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异恶唑腈

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异恶唑腈相关的耗材

  • 认证的单晶硅标样 660-615-E 单晶硅标样,已认证,含样品座E
    用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为19%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 认证的单晶硅标样 660-615-E 单晶硅标样,已认证,含样品座E
    用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为19%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 黄骅亚龙仪器仪酒精喷灯座式酒精灯
    酒精喷灯~ Burner- of tvpe 一、概况及用途: 喷灯的生产是以铜、铸铁、锡、铅等材料经过金属加工面成。 喷灯的工作原理:它是借助喷灯之引火碗中的少量酒精经燃烧后产生的热力,使喷灯底座中的酒精蒸气化喷出而燃烧,它不直接燃烧酒精,面是燃烧酒精之蒸气所以可以产生极高的温度。 喷灯由于使用要求不同,就设计了不同的形状,目前商业经,营的有座式、立式、挂式三种式样,它们都是用于工矿企业、医院、科研、教学等单位化验室,在没有煤气的情况下进行化验操作时作为热源的工具。 10-46座式活精灯burner of Alcohol sit 。它喷出的火焰可达1000,它连续工作45分钟的情况下消耗酒精250ml。 10-46立式酒精灯burner of Alcohol stand, 它的特点是借助玻璃酒精灯做热源加热,使喷灯底座内之酒精蒸气化喷出,以提高酒精灯的温度,它的火焰温度可达到1100心。 10-46.挂式酒精灯burner of carry。它由于酒精驥悬挂在灯下,还可增如一定压力,火焰温度可达900~ 000,酒精消耗量为160ml /时。 二、使用方法: 座式消精喷灯使用方法:首先在酒情嫖内注入4/ 5容积的酒精,将盖钮紧,再将引火碗肉注入少量的酒精作为引火用,检查喷火孔是否通气。 准备工作结束后即点燃引火碗中的酒精,由于引火碗中酒精的燃烧,使酒精罐内酒精受热面气化由喷孔中喷出燃烧,这时可旋转调水旋钮,使之火力集中、固定即可正式使用. 挂式酒精喷灯的使用:这种式样的喷灯由于它是由灯头与燃料容器分离结构,使用时先装配好,再选一根粗细适当的橡胶管,”一端连接于酒精罐之下口、一端连接于木柄的接头上,不使酒精渗漏,然后灌入约400ml的酒精于罐中、盖好。打开阀门使酒精经过皮管流入灯体、固定酒情罐挂于高处。再加入少量的酒精于预热杯内,点燃,当预热杯内的酒精烧完时。用手开启手轮使喷火管喷出火焰,即可使用。
  • 中镜科仪 坐标镀碳支持膜 (铜.镍.金坐标镀碳支持膜)
    坐标普通碳支持膜的载网是带标记的,方便您找到需要观察的样品。F1坐标载网和F2坐标载网是不同规格标记(F1坐标网见图1,F2坐标网见图2)。图1 F1坐标图2 F2坐标 碳膜为两层支持膜结构,可以采用不同规格的载网做载体。从空间结构来讲,从下到上依次为载网,方华膜和碳膜,如下图它是在一层有机方华膜上再覆盖一层碳膜。由于碳层具有较强的导电以及导热性,弥补了无碳方华膜的荷电效应以及热效应,增强了膜整体的稳定性,适合大多数纳米材料和生物样品的一般形貌观察。普通碳支持膜是针对常规检测20-50nm尺度样品的理想产品,是初次使用或筛查样品的最基本选择。如下图是纳米材料和生物样品在中低倍下的TEM照片,图像清晰,背底影响较小。支持膜的厚度,由对样品提供的承载强度和自身产生的背底干扰共同决定。如果膜厚度大,对样品的承载能力强,但会导致背底噪音增强;如果膜厚度小,图像质量高,但容易引起支持膜破裂。膜总厚度:10-20 nm产品编号产品名称规格/数量间距肋宽孔径BZ10021F1b100目F1坐标碳支持膜50枚/盒25040210BZ10021F1a100目F1坐标碳支持膜100枚/盒25040210
  • 北京玻璃仪器厂座式量瓶
    白色量瓶VOLUMETRIC FLASKS. Amber glass .棕色量瓶,VOLUMETRIC FLASKS 别名:容量瓶 一、概况及用途: 本器用钠钙玻璃或硼硅玻璃制造,( 50~ 2000 ml)由大炉模具吹制,圆口、配塞.磨砂、刻度加工而成,25ml以下则在灯工吹制.目前50~ 100ml也有灯工吹制。它适用于科研、大专院校、医疗卫生及工矿企业单位的化验室,作已知浓度溶液的稀释。配制标准溶液,或作液体的精密计量之用,棕色量瓶适用于对遇光易变质分解的溶液稀释或配制 二、造型及原理: 它是个具玻璃磨砂塞的长颈瓶,瓶体为梨形。便于摇荡液体和洗刷,瓶颈细长,使液面缩小,可使计量准确,瓶颈部刻有一条环状标线,以计量其标称容量。 三、使用方法: 把量瓶洗净用蒸馏水冲洗,然后将固体溶质放入烧杯内,加水,使它完全溶解(如加温必须使溶液温度冷却到室温),然后将溶液转移到洗净的量瓶中,再向瓶中注水。使液面至标线下3 ~ 5毫米处,再用吸管逐滴地加水,使溶液的体积恰好到标线( 即液面的弯月面的下缘恰好触及标线的水平面)。决不允许将固体加进量瓶肉,直接配制溶液,如这样做若固体溶解不完全时,很难将溶液配制好,必须注意,量瓶不能用火焰加热,也不能放在烘箱中烘烤,因为每加热一次,会使容积变大,要等很久才能恢复原有容积。量瓶只能用来配制溶液,不能长期储存溶液。更不能储存強碱溶液,以防腐蚀,影响量瓶的精度,用后要尽量用水洗净。
  • 单晶硅标样 615-E 单晶硅标样,含样品座E
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为6%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-E 单晶硅标样,含样品座E
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为6%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 针座,PEEK,0.17 mm 内径毛细管
    当针头变得弯曲、有倒刺、变钝或是出现渗漏或堵塞时,应该进行更换。当发现针座上有缓冲液结晶痕迹时,应检查是否存在泄漏。如果样品含有微粒,则可能会堵塞针座,因为这是样品进入系统时经过的第一个限流管。如果发生这种情况,请尝试反冲针座毛细管。
  • 曲安奈德益康唑乳膏中曲安奈德和硝酸益康唑含量的分离,色谱柱COSMOSIL C8-MS
    曲安奈德益康唑乳膏中曲安奈德和硝酸益康唑含量的分离,色谱柱COSMOSIL C8-MS 关键词:曲安奈德益康唑乳膏,曲安奈德,硝酸益康唑,2010年药典,辛烷基硅烷键合硅胶 2010年中国药典标准:曲安奈德益康和硝酸益康唑色谱条件:照高效液相色谱法(附录Ⅴ D)测定,用辛烷基硅烷键合硅胶为填充剂;以溶解在乙腈-异丙醇-水-85%磷酸中的己烷磺酸钠为流动相A,以溶解在甲醇-水-85%磷酸中的己烷磺酸钠为流动相B,进行梯度洗脱;柱温为40℃;检测波长为227nm。曲安奈德峰与硝酸益康唑峰的分离度应符合要求。(中国药典二部P269) 需要详细的药典标准请联系北京绿百草:010-51659766. 登录网站获得更多产品信息: www.greenherbs.com.cN
  • 东京精密 三坐标测量仪配件侧头 其他物性测试仪配件
    三坐标测量仪配件侧头 17806282711合作、共赢!美国热电:直读光谱仪ARL8860、XRF、XRD ICP、电镜、电子能谱仪德国徕卡:金相显微镜、体视显微镜、电镜制样设备英斯特朗:疲劳试验机、万能试验机; 摆锤冲击试验机、落锤冲击试验机东京精密:圆度仪、轮廓仪、粗糙度仪、三坐标美国法如:激光跟踪仪、关节臂及扫描 日本奥林巴斯手持光谱仪 德国帕马斯颗粒计数器租赁检测:便携式三坐标、激光跟踪仪、3D扫描仪为客户提供专业的检测服务,帮客户挖掘新的赢利空间!上海澳信检测技术有限公司青岛澳信仪器有限公司青岛澳信质量技术服务有限公司联系地址:青岛市城阳区山河路702号上海地址:上海浦东新区川沙路1098号新美测(青岛)测试科技有限公司提供测试服务:静态力学测试主要包括拉伸、压缩、弯曲、剪切等;动态疲劳测试主要包括:拉拉疲劳、拉压疲劳、压压疲劳、裂纹扩展速率等
  • 认证的单晶硅标样 660-615-O 单晶硅标样,已认证,含样品座O
    用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为25%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 认证的单晶硅标样 660-615-B 单晶硅标样,已认证,含样品座B
    用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为16%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 认证的单晶硅标样 660-615-K 单晶硅标样,已认证,含样品座K
    用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为22%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 认证的单晶硅标样 660-615-M 单晶硅标样,已认证,含样品座M
    用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为24%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 认证的单晶硅标样 660-615-A 单晶硅标样,已认证,含样品座A
    用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为15%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 认证的单晶硅标样 660-615-C 单晶硅标样,已认证,含样品座C
    用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为17%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 认证的单晶硅标样 660-615-A 单晶硅标样,已认证,含样品座A
    用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为15%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 认证的单晶硅标样 660-615-P 单晶硅标样,已认证,含样品座P
    用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为26%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 认证的单晶硅标样 660-615-O 单晶硅标样,已认证,含样品座O
    用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为25%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 认证的单晶硅标样 660-615-C 单晶硅标样,已认证,含样品座C
    用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为17%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 认证的单晶硅标样 660-615-K 单晶硅标样,已认证,含样品座K
    用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为22%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 认证的单晶硅标样 660-615-M 单晶硅标样,已认证,含样品座M
    用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为24%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 认证的单晶硅标样 660-615-D 单晶硅标样,已认证,含样品座D
    用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为18%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 认证的单晶硅标样 660-615-B 单晶硅标样,已认证,含样品座B
    用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为16%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 认证的单晶硅标样 660-615-P 单晶硅标样,已认证,含样品座P
    用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为26%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 认证的单晶硅标样 660-615-L 单晶硅标样,已认证,含样品座L
    用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为23%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 认证的单晶硅标样 660-615-L 单晶硅标样,已认证,含样品座L
    用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为23%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 认证的单晶硅标样 660-615-G 单晶硅标样,已认证,含样品座G
    用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为21%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 认证的单晶硅标样 660-615-D 单晶硅标样,已认证,含样品座D
    用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为18%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 认证的单晶硅标样 660-615-G 单晶硅标样,已认证,含样品座G
    用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为21%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
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