鲑鱼精

硅晶圆片随着半导体、微电子行业的发展，硅片的用途越来越广泛。比如半导体芯片领域、X射线晶体分析、磁控溅射样品生长、原子力、红外光谱测试分析、PVD/CVD镀膜衬底等。我们提供各种不同直径、厚度、电阻、级别和应用场景的硅片，请将您的参数要求发给我们，如有疑难，也请联系我们。哪里可以快速买到硅片作为基片，当然是这里！我们主要为国内的科研院所、高校提供高品质的硅片衬底，高纯抛光的硅基底也能够提供。选型指导：特性产品描述常规硅片直径1"、2"、3"、4"、5"、6"、8"、10"、12"厚度50um至10000um超薄硅片直径5mm、10mm、25mm、50mm、75mm、100mm超薄硅片厚度2um至50um，公差±0.5μm、±1.0μm、±1.5μm表面粗糙度Prime Grade wafer Ra5? .掺杂类型P型、N型、无掺杂晶向〈100〉± 0.5° 〈110〉±0.5° 〈111〉± 0.5°，〈100〉± 1°，〈110〉±1°表面处理抛光、刻蚀、ASCUT；单面/双面处理电阻率0~至 20000 (Ωcm)级别Mechanical Grade、Test Grade、Prime Grade、SEMI Prime Grade 产品举例：产品描述尺寸举例规格多孔硅晶圆，Porous silicon wafer76.2mm10片无掺杂硅晶圆，undoped silicon wafer100mm10片氮化硅膜硅晶圆，Silicon Nitride Wafer LPCVD PECVD100mm10片FZ区硅晶圆片，Float Zone Silicon Wafer25.4mm10片热氧化处理硅晶圆片Thermal Oxide Wafer76.2mm25片超平硅片Ultra-Flat or MEMS wafers6″5片太阳能硅晶片，Solar Silicon Cells6″，5″25片外延硅片，Epitaxial Silicon Wafer100mm10片N型硅晶圆片，N-Type Silicon Substrates100mm100片各种硅晶片 我们致力于为客户提供全面的硅片（Silicon Wafer）解决方案，从测试级硅片（Test Wafer）到产品级硅片（Prime Wafer），以及特殊硅片氧化硅片（Oxide）、氮化硅片(Si3N4)、镀铝硅片、镀铜硅片、SOI Wafer、MEMS Glass、定制超厚、超平硅片等，尺寸覆盖50mm-300mm。对于2D材料的研究，软光刻硅片，直接放射性核电实验，等离子体刻蚀硅片，以及微流控芯片平台的建立，我们均有成功的经验。 小常识：将某一特定晶向的硅种子(种子,通常为一小的晶棒)棒插入熔融液态硅,并慢慢向上拉起晶棒,一根和种子相同晶向的晶柱就被生产出来。将晶柱切割成多个一定厚度的圆片片,通常称呼的wafer就被制造出来了。初步切割出来的wafer表面，通常比较粗糙,无法用作晶圆生产，因而通常都在后续工艺中进行抛光，抛光片的名词就由此而来。针对不同晶圆制造要求，通常需要向粗制晶圆内掺杂一些杂质，如P、B等，以改变其电阻值,因而就有了低阻、高阻、重掺等名词。镀膜片可以理解为外延片Epi，是针对特定要求的半导体装置而制定的wafer,通常是在高端IC和特殊IC上使用，如绝缘体上Si(SOI)等。用Czochralski(CZ)晶体生长法或浮区（floatzone）（FZ）生长法生成单晶硅。超大规模集成电路应用更多采用Czochmlski硅，因为它比FZ材料有更多的耐热应力能力，而且它能提供一种内部吸杂的机械装置，该装置能从硅片表面上的器件结构中去除不需要的杂质。因为是在不与任何容器或坩埚接触的情况下制成，所以FZ硅比CZ硅有更高的纯度（从而有更高的电阻率）。器件和电路所需的高纯起始材料（如高压，高功率器件）一般都用FZ硅。我们的低应力PECVD氮化是一个单面膜，已优化为晶圆需要最小的热处理。因为低应力PECVD氮化物是在低温下沉积的，它提供了更大的灵活性，可以沉积在任何其他薄膜上。我们提供独立式超薄超平硅片，厚度从5μm到100μm不等，直径从5毫米到6英寸。薄硅片是真正的镜面光洁度DSP，良好的表面平整度，无雾，无空洞，表面RMS低(典型1-2 nm)，超低值TTV通常小于+/-1μm。我们的单晶太阳能硅片的效率高达19.5%。什么是太阳能效率，阳光光子击中太阳能晶片在一个特定的空间的百分比。更高的效率意味着发电所需的比表面积更小。因此，小型屋顶将希望使用更高的效率面板，以弥补较小的表面积。

Bond Elut SAX，SCX，PRS，CBA固相萃取柱 产品名称： Bond Elut SAX，SCX，PRS，CBA固相萃取柱 产品特点： 一级代理： Bond Elut SAX：Bond Elut SCX Bond Elut PRS：Bond Elut CBA 详细资料： Bond Elut SAX，SCX，PRS，CBA固相萃取柱的详细资料： Ion Exchange Sorbent Characteristics Phase pKa Capacity CBA 4.8 0.35 meq/gm PRS 1 0.18 meq/gm SCX 1 0.79 meq/gm NH2 9.8 1.10 meq/gm PSA 10.1 & 10.9 1.40 meq/gm DEA 10.7 1.00 meq/gm SAX always charged 0.85 meq/gm meq = total # of ionic sites on a sorbent phase 1、Bond Elut SAX Bond Elut SAX是最强的阴离子交换吸附相，由于键合链上的丙基链被氨基所屏蔽，故SAX显示出微弱的非极性，正因为SAX是很强的离子交换剂，所以一些在弱离子交换剂上有强保留的含弱离子的化合物，例如羧酸等，可在SAX上得到适当的保留。SAX链上的对离子是氯离子，用户可根据需要使用合适的缓冲盐溶液对柱子进行活化而得到适合的对离子。 2、Bond Elut SCX Bond Elut SCX是低pka值的强阳离子交换吸附相，离子交换能力和PRS相似，由于有苯环，SCX的非极性作用比PRS强，当从水溶液中萃取样品时就必须考虑到这种非极性作用，这种吸附相的二重性使得只使用SCX一种小柱就可以把同时具有离子的非极性双重性质的化合物干干净净的萃取出来。 3、Bond Elut PRS 键合相：丙基磺酸Proplysulfonic Acid（PRS） · 保留机理：强阳离子交换 · 主要应用：属于极性的阳离子交换吸附相，尽管如此，PRS在使用时还是表现出了弱非极性作用。PRS在萃取弱阳离子如吡啶等化合物时效率很高。当SCX与样品产生非极性次级作用时，它也时常被推荐代替SCX小柱。 相关应用： 液相色谱法测定鲑鱼中 孔雀绿和无色孔雀绿 水产品中孔雀石绿 固相萃取净化方法 液质联用测定炒山药中的丙烯酰胺 4、Bond Elut Carboxylic Acid（CBA） 是中等极性的吸附相，其主要作用机理还是弱阳离子交换，在洗脱样品时，CBA不像其他的阳离子交换剂，不需要太碱性的条件，在PH值大于4.8时，吸附相上的功能基团带负电，对阳离子产生保留，然后降低PH值至2.8使功能基团呈中性，可以将样品洗脱，基于这个原因，CBA是阳离子交换剂的上佳选择，尤其是处理一些强阳离子样品（即高pka阳离子样品）此外，CBA对对离子比其它离子交换剂表现出更宽范围的选择性，使其应用更宽。

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为3％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

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惰硅污染源气体采样罐功能：采集污染源气样，用于较高浓度挥发性有机化合物的分析。原理：采样前罐清洗干净并抽真空采样罐，采样时打开阀门，气体样品因罐内真空流入受大气压力进入采样罐，关上阀门，待测。材质：316 不锈钢，内表面惰硅处理。特点：1）专用于污染源空气中高浓度VOCs 采集，高纯氮气清洗要求可低于环境空气采样罐，循环利用；2）阀门及罐体内表面惰硅（InertSi® ） 钝化，有效降低分析物的吸附；3）1L 采样体积，轻便实用，适于外业采样环境，又满足分析测试要求；并配有便携式采样罐袋，每次可方面携带6 个或9 个采样罐；4）罐体内外表面稳定，温度耐受范围大，在低温、高温环境均正常工作。污染源采样罐信息型号容积（mL）规格（cm）附件净重(kg)优点（相对于污染源采样袋）YWR1000-B0-V21000 ±20圆柱形，柱体直径9.0, 柱高15.7采样针阀0.564有效降低分析物吸附性；阀门密闭性好，操作便捷，防止漏气，避免分析物氧化，延长样品存储时间。订货信息：污染源气体采样罐产品名称货号惰硅 1-L 不锈钢污染源气体采样罐 不带表YWR1000-B0-V2惰硅 3-L 不锈钢污染源气体采样罐带表YWR3000-B1-V2惰硅 6-L 不锈钢污染源气体采样罐带表YWR6000-B1-V2惰硅 15-L 不锈钢污染源气体采样罐带表YWR15000-B1-V2采样罐标配德国AB 真空压力复合表(除1-L 外) 和美国捷锐的针阀。

认证的单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。认证的单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为20％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。