上海伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 溅射制备微晶硅薄膜
硅薄膜作为薄膜太阳能电池的核心材料越来越引起人们的重视, 非晶硅薄膜太阳能电池由于存在转换效率低和由 S-W 效应引起的效率衰退等问题, 而微晶硅薄膜具有较高电导率、较高载流子迁移的电学性质及优良的光学稳定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成为光伏领域的研究热点.采用磁控溅射沉积硅薄膜不需要使用 SiH4 等有毒气体及相应的尾气处理装置, 有利于降低设备成本, 且工艺参数容易控制, 因此经过伯东工程师推荐, 长沙某大学实验室课题租在研究微晶硅薄膜时, 采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅沉积制备微晶硅薄膜.