HUSTEC华科智源HUSTEC-1600A-MTIGBT静态参数测试仪一:IGBT静态参数测试仪主要特点华科智源HUSTEC-1200A-MT电参数测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试,还可以测量大功率二极管 、IGBT模块,大功率 IGBT、大功率双极型晶体管,MOS管等器件的 V-I 特性测试,测试600A(可扩展至2000A),5000V以下的各种功率器件,广泛应用于轨道交通,电动汽车 ,风力发电,变频器,焊机行业的IGBT来料选型和失效分析,设备还可以用于变频器,风电,轨道交通,电焊机等行业的在线检修,无需从电路板上取下来进行单独测试,可实现在线IGBT检测,测试方便,测试过程简单,既可以在测试主机里设置参数直接测试,又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试,通过电脑操作完成 IGBT 的静态参数测试;IGBT静态参数测试仪测试参数:ICES 集电极-发射极漏电流IGESF 正向栅极漏电流IGESR 反向栅极漏电流BVCES 集电极-发射极击穿电压VGETH 栅极-发射极阈值电压VCESAT 集电极-发射极饱和电压ICON 通态电极电流VGEON 通态栅极电压VF 二极管正向导通压降整个测试过程自动完成,电脑软件携带数据库管理查询功能,可生成测试曲线,方便操作使用。二:IGBT静态参数测试仪应用范围A:IGBT单管及模块,B:大功率场效应管(Mosfet)C:大功率二极管D:标准低阻值电阻E:轨道交通,风力发电,新能源汽车,变频器,焊机等行业筛选以及在线故障检测三、IGBT静态参数测试仪特征:A:测量多种IGBT、MOS管B:脉冲电流1200A,电压5KV,测试范围广;C:脉冲宽度 50uS~300uSD:Vce测量精度2mVE:Vce测量范围10V F:电脑图形显示界面G:智能保护被测量器件H:上位机携带数据库功能I:MOS IGBT内部二极管压降J : 一次测试IGBT全部静态参数K: 生成测试曲线(IV曲线直观看到IGBT特性,可以做失效分析以及故障定位)L:可以进行不同曲线的对比,观测同一批次产品的曲线状态,或者不同厂家同一规格参数的曲线对比;序号测试项目描述测量范围分辨率精度1VF二极管正向导通压降0~20V1mV±1%,±1mV2IF二极管正向导通电流0~1200A≤200A时,0.1A≤200A时,±1%±0.1A3>200A时,1A>200A时,±1%4Vces集电极-发射极电压0~5000V1V±1%,±1V5Ic通态集电极电流0~1200A≤200A时,0.1A≤200A时,±1%±0.1A6>200A时,1A>200A时,±1%7Ices集电极-发射极漏电流0~50mA1nA±1%,±10μA8Vgeth栅极-发射极阈值电压0~20V1mV±1%,±1mV9Vcesat集电极-发射极饱和电压0~20V1mV±1%,±1mV10Igesf正向栅极漏电流0~10uA1nA±2%,±1nA11Igesr反向栅极漏电流12Vges栅极发射极电压0~40V1mV±1%,±1mV华科智源静态参数测试系统针对 IGBT 的各种静态参数而研制的智能测试系统;自动化程度高(按照操作人员设定的程序自动工作),计算机可以记录测试结果,测试结果可转化为文本格式存储,测试方法灵活(可测试器件以及单个单元和多单元的模块测试),安全稳定(对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁),具有安全保护功能,测试速度方便快捷。
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