极杆—轨道阱LC-MS/MS系统具有如下意义非凡的创新设计,大大扩展了Thermo Scientific Exactive家族Orbitrap系统的功能: 集成式四极杆质量过滤器实现前体离子选择性。在Orbitrap HR/AM检测之前,MS/MS碎裂过程发生在能量更高的碰撞诱导解离(HCD)池中; 新型C-Trap离子光学系统和HCD碰撞池提供了快速HCD MS/MS扫描并改善了低质量数离子的传递,从而提高灵敏度和定量性能,尤其适用于使用同位素标签的实验; 多重检测提高了整体系统工作周期的效率,能够更好的与UHPLC兼容,并在Orbitrap进行同时检测之前收集并保存多种母离子。 所有这些功能使Q Excative系统成为准确定量确认的理想选择,通过单次分析能够对复杂基质中成百上千种痕量组分进行鉴定、定量和确认。此外,该系统还为诸如食品安全和法医毒物学等新兴应用领域提供省时的工作流程。这些工作流程通常采用常规提取方法,导致随后的LC-MS分析面临极其复杂的样品基质。一旦拥有Q Exactive系统,实验室就能够更可靠地鉴定更多蛋白质、代谢物和污染物。二手Q Exactive(QE)四级杆静电场轨道阱质谱仪二手Q Exactive(QE)四级杆静电场轨道阱质谱仪二手Q Exactive(QE)四级杆静电场轨道阱质谱仪二手Q Exactive(QE)四级杆静电场轨道阱质谱仪二手Q Exactive(QE)四级杆静电场轨道阱质谱仪
    留言咨询
  • 产品特点:1. 内置检测项目,结合定量洁净分装的标准化成品试剂,流程化测试;2. 无需繁琐配置试剂过程,只需取样调零,加对应试剂,按测试键三部曲操作步骤;3. 预设的参数程序模块,严谨的内置标准计算公式使整个数据转换过程缩短为1s;4. 基于国标方法的自动化分析技术,严格标准的内置标准曲线有效地提升了测定结果的准确性与标准性;5. 采用固体发光器既作光源又作单色器,与传统分光系统相比,光学系统结构简单,仪器具有抗震、抗潮性能;6. 试剂采用固体独立真空包装,保质期长;7. 光源/单色器、比色槽、传感器一体化,无可动部件,同时采用脉冲供电方式,光源使用寿命可达10万小时,大大提高了仪器的精度、灵敏度和可靠性;8. OLED屏幕照明显示,大幅度降低功耗,即使光线不足也不影响观测;9. 具有新建标准曲线、校准内置标准曲线,仪器可自动拟合曲线、计算结果。测定范围:余氯:0.00-5.00mg/L;二氧化氯:0.00-10.00mg/L pH:6.0-8.5可根据用户需求定制不同检测项目组合。
    留言咨询
  • 国内数百个石化企业、质检部门经过反复论证并强烈推荐使用。样品检测范围:汽油、柴油、石脑油、航空煤油、航空汽油、原油、渣油、水、聚丙烯、石油焦、催化剂等液体及固体样品。波长X荧光分析标准: 硫S:GB/T111140, 氯Cl+硅Si:SH/T6083, 铅Pb:ASTM D5059 检测下限: 硫S:0.15ppm;氯Cl:0.1ppm; 硅Si:0.5ppm;铅Pb:0.2ppm; 检测范围:0-99.99%X射线光管:靶材:Pd;50KV – 4mA;200W;分光晶体:多块晶体自动转换。 分析仪特点:1. 检测汽油、柴油、石脑油、原油、水(包括污水)等样品,也可测量催化剂等粉末和固体样品。灵敏度高,重复性好。2. 相比传统单波长检测单元素分析仪功率只有75W,四合一分析仪光源的功率为200W,检测下限更低、重复性更加优异。3. 划时代的将四组单波长X荧光技术集合到一台分析仪,运用到石油产品多元素检测中, 且采用特殊晶体RX4和RX9,分辨率更高。尤其检测高硫低氯的样品,分别率更加清晰。4. 外形小巧,可放置于任何实验室,即插即用。 5. 仪器标配12位自动进样器,真正提高分析效率。6. 全中文软件,操作简便。7. 可快速进行定性分析、定量分析、无标样近似定量分析。8. 具有光路校正、薄膜校正、匹配数据库等功能。
    留言咨询
Instrument.com.cn Copyright©1999- 2023 ,All Rights Reserved版权所有,未经书面授权,页面内容不得以任何形式进行复制