羟基六甲氧基

中文名称：1-(4-甲氧基苯酰基)-2-吡咯烷酮 L-(4-甲氧基苯甲酰基)-2-吡咯烷酮 1-(4-甲氧基苯甲酰基)-2-吡咯烷酮英文名称: AniracetamCAS：72432-10-1分子式：C12H13NO3分子量：219.23700含量：99%外观：白色粉末包装：25kg/桶用途：益智

2,4-二羟基苯甲酸广东厂家产品名称：2,4-二羟基苯甲酸CAS：89-86-12,4-二羟基苯甲酸标准：国标含量：99%2,4-二羟基苯甲酸外观：白色粉状2,4-二羟基苯甲酸包装：25KG/复合编织袋 可拆分成份：2,4-二羟基苯甲酸2,4-二羟基苯甲酸理化属性：白色针状结晶。微溶于水，易溶于有机溶剂类别：化工日化2,4-二羟基苯甲酸行业：化工日化领域：农药添加2,4-二羟基苯甲酸下延产品：农药杀菌剂运用：农药杀菌剂加工市场缺货产品热销碳酸锶 定价35肉桂醛 定价32 肉桂酸 定价48氧化铋 定价270胆汁酸 定价60己二酸 定价15油酸乙酯 定价35溶剂红52 定价800甘油缩甲醛 定价35肉桂酸乙酯 定价60叶醇（新和成） 定价540氟虫腈 95% 定价760 戊唑醇 97% 定价160增产胺 98% 定价395溴虫腈 98% 吨位350氯菊酯 95% 吨位160咪唑乙醇 99% 定价3004-硝基咪唑 99% 吨位310二硫氰基甲烷 定价175氟氯氰菊酯 95% 吨位325对羟基肉桂酸 99% 定价190铃兰醛（芬美意） 定价150甘氨酰胺盐酸盐 定价120厂家，现货，价格，广东，便宜，用途，作用，技术，含量，规格，标准，质优价廉，性状，性质，报价，CAS编号，海关HS编码，供应商，生产商，生产企业，市场行情，应用，市场前景，原料

在枪zhi犯罪事件中，枪击残留物 GSR 的分析将发挥重要的作用。GSR 分析技术首先基于扫描电子显微镜 （SEM） 的背散射成像，用来扫描样品和发现可疑的 “GSR” 颗粒。一旦发现可疑的颗粒，使用能谱（EDS）识别在该粒子中的元素。最常见的搜索元素为 Pb，Sb 和 Ba。无铅底火的检测，例如 Ti 和 Zn 也可最为搜索条件进行搜索。Phenom GSR 飞纳台式扫描电镜自动枪击残留物分析是全球首创在台式扫描电镜运行自动枪击残留物分析软件。其设计基于飞纳台式扫描电镜大样品室卓越版 Phenom XL。软件和硬件完全一体化，以提高用户操作界面友好性，可靠性和分析速度。Phenom GSR 包括以下三个项目：自动枪击残留物分析和分类软件包，BSED 和 EDS 探头内部集成，校准试样。Phenom GSR 飞纳台式扫描电镜自动枪击残留物分析配备 CeB6 灯丝，使其稳定运行，灯丝寿命不低于 1500 个小时，从可用性，适用性和运行时间的角度来看都非常理想。小于 1 分钟的加载时间，和快速的全自动马达样品台，使得飞纳 GSR 成为高度自动化应用的理想工具，可以用来进行自动枪击残留物分析。飞纳电镜枪击残留物分析 Phenom GSR基于 CeB6 灯丝的高分辨图像直观易用的 GSR 软件高吞吐量，一次性放置多达 36 个试样操作简单，永不丢失导航系统，完全集成能谱仪测量结果准确可靠，广泛兼容法医领域的各类应用规格参数光学放大3 - 19 X电子光学放大200,000 X分辨率优于 8 nm灯丝材料优于 1500 小时 CeB6 灯丝光学导航相机彩色加速电压4.8 Kv - 20.5 Kv 连续可调真空模式高分辨率模式降低核电效应模式高真空模式探测器背散射电子探测器二次电子探测器 (选配)样品尺寸最大 100 mm X 100 mm可同时装载 36 个 0.5 英寸样品台样品高度最高 65 mm，样品高度全自动调节

产品介绍：在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。产品特点：1、机外壳采用不锈钢SUS304材质制造，内胆为不锈钢316L材料制成；加热器均匀分布在内胆外壁四周，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体一目了然。2、箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。3、微电脑智能控温仪，具有设定，测定温度双数字显示和PID自整定功能，控温精确，可靠。4、智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序，温度，真空度及每一程序时间。5、HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，真空箱密封，确保HMDS气体无外漏顾虑。6、整个系统采用材料制造，无发尘材料，适用100级光刻间净化环境。产品参数：型号HMDS-20HMDS-90HMDS-210容积20L90L210L电源电压AC220V±10%/50Hz±2%AC380V±10%/50Hz±2%输入功率1500W3000W4000W控温范围室温+10℃-250℃温度分辨率0.1℃温度波动度±0.5℃达到真空度133Pa工作室尺寸（mm）300*300*275450*450*450560*640*600外形尺寸（mm）465*465*725850*700*1400720*820*1050载物托架1块2快3块时间单位分钟选配件真空泵：德国品牌，莱宝“DC”双极系列旋片式油泵，真空高，噪音低，运行稳定。连接管：不锈钢波纹管，完全密封将真空泵与烘箱连接。HMDS预处理的必要性：在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。真空镀膜机的原理：HMDS预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。真空镀膜机的一般工作流程：先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真空度达到某一高真空度后，开始充人氮气，充到达到某低真空度后，再次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。尾气排放等：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。

产品介绍：在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。产品特点：1、机外壳采用不锈钢SUS304材质制造，内胆为不锈钢316L材料制成；加热器均匀分布在内胆外壁四周，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体一目了然。2、箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。3、微电脑智能控温仪，具有设定，测定温度双数字显示和PID自整定功能，控温精确，可靠。4、智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序，温度，真空度及每一程序时间。5、HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，真空箱密封，确保HMDS气体无外漏顾虑。6、整个系统采用材料制造，无发尘材料，适用100级光刻间净化环境。产品参数：型号HMDS-20HMDS-90HMDS-210容积20L90L210L电源电压AC220V±10%/50Hz±2%AC380V±10%/50Hz±2%输入功率1500W3000W4000W控温范围室温+10℃-250℃温度分辨率0.1℃温度波动度±0.5℃达到真空度133Pa工作室尺寸（mm）300*300*275450*450*450560*640*600外形尺寸（mm）465*465*725850*700*1400720*820*1050载物托架1块2快3块时间单位分钟选配件真空泵：德国品牌，莱宝“DC”双极系列旋片式油泵，真空高，噪音低，运行稳定。连接管：不锈钢波纹管，完全密封将真空泵与烘箱连接。HMDS预处理的必要性：在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。真空镀膜机的原理：HMDS预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。真空镀膜机的一般工作流程：先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真空度达到某一高真空度后，开始充人氮气，充到达到某低真空度后，再次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。尾气排放等：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。

在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。产品型号：HMDS-6210 产品名称：真空烘箱（带基片预处理系统）电源电压：AC 380V± 10%/50Hz± 2%输入功率：4000W控温范围：室温+10℃-250℃温度分辨率：0.1℃温度波动度：± 0.5℃达到真空度：133Pa容积：210L工作室尺寸（mm）：560*640*600外形尺寸（mm）：720*820*1750载物托架：3块时间单位：分钟真空泵：国内好品牌，上海慕鸿型号：DM-4，旋片式油泵。产品特点：1、机外壳采用医用级不锈钢316L材质制造，内胆为不锈钢316L材料制成；加热器均匀分布在内胆外壁四周，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体一目了然。2、箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。3、微电脑智能控温仪，具有设定，测定温度双数字显示和PID自整定功能，控温精确，可靠。4、智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序，温度，真空度及每一程序时间。5、HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，真空箱密封性能佳，确保HMDS气体无外漏顾虑。6、整个系统采用优质材料制造，无发尘材料，适用100 级光刻间净化环境。 HMDS预处理系统的必要性：在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。HMDS-6000系列预处理系统的原理： HMDS-6000 预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。HMDS-6000系列预处理系统的一般工作流程：首先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真牢度达到某一高真空度后，开始充人氮气，充到达到某低真空度后，冉次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：首先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。尾气排放：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。

在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。产品技术参数：电源电压：AC 380V± 10%/50Hz± 2%输入功率：3000W控温范围：室温+10℃-250℃温度分辨率：0.1℃温度波动度：0.5℃达到真空度：133Pa容积：90L工作室尺寸（mm）：450*450*450外形尺寸（mm）：615*590*1470载物托架：2块时间单位：分钟真空泵：国内品牌上海慕鸿型号：DM-4，旋片式油泵。 产品特点：1、机外壳采用医用级不锈钢316L材质制造，内胆为不锈钢316L材料制成；加热器均匀分布在内胆外壁四周，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体一目了然。2、箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。3、微电脑智能控温仪，具有设定，测定温度双数字显示和PID自整定功能，控温精确，可靠。4、智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序，温度，真空度及每一程序时间。5、HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，真空箱密封性能佳，确保HMDS气体无外漏顾虑。6、整个系统采用优质材料制造，无发尘材料，适用100 级光刻间净化环境。 HMDS预处理系统的必要性：在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。HMDS-6000系列预处理系统的原理： HMDS-6000 预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。HMDS-6000系列预处理系统的一般工作流程：首先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真牢度达到某一高真空度后，开始充人氮气，充到达到某低真空度后，冉次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：首先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。尾气排放：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。

在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。产品技术参数：电源电压：AC 380V± 10%/50Hz± 2%输入功率：4000W控温范围：室温+10℃-250℃温度分辨率：0.1℃温度波动度：± 0.5℃达到真空度：133Pa容积：210L工作室尺寸（mm）：560*640*600外形尺寸（mm）：720*820*1750载物托架：3块时间单位：分钟真空泵：国内品牌，上海慕鸿型号：DM-4，旋片式油泵。 产品特点：1、机外壳采用医用级不锈钢316L材质制造，内胆为不锈钢316L材料制成；加热器均匀分布在内胆外壁四周，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体一目了然。2、箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。3、微电脑智能控温仪，具有设定，测定温度双数字显示和PID自整定功能，控温精确，可靠。4、智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序，温度，真空度及每一程序时间。5、HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，真空箱密封性能佳，确保HMDS气体无外漏顾虑。6、整个系统采用优质材料制造，无发尘材料，适用100 级光刻间净化环境。 HMDS预处理系统的必要性：在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。HMDS-6000系列预处理系统的原理： HMDS-6000 预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。HMDS-6000系列预处理系统的一般工作流程：首先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真牢度达到某一高真空度后，开始充人氮气，充到达到某低真空度后，冉次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：首先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。尾气排放：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。

在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。产品技术参数：电源电压：AC 380V± 10%/50Hz± 2%输入功率：3000W控温范围：室温+10℃-250℃温度分辨率：0.1℃温度波动度：± 0.5℃达到真空度：133Pa容积：90L工作室尺寸（mm）：450*450*450外形尺寸（mm）：615*590*1470载物托架：2块时间单位：分钟真空泵：国内品牌上海慕鸿型号：DM-4，旋片式油泵。 产品特点：1、机外壳采用医用级不锈钢316L材质制造，内胆为不锈钢316L材料制成；加热器均匀分布在内胆外壁四周，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体一目了然。2、箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。3、微电脑智能控温仪，具有设定，测定温度双数字显示和PID自整定功能，控温精确，可靠。4、智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序，温度，真空度及每一程序时间。5、HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，真空箱密封性能佳，确保HMDS气体无外漏顾虑。6、整个系统采用优质材料制造，无发尘材料，适用100 级光刻间净化环境。 HMDS预处理系统的必要性：在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。HMDS-6000系列预处理系统的原理： HMDS-6000 预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。HMDS-6000系列预处理系统的一般工作流程：首先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真牢度达到某一高真空度后，开始充人氮气，充到达到某低真空度后，冉次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：首先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。尾气排放：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。

在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。产品技术参数：电源电压：AC 380V± 10%/50Hz± 2%输入功率：3000W控温范围：室温+10℃-250℃温度分辨率：0.1℃温度波动度：± 0.5℃达到真空度：133Pa容积：90L工作室尺寸（mm）：450*450*450外形尺寸（mm）：615*590*1470载物托架：2块时间单位：分钟真空泵：国内品牌上海慕鸿型号：DM-4，旋片式油泵。 产品特点：1、机外壳采用医用级不锈钢316L材质制造，内胆为不锈钢316L材料制成；加热器均匀分布在内胆外壁四周，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体一目了然。2、箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。3、微电脑智能控温仪，具有设定，测定温度双数字显示和PID自整定功能，控温精确，可靠。4、智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序，温度，真空度及每一程序时间。5、HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，真空箱密封性能佳，确保HMDS气体无外漏顾虑。6、整个系统采用优质材料制造，无发尘材料，适用100 级光刻间净化环境。 HMDS预处理系统的必要性：在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。HMDS-6000系列预处理系统的原理： HMDS-6000 预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。HMDS-6000系列预处理系统的一般工作流程：首先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真牢度达到某一高真空度后，开始充人氮气，充到达到某低真空度后，冉次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：首先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。尾气排放：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。

中文名称1,3-二羟基丙酮英文名称Dihydroxyacetone中文别名二羟基丙酮CAS RN96-26-4EINECS号202-494-5分 子 式C3H6O3分 子 量90.0779用途：医药中间体、化工原料和食品添加剂。1,3-二羟基丙酮作为医药中间体，能合成一些治疗心血管疾病药物；1,3-二羟基丙酮酮可应用于化妆品中，能阻止皮肤的水份的过度蒸发，对皮肤起到保湿和防晒作用，防紫外线辐射我公司关于订购说明：1、质优价廉，量大从优，欢迎您的订购；2、物流信息：快递、汽车物流等；3、其他服务：如您对产品服务及技术指标有特殊要求，请及时通知我方；欢迎新老客户前来洽谈！订购流程：电话询单议价→签订合同→打款订货→安排发货→物流跟踪→货物送达→客户验收（7天产品质量异议期，15天产品数量异议期）→货物验收确认服务宗旨：竭诚提供 产品,售后服务客户满意。我公司产品出厂前均由质检部检验合格方可出货，质量有保证特别说明：1，产品价格会受到季节性波动影响，具体价格请客户来电核实2，产品都是完整包装，需拆分少量时价格会稍微提高3，大货急需的客户还请提前来电，我公司提前给您备货4，收货后请仔细确认完整性无损再签收，按该产品执行标准验收，如有产品不符，我们包退包换

本仪器按《中华人民共和国药典》2020年版四部 通则 0613凝点测定法设计制造，测定药物由液体凝结为固体时候，在短时间内停留不变的最高温度。二丁基羟基甲苯凝固点为约69-70度。仪器硬件方面采用65K真彩5.7寸触屏，热感性微型打印机，高精度温度传感器，从而使仪器的品质实实在在看得见；软件方面采用了流行的硬件看门狗加软件陷井，二阶滤波加去极值平均滤波算法使仪器的抗干扰大幅提升。操作中直观的中文提示使试验变得更加轻松。一、主要技术特点1、规格型号：HSY-0613G2、测试范围：室温～ 90℃3、控温精度：0.1℃4、测试精度：±0.1℃5、温度检测：Pt100 （1/3DIN B级）6、加热方式：不锈钢电热管加热7、显示方式：TFT 65K色 全触摸 5.7寸工业液晶屏显示（曲线/数据）8、报告输出：20列汉字点阵热感打印9、试样搅拌：机械搅拌 双样10、作样单元：双样11、主机功率：≤1000W12、外形尺寸(宽高深)：320 X 500 X 46013、工作电源：AC220V±10% 50HZ 14、工作环境：相对湿度：〈80% 15、温度：0～45℃ 二、主要技术参数及指标1、本仪器成套包含做样和加热控制部分。2、本仪器采用真彩全触摸屏式，操作简单，方便，美观。3、仪器做样部分采用铝板喷塑制作，耐腐蚀，无振动，延长使用寿命。4、浴体采用耐低温双层真空透明杜瓦瓶，透明观察，保温效果优良。5、传感器采用1/3DIN B级 Pt100，感温灵敏，分辨率高,抗干扰性强、测温精度高。6、试样搅拌采用机械搅拌，很好的解决了电磁搅拌高温失效的问题。7、仪器做样采用灯光照明，方便观察，显示直观。8、内置仪器自检程序，方便调试检修。

产品名称：橄榄醇化学名 : 3,5-二羟基戊苯 产品别名：5-戊基间苯二酚；5-戊基苯-1,3-二醇；1,3-二羟基-5-戊苯 3,5-二羟基戊基苯 3-二羟基-5-戊苯 5-二羟基戊基苯英文名称：Olivetol英文别名：3,5-dihydroxyamylbenzene 5-Pentyl-1,3-benzenediol 5-Pentylresorcinol；Pentyl-3,5-dihydroxybenzeneCAS：500-66-3分子式：C11H16O2分子量：180.25纯度： 98%外观：棕红色粉末包装：25公斤/桶熔点：46-48℃闪点：110℃用途：保健品原料

本仪器按《中华人民共和国药典》2020年版四部 通则 0613凝点测定法设计制造，测定药物由液体凝结为固体时候，在短时间内停留不变的最高温度。二丁基羟基甲苯凝固点为约69-70度，测定凝点可以区别或检查药品的纯杂程度。 一、主要技术特点1、型号规格： HSY-0613A2、控温范围： - 20℃～90度3、控温方式： 数显PID温控仪4、控温精度： ±0.1℃5、加热方式： 不锈钢电热管加热6、制冷方式： 进口压缩机制冷7、观察方式： 双层保温杜瓦瓶透明观察8、工作方式： 双孔9、试样搅拌方式：自动机械搅拌10、制冷控制： 进口磁力泵11、加热功率： 800W 12、制冷功率： 500W13、整机功率： 1400W14、工作电源： AC220V±10% 50HZ 15、工作环境： 相对湿度：〈80%二、主要技术参数及指标1、本仪器成套分为两部分，左边部分为冷浴做样部分，右边为加热做样部分。做样系统为左右式的整体结构，仪器下部为电路控制部分，操作简单、方便。2、仪器采用数显PID温控仪控温，控温精度可达±0.1℃，其温度显示直观，读数准确，还可调整因温度传感器老化产生的误差。因控温精度的要求传感器采用Pt100，感温灵敏分辨率高，抗干扰强、控温精度高。3、本仪器的冷浴是采用双层真空保温瓶，能很好的透明观察试样,保温性能良好。4、本仪器搅拌方式采用自动机械搅拌。5、不需循环冷却水，采用风机风冷，接通电源即可制冷。6、仪器采用铜管做成冷室，恒温冷却循环浴,高能效的制冷器也可兼做其它循环冷却用。7、本仪器采用优质钢板成型加工，表面采用静电喷涂工艺、坚固耐用，抗腐蚀性强。8 、本仪器使用和维修均很方便。

概述：空气分子污染物(AMC)对于高科技生产过程是关键性因素，特别是微电子行业，有机污染物是生产过程中的消极因素，会导致高科技公司因产品质量问题而产生的成本增加。无空气分子污染物生产是理想的生产目标，通过污染物源头控制、传播控制，实时监控污染物浓度并结合多级过滤器以及新风系统来实现，持久监测AMC浓度，有助于掌握污染物源头、稳定生产、预防过滤器突发性寿命减少等。阿瑞斯-μVOC提供给客户一个实时快捷持续的在线空气分子污染物AMC监测方案，不需要采样，离线测量。检测限达到sub-ppb级洁净室环境中的空气分子污染物AMC，内部来自建筑材料释出、设备和材料释出、腐蚀和光刻等工艺过程中化学药品逸散、人员产生、管路泄露、设备维护修理时散发等，外部来自环境空气中存在的气相污染物,以及洁净室的废气排放重新送回洁净室。一旦AMC空气分子污染物超标会引起一系列严重后果，比如晶圆废弃、停产、重新净化洁净室等。可测组份2-氨基乙醇 CH3NH2CH2OH(t-乙酸丁脂)二羟基甲苯 H3CC6H3(t-C4H9)2OH2-氨基丙醇 CH3NH2C2H4OH六甲基二硅胺烷(CH3 ) 3SiNHSi(CH3)3异丙醇(CH3 ) 2CHOH二乙氨基乙醇(C2H5)2NC2H5OH乙醇胺 H2NCH2CH2OH邻苯二甲酸二辛酯C6H4(C=OOC8H15)2环己胺C6H11NH2邻苯二甲酸二乙酯C6H4(C=OOC2H5)2环聚二甲基硅氧烷(-Si(CH3)2O-)n邻苯二甲酸二丁酯 C6H4(C = OOC4H9)2对二氯苯CIC6H4CL三乙胺(C2H5 ) 3N邻苯二甲酸二壬酯C6H4(C=OOC9H19)2邻苯二甲酸二环己酯C6H4(C=OOC6H11)2邻苯二甲酸二癸酯 C6H4(C=OOC10H21)2磷酸三乙酯(C2H5O ) 3P=0十甲基环五硅氧烷(-Si(CH3)2O-)5十二甲基环五硅氧烷(-Si(CH3)2O-)6二甲苯(CH3)2C6H4三甲酚磷酸酯(CH3C6H4O ) 3P=0三甲基硅醇C3H10OSi......亮点一般特点：在线连续质量监测全部自动化系统低浓度VOC监测独立分开测量有机物成份Sub-ppb检测限集成计算机和控制软件以及数据采集与处理功能 应用洁净间污染物监测过滤器状态监测加工过程全组份测量诊断污染物

产品型号： HMDS-6090 HMDS真空烘箱 产品特点：1、机外壳采用不锈钢SUS304材质制造，内胆为不锈钢316L材料制成；加热器均匀分布在内胆外壁四周，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体一目了然。2、箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。3、微电脑智能控温仪，具有设定，测定温度双数字显示和PID自整定功能，控温精确，可靠。 4、智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序，温度，真空度及每一程序时间。5、HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，真空箱密封性能佳，确保HMDS气体无外漏顾虑。 6、整个系统采用材料制造，无发尘材料，适用100 级光刻间净化环境。 产品技术参数： 电源电压：AC 220V±10%/50Hz±2% 输入功率：3000W 控温范围：室温+10℃-250℃ 温度分辨率：0.1℃ 温度波动度：±0.5℃ 达到真空度：133Pa 容积：90L 工作室尺寸（mm）：450*450*450 外形尺寸（mm）：850*700*1400载物托架：2块 时间单位：分钟选配件： 真空泵：德国品牌，莱宝“DC”双极系列旋片式油泵，极限真空高，噪音低，运行稳定。 连接管：不锈钢波纹管，完全密封将真空泵与烘箱连接。 HMDS预处理系统的必要性： 在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。 HMDS真空烘箱的原理： HMDS预处理系统通过对HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。 HMDS真空烘箱的一般工作流程： 先确定工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真空度达到某一高真空度后，开始充人氮气，充到达到某低真空度后，再次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。 尾气排放等：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。 图片： 外壳冷轧板烤漆

中文名称邻羟基苯乙酸英文名称2-Hydroxyphenylacetic acid中文别名2-羟基苯乙酸CAS RN614-75-5EINECS号210-393-2分 子 式C8H8O3分 子 量152.1399用　　途用作医药合成的重要中间体我公司关于订购说明：1、质优价廉，量大从优，欢迎您的订购；2、物流信息：快递、汽车物流等；3、其他服务：如您对产品服务及技术指标有特殊要求，请及时通知我方；欢迎新老客户前来洽谈！订购流程：电话询单议价→签订合同→打款订货→安排发货→物流跟踪→货物送达→客户验收（7天产品质量异议期，15天产品数量异议期）→货物验收确认服务宗旨：竭诚提供 产品,售后服务客户满意。我公司产品出厂前均由质检部检验合格方可出货，质量有保证特别说明：1，产品价格会受到季节性波动影响，具体价格请客户来电核实2，产品都是完整包装，需拆分少量时价格会稍微提高3，大货急需的客户还请提前来电，我公司提前给您备货4，收货后请仔细确认完整性无损再签收，按该产品执行标准验收，如有产品不符，我们包退包换

n产品简介BASIXX SH22是一款台式半自动匀胶机热板复合系统系统，功能强大，具有匀胶、清洗、显影、干燥、预烘烤（Pre-bake），前烘（soft bake），底胶涂覆（Primer Vapor）和后烘烤(hardbake坚膜)工艺等多种功能，样品最大尺寸为8寸晶圆或者150mm*150mm方片，广泛用于大学，研究所等科研实验室。 n产品特色匀胶机： ÷ 落地台式机，结构紧凑，所有单元集成在一台设备中，集成度高。÷ 手动装载/卸载÷ 衬底最大可达 ?200 mm (?8 inch) 或 150 x 150 mm (6 x 6 inch)÷ 软件提供用户友好的操作÷ 直驱旋涂电机÷ 全轴电机驱动且完全可编程÷ 带安全中断传感器的透明盖÷ 外壳上有电源开关 ON / OFF÷ 工艺腔和可更换防溅环，易于拆卸以进行清洁。÷ 系统材料为PP材质，耐所有类型的抗蚀剂和溶剂以及各种清洁介质。 ÷ 包括 0.5 升废液瓶 热板：÷ 温度高达 300°C÷ 电子驱动升降pin÷ 支撑pin材料为不锈钢，尖端采用 PEEK 材料 (最大250°C)÷ 程序控制支撑pin的升降（不同停止的速度和步数）÷ 热板通过真空固定晶圆÷ 热板盖手动控制÷ 集成排烟装置÷ 通过设置receip自动进行加热处理 n技术数据匀胶机：÷ 衬底尺寸: 最大可达 ?200 mm (?8 inch) 或 150 x 150 mm (6 x 6 inch)÷ 电机转速: 最大 10.000rpm, 步长 1 rpm÷ 电机加速: 最大 4.000 rpm/s÷ 步进时间: 1 至 999.9 s，步长为 0.1s÷ 工艺腔材质: 由天然 PP 制成÷ 系统架构材质: 由白色 PP 制成÷ 液体线路： 3线: 2 x 24 V / 最大 1 Amp (每条) / 触发点 0.1 秒 - ∞ 5线: 6 x 24 V / 最大 1 Amp (每条) / 触发点 0.1 秒 - ∞ 热板：÷ 衬底尺寸: 最大可达 ?200 mm (? 8”) 或 200 x 200 mm (8 x 8 inch)÷ 温度: 最大可达 300°C, 步进1°C÷ 温度精度: ±1°C@100°C ÷ 支撑pin: ?50 mm (?2”) ,最大可达 ?200 mm(?8”) 或 200 x 200mm (8 x 8 inch)÷ 热板材质: 硬质阳极氧化铝÷ 加热盖材质: 不锈钢 n选项 匀胶机： ÷ 自动液体输送臂 ÷ 液体罐 ÷ 防溅环÷ 废液池 ÷ DI水冲洗 ÷ N2吹扫÷ 热板 ÷ 不同类型的夹具 ÷ 中心定位模块 热板： ÷ 支撑pin材料 ÷ 边缘支撑pin ÷ N2吹扫÷ HMDS 热板系统（六甲基二硅胺底胶蒸汽涂覆） ÷ 600℃热板 ÷ 真空泵

人25羟基维生素D3（25（OH）D3/25 HVD3）ELISA试剂盒用于体外定量检测血清，血浆，细胞培养上清液，组织匀浆,心房水样本等中的人25羟基维生素D3

产品型号： HS40 产品特点：1、机外壳采用冷轧板烤漆处理，内胆为不锈钢316L材料制成；加热器均匀分布在内胆外壁四周，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体一目了然。2、箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。3、微电脑智能控温仪，具有设定，测定温度双数字显示和PID自整定功能，控温精确，可靠。 4、智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序，温度，真空度及每一程序时间。5、HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，真空箱密封性能佳，确保HMDS气体无外漏顾虑。 6、整个系统采用材料制造，无发尘材料，适用100 级光刻间净化环境。 产品技术参数： 电源电压：AC 220V±10%/50Hz±2% 输入功率：3000W 控温范围：室温+10℃-250℃ 温度分辨率：0.1℃ 温度波动度：±0.5℃ 达到真空度：133Pa 容积：90L 工作室尺寸（mm）：450*450*450 外形尺寸（mm）：615*615*900载物托架：2块 时间单位：分钟选配件： 真空泵：德国品牌，莱宝“DC”双极系列旋片式油泵，极限真空高，噪音低，运行稳定。 连接管：不锈钢波纹管，完全密封将真空泵与烘箱连接。 HMDS预处理系统的必要性： 在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。 HMDS真空烘箱的原理： HMDS预处理系统通过对HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。 HMDS真空烘箱的一般工作流程： 先确定工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真空度达到某一高真空度后，开始充人氮气，充到达到某低真空度后，再次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。 尾气排放等：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。外壳冷轧板烤漆

EXMC100-A防爆热成像双目枪机EXMC100-A防爆双目枪机，内置自研氧化钒非制冷红外探测器和高清可见光相机，满足全天候24小时安防监控需求。拥有双重防爆认证，机身各部件接合部位密封性能达到IP68防护等级。应用于油气储存、煤矿、危化品生产存储等，可在气体1区/2 区、粉尘21区/22区工作，助力企业安全生产。400×300红外分辨率9.1mm, 13mm,19mm镜头焦距39.5°×30.1°,28.2°×21.3°,19.5°×14.7°视场角≤40mK热灵敏度

n产品简介UNIXX HTe20型热板是一款桌面型半自动烘焙系统，用于晶圆的单面烘烤，可用于预烘烤（Pre-bake），前烘（soft bake），底胶涂覆（Primer Vapor）和后烘烤(hardbake坚膜)工艺。 n产品特色÷ 温度高达 300°C÷ 电子驱动升降pin÷ 支撑pin材料为不锈钢，尖端采用 PEEK 材料 (最大250°C)÷ 程序控制支撑pin的升降（不同停止的速度和步数）÷ 热板通过真空固定晶圆÷ 热板盖手动控制÷ 集成排烟装置÷ 通过设置receip自动进行加热处理 n主要技术数据÷ 衬底尺寸: 最大可达 ?200 mm (? 8”) 或 200 x 200 mm (8 x 8 inch)÷ 温度: 最大可达 300°C, 步进1°C÷ 温度精度: ±1°C@100°C ÷ 支撑pin: ?50 mm (?2”) ,最大可达 ?200 mm(?8”) 或 200 x 200mm (8 x 8 inch)÷ 热板材质: 硬质阳极氧化铝÷ 加热盖材质: 不锈钢 n可选项÷ 支撑pin材料÷ 边缘支撑pin÷ N2吹扫÷ HMDS 热板系统（六甲基二硅胺底胶蒸汽涂覆）÷ 600℃热板÷ 真空泵

产品简介UNIXX HTe20型热板是一款桌面型烘焙系统，用于晶圆的单面烘烤，可用于预烘烤（Pre-bake），前烘（soft bake），HMDS底胶涂覆（Primer Vapor）和后烘烤(hardbake坚膜)工艺。 产品特色÷ 温度高达 300°C÷ 电子驱动升降pin÷ 支撑pin材料为不锈钢，尖端采用 PEEK 材料 (最大250°C)÷ 程序控制支撑pin的升降（不同停止的速度和步数）÷ 热板通过真空固定晶圆÷ 热板盖手动控制÷ 集成排烟装置÷ 通过设置receip自动进行加热处理主要技术数据÷ 衬底尺寸: 最大可达 Φ200 mm (8英寸) 或 200 x 200 mm (8 x 8 inch)÷ 温度: 最大可达 300°C, 步进1°C÷ 温度精度: ±1°C@100°C ÷ 支撑pin: Φ50 mm (2英寸) ,最大可达 Φ200 mm(8英寸) 或 200 x 200mm (8 x 8 inch)÷ 热板材质: 硬质阳极氧化铝÷ 加热盖材质: 不锈钢可选项÷ 支撑pin材料÷ 边缘支撑pin÷ N2吹扫÷ HMDS 热板系统（六甲基二硅胺底胶蒸汽涂覆）÷ 600℃热板÷ 真空泵

MC2007FT测温型双目枪机MCxxxxFT系列主要运用于中小范围的安全监控和测温应用场景，产品采用氧化钒非制冷红外探测器，搭配高清可见光相机， 测温精准，呈现良好的观测效果。先进的测温和AI算法，支持声光报警功能，真正实现24小时安防监控与温度可视化监测。256x192红外分辨率7mm镜头焦距24°x18° 视场角-20℃~550℃测温范围产品手册

MC4019FT测温型双目枪机MCxxxxFT系列主要运用于中小范围的安全监控和测温应用场景，产品采用氧化钒非制冷红外探测器，搭配高清可见光相机， 测温精准，呈现良好的观测效果。先进的测温和AI算法，支持声光报警功能，真正实现24小时安防监控与温度可视化监测。400×300红外分辨率19mm镜头焦距20°×15°视场角-20℃~550℃测温范围

MC4007FT测温型双目枪机MCxxxxFT系列主要运用于中小范围的安全监控和测温应用场景，产品采用氧化钒非制冷红外探测器，搭配高清可见光相机， 测温精准，呈现良好的观测效果。先进的测温和AI算法，支持声光报警功能，真正实现24小时安防监控与温度可视化监测。400×300红外分辨率9.1mm镜头焦距40°x30° 视场角-20℃~550℃测温范围

MC4013FT测温型双目枪机MCxxxxFT系列主要运用于中小范围的安全监控和测温应用场景，产品采用氧化钒非制冷红外探测器，搭配高清可见光相机， 测温精准，呈现良好的观测效果。先进的测温和AI算法，支持声光报警功能，真正实现24小时安防监控与温度可视化监测。400×300红外分辨率13mm镜头焦距28°×21°视场角-20℃~550℃测温范围

HT20e加热台 UNIXX系列可处理基片达200 mm / 8英寸半自动单面烘烤系统设计用于：软烘（预烤）；硬烘HMDS（六甲基二硅氮烷）的选配：蒸气起泡，真空干燥HT20e加热台设计用于基材的单面烘烤，用于预烘烤和后烘烤或脱水烘烤过程。尤其适用于粘合剂底漆（HMDS 六甲基二硅氮烷），可用于蒸汽底漆或真空干燥的热板模块。带有电子可编程升降针的烘烤模块，配有触摸屏，便于操作。 软件提供了简单方便的过程控制和配方创建。 界面简单易于使用，可随时控制流程。这些温度模块有台式安装式，塔式安装式或独立式供选择。特点：温度模块（电动）加热板系统带有电动升降顶针加热板模块（最高300°C）电子驱动的升降针标准的顶针由不锈钢和PEEK尖端制成（最高250°C）升降针，可编程（根据不同停止的速度和步长）加热板表面上的真空管路用于固定基板手动控制加热板的顶盖集成式排气半自动控制器单元：7英寸彩色触摸屏配方编辑器来编写，管理和配置实际可视化效果监控用于配方，流程，日志文件的库功能（例如，错误跟踪历史记录）具有密码保护服务访问权限的用户管理通过USB或Intranet连接进行更新和备份功能产品参数：基板尺寸：最大直径200毫米（直径8英寸）圆片或200x 200毫米（8 x8英寸）方片；温度范围：最高300°C *，以1°C/步可调；温度精度：在100°C时士1°C；升降针(1套）：直径50 mm（直径2英寸）到直径200 mm（直径8英寸）或200x 200mm（8 x8英寸）；加热台表面：由硬质阳极氧化铝制成；加热台顶盖：由微抛光不锈钢制成；加热台外壳：由PP制成；控制器单元：7寸触摸屏；HT20p加热台 UNIXX系列 可处理基片达200 mm / 8英寸手动控制单面烘烤系统单面烘烤系统可选项，还提供温度高达600°C的加热板温度模块设计用于单面烘烤用于烘烤前和烘烤后的基材。带有气动升降销的烘焙模块配有一个手动PID控制器和计时器开关。 经过微处理（PID）控制器用于高测量温度控制准确性。 确定过程的设定值和参数用5场塑料薄膜键盘调节。可自由编程的定时开关有两个可调派生计时器和两个省略计时器。 与各种参数的可能性，两个输出触点和两个切换输入将允许使用任何一种应用程序可以使用的。 计时器可以使用前按钮和开关输入。特点：温度模块（气动）加热板系统带有气动升降顶针加热板模块（最高300°C）气动顶针标准的顶针由不锈钢和PEEK尖端制成（最高250°C）加热板表面上的真空管道用于固定基板手动控制加热板的顶盖集成式排气手动控制器单元：• 1个PID 控制器，用于在高测量时进行温度控制。通过调节薄膜键盘的5个键来设定关键参数。• 1个计时器开关，带有两个可调微分计时器和两个延时计时器，并可以设置各种参数。可以使用前按钮和开关输入来启动和停止计时器。产品参数：基板尺寸：最大直径200毫米（直径8英寸）圆片或200x 200毫米（8 x8英寸）方片；温度范围：最高300°C *，以1°C/步可调；温度精度：在100°C时士1°C；升降针(1套）：直径50 mm（直径2英寸）到直径200 mm（直径8英寸）或200x 200mm（8 x8英寸）；加热台表面：由硬质阳极氧化铝制成；加热台顶盖：由微抛光不锈钢制成；加热台外壳：由PP制成；控制器单元：1个PID控制器，1个计时器；

塑料薄膜切样机厂家 薄膜切样机价格 塑料切样机　　中航鼎力仪器塑料薄膜切样机介绍　　本机适用于双向拉伸薄膜（BOPP、BOPC、BOPET、BOPA）、单向拉伸薄膜及其复合膜（袋）拉伸测试用样条的制备。　　符合标准　　符合GB/T1040.3-2006/ISO527-3:1995《塑料拉伸性能的测定 第3部分：薄膜和薄片的试样条件》中6.1.1条关于样条尺寸的相关规定。　　仪器特点　　该机夹持塑料薄膜样品稳固，刀具锋利、易更换；操作简便，使用安全可靠；一次可剪切多层、多个、多种样条；一次可制样数量12条，其中15mm宽5条、10mm宽7条；另外，用户可根据需要自行改变刀具配置后，一次可同时切割10mm、15mm、20mm、25mm四种样条。　　该机切样方式与冲切制样方式相比较，所切样条边缘平整、两边平行无缺陷（在20倍放大比率下观察无缺陷），所切样条可保证薄膜的力学性能不受影响。其拉伸强度及断裂伸长率数据准确、可靠、一致性好。

n产品简介UNIXX HTp20型热板是一款手动桌面型烘焙系统，采用手动PID控制器和定时器开关可确保高的温度控制精度。用于晶圆的单面烘烤，可用于预烘烤（Pre-bake），前烘（soft bake），底胶涂覆（Primer Vapor）和后烘烤(hardbake坚膜)工艺。 n产品特色÷ 加热板模块（最高可达 300°C）÷ 气动驱动支撑pin升降÷ 支撑pin材料：不锈钢，尖端采用 PEEK （最高 250°C）÷ 热板通过真空固定晶圆÷ 集成排烟装置÷ 热板盖手动控制÷ 集成1x PID 控制器，用于在高测量时进行温度控制÷ 集成1x 定时器开关 n技术数据÷ 衬底尺寸: 最大可达 ?200 mm (? 8”) 或 200 x 200 mm (8 x 8 inch)÷ 温度区间: 最大可达 300°C*, 以 1°C 步进可调÷ 温度精度: 100°C 时 ±1°C÷ 提升销（一套）: ?50 mm (?2”) 最大可达 ?200 mm(?8”) 或 200 x 200mm (8 x 8 inch)÷ 热板表面: 由硬质阳极氧化铝制成÷ 加热板盖: 由微抛光不锈钢制成÷ 控制器单元: 1x PID控制器, 1x 时间开关÷ Pin顶部 采用PEEK 材料最高温度 250°C n可选项÷ 支撑pin材料÷ 边缘支撑pin÷ N2吹扫÷ HMDS 热板系统（六甲基二硅胺底胶蒸汽涂覆）÷ 烘焙距离可调模组÷ 真空泵