天然铁橄榄石

CrF型 铬:镁橄榄石飞秒激光器产品介绍：CrF型铬镁橄榄石激光器，采用独特的增益介质，能够产生1250 nm波长的飞秒激光脉冲。该激光器带有集成的Peltier TC温度控制单元，用来为晶体散热降温，来实现更高的输出功率和对晶体的精确温控。该型激光器有三种型号具有SESAM自启动模式，具有固定的工作波长；还有一种型号具有电磁启动器，可以进行波长调谐。CrF型激光器包括一个内置的15 W光纤泵浦激光器控制单元。1250 nm的飞秒脉冲激光显著地推动了显微镜和人体组织研究的发展。CrF型激光器的连续输出版本为LF-100型。CrF型激光器也可以作为Cr:F激光放大系统的种子振荡器，该型放大器也由我公司提供。 产品特点：波长范围：1230-1270 nm输出功率最高 800mW脉冲能量 20 nJ at 30 MHz集成式泵浦源（可选）最小脉冲宽度35 fs 电磁启动器或是SESAM 产品应用：多光子激发显微镜放大系统种子源太赫兹波的产生和探测时间分辨光谱光学相干断层扫描 光谱分析 技术参数:型号CrF-450TPCrF-400SPCrF-700SPCrF-700SP-L脉宽(FWHM)65* fs75 fs140 fs波长范围，nm1230-1270 nm (可调)1230-1270 nm (固定)1265+/-15 nm （固定）平均输出功率（在峰值波长）450 mW ** 400 mW700 mW560 mW重复率（典型值）96 MHz95 MHz30+/-2 MHz（固定）脉冲能量4 nJ4 nJ7 nJ20 nJ内置掺镱光纤激光器泵浦功率源15 W飞秒启动模式电启动自启动(SESAM)输出稳定性2% rms5% rms空间模式TEM00偏振线性，水平偏振发散角2 mrad晶体冷却方式thermoelectric + closed-loop water chiller* - 可根据客户要求定制，最低至35 fs；** - 可根据客户要求定制，最高达800 mW。

铬:镁橄榄石连续激光器LF-100型激光器是CrF-65 型激光器的CW输出版本，更多详情请参阅CrF-65 型激光器参数。技术参数：型号LF-100调谐范围， nm1210-1290输出功率，mW*400*空间模式TEM00带宽，1/cm10* - 10 W泵浦功率。

技术参数：脉冲宽度： 70fs 调谐范围：1230-1270 nm 输出功率：180-250 mW 推荐的泵浦功率：6-10 W 重复频率：75/100/125 MHz 输出稳定性： 2% rms 空间模：TEMoo 发散度： 2 mrad 泵浦功率：3-10 W 脉冲能量：1-15 nJ 重复频率：93-100 MHz 晶体冷却：热电主要特点：应用：高分辨成像，宽带吸收，材料加工

技术参数：波长：1250 nm 脉冲宽度(FWHM)：60-80 fs 脉冲功率：1-2 TW 输出稳定性：2% RMS 重复频率：10 Hz 束发散：2 mrad 空间模量：TEMoo 极化、线性：水平 对比率：1000:1

SisuROCK 高光谱矿石成像工作站 SisuROCK配备了SPECIM公司先进的高光谱相机，可以对地质产品进行快速的高光谱数据收集。SisuROCK不仅可以作为一种高效、高吞吐量的生产工具在矿业生产中广泛使用，也可以作为一种功能强大且灵活的分析手段应用到地质研究领域。 SisuROCK工作特点SisuROCK是一套专门针对岩芯和其他地质样品开发的高速扫描全自动高光谱成像设备。该设备简单易用，具有对单个矿芯高分辨成像，和对整箱岩芯高速扫描的不同模式。SisuROCK在15秒内就能完成整箱岩芯的高光谱成像数据采集，大的提高了矿石分析筛选的效率。 矿石成像实例，该结果由SWIRSisuROCK系统采集分析。图像中每一种颜色代表不同的矿物质，比如矿芯的紫色部分代表闪石。在一项勘探项目中，SisuROCK 以 2mm 空间分辨率的full core tray模式运行，以平均每天检测1200米矿样的速度，在两周时间里对17000米的矿样完成了高光谱数据采集。SisuROCK可以根据矿物质不同配备: VNIR, SWIR, TIR/LWIR等不同波段的高光谱相机，下表为对不同矿物质有效鉴定波段列表。 　　　　　　　硅酸盐类Silicates化学结构矿物群例子VNIRSWIRTIR/LWIR链状硅酸盐inosilicates闪石Amphibole透闪石Actinolite无法判断理想中等辉石Pyroxene透辉石Diopside理想 中等理想 环状硅酸盐cyclosilicates电气石Tourmaline锂电气石Elbaite无法判断理想中等岛状硅酸盐nesosilicates石榴石Garnet钙铝榴石Grossular中等无法判断理想橄榄石Olivine镁橄榄石Forsterite理想无法判断理想焦硅酸盐sorosilicates绿帘石Epidote绿帘石Epidote无法判断理想中等层状硅酸盐phyllosilicates云母Mica白云母Muscovite无法判断理想中等绿泥石Chlorite斜绿泥石Clinochlore无法判断理想中等粘土矿物Clay Minerals伊利石Illite无法判断理想中等高岭石Kaolinite无法判断理想中等架状硅酸盐tectosilicates长石Feldspar正长石Orthoclase无法判断无法判断理想纳长石Albite无法判断无法判断理想氧化硅Silica石英Quartz无法判断红外理想非硅酸盐类Non-Silicates碳酸盐carbonates方解石Calcite方解石Calcite无法判断中等理想白云石Dolomite白云石Dolomite无法判断中等理想氢氧化物hydroxides　三水铝石Gibbsite无法判断理想中等硫酸盐sulphates明矾石Alunite明矾石Alunite中等理想中等　石膏Gypsum无法判断理想理想硼酸盐Borates　硼砂Borax无法判断中等需确定卤化物Halides氯化物Chlorides岩盐Halite无法判断需确定需确定磷酸盐Phosphates磷灰石Apatite磷灰石Apatite中等无法判断理想碳水化合物Hydrocarbons　沥青Bitumen需确定中等需确定氧化物Oxides赤铁矿Hematite赤铁矿Hematite理想无法判断无法判断晶石Spinel铬铁矿Chromite无法判断无法判断无法判断硫化物Sulphides　黄铁矿Pyrite红外无法判断无法判断 其他相关产品 高光谱航空遥感成像系统AISA 高光谱化学成像工作站SisuCHEMA 超快Raman成像系统（线式激光扫描模式,成像速度为常规Raman的500多倍...) 低温强磁场近场光学显微镜/共聚焦显微镜/高分辨Raman系统（20mK/15T,SNOM/CFM/Raman...) 扫描探针显微镜与光谱测量联用系统

泊头市利诺工量具有限公司是大理石平板、大理石平台生产加工、维修厂家，销售、加工的大理石平板、大理石平台选用深埋地下亿万年主要矿物成分为辉石，斜长石，少量橄榄石，黑云母以及微量磁铁矿的岩石为原料，经机械切割磨铣成形后由本公司技术人员手工研磨精制而成，表面黑色光泽，内部结构精密，由于经过亿万年的老化，质地均匀，晶粒细密、稳定性好、强度大、硬度高、耐磨性好、无磁性、无塑性变形、不生锈、易清洗、维护方便等特点，能在重负荷下保持比较高的精度。其硬度比铸铁高2－3倍(相当于HRC51)，因此精度保持性好。在使用中大理石平板、大理石平台即使遭重物磕碰，至多掉几粒石碴而已，而不会像金属工具那样，因变形而破坏精度。其优于铸铁和钢材制作的精密测量基准零件，可以获得高而稳定的精度。广泛使用于工业生产和实验室、计量室的测量工作及精密机械、仪器的基础结构件按GB/T20428-2006标准规定，大理石平板、大理石平台平面度精度分为0级、1级、2级、3级四个准确度等级.工作面经机械加工后由技术工人手工研磨精制而成。现在一般厂家使用精度要求为0级，大理石平板、大理石平台准确度精度受温度变化影响非常小，远远优于铸铁平板及铸铁平台，在现代机械生产制造中尤其是对精度要求高时得到越来越多的应用。大理石平板、大理石平台比重：2970-3070kg/㎡，抗压强度：245-254N/m㎡，线膨胀系数：4.61×10-6/℃，吸水率：0.13%，肖氏硬度：Hs70以上。规格为100x100mm-2500x4000mm.特殊规格可定制。

仪器简介：Del Mar Photonics公司()总部位于美国加州圣地亚哥，是一家专注于高级科学和工业应用的光子学产品的制造商和系统集成商。产品种类包括超快激光振荡器，基于Ti:蓝宝石、Cr:镁橄榄石和Er-,Yb-掺杂光纤放大器，各种测量工具如自相干器、光谱相干涉测量、互相干器，如Beacon&trade 荧光上转换光谱仪和Hatteras&trade 超快瞬态光谱仪 Del Mar Photonics公司同时也提供飞秒激光器集成系统，可用于多光子成像、扫描探针显微学、微机械加工、分子动力学、x-射线及等离子体研究、THz产生和光谱学研究等应用。技术参数：脉冲宽度：20-100fs 调谐范围：700-960nm 输出功率@800nm：150-1500mW 空间模：TEMoo 泵浦功率：3-10 W 脉冲能量：1-15 nJ 重复频率：93-100 MHz主要特点：工业应用场合

1. 大理石平尺产品介绍大理石平尺用于测量工件的直线度和平面度及设备安装。大理石平尺规也可用于机床工作台、导轨和精密工作的平面度、直线度。大理石平尺的材质为济南青/章丘黑/沂南灰，结构精密，质地均匀，稳定性好，强度大，硬度高，精度保持性好。大理石平尺是用天然的石质材料制成的精密基准测量工具，对仪器仪表、精密工具、机械制件的检验，都是理想的基准面，特别是用于高精度的测量方面。大理石平尺取材于地下优质的岩石层，经过亿万年自然时效，形态极为稳定，结晶细密，质地坚硬，在使用中岩石工具即使遭重物磕碰，至多掉几粒石碴而已，亦不会因常规温差而发生变形。由于大理石系非金属材料，大理石平尺无磁性反应，亦无塑性变形。因此大理石平尺精度保持性好。 另外，大理石平尺其优于优质铸铁和钢材制作的精密测量基准零件，可以获得高而稳定的精度。工厂实力2. 大理石V型块产品介绍普通石材大理石平台是大理石量具、仪器平台，又名花岗石平板，采用"济南青"石料经机械加工和手工精磨制成。黑色光泽、结构，质地均匀，稳定性好，强度大，，能在重负荷及一般温下保持，并且具有不生锈，性，不磁化、不变型等优点。普通石材大理石平台是用石质材料制成的基准测量工具,对仪器表,工具,机械制件的检验,都是理想的基准面.特别是用于的测量方面,由于它的特性,而使铸铁平板相形见绌。普通石材大理石平台适用于工业生产和实验室的测量工作。工厂实力3.大理石方尺产品介绍大理石方尺具有垂直平行的框式组合用于对直角的检验，适用于高精度机械和仪器检验及机床之间不垂直度的检查。大理石方尺是使用天然的大理石加工而成，大理石是重结晶的石灰岩，主要成分是CaCO3。制造标准：按GB6092-85标准制造。大理石方尺规格100*100*50 200*200*50 250*250*50 300*300* 50 400*400*80 500*500*100产品优势大理石方尺的特性与优点1、组织结构稠密、表面光滑耐磨、粗糙度数值小；2、大理石经长期天然时效，内应力完全消失，材质稳定，不会变 形；3、耐酸、耐碱、耐腐蚀、抗磁；4、不会受潮生锈，使用、维护方便；5、线胀系数小，受温度影响小；工厂实力4.大理石方箱产品介绍大理石方箱用于检测零部件、工件、机床工作台、导轨和精密工作的平面度、垂直度。该方箱并具有：精度高、不生锈、耐酸碱、不磁化、不变型、耐磨性好等优点。能在重负荷及一般温度下保持稳定。产品优势大理石方箱的优点特性：大理石方箱的组织结构稠密、表面光滑耐磨、粗糙度数值小，大理石经长期天然时效，内应力完全消失，使得材质稳定，不会变形。 由于大理石系非金属材料绝无磁性反应，也没有塑性变形。大理石方箱具有精度高、不生锈、耐酸碱、不磁化、不变型、耐磨性好等优点且能在重负荷及一般温度下保持稳定。大理石方箱是用天然的石质材料制成的精密基准测量工具。在使用中即使遭重物磕碰，至多掉几粒石碴而已。不会影响使用精度。大理石方箱检定方法：对于边长为315mm及以下的方箱，检定时在方箱被检面的两端各放置1mm的量块，把刀口形直尺放在量块工作面上，然后在其各被检点处用量块试塞，当量块组刚刚塞入时的尺寸与两端量块尺寸之差为该被检点对两端之间的偏差。这一检定还应在方箱工作面的纵向、横向和对角线方向的几个截面上进行。在测得的各个位置的直线中误差方向一致时取其最大值，当误差方向不一致时取其最大正差与最大负差绝对值之和，为该受检面平面的平面度。工厂实力5. 大理石直角尺产品介绍花岗石平尺用于测量工件的直线度和平面度及设备安装。花岗石平尺规也可用于机床工作台、导轨和精密工作的平面度、直线度。花岗石平尺的材质为济南青/章丘黑/沂南灰，结构精密，质地均匀，稳定性好，强度大，硬度高，精度保持性好。花岗石平尺是用天然的石质材料制成的精密基准测量工具，对仪器仪表、精密工具、机械制件的检验，都是理想的基准面，特别是用于高精度的测量方面。花岗石平尺取材于地下优质的岩石层，经过亿万年自然时效，形态极为稳定，结晶细密，质地坚硬，在使用中岩石工具即使遭重物磕碰，至多掉几粒石碴而已，亦不会因常规温差而发生变形。由于花岗石系非金属材料，花岗石平尺无磁性反应，亦无塑性变形。因此花岗石平尺精度保持性好。 另外，花岗石平尺其优于优质铸铁和钢材制作的精密测量基准零件，可以获得高而稳定的精度。工厂实力6.大理石平行规产品介绍大理石平行规主要用于机械设备的平行度检验，也可作等高垫块使用，本平行规为成对供应，也可按用户要求定做加工。本产品为人工研磨而成。大理石平行规材料为大理石，主要矿物成份为逃石，斜长石，少量橄榄石，黑云母以及微量磁铁矿，黑色色泽，经过亿万年的老化，质地均匀，稳定性好、强度大，能在重负荷下保持。适用于工业生产和实验室的测量工作。大理石平行主要用于机械设备的平行度检验，也可作等高垫块使用，本平行规为成对供应，也可按用户要求定做加工。本产品为人工研磨而成。

花岗石主要矿物成分为辉石，斜长石，少量橄榄石，黑云母以及微量磁铁矿，黑色色泽，结构精密，经过亿万年的老化，质地均匀，稳定性好，强度大，硬度高，能在重负荷下保持高精度。适用于工业生产和实验室的测量工作。精度分别为000，00，0，1级。比重：2870-3170kg/m3抗压强度范围：245-254N/mm2线膨胀系数：4.59×10-6/℃吸水率：小于1.5‰肖氏硬度：＞Hs70以上

花岗石主要矿物成分为辉石，斜长石，少量橄榄石，黑云母以及微量磁铁矿，黑色色泽，结构精密，经过亿万年的老化，质地均匀，稳定性好，强度大，硬度高，能在重负荷下保持高精度。适用于工业生产和实验室的测量工作。精度分别为000，00，0，1级。比重：2870-3170kg/m3抗压强度范围：245-254N/mm2线膨胀系数：4.59×10-6/℃吸水率：小于1.5‰肖氏硬度：＞Hs70以上

| 产品概述适用于工业生产和实验室的测量工作。材质：花岗石花岗石主要矿物成分为辉石，斜长石，少量橄榄石，黑云母以及微量磁铁矿，黑色色泽， 结构精密。经过亿万年的老化，质地均匀、稳定性好、强度大、硬度高，能在重负荷下保持 高精度。适用于工业生产和实验室的测量工作。技术参数：●比重：2970-3070Kg/m³ ●抗压强度：245-254N/mm² ●弹性磨量：1.27-1.47N/mm² ●线膨胀系数：4.61×10-6/℃●吸水率：＜0.13%●肖氏硬度：Hs70以上

表征：电介质在恒定电场作用下，介质损耗的功率为　　W=U2/R=（Ed）2S/ρd=σE2Sd定义单位体积的介质损耗为介质损耗率为ω=σE2在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D，E，J之间的相位关系图D，E，J之间的相位关系图如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中，δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。

宏观结构不均勾性的介质损耗工程介质材料大多数是不均匀介质。例如陶瓷材料就是如此，它通常包含有晶相、玻璃相和气相，各相在介质中是统计分布口。由于各相的介电性不同，有可能在两相间积聚了较多的自由电荷使介质的电场分布不均匀，造成局部有较高的电场强度而引起了较高的损耗。但作为电介质整体来看，整个电介质的介质损耗必然介于损耗大的一相和损耗小的一相之间。表征：电介质在恒定电场作用下，介质损耗的功率为　　W=U2/R=（Ed）2S/ρd=σE2Sd定义单位体积的介质损耗为介质损耗率为ω=σE2在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D，E，J之间的相位关系图D，E，J之间的相位关系图如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中，δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等

形式各种不同形式的损耗是综合起作用的。由于介质损耗的原因是多方面的，所以介质损耗的形式也是多种多样的。介电损耗主要有以下形式：1）漏导损耗实际使用中的绝缘材料都不是完善的理想的电介质，在外电场的作用下，总有一些带电粒子会发生移动而引起微弱的电流，这种微小电流称为漏导电流，漏导电流流经介质时使介质发热而损耗了电能。这种因电导而引起的介质损耗称为“漏导损耗”。由于实阿的电介质总存在一些缺陷，或多或少存在一些带电粒子或空位，因此介质不论在直流电场或交变电场作用下都会发生漏导损耗。2）极化损耗在介质发生缓慢极化时（松弛极化、空间电荷极化等），带电粒子在电场力的影响下因克服热运动而引起的能量损耗。　　一些介质在电场极化时也会产生损耗，这种损耗一般称极化损耗。位移极化从建立极化到其稳定所需时间很短（约为10-16～10-12s），这在无线电频率（5×1012Hz 以下）范围均可认为是极短的，因此基本上不消耗能量。其他缓慢极化（例如松弛极化、空间电荷极化等）在外电场作用下，需经过较长时间（10-10s或更长）才达到稳定状态，因此会引起能量的损耗。若外加频率较低，介质中所有的极化都能完全跟上外电场变化，则不产生极化损耗。若外加频率较高时，介质中的极化跟不上外电场变化，于是产生极化损耗。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等

补充：电介质经常是绝缘体。其例子包括瓷器(陶器)，云母，玻璃，塑料，和各种金属氧化物。有些液体和气体可以作为好的电介质材料。干空气是良好的电介质，并被用在可变电容器以及某些类型的传输线。蒸馏水如果保持没有杂质的话是好的电介质，其相对介电常数约为80。对于时变电磁场，物质的介电常数和频率相关，通常称为介电系数。介电常数又叫介质常数，介电系数或电容率，它是表示绝缘能力特性的一个系数介电常数,用于衡量绝缘体储存电能的性能.它是两块金属板之间以绝缘材料为介质时的电容量与同样的两块板之间以空气为介质或真空时的电容量之比。介电常数代表了电介质的极化程度，也就是对电荷的束缚能力，介电常数越大，对电荷的束缚能力越强。电容器两极板之间填充的介质对电容的容量有影响，而同一种介质的影响是相同的，介质不同，介电常数不同介质损耗：绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失，简称介损。在交变电场作用下，电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角（功率因数角Φ）的余角δ称为介质损耗角。损耗因子也指耗损正切，是交流电被转化为热能的介电损耗（耗散的能量）的量度，一般情况下都期望耗损因子低些好。表征：电介质在恒定电场作用下，介质损耗的功率为　　W=U2/R=（Ed）2S/ρd=σE2Sd定义单位体积的介质损耗为介质损耗率为ω=σE2在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D，E，J之间的相位关系图D，E，J之间的相位关系图如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中，δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等

在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D，E，J之间的相位关系图D，E，J之间的相位关系图如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中，δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。

在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D，E，J之间的相位关系图D，E，J之间的相位关系图如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中，δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。

表征：电介质在恒定电场作用下，介质损耗的功率为　　W=U2/R=（Ed）2S/ρd=σE2Sd定义单位体积的介质损耗为介质损耗率为ω=σE2在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D，E，J之间的相位关系图D，E，J之间的相位关系图如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中，δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等形式各种不同形式的损耗是综合起作用的。由于介质损耗的原因是多方面的，所以介质损耗的形式也是多种多样的。介电损耗主要有以下形式：1）漏导损耗实际使用中的绝缘材料都不是完善的理想的电介质，在外电场的作用下，总有一些带电粒子会发生移动而引起微弱的电流，这种微小电流称为漏导电流，漏导电流流经介质时使介质发热而损耗了电能。这种因电导而引起的介质损耗称为“漏导损耗”。由于实阿的电介质总存在一些缺陷，或多或少存在一些带电粒子或空位，因此介质不论在直流电场或交变电场作用下都会发生漏导损耗。2）极化损耗在介质发生缓慢极化时（松弛极化、空间电荷极化等），带电粒子在电场力的影响下因克服热运动而引起的能量损耗。　　一些介质在电场极化时也会产生损耗，这种损耗一般称极化损耗。位移极化从建立极化到其稳定所需时间很短（约为10-16～10-12s），这在无线电频率（5×1012Hz 以下）范围均可认为是极短的，因此基本上不消耗能量。其他缓慢极化（例如松弛极化、空间电荷极化等）在外电场作用下，需经过较长时间（10-10s或更长）才达到稳定状态，因此会引起能量的损耗。若外加频率较低，介质中所有的极化都能完全跟上外电场变化，则不产生极化损耗。若外加频率较高时，介质中的极化跟不上外电场变化，于是产生极化损耗。

工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。陶瓷材料的损耗陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外，表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。在结构紧密的陶瓷中，介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能，往往在配方中引人此易熔物质（如黏土），形成玻璃相，这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大，介质损耗也增大。因面一般高频瓷，如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大，主要的原因是：主晶相结构松散，生成了缺固济体、多品型转变等。高分子材料的损耗高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地，偶极矩在0~0.5D（德拜）范围内的是非极性高聚物；偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗，其介电常数约为2，介质损耗小于10-4；极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗，并且极性愈大，这两个值愈高。

工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。陶瓷材料的损耗陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外，表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。在结构紧密的陶瓷中，介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能，往往在配方中引人此易熔物质（如黏土），形成玻璃相，这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大，介质损耗也增大。因面一般高频瓷，如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大，主要的原因是：主晶相结构松散，生成了缺固济体、多品型转变等。高分子材料的损耗高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地，偶极矩在0~0.5D（德拜）范围内的是非极性高聚物；偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗，其介电常数约为2，介质损耗小于10-4；极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗，并且极性愈大，这两个值愈高。

损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。陶瓷材料的损耗陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外，表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。在结构紧密的陶瓷中，介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能，往往在配方中引人此易熔物质（如黏土），形成玻璃相，这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大，介质损耗也增大。因面一般高频瓷，如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大，主要的原因是：主晶相结构松散，生成了缺固济体、多品型转变等。

宏观结构不均勾性的介质损耗工程介质材料大多数是不均匀介质。例如陶瓷材料就是如此，它通常包含有晶相、玻璃相和气相，各相在介质中是统计分布口。由于各相的介电性不同，有可能在两相间积聚了较多的自由电荷使介质的电场分布不均匀，造成局部有较高的电场强度而引起了较高的损耗。但作为电介质整体来看，整个电介质的介质损耗必然介于损耗大的一相和损耗小的一相之间。表征：电介质在恒定电场作用下，介质损耗的功率为　　W=U2/R=（Ed）2S/ρd=σE2Sd定义单位体积的介质损耗为介质损耗率为ω=σE2在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D，E，J之间的相位关系图D，E，J之间的相位关系图如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中，δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。

电离损耗（又称游离损耗）是由气体引起的，含有气孔的固体介质在外加电场强度超过气孔气体电离所需要的电场强度时，由于气体的电离吸收能量而造成指耗，这种损耗称为电离损耗。结构损耗在高频电场和低温下，有一类与介质内邻结构的紧密度密切相关的介质损耗称为结构损耗。这类损耗与温度关系不大，耗功随频率升高而增大。试验表明结构紧密的晶体成玻璃体的结构损耗都很小，但是当某此原因（如杂质的掺入、试样经淬火急冷的热处理等）使它的内部结构松散后。其结构耗就会大大升高。宏观结构不均勾性的介质损耗工程介质材料大多数是不均匀介质。例如陶瓷材料就是如此，它通常包含有晶相、玻璃相和气相，各相在介质中是统计分布口。由于各相的介电性不同，有可能在两相间积聚了较多的自由电荷使介质的电场分布不均匀，造成局部有较高的电场强度而引起了较高的损耗。但作为电介质整体来看，整个电介质的介质损耗必然介于损耗大的一相和损耗小的一相之间。表征：电介质在恒定电场作用下，介质损耗的功率为　　W=U2/R=（Ed）2S/ρd=σE2Sd定义单位体积的介质损耗为介质损耗率为ω=σE2在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D，E，J之间的相位关系图D，E，J之间的相位关系图如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中，δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等

电离损耗（又称游离损耗）是由气体引起的，含有气孔的固体介质在外加电场强度超过气孔气体电离所需要的电场强度时，由于气体的电离吸收能量而造成指耗，这种损耗称为电离损耗。结构损耗在高频电场和低温下，有一类与介质内邻结构的紧密度密切相关的介质损耗称为结构损耗。这类损耗与温度关系不大，耗功随频率升高而增大。试验表明结构紧密的晶体成玻璃体的结构损耗都很小，但是当某此原因（如杂质的掺入、试样经淬火急冷的热处理等）使它的内部结构松散后。其结构耗就会大大升高。宏观结构不均勾性的介质损耗工程介质材料大多数是不均匀介质。例如陶瓷材料就是如此，它通常包含有晶相、玻璃相和气相，各相在介质中是统计分布口。由于各相的介电性不同，有可能在两相间积聚了较多的自由电荷使介质的电场分布不均匀，造成局部有较高的电场强度而引起了较高的损耗。但作为电介质整体来看，整个电介质的介质损耗必然介于损耗大的一相和损耗小的一相之间。表征：电介质在恒定电场作用下，介质损耗的功率为　　W=U2/R=（Ed）2S/ρd=σE2Sd定义单位体积的介质损耗为介质损耗率为ω=σE2在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D，E，J之间的相位关系图D，E，J之间的相位关系图如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中，δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等

在高频电场和低温下，有一类与介质内邻结构的紧密度密切相关的介质损耗称为结构损耗。这类损耗与温度关系不大，耗功随频率升高而增大。试验表明结构紧密的晶体成玻璃体的结构损耗都很小，但是当某此原因（如杂质的掺入、试样经淬火急冷的热处理等）使它的内部结构松散后。其结构耗就会大大升高。宏观结构不均勾性的介质损耗工程介质材料大多数是不均匀介质。例如陶瓷材料就是如此，它通常包含有晶相、玻璃相和气相，各相在介质中是统计分布口。由于各相的介电性不同，有可能在两相间积聚了较多的自由电荷使介质的电场分布不均匀，造成局部有较高的电场强度而引起了较高的损耗。但作为电介质整体来看，整个电介质的介质损耗必然介于损耗大的一相和损耗小的一相之间。表征：电介质在恒定电场作用下，介质损耗的功率为　　W=U2/R=（Ed）2S/ρd=σE2Sd定义单位体积的介质损耗为介质损耗率为ω=σE2在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D，E，J之间的相位关系图D，E，J之间的相位关系图如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中，δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等

损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。

在高频电场和低温下，有一类与介质内邻结构的紧密度密切相关的介质损耗称为结构损耗。这类损耗与温度关系不大，耗功随频率升高而增大。试验表明结构紧密的晶体成玻璃体的结构损耗都很小，但是当某此原因（如杂质的掺入、试样经淬火急冷的热处理等）使它的内部结构松散后。其结构耗就会大大升高。宏观结构不均勾性的介质损耗工程介质材料大多数是不均匀介质。例如陶瓷材料就是如此，它通常包含有晶相、玻璃相和气相，各相在介质中是统计分布口。由于各相的介电性不同，有可能在两相间积聚了较多的自由电荷使介质的电场分布不均匀，造成局部有较高的电场强度而引起了较高的损耗。但作为电介质整体来看，整个电介质的介质损耗必然介于损耗大的一相和损耗小的一相之间。表征：电介质在恒定电场作用下，介质损耗的功率为　　W=U2/R=（Ed）2S/ρd=σE2Sd定义单位体积的介质损耗为介质损耗率为ω=σE2在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D，E，J之间的相位关系图D，E，J之间的相位关系图如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中，δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等

损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。

薄膜塑料介电常数测试仪Q合格指示预置功能: 预置范围：5～1000。测试仪正常工作条件a. 环境温度：0℃～+40℃；b．相对湿度：80％；c．电源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。薄膜塑料介电常数测试仪1．a．消耗功率：约25W；b．净重：约7kg；c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。1 测量范围及误差 本电桥的环境温度为20±5℃，相对湿度为30％－80％条件下，应满足下列表中的技术指示要求。 在Cn＝100pF R4＝3183.2（W）（即10K/π）时 测量项目 测量范围 测量误差 电容量Cx 40pF--20000pF ±0.5% Cx±2pF 介质损耗tgd 0～1 ±1.5％tgdx±0.0001 在Cn＝100pF R4＝318.3（W）（即1K/π）时 测量项目 测量范围 测量误差 电容量Cx 4pF--2000pF ±0.5% Cx±3pF 介质损耗tgd 0～0.1 ±1.5％tgdx±0.0001薄膜塑料介电常数测试仪　一些介质在电场极化时也会产生损耗，这种损耗一般称极化损耗。位移极化从建立极化到其稳定所需时间很短（约为10-16～10-12s），这在无线电频率（5×1012Hz 以下）范围均可认为是极短的，因此基本上不消耗能量。其他缓慢极化（例如松弛极化、空间电荷极化等）在外电场作用下，需经过较长时间（10-10s或更长）才达到稳定状态，因此会引起能量的损耗。若外加频率较低，介质中所有的极化都能完全跟上外电场变化，则不产生极化损耗。若外加频率较高时，介质中的极化跟不上外电场变化，于是产生极化损耗。 [2]3）电离损耗　　电离损耗（又称游离损耗）是由气体引起的，含有气孔的固体介质在外加电场强度超过气孔气体电离所需要的电场强度时，由于气体的电离吸收能量而造成指耗，这种损耗称为电离损耗。4）结构损耗在高频电场和低温下，有一类与介质内邻结构的紧密度密切相关的介质损耗称为结构损耗。这类损耗与温度关系不大，耗功随频率升高而增大。试验表明结构紧密的晶体成玻璃体的结构损耗都很小，但是当某此原因（如杂质的掺入、试样经淬火急冷的热处理等）使它的内部结构松散后。其结构耗就会大大升高。薄膜塑料介电常数测试仪在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D，E，J之间的相位关系图D，E，J之间的相位关系图如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中，δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。 薄膜塑料介电常数测试仪紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。整个显示屏共分为四行第一行：左边 信号源频率指示，共6位；右边 信号源虚拟频段指示（1-4）。第二行：左边 调谐电容指示值，4位；右边 电感指示值，4位。第三行：左边 Q值指示值；右边 Q值合格比较状态 。第四行：左边 Q值量程，手动/自动切换指示/调谐点自动搜索指示； 右边上部 Q值量程范围指示；右边下部 Q值调谐光带指示。

Janis提供无液氦闭循环制冷的低温冷阱，这些冷阱主要用于吸附稀有气体，包括氦气、氖气、氩气、氪气和氙气。低温冷阱有助于从火山温泉收集的地质材料中提取此类气体，以深入了解地球的行星演化。低温冷阱也可用来吸附陨石、极地冰盖和海岛橄榄石中的各种氧同位素。用户可以根据应用情况来定制冷阱，比如包括具有独立温度控制、配一个或两个冷头的双冷阱、流通设计和脱水器等。也可以定制特殊的冰芯收集器来冷却样品管。这些冷阱主要设计用于捕获和分离稀有气体，但也可能适用于其他气体，联系我们了解更多信息。主要特征： ♢ 无液氦制冷♢ 温度范围8 K ~ 325 K或9 K ~ 500 K♢ 样品处于真空中♢ 吸附惰性气体、氧同位素等主要参数：CCS-TRAPCCS-TRAP-H制冷类型闭循环制冷温度范围8 K ~ 325 K9 K ~ 500 K典型温度稳定性±50 mK样品环境真空降温时间1 h ~ 1.5 h冷头位置底部高度(近似值)91.4 cm96.5 cm重量 (近似值)19.1 kg制冷机建议维护时间13,000 h