HERA-DLTS高能分辨率深能级瞬态谱(DLTS) PhysTech在1990年推出了第一台数字DLTS,随着电脑技术的发展,使得在短时间内进行复杂计算成为可能。在纯指数发射过程模型的基础上,用各种数学模型分析测量到的瞬态过程,如傅里叶转换、拉普拉斯转换、多指数瞬态拟合、ITS(等温瞬态光谱)信号重叠法、温度扫描信号重叠法(重折叠)。与其他系统相比,HERA-DLTS具有无法比拟的能量分辨率。 半导体的掺杂浓度、缺陷能级位、界面态(俘获界面)是研究半导体性质的重要手段。此设备根据半导体P-N 结、金-半接触结构肖特基结的瞬态电容(△C~t)技术和深能级瞬态谱(DLTS)的发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱,是一种具有很高检测灵敏度的实验方法,能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。通过对样品的温度扫描,可以给出表征半导体禁带范围内的杂质、缺陷深能级及界面态随温度(即能量)分布的DLTS 谱。特点:自动接触检查常规测试和加强软件自动电容补偿三终端FET电流瞬态测量大电容和浓度范围灵活性高、模块化硬件支持各种冷却仓和温度控制器傅里叶转换(F-DLTS),比例窗口和用户自定义校正功能DLTFS(深层瞬态傅里叶光谱仪)评价操作模式:C-DLTSCC-DLTSI-DLTSDD-DLTSZerbst-DLTSO-DLTSFET-AnalysisMOS-AnalysisITS(等温瞬态光谱仪)缺陷分析俘获截面测量I/V, I/V(T)理查森标绘图C/V, C/V(T)TSC/TSCAPPITS(光子诱导瞬态谱)DLOS(特殊系统)规格:分辨率:1*108 atoms/cm3脉冲发生器电压范围:±20.4V(±102opt.)电压分辨率:0.625mV最大电流:>±15mA脉冲宽度:1μs-1000s快速脉冲选配电容表HF信号:100Mv@1MHz(20mV optional)范围[pF]:3,30,300,3000(自动或手动)电容补偿:0.1-3000 pF(自动或手动)灵敏度:0.01 fF电压测量范围:±10V灵敏度:<1μV输入电阻:106Ohm可提供偏压补偿:电流测试范围:5,从±1μA 到±10mA灵敏度:<1pA可提供漏电保护瞬态记录样品速率:2μs到2000s样品数量:16-16384(opt.64k)可调节抗失真滤膜标准冷却仓温度范围:15K-450K或77K~800K温度扫描方式:使用28个不同的相关功能(软件)通过一次温度扫描,给出28个温度扫描信号。典型性能(Schottky Diode,Reverse Bias Capacitance 100pF@OV)灵敏度:10-7NT/(ND-NA)10-5能量精度:HT+/-3%能量分辨率:10meV发射率:10-3/sen104/sOptionsConstant CapacitanceOptical ExcitationFast Pulse Interface±100 V OptionMulti Sample Interface
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