月桂酰阿立派唑

月桂基硫酸盐胰蛋白胨肉汤(LST) 250g 月桂基硫酸盐胰蛋白胨肉汤(LST) 250g

高效液相色谱法测阿普唑仑有关物质 Cosmosil 5PE-MS 关键词：阿普唑仑，有关物质，苯基柱，含量测定，三唑仑 2010年中国药典：检测阿普唑仑的有关物质，照高效液相色谱法试验，用苯基硅烷键合硅胶为填充剂，以醋酸铵缓冲液为流动相A，醋酸铵缓冲液-甲醇为流动相B，进行梯度洗脱。三唑仑和阿普唑仑峰的分离度应符合要求，理论板数按阿普唑仑计算不低于2000. 阿普唑仑片含量测定，用十八烷基硅烷键合硅胶为填充剂，以磷酸盐缓冲液为流动相。（中国药典2010版二部P408） 需要详细的药典标准请联系北京绿百草：010-51659766. 登录网站获得更多产品信息: www.greenherbs.com.cn

产品特点：N-Trimethylsilylimidazole (TMSI) UN1993, 25 grams三甲基硅咪唑， 三甲基碘硅烷SKU: 140-25 Categories: 硅烷化试剂 ，Tag: TMSI三甲基硅咪唑 用途硅烷化试剂三甲基硅咪唑是硅烷化羟基的最强的硅烷化试剂；能够快速、平顺地与羟基和羧基发生反应。不与胺或酰胺发生反应，所以可以用于制备既含有羟基又含有氨基的化合物的多重衍生物。在存在少量水的情况下可用于硅烷化糖；当需要将糖作为糖浆剂来分析的时候是硅烷化糖的理想选择。能够衍生不被阻碍和被严重阻碍的大多数的甾类羟基。用途 用作抗菌素中间体、特强的硅烷化剂用途 高效硅烷化试剂，特别适合用于醇、酰基咪唑类的合成，在氨基存在的条件下保护羟基基团。抗菌素中间体。用途 用于合成各种酰基咪唑的重要中间体，也是合成吡藜酰胺的重要中间体；在胺功能化条件下，保护羟基的硅烷化试剂；强有力的硅烷化试剂、特别针对醇类；酰基咪唑啉的合成用途 甲硅烷基化试剂，在氨基存在的条件下保护羟基基团。抗菌素中间体。特点● UN Number： 1993

产品特点：Trimethylsilylimidazole (TMSI) UN1993, 100 grams三甲基硅咪唑 | 三甲基碘硅烷SKU: 140-100Categories: TMSI 硅烷化试剂三甲基硅咪唑 性质熔点 -42 °C沸点 93-94 °C14 mm Hg(lit.)密度 0.957 g/mL at 20 °C折射率 n20/D 1.475(lit.)闪点 42 °F储存条件 2-8°C形态Liquid颜色Clear colorless to yellow水溶解性 decomposes敏感性 Moisture SensitiveBRN 606148CAS 数据库18156-74-6(CAS DataBase Reference)NIST化学物质信息1h-Imidazole, 1-(trimethylsilyl)-(18156-74-6)EPA化学物质信息1H-Imidazole, 1-(trimethylsilyl)-(18156-74-6)三甲基硅咪唑 用途硅烷化试剂三甲基硅咪唑是硅烷化羟基的最强的硅烷化试剂；能够快速、平顺地与羟基和羧基发生反应。不与胺或酰胺发生反应，所以可以用于制备既含有羟基又含有氨基的化合物的多重衍生物。在存在少量水的情况下可用于硅烷化糖；当需要将糖作为糖浆剂来分析的时候是硅烷化糖的理想选择。能够衍生不被阻碍和被严重阻碍的大多数的甾类羟基。用途 用作抗菌素中间体、特强的硅烷化剂用途 高效硅烷化试剂，特别适合用于醇、酰基咪唑类的合成，在氨基存在的条件下保护羟基基团。抗菌素中间体。用途 用于合成各种酰基咪唑的重要中间体，也是合成吡藜酰胺的重要中间体；在胺功能化条件下，保护羟基的硅烷化试剂；强有力的硅烷化试剂、特别针对醇类；酰基咪唑啉的合成用途 甲硅烷基化试剂，在氨基存在的条件下保护羟基基团。抗菌素中间体。特点● UN Number： 1993

盐酸哌唑嗪片的测定，推荐色谱柱 Cosmosil SL-II 关键词：盐酸哌唑嗪片，哌唑嗪，中国药典，北京绿百草 2010年中国药典标准：盐酸哌唑嗪色谱条件：照高效液相色谱法（附录Ⅴ D）测定，用硅胶为填充剂，以二乙胺甲醇溶液-水-冰醋酸为流动相，检测波长为254nm。理论板数按哌唑嗪峰计算不低于2000. （中国药典二部P743） 需要详细的药典标准请联系北京绿百草：010-51659766. 登录网站获得更多产品信息: www.greenherbs.com.cn

产品信息：全氟酰基咪唑（HFBI 和 TFAI）可对羟基、伯胺和仲胺进行有效的酰化* 定量反应，过程平稳，不产生酸性副产物*咪唑是主要的副产物，其惰性较高*极其适用于 FID 和 ECD 技术* 衍生物的基团虽然很大，但具有挥发性*衍生物与氟结合紧密，从而提高了稳定性 订货信息：全氟酰基咪唑（HFBI 和 TFAI）描述规格部件号数量HFBI5g dTS-442111 /包TFAI10 x 1mL 安瓿TS-488821 /包此订购表中的d代表购买此产品需交纳有害物质运输费用。

无

产品特点：Trimethylsilylimidazole (TMSI) UN1993, 50 grams三甲基硅咪唑 | 三甲基碘硅烷SKU: 140-50 Categories: TMSI 硅烷化试剂三甲基硅咪唑 性质熔点 -42 °C沸点 93-94 °C14 mm Hg(lit.)密度 0.957 g/mL at 20 °C折射率 n20/D 1.475(lit.)闪点 42 °F储存条件 2-8°C形态Liquid颜色Clear colorless to yellow水溶解性 decomposes敏感性 Moisture SensitiveBRN 606148CAS 数据库18156-74-6(CAS DataBase Reference)NIST化学物质信息1h-Imidazole, 1-(trimethylsilyl)-(18156-74-6)EPA化学物质信息1H-Imidazole, 1-(trimethylsilyl)-(18156-74-6)三甲基硅咪唑 用途硅烷化试剂三甲基硅咪唑是硅烷化羟基的最强的硅烷化试剂；能够快速、平顺地与羟基和羧基发生反应。不与胺或酰胺发生反应，所以可以用于制备既含有羟基又含有氨基的化合物的多重衍生物。在存在少量水的情况下可用于硅烷化糖；当需要将糖作为糖浆剂来分析的时候是硅烷化糖的理想选择。能够衍生不被阻碍和被严重阻碍的大多数的甾类羟基。用途 用作抗菌素中间体、特强的硅烷化剂用途 高效硅烷化试剂，特别适合用于醇、酰基咪唑类的合成，在氨基存在的条件下保护羟基基团。抗菌素中间体。用途 用于合成各种酰基咪唑的重要中间体，也是合成吡藜酰胺的重要中间体；在胺功能化条件下，保护羟基的硅烷化试剂；强有力的硅烷化试剂、特别针对醇类；酰基咪唑啉的合成用途 甲硅烷基化试剂，在氨基存在的条件下保护羟基基团。抗菌素中间体。特点● UN Number： 1993

无

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为10％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为11％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为10％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为12％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为12％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为13％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为13％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为11％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为3％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为2％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为7％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为6％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为8％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为4％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为2％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为3％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为7％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为5％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为9％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为8％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为4％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。