本文参考GB/T 14849.5-2014《工业硅化学分析方法 第5部分:元素含量的测定 X 射线荧光光谱法》,利用岛津XRF-1800波长色散型X射线荧光光谱仪,采用粉末压片制样方法,测定工业硅中杂质元素含量。利用工业硅标准样品建立相应工作曲线,各杂质元素标准曲线线性良好,平行测定10次,各组分精度良好。方法适用于工业硅中铁、铝、钙、锰、镍、钛、铜、磷、镁、铬、钒、钴含量的测定,满足工业硅生产对杂质成分的检测需求。
本文参考GB/T 14849.5-2014《工业硅化学分析方法 第5部分:元素含量的测定 X 射线荧光光谱法》,利用岛津XRF-1800波长色散型X射线荧光光谱仪,采用粉末压片制样方法,测定多晶硅中杂质元素含量。利用工业硅标准样品建立相应工作曲线,各杂质元素标准曲线线性良好,平行测定10次,各杂质组分分析精度良好。方法适用于多晶硅中铁、铝、钙、锰、镍、钛、铜、磷、镁、铬、钒、钴含量的测定,满足多晶硅生产对杂质成分的检测需求。
ICH Q3D中设定了24种可能存在毒性的元素的每日允许最大暴露量(PDE),需要使用合适的试验方法对含量进行监控。因此,“2.66 元素杂质”纳入日本药典,”元素杂质——限值“和”元素杂质——测定方法“纳入美国药典,“5.20 元素杂质”和“2.4.20 元素杂质的测定”纳入欧洲药典,同时规定电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)作为分析方法。