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VarioBasic 模块化手动负载调节隔振元件和控制器产品概述欧库睿因主动式隔振技术，高精度设备的*美展现！自从高分辨率测量和制造技术达到纳米尺度以来，振动就一直是一个重要问题。有效消除振动干扰是获得精确和可重复测量结果的关键。解决方法是将仪器与振动源隔离开来。典型的振动来源可能是： 建筑物和地面的振动(垂直：5-30 Hz, 水平：0.5-10 Hz) 声学振动(20 Hz) 机动设备和机器(10-500 Hz)主动隔振的基本原理是通过产生反作用力对干扰振动进行主动补偿。精选范例欧库睿因主动隔振系统的工作原理应用设备和承载台面由弹簧支撑。其目的是实现主动隔振所需的浮动状态。承载台面可以向各个方向移动。在工作状态中，桌面上的应用设备与环境振动隔离。振动由极其灵敏的压电式加速度计检测。传感器输出信号由控制电路进行分析和处理，控制电路驱动电动执行器，电动执行器实时产生对抗振动的反作用力。主动隔振在6个自由度内有效。主要特征■ 相比于气浮式隔振台，主动隔振台没有低频共振，即使在低频范围内也有出色的隔振性能。■ 超快的稳定时间：低至0.3秒(普通被动隔振台的 稳定时间为30秒至60秒)。■ 主动隔振台带宽0.6/1Hz 至200Hz (远超被动隔振台)。■ 6个自由度主动隔振。 ■ 真正的主动隔振：及时产生反作用力来抵消振动。■ 操作简单-按钮式解决方案。■ 设计紧凑，安装简便。■ 高度的位置稳定性-1Hz时固有刚度通常是被动隔振台的20到30倍。■ 接电即可，无需压缩空气。■ 适用于将高分辨率测量设备与建筑振动隔离。■ 广泛的适用范围：拥有标准化产品和用户定制产品。VarioBasic 40搭配成像椭偏仪i4 Large搭配3D轮廓仪 欧库睿因VarioBasic 系列两个或四个模块化手动负载调节隔振元件和控制器，适用于大负载场景安装在台面下方或设备下方，用于消除低频震动。Vario Basic 40Vario Basic 60Vario Basic 90模组尺寸396x120x111mm636x130x111mm932x130x111mm载 重0-300kg,0-600kg0-300kg,0-600kg0-300kg,0-600kg

[ 产品简介 ]崭新的Axio Imager 2 光学显微镜呈现给用户最高的品质，无论是在科学研究领域，还是日常的常规检测中，都能提供更加锐利的图像、更加优化的光学系统、更加舒适的操作体验。得益于它本身尖端的设计理念以及适用于外部通讯和网络连接的灵活接口方式， Axio Imager 2 脱颖而出。蔡司面向未来的模块化设计理念，使这一产品可以充分满足日益增长的不同需求。Axio Imager具有出色的复消色差光学系统和明亮的荧光。观察方式和光路管理器能够随时确保预设的条件和可重复的结果。配合电动部件和图像分析软件，还可以实现样品的一键式多通道荧光成像，三维层扫，大图拼接，图像自动分析等高级应用需求。此外，Axio Imager 也能配置Vario 主机实现大尺寸样品的分析和测量。[ 产品特点 ]&bull 电动组件保证试验的可重复性和自动化的流程&bull 顶级的光学设计，保证了均匀的透射光照明和完美的荧光应用&bull 高性能的对焦系统提供了极高的精准度，即使在拍摄较重的样品或使用较重的载物台时也是如此&bull 符合人体工程学的智能操作概念，适合多人操作&bull 模块化设计保证了您的机器永不过时&bull 和高端显微成像系统（如LSM, ApoTome) 搭配使用提高 Axio Imager 2 的性能 [ 应用领域 ]&bull 发育生物学&bull 细胞生物学&bull 神经生物学&bull 组织学 &bull 病理学 &bull 人类遗传学&bull 植物学 &bull 法医学&bull 金相分析和质量控制&bull 清洁度分析&bull 金属原材料&bull 油气地质&bull 高分子行业人类细胞学涂片，50X物镜，明场小鼠胚胎切片的口腔位置，63X物镜，明场神经元爬片，40X物镜蜂蜜晶体，20X物镜，透射偏光纯铁，50X物镜，反射明场单晶硅电池，50X物镜，反射DIC

优云谱甲醇检测流加控制器FC2002型甲醇检测流加控制器是我校研制成功的单片微型计算机控制的智能化仪表。主要用于甲醇营养型毕赤酵母基因工程菌发酵过程中甲醇浓度的在线检测和流加控制。工作原理：压缩空气(载气)经由膜透器流过时，发酵液中的甲醇透过不锈钢丝网增强的高分子透醇膜，汇入到载气流中，并被载气带至检测传感器转换为电信号，检测电信号经电子线路放大，由机内微型计算机计算测量结果，并进行PID运算，测量值和控制值送至两个显示窗显示，并在两个模拟信号输出口输出4-20毫安模拟信号，用于外接记录仪记录过程甲醇变化曲线和对甲醇流加蠕动泵转速进行控制，达到发酵过程甲醇浓度在线检测和控制目的。功能特点：在线测量发酵液中甲醇浓度，膜透器选用了不锈钢丝网增强的高分子甲醇透过膜，可直接蒸汽灭菌。检测传感器工作在恒温器中，克服了传感器响应的环境温度影响。膜透器有φ25，φ16和φ12插入直径可选，φ16的膜透器有多种插入长度可选。仪器具有非线性校正，程控标定，高低位报警，两级密码保护重要数据和菜单组态等功能。优云谱甲醇检测流加控制器详情

优云谱乙醇检测流加控制器FC2021型乙醇检测流加控制器是由单片微型计算机控制的智能化仪表。主要用于发酵过程中乙醇浓度的在线检测和流加控制。工作原理：压缩空气(载气)经由膜透器流过时，发酵液中的乙醇透过不锈钢丝网增强的高分子膜，汇入到载气流中，并被载气带至检测传感器转换为电信号，检测电信号经电子线路放大，由机内微型计算机计算测量结果，并进行PID运算，测量值和控制值送至显示窗显示，并在两个模拟信号输出口输出4-20mA模拟信号，用于外接记录仪记录过程乙醇变化曲线和对料液流加蠕动泵转速进行控制，达到发酵过程乙醇浓度在线检测和控制目的。功能特点：在线测量发酵液中乙醇浓度，膜透器选用了不锈钢丝网增强的高分子乙醇透过膜，可直接蒸汽灭菌。检测传感器工作在恒温器中，克服了传感器响应的环境温度影响。膜透器有φ25和φ12mm插入直径可选，各种插入直径的膜透器有多种插入长度可选。仪器具有非线性校正，程控标定，高低位报警，两级密码保护重要数据和菜单组态等功能。主要性能指标：测量范围0-10000ppm（可按用户要求扩大量程范围），最小分辨率为0.01%(V/V)的乙醇浓度（可按用户要求改变最小分辨率），90%响应时间小于3分钟，每周漂移小于满量程的2.5%，控制误差小于满量程的2.5%。仪器为测量值(乙醇浓度)和控制值(流加泵速)显示和双输出；测量值(乙醇浓度)和控制值(流加泵速)。优云谱乙醇检测流加控制器详情

电动化是汽车工业未来发展的大趋势，在国家的“碳达峰”和“碳中和”的节能减排、排放法规等硬性要求大背景下，新能源汽车乘势而起，新能源汽车将成为交通运输领域节能减排降碳的有利举措。其中纯电动商用车的累计销量占新能源商用车总量的96.3%，电动卡车的占比，其主要的使用场景为矿区倒短运输、厂内倒短运输、港口牵引运输和城市渣土运输四大类。 电动汽车用电动空压机组（又称气泵、打气泵）作为电动大巴、纯电动客车，纯电动重卡、新能源物流车等车以气制动、气囊升降、气压开关车门的气源，是纯电动汽车的核心部件之一。目前大多数的新能源车，如纯电动重卡、纯电动客车、纯电动物流车、纯电动洗扫车等新能源车以气制动的车，都没有发动机，采用气压制动系统及气动门控系统，都需要电动空气压缩机提供气源， 电动车空气压缩机为整车气压制动系统及其它辅助用气系统提供气源，其主要用途为车辆提供空气动力，主要用于行车制动、车门启闭、空气悬挂及安全气囊充气等，是新能源汽车必不可少的关键零部件之一，所以需要高品质的电动空气压缩机。 新能源纯电动重卡、客车、轻卡需要怎样的压缩空气系统？ 空气压缩机（air compressor）是气源装置的核心，其将电机的机械能转换成气体压力能，是压缩空气的气压发生装置。车载空压机吸进去的是自然空气，出来的是一定密度的压缩空气，再送到储气罐内，形成高于10公斤以上压力的高压空气，供车上执行机构做功。基于以上系统的特殊需求，对空压机有以下要求：安全可靠、节能高效、空气品质高、重量轻、噪音低、维护便捷、成本低。 喷油螺杆机、喷油滑片机、无油涡旋空压机、喷油活塞机在新能源汽车刹车系统中使用，潜在的安全风险有哪些？ 一、有油空压机润滑油低温容易乳化。 二、维护保养时操作不当，容易导致蹿油，大量油分子容易进入压缩空气中，导致刹车系统存在安全隐患；易耗品多，故障率高，保养繁琐，需要专业维修人员。 三、车辆停止运行1个月以上，空压机主机轴承及转子容易生锈，有卡死的风险，导致刹车系统存在安全隐患。 四、压缩空气含油量大，对输气管网的密封件具有腐蚀性，导致管网密封性下降，刹车系统管网气体压力低且不稳定，导致刹车系统存在安全隐患； 五、压缩空气含油量大，汽车的气动阀体、开关门泵等容易被腐蚀损坏，大大降低了气动类泵阀的使用寿命，零配件检修及跟换次数增多，增加了经济及人工成本。 六、在北方冬季，压缩空气中含水量大，导致输气管网中存有大量的水，易结冰，堵塞气管，刹车系统管网气体压力低且不稳定，存在刹车安全隐患；UOP干燥过滤器工作负荷大，空气后处理设备易损坏。 七、在冬季，每天早晨启动车辆前，为了防止空压机润滑油乳化，车辆需要预热15—20分钟，才能正常发车；春秋季节每天早上预热10-12分钟，才能发车。驾驶员要提前上班需增加人工成本。为了防止运营过程中油温过低发生乳化现象，本来40秒能打满气就停止，通过所谓优化强制运行3-5min才能停止。浪费运营及电费成本；每天至少多浪费2度电，两度电换成电池成本就是3600元（按目前1800元/度计）换成行驶里程就是可以多跑5-8公里. 新能源客车制动系统中用到的有油滑片空压机和有油活塞空压机基本上都存在润滑油渗透现象，漏油一方面产生了着火点，很可能导致汽车燃烧，另一方面，一旦润滑油漏光，空气压缩机就会出现停止工作的现象，一旦停止供气，就会导致车辆刹车故障，威胁生命安全。 ??传统润滑油空压机由于防护等级只有IP56（不能有效防水、防尘），多雨湿热的环境下（或者低温环境中），压缩空气时，空气中的水分与内部润滑油产生乳化现象，也会导致空压机故障。北方寒冷天气，汽车启动预热动辄超过20分钟，导致能耗增加 八、纯电动客车着火自燃原因： 1、螺杆/滑片空压机长时间漏油，导致电机连接线束、电气接头表面存在大量油污，启动瞬间通电电流过大，容易造成短路高温，着火自燃。 2、螺杆/滑片空压机如果漏油/跑油，以至于机头严重缺油，运转时干磨、高温，会产生静电 容易导致着火自燃。 传统车载空压机还存在乳化、漏油、缺油起火爆炸、能耗高50%，保养成本高，每年约1200元以上...... 鉴于安全问题、运营效率和维修成本考虑，目前各地公交运营公司机务部门正在积极推动用更加安全、稳定、节能的新设备替换。 西安凯拓嘉业公司车载事业部提供的新能源汽车专用美国进口品牌无油活塞式空气压缩机组具有结构简单，体积小巧，性能可靠，自动补偿气压控制，使用寿命长等诸多优点。其产品有以下特点： ①无油、无水最洁净的压缩空气系统； ②噪音低、振动小的压缩空气系统； ③环境（-40℃—75℃）适应能力最广的压缩空气系统； ④运行最稳定、最安全，5年或8年免维护保养的压缩空气系统； ⑤8年运行生命周期内综合性价比、让客户最省心的压缩空气系统； 以上只有凯拓嘉业公司提供的纯电动汽车无油活塞式空压机能同时做到!! 1电动空压机的匹配计算空压机的工作压力应大于储气筒的气压上限，选型原则是用气端所需要的工作压力，加上1-2bar的余量，再选择空压机的压力(该余量是考虑从空压机安装地点到实际用气端管路距离的压力损失，压力损失主要受到管路通径大小、转弯点多少及长度影响，管路通径越大日转弯点越少，则压力损失越小，反之，则压力损失就越大。因此，当空压机与各用气端管路之间距离太远时，应适当放大主管路的通径。如果环境条件符合空压机的安装要求目工况允许的话，可在用气端就近安装)。我司底盘上所用的储气罐压力为10bar，因此我司8m纯电动城市客车需要空压机的供气压力为11~12 bar.1.2容积流量的选型容积流量与供气容积、供气压力相关，供气压力上面已经确认过，供气容积为罐体容积与管路容积之和，即V总= V罐+V管路，根据参数得出，V罐=120L，V管路=0.9L，V总=120.9Lo 2)当要求6min充满气罐时:Q流量=(PxV/T)x120%=10(bar)x0.1209(m3)x1.2/6(min)=由以上计算可得，我司8m纯电动城市客车需求空压机排气量约为0.314m/min。 在车载空气压缩机领域，基本采用活塞式空压机路线，国产品牌活塞空压机主要是耐久性和油润滑问题，西安凯拓嘉业公司车载事业部提供的美国进口品牌无油活塞式空气压缩机凭借其超长的寿命、良好的可靠性、优异的排气质量、更高的效率和更少的维护量占有着全方位的优势。凯拓嘉业一直被模仿，从未被超越！ 英格索兰车载空压机是2004年首个开创无油活塞机运用车载行业，噪音指数低于同行业5-10分贝，整机重量小于同行业5-8KG，体积较原有车载空压机缩小30%。凯拓嘉业车载直联无油活塞空压机机的优势 — 运行成本低 • 轻量化设计 --- 铝制主机 --- 铝制电机 （ 1.5kW 带电机仅 28 公斤 2.2- - 3kw 带电机仅 48 公斤） • 低耗 能 --- 使用轴功率为 1.5/2.2/3.0kW ，能耗低，更节能 --- 无延时停机耗能( ( 螺杆及滑片需延时加热) ) • 传动效率高 --- 采用直连传动无传动 损失 • 日常维护费用低 --- 无润滑油，可省去润滑油、油滤、油分等易损件 ---• 噪音低（ 68/72/72dBA ） --- 进气消噪 设计 --- 气缸及活塞加工工艺精良 --- 超静音罩壳版选项可提供 • 排气温度低 --- 延长干燥器使用时间、不结冰 • 震动小 --- 气缸合理排列，降低振动 • 清洁 --- 无油设计,无放油孔 西安凯拓嘉业公司车载事业部提供的新能源汽车专用美国进口品牌无油活塞式空气压缩机产品广泛应用于纯电动、氢燃料、混动等各类驱动类型的重卡、客车、轻卡等新能源汽车。如：纯电动客车、纯电动工程车、纯电动物流车、纯电动无人驾驶搅拌车、智能轨道快运系统、纯电动换电重卡、换电式纯电动重卡、纯电动自卸车、纯电动混凝土搅拌运输车、新能源特种车、纯电动公交车、纯电动城间客车、电动卡车，换电式纯电动自卸汽车、换电式纯电动自卸式垃圾车、纯电动标准方量搅拌车、 纯电动标载渣土车、充换电一体自卸车、纯电动牵引车、纯电动混凝土搅拌运输车、纯电动半挂牵引车、纯电动翼开启厢式车、纯电动厢式运输车、平头纯电动牵引车、电动矿用卡车、电动矿用自卸车、纯电动非公路矿用自卸车、纯电动机场摆渡车、纯电动厢式运输车...... 西安凯拓嘉业智能科技有限公司车载事业部专注于为新能源纯电动汽车整车气压制动系统及其它辅助用气系统提供稳定、可靠、免维护、无油无水的车载压缩空气系统解决方案，以高品质引领新能源汽车车载压缩机的发展未来。 目前公司产品广泛配套如下客户，并有更多的客户在洽谈合作：纯电动重卡：东风商用车、东风柳汽、华菱等重卡、重汽、陕汽、大运和比亚迪； 纯电动客车：苏州金龙、厦门金龙、厦门金旅、中通客车、福田客车、银隆新能源、申龙、安凯、亚星、依维柯主流新能源纯电动客车，陕汽，宏远，中通，宇通，吉利，金龙，大小金龙，东风、北汽福田、宇通、中通、苏州金龙、青年、黄海、恒通、一汽、广汽、申沃及美国Blue bird bus 校车 轨道交通： 中车南京厂刹车制动系统和升电弓系统供气用无油空压机终端客户：西安公交集团，北京市公交公司，天津市公交公司，郑州市公交公司。。。 西安凯拓嘉业智能科技有限公司 车载事业部 西安凯拓嘉业公司创始于2013年，前身为Huba气源事业部，2018年重新注册为西安凯拓嘉业智能科技有限公司（Kaituo Jiaye Intelligent Technology Ltd.），注册资本500万人民币，公司是国内领先的智能传感技术与压缩空气系统解决方案和服务提供商。公司自成立以来，凯拓嘉业始终致力于为广大客户提供专业的国内外高端优质的产品和服务,其业务活动已经遍及全国各个地区，如今的凯拓嘉业已经成为众多重点项目建设的合作伙伴。 西安凯拓嘉业公司车载事业部由原压缩机系统、智能传感事业部发展而来，整合旗下两大事业部现有新能源汽车行业客户配套的优质资源，成立的一个全新事业部。我们提供的车载应用相关的产品和系统解决方案主要应用于纯电动、氢燃料、混动等各类驱动类型的新能源汽车。 在氢燃料车市场，我们借助与瑞士厂家领先推出的氢气压力传感器解决方案，收获了国内众多氢能源行业客户好评和推荐；在重卡、客车、轻卡等氢燃料电池新能源商用车上得到批量应用，如车载供氢系统压力测量，储氢瓶压力测量、电堆侧氢气及冷却循环水压力测量、燃料电池测试系统及氢气压力测量、加氢站压力测量及冷却循环水压力测量等众多氢气用途。 2019年起跟随恒润集团涉足各大车厂的技术研发测试服务，已为通用、福特、捷豹路虎、一汽、上汽、北汽、吉利、蔚来、江铃等国内外知名汽车厂商提供产品服务；2020年跟随新松机器人打造的自动涂胶系统入驻华晨宝马工厂。 在电动商用车市场，西安凯拓嘉业公司提供的美国进口品牌电动无油活塞式空气压缩机凭借其超长的寿命、100%纯无油、良好的可靠性、优异的排气质量、更高的效率和更少的维护量占有着全方位的优势，该品牌也是首个开创无油活塞机运用车载行业， 通过厦门金龙、宇通、中车、吉利、金旅、苏龙、南龙、申龙、申沃等众多知名车企的2-3年产品试验验证，运行测评和实际认证，并成为正式供应商，产品的稳定性、匹配兼容性有保证。在宇通、金龙、中车、吉利等车企有近15000台的配套记录，是该系汽车厂的标配供应商。特别是2017年厦门金砖会议公交和十九大北京特1路18米公交使用也得到客户的认可。 凯拓嘉业公司车载事业部提供的电动空压机、压力传感器等新能源车载产品从2018年陆续投放新能源汽车市场以来，市场保有量年年剧增，领航行业。凯拓嘉业一直被模仿，从未被超越！凯拓嘉业公司车载事业部将紧跟主机厂步伐，迎来更大发展机遇，助力实现“碳达峰碳中和”目标，助力国家新能源汽车领域产业发展。 西安凯拓嘉业公司车载事业部提供的新能源汽车专用美国进口品牌无油活塞式空气压缩机产品广泛应用于纯电动汽车、氢燃料电池车、混动汽车等各类驱动类型的重卡空压机、客车空压机、轻卡空压机等新能源汽车空压机。如：纯电动客车空压机、纯电动工程车空压机、纯电动物流车空压机、纯电动无人驾驶搅拌车空压机、智能轨道快运系统空压机、纯电动换电重卡空压机、换电式纯电动重卡空压机、纯电动自卸车空压机、纯电动混凝土搅拌运输车空压机、新能源特种车空压机、纯电动公交车空压机、纯电动城间客车空压机、电动卡车空压机，换电式纯电动自卸汽车空压机、换电式纯电动自卸式垃圾车空压机、纯电动标准方量搅拌车空压机、新能源汽车空压机、新能源车载空压机、新能源汽车无油空压机，新能源纯电动汽车无油空压机、新能源车辆用空气压缩机、气压制动系统空压机/气泵、新能源车载无油空压机

HPGe高纯锗晶体High Purity Germanium Single Crystal – P Type9N,10N,11N,12N,13N 1、晶体习性与几何描述： 该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为： D ----外形尺寸当量直径 W----锗晶体重量 L-----晶体长度 测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务。 2、纯度：残留载荷 最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。 同轴探测器：同轴探测器适用于下列公式： Nmax = 每立方厘米最大杂质含量 VD = 耗尽层电压 = 5000 V εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm εr = 相对介电常数(Ge) = 16 q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge) r1 = 探测器内孔半径 r2 = 探测器外孔半径 3、纯度 ： 假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径， 适用公式变为： D = 晶体外表面 平面探测器：平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式： d=探测器外观尺寸厚度 径向分散载荷子（绝对值） 迁移：霍尔迁移 性能： P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s 能级： P 型晶体 通过深能瞬态测量，Cutot ≤ 4.5*109 cm-3 N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 5*108 cm-3 晶体主要指标： P 型晶体 N 型晶体 错位密度 ≤ 10000 ≤ 5000 星型结构 ≤ 3 ≤ 3 镶嵌结构 ≤ 5 ≤ 5 4、高纯度高纯锗HPGe晶体说明： 高纯锗晶体产地法国物理性质颜色银灰色属性半导体材料密度5.32g/cm3熔点937.2℃沸点2830℃ 技术指标材料均匀度特级光洁度特优纯度99.99999%-99.99999999999%（7N-13N)制备方式锗单晶是以区熔锗锭为原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。产品规格P、N型按客户要求定制产品用途超高纯度，红外器件、γ辐射探测器P型N型高纯锗在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等，得到p型锗；在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。交货期90天

高纯锗晶体（12N,13N） 1、晶体习性与几何描述： 该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为： D ----外形尺寸当量直径 W----锗晶体重量 L-----晶体长度 测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务。 2、纯度：残留载荷 最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。 同轴探测器：同轴探测器适用于下列公式： Nmax = 每立方厘米最大杂质含量 VD = 耗尽层电压 = 5000 V εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm εr = 相对介电常数(Ge) = 16 q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge) r1 = 探测器内孔半径 r2 = 探测器外孔半径 3、纯度 ： 假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径， 适用公式变为： D = 晶体外表面 平面探测器：平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式： d=探测器外观尺寸厚度 径向分散载荷子（绝对值） 迁移：霍尔迁移 性能： P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s 能级： P 型晶体 通过深能瞬态测量，Cutot ≤ 4.5*109 cm-3 N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 5*108 cm-3 晶体主要指标： P 型晶体 N 型晶体 错位密度 ≤ 10000 ≤ 5000 星型结构 ≤ 3 ≤ 3 镶嵌结构 ≤ 5 ≤ 5 4、高纯度高纯锗HPGe晶体说明： 高纯锗晶体产地法国物理性质颜色银灰色属性半导体材料密度5.32g/cm3熔点937.2℃沸点2830℃ 技术指标材料均匀度特级光洁度特优纯度99.99999%-99.99999999999%（7N-13N)制备方式锗单晶是以区熔锗锭为原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。产品规格P、N型按客户要求定制产品用途超高纯度，红外器件、γ辐射探测器P型N型高纯锗在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等，得到p型锗；在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。交货期90天

高纯锗晶体（12N,13N） 1、晶体习性与几何描述： 该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为： D ----外形尺寸当量直径 W----锗晶体重量 L-----晶体长度 测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务。 2、纯度：残留载荷 最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。 同轴探测器：同轴探测器适用于下列公式： Nmax = 每立方厘米最大杂质含量 VD = 耗尽层电压 = 5000 V εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm εr = 相对介电常数(Ge) = 16 q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge) r1 = 探测器内孔半径 r2 = 探测器外孔半径 3、纯度 ： 假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径， 适用公式变为： D = 晶体外表面 平面探测器：平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式： d=探测器外观尺寸厚度 径向分散载荷子（绝对值） 迁移：霍尔迁移 性能： P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s 能级： P 型晶体 通过深能瞬态测量，Cutot ≤ 4.5*109 cm-3 N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 5*108 cm-3 晶体主要指标： P 型晶体 N 型晶体 错位密度 ≤ 10000 ≤ 5000 星型结构 ≤ 3 ≤ 3 镶嵌结构 ≤ 5 ≤ 5 4、高纯度高纯锗HPGe晶体说明： 高纯锗晶体产地美国物理性质颜色银灰色属性半导体材料密度5.32g/cm3熔点937.2℃沸点2830℃ 技术指标材料均匀度特级光洁度特优纯度99.99999%-99.99999999999%（7N-13N)制备方式锗单晶是以区熔锗锭为原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。产品规格P、N型按客户要求定制产品用途超高纯度，红外器件、γ辐射探测器P型N型高纯锗在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等，得到p型锗；在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。交货期90天

高纯锗γ伽马能谱仪器第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

高纯锗γ伽马能谱仪第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

高纯锗γ伽马能谱仪第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

高纯锗γ伽马能谱仪第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

高纯锗γ伽马能谱仪器第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

碘酊中乙醇量气相色谱测定法 中华人民共和国药典2015年版四部 制作碘酊时加入乙醇有什么作用？ 碘不溶于水，溶于有机溶剂，乙醇首先作为溶剂，是碘的载体，其次就是乙醇本身具有消毒作用，相互相成，碘酊，适应症为用于皮肤感染和消毒。 关键字：碘酊中残留溶剂检测，兽药碘酊，通则0711 乙醇量测定法 中华人民共和国药典2015年版四部，北分三谱色谱仪顶空，乙醇含量检测。 —、气相色谱法 本法系采用气相色谱法（通则0521) 测定各种含乙醇制剂中在20℃时乙醇(C2H5OH )的含量（％) (ml /ml ) 。除另有规定外，按下列方法测定。 第一法（毛细管柱法） 色谱条件与系统适用性试验采用（6% )氰丙基苯基- (94%)二甲基聚硅氧烷为固定液的毛细管柱；起始温度为40℃，维持2分钟，以每分钟3℃的速率升温至65℃，再以每分钟25℃的速率升温至200℃，维持10分钟；进样口温度200℃；检测器(FID )温度220℃；采用顶空分流进样，分流比为1：1；顶空瓶平衡温度为85℃，平衡时间为20分钟。理论板数按乙醇峰计算应不低于10000，乙醇峰与正丙醇峰的分离度应大于2 .0。 校正因子测定精密量取恒温至20℃的无水乙醇5ml，平行两份；置100ml量瓶中，精密加入恒温至20的正丙醇（内标物质）5ml，用水稀释至刻度，摇匀，精密量取该溶液lml ，置100ml量瓶中，用水稀释至刻度，摇匀（必要时可进一步稀释），作为对照品溶液。精密量取3ml，置10ml顶空进样瓶中，密封，顶空进样，每份对照品溶液进样3次，测定峰面积，计算平均校正因子，所得校正因子的相对标准偏差不得大于2.0% 。 测定法精密量取恒温至20的供试品适量（相当于乙醇约5 ml ) ，置100ml量瓶中，精密加入恒温至20 ℃的正丙醇5 ml，用水稀释至刻度，摇匀，精密量取该溶液lml ，置100ml量瓶中，用水稀释至刻度，摇匀(必要时可进一步稀释），作为供试品溶液。精密量取3 ml ，置10ml顶空进样瓶中，密封，顶空进样，测定峰面积，按内标法以峰面积计算，即得。 【附注】毛细管柱建议选择大口径、厚液膜色谱柱，规格为30m× 0.53mm×3.00um。 第二法（填充柱法）色谱条件与系统适用性试验 用直径为0.18~0.25mm的二乙烯苯乙基乙烯苯型高分子多孔小球作为载体，柱温为120~150℃。理论板数按正丙醇峰计算应不低700，乙醇峰与正丙醇峰的分离度应大于2.0。 校正因子测定 精密量取恒温至20℃的无水乙醇4ml、5ml、6 ml，分别置100ml量瓶中，分别精密加入恒温至20℃的正丙醇（内标物质）5ml，用水稀释至刻度，摇匀（必要时可进一步稀释）。取上述三种溶液各适量，注入气相色谱仪，分别连续进样3次，测定峰面积，计算校正因子，所得校正因子的相对标准偏差不得大于2. 0%。 测定法 精密量取恒温至20℃的供试品溶液适量(相当于乙醇约5ml)，置100ml量瓶中，精密加人恒温至20℃的正丙醇5ml，用水稀释至刻度 ，摇匀（必要时可进一步稀释），取适量注人气相色谱仪，测定峰面积，按内标法以峰面积计算，即得。 【附注】（1）在不含内标物质的供试品溶液的色谱图中与内标物质峰相应的位置处不得出现杂质峰。 (2 )除另有规定外，若蒸馏法测定结果与气相色谱法不一致，以气相色谱法测定结果为准。 仪器配置序号名称规格型号数量单位厂家1气相色谱仪GC-20101台北京北分三谱2顶空进样器AHS-6101台北京北分三谱3色谱工作站N20001套北京北分三谱4色谱柱30m× 0.53mm×3.00um1根北京北分三谱5氢气发生器BF-300E1台北京北分三谱6空气发生器BF-2L1台北京北分三谱7氮气钢瓶40L1瓶北京8减压阀双极 1个北京9电脑 联想1台联想10打印机HP1台HP

碘酊中乙醇量气相色谱测定法 中华人民共和国药典2015年版四部 制作碘酊时加入乙醇有什么作用？ 碘不溶于水，溶于有机溶剂，乙醇首先作为溶剂，是碘的载体，其次就是乙醇本身具有消毒作用，相互相成，碘酊，适应症为用于皮肤感染和消毒。 关键字：碘酊中残留溶剂检测，兽药碘酊，通则0711 乙醇量测定法 中华人民共和国药典2015年版四部，北分三谱色谱仪顶空，乙醇含量检测。 —、气相色谱法 本法系采用气相色谱法（通则0521) 测定各种含乙醇制剂中在20℃时乙醇(C2H5OH )的含量（％) (ml /ml ) 。除另有规定外，按下列方法测定。 第一法（毛细管柱法） 色谱条件与系统适用性试验采用（6% )氰丙基苯基- (94%)二甲基聚硅氧烷为固定液的毛细管柱；起始温度为40℃，维持2分钟，以每分钟3℃的速率升温至65℃，再以每分钟25℃的速率升温至200℃，维持10分钟；进样口温度200℃；检测器(FID )温度220℃；采用顶空分流进样，分流比为1：1；顶空瓶平衡温度为85℃，平衡时间为20分钟。理论板数按乙醇峰计算应不低于10000，乙醇峰与正丙醇峰的分离度应大于2 .0。 校正因子测定精密量取恒温至20℃的无水乙醇5ml，平行两份；置100ml量瓶中，精密加入恒温至20的正丙醇（内标物质）5ml，用水稀释至刻度，摇匀，精密量取该溶液lml ，置100ml量瓶中，用水稀释至刻度，摇匀（必要时可进一步稀释），作为对照品溶液。精密量取3ml，置10ml顶空进样瓶中，密封，顶空进样，每份对照品溶液进样3次，测定峰面积，计算平均校正因子，所得校正因子的相对标准偏差不得大于2.0% 。 测定法精密量取恒温至20的供试品适量（相当于乙醇约5 ml ) ，置100ml量瓶中，精密加入恒温至20 ℃的正丙醇5 ml，用水稀释至刻度，摇匀，精密量取该溶液lml ，置100ml量瓶中，用水稀释至刻度，摇匀(必要时可进一步稀释），作为供试品溶液。精密量取3 ml ，置10ml顶空进样瓶中，密封，顶空进样，测定峰面积，按内标法以峰面积计算，即得。 【附注】毛细管柱建议选择大口径、厚液膜色谱柱，规格为30m× 0.53mm×3.00um。 第二法（填充柱法）色谱条件与系统适用性试验 用直径为0.18~0.25mm的二乙烯苯乙基乙烯苯型高分子多孔小球作为载体，柱温为120~150℃。理论板数按正丙醇峰计算应不低700，乙醇峰与正丙醇峰的分离度应大于2.0。 校正因子测定 精密量取恒温至20℃的无水乙醇4ml、5ml、6 ml，分别置100ml量瓶中，分别精密加入恒温至20℃的正丙醇（内标物质）5ml，用水稀释至刻度，摇匀（必要时可进一步稀释）。取上述三种溶液各适量，注入气相色谱仪，分别连续进样3次，测定峰面积，计算校正因子，所得校正因子的相对标准偏差不得大于2. 0%。 测定法 精密量取恒温至20℃的供试品溶液适量(相当于乙醇约5ml)，置100ml量瓶中，精密加人恒温至20℃的正丙醇5ml，用水稀释至刻度 ，摇匀（必要时可进一步稀释），取适量注人气相色谱仪，测定峰面积，按内标法以峰面积计算，即得。 【附注】（1）在不含内标物质的供试品溶液的色谱图中与内标物质峰相应的位置处不得出现杂质峰。 (2 )除另有规定外，若蒸馏法测定结果与气相色谱法不一致，以气相色谱法测定结果为准。 仪器配置序号名称规格型号数量单位厂家1气相色谱仪GC-20101台北京北分三谱2顶空进样器AHS-6101台北京北分三谱3色谱工作站N20001套北京北分三谱4色谱柱30m× 0.53mm×3.00um1根北京北分三谱5氢气发生器BF-300E1台北京北分三谱6空气发生器BF-2L1台北京北分三谱7氮气钢瓶40L1瓶北京8减压阀双极 1个北京9电脑 联想1台联想10打印机HP1台HP

碘酊中乙醇量气相色谱测定法 中华人民共和国药典2015年版四部 制作碘酊时加入乙醇有什么作用？ 碘不溶于水，溶于有机溶剂，乙醇首先作为溶剂，是碘的载体，其次就是乙醇本身具有消毒作用，相互相成，碘酊，适应症为用于皮肤感染和消毒。 关键字：碘酊中残留溶剂检测，兽药碘酊，通则0711 乙醇量测定法 中华人民共和国药典2015年版四部，北分三谱色谱仪顶空，乙醇含量检测。 —、气相色谱法 本法系采用气相色谱法（通则0521) 测定各种含乙醇制剂中在20℃时乙醇(C2H5OH )的含量（％) (ml /ml ) 。除另有规定外，按下列方法测定。 第一法（毛细管柱法） 色谱条件与系统适用性试验采用（6% )氰丙基苯基- (94%)二甲基聚硅氧烷为固定液的毛细管柱；起始温度为40℃，维持2分钟，以每分钟3℃的速率升温至65℃，再以每分钟25℃的速率升温至200℃，维持10分钟；进样口温度200℃；检测器(FID )温度220℃；采用顶空分流进样，分流比为1：1；顶空瓶平衡温度为85℃，平衡时间为20分钟。理论板数按乙醇峰计算应不低于10000，乙醇峰与正丙醇峰的分离度应大于2 .0。 校正因子测定精密量取恒温至20℃的无水乙醇5ml，平行两份；置100ml量瓶中，精密加入恒温至20的正丙醇（内标物质）5ml，用水稀释至刻度，摇匀，精密量取该溶液lml ，置100ml量瓶中，用水稀释至刻度，摇匀（必要时可进一步稀释），作为对照品溶液。精密量取3ml，置10ml顶空进样瓶中，密封，顶空进样，每份对照品溶液进样3次，测定峰面积，计算平均校正因子，所得校正因子的相对标准偏差不得大于2.0% 。 测定法精密量取恒温至20的供试品适量（相当于乙醇约5 ml ) ，置100ml量瓶中，精密加入恒温至20 ℃的正丙醇5 ml，用水稀释至刻度，摇匀，精密量取该溶液lml ，置100ml量瓶中，用水稀释至刻度，摇匀(必要时可进一步稀释），作为供试品溶液。精密量取3 ml ，置10ml顶空进样瓶中，密封，顶空进样，测定峰面积，按内标法以峰面积计算，即得。 【附注】毛细管柱建议选择大口径、厚液膜色谱柱，规格为30m× 0.53mm×3.00um。 第二法（填充柱法）色谱条件与系统适用性试验 用直径为0.18~0.25mm的二乙烯苯乙基乙烯苯型高分子多孔小球作为载体，柱温为120~150℃。理论板数按正丙醇峰计算应不低700，乙醇峰与正丙醇峰的分离度应大于2.0。 校正因子测定 精密量取恒温至20℃的无水乙醇4ml、5ml、6 ml，分别置100ml量瓶中，分别精密加入恒温至20℃的正丙醇（内标物质）5ml，用水稀释至刻度，摇匀（必要时可进一步稀释）。取上述三种溶液各适量，注入气相色谱仪，分别连续进样3次，测定峰面积，计算校正因子，所得校正因子的相对标准偏差不得大于2. 0%。 测定法 精密量取恒温至20℃的供试品溶液适量(相当于乙醇约5ml)，置100ml量瓶中，精密加人恒温至20℃的正丙醇5ml，用水稀释至刻度 ，摇匀（必要时可进一步稀释），取适量注人气相色谱仪，测定峰面积，按内标法以峰面积计算，即得。 【附注】（1）在不含内标物质的供试品溶液的色谱图中与内标物质峰相应的位置处不得出现杂质峰。 (2 )除另有规定外，若蒸馏法测定结果与气相色谱法不一致，以气相色谱法测定结果为准。 仪器配置序号名称规格型号数量单位厂家1气相色谱仪GC-20101台北京北分三谱2顶空进样器AHS-6101台北京北分三谱3色谱工作站N20001套北京北分三谱4色谱柱30m× 0.53mm×3.00um1根北京北分三谱5氢气发生器BF-300E1台北京北分三谱6空气发生器BF-2L1台北京北分三谱7氮气钢瓶40L1瓶北京8减压阀双极 1个北京9电脑 联想1台联想10打印机HP1台HP

碘酊中乙醇量气相色谱测定法 中华人民共和国药典2015年版四部 制作碘酊时加入乙醇有什么作用？ 碘不溶于水，溶于有机溶剂，乙醇首先作为溶剂，是碘的载体，其次就是乙醇本身具有消毒作用，相互相成，碘酊，适应症为用于皮肤感染和消毒。 关键字：碘酊中残留溶剂检测，兽药碘酊，通则0711 乙醇量测定法 中华人民共和国药典2015年版四部，北分三谱色谱仪顶空，乙醇含量检测。 —、气相色谱法 本法系采用气相色谱法（通则0521) 测定各种含乙醇制剂中在20℃时乙醇(C2H5OH )的含量（％) (ml /ml ) 。除另有规定外，按下列方法测定。 第一法（毛细管柱法） 色谱条件与系统适用性试验采用（6% )氰丙基苯基- (94%)二甲基聚硅氧烷为固定液的毛细管柱；起始温度为40℃，维持2分钟，以每分钟3℃的速率升温至65℃，再以每分钟25℃的速率升温至200℃，维持10分钟；进样口温度200℃；检测器(FID )温度220℃；采用顶空分流进样，分流比为1：1；顶空瓶平衡温度为85℃，平衡时间为20分钟。理论板数按乙醇峰计算应不低于10000，乙醇峰与正丙醇峰的分离度应大于2 .0。 校正因子测定精密量取恒温至20℃的无水乙醇5ml，平行两份；置100ml量瓶中，精密加入恒温至20的正丙醇（内标物质）5ml，用水稀释至刻度，摇匀，精密量取该溶液lml ，置100ml量瓶中，用水稀释至刻度，摇匀（必要时可进一步稀释），作为对照品溶液。精密量取3ml，置10ml顶空进样瓶中，密封，顶空进样，每份对照品溶液进样3次，测定峰面积，计算平均校正因子，所得校正因子的相对标准偏差不得大于2.0% 。 测定法精密量取恒温至20的供试品适量（相当于乙醇约5 ml ) ，置100ml量瓶中，精密加入恒温至20 ℃的正丙醇5 ml，用水稀释至刻度，摇匀，精密量取该溶液lml ，置100ml量瓶中，用水稀释至刻度，摇匀(必要时可进一步稀释），作为供试品溶液。精密量取3 ml ，置10ml顶空进样瓶中，密封，顶空进样，测定峰面积，按内标法以峰面积计算，即得。 【附注】毛细管柱建议选择大口径、厚液膜色谱柱，规格为30m× 0.53mm×3.00um。 第二法（填充柱法）色谱条件与系统适用性试验 用直径为0.18~0.25mm的二乙烯苯乙基乙烯苯型高分子多孔小球作为载体，柱温为120~150℃。理论板数按正丙醇峰计算应不低700，乙醇峰与正丙醇峰的分离度应大于2.0。 校正因子测定 精密量取恒温至20℃的无水乙醇4ml、5ml、6 ml，分别置100ml量瓶中，分别精密加入恒温至20℃的正丙醇（内标物质）5ml，用水稀释至刻度，摇匀（必要时可进一步稀释）。取上述三种溶液各适量，注入气相色谱仪，分别连续进样3次，测定峰面积，计算校正因子，所得校正因子的相对标准偏差不得大于2. 0%。 测定法 精密量取恒温至20℃的供试品溶液适量(相当于乙醇约5ml)，置100ml量瓶中，精密加人恒温至20℃的正丙醇5ml，用水稀释至刻度 ，摇匀（必要时可进一步稀释），取适量注人气相色谱仪，测定峰面积，按内标法以峰面积计算，即得。 【附注】（1）在不含内标物质的供试品溶液的色谱图中与内标物质峰相应的位置处不得出现杂质峰。 (2 )除另有规定外，若蒸馏法测定结果与气相色谱法不一致，以气相色谱法测定结果为准。 仪器配置序号名称规格型号数量单位厂家1气相色谱仪GC-20101台北京北分三谱2顶空进样器AHS-6101台北京北分三谱3色谱工作站N20001套北京北分三谱4色谱柱30m× 0.53mm×3.00um1根北京北分三谱5氢气发生器BF-300E1台北京北分三谱6空气发生器BF-2L1台北京北分三谱7氮气钢瓶40L1瓶北京8减压阀双极 1个北京9电脑 联想1台联想10打印机HP1台HP

高纯锗γ伽马能谱仪器第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

高纯锗γ伽马能谱仪器第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

高纯锗γ伽马能谱仪器第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

高纯锗γ伽马能谱仪器第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

高纯锗γ伽马能谱仪器第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

高纯锗γ伽马能谱仪器第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

实验室高纯锗（HPGe）伽马γ能谱仪第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

实验室高纯锗（HPGe）伽马γ能谱仪第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

高纯锗γ伽马能谱仪第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

高纯锗γ伽马能谱仪器第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

高纯锗γ伽马能谱仪器第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

P型、N型、11N/12N/13N/高纯锗晶体HPGe、高纯锗单晶 ?1、晶体习性与几何描述： 该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为： D ----外形尺寸当量直径 W----锗晶体重量 L-----晶体长度 测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务。 2、纯度：残留载荷 最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。 同轴探测器：同轴探测器适用于下列公式： Nmax = 每立方厘米最大杂质含量 VD = 耗尽层电压 = 5000 V εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm εr = 相对介电常数(Ge) = 16 q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge) r1 = 探测器内孔半径 r2 = 探测器外孔半径 3、纯度 ： 假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径， 适用公式变为： D = 晶体外表面 平面探测器：平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式： d=探测器外观尺寸厚度 径向分散载荷子（绝对值） 迁移：霍尔迁移 性能： P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s 能级： P 型晶体 通过深能瞬态测量，Cutot ≤ 4.5*109 cm-3 N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 5*108 cm-3 晶体主要指标： P 型晶体 N 型晶体 错位密度 ≤ 10000 ≤ 5000 星型结构 ≤ 3 ≤ 3 镶嵌结构 ≤ 5 ≤ 5 4、高纯度高纯锗HPGe晶体说明： 高纯锗晶体产地法国物理性质颜色银灰色属性半导体材料密度5.32g/cm3熔点937.2℃沸点2830℃ 技术指标材料均匀度特级光洁度特优纯度99.99999%-99.99999999999%（7N-13N)制备方式锗单晶是以区熔锗锭为原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。产品规格P、N型按客户要求定制产品用途超高纯度，红外器件、γ辐射探测器P型N型高纯锗在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等，得到p型锗；在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。交货期90天

实验室高纯锗（HPGe）伽马γ能谱仪第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。