掺杂铕的硼磷钒酸钇

综合概述 ATR7010EO是基于拉曼的食用油掺杂分析仪，可以定量检测食用油掺杂的含量。可用于食用油品企业的研发设计、工艺开发和生产等环节，通过检测食用油的拉曼图谱并作定量分析，帮助用户测试掺杂浓度，确定食用油品的掺杂的关键参数、比例，提升食用油产品质量，实现企业高效、安全、稳定的放大生产。ATR7010EO是奥谱天成顺应市场食用油掺杂检测需求全新研制推出的一款拉曼光谱仪，它采用制冷型高灵敏度CCD，使得仪器具有良好的环境适应性，可根据用户的油品实际情况按照需求进行定制，使之适合于企业生产和实验室食用油品科学研究。 ATR7010EO配备的多功能软件，可实现食用油掺杂的快速分析，支持用户快速提取掺杂所需信息，让用户能更轻松作出后续决策，提升食用油品的质量。产品特点l 定量检测：可对食用油的掺杂含量（0%～100%）进行定量检测。l 安全环保：不用进行复杂化学实验分析，避免操作员接触强腐蚀性、剧毒、易燃易爆等高危化学品，提高安全性；l 高灵敏度：采用高灵敏度的制冷型CCD，可实现低掺杂食用油品掺杂的检测；l 适用性强：仪器设计兼顾体积与性能，满足茶油、大豆油、橄榄油等食用油品的掺杂的检测；l 一键式分析：配备功能强大、界面友好的的光谱分析软件，一键式操作，意味着无论是专家还是初次使用拉曼光谱仪的用户，均可快速和准确采集食用油品数据和分析食用油掺杂。典型应用l 茶油掺杂 ● 花生油掺杂 l 大豆油掺杂 ● 葵花油掺杂 l 橄榄油掺杂 ● 菜籽油掺杂 l 玉米油掺杂ATR7010EO原理食用油作为高效的能量来源，人体每时每刻的生理活动都需要能量的支持。传统食用油掺杂检测方法主要依赖于理化法、色谱法、气质连用法，红外法等检测手段，这些检测方法往往需要繁琐的前处理过程，费时、费力且费用高，且无法确认油品的产地，这对一些企业和单位进行食用油的掺杂检测和产地鉴定造成了一定的困难。拉曼光谱是由印度科学家C. V. Raman在 1928 年发现的一种散射光谱。拉曼光谱能反映分子转动、振动信息。食用油的种类和食用油所含的饱和与不饱和脂肪酸比例有关，食用油的各个特征峰强度分别反应的是饱和与不饱和脂肪酸的含量，所以食用油的掺杂定量实际上定的是饱和与不饱和脂肪酸混合物的比例。仪器信息 仪器外观信息 表2-1 ATR7010EO技术规格

总览ZBLAN光纤是由ZrF4、BaF2、LaF3、AlF3和NaF等重金属氟化物组成的复合玻璃光纤。与广泛应用的石英光纤相比，ZBLAN光纤具有传输波长范围宽（0.35μm~4μm）和掺杂稀土离子发射效率高等特点。对于光纤激光器和放大器的应用，为了优化其效率，通过一种独te的光纤制造技术，筱晓光子推出低成本生产出高质量（特别是低损耗）的氟化物纤维双包层光纤，具有特定的d型芯可以设计和制造定制光纤的激光和放大器Mid-IR supercontinuumLVF非线性单模光纤由于其优良的性能，可以实现非常平坦和宽带的输出光谱。(中红外超连续介质激光器)中红外光谱和光学测量VF提出了用于光学安装的标准单模和多模光纤连接电缆。荧光LVE制造用于荧光研究的定制稀土掺杂氟化物玻璃块。晓光子提供全系列ZBLAN光纤产品，可定制波长0.04μm~0.35μm，纤芯与包层从50μm~1000μm可定制，也可定制红外线解决方案。稀土 Ho钬/Pr镨掺杂 ZBLAN双包层氟化物裸光纤,稀土 Ho钬/Pr镨掺杂 ZBLAN双包层氟化物裸光纤 通用参数产品应用光纤激光器光纤放大器类型掺稀土双包层光纤光纤类型双包层氟化物光纤掺杂元素Pr,Nd,Ho,Er,Dy,Tm,Yb,其它掺杂浓度（ppm mol）500-50000包层形状圆，八角形，长方形纤芯数值孔径0.16,0.21,0.26涂覆层数值孔径0.5截止波长（um）2.5芯径（um）2涂覆层直径（um）圆形：123/200/500(直径)八角形：123/200/500(对角线长度)矩形：123/200/500(对角线长度)包层直径（um）460,480,600第二层涂覆层厚度（um）30第二层涂覆层材料氟树脂包层材料UV固化丙烯酸脂实验测试半径1.25cm，2cm，6cm标准型号参考型号稀土掺杂稀土浓度（摩尔ppm）芯径(μm)Core NACutoff(nm)第一层包层直径(μm)包层形状第二层包层直径(μm)CladdingNA包层吸收(dB/m)ZDF-16/250-10E-CEr10,00016±20.12±0.02@ 3500 nm 2850250±13圆形460±300.50±0.02@1000nm0.3-0.8@ 980 nmZDF-18/250-60E-CEr60,00018±20.12±0.02@ 2700 nm 3400250±13圆形460±300.50±0.02@1000nm2-3@ 980 nmZDF-30/300-60E-CEr60,00030±20.12±0.02@ 2700 nm 5350300±15圆形460±300.50±0.02@1000nm4-5@ 980 nmZDF-7.5/125-40T-CTm(铥)40,0007.5±1.50.14±0.02@ 2000 nm 1700120±3圆形210±200.50±0.02@1000nm1-2@ 800 nmZDF-8.5/125-2H40T-CHo(钬)Tm2,00040,0008.5±2.00.14±0.02@ 2000 nm 2000123±4圆形195±150.50±0.02@1000nm1-2@ 800 nmZDF-10/125-30H2.5P-CHoPr(镨)30,0002,50010±10.17±0.02@ 3000 nm 2400123±3圆形210±100.50±0.02@1000nm1-2@ 1150 nmZDF-20/250-40E2.5D-CEyDy 镝40,0002,50020±30.13±0.02@ 3000 nm 4100250±13圆形460±300.50±0.02@1000nm1-2@ 980 nmZBLAN玻璃的折射率（芯，典型）HBLAN玻璃的折射率（用于包层，典型）ZBLAN玻璃的材料分散性（芯，典型）HBLAN玻璃的材料分散性（用于包层，典型）背景损耗和发射波长通过选择稀土元素和激发波长，得到不同波长的光发射。虽然芯在长波长区域具有较低的损耗，但在第一包层中的传播光在1.7um处造成更大的损耗，而由于吸收用于第二包层的氟基UV树脂而导致更多波长损耗。DCFF配置订购信息例如：DCFF-2/125-P-30-0.21-0.52/125------2=芯径 125=涂覆层直径P ----------P=掺杂稀土元素30 ---------30=第二层涂覆层厚度0.21--------0.21=纤芯数值孔径0.5 --------0.5=涂覆层数值孔径

一,氟化物单模掺铥ZBLAN光纤 ( 0.3-4.50μm)ZFG光纤重金属氟化物组成的复合玻璃光纤。与广泛应用的石英光纤相比，ZFG光纤具有传输波长范围宽0.03μm~4.5μm具有掺杂稀土离子发射效率高等特点。在光纤激光器和放大器的应用领域，为了优化其效率，通过一种独te的光纤制造技术，筱晓光子特推出低成本生产出高质量（特别是低损耗）的氟化物纤维单模光纤，具有特定的D型芯可以设计和制造定制光纤的激光和放大器Mid-IR supercontinuumLVF非线性单模光纤由于其优良的性能，可以实现非常平坦和宽带的输出光谱。(中红外超连续介质激光器)中红外光谱和光学测量。筱晓光子提供全系列ZFG光纤产品，可满足苛刻的光纤激光器的需求，可定制截止波长，纤芯直径，包层直径等，筱晓光子为您提供全方位红的外线解决方案。 光纤类根据数量价格,合同金额原则上不低于3500元光纤类根据数量价格,合同金额原则上不低于3500元 氟化物单模掺铥ZBLAN光纤 ( 0.3-4.50μm),氟化物单模掺铥ZBLAN光纤 ( 0.3-4.50μm) 通用参数型号ZFG SM [0.95](Tm3 5000) 3/125 纤芯直径3μm包层直径125μm第二包层直径N/A数值孔径0.23掺杂离子TmF3浓度(mol)5000ppm截止波长0.9μm短期弯曲半径≥15mm长期弯曲半径≥45mm衰减曲线三,稀土钬/铥掺杂 ZBLAN双包层氟化物裸光纤( FL ZDF系列)ZBLAN氟化物光纤的特点之一是各种稀土掺杂物，比如Tm、Pr和Er的高效率光发射。光纤用掺稀土的单模ZBLAN光纤抽芯光放大器、ASE光源和光纤激光器作为增益介质。稀土钬/铥掺杂 ZBLAN双包层氟化物裸光纤( FL ZDF系列),稀土钬/铥掺杂 ZBLAN双包层氟化物裸光纤( FL ZDF系列) 通用参数产品应用光纤激光器光纤放大器类型掺稀土双包层光纤光纤类型双包层氟化物光纤掺杂元素Pr,Nd,Ho,Er,Dy,Tm,Yb,其它掺杂浓度（ppm mol）500-50000包层形状圆，八角形，长方形纤芯数值孔径0.16,0.21,0.26涂覆层数值孔径0.5截止波长（um）2.5芯径（um）2涂覆层直径（um）圆形：123/200/500(直径)八角形：123/200/500(对角线长度)矩形：123/200/500(对角线长度)包层直径（um）460,480,600第二层涂覆层厚度（um）30第二层涂覆层材料氟树脂包层材料UV固化丙烯酸脂实验测试半径1.25cm，2cm，6cm标准型号参考型号稀土掺杂稀土浓度（摩尔ppm）芯径(μm)Core NACutoff(nm)第一层包层直径(μm)包层形状第二层包层直径(μm)CladdingNA包层吸收(dB/m)ZDF-16/250-10E-CEr10,00016±20.12±0.02@ 3500 nm 2850250±13圆形460±300.50±0.02@1000nm0.3-0.8@ 980 nmZDF-18/250-60E-CEr60,00018±20.12±0.02@ 2700 nm 3400250±13圆形460±300.50±0.02@1000nm2-3@ 980 nmZDF-30/300-60E-CEr60,00030±20.12±0.02@ 2700 nm 5350300±15圆形460±300.50±0.02@1000nm4-5@ 980 nmZDF-7.5/125-40T-CTm(铥)40,0007.5±1.50.14±0.02@ 2000 nm 1700120±3圆形210±200.50±0.02@1000nm1-2@ 800 nmZDF-8.5/125-2H40T-CHo(钬)Tm2,00040,0008.5±2.00.14±0.02@ 2000 nm 2000123±4圆形195±150.50±0.02@1000nm1-2@ 800 nmZDF-10/125-30H2.5P-CHoPr(镨)30,0002,50010±10.17±0.02@ 3000 nm 2400123±3圆形210±100.50±0.02@1000nm1-2@ 1150 nmZDF-20/250-40E2.5D-CEyDy 镝40,0002,50020±30.13±0.02@ 3000 nm 4100250±13圆形460±300.50±0.02@1000nm1-2@ 980 nmZBLAN玻璃的折射率（芯，典型）HBLAN玻璃的折射率（用于包层，典型）ZBLAN玻璃的材料分散性（芯，典型）HBLAN玻璃的材料分散性（用于包层，典型）背景损耗和发射波长通过选择稀土元素和激发波长，得到不同波长的光发射。虽然芯在长波长区域具有较低的损耗，但在第一包层中的传播光在1.7um处造成更大的损耗，而由于吸收用于第二包层的氟基UV树脂而导致更多波长损耗。DCFF配置订购信息例如：DCFF-2/125-P-30-0.21-0.52/125------2=芯径 125=涂覆层直径P ----------P=掺杂稀土元素30 ---------30=第二层涂覆层厚度0.21--------0.21=纤芯数值孔径0.5 --------0.5=涂覆层数值孔径

总览ZBLAN氟化物光纤的特点之一是各种稀土掺杂物，比如Tm、Pr和Er的高效率光发射。光纤用掺稀土的单模ZBLAN光纤抽芯光放大器、ASE光源和光纤激光器作为增益介质。稀土Ey/Dy镝掺杂 ZBLAN双包层氟化物裸光纤( FL ZDF系列),稀土Ey/Dy镝掺杂 ZBLAN双包层氟化物裸光纤( FL ZDF系列) 通用参数产品应用光纤激光器光纤放大器类型掺稀土双包层光纤光纤类型双包层氟化物光纤掺杂元素Pr,Nd,Ho,Er,Dy,Tm,Yb,其它掺杂浓度（ppm mol）500-50000包层形状圆，八角形，长方形纤芯数值孔径0.16,0.21,0.26涂覆层数值孔径0.5截止波长（um）2.5芯径（um）2涂覆层直径（um）圆形：123/200/500(直径)八角形：123/200/500(对角线长度)矩形：123/200/500(对角线长度)包层直径（um）460,480,600第二层涂覆层厚度（um）30第二层涂覆层材料氟树脂包层材料UV固化丙烯酸脂实验测试半径1.25cm，2cm，6cm标准型号参考型号稀土掺杂稀土浓度（摩尔ppm）芯径(μm)Core NACutoff(nm)第一层包层直径(μm)包层形状第二层包层直径(μm)CladdingNA包层吸收(dB/m)ZDF-16/250-10E-CEr10,00016±20.12±0.02@ 3500 nm 2850250±13圆形460±300.50±0.02@1000nm0.3-0.8@ 980 nmZDF-18/250-60E-CEr60,00018±20.12±0.02@ 2700 nm 3400250±13圆形460±300.50±0.02@1000nm2-3@ 980 nmZDF-30/300-60E-CEr60,00030±20.12±0.02@ 2700 nm 5350300±15圆形460±300.50±0.02@1000nm4-5@ 980 nmZDF-7.5/125-40T-CTm(铥)40,0007.5±1.50.14±0.02@ 2000 nm 1700120±3圆形210±200.50±0.02@1000nm1-2@ 800 nmZDF-8.5/125-2H40T-CHo(钬)Tm2,00040,0008.5±2.00.14±0.02@ 2000 nm 2000123±4圆形195±150.50±0.02@1000nm1-2@ 800 nmZDF-10/125-30H2.5P-CHoPr(镨)30,0002,50010±10.17±0.02@ 3000 nm 2400123±3圆形210±100.50±0.02@1000nm1-2@ 1150 nmZDF-20/250-40E2.5D-CEyDy 镝40,0002,50020±30.13±0.02@ 3000 nm 4100250±13圆形460±300.50±0.02@1000nm1-2@ 980 nmZBLAN玻璃的折射率（芯，典型）HBLAN玻璃的折射率（用于包层，典型）ZBLAN玻璃的材料分散性（芯，典型）HBLAN玻璃的材料分散性（用于包层，典型）背景损耗和发射波长通过选择稀土元素和激发波长，得到不同波长的光发射。虽然芯在长波长区域具有较低的损耗，但在第一包层中的传播光在1.7um处造成更大的损耗，而由于吸收用于第二包层的氟基UV树脂而导致更多波长损耗。DCFF配置订购信息例如：DCFF-2/125-P-30-0.21-0.52/125------2=芯径 125=涂覆层直径P ----------P=掺杂稀土元素30 ---------30=第二层涂覆层厚度0.21--------0.21=纤芯数值孔径0.5 --------0.5=涂覆层数值孔径技术参数光纤损耗谱

德国WEP公司的ECV（型号为CVP21）在太阳能光伏行业的应用非常普及，市场占有率甚至达95%以上，是光伏行业电池技术研究和发展的必要工具之一，几乎知名的光伏企业都有使用。 WEP公司的ECV设备：CVP21（见图）1. ECV又名扩散浓度测试仪，结深测试仪等，即电化学CV法测扩散后的载流子浓度分布（见图）；2. 相比其他方法如SRP，SIMS等，ECV具有测量使用方便，价格低的优点； 3. WEP公司的ECV具有独特技术可应用于测试电池片的绒面样片，这也是其被广泛使用的原因之一；4. CVP21所能测量的深度范围是nm---10um 5. 测量的载流子浓度范围在10e12cm-3 N 10e21cm-3之内都无需校准；6. 测量扩散样片时，样片是保持“Dry in”和“Dry out”，并无需做特别处理；7. 其所用到的化学试剂本地就能买到，价格低且用量很少买一次可以用好几年；8. 从CVP21所测得的数据能带给研发或工艺人员三方面的信息：一是表面浓度，二是浓度变化曲线，三是结深（见图）；9. 表面浓度对于选择和使用适合的浆料很有帮助，如粘合性，接触电阻等的匹配问题；10. 浓度分布曲线对掌握和改进扩散工艺提供依据；11. 结深的信息对电池工艺的总体把握来说是必须的，也是扩散工艺时常需要抽测的项目之一；12. 参考：测试出的几种扩散浓度分布曲线（见图）；13. 广泛的客户群：Q-CELL, NREL, ISFH, SHELL,ECN,RWE,HMI,SISE尚德，天合，晶澳，英利，交大泰阳，BYD，海润，晶科，吉阳，南玻，格林保尔… 仪器简介：电化学ECV,掺杂浓度检测（C-V Profiling）PN结深测试 电化学ECV可以用于太阳能电池、LED等产业，是化合物半导体材料研究或开发的主要工具之一。电化学ECV主要用于半导体材料的研究及开发，其原理是使用电化学电容-电压法来测量半导体材料的掺杂浓度分布。电化学ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或发展半导体光-电化学湿法蚀刻(PEC Etching)很好的选择。 本设备适用于在半导体生产中的外延过程的性能评估和过程控制，可以测试多种不同的材料，例如：硅, 锗, III-V 族和 III-N族材料等。CVP 21的模块化系统结构让测量半导体材料（结构，层）中的掺杂浓度分布变得高效、准确。选用合适的电解液与材料接触、腐蚀，从而得到材料的掺杂浓度分布。电容值电压扫描和腐蚀过程由软件全自动控制 。CVP21的系统特点： *坚固可靠的模块化系统结构 ．光学，电子和化学部分相对独立． *精确的测量电路模块 *强力的控制软件，系统操作，使用简便 *完善的售后服务体系 提供免费样品测试并提供测试报告。 保修期：2年，终身维修。 对用户承诺终身免费样品测试每月1次。技术参数：我们在电化学方分布测试产品方面有超过３０年的经验和世界上最先进的电路系统。全自动，特别适用于新材料，如氮化镓，碳化硅材料等。　 有效检测: 外延材料、扩散 、离子注入 适用材料: CVP21应用范围宽，可以用于绝大多数的半导体材料。 IV族化合物半导体如：硅(Si)、锗(Ge)、碳化硅(SiC)等 III-V族化合物半导体如：砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)等 三元III-V族化合物半导体如：铝镓砷(AlGaAs)、镓铟磷(GaInP)、铝铟砷(AlInAs)等 四元III-V族化合物半导体如：铝镓铟磷(AlGaInP)等 氮化物如：氮化镓(GaN)、铝镓氮(AlGaN)、铟镓氮(InGaN)、铝铟氮(AlInN)等 II-VI族化合物半导体如：氧化锌(ZnO)、碲化镉(CdTe)、汞镉碲(HgCdTe)等 其他不常见半导体材料(可以联系我们进行样品测量)。 　 载流子浓度测量范围: *最大 1021/cm³ ； 最小 1011/cm³ 深度解析度: 最大无上限；最小可至1 nm （或更低） 模块化系统结构: 拓扑型结构，实时监控腐蚀过程，适于微小样品及大尺寸的晶圆，全自动化系统。主要特点：CVP21电化学ECV是半导体载流子浓度分布完美的解决方案： 1， CVP21应用范围宽，可以用于绝大多数的半导体材料。 * IV族化合物半导体如：硅(Si)、锗(Ge)、碳化硅(SiC)等 * III-V族化合物半导体如：砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)等 * 三元III-V族化合物半导体如：铝镓砷(AlGaAs)、镓铟磷(GaInP)、铝铟砷(AlInAs)等 * 四元III-V族化合物半导体如：铝镓铟磷(AlGaInP)等 * 氮化物如：氮化镓(GaN)、铝镓氮(AlGaN)、铟镓氮(InGaN)、铝铟氮(AlInN)等 * II-VI族化合物半导体如：氧化锌(ZnO)、碲化镉(CdTe)、汞镉碲(HgCdTe)等 * 其他不常见半导体材料(可以联系我们进行样品测量)。 2， CVP21可用于不同形态的样品：多层结构的薄膜材料、基底没有限制(基底导电或绝缘均可)、标准样品尺寸从4*2mm ~ 8英寸晶圆(更小尺寸样品请预先咨询我们)。 3， CVP21拥有很好的分辨率范围。 * 载流子浓度分辨率范围从 1012 cm-3 ~ 1021 cm-3 * 深度分辨率范围从1nm ~ 100um (依样品类型、样品质量决定) 4， CVP21是一套完整的电化学ECV测量系统。 * 系统可靠性高(仪器的电子、机械、光学、液体传动几个主要部分均经特殊设计) * 免校准的系统(完全自校准的电子系统，电缆电容均无须用户再次校准) * 易于使用(全用户管理软件优化，在实验室环境或生产环境均易于使用) * 照相机镜头控制(过程在线由彩色照相机镜头控制；每次测量后，镜头数据均可取出。) * 实验菜单(测量菜单预定义，优先权用户可以很容易修改或改进测量菜单) * Dry-In/Dry-Out: Auto-Load/Unload/Reload (电化学样品池自动装载/卸载/再装载，优先权用户易于修改，进行样品dry-in/dry-out处理。) 全自动电化学CV分布仪 CVP21光伏太阳能领域的首选! 众多科研和半导体领域用户的的首选!上海瞬渺光电官方中国最佳全自动电化学CV分布仪光伏太阳能领域代理商！服务众多知名光伏企业！本设备适用于评估和控制在半导体生产中的外延过程并且以被使用在多种不同的材料上，　例如：Silicon, Germanium, III-V including III-Nitrides.CVP21的净室和模块化的系统设计结构使得本系统可以高效率，准确的测量半导体材料（结构，层）中的掺杂浓度分布．选用合适的电解液与材料接触，腐蚀，从而得到材料的掺杂浓度分布。电容值电压扫描和腐蚀过程由软件全自动控制CVP21的系统特点? 坚固可靠的模块化系统结构 ．光学，电子和化学部分相对独立．? 精确的测量电路模块? 强力的控制软件，系统操作，使用简便? 完善的售后服务体系特别推荐晶硅太阳能电池研究单位使用知名用户:(Shin-Etsu SEH or ISFH)In the field of solar cell research, the CVP21 system is currently being used at many research centres. It was first used in 1999 by the Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems (ISE) in Freiburg, Germany, and since then it has been installed at the Institute for Molecules and Materials (IMM) in Nijmegen, The Netherlands, the RWE Space Solar Power GmbH in Heilbronn, Germany, the Hahn-Meitner-Institute (HMI) in Berlin, Germany, and the Institute for Solar Energy Research (ISFH) in Hamelin/Emmerthal, Germany.在德国和日本都有很多太阳能电池用户使用,鉴于商业保密需要不能公开。产品完美结合我们在电化学方分布测试方面超过３０年的经验和世界上最先进的电路系统。　全自动，　特别适用于新材料，　如氮化镓，　碳化硅材料，多晶硅等等。　有效检测:?外延材料?扩散?离子注入适用材料: CVP21应用范围宽，可以用于绝大多数的半导体材料。IV族化合物半导体如：硅(Si)、锗(Ge)、碳化硅(SiC)等…III-V族化合物半导体如：砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)等…三元III-V族化合物半导体如：铝镓砷(AlGaAs)、镓铟磷(GaInP)、铝铟砷(AlInAs)等…四元III-V族化合物半导体如：铝镓铟磷(AlGaInP)等…氮化物如：氮化镓(GaN)、铝镓氮(AlGaN)、铟镓氮(InGaN)、铝铟氮(AlInN)等…II-VI族化合物半导体如：氧化锌(ZnO)、碲化镉(CdTe)、汞镉碲(HgCdTe)等…其他不常见半导体材料(可以联系我们进行样品测量)。　载流子浓度测量范围:?最大 1021/cm3?最小 1011/cm3深度解析度:?最大无上限?最小可至1 nm （或更低）模块化系统结构:?拓扑型结构?实时监控腐蚀过程?适于微小样品及大尺寸的晶圆全自动化系统:?精密的电路，电子系统?强力的软件 金牌优质服务 提供免费样品测试并提供测试报告。对用户承诺终身免费样品测试每月1次。保修期：2年，终身维修。电化学CV分布仪（CV测试仪）

德国WEP公司的ECV（型号为CVP21）在太阳能光伏行业的应用非常普及，市场占有率甚至达95%以上，是光伏行业电池技术研究和发展的必要工具之一，几乎知名的光伏企业都有使用。 WEP公司的ECV设备：CVP21（见图）1. ECV又名扩散浓度测试仪，结深测试仪等，即电化学CV法测扩散后的载流子浓度分布（见图）；2. 相比其他方法如SRP，SIMS等，ECV具有测量使用方便，价格低的优点； 3. WEP公司的ECV具有独特技术可应用于测试电池片的绒面样片，这也是其被广泛使用的原因之一；4. CVP21所能测量的深度范围是nm---10um 5. 测量的载流子浓度范围在10e12cm-3 N 10e21cm-3之内都无需校准；6. 测量扩散样片时，样片是保持“Dry in”和“Dry out”，并无需做特别处理；7. 其所用到的化学试剂本地就能买到，价格低且用量很少买一次可以用好几年；8. 从CVP21所测得的数据能带给研发或工艺人员三方面的信息：一是表面浓度，二是浓度变化曲线，三是结深（见图）；9. 表面浓度对于选择和使用适合的浆料很有帮助，如粘合性，接触电阻等的匹配问题；10. 浓度分布曲线对掌握和改进扩散工艺提供依据；11. 结深的信息对电池工艺的总体把握来说是必须的，也是扩散工艺时常需要抽测的项目之一；12. 参考：测试出的几种扩散浓度分布曲线（见图）；13. 广泛的客户群：Q-CELL, NREL, ISFH, SHELL,ECN,RWE,HMI,SISE尚德，天合，晶澳，英利，交大泰阳，BYD，海润，晶科，吉阳，南玻，格林保尔… 仪器简介：电化学ECV,掺杂浓度检测（C-V Profiling）PN结深测试 电化学ECV可以用于太阳能电池、LED等产业，是化合物半导体材料研究或开发的主要工具之一。电化学ECV主要用于半导体材料的研究及开发，其原理是使用电化学电容-电压法来测量半导体材料的掺杂浓度分布。电化学ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或发展半导体光-电化学湿法蚀刻(PEC Etching)很好的选择。 本设备适用于在半导体生产中的外延过程的性能评估和过程控制，可以测试多种不同的材料，例如：硅, 锗, III-V 族和 III-N族材料等。CVP 21的模块化系统结构让测量半导体材料（结构，层）中的掺杂浓度分布变得高效、准确。选用合适的电解液与材料接触、腐蚀，从而得到材料的掺杂浓度分布。电容值电压扫描和腐蚀过程由软件全自动控制 。CVP21的系统特点： *坚固可靠的模块化系统结构 ．光学，电子和化学部分相对独立． *精确的测量电路模块 *强力的控制软件，系统操作，使用简便 *完善的售后服务体系提供免费样品测试并提供测试报告。保修期：2年，终身维修。对用户承诺终身免费样品测试每月1次。技术参数：我们在电化学方分布测试产品方面有超过３０年的经验和世界上最先进的电路系统。 全自动，特别适用于新材料，如氮化镓，碳化硅材料等。　有效检测: 外延材料、扩散 、离子注入适用材料: CVP21应用范围宽，可以用于绝大多数的半导体材料。IV族化合物半导体如：硅(Si)、锗(Ge)、碳化硅(SiC)等 III-V族化合物半导体如：砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)等 三元III-V族化合物半导体如：铝镓砷(AlGaAs)、镓铟磷(GaInP)、铝铟砷(AlInAs)等 四元III-V族化合物半导体如：铝镓铟磷(AlGaInP)等 氮化物如：氮化镓(GaN)、铝镓氮(AlGaN)、铟镓氮(InGaN)、铝铟氮(AlInN)等 II-VI族化合物半导体如：氧化锌(ZnO)、碲化镉(CdTe)、汞镉碲(HgCdTe)等 其他不常见半导体材料(可以联系我们进行样品测量)。　载流子浓度测量范围:*最大 1021/cm³ ； 最小 1011/cm³ 深度解析度: 最大无上限；最小可至1 nm （或更低）模块化系统结构: 拓扑型结构，实时监控腐蚀过程，适于微小样品及大尺寸的晶圆，全自动化系统。主要特点：CVP21电化学ECV是半导体载流子浓度分布完美的解决方案：1， CVP21应用范围宽，可以用于绝大多数的半导体材料。 * IV族化合物半导体如：硅(Si)、锗(Ge)、碳化硅(SiC)等 * III-V族化合物半导体如：砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)等 * 三元III-V族化合物半导体如：铝镓砷(AlGaAs)、镓铟磷(GaInP)、铝铟砷(AlInAs)等 * 四元III-V族化合物半导体如：铝镓铟磷(AlGaInP)等 * 氮化物如：氮化镓(GaN)、铝镓氮(AlGaN)、铟镓氮(InGaN)、铝铟氮(AlInN)等 * II-VI族化合物半导体如：氧化锌(ZnO)、碲化镉(CdTe)、汞镉碲(HgCdTe)等 * 其他不常见半导体材料(可以联系我们进行样品测量)。2， CVP21可用于不同形态的样品：多层结构的薄膜材料、基底没有限制(基底导电或绝缘均可)、标准样品尺寸从4*2mm ~ 8英寸晶圆(更小尺寸样品请预先咨询我们)。3， CVP21拥有很好的分辨率范围。 * 载流子浓度分辨率范围从 1012 cm-3 ~ 1021 cm-3 * 深度分辨率范围从1nm ~ 100um (依样品类型、样品质量决定)4， CVP21是一套完整的电化学ECV测量系统。 * 系统可靠性高(仪器的电子、机械、光学、液体传动几个主要部分均经特殊设计) * 免校准的系统(完全自校准的电子系统，电缆电容均无须用户再次校准) * 易于使用(全用户管理软件优化，在实验室环境或生产环境均易于使用) * 照相机镜头控制(过程在线由彩色照相机镜头控制；每次测量后，镜头数据均可取出。) * 实验菜单(测量菜单预定义，优先权用户可以很容易修改或改进测量菜单) * Dry-In/Dry-Out: Auto-Load/Unload/Reload (电化学样品池自动装载/卸载/再装载，优先权用户易于修改，进行样品dry-in/dry-out处理。) 全自动电化学CV分布仪 CVP21光伏太阳能领域的首选! 众多科研和半导体领域用户的的首选!上海瞬渺光电官方中国最佳全自动电化学CV分布仪光伏太阳能领域代理商！服务众多知名光伏企业！本设备适用于评估和控制在半导体生产中的外延过程并且以被使用在多种不同的材料上，　例如：Silicon, Germanium, III-V including III-Nitrides.CVP21的净室和模块化的系统设计结构使得本系统可以高效率，准确的测量半导体材料（结构，层）中的掺杂浓度分布．选用合适的电解液与材料接触，腐蚀，从而得到材料的掺杂浓度分布。电容值电压扫描和腐蚀过程由软件全自动控制CVP21的系统特点? 坚固可靠的模块化系统结构 ．光学，电子和化学部分相对独立．? 精确的测量电路模块 ? 强力的控制软件，系统操作，使用简便? 完善的售后服务体系特别推荐晶硅太阳能电池研究单位使用知名用户:(Shin-Etsu SEH or ISFH)In the field of solar cell research, the CVP21 system is currently being used at many research centres. It was first used in 1999 by the Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems (ISE) in Freiburg, Germany, and since then it has been installed at the Institute for Molecules and Materials (IMM) in Nijmegen, The Netherlands, the RWE Space Solar Power GmbH in Heilbronn, Germany, the Hahn-Meitner-Institute (HMI) in Berlin, Germany, and the Institute for Solar Energy Research (ISFH) in Hamelin/Emmerthal, Germany.在德国和日本都有很多太阳能电池用户使用,鉴于商业保密需要不能公开。产品完美结合我们在电化学方分布测试方面超过３０年的经验和世界上最先进的电路系统。　全自动，　特别适用于新材料，　如氮化镓，　碳化硅材料，多晶硅等等。　有效检测:?外延材料 ?扩散?离子注入适用材料: CVP21应用范围宽，可以用于绝大多数的半导体材料。IV族化合物半导体如：硅(Si)、锗(Ge)、碳化硅(SiC)等…III-V族化合物半导体如：砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)等…三元III-V族化合物半导体如：铝镓砷(AlGaAs)、镓铟磷(GaInP)、铝铟砷(AlInAs)等…四元III-V族化合物半导体如：铝镓铟磷(AlGaInP)等…氮化物如：氮化镓(GaN)、铝镓氮(AlGaN)、铟镓氮(InGaN)、铝铟氮(AlInN)等…II-VI族化合物半导体如：氧化锌(ZnO)、碲化镉(CdTe)、汞镉碲(HgCdTe)等…其他不常见半导体材料(可以联系我们进行样品测量)。　载流子浓度测量范围: ?最大 1021/cm3?最小 1011/cm3深度解析度:?最大无上限?最小可至1 nm （或更低）模块化系统结构:?拓扑型结构?实时监控腐蚀过程?适于微小样品及大尺寸的晶圆全自动化系统: ?精密的电路，电子系统?强力的软件金牌优质服务提供免费样品测试并提供测试报告。对用户承诺终身免费样品测试每月1次。保修期：2年，终身维修。电化学CV分布仪（CV测试仪）

一, 铒/镱共掺双包层光纤这款铒镱共掺光纤适用于1.5μm波段应用，具有高掺杂浓度和高能量转换能量转换。由于其高吸收率，该产品是设计光纤放大器高功率光学放大器（5w）的理想选择，广泛应用在不同的应用市场，如电信的CATV及低功率激光雷达等应用领域。光纤类根据数量价格,合同金额原则上不低于3500元 铒/镱共掺双包层光纤,铒/镱共掺双包层光纤通用参数产品特点高掺杂浓度-提供高效的能量转换，zui小化泵浦功率需求高吸收率–zui小化纤维长度并减少非线性效应优化的铒/镱共掺合成芯–减少1µ m处的寄生发射产品应用大功率电信放大器低功率光纤激光器和光纤放大器传感器：激光雷达和光谱学参数光学数据纤芯吸收 @ 915nm (dB/m):2.4 ± 0.4纤芯吸收 @ 1535nm ( 标称值 ) (dB/m):85 ± 25核心数值孔径:0.20 ± 0.02背景损耗 @ 1200 nm (dB/km): 150.0几何与力学特性芯径 (µ m):10 ± 1包层直径 (µ m):128 ± 3纤芯/包层同心度误差 (µ m): 1.0涂层直径 (µ m):260 ± 15使用环境工作湿度（%）5-85工作温度（C&ring ）0-70储存湿度（%）5-85储存温度（C&ring ）-40-85熊猫型保偏掺镱光纤筱晓保偏掺镱光纤系列采用熊猫型应力元设计，以提高双折射率，具有较高的保偏性能，产品分普通涂层的单模光纤和双包层大模场光纤两大类可供选择，具有转换效率高，增益大的特点，可实现高功率高光束质量偏振光输出。适用于超快光纤激光器，以及要求偏振光输出的光纤激光器和放大器。熊猫型保偏掺镱光纤,熊猫型保偏掺镱光纤截止波长880±80nm技术参数产品特点高精度几何尺寸控制截面几何对称性良好光学性能优异应用领域材料加工、科学研究和医疗高精度测量光学检测超快光纤激光器和放大器 规格参数PN#Yb85-6/125-PMYb85-20/400-PMYb85-30/250-PM(纤芯吸收)Core Absorption at 915nm(nominal)85dB/m//模场直径Mode Field Diameter at 1060 nm (1)6.0 ± 0.520.0 ± 1.530.0 ± 0.5包层吸收Cladding Absorption at 920 nm/0.52.3核心数值孔径Core Numerical Aperture (nominal)0.110.0650.060截止波长Cut-off wavelength (2)880 ± 80nm880 ± 80nm880 ± 80nm包层数值孔径Cladding Numerical Aperture, ≥Core background loss at 1200 nm, ≤≤15db/km≤15db/km≤30db/km双折射Birefringence, ≥(1E-04)2.541.5芯包同心度Core Concentricity Error, ≤1.0um5um4um包层直径Cladding Diameter (flat-to-flat)125 ± 2um400 ± 10um250 ± 5.0um包层几何形状Cladding GeometryRound, PANDARound, PANDARound, PANDA涂层直径Coating Diameter245 ± 15um 550 ± 15um400 ± 15um涂层材料Coating MaterialDual coated low index acrylate双涂层低指数丙烯酸酯Dual coated low index acrylateDual coated low index acrylate验证试验Proof Test, ≥100kpsi100kpsi100kpsi二,LIEKKI Yb1200-10/125‒ 大模场双包层掺镱光纤LIEKKI Yb1200-10/125 光纤是高度掺杂的大模面积光纤，适用于中等功率光纤激光器和放大器应用。高包层吸收、低光暗化损耗和高光束质量的结合使它们成为紧凑型光纤功率放大器的理想选择。 LIEKKI Yb1200-10/125 光纤可用作双包层 (Yb1200-10/125DC) 和双包层保偏 (Yb1200-10/125DC-PM) 光纤。光纤类根据数量价格,合同金额原则上不低于3500元 LIEKKI Yb1200-10/125‒ 大模场双包层掺镱光纤,LIEKKI Yb1200-10/125‒ 大模场双包层掺镱光纤通用参数 特征行业领xian的纤维沉积工艺——直接纳米颗粒沉积realNA — 精确的光纤纤芯 NA，可实现出色的光纤性能可预测性和zui小的熔接损耗适用于低非线性和高光束质量应用的大型、低 NA 纤芯结合高泵浦吸收和低光暗化损失丙烯酸酯涂层使光纤能够在极端环境条件下应用：经证明可在高达 120&ring C 和极端湿度下工作。匹配无源光纤，经过优化设计，可将熔接损耗降至zui低应用中等功率放大器和激光器脉冲和连续波应用用于倍频的红外源 工业、医疗和科学应用参数FiberLIEKKI Yb1200-10/125DCLIEKKI Yb1200-10/125DC-PMOpticalUnits976 nm时的峰值包层吸收（标称）dB/m(7.4)(7.4)920 nm时的包层吸收dB/m1.7 ± 0.31.7 ± 0.3模场直径（1）（标称）um(11.1)(11.1)核心数值孔径（realNA）0.080 ± 0.0050.080 ± 0.005包层数值孔径，≥0.480.48Core background loss at 1200 nm, ≤1200 nm时的堆芯背景损耗，≤dB/km2525Birefringence, ≥双折射，≥1E-04-1.4几何和机械属性纤芯直径um10.0 ± 1.010.0 ± 1.0纤芯同心度误差，≤um1.01.0Cladding Diameter (flat-to-flat)包层直径（平到平）um125 ± 2125 ± 2包层几何形状OctagonalRound, PANDA涂层直径245 ± 15245 ± 15涂层材料Dual coated low index acrylate双涂层低指数丙烯酸酯Dual coated low index acrylate验证试验，≥kpsi100100单模掺镱纤芯泵浦光纤 1030-1100nm (用于低功率光纤激光器)DF1100单模掺镱纤芯泵浦光纤用于低功率光纤激光器。它在977 nm处提供900 dB的高峰值吸收，并且提供了900到1064 nm的宽泵浦范围。 SM掺镱光纤（DF1100）是一种高掺杂的掺镱单模光纤 为低功率光纤激光器和放大自发辐射（ASE）光源设计的电平。 DF1100设计用于915nm或980nm左右的堆芯泵送。高吸收率允许短时间 用于飞秒锁模环形激光器或前置放大器的增益长度。 可以通过改变光纤的长度来调节光纤的发射光谱，发射 DF1100可实现1030nm至1100nm。核心泵送设计 1060、1085 和 1550nm 发射 ,与熔接锥形接头兼容的接头 ,低泵阈值设计光纤类根据数量价格,合同金额原则上不低于3500元 单模掺镱纤芯泵浦光纤 1030-1100nm (用于低功率光纤激光器),单模掺镱纤芯泵浦光纤 1030-1100nm (用于低功率光纤激光器)通用参数产品特点核心泵送设计1060、1085 和 1550nm 发射与熔接锥形接头兼容的接头低泵阈值设计典型应用：光纤激光器放大自发发射 (ASE) 光源掺铒光纤放大器 (EDFA)有线电视 (CATV)教育工具包参数工作波长(nm)1030 - 1100截止波长(nm)800- 900数值孔径0.14-0.17模场直径(m)5.1-6.3 @1085nm衰减(dB/km)50 @1200nm验证实验(%)1 (100 kpsi)包层直径(um)125 ±1 µ m纤芯包层同心度(um)0.5涂层直径(um)245 ± 7涂层类型Dual Layer Acrylate工作温度(C)-55至+85泵浦吸收峰值(dB/m)1500(标称）@977nm掺杂剂镱 Ytterbium (Yb)

一,ER30-4/125掺铒单模光纤高掺铒光纤适用于从1530到1610 nm波长区域（C和L波段）的光纤激光器和放大器。这些光纤覆盖了广泛的应用领域，从通讯放大器（掺铒光纤放大器）到高功率无源光网络/有线电视助推器，以及用于仪表、工业、医疗的超短脉冲放大器。这些高掺杂的的光纤具有标准的 Ø 125 µ m的包层直径。我们这款深截至波长的掺铒光纤在L波段有超过50%的转换效率，是普通光纤20米的一个转换效果。光纤类根据数量价格,合同金额原则上不低于3500元 ER30-4/125掺铒单模光纤,ER30-4/125掺铒单模光纤产品特点● 针对于发射波长从1530到1610 nm，泵浦波长为980 nm和1480 nm● 几何特性使双折射效应很低，并且有出色的熔接特性● 对于泵浦激光单模光纤的典型熔接损耗小于0.1 dB● 对于SMF-28e+光纤的典型熔接损耗小于0.15 dB产品应用● C-和L-波段密集波分复用、Metro、有线电视和无源光网络● 受激自发辐射来源● 连续和脉冲激光器和放大器技术参数产品类别掺杂光纤光纤类型EDF40-F吸收峰值1532nm1(Max.[1530–1535 nm])范围30±3dB/m吸收峰值1532nm1(Max.[1530–1534 nm])典型值36 dB/m250m光纤长度上的吸收峰值波动≤2.5 %背景损耗 (Min.[1100–1300 nm])最大值≤ 10 dB/km背景损耗 (Min.[1100–1300 nm])典型值≤ 6 dB/km弯曲敏感度 (100 m, 15 mm弯曲半径, λ 1620 nm)≤ 0.1 dB截至波长890±90nm模场直径1550 nm6.5 ± 0.5μm数值孔径0.2熔接衰减 (with G.652 at 1300 & 1700 nm)≤ 0.2 dB偏振模色散 (100 m)≤ 0.25 ps包层直径125 ±1 μm涂覆层直径250 ±7 μm芯/包层同心度≤0.7 μm包/涂覆层同心度≤ 12.5 μm光纤强度1.5 % (150 KPSI)商业段长（±5 m）250, 500, 1000 m存储温度- 40°C to +75°C工作温度- 5°C to +75°C存储湿度(非凝露)5 % to 95%工作湿度(非凝露)5 % to 95 %对掺铒光纤ER30-4/125(长约5米)进行了群延迟、色散和差分群延迟检测；结果如下：群延迟以下是ER30-4/125掺铒光纤在三种不同的泵浦功率下群延迟(GD)关于波长的函数曲线。群延迟的概念是信号(例如，调制波前的特殊点)中的信息传输光学路径长度所需要的时间。色散以下是ER30-4/125掺鉺光纤在三种不同的泵浦功率下色散(CD)关于波长的函数曲线。色散是群延迟与波长关系图的局部坡度。差分群延迟以下是掺铒光纤ER30-4/125在三种不同的泵浦功率下差分群延迟(DGD)关于波长的函数曲线。差分群延迟被定义为所有偏振态的最大群延迟变化二,ER40-6/125高掺杂EDF掺铒光纤稀土掺杂光纤通常用于光纤激光器和放大器和ASE光源.Microphotons提供受激辐射波段在1000-1100 nm间掺镱(Yb)光纤、辐射在C和L通讯波段(1530 - 1610 nm)的掺铒(Er)光纤和辐射波段在1.9-2.1 µ m的掺铥(Tm)光纤。掺铒、镱、铥的光纤有单模和大模场区域(LMA)可选，掺镱和铥还可以选择保偏光纤(PM)。筱晓光子提供全系列掺铒光纤产品，可满足苛刻的光放大器设计要求，放大范围覆盖C波段和L波段。应用1480nm或980nm泵浦技术，掺铒光纤可实现35nm的放大带宽，并在带宽范围内保持增益平坦，可获得理想的功率转换效率。光纤类根据数量价格,合同金额原则上不低于3500元 ER40-6/125高掺杂EDF掺铒光纤,ER40-6/125高掺杂EDF掺铒光纤产品特点● 优异的光纤均匀性● 高功率转换效率和低噪声设计● 业界领先的光纤几何性能● 低PMD特性● DLPC9双层涂覆确保优异的光纤机械性能● 良好的抗氢损特性● 低熔接损耗特性产品应用● DWDM放大器● CATV放大器● 980nm或1480nm泵浦● 陆地或水下通信● 国防、军工及航空航天领域技术参数产品类别掺杂光纤光纤类型EDF40-F吸收峰值1532nm1(Max.[1530–1535 nm])范围[35-40] dB/m吸收峰值1532nm1(Max.[1530–1534 nm])典型值36 dB/m250m光纤长度上的吸收峰值波动≤2.5 %背景损耗 (Min.[1100–1300 nm])最大值≤ 10 dB/km背景损耗 (Min.[1100–1300 nm])典型值≤ 6 dB/km弯曲敏感度 (100 m, 15 mm弯曲半径, λ 1620 nm)≤ 0.1 dB截至波长2≤ 1300 nm模场直径1550 nm5.4 ± 0.7μm数值孔径0.23 ± 0.02熔接衰减 (with G.652 at 1300 & 1700 nm)≤ 0.2 dB偏振模色散 (100 m)≤ 0.25 ps包层直径125 ±1 μm涂覆层直径250 ±7 μm芯/包层同心度≤0.6 μm包/涂覆层同心度≤ 12.5 μm光纤强度1.5 % (150 KPSI)商业段长（±5 m）250, 500, 1000 m存储温度- 40°C to +75°C工作温度- 5°C to +75°C存储湿度(非凝露)5 % to 95%工作湿度(非凝露)5 % to 95 %备注：1.其他波长吸收峰值可根据要求提供2.截至波长小于980 nm光纤可选低熔接差损吸收波段重复性三,Coractive ER30/ER35/ER40/ER50/Er80 保偏掺铒光纤这种掺铒单包层保偏光纤具有高吸收率和高双折射率，使该产品成为设计眼睛安全的保偏光纤激光器和放大器的理想解决方案，广泛应用在1.5µ m波段。ER35-7-PM 保偏掺铒光纤 ＜1450nm,ER35-7-PM 保偏掺铒光纤 ＜1450nm技术参数产品特点：高吸收-减少非线性效应高双折射率-最小化应力提供高效的能量传输，最小化泵的功率需求低背景损耗产品应用：超快光纤激光器和放大器激光雷达倍频效应医疗科学实验技术参数：光学参数纤芯吸收 @1530 nm – Nominal (dB/m)35 ± 7纤芯数值孔径0.22截止波长(nm)1450 ± 50模场直径 1550 nm (µ m)6.5 ± 0.5双折射≥ 1.4E-04几何和机械参数纤芯直径(µ m)5.8 ± 0.5包层直径(µ m)125 ± 2芯层同心度误差(µ m) 1.0涂层直径(µ m)245 ± 10拉力测试(kpsi)≥ 100 四 , nLIGHT Liekki 高掺杂EDF掺铒光纤/高掺杂铒增益光纤 890/1530nmLIEKKI&trade Er80-4/125-HD-PM光纤光纤是一种高掺杂的，专为光纤设计的保偏铒光纤激光。纤芯折射率分布专为正常色散高于标准阶跃折射率光纤。高铒浓度提供了强大的增益和减少所需的应用长度，以最大限度地减少非线性效应。这使得这种纤维特别适用于超短脉冲应用包含多型号 Er16-8/125 Er30-4/125(HC) Er40-4/125 Er80-8/125 Er110-4/125Er80-4/125-HD-PM保偏铒高掺杂光纤 800-980nm,Er80-4/125-HD-PM保偏铒高掺杂光纤 800-980nm技术参数产品特性优秀的吸收和光谱形状一致性高掺杂浓度使得所需光纤较短，从而降低非线性效应很好的温度稳定性低熔接损耗应用范围脉冲激光器和放大器中级功率的低非线性效应应用领域激光雷达医疗领域光纤传感适用于980nm或1480nm泵浦超短脉冲(femtosecond)放大器，激光器参数特点模场直径 @1550nm6.5 ± 0.5 um纤芯吸收峰值@1530nm80 ± 8 dB/m纤芯数值孔径0.2截止波长800-980 nm纤芯/包层偏差 0.7 um包层直径125 ± 2 um包层形状圆形涂覆层直径245 ± 15 um涂覆层材料高折射率丙烯酸酯压力测试水平 100 Kpsi包层物理结构圆，熊猫型色散值 at 1550 nm(nominal) 1-22ps/(nm*km)双折射，≥1E-04常见参数问题： 掺铒光纤nLIGHT掺铒光纤的吸收和发射截面是多少？请联系nLIGHT光纤代表以接收nLIGHT掺铒光纤吸收和发射截面的代表性数据。nLIGHT标准掺铒光纤的色散是多少？我们的掺铒光纤的色散参数敏感地取决于纤芯直径和纤芯数值孔径。根据假设标称芯径和NA的模拟，可以预期色散参数在以下范围内：光纤几何结构标称色散[ps/（nm*km）]Erxxx-4/125-12-18Erxxx-8/125 10。。。16*适用于1500 nm至1600 nm的波长范围nLIGHT的掺铒光纤的有效核心面积是多少？掺铒光纤的有效纤芯面积取决于纤芯直径和纤芯数值孔径。根据假设标称芯直径和NA的模拟，可以预期芯的有效面积在以下范围内：纤维几何结构标称有效面积[（m² ）]Erxxx-4/125 26。。。32Erxxx-8/125 60。。。70*适用于1500 nm至1600 nm的波长范围nLIGHT的掺铒光纤的非线性系数是多少？根据光纤几何结构，可以预期以下标称非线性折射率：光纤几何结构标称非线性折射率n2[（cm² /W）]Erxxx-4/125 2.0&bull 10.0-16。。。2.2 &bull 10.0-16Erxxx-8/125 2.4&bull 10.0-16。。。2.5 &bull 10.0-16*适用于1500 nm至1600 nm的波长范围nLIGHT掺铒光纤的铒离子密度是多少？考虑到基本模式与纤芯的重叠，并根据光纤类型，可以预期以下铒离子密度：纤维型铒离子密度[（m-3）]Er16-8/125 6.8&bull 10.024Er30-4/125 2.1&bull 10.025Er40-4/125 3.5&bull 10.025Er80-8/125 3.9&bull 10.025Er110-4/125 8.4&bull 10.025*适用于1500 nm至1600 nm的波长范围你们提供与你们的掺铒光纤相匹配的无源光纤吗？我们不为我们的掺铒光纤提供专门的色散工程匹配无源光纤。标准电信光纤通常与我们的铒产品兼容。您的掺铒光纤在1300nm处的背景损耗是多少？请联系nLIGHT光纤代表，以获取光纤在1300 nm处的测量背景损耗。请在询价时提供您光纤的光纤代码。nLIGHT掺铒光纤的纤芯直径和掺铒直径是多少？标称芯径和掺铒直径如下：光纤型标称纤芯和掺铒直径[（m）]Erxxx-4/125 3.5Erxxx-8/125 7.6nLIGHT掺铒光纤的自发辐射寿命是多少？对于我们所有的掺铒光纤，自发辐射寿命可以假定为9 ms左右。nLIGHT掺铒光纤中淬火离子（铒团簇）的比例是多少？淬火离子的分数（铒团簇）如下所示：淬火离子的纤维型分数Er30 xxx 4.80%Er40 xxx 7.0%Er80 xxx 14.0%Er110 xxx 16.0%您建议您的掺铒光纤使用什么长度的光纤？光纤的最佳长度取决于应用，理想情况下应根据模拟确定，并考虑到精确的设计。当假设C波段（L波段）应用的总吸收为70 dB（600 dB）时，可获得初始估计值。因此，光纤长度为：1530nm[dB/m]下的光纤类型标称吸收光纤型号1530nm下的标称吸收[dB/m]C波段应用长度[（m）]L波段应用长度[（m]Er16-8/125164.538Er30-4/125(HC)302.320Er40-4/125401.815Er80-8/125800.97.5Er110-4/1251100.67.5 五,MetroGain 掺铒光纤(C+L波段) Fibercore M-12(980/125)掺饵光纤属于Fibercore公司的掺铒MetroGain系列光纤。该系列光纤专门为低成本或者小型的单级EDFA而设计的。其具有高光转换效率，从而可以仅利用较短的光纤长度即可实现EDFA。该系列光纤拥有多种包层大小规格，从而可以满足不同EDFA的需求。MetroGain系列光纤提供了三款基于980nm泵浦的产品和一款基于1480nm泵浦的产品，可实现C波段（1530~1565nm）和L波段（1565~1625nm）的光纤放大器。M-12(980/125)是一款基于980nm泵浦的光纤，泵浦吸收率高，因此作为增益光纤其所需长度短。该范围设计用于高效率“Metro-style”掺铒光纤放大器（EDFA）配置、单级放大器、放大自发辐射（ASE）光源和单通道或少通道EDFA。M-5（980/125）提供了相对较低的掺杂水平，通过降低放大器输出对精确增益长度的灵敏度来简化EDFA制造过程。M-12（980/125）具有高吸收水平，可以缩短增益长度，降低材料成本。M-12（980/80）是一种80µ M变体，受益于标准M-12（980/125）的更高吸收率，但在用于小线圈直径时允许显著更长的机械寿命，对于小型EDFA设计（如小型EDFA和微型EDFA）尤其重要。M-3（1480/125）设计用于1480nm的泵浦，其泵浦转换效率高于980nm的泵浦。光纤类根据数量价格,合同金额原则上不低于3500元 MetroGain 掺铒光纤(C+L波段),MetroGain 掺铒光纤(C+L波段)通用参数产品特性高吸收，可用于窄增益界面或短激光腔高转换效率高转换效率出色的熔接特性 针对泵浦光波长为 980 纳米和 1480 纳米，发射波长为 C 或 L 波段优化 应用范围EDFA光纤放大器 ASE光源单通道光纤放大器微型光纤放大器技术参数：M-3(1480/125)M-5(980/125)M-12(980/125)(980/80)截止波长 (nm)1300-1450900- 970数值孔径0.21 -0.24模场直径 (um)5.1-5.9@1550nm5.5-6.3@1550nm5.7-6.6@1550nm泵浦吸收率Absorption (dB/m)2.8-3.8@1480nm6.5-10.1@1531nm4.5-5.5 @980nm5.4-7.1@1531nm11.0-13.0 @980nm16.0- 20.0 @1531nm拉力测试(%)1(100kpsi)Attenuation 衰减 (dB/km)≤10@1200nmPolarization Mode Dispersion (ps/m)0.005包层直径(um)125±180±1纤芯偏离度(um)≤0.3裸光纤直径 (um)245±15170±10涂覆层材料双丙烯酸酯典型吸收和发射光谱七 ,PS-ESF-3/125 掺铒光敏光纤 1530-1625nm相干高性能PS-ESF-3/125是分布反馈（DFB）和分布布拉格反射（DBR）激光器的理想光纤。这些光纤被设计成固有的光敏性，使器件长度变短，并具有良好的泵转换效率。如有要求，可根据客户要求提供光纤或更高感光性的产品。光纤类根据数量价格,合同金额原则上不低于3500元 PS-ESF-3/125 掺铒光敏光纤 1530-1625nm,PS-ESF-3/125 掺铒光敏光纤 1530-1625nm通用参数特点和优点具有中等Er掺杂浓度的固有光敏性使得具有叠加光纤光栅结构的短长度器件成为可能高效率的泵信号转换良好完全匹配的无源光纤有助于构建基于光纤的组件和尾纤，具有低的泵浦和信号耦合损耗。典型应用超短甚窄线宽全光DFB和DBR激光器参数:参数单位指标型号PS-ESF-3/125工作波长nm1530-1625数值孔径NA0.280模场直径MFD @ 1550nmum5.5±1.0截止波长nm920±50峰值吸收近1530nmdB/m8.5±1.0包层直径um125.0 ±1.0纤芯直径um3.0涂覆层直径um245.0 ±15.0纤芯/包层同心度偏差um≤0.5包层/涂覆层偏差um5涂覆层材料Acrylate工作温度℃-40 ~ +85强度测试水平kpsi≥100 (0.7GN/m2)

1、产品简介FemtoFiber dichro系列可同时产生两束完全同步，不同波长的激光。 这个新概念提供了一个紧凑和易于使用的激光系统，只需按下按钮即可使用。作为TOPTICA第一个基于该新平台的激光系统，FemtoFiber dichro midIR使用这种新方法生成宽带中红外光谱。 该系统基于铒掺杂光纤激光器，可提供宽带激光脉冲，可调范围在5 - 15μm。 这些中红外脉冲通过1.5μm基波源和1.7-2μm超连续光谱源之间的差频（DFG）产生的。2、产品特点 SAM锁模，全保偏光纤设置 用户友好一站式操作系统 坚固，可靠而又紧凑的设计 双波长同步输出 半自动时延调整3、产品参数波长脉宽平均功率重频FemtoFiber dichro midIR5 - 15 μm,20 - 60 THz,670 - 2000 cm-1 (tuning range)---typ. 1 mW80 MHz如有其它需求，请联系我们。

技术参数：脉冲宽度(FWHM)： 150-300 fs 波长： 1560 ± 10 nm 平均输出功率： 100 mW 峰值输出功率：最高10 kV 重复频率： 40-80 MHz 功率输出： 100 mW, TEM00, 线偏振或光纤输出 (FC/APC) 工作光输出： FC/APC (~1 mW) RF 输出：SMA 锁模状态：SMA主要特点：特点：占用空间小，转键操作，高度稳定性

1 产品概述: 离子注入设备，又称为离子注入机，是半导体制造中的关键设备之一。它通过将可控数量的离子（如硼、磷、砷等）加速并注入到半导体材料（如硅片）的特定区域，以改变其电学性能，实现掺杂的目的。离子注入技术具有精确控制掺杂深度、浓度和横向分布的能力，是现代集成电路制造中不可或缺的一环。离子注入设备主要由离子源、离子引出和质量分析器、加速管、扫描系统和工艺腔等部分组成。离子源负责产生所需的离子，经过质量分析器筛选后，由加速管加速至几百千电子伏特的能量，最后通过扫描系统均匀地注入到硅片表面。工艺腔则提供了一个真空环境，确保离子注入过程的顺利进行。2 设备用途：离子注入设备在半导体制造领域具有广泛的用途，主要包括以下几个方面：集成电路制造：在制造集成电路的过程中，离子注入技术用于形成晶体管的源极、漏极和沟道等关键区域，以及实现电路的隔离和互联。金属材料表面改性：通过离子注入技术，可以在金属材料表面形成一层具有特殊性能的改性层，如提高耐磨性、耐腐蚀性和硬度等。薄膜制备：离子注入技术还可以用于制备具有特定性能的薄膜材料，如超导薄膜、光学薄膜等。3 设备特点离子注入设备具有以下几个显著特点：精确控制：离子注入技术可以精确控制掺杂离子的种类、数量、深度和横向分布，满足集成电路制造中对掺杂精度的极高要求。低温处理：与传统的热扩散工艺相比，离子注入技术可以在较低的温度下进行，避免了高温处理对半导体材料性能的影响。广泛应用：离子注入技术不仅应用于半导体制造领域，还扩展到金属材料表面改性、薄膜制备等多个领域。4 技术参数和特点：可适用于晶圆尺寸8inch等，搭载了可对应不定形基板的台板。离子源，除Gas source之外，另外可以使用安全方面更容易处理的B、P、As离子等固体蒸发源。HV terminal的部分，与量产装置是同样的构成，可确保高信赖性。可大范围对应从试作到量产的各类需求。

1 产品概述: 离子注入设备，又称为离子注入机，是半导体制造中的关键设备之一。它通过将可控数量的离子（如硼、磷、砷等）加速并注入到半导体材料（如硅片）的特定区域，以改变其电学性能，实现掺杂的目的。离子注入技术具有精确控制掺杂深度、浓度和横向分布的能力，是现代集成电路制造中不可或缺的一环。离子注入设备主要由离子源、离子引出和质量分析器、加速管、扫描系统和工艺腔等部分组成。离子源负责产生所需的离子，经过质量分析器筛选后，由加速管加速至几百千电子伏特的能量，最后通过扫描系统均匀地注入到硅片表面。工艺腔则提供了一个真空环境，确保离子注入过程的顺利进行。2 设备用途：离子注入设备在半导体制造领域具有广泛的用途，主要包括以下几个方面：集成电路制造：在制造集成电路的过程中，离子注入技术用于形成晶体管的源极、漏极和沟道等关键区域，以及实现电路的隔离和互联。金属材料表面改性：通过离子注入技术，可以在金属材料表面形成一层具有特殊性能的改性层，如提高耐磨性、耐腐蚀性和硬度等。薄膜制备：离子注入技术还可以用于制备具有特定性能的薄膜材料，如超导薄膜、光学薄膜等。3 设备特点离子注入设备具有以下几个显著特点： 精确控制：离子注入技术可以精确控制掺杂离子的种类、数量、深度和横向分布，满足集成电路制造中对掺杂精度的极高要求。低温处理：与传统的热扩散工艺相比，离子注入技术可以在较低的温度下进行，避免了高温处理对半导体材料性能的影响。广泛应用：离子注入技术不仅应用于半导体制造领域，还扩展到金属材料表面改性、薄膜制备等多个领域。 4 技术参数和特点： &bull 基板尺寸：Max200mm枚叶式可对应薄片Wafer&bull 非质量分离机的对比优点1)对应低加速.高浓度的好产能离子注入设备2)相比过去约一半的低价3)相比过往设备占用面积为1/3的紧凑型设计

1 产品概述: 离子注入设备，又称为离子注入机，是半导体制造中的关键设备之一。它通过将可控数量的离子（如硼、磷、砷等）加速并注入到半导体材料（如硅片）的特定区域，以改变其电学性能，实现掺杂的目的。离子注入技术具有精确控制掺杂深度、浓度和横向分布的能力，是现代集成电路制造中不可或缺的一环。离子注入设备主要由离子源、离子引出和质量分析器、加速管、扫描系统和工艺腔等部分组成。离子源负责产生所需的离子，经过质量分析器筛选后，由加速管加速至几百千电子伏特的能量，最后通过扫描系统均匀地注入到硅片表面。工艺腔则提供了一个真空环境，确保离子注入过程的顺利进行。2 设备用途：离子注入设备在半导体制造领域具有广泛的用途，主要包括以下几个方面：集成电路制造：在制造集成电路的过程中，离子注入技术用于形成晶体管的源极、漏极和沟道等关键区域，以及实现电路的隔离和互联。金属材料表面改性：通过离子注入技术，可以在金属材料表面形成一层具有特殊性能的改性层，如提高耐磨性、耐腐蚀性和硬度等。薄膜制备：离子注入技术还可以用于制备具有特定性能的薄膜材料，如超导薄膜、光学薄膜等。3 设备特点离子注入设备具有以下几个显著特点： 精确控制：离子注入技术可以精确控制掺杂离子的种类、数量、深度和横向分布，满足集成电路制造中对掺杂精度的极高要求。低温处理：与传统的热扩散工艺相比，离子注入技术可以在较低的温度下进行，避免了高温处理对半导体材料性能的影响。广泛应用：离子注入技术不仅应用于半导体制造领域，还扩展到金属材料表面改性、薄膜制备等多个领域。4 技术参数和特点：基板尺寸：Max200mm大能量：2400 keV枚叶式可对应薄片Wafer平行Beam

LINSEIS L75V 垂直模式热膨胀仪系列的开发是为了满足学术界和实验室研究的需求。该系列热膨胀仪可以测定固体、液体、粉末和胶体的热膨胀系数。由于垂直系统的“零摩擦”的设计保证了测量结果的精确性，该系统的独特的垂直设计适合低或超低膨胀系数材料。该系列热膨胀仪能够在真空条件下，氧化性和还原性气氛中测量。 该系统可以用于单样品或差示条件下测量以获得更高的精度或样品通量。该系列热膨胀仪的可选机械和电子部件便于拆卸在手套箱中的测量。新低温炉配件：温度可降至10K LINSEIS L75垂直超低温操作系统（“零摩擦”）。该系统提供一个宽泛的温度范围（-260°C ——+220°C ），多种样品支架可选。在真空或程序控制的氧化环境或还原环境中进行测量时，仍能保证高精度和易操作性。 可以测量以下的物理性质：热膨胀系数，线性热膨胀，物理热膨胀，烧结温度，相变，软化点，热分解温度，玻璃化转变温度。配置单杆或差示热膨胀仪温度范围-180°C —— 500/700/1000°CRT —— 1000/1400/1600/1650/2000/2400/2800°C-260°C —— +220°C (液氦)加热/冷却速率*0.01 K/min —— 100 K/min 样品支架熔融石英 1100°CAl2O3 1750°C石墨 2000°C样品长度≤50 mm样品直径7/12/20 mm可调样品压力 ≤ 1000 mN测量范围500/5000 μm分辨率0.125 nm气氛还原、惰性、氧化、静态/动态DTA计算可选电路板集成接口USB* 取决于炉体*价格范围仅供参考，实际价格与配置等若干因素有关。如有需要，请拨打电话咨询。我们定会将竭尽全力为您制定完善的解决方案。

铌酸锂(LiNbO3)电光相位调制器所属类别： » 调制器 » 铌酸锂(LiNbO3)电光调制器所属品牌：法国Photline公司铌酸锂相位调制器，40Gbps/40GHz高速调制器，工作波长涵盖了800nm, 1060nm, 1300nm, 1550nm和2um。关键词：电光相位调制器，铌酸锂电光相位调制器，铌酸锂相位调制器，相位调制器、高速调制器、铌酸锂高速调制器、高速铌酸锂电光调制器，LiNbO3 modulator法国Photline公司提供的铌酸锂(LiNbO3)电光调制器产品线非常丰富，包括强度调制器和相位调制器，电光带宽从低频到40Gbps/40GHz高速调制器均可提供，工作波长涵盖了800nm, 1060nm, 1300nm, 1550nm和2um。与Photline公司的射频驱动配合，我们的调制器为科研实验和工业系统集成提供各种合适的解决方案。 1550nm波段铌酸锂(LiNbO3)电光相位调制器 MPX-LN-0.1是专为低频相位调制(100MHz)设计一款铌酸锂(LiNbO3)相位调制器。该器件的集成化电极使其半波电压极低，X-Cut设计使其在高温下依然具有很强的稳定性。MPX-LN-0.1是恶劣环境中光纤传感应用的的理想器件。同时，该调制器具有高输入阻抗和低频性能优化的特点，使用更简便。MPX-LN, MPZ-LN系列高速相位调制器专为光学相位调制器设计，其调制频率40GHz。该系列产品为各种需要超高带宽和低插入损耗的应用提供解决方案，其中包括各种相位编码格式的模拟与数字通讯。应用：相位键控光通讯(Phase keyed optical communications)相干通讯连接(Coherent communication links)光谱展宽(Spectrum broadening)干涉型传感(Interferometric sensing)啁啾-频率调制(Chirping - Frequency modulation)量子密钥分配(Quantum Key Distribution) ParameterMPX-LN-0.1MPX-LN-05MPZ-LN-10MPZ-LN-20MPZ-LN-40Electro-Optic Bandwidth150MHz (Typ)5GHz (Typ)12GHz(Typ)20GHz (Typ)32GHz (Typ)Insertion Loss3.5dB (Typ)2.5dB (Typ)VП3V (Typ)6V (Typ)5V (Typ)7V (Typ) 1000nm波段铌酸锂(LiNbO3)电光相位调制器 NIR-MPX-LN-0.1是专为1000nm波长低频相位调制(100MHz)设计一款铌酸锂(LiNbO3)相位调制器。该器件制作中使用了基于质子交换的波导制作工艺，使其能够承受100mW的光功率，并具有很强的稳定性。同时，该调制器具有高输入阻抗和低频性能优化的特点，使用更简便.NIR-MPX-LN系列高速相位调制器是专为1000nm波长设计的铌酸锂(LiNbO3)相位调制器，调制频率可达10GHz。该器件制作中使用了基于质子交换的波导制作工艺，使其能够承受100mW的光功率，并具有很强的稳定性。应用：光谱展宽(Spectrum broadening)干涉型传感(Interferometric sensing)啁啾-频率调制(Chirping - Frequency modulation)ParameterNIR-MPX-LN-0.1NIR-MPX-LN-05NIR-MPX-LN-10Operating Wavelength980-1150nmElectro-Optic Bandwidth150MHz (Typ)5GHz (Typ)8GHz(Typ)Insertion Loss3.5dB (Typ)VП6V (Typ)8V (Typ) 800nm波段铌酸锂(LiNbO3)电光相位调制器 NIR-MPX800-LN-0.1是专为800nm波长低频相位调制(100MHz)设计一款铌酸锂(LiNbO3)相位调制器。该器件制作中使用了基于质子交换的波导制作工艺，使其能够承受100mW的光功率，并具有很强的稳定性。同时，该调制器具有高输入阻抗和低频性能优化的特点，使用更简便.NIR-MPX800-LN系列高速相位调制器是专为800nm波长设计的铌酸锂(LiNbO3)相位调制器，调制频率可达10GHz。该器件制作中使用了基于质子交换的波导制作工艺，使其能够承受较高的光功率，并具有很强的稳定性。应用：量子光学(Quantum Optics)干涉型传感(Interferometric sensing)光纤光学传感器(Fiber Optics Sensors)啁啾-频率调制(Chirping - Frequency modulation)光谱展宽(Spectrum broadening) ParameterNIR-MPX800-LN-0.1NIR-MPX800-LN-05NIR-MPX800-LN-10Operating Wavelength780-890nmElectro-Optic Bandwidth150MHz (Typ)5GHz (Typ)12GHz(Typ)Insertion Loss3.5dB (Typ)4dB (Typ)VП2.5V (Typ)5V (Typ)7V (Typ) 2um波段铌酸锂(LiNbO3)电光相位调制器MPX2000-LN-0.1是专为2.0um波长低频相位调制(100MHz)设计一款铌酸锂(LiNbO3)相位调制器。该调制器具有高输入阻抗和低频性能优化的特点，使用更简便。该器件集成了2.0um的特制波导和2.0um保偏光纤。应用：光学传感ParameterMPX2000-LN-0.1Operating Wavelength1900-2200nmElectro-Optic Bandwidth100MHz (Min) 150MHz (Typ)Insertion Loss3dB (Typ)VП100V (Min) 150V (Typ) 相关产品ModBox可调谐激光器铌酸锂(LiNbO3)电光强度调制器ModBox一体化铌酸锂调制系统与激光光源铌酸锂(LiNbO3)偏振开关/偏振切换器铌酸锂(LiNbO3)电光调制器射频驱动模块

铌酸锂(LiNbO3)电光强度调制器所属类别： » 调制器 » 铌酸锂(LiNbO3)电光调制器所属品牌：法国Photline公司Photline铌酸锂强度调制器，40Gbps/40GHz高速调制器，工作波长涵盖了800nm, 1060nm, 1300nm, 1550nm和2um。关键词：强度调制器、铌酸锂强度调制器，光纤耦合电光调制器，铌酸锂高速调制器、高速铌酸锂电光调制器，高速调制器、G赫兹调制器，GHz调制器法国Photline公司提供的铌酸锂(LiNbO3)电光调制器LiNbO3 modulators产品线非常丰富，包括强度调制器和相位调制器，电光带宽从低频到40Gbps/40GHz高速调制器均可提供，工作波长涵盖了800nm, 1060nm,1300nm, 1550nm和2um。与Photline公司的射频驱动配合，我们的调制器为科研实验和工业系统集成提供各种合适的解决方案。 1550nm波段铌酸锂电光强度调制器(LiNbO3Amplitude modulation) 马赫-曾德尔调制器(Mach-Zehndermodulator)的X-Cut设计使其具有极高的工作稳定性和零啁啾性能。Photline公司具有专利技术的波导设计使其铌酸锂电光强度调制器兼具低损耗与高消光比的特性。MX-LN系列铌酸锂(LiNbO3)强度调制器为光通信应用而设计，数据速率可达40Gb/s，是光通讯应用中NRZ、RZ、DPSK、Duo Binary调制模式的理想器件，也为各种高带宽应用的关键器件。MZDD-LN-20铌酸锂(LiNbO3)强度调制器是专为光通讯应用设计的双驱动强度调制器，数据速度可达28Gb/s,模拟调制速度可达20GHz。马赫-曾德尔调制器(Mach-Zehnder)的双驱动设计使其兼具低插入损耗、高带宽和极低的半波电压等特点，为当前各种先进的应用提供了很好的解决方案。应用：NRZ、RZ、DPSK数字通讯(2.5 Gb/s, 10 Gb/s, 28 Gb/s, 40 Gb/s)；20GHz模拟传输、强度外调制、测试与测量ParameterMX-LN-10MX-LN-20MX-LN-40MZDD-LN-20Electro-Optic Bandwidth12GHz (Typ)20GHz(Type)30GHz (Typ)20GHz(Typ)Insertion Loss4dB (Typ)3.5dB(Typ)VП RF4V (Typ)5.5V (Typ)6.4V (Typ)3.5V (Typ) MXAN-LN系列铌酸锂强度调制器(LiNbO3 modulator)专为模拟调制应用设计，调制频率可达40GHzMXDO-LN-20铌酸锂强度调制器(LiNbO3 modulator)是具有双光纤输出的模拟强度调制器。该器件专业化的设计为两个互补的光纤输出提供很好的输出平衡(Output Blance: 5%)，为使用差分探测的光纤射频系统(ROF)与微波光子应用提供20GHz的模拟通讯。应用：光纤射频系统(Radio Over Fiber)、雷达天线远程化(Antenna Remoting)、雷达与卫星通信(Radar/Satcom)、测试与测量、高频光纤连接ParameterMXAN-LN-10MXAN-LN-20MXAN-LN-40MXDO-LN-20Electro-Optic Bandwidth12GHz (Typ)20GHz(Typ)30GHz (Typ)20GHz(Typ)Insertion Loss4dB (Typ)4dB(Typ)VП RF5.5V (Typ)5.5V (Typ)6.4V (Typ)5.5V (Typ) MXER-LN-10铌酸锂(LiNbO3)强度调制器是一款具有极高消光比的高性能强度调制器。基于Photline的&ldquo Magic Junction&rdquo 专利设计，该调制器广泛应用于要求高消光比与高带宽应用领域，例如光放大前的激光脉冲选择、脉冲产生和基于传感系统的激光雷达应用、光纤传感应用等。应用：超快脉冲生成、脉冲选择、脉冲整形、载波抑制、光纤传感 MXER-LN-10ParameterMinTypMaxUnitOperating Wavelength1530-1580nmExtinction Ratio40 dBInsertion Loss-4-dBElectro-Optic Bandwidth-12-GHz 1310nm波段铌酸锂(LiNbO3)电光强度调制器 MX1300-LN-10 是专为1310nm波段设计的铌酸锂电光强度调制器。得益于在1310nm波长优化的光波导和为1310nm波段优选的光纤，这款器件可谓是真正的1310nm强度调制器。 应用：NRZ、RZ、DPSK数字通讯(2.5 Gb/s, 10 Gb/s)、1310nm波段强度外调制 MX1300-LN-10ParameterMinTypMaxUnitElectro-Optic Bandwidth1012-GHzInsertion Loss-4-dBVП RF-4-V 1000nm波段铌酸锂(LiNbO3)电光强度调制器 INR-MX-LN-10 是专为1000nm波段设计的铌酸锂电光强度调制器。这款调制器在1000nm波段具有铌酸锂(LiNbO3)外调制所固有的独特性能：高带宽、可达30dB的高消光比、使用简便等。得益于Photline公司专有的波导制作工艺，INR-MX-LN-10具有稳定的性能，并能够承受几十mW的输入光功率。 应用：超快脉冲生成、脉冲选择、脉冲整形、载波抑制、光纤传感、光纤激光器、光通讯 INR-MX-LN-10ParameterMinTypMaxUnitElectro-Optic Bandwidth1012-GHzInsertion Loss-6-dBOptical Power Handling -100mWExtinction Ratio-30-dB 800nm波段铌酸锂(LiNbO3)电光强度调制器 NIR-MX800-LN系列铌酸锂(LiNbO3)电光强度调制器是专为800nm波段设计的高带宽强度调制器。这款调制器在800nm波段具有铌酸锂(LiNbO3)外调制所固有的独特性能：高带宽、高消光比、使用简便等。得益于Photline公司专有的波导制作工艺，INR-MX800-LN-10具有稳定的性能，并能够承受几十mW的输入光功率。 应用：10 GbE850nm、超快脉冲生成、脉冲选择、脉冲整形、载波抑制、量子光学 ParameterINR-MX800-LN-10INR-MX800-LN-20Electro-Optic Bandwidth12GH (Typ)25GH (Typ)Insertion Loss4.5dB (Typ)Optical Power Handling20mW (Max)Extinction Ratio25dB (Typ) 2um波段铌酸锂(LiNbO3)电光强度调制器 MX2000-LN系列铌酸锂(LiNbO3)电光强度调制器是专为2um波段设计的强度调制器，调制频率可达10GHz。这款调制器在2.0um波段具有铌酸锂(LiNbO3)外调制所固有的独特性能：高带宽、高消光比、使用简便等。该器件基于X-Cut设计使其具有很强的稳定性，其中集成了2.0um的特制波导和2.0um保偏光纤。 ParameterMX2000-LN-01MX2000-LN-10Operating Wavelength1900-2200nmInsertion Loss4dB (Typ)Electro-Optic Bandwidth1GHz(Min) 2GHz (Typ)10GHz(Min) 20GHz (Typ) 相关产品ModBox可调谐激光器铌酸锂(LiNbO3)电光相位调制器ModBox一体化铌酸锂调制系统与激光光源铌酸锂(LiNbO3)偏振开关/偏振切换器铌酸锂(LiNbO3)电光调制器射频驱动模块

产品简介Allalin是一种纳米分辨率光谱仪器，基于一种被称为定量阴极荧光的突破性技术，它将光学显微镜和扫描电子显微镜（SEM）集成到一个系统中。Allalin允许“不折不扣”的大视场快速扫描同时获得扫描电镜成像与高光谱或全色CL图。该系统的构建是为了在不牺牲扫描电镜（SEM）性能的前提下获得最佳的阴极荧光性能：光学显微镜和扫描电镜的物镜被周密的整合在一起，使它们的焦平面相互匹配；光学显微镜以亚微米精度加工，与传统的CL技术相比，具有高数值孔径（N.A.0.71）的消色差、高数值孔径（N.A.0.71）检测，在大视场（高达300μm）下具有优越的光子收集效率。因此，定量阴极荧光，其中与仪器相关的工件可以从本质上排除作为光谱特征或对比度的原因，这使阴极荧光首次变的可信。Allalin是为那些需要遵循严格的技术路径和快速获取非常精确的光谱信息而设计的，而这些信息是传统方法无法企及的。在半导体故障分析、开发和研究中，Allalin的光谱测量能力为快速可靠的缺陷检测和定位提供了无与伦比的解决方案。经过验证的数据类型包括位错密度、材料成分波动、应变、掺杂剂类型和浓度的测量；以及其他广泛的应用。在科学研究中，Allalin能够创建纳米分辨率的光谱图，这使得它成为深入了解纳米尺度材料物理特性的终极工具。Allalin拥有一套全面的功能选项：覆盖紫外-红外波长范围的各种探测器选择、SE检测器、稳定的低温样品台和高灵敏度的EBIC（电子束感应电流）检测解决方案。技术参数电子光学系统– 肖特基热场发射电子枪– 电子束能量 1keV–10keV– 最小电子束斑尺寸: 3nm @10kV– 最佳工作距离 3mm– 高灵敏度SE检测器– 可升级为皮秒脉冲激光电子枪（更多信息请 参阅Chronos信息）– 探针电流: 30pA to 300nA光学系统– 视场可达 300µ m– 集成光收集系统: 由朗伯体发射的光子有30%离开显微镜(在整个视场中是恒定的)– 消色差反射物镜从180nm 到 1.6µ m– 数值孔径: NA 0.71 (f/0.5) 光检测– 色散光谱仪，带有两个成像出口(320毫米焦距)和一个3光栅转台(Attolight提供大量衍射光栅，以匹配您的应用)，电动入口和出口狭缝用于紫外可见光(200 nm–1100 nm)测的高速CCD摄像机， 最高速度900光谱/秒 – 用于近红外(600 nm–1700 nm)检测的InGaAs摄像机最高速度180光谱/秒– 使用不同的探测器在200 nm–1700 nm范围内进行全色检测，最高速度每像素50 ns电子束感应电流(EBIC)– 低噪音EBIC电路板 – 电流测量极限100fA – 增益10^4到10^15V/A – 带宽最大 100kHz样品室与真空系统– 无油真空泵组系统：用于电子枪和电子柱的吸气剂离子泵和用于样品室的涡轮分子泵– 一般换样时间：20 min– 真空门上配有电子馈通纳米定位平台– 6自由度，可任意移动(与低温恒温器兼容）– 行程: 25mm (X,Y), 3mm (Z), 3° 倾斜(X,Y), 10° 旋转 (Z) – 步进: 1 nm – 整个行程范围内100 nm的重复性 – 坐标系统，便于精确定位和移动低温恒温系统– 温度范围从 10K 到室温，温度精度0.1 K– 先进的数字温度控制器 – 温度为10 K时，每小时漂移小于300nm系统控制和检测模块– 同时进行CL（高光谱或全光谱图谱）、SEM和EBIC检测– 半自动操作模式 – 直观的基于触摸屏的图形用户界面（GUI），用于快速样品定位和移动以及实时数据显示，以检查测量状态 – 最大图像分辨率为4K，高光谱图谱的最大分辨率为512×512像素，电子束停留时间最小为每像素50 ns数据分析– Attolight提供了强大的分析和解决方案。更多信息请参考单独的Attomap手册。– 工具配置和CL数据同时保存，以便于工具配置的再现 – 通过网络轻松访问受密码保护的测量数据 – 导出为开放数据格式，为用户选择首选的数据分析软件提供最大的灵活性系统外形规格– 占地面积：1219 mm（长）× 1039 mm（宽）– 推荐使用面积：2017 mm（长）× 2426 mm（宽） – 重量：~1110 kg 应用示例 1、纳米半导体光学特性2、晶体缺陷检测和定位（螺型位错、堆垛缺陷、掺杂物等）3、纳米级成分波动的测定4、掺杂计量 5、失效分析 6、纳米光子学

LINSEIS L76系列热膨胀仪的主要应用于陶瓷，瓷器和建材等领域的热膨胀系数测量。此外，它被广泛地用于陶瓷和金属工业的质量控制。 Linseis从1955年开始着手于热膨胀仪的研究和开发。LINSEIS L76系列热膨胀仪通过更换炉体，测量温度可从室温覆盖至1000 ℃， 1400 ℃和1600 ℃。它有石英（高达1100℃）和Al2O3（高达1600 ℃）两种可选的测量系统。采用的是高精度的线性可变差动变压器（LVDT）作为传感器，具有优异的分辨率，加上LINSEIS的32位软件包WIN- TA / WIN- DIL，该膨胀仪为标准质量控制的热膨胀系数测量提供了解决方案。可以测量以下的物理性质：热膨胀系数，线性热膨胀，物理热膨胀，烧结温度，相变，软化点，热分解温度，玻璃化转变温度。型号DIL L76 水平温度范围RT 至 1600°CLVDT:Delta L 分辨率0.05 nm测量范围+/- 2500 μm接触压力 50 mN 至 1 NOptical Encoder:Delta L 分辨率:1 nm测量范围+/- 25000 μm样品长度自动检测是压力调节否接触压力50 mN 至 3N多炉体配置可选电加热炉可选气体计量装置手动气体计量或质量流量控制，1/3或更多气路接触压力调整——单杆/双杆热膨胀 ——软化点检测包含密度测定可选L-DTA:可选速率控制烧结（RCS）：可选热分析数据库可选电恒温探头包含低温附件LN2真空密闭设计——真空装置——OGS吸氧系统：——*价格范围仅供参考，实际价格与配置等若干因素有关。如有需要，请拨打电话咨询（021-50550642；010-62237791）。我们定会将竭尽全力为您制定完善的解决方案。

Linseis Pico系列激光热膨胀仪的研发实现了超高分辨率和超高精度。分辨率可以达到皮米（0.3nm= 300pm）级别。Linseis L75 激光热膨胀仪的优越性体现在精度是传统顶杆热膨胀仪的33倍。干涉测量原理可以实现更高的精度，特别适用于计算机的特殊校正。 Linseis L75 Laser激光膨胀仪只需要对样品简单加工。您只需要准备一个与类似用在传统顶杆热膨胀仪上的样品。该系统不要求样品特定的几何形状。所有类型的材料，反射或无反射的都可以用该系统进行测量。与传统的双采样顶杆热膨胀仪不同，其测量原理是一种“绝对测量” ，可提供更高的精度，且无须进行校准。温度范围-180°C - 500°CRT - 1000°C分辨率0.3 nm加热/冷却速率*0.01 K/min - 50 K/min 样品支架熔融石英样品长度≤ 20 mm样品直径≤ φ 7 mm气氛惰性、氧化性、还原性、真空接口USB*取决于炉体*价格范围仅供参考，实际价格与配置等若干因素有关。如有需要，请拨打电话咨询。我们定会将竭尽全力为您制定完善的解决方案。

L75 PT Quattro四样品热膨胀仪的独特设计，专为需要处理大量样品的客户研发。L75 PT Quattro四样品热膨胀仪配备四个独立的膨胀测量传感器，可以在同时测量四个单独的样品，或者一个参考标准样和三个独立的样品。 这意味着， 四样品热膨胀仪的测试效率是常用双杆热膨胀仪的3倍。采用双杆膨胀仪每次只有一个样品可以与参比样同时测量。 L75 PT Quattro四样品热膨胀仪的另一个特点是带有炉体自动升降系统。此功能会在测量结束时自动升起炉体。这允许用户在炉体降温过程中放入新的样品。安装第二或第三个炉体后，系统的样品处理量可进一步显著增加。 L75 PT quattro四样品膨胀仪为四个样品测量特制的信号放大器，能够进行自动归零。同时Linseis的手动飞杆的灵巧设计使得每个样品能够在精密的测量中被容易的更换和复位。 L75 PT quattro是一款四样品膨胀仪。Linseis作为高端热分析仪器的制造商，显示我们强大的热分析仪器研发生产能力。样品数4温度范围 -180°C— 500/700/1000°CRT—1000/1400/1600/1750/2000/2400/2800°C 加热/冷却速率0.01 K/min ... 50 K/min (取决于炉体)样品支架熔融石英1100°CAl2O3 1750°C样品长度≤50 mm样品直径≤7 mm测量范围500/5000 μm分辨率1.25 nm气氛惰性、氧化性、还原性、真空, 静态/动态电路设计集成接口USB*价格范围仅供参考，实际价格与配置等若干因素有关。如有需要，请拨打电话咨询，我们定会将竭尽全力为您制定完善的解决方案。

南京岚煜生物科技有限公司是一家致力于体外诊断试剂、仪器的研发、生产和销售的生物公司，公司的核心研发团队均来自国内外知名科研机构及生物医药公司，建立了基于主动式微流控技术和智能化仪器平台开发的免疫、分子、细胞学等多种方法学平台集成一体化检验系统的医疗体系。岚煜生物以国际领先的技术要求，取得CE和ISO13485质量体系认证，建立起了占地7500平方米的研发基地，其中拥有2400平方米GMP标准的无菌净化生产车间。岚煜始终秉持创新，致力突破，坚持从技术源头开始研发，现已构建好国际领先水平的主动式微流控技术平台，在此基础上，开发了激光诱导的荧光检测、化学发光、电化学检测、分子诊断等产品线。未来岚煜生物继续专注于以主动式微流控多样化产品为核心支撑点，以医学检验工作站、全科医生健康小屋为新业务主体，完善精准健康服务闭环布局。“追求卓越，真诚呵护每一份生命和健康”是岚煜人不懈奋斗的宗旨。岚煜必将延续主动式微流控产品的升级，一方面将精准检测技术普及到基层，加快我国分级诊疗在基层医院的布局；另一方面拓展南京岚煜生物在海外市场、乃至全球市场的布局。干式荧光免疫分析仪LS-1100优势一、便携：重量轻，体积小，锂电池可在无电源接线时连续不间断工作4小时；二、精准度高（时间分辨荧光技术）：1、稀土铕离子荧光微球，激发光与发射光（365nm/610nm）的Stock位移较大，两个光谱间的干扰性小；2、激发与发射光间隔时间相对较长，增加凹镜过滤时间，减少杂光干扰；3、稀土铕荧光微球，利用无机铕金属离子自身的荧光特性，半衰期长，光漂白影响小。（传统方法相比：有机荧光染料，半衰期短，容易受可见光的干扰，降低荧光强度，从而降低检测准确度；胶体金颗粒利用静电物理吸附原理，稀土铕微球为化学键偶联原理，更稳定）4、人体极少含有稀土铕元素，降低了临床样本的基质反应；5、激发光的能量更高，光的信号峰更窄，更容易被捕获，提升准确度和灵敏度；三、检测速度快：10s内快速出结果，实时打印，数据可视化强。四、互联网化：1、 双向LIS和无线wifi，USB和RS232等接口，实现临床数据的上传和备份；2、 仪器自带储存空间，可保存5000次检测记录，数据可追溯性强；3、 支持GPS定位和3G模块，快速定位，实时监测开机运行状况。五、智能化：1、外置扫描（支持二维码），自动识别检测项目，简化操作；2、蓝牙指令，配套电动移液器和孵育器，无需人为计时、加样量程调节等操作，减少人为误差。3、具备自检功能，对操作错误、机械及电路故障有相应提示，自动报警，减少操作失误，降低仪器故障机率。六、人机交互： 1、 7寸高清显示屏，操作简单2、 术门槛低，无需专业人士操作，一经培训，即可上手。七、售后便捷：可实现线上仪器升级和维护，无需工程师来回奔波，节省用户解决问题的时间。

高真空电子束蒸发镀膜机是在高真空条件下，采用电子束轰击材料加热蒸发的方法，在衬底上镀制各种金属、氧化物、导电薄膜、光学薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬膜等；可镀制混合物单层膜、多层膜或掺杂膜；可镀各种高熔点材料。可用于生产、科学实验及教学，可根据用户要求专门订制。可根据用户使用要求，选配石英晶体膜厚自动控制及光学膜厚自动控制两种方式, 通过PLC 和工控机联合实现对整个镀膜过程的全程自动控制, 包括真空系统、烘烤系统、蒸发过程和膜层厚度的监控功能等，从而提高了工作效率和保证产品质量的一致性和稳定性。设备特点设备具有真空度高、抽速快、基片装卸方便的特点，配备 E 型电子束蒸发源和电阻蒸发源。PID自动控温，具有成膜均匀、放气量小和温度均匀的优点。可根据用户使用要求，选配石英晶体膜厚自动控制及光学膜厚自动控制两种方式,通过PLC和工控机联合实现对整个镀膜过程的全程自动控制,包括真空系统、烘烤系统、蒸发过程和膜层厚度的监控功能等，从而提高了工作效率和保证产品质量的一致性和稳定性。真空性能极限真空：7×10-^5Pa～7×10^-6Pa设备总体漏放率：关机12小时，≤10Pa恢复工作真空时间短，大气至7×10-4Pa≤30分钟；设备构成E 型电子束蒸发枪、电阻热蒸发源组件（可选配）、样品掩膜挡板系统、真空获得系统及真空测量系统、分子泵真空机组或低温泵真空机组、旋转基片加热台、工作气路、样品传递机构，膜厚控制系统、电控系统、恒温冷却水系统等组成。可选件：膜厚监控仪，恒温制冷水箱。热蒸发源种类及配置 E 型电子束蒸发系统 1套 功率 6kW～10kW 其它功率(可根据用户要求选配） 坩埚 1～8只 可根据用户要求选配 电阻热蒸发源组件 1～4套 （可根据用户要求配装）电阻热蒸发源种类-钽（钨或钼）金属舟热蒸发源组件-石英舟热蒸发源组件-钨极或钨蓝热蒸发源组件-钽炉热蒸发源组件（配氮化硼坩埚或陶瓷坩埚）-束源炉热蒸发组件（配石英坩埚或氮化硼坩埚）操作方式手动、半自动

L74 Optical DIL 光学法热膨胀仪的开发是为了满足玻璃，陶瓷，金属和能源工业的特殊应用。高分辨率CCD相机能够以单帧或视频流的形式进行实时成像分析、记录样品膨胀。这种方法的一大优点是样品没有负载。对于测量过程中的软样品或熔体样品不产生接触压力变形。　　LINSEIS评估软件包含校正和分析功能。独特的水平式设计能够满足绝大多数严苛的应用。特别固液适配器可以实现固体、液体和固液相变转变的体膨胀测量。也有用于测量硬质箔片的样品支架，避免了传统膨胀仪由于推杆力引起的测量误差。产品特点非接触式膨胀测量高分辨率CCD相机加热显微镜光学弯曲应力测定仪固着液滴法接触角测量固-液膨胀测量（可选适配器）温度范围-100°C —500°CRT — 500/1000/1500/2000°C测量系统光学非接触精度 ≤1 μm 气氛氧化性 (可选: 还原性、惰性和真空)接口 USB*价格范围仅供参考，实际价格与配置等若干因素有关。如有需要，请拨打电话咨询。我们定会将竭尽全力为您制定完善的解决方案。

Biosen 系列葡萄糖乳酸血乳酸分析仪技术特点 Biosen Cline系列葡萄糖乳酸分析仪采用葡萄糖氧化酶—标准电极电位法检测标本中的葡萄糖浓度。本机采用采用特殊半透膜作为电极膜，夹心法包被葡萄糖氧化酶。由于该电极膜是半透膜，只允许葡萄糖或比葡萄糖分子小的物质透过半透膜参与反应。而其他脂类、蛋白等大分子不能穿过半透膜。因此，此原理所受的标本干扰相对较小，特异性强。葡萄糖/乳酸氧化酶被固定在两层膜中间。反应结束后，经过系统液的冲洗可反复使用，降低成本。本机采用毛细管定量采集标本，可采用末梢、静脉、动脉全血；血浆、血清等标本。采集标本后，将10微升毛细管投入到0.5毫升试剂管中，形成1：50的稀释比例, 这样可以防止全血标本大量黏附在仪器管路上，对下一个标本产生交叉污染。同时，仪器内置恒温装置，使酶促反应工作于理想状态。整机特异性和精确性非常高。 本机配套定标、质控系统。仪器每1小时自动进行校准，保证检测结果准确可靠。标本采集并加入到试剂杯后，可保存12小时（常温）或24小时（4℃），拓展了使用的灵活性。 C_Line系列葡萄糖分析仪具有如下特点： l 广泛应用于运动训练、ICU, 实验室等领域l 反应速度快：反应时间15秒，完全可以满足门诊、临床化验室的快速检测要求l 检测精度高：CV2%，完全可以用于诊断l 标本灵活：可采用全血、血浆、血清、尿液、脑脊液等作为标本l 定量采血：采用配套毛细管定量采血，准确可靠l 定标质控：可参加临检质控，保障检测质量l 低成本：血糖乳酸同步测试，优化收益德国Biosen C_Line GP+葡萄糖/乳酸自动分析仪EKF诊断公司 测试原理： 酶－电极法测试范围： 0.5－50mmol/L（5－900mg/dl）葡萄糖 0.5－40mmol/L（5－360mg/dl）乳 酸膜 寿 命： 约60天或7500次测试（葡萄糖） 约50天或5000次测试（乳酸）定标方式： 每盘、每60分钟、经济模式精 确 度： 1.5％@ 12mmol/l(精确模式) 5%(经济模式)漂 移: 3%(10次测试)测试循环： 约30秒/循环；20秒/测试反应容器： 1.5或2ml反应试管标 本： 10μl或20μl 全血、血浆、血清或脑脊液 标 本 盘: 5，20样本位，2质控位，1急诊位反应容器: 1.5ml或2.0ml质 控: 2个质控位置测试速度： 80-120测试/小时显示模式: 2X20字符记忆容量: 500个测试结果键 盘: 触摸屏语 言: 英语,德语,或其他打印机接口: RS232C/V.24EDP设备接口: RS232C/V.24数据采集： BIOSEN DataCapture软件,查询、打印、图形输出、OGTT模式温度范围: +15~+35°C相对湿度: 20~90%功 耗: 30W电 源： 230V/50Hz, 12V(外接，选配) 外型尺寸: 235X190X240毫米(宽X高X长)重 量： 约4公斤

L75 PT HS/HD水平模式热膨胀仪系列的开发是为了满足国际学术和实验室研究的需求。该系统可以测量固体、液体、粉末和胶体的热膨胀系数。该系统的独特设计保证了优异的精度、重复性和准确性。L75 PT HS/HD水平模式热膨胀仪系列适用于真空、氧化性和还原性气氛中测量。 该系统可以用于单样品，双样品或差示条件下测量，以获得更高的精度或样品通量。该膨胀仪可选机械和电子部件方便拆卸拆便于在手套箱中的测量使用。 利用自动压力控制设备，根据研究需要，接触压力可以连续地在10—1000mN调整。利用此特性可以连续地选择控制样品膨胀或收缩整个过程中的接触压力。可以测量以下的物理性质： 热膨胀系数，线性热膨胀，物理热膨胀，烧结温度，相变，软化点，热分解温度，玻璃化转变温度。配置单杆或双杆热膨胀仪温度范围-180—— 500/700/1000°CRT —— 1000/1400/1600/2000°C加热/冷却速率*0.01 K/min up to 100 K/min样品支架熔融石英 1100°CAl2O3 1750°C石墨 2000°C样品长度≤50 mm样品直径7/12/20 mm可调样品压力≤1000 mN测量范围500/5000 μm分辨率0.125 nm气氛还原性、惰性、氧化性, 静态/动态DTA计算可选电路板集成式接口USB* 取决于炉体*价格范围仅供参考，实际价格与配置等若干因素有关。如有需要，请拨打电话咨询，我们定会将竭尽全力为您制定完善的解决方案。

多功能磁控溅射仪（ 高真空磁控溅射镀膜机）是用磁控溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等；适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜系及合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。设备关键技术特点秉承设备为工艺实现提供实现手段的理念，我们做了如下设计和工程实现，实际运行效果良好，为用户的专用工艺实现提供了精*准的工艺设备方案。靶材背面和溅射靶表面的结合处理-靶材和靶面直接做到面接触是很难的，如果做不到面接触，接触电阻将增大，导致离化电场的幅值不够（接触电阻增大，接触面的电场分压增大），导致镀膜效果不好；电阻增大导致靶材发热升温，降低镀膜质量。-靶材和靶面接触不良，导致水冷效果不好，降低镀膜质量。-增加一层特殊导电导热的软薄的物质，保证面接触。采用计算机＋PLC 两级控制系统角度、距离可调磁控溅射靶头可调角度，以便针对不同尺寸基片的均匀性，做精*准调控。基片和靶材之间的距离可调整，以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。 集成一体化柜式结构一体化柜式结构优点：安全性好（操作者不会触碰到高压部件和旋转部件）占地面积小，尺寸约为：长1100mm×宽780mm（标准办公室门是800mm宽）（传统设备大约为2200mm×1000mm），相同面积的工作场地，可以放两台设备。安全性-电力系统的检测与保护-设置真空检测与报警保护功能-温度检测与报警保护-冷却循环水系统的压力检测和流量-检测与报警保护匀气技术工艺气体采用匀气技术，气场更均匀，镀膜更均匀。基片加热技术采用铠装加热丝，由于通电加热的金属丝不暴露在真空室内，所以高温加热过程中不释放杂质物质，保证薄膜的纯净度。铠装加热丝放入均温器里，保证温常的均匀，然后再对基片加热。真空度更高、抽速更快真空室内外，全部电化学抛光，完全去除表面微观毛刺丛林（在显微镜下可见），没有微观藏污纳垢的地方，腔体内表面积减少一倍以上，镀膜更纯净，真空度更高，抽速更快。高真空磁控溅射仪（磁控溅射镀膜机）设备详情设备结构及性能1、单镀膜室、双镀膜室、单镀膜室＋进样室、镀膜室+手套箱2、磁控溅射靶数量及类型：1 ～ 6 靶，圆形平面靶、矩形靶3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装4、磁控溅射靶：射频、中频、直流脉冲、直流兼容5、基片可旋转、可加热6、通入反应气体，可进行反应溅射镀膜7、操作方式：手动、半自动、全自动7、样品传递采用折叠式超高真空机械手工作条件类型 参数 备注 供电 ～ 380V 三相五线制 功率 根据设备规模配置 冷却水循环根据设备规模配置 水压 1.5 ～ 2.5×105Pa 制冷量 根据扇热量配置 水温 18～25℃ 气动部件供气压力 0.5～0.7MPa 质量流量控制器供气压力 0.05～0.2MPa 工作环境温度 10℃～40℃ 工作湿度 ≤50%设备主要技术指标-基片托架：根据供件大小配置。-基片加热器温度：根据用户供应要求配置，温度可用电脑编程控制，可控可调。-基片架公转速度 ：2 ～100 转 / 分钟，可控可调；基片自转速度：2 ～20 转 / 分钟。-基片架可加热、可旋转、可升降。-靶面到基片距离： 30 ～ 140mm 可调。-Φ2 ～Φ4 英寸平面圆形靶 2 ～ 3 支，配气动靶控板，靶可摆头调角度。-镀膜室的极限真空：6X10-5Pa~6X10-6Pa，恢复工作背景真空 7X10-4Pa ，30 分钟左右（新设备充干燥氮气）。-设备总体漏放率：关机 12 小时真空度≤10Pa。关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

PPLN and MgO:PPLN容易结合到您光学装置中的全套PPLN系统氧化镁掺杂的周期极化铌酸锂（MgO:ppln）晶体产品负责人：姓名：许工(Gary)电话：（微信同号）邮箱：MgO:PPLN是用于460nm~5100nm范围的高效波长变换的非线性光学晶体，英国Covesion公司在PPLN晶体领域的专业加工，提供了高精度的4.5um至33um极化周期，并且适用于大批量制造。在铌酸锂中添加5%的氧化镁可显著提高晶体的光学损伤和光折变阈值，同时又保留高的非线性系数。与类似的未掺杂的晶体相比，可实现可见光波段和较低温度下运行的更稳定的性能。MgO:PPLN晶体可在室温下运行，在某些情况下，不需要控制温度。从室温到200摄氏度，与未掺杂的PPLN晶体相比，MgO:PPLN晶体可提供明显更宽的波长适用范围。英国Covesion公司在PPLN晶体领域的专业加工，提供了高精度的4.5um至33um以上极化周期，尤其对红-绿-蓝光的产生和高功率中红外波段的应用，可为OEM量产提供优质原材料。我们的优势：1. 世界一流的PPLN技术2. 高品质1）10年以上的生产经历2）世界顶级镀膜公司合作伙伴3. 稳定可重复使用的性能均匀计划贯穿整个晶体厚度4. 完善的温度控制方案可实现无时间延迟的简单、大范围的温度调谐5. 丰富的库存和高效的服务1）1周内可以收到库存产品2）8周可以收到定制产品，半定制产品时间周期小于8周 以下是我们部分库存产品，有其他频率转换需求随时联系上海昊量光电！二次谐波（SHG）MgO:PPLN晶体型号： 光学参量振荡/产生（OPO/OPG）MgO:PPLN晶体型号：差频（DFG）MgO:PPLN晶体型号：和频（SFG）MgO:PPLN晶体型号： 我们为更特别的应用提供掩膜版：更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是国内知名光电产品专业代理商，代理品牌均处于相关领域的发展前沿； 产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等，涉及应用领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防及更细分的前沿市场如量子光学、生物显微、物联传感、精密加工、先jjin激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等优质服务。您可以通过我们昊量光电的官方网站了解更多的产品信息，或直接来电咨询。

L78 RITA 热膨胀变形/相变测试仪是特别适用于TTT、CHT和CCT曲线的测定。特殊感应炉体使加热和冷却速度超过2500 °C/s。该系统符合美国ASTM A1033标准 。概述: 操作的基本原理：钢材在加热和冷却过程中尺寸发生变化，热膨胀由温度变化和相变两个因素产生。测试过程中，灵敏的高速淬火膨胀仪设备用于检测和测量热循环中尺寸随时间和温度函数的变化。所产生的数据被转换为热循环中特定时间和温度下离散的应变值。应变作为时间或温度，或两者的函数，由此可以确定一个或多个相变的开始和结束。L78 RITA L78 RITA 热膨胀变形/相变测试仪的主要优势:该仪器可在真空条件下，惰性、氧化、还原气氛中进行测量，温度范围从150 ℃（低温）到1000 ℃，或室温到1600℃。独特的加热和冷却装置能够快速的控制加热和冷却，速度可达2500℃ /秒。通过可选的基座可以分析非金属样品。这种特殊的淬火/热膨胀相变仪是专为连续冷却/加热的CHT、CCT图以及等温线TTT-图的绘制设计。 所有关键参数，如加热和冷却速度、气体控制和安全功能由软件控制。32位Linseis TA- WIN软件可独立在Microsoft© 操作系统上运行。所有的程序（生成CHT / CCT / TTT图）和特殊应用是通过其自带的软件包实现。当然，可以导出ASCII码格式以及输出图形。 在加热过程中,钢材晶体发生铁素体，珠光体，贝氏体，马氏体或这些成分的组合变为奥氏体的相变。在冷却过程中，从奥氏体转变为铁素体，珠光体，贝氏体，马氏体或它们的组合。该L78 RITA淬火/热膨胀相变仪是专门设计用来测量这些苛刻的迅速膨胀。高速数据采集和控制单元，独特的气淬装置和高精度的温度测量装置该仪器的突出特点。型号L78 Rita/Q 淬冷L78 Rita/D 形变炉体电磁炉电磁炉温度范围 -150°C —— 1600°C-150°C —— 1600°CRT —— 1000°CRT —— 1000°CRT —— 1600°CRT —— 1600°C样品支架 熔融石英, Al2O3熔融石英, Al2O3样品尺寸实心/空心样品 实心样品直径约4 mm 约 5 mm长度约10 mm 约10 mm 加热速率≤2500 K/s ≤ 400 K/s 冷却速率≤ 2500 K/s ≤ 400 K/s 数据采集速率≤1000 次/秒≤1000次/秒形变力 -25 kN形变速率-0.01 - 125 mm/s数据采集间隔-60 ms气氛 惰性、氧化性、还原性、真空惰性、氧化性、还原性、真空 电源要求230VAC, 16A, 50..60Hz230VAC, 16A, 50..60Hz选项低温冷却 (≤150°C) 低温冷却 (≤150°C) *价格范围仅供参考，实际价格与配置等若干因素有关。如有需要，请拨打电话咨询。我们定会将竭尽全力为您制定完善的解决方案。

品牌：云唐 型号：YT-TRX03　　一、土壤氮磷钾检测仪产品简介：　　配套齐全：该仪器集药、器、仪为一体，携带方便，相当于一个小型移动实验室，无需用户自配附件，亦可灵活野外流动测试。适于农业服务部门或农资经销商、合作社、肥料厂商、大种植户测土施肥和鉴别肥料真假。　　检测功能全：测试项目国内外全面，除标配试剂外，其他各类药剂均可加配选购。　　操作简便、速度快捷，配套整套附件及成品药剂开瓶即用，无须配置。　　性能可靠：工作稳定性优于国家标准JJG179-90指标的6倍，重复性达到光栅型分光光度计指标水平。　　二、土壤氮磷钾检测仪功能多、测试项目齐全：　　1、土壤养分：●土壤铵态氮、土壤有效磷、土壤速效钾、土壤硝态氮、土壤水解氮、土壤全氮、土壤全磷、土壤全钾、土壤有机质(丘林法)、土壤有机质(浸提法)、PH值、含盐量、水分。●土壤中微量元素：土壤钙、土壤镁、土壤硫、土壤硅、土壤硼、土壤铁、土壤铜、土壤锰、土壤锌、土壤氯。　　2、肥料养分：●单质肥：氮肥中铵态氮、肥料硝态氮、尿素氮、缩二脲、磷肥中磷、磷肥中水溶性磷、钾肥中钾 ●复合肥全氮、复合肥全磷、复合肥全钾 ●有机肥全氮、有机肥全磷、有机肥全钾、有机肥硝态氮、有机肥速效磷、有机肥速效钾、有机肥酸解氮、有机质 ●水溶性腐植酸(风化煤)、水溶性腐植酸(褐煤)、水溶性腐植酸(泥炭)、游离态腐植酸(风化煤)、游离态腐植酸(褐煤)、游离态腐植酸(泥炭) ●水溶肥全氮、水溶肥全磷、水溶肥全钾 ●叶面肥全氮、叶面肥全磷、叶面肥全钾 ●各种肥料微量元素：肥料钙、肥料镁、肥料硫、肥料硅、肥料硼、肥料铁、肥料铜、肥料锰、肥料锌、肥料氯。　　3、鲜作物营养：●作物硝态氮、作物铵态氮、作物磷、作物钾 ●作物中微量元素：作物钙、作物镁、作物硫、作物硅、作物硼、作物铁、作物铜、作物锰、作物锌、作物氯 ●作物中硝酸盐、亚硝酸盐。　　4、干植株营养：●植株全氮、植株全磷、植株全钾　　5、烟叶营养：●全氮、全磷、全钾、还原糖、水溶性总糖、硼、锰、铁、铜、钙、镁等20项。　　6、水质中：●铵态氮、水中磷、水中钾、硝酸盐、亚硝酸盐、硬度、PH、铁、铜、锰、锌、硼、氯、硫、硅、钼等　　三、土壤氮磷钾检测仪测试效率：　　土壤中速效N、P、K等多种养分一次性同时浸提测定(农业部速测行业标准起草者)。　　肥料中氮(N)、磷(P)、钾(K)等养分同时、快速、准确检测。　　测试速度：正常熟练程度下:　　测一个土壤样品(N、P、K)三项需要20分钟(含药剂准备及土样前处理时间)，同时检测三个土壤样品(N、P、K)≤40分钟，同时测8个土样≤1小时。　　测试一个肥料样(N、P、K)≤50分钟，同时检测三个肥料样品(N、P、K)≤1.5小时。　　四、土壤氮磷钾检测仪测试误差：　　土壤氮磷钾误差≤1%，有机质误差≤2%，微量元素相对误差≤5% 肥料单项误-差-≤0.5%，氮磷钾三项误差≤1%。　　五、土壤养分检测仪功能特点：　　1、Android安卓智能操作系统，主控芯片采用ARM Cortex-A7，RK3288/4核处理器，主频1.88Ghz，运转速度更快速，稳定性更强。　　2、采用精密旋转比色池设计(专-利号：ZL 2018 2 1777724.7)，光源一致性更加精确，保证检测精度。　　3、8个旋转检测通道，一次性可快速检测8个样品，极大提升检测效率，降低检测成本。　　4、采用高精度滤光片技术自主专-利分析方法(专-利号：ZL 2020 2 1763837.9)，权-威认证。　　5、检测过程中内置校准功能，智能恒流稳压，光强自动校准，确保检测准确度，取得中国计量科学研究院的《校准证书》。　　6、仪器标配wifi无线上传、4G联网传输、GPRS无线远传功能，快速上传数据。　　7、配有智慧云农业平台，仪器连入无线网络后，可将检测数据可选择性或批量无线上传，方便用户进行长期数据管理和可视化分析。　　8、仪器同时具有USB接口、以太网接口，内置大容量内存，并可随时用U盘拷贝数据。　　9、可用手机随时登录云平台在线移动查看历史数据　　10、内置作物专家施肥系统，可对百余种全国农业经济作物、果树等的目标产量计算推荐施肥量，依据施肥配方科学指导农业生产。测土配方施肥结果可打印，打印内容包含：作物种类、肥料种类、目标产量、需求总量、建议施肥方案。　　11、内置植物营养诊断标准图谱，根据各农作物营养缺失的图片，进行叶面对比，诊断丰缺。　　12、4波长专业测试冷光源(红、蓝、绿、橙)，光源波长稳定，长时间连续工作光源无温漂现象，寿命长达10万小时级别，重现性好，准确度高。　　13、比色池部分采用标准1cm比色皿，无机械位移及磨损，光路测试定位精确，有效屏蔽外光干扰，保证检测结果优于国标要求。　　14、仪器系统内带有样品前处理操作视频，各种样品检测方法点击视频模块即可观看，检测人员无需自学说明书，指导教学方便快速，方便新手快速操作。　　15、内置新一代高速热敏打印机(无需色带)，打印内容包含：检测单位、检测人员、检测项目、通道号、吸光度、养分含量(mg/kg)、检测时间、以及二维码等信息　　16、高灵敏7寸真彩触摸屏，采用更加高效和人性化操作，高清晰高交互显示，大程度降低传统仪器的繁琐操作和失误，并取得多项《软件著作权》。　　17、内置时钟功能，方便操作时间记录，长期历史追溯。　　18、可设置多账户账号密码登录，高效UI交互界面，不同的用户可自由添加编辑检测信息，保存后可长期使用。　　19、GPS功能：可在野外作业时记录经纬度地点，满足特殊用户需求。　　20、内置低电压提示功能，可在检测时明确电量，避免测试数据偏移，同时具有断电保护功能，断电自动保存数据，防止数据丢失。　　21、交直流两用供电方式，内置大容量充电锂电池，满电状态下可连续工作10余小时，同时可外接车载电源蓄电。　　22、仪器具有中英文切换功能，可满足出口要求。　　23、高强度PVC工程塑料手提箱设计，坚固耐用，便于携带。　　六、技术参数：　　1.电源：交流 220±22V 直流 12V+5V(仪器内置锂电池也可用车载电源)　　2.功率： ≤5W　　3.量程及分辨率：0.001-9999　　4.重复性误-差：- ≤0.02%(0.0002，重铬酸钾溶液)　　5.仪器稳定性：一个小时内显示数字无漂移(透光度测量) 两个小时内数字漂移不超过0.3%(0.003，透光度测量)、0.001(吸光度测量)。　　6.线性误-差： -≤0.1%(0.001，硫酸铜检测)　　7.灵敏度：红光≥4.5 ×10-5 蓝光≥3.17×10-3 绿光≥2.35×10-3 橙光≥2.13×10-3　　8.波长范围 ：红光：680±2nm 蓝光：420±2nm 绿光：510±2nm 橙光：590±4nm　　9.PH值(酸碱度)： (1)测试范围：1～14 (2)精度：0.01 (3)误差：±0.1　　10.含盐量(电导)：(1)测试范围：0.01%～1.00% (2)相对误差：±5%　　11.土壤水分技术参数水分单位：﹪(g/100g) 含水率测试范围：0-100﹪ 误-差小于0.5%　　12.显示屏分辨率：1024*600　　13.抗震等级：IP65　　14、仪器尺寸：48×34.5×22cm　　15、主机净重：5.2kg　　七、售后服务：　　仪器整机质保五年，终身-免费维修服务，免费邮寄仪器、免费培训。　　终身-免费提供土肥等农业相关技术支持!　　八、配置清单：　　仪 器 箱 药 品 箱　　序号 名称数量 序号 名称 数量　　1仪器1台1药品箱1台　　2PH计1支2氮磷钾有机质试剂1套　　3TDS计1支3定性滤纸1盒　　4电子称(100g/0.01g) 1台4比色皿10盒　　5铝盒1个5玻璃试管12支　　6洗耳球1个6塑料试管20根　　7玻璃搅拌棒1根7三角瓶100ml2个　　8玻璃移液管1ml1根8试剂瓶1个　　9玻璃移液管2ml1根9量筒50ml1个　　10玻璃移液管5ml1根10塑料滴管12根　　11玻璃移液管10ml1根11试管架1副　　12打印纸1卷12试管刷1支　　13说明书1本13洗瓶1个　　14合格证/保修卡1份14称量勺1套　　15电源适配器1台

Stuart SI30H杂交振荡培养箱 非常通用的20L杂交培养箱，带有旋转式和摇摆式两种功能的摇床，占用空间小。利用编码器对温度进行精确的设定，同时醒目的LED显示器显示温度。结合强制空气内循环和微处理器控制使培养箱表现出卓越的温度均一性。 “安全第一”的设计理念包含一个过热保护系统，当加热器出现故障时，可自动跟踪所设定的温度，并可控制加热器。如果发生故障或者所设定的温度被中断，系统会显示错误代码来指明。在过度加热或失控时，系统将切断电源。培养箱的内腔采用不锈钢材料，箱门采用双层光滑的茶色丙烯酸酯和聚碳酸酯材料，可防辐射。上开式设计的箱门，使操作更容易。 SI30H带有一个旋转架，可容纳7×40mm(直径)的杂交瓶。旋转架可在培养箱中以2～10rpm的速度转动。当移出培养箱后，它可充当瓶子的支撑架。标配的旋转架可容纳2×75mm(直径)的玻璃瓶。可快捷简便地将旋转式摇床转换成摇摆式摇床，只需取下旋转式摇床，向前拉出位于培养箱后部的平台即可。 温和的摇摆特别适用于大多数杂交的洗脱过程。摇摆的速度可调，以便不同应用的条件优化。多种规格的杂交瓶可供选择，由坚固的Pyrex玻璃和防泄露的PTFE瓶盖组成。 特点：■紧凑的设计■旋转和摇摆一体化设计■上开式箱门■精确的温度控制■先进的安全性设计■可变速控制 Stuart SI30H杂交振荡培养箱技术参数有效容积 20L温度范围 室温+8℃～80℃温度稳定性（37°C） ±0.1°C层温差 ±0.5°C显示方式 LED显示分辨率 0.1°C旋转架数量 1旋转速度范围 2～10rpm摇摆频率范围 5～70振荡/分内腔尺寸（宽x深x高） 286 x 230 x 200mm外形尺寸（宽x深x高） 380 x 380 x 435mm净重 24kg电源 230V, 50Hz, 350WIP等级 30 杂交振荡培养箱订购信息产品型号 产品描述SI30H 杂交震荡培养箱，包括1个SI20H/1旋转架SI20H/1 备用旋转架，适用于7 x 40mm直径的瓶子 (1个放在支架中心，另6个环绕中心)SI20H/2 旋转架，适用于2 x 75mm直径的瓶子 *与Stuart培养箱配套使用的杂交瓶采用杂交瓶将减小探针的用量，降低试剂的体积并加强信号的强度。采用Pyrex硼硅酸玻璃的Stuart杂交瓶结实、易用，满足大多数苛刻的杂交条件。热塑料聚酯瓶盖非常坚硬，可在培养箱中重复加热且不变形，同时克服了因加热变形引起的泄露。采用聚四氟乙烯(PTFE)材料的密封垫覆盖了盖子的整个内表面，与玻璃瓶颈接触紧密。三种尺寸可供选择，每个杂交瓶配盖子和一份保养指南。杂交瓶订购信息产品型号全长外径内径壁厚SI20H/3SI20H/4SI20H/5260mm260mm170mm40mm75mm40mm33.6mm68.6mm33.6mm3.2mm3.2mm3.2mm 注：Stuart杂交瓶可以高压蒸汽灭菌。